專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及電性橋接結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及一種電性橋接結(jié)構(gòu)，尤指一種具有浮置導(dǎo)電墊而可維持良好電荷注入界面的像素結(jié)構(gòu)及電性橋接結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
主動矩陣型平面顯示面板，例如液晶顯示面板使用薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)元件作為驅(qū)動元件。一般而言，由于無機(jī)半導(dǎo)體材料具有較高的載流子移動率，因此廣泛地被使用作為薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的材料。相較于無機(jī)半導(dǎo)體材料，有機(jī)半導(dǎo)體材料雖具有較低的載流子移動率，但其具有輕薄、可撓曲性與可利用低溫工藝制作等特性，因此近年來業(yè)界已開始嘗試使用有機(jī)半導(dǎo)體材料制作薄膜晶體管元件。然而，在有機(jī)半導(dǎo)體工藝中，源/漏電極易受到氧化，造成后續(xù)像素電極與源/漏電極的電性連接不佳，因此使得有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件的發(fā)展受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種像素結(jié)構(gòu)及一種電性橋接結(jié)構(gòu)，以提升薄膜晶體管元件及顯示面板的電性表現(xiàn)。本發(fā)明的一較佳實施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上。上述像素結(jié)構(gòu)包括一薄膜晶體管元件位于基板上、一絕緣層位于薄膜晶體管元件之上，以及一像素電極位于絕緣層上。薄膜晶體管元件包括一半導(dǎo)體層、一柵極電極、一柵極介電層位于半導(dǎo)體層與柵極電極之間、兩個源/漏極電極分別對應(yīng)于半導(dǎo)體層的兩相對側(cè)，以及一浮置導(dǎo)電墊位于半導(dǎo)體層的一側(cè)。浮置導(dǎo)電墊與兩源/漏極電極的其中一者電性連接。絕緣層具有一第一接觸洞，部分暴露出浮置導(dǎo)電墊。像素電極經(jīng)第一接觸洞與浮置導(dǎo)電墊電性連接。本發(fā)明的一較佳實施例提供一種電性橋接結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上。上述電性橋接結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)線、一浮置導(dǎo)電墊、一絕緣層與一導(dǎo)電層。導(dǎo)線位于基板上，且導(dǎo)線的材料包括銀、鋁、銅、鎂的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金。浮置導(dǎo)電墊位于基板上并與導(dǎo)線電性連接，且浮置導(dǎo)電墊的材料包括一抗氧化材料。絕緣層位于浮置導(dǎo)電墊上，且絕緣層具有一接觸洞部分暴露出浮置導(dǎo)電墊。導(dǎo)電層位于絕緣層上并經(jīng)由接觸洞與浮置導(dǎo)電墊電性連接。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及電性橋接結(jié)構(gòu)具有浮置導(dǎo)電墊，且絕緣層的接觸洞僅暴露出由抗氧化材料形成的浮置導(dǎo)電墊，而未暴出易氧化的源/漏極電極或?qū)Ь€，因此可避免源/ 漏極電極或?qū)Ь€產(chǎn)生氧化而影響顯示面板的電性表現(xiàn)。


圖1繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的一變化型的示意圖；圖3繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖4繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的一變化型的示意圖；圖5繪示了本發(fā)明的第三較佳實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)的示意圖；圖