專(zhuān)利名稱(chēng)：堆疊封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種堆疊封裝，其適于高速處理數(shù)據(jù)并且能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的發(fā)展，具有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝逐漸能夠在短時(shí)間內(nèi)處理不斷增加的數(shù)據(jù)量。半導(dǎo)體封裝通過(guò)如下工藝制造在由高純硅形成的晶片上制造半導(dǎo)體芯片的工藝、電學(xué)檢查半導(dǎo)體芯片的裸片分選工藝以及封裝通過(guò)檢查的半導(dǎo)體芯片的組裝工藝。近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出芯片級(jí)封裝和堆疊封裝，在芯片級(jí)封裝中封裝的尺寸不大于半導(dǎo)體芯片尺寸的大約100%至105%，而在堆疊封裝中堆疊了多個(gè)半導(dǎo)體芯片。堆疊封裝提供的優(yōu)勢(shì)在于其可顯著增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量。但是，堆疊封裝遇到的問(wèn)題是數(shù)據(jù)處理速度顯著降低，這是因?yàn)檩斎胫炼询B封裝中包含的各個(gè)半導(dǎo)體芯片以及從堆疊封裝中包含的各個(gè)半導(dǎo)體芯片輸出的信號(hào)處理速度發(fā)生偏差。此外，采用了插入附加子襯底的結(jié)構(gòu)，以有助于制造能夠高速處理數(shù)據(jù)的堆疊封裝。在這點(diǎn)上，在將半導(dǎo)體芯片附著在子襯底的上表面和下表面期間，由于子襯底的翹曲而在接合點(diǎn)上可能形成不良連接。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例涉及細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的堆疊封裝，其適于高速處理數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，堆疊封裝包括核心層，具有第一表面和相對(duì)于第一表面的第二表面，并且包括形成在該第一表面上的第一電路布線(xiàn)；第一半導(dǎo)體器件，設(shè)置在該核心層的該第二表面上；第一樹(shù)脂層，形成在該核心層的該第二表面上，以覆蓋該第一半導(dǎo)體器件；第二電路布線(xiàn)，形成在該第一樹(shù)脂層上，并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接；第二半導(dǎo)體器件，設(shè)置在包括該第二電路布線(xiàn)的該第一樹(shù)脂層之上，并與該第二電路布線(xiàn)電連接； 第二樹(shù)脂層，形成在該第二電路布線(xiàn)和該第一樹(shù)脂層上，以覆蓋該第二半導(dǎo)體器件；以及多個(gè)通路圖案，貫穿該第一樹(shù)脂層和該核心層，并且與該第一電路布線(xiàn)和該第二電路布線(xiàn)電連接。第一樹(shù)脂層可以是樹(shù)脂和環(huán)氧模塑料(EMC，印oxy molding compound)中的一種。第二樹(shù)脂層可以是樹(shù)脂和EMC中的一種。第一和第二半導(dǎo)體器件中每一個(gè)可以是半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體封裝中的一種。第一半導(dǎo)體器件可包括第一接合墊和形成在第一接合墊上的第一凸塊以與第二電路布線(xiàn)電連接，并且第二半導(dǎo)體器件可包括第二接合墊和形成在第二接合墊上的第二凸塊以與第二電路布線(xiàn)電連接。第二電路布線(xiàn)可包括多個(gè)第一跡線(xiàn)，從第一樹(shù)脂層的大致中部延伸至第一樹(shù)脂層的第一邊緣，并且具有第一端子部以及第二端子部，該第一端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接，該第二端子部靠近該第一邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接；以及多個(gè)第二跡線(xiàn)，從該第一樹(shù)脂層的大致中部延伸至該第一樹(shù)脂層的相對(duì)于該第一邊緣的第二邊緣，與該第一跡線(xiàn)分離，并且具有第三端子部以及第四端子部，該第三端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第二半導(dǎo)體器件電連接，該第四端子部靠近該第二邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接。