專利名稱:太陽(yáng)能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù):
由太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能的太陽(yáng)能電池,具有清潔性、安全性、資源的相對(duì)廣泛性、壽命長(zhǎng)及免維護(hù)等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是二十一世紀(jì)最重要的新能源。目前,市場(chǎng)及資料上所出現(xiàn)的傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池板主要由P型硅減反層、 襯底、處于襯底與P型硅減反層之間的N型硅板及P型硅層組成,其中的N型硅較為昂貴, 并且制造成本較高;薄膜硅太陽(yáng)能電池厚度薄節(jié)省材料、并且制造過(guò)程簡(jiǎn)單,成本相對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池板相對(duì)低廉,但是電池轉(zhuǎn)換率只有5%— 7%,其應(yīng)用范圍受到局限。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實(shí)用新型提供了一種成本低廉、提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案一種太陽(yáng)能電池,包括有P型硅減反層、襯底、處于襯底與P型硅減反層之間的電極板及P型硅層,所述的P型硅層內(nèi)設(shè)有反應(yīng)區(qū),其特征在于所述的電極板為鉛金屬膜片。采用上述技術(shù)方案,P型硅層的反應(yīng)區(qū)進(jìn)入太陽(yáng)光后,太陽(yáng)光線在反應(yīng)區(qū)內(nèi)產(chǎn)生帶正電荷的準(zhǔn)粒子空穴、帶負(fù)電荷的自由電子及內(nèi)建電場(chǎng)。由于鉛和硅屬于同一族元素,在P 型硅層上生長(zhǎng)的鉛膜是異常穩(wěn)定結(jié)構(gòu),并且鉛金屬膜片的電子密度非常大,與現(xiàn)有的N型硅相比,鉛金屬膜片中有更多的電子可以擴(kuò)散到P型硅層內(nèi),鉛金屬膜片與P型硅層之間形成的耗盡層厚度更大,反應(yīng)區(qū)內(nèi)的內(nèi)建電場(chǎng)更強(qiáng),電池的開(kāi)壓更高,從而減少電子空穴對(duì)的復(fù)合,達(dá)到提高光電轉(zhuǎn)換效率的目的。并且,鉛金屬膜片與P型硅層之間的界面可以透過(guò) P型硅層的太陽(yáng)光反射回P型硅層中,這部分太陽(yáng)光線同樣可以產(chǎn)生電子空穴,有利于提高光電轉(zhuǎn)換效率。而且鉛金屬膜片是金屬,太陽(yáng)能電池板在制造過(guò)程中,可以省卻在傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池的N型硅片上做電極的工序,使制造過(guò)程簡(jiǎn)單化;鉛金屬膜片比硅材料便宜,因此采用鉛金屬膜片也降低了生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為鉛金屬膜片的厚度為1一5微米。采用上述技術(shù)方案,1一5微米厚度的鉛金屬膜片便可運(yùn)用到太陽(yáng)能電池中實(shí)現(xiàn)N 型硅的作用,這樣設(shè)置降低了生產(chǎn)成本。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0011]如圖1所示的一種太陽(yáng)能電池,包括有P型硅減反層1、襯底2、處于襯底2與P型硅減反層1之間的電極板及P型硅層3,P型硅層3內(nèi)設(shè)有供太陽(yáng)光線進(jìn)入及產(chǎn)生電場(chǎng)的反應(yīng)區(qū)31,電極板為鉛金屬膜片4。上述方案中,P型硅層3的反應(yīng)區(qū)31進(jìn)入太陽(yáng)光后,太陽(yáng)光線在反應(yīng)區(qū)31內(nèi)產(chǎn)生帶正電荷的準(zhǔn)粒子空穴、帶負(fù)電荷的自由電子及內(nèi)建電場(chǎng)。由于鉛和硅屬于同一族元素,在P型硅層3上生長(zhǎng)的鉛膜是異常穩(wěn)定結(jié)構(gòu),并且鉛金屬膜片4的電子密度非常大,與現(xiàn)有的N型硅相比,鉛金屬膜片4中有更多的電子可以擴(kuò)散到P型硅層3 內(nèi),鉛金屬膜片4與P型硅層3之間形成的耗盡層厚度更大,反應(yīng)區(qū)31內(nèi)的內(nèi)建電場(chǎng)更強(qiáng), 電池的開(kāi)壓更高,從而減少電子空穴對(duì)的復(fù)合,達(dá)到提高光電轉(zhuǎn)換效率的目的。并且,鉛金屬膜片4與P型硅層3之間的界面可以透過(guò)P型硅層3的太陽(yáng)光反射回P型硅層3中,這部分太陽(yáng)光線同樣可以產(chǎn)生電子空穴,有利于提高光電轉(zhuǎn)換效率。而且鉛金屬膜片4是金屬,太陽(yáng)能電池板在制造過(guò)程中,可以省卻在傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池的N型硅片上做電極的工序, 使制造過(guò)程簡(jiǎn)單化;鉛金屬膜片4比硅材料便宜,因此采用鉛金屬膜片4也降低了生產(chǎn)成本。在本實(shí)用新型實(shí)施例中,鉛金屬膜片4的厚度為1一5微米。
權(quán)利要求1.一種太陽(yáng)能電池,包括有P型硅減反層、襯底、處于襯底與P型硅減反層之間的電極板及P型硅層,所述的P型硅層內(nèi)設(shè)有反應(yīng)區(qū),其特征在于所述的電極板為鉛金屬膜片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于所述鉛金屬膜片的厚度為1一5微米。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池。本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案一種太陽(yáng)能電池,包括有P型硅減反層、襯底、處于襯底與P型硅減反層之間的電極板及P型硅層,所述的P型硅層內(nèi)設(shè)有反應(yīng)區(qū),其特征在于所述的電極板為鉛金屬膜片。采用上述技術(shù)方案,提供了一種成本低廉、提高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽(yáng)能電池。
文檔編號(hào)H01L31/04GK202111104SQ20112022724
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者王國(guó)忠 申請(qǐng)人:王國(guó)忠