每一個(gè)第一端子部以及其相應(yīng)的第二端子部之間的距離可以相同，并且每一個(gè)第三端子部以及其相應(yīng)的第四端子部之間的距離可以相同，并且該第一端子部和該第二端子部之間的距離與該第三端子部和該第四端子部之間的距離可以相同。形成在核心層的第一表面上的第一電路布線(xiàn)可包括球焊墊。核心層可包括形成在第一表面上的焊料掩模以覆蓋除球焊墊之外的第一電路布線(xiàn)。堆疊封裝可還包括附著到球焊墊的外部安裝部件。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，堆疊封裝包括核心層，具有第一表面和相對(duì)于該第一表面的第二表面，并且包括形成在該第一表面上的第一電路布線(xiàn)；至少兩個(gè)單元封裝，堆疊在該核心層的該第二表面上；以及通路圖案，形成為貫穿該核心層以及堆疊的單元封裝中的至少一個(gè)，每一個(gè)單元封裝包括第一半導(dǎo)體器件；第一樹(shù)脂層，形成為覆蓋該第一半導(dǎo)體器件的上表面和側(cè)表面；第二電路布線(xiàn)，形成在該第一樹(shù)脂層上，并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接；第二半導(dǎo)體器件，設(shè)置在包括該第二電路布線(xiàn)的第一樹(shù)脂層之上并且與該第二電路布線(xiàn)電連接；以及第二樹(shù)脂層，形成在該第二電路布線(xiàn)和該第一樹(shù)脂層上，以覆蓋該第二半導(dǎo)體器件的下表面和側(cè)表面，其中通路圖案貫穿堆疊的單元封裝中至少一個(gè)的核心層、該第一樹(shù)脂層和該第二樹(shù)脂層中至少一個(gè)以及該第二電路布線(xiàn)，并且將堆疊的單元封裝的第一電路布線(xiàn)與該第二電路布線(xiàn)電連接。第一樹(shù)脂層可以包括樹(shù)脂和EMC中的至少一種。第二樹(shù)脂層可以包括樹(shù)脂和EMC中的至少一種。第一和第二半導(dǎo)體器件每一個(gè)可以包括半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體封裝中的至少一種。第一半導(dǎo)體器件可包括第一接合墊和形成在第一接合墊上的第一凸塊以與第二電路布線(xiàn)電連接；并且第二半導(dǎo)體器件可包括第二接合墊和形成在第二接合墊上的第二凸塊以與第二電路布線(xiàn)電連接。第二電路布線(xiàn)可包括多個(gè)第一跡線(xiàn)，從第一樹(shù)脂層的大致中部延伸至第一樹(shù)脂層的第一邊緣，并且具有第一端子部以及第二端子部，該第一端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接，該第二端子部靠近該第一邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接；以及多個(gè)第二跡線(xiàn)，從該第一樹(shù)脂層的大致中部延伸至該第一樹(shù)脂層的相對(duì)于該第一邊緣的第二邊緣，與該第一跡線(xiàn)分離，并且具有第三端子部以及第四端子部，該第三端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第二半導(dǎo)體器件電連接，該第四端子部靠近該第二邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接。每一個(gè)第一端子部以及其相應(yīng)的第二端子部之間的距離可以相同，并且第三端子部以及其相應(yīng)的第四端子部之間的距離可以相同，并且該第一端子部和該第二端子部之間的距離與該第三端子部和該第四端子部之間的距離可以相同。形成在核心層的第一表面上的第一電路布線(xiàn)可包括球焊墊。核心層可包括形成在第一表面上的焊料掩模以覆蓋除球焊墊之外的第一電路布線(xiàn)。堆疊封裝可還包括附著到球焊墊的外部安裝部件。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝的截面圖。圖2是示出圖1所示的堆疊封裝中組成元件之間的電連接關(guān)系的俯視圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下參考附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的特定實(shí)施例。可以理解，附圖無(wú)需按比例繪制，并且在某些情況下比例可被放大以便更清楚地示出本發(fā)明的某些特征。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝的截面圖，而圖2是示出圖1所示的堆疊封裝中組成元件之間的電連接關(guān)系的俯視圖。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝100包括核心層110、第一和第二樹(shù)脂層130和132、第一和第二半導(dǎo)體器件140和150、第二電路布線(xiàn)122以及通路圖案160。核心層110具有第一表面IlOa和相對(duì)于第一表面IlOa的第二表面110b。核心層 110包括位于第一表面IlOa上的第一電路布線(xiàn)112以及球焊墊114。焊料掩模116以覆蓋除球焊墊114之外的第一電路布線(xiàn)112這樣的方式形成在第一表面IlOa上。第一半導(dǎo)體器件140可以是半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝。圖1示例性示出第一半導(dǎo)體器件140是半導(dǎo)體芯片的情況。第一接合墊142設(shè)置在第一半導(dǎo)體器件140的上表面上。 以將第一接合墊142設(shè)置為背對(duì)核心層110的第二表面IlOb的方式，第一半導(dǎo)體器件140 可面朝上設(shè)置在核心層110的第二表面IlOb上。第一半導(dǎo)體器件140例如可具有四邊形板狀形狀，且可包括形成于其中的第一電路單元(未示出)。第一電路單元可與第一接合墊142連接。第一電路單元可包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部件以及用于處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理部件。第一半導(dǎo)體器件140可包括第一凸塊144，第一凸塊144形成在第一接合墊142 上以與第二電路布線(xiàn)122電連接，將在隨后詳細(xì)說(shuō)明第二電路布線(xiàn)122。第一樹(shù)脂層130以覆蓋第一半導(dǎo)體器件140的方式形成在核心層110的第二表面 IlOb上。第一樹(shù)脂層130可包括例如樹(shù)脂或EMC(環(huán)氧模塑料)。第二電路布線(xiàn)122形成在第一樹(shù)脂層130上并且與第一半導(dǎo)體器件140電連接。 詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第二電路布線(xiàn)122包括第一跡線(xiàn)126a和第二跡線(xiàn)U6b，第一跡線(xiàn)126a和第二跡線(xiàn)126b分別延伸至第一樹(shù)脂層130的第一邊緣El和第二邊緣E2。第一跡線(xiàn)126a具有第一端子部IMa(圖幻，第一端子部12 靠近第一樹(shù)脂層130的中部設(shè)置并且與第一半導(dǎo)體器件140電連接。第一跡線(xiàn)126a還具有第二端子部124b (圖幻，第二端子部124b靠近第一邊緣El設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案160電連接。第二跡線(xiàn)12 具有第三端子部IMc (圖幻，第三端子部12 靠近第一樹(shù)脂層130 的中部設(shè)置并且與第二半導(dǎo)體器件150電連接。第二跡線(xiàn)126b還具有第四端子部IMd(圖 2)，第四端子部124d靠近第二邊緣E2設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案160電連接。如將在下文詳細(xì)說(shuō)明的，第一跡線(xiàn)126a的第一端子部12 通過(guò)第一凸塊144與第一半導(dǎo)體器件140
7的第一接合墊142電連接，而第二跡線(xiàn)12 的第三端子部12 通過(guò)第二凸塊154與第二半導(dǎo)體器件150的第二接合墊152電連接。第二半導(dǎo)體器件150可以是半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝。圖1示例性示出第二半導(dǎo)體器件150是半導(dǎo)體芯片的情況。第二接合墊152設(shè)置在第二半導(dǎo)體器件150所包括的上表面的中部上。第二半導(dǎo)體器件150可面朝下設(shè)置在第一樹(shù)脂層130之上，從而第二接合墊152設(shè)置為面向核心層110的第二表面IlOb以與第二電路布線(xiàn)122電連接。例如，第二接合墊152可以設(shè)置為與第一半導(dǎo)體器件140的第一接合墊142傾斜地相對(duì)，并且第二電路布線(xiàn)122位于第二接合墊152和第一接合墊142之間。第二半導(dǎo)體器件150例如可具有四邊形板狀形狀，并且可包括形成于其中的第二電路單元(未示出)。 第二電路單元可與第二接合墊152連接。第二電路單元可包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部件以及用于處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理部件。第二樹(shù)脂層132形成為覆蓋第二半導(dǎo)體器件150。第二樹(shù)脂層132可包括樹(shù)脂或 EMC。通路圖案160形成為貫穿第一樹(shù)脂層130以及核心層110，靠近第一邊緣El和第二邊緣E2設(shè)置，并且電連接第一電路布線(xiàn)112和第二電路布線(xiàn)122。通路圖案160例如可通過(guò)借助激光鉆孔或干蝕刻來(lái)定義通路孔(未示出)，以貫穿第一半導(dǎo)體器件140兩側(cè)上的第一樹(shù)脂層130和核心層110的部分，隨后通過(guò)借助電鍍工藝在通路孔中填充金屬材料而形成。通路孔可定義為貫穿第一和第二電路布線(xiàn)112和122。諸如銅的具有優(yōu)良導(dǎo)電性的材料可用作金屬材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝100還包括附著到核心層110的球焊墊114上的外部安裝部件170。外部安裝部件170例如可包括焊球。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝100中，第一和第二半導(dǎo)體器件140和150 被倒裝焊接而彼此面對(duì)，并且在第一和第二半導(dǎo)體器件140和150之間具有第二電路布線(xiàn) 122。第一半導(dǎo)體器件140通過(guò)附著到第一接合墊142上的第一凸塊144電連接到第二電路布線(xiàn)122。第一凸塊144例如可包括焊料或金(Au)接線(xiàn)柱。類(lèi)似地，第二半導(dǎo)體器件150 通過(guò)附著到第二接合墊152上的第二凸塊154電連接到第二電路布線(xiàn)122。第二凸塊巧4 可包括與第一凸塊144相同的材料。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，圖2是示出圖1中所示的堆疊封裝中的組成元件之間電連接關(guān)系的平面圖。以下將說(shuō)明上述電連接關(guān)系。參考圖2，設(shè)置在第一樹(shù)脂層130的上表面上的第二電路布線(xiàn)122包括彼此分離的多個(gè)第一跡線(xiàn)126a以及多個(gè)第二跡線(xiàn)126b。第一跡線(xiàn)126a和第二跡線(xiàn)126b分別從第一樹(shù)脂層130的中部延伸到第一邊緣El和第二邊緣E2。第一跡線(xiàn)126a包括靠近中部設(shè)置的第一端子部12 以及靠近第一邊緣El設(shè)置的第二端子部124b。第二跡線(xiàn)12 包括靠近中部設(shè)置的第三端子部12 以及靠近第二邊緣E2設(shè)置的第四端子部124d。第一跡線(xiàn)126a中的第一端子部12 和第二端子部124b之間的距離可彼此相同， 且第二跡線(xiàn)126b中的第三端子部12 和第四端子部124d之間的距離可彼此相同。而且， 第一端子部12 和第二端子部124b之間的距離以及第三端子部12 和第四端子部124d 之間的距離可彼此相同。第一半導(dǎo)體器件140設(shè)置在芯片附著區(qū)C/R中第二電路布線(xiàn)122的下表面之下。通過(guò)第一接合墊142和第一跡線(xiàn)126a從第一半導(dǎo)體器件140至第二電路布線(xiàn)122進(jìn)行電連接。附著到第一接合墊142的第一凸塊144耦接到第一跡線(xiàn)126a的第一端子部12如。第二半導(dǎo)體器件150設(shè)置在芯片附著區(qū)C/R中第二電路布線(xiàn)122的上表面之上。 通過(guò)第二接合墊152和第二跡線(xiàn)126b從第二半導(dǎo)體器件150和第二電路布線(xiàn)122進(jìn)行電連接。附著到第二接合墊152的第二凸塊巧4耦接到第二跡線(xiàn)126b的第三端子部12如。因此，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝中，因?yàn)橐韵嗤姆绞綄?shí)現(xiàn)第一和第二半導(dǎo)體器件之間的電連接路徑，所以能夠避免由信號(hào)路徑延遲引發(fā)的問(wèn)題。而且，因?yàn)楹诵膶右约暗谝缓偷诙雽?dǎo)體器件之間的電連接是通過(guò)以通路圖案為介質(zhì)實(shí)現(xiàn)的，所以相應(yīng)地縮短了信號(hào)傳輸路徑，由此能夠?qū)崿F(xiàn)適于高速處理數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)。而且，在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝中，因?yàn)榈谝话雽?dǎo)體器件插入覆蓋了核心層的第一樹(shù)脂層中，從而使堆疊封裝制成為嵌入型，所以可實(shí)現(xiàn)細(xì)長(zhǎng)結(jié)構(gòu)。雖然本發(fā)明的上述實(shí)施例中說(shuō)明了第二電路布線(xiàn)包括彼此分離的多個(gè)第一跡線(xiàn)以及多個(gè)第二跡線(xiàn)，但可以采用各種其他形狀的第二電路布線(xiàn)。例如，在第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件為相同類(lèi)型且相同的信號(hào)輸入到彼此面對(duì)設(shè)置的第一接合墊142和第二接合墊152的情況下，第二電路布線(xiàn)可由從第一邊緣延伸到第二邊緣而沒(méi)有被分成兩部分的單個(gè)跡線(xiàn)構(gòu)成。在這種情況下，與第一半導(dǎo)體器件連接的第一端子部和與第二半導(dǎo)體器件連接的第三端子部可彼此整合到一起。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝的截面圖。參考圖3，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝200包括核心層210、堆疊在核心層210上的至少兩個(gè)單元封裝300以及電連接核心層210和堆疊的單元封裝300的通路圖案沈0。在圖3中示出三個(gè)單元封裝300。核心層210具有第一表面210a和相對(duì)于第一表面210a的第二表面210b。核心層 210包括位于第一表面210a上的第一電路布線(xiàn)212和球焊墊214。焊料掩模216以覆蓋除球焊墊214之外的第一電路布線(xiàn)212的方式形成在第一表面210a上。堆疊的單元封裝300中每一個(gè)包括第一和第二樹(shù)脂層230和232、第一和第二半導(dǎo)體器件240和250以及第二電路布線(xiàn)222。第一和第二半導(dǎo)體器件240和250中每一個(gè)可以是半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體封裝。圖3示例性示出第一和第二半導(dǎo)體器件240和250是半導(dǎo)體芯片的情況。堆疊的單元封裝300中最下面的單元封裝300的第一半導(dǎo)體器件240面朝上設(shè)置在核心層210的第二表面210b上。因此，在最下面的單元封裝300中的第一半導(dǎo)體器件 240的上表面上設(shè)置的第一接合墊242背對(duì)核心層210的第二表面210b。類(lèi)似地，各個(gè)單元封裝300的第一半導(dǎo)體器件240都面朝上設(shè)置，從而使各個(gè)第一半導(dǎo)體器件240的第一接合墊242都背對(duì)核心層210的第二表面210b。每一個(gè)第一樹(shù)脂層230都以覆蓋每一個(gè)第一半導(dǎo)體器件240的上表面和側(cè)表面的方式來(lái)形成。第一樹(shù)脂層230例如可包括樹(shù)脂或EMC。第二電路布線(xiàn)222形成在第一樹(shù)脂層230的上表面上并且與第一半導(dǎo)體器件240 電連接。類(lèi)似于圖1和2中所示的上述實(shí)施例，各個(gè)單元封裝300中的第二電路布線(xiàn)222 包括多個(gè)第一跡線(xiàn)226a和多個(gè)第二跡線(xiàn)226b。每一個(gè)第一跡線(xiàn)226a具有第一端子部和第二端子部，且每一個(gè)第二跡線(xiàn)226b具有第三端子部和第四端子部。
每一個(gè)第二半導(dǎo)體器件250都面朝下設(shè)置在包括第二電路布線(xiàn)222的第一樹(shù)脂層 230之上，以與第二電路布線(xiàn)222電連接。因此，形成在每一個(gè)第二半導(dǎo)體器件250的上表面上的第二接合墊252以與第一半導(dǎo)體器件MO的第一接合墊242傾斜地相對(duì)的方式設(shè)置，并且第二電路布線(xiàn)222位于第二接合墊252和第一接合墊242之間。每一個(gè)第二樹(shù)脂層232以覆蓋第二半導(dǎo)體器件250的方式形成在第二電路布線(xiàn) 222和第一樹(shù)脂層230上。第二樹(shù)脂層232可包括與第一樹(shù)脂層230相同的樹(shù)脂。通常，第二樹(shù)脂層232可包括樹(shù)脂或EMC。在這點(diǎn)上，單元封裝300的第二樹(shù)脂層232設(shè)置在至少兩個(gè)堆疊的單元封裝300中的最上部，可由EMC形成，并且其它的單元封裝300的第二樹(shù)脂層 232可由樹(shù)脂形成。通路圖案260形成為貫穿各個(gè)單元封裝300的核心層210以及第一和第二樹(shù)脂層 230和232，并且將設(shè)置在核心層210的第一表面210a上的第一電路布線(xiàn)212與各個(gè)單元封裝300的第二電路布線(xiàn)222電連接。這種通路圖案260例如可通過(guò)借助激光鉆孔或干蝕刻定義通路孔(未示出)以貫穿核心層210以及覆蓋第一和第二半導(dǎo)體器件240和250的第一和第二樹(shù)脂層230和232，隨后通過(guò)借助電鍍工藝在通路孔中填充金屬材料而形成。通路孔可定義為貫穿第一和第二電路布線(xiàn)212和222。在一個(gè)實(shí)施例中，通路孔可定義為貫穿堆疊的單元封裝300中位于最上部的單元封裝300中的第二樹(shù)脂層232，而在另一個(gè)實(shí)施例中，通路孔可定義為不貫穿最上部的單元封裝300中的第二樹(shù)脂層232。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝200可進(jìn)一步包括附著到核心層210 的球焊墊214的外部安裝部件270。外部安裝部件270例如可包括焊球。而且，雖然說(shuō)明了第二電路布線(xiàn)222包括彼此分離的多個(gè)第一跡線(xiàn)以及多個(gè)第二跡線(xiàn)，但第二電路布線(xiàn)222可包括從第一邊緣延伸到第二邊緣而沒(méi)有如前所示的斷點(diǎn)的單個(gè)跡線(xiàn)。當(dāng)然，可以理解在這種情況下，與第一半導(dǎo)體器件連接的第一端子部和與第二半導(dǎo)體器件連接的第三端子部可以彼此整合到一起。因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的堆疊封裝200實(shí)現(xiàn)為至少兩個(gè)單元封裝堆疊在核心層上，所以堆疊封裝200與圖1和2中所示的實(shí)施例中的堆疊封裝相比具有更大的容量。雖然出于說(shuō)明性目的而說(shuō)明了本發(fā)明的特定實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將能認(rèn)識(shí)到，在不脫離所附權(quán)利要求中公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神的前提下，可對(duì)本發(fā)明作出各種改進(jìn)、添加和替換。本申請(qǐng)要求2010年6月16日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10-2010-0057058以及2011 年5月3日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 10-2011-0041740的優(yōu)先權(quán)，在此通過(guò)援引并入其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種堆疊封裝，包括核心層，具有第一表面和相對(duì)于第一表面的第二表面，并且包括形成在該第一表面上的第一電路布線(xiàn)；第一半導(dǎo)體器件，設(shè)置在該核心層的該第二表面上； 第一樹(shù)脂層，形成在該核心層的該第二表面上，以覆蓋該第一半導(dǎo)體器件； 第二電路布線(xiàn)，形成在該第一樹(shù)脂層上，并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接； 第二半導(dǎo)體器件，設(shè)置在包括該第二電路布線(xiàn)的該第一樹(shù)脂層之上，并與該第二電路布線(xiàn)電連接；第二樹(shù)脂層，形成在該第二電路布線(xiàn)和該第一樹(shù)脂層上，以覆蓋該第二半導(dǎo)體器件；以及多個(gè)通路圖案，貫穿該第一樹(shù)脂層和該核心層，并且與該第一電路布線(xiàn)和該第二電路布線(xiàn)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝，其中該第一樹(shù)脂層包括樹(shù)脂和環(huán)氧模塑料中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝，其中該第二樹(shù)脂層包括樹(shù)脂和環(huán)氧模塑料中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝，其中該第一半導(dǎo)體器件和該第二半導(dǎo)體器件每一個(gè)包括半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體封裝中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝，其中該第一半導(dǎo)體器件包括第一接合墊和形成在該第一接合墊上的第一凸塊以與該第二電路布線(xiàn)電連接；并且其中該第二半導(dǎo)體器件包括第二接合墊和形成在該第二接合墊上的第二凸塊以與該第二電路布線(xiàn)電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝，其中該第二電路布線(xiàn)包括多個(gè)第一跡線(xiàn)，從該第一樹(shù)脂層的實(shí)質(zhì)上中部延伸至該第一樹(shù)脂層的第一邊緣，并且具有第一端子部以及第二端子部，該第一端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接，該第二端子部靠近該第一邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接；以及多個(gè)第二跡線(xiàn)，從該第一樹(shù)脂層的實(shí)質(zhì)上中部延伸至該第一樹(shù)脂層的相對(duì)于該第一邊緣的第二邊緣，與該第一跡線(xiàn)分離，并且具有第三端子部以及第四端子部，該第三端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第二半導(dǎo)體器件電連接，該第四端子部靠近該第二邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊封裝，其中每一個(gè)第一端子部以及其相應(yīng)的第二端子部之間的距離相同，并且每一個(gè)第三端子部以及其相應(yīng)的第四端子部之間的距離相同，并且該第一端子部和該第二端子部之間的距離與該第三端子部和該第四端子部之間的距離相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊封裝，其中形成在該核心層的該第一表面上的該第一電路布線(xiàn)包括球焊墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊封裝，其中該核心層包括形成在該第一表面上的焊料掩模，以覆蓋除該球焊墊之外的該第一電路布線(xiàn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的堆疊封裝，還包括 外部安裝部件，附著到該球焊墊上。
11.一種堆疊封裝，包括核心層，具有第一表面和相對(duì)于該第一表面的第二表面，并且包括形成在該第一表面上的第一電路布線(xiàn)；至少兩個(gè)單元封裝，堆疊在該核心層的該第二表面上；以及通路圖案，貫穿該核心層以及堆疊的單元封裝中的至少一個(gè)， 每一個(gè)單元封裝包括 第一半導(dǎo)體器件；第一樹(shù)脂層，形成為覆蓋該第一半導(dǎo)體器件的上表面和側(cè)表面； 第二電路布線(xiàn)，形成在該第一樹(shù)脂層上，并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接； 第二半導(dǎo)體器件，設(shè)置在包括該第二電路布線(xiàn)的第一樹(shù)脂層之上并且與該第二電路布線(xiàn)電連接；以及第二樹(shù)脂層，形成在該第二電路布線(xiàn)和該第一樹(shù)脂層上，以覆蓋該第二半導(dǎo)體器件的下表面和側(cè)表面，其中通路圖案貫穿堆疊的單元封裝中至少一個(gè)的該核心層、該第一樹(shù)脂層和該第二樹(shù)脂層以及該第二電路布線(xiàn)，并且將堆疊的單元封裝的該第一電路布線(xiàn)與該第二電路布線(xiàn)電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊封裝，其中該第一樹(shù)脂層包括樹(shù)脂和環(huán)氧模塑料中的一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊封裝，其中該第二樹(shù)脂層包括樹(shù)脂和環(huán)氧模塑料中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊封裝，其中該第一半導(dǎo)體器件和該第二半導(dǎo)體器件每一個(gè)包括半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體封裝中的一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊封裝，其中該第一半導(dǎo)體器件包括第一接合墊和形成在該第一接合墊上的第一凸塊以與該第二電路布線(xiàn)電連接；并且其中該第二半導(dǎo)體器件包括第二接合墊和形成在該第二接合墊上的第二凸塊以與該第二電路布線(xiàn)電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊封裝，其中第二電路布線(xiàn)包括多個(gè)第一跡線(xiàn)，從該第一樹(shù)脂層的實(shí)質(zhì)上中部延伸至該第一樹(shù)脂層的第一邊緣，并且具有第一端子部以及第二端子部，該第一端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第一半導(dǎo)體器件電連接，該第二端子部靠近該第一邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接；以及多個(gè)第二跡線(xiàn)，從該第一樹(shù)脂層的實(shí)質(zhì)上中部延伸至該第一樹(shù)脂層的相對(duì)于該第一邊緣的第二邊緣，與該第一跡線(xiàn)分離，并且具有第三端子部以及第四端子部，該第三端子部靠近該中部設(shè)置并且與該第二半導(dǎo)體器件電連接，該第四端子部靠近該第二邊緣設(shè)置并且與相應(yīng)的通路圖案電連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的堆疊封裝，其中每一個(gè)第一端子部以及其相應(yīng)的第二端子部之間的距離相同，并且每一個(gè)第三端子部以及其相應(yīng)的第四端子部之間的距離相同，并且該第一端子部和該第二端子部之間的距離與該第三端子部和該第四端子部之間的距離相同。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的堆疊封裝，其中形成在該核心層的該第一表面上的該第一電路布線(xiàn)包括球焊墊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的堆疊封裝，其中該核心層包括形成在該第一表面上的焊料掩模，以覆蓋除該球焊墊之外的該第一電路布線(xiàn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的堆疊封裝，還包括 外部安裝部件，附著到該球焊墊上。
全文摘要
一種堆疊封裝，包括核心層，具有第一表面和第二表面，且包括第一電路布線(xiàn)；第一半導(dǎo)體器件，設(shè)置在核心層的第二表面上；第一樹(shù)脂層，形成在核心層的第二表面上以覆蓋第一半導(dǎo)體器件；第二電路布線(xiàn)，形成在第一樹(shù)脂層上并且電連接第一半導(dǎo)體器件；第二半導(dǎo)體器件，設(shè)置在包括第二電路布線(xiàn)的第一樹(shù)脂層之上并且電連接第二電路布線(xiàn)；第二樹(shù)脂層，形成在第二電路布線(xiàn)和第一樹(shù)脂層上以覆蓋第二半導(dǎo)體器件；以及多個(gè)通路圖案，形成為貫穿第一樹(shù)脂層和核心層，并且電連接第一電路布線(xiàn)和第二電路布線(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L23/31GK102290395SQ20111022523
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月16日
發(fā)明者李雄宣, 裵振浩, 鄭冠鎬 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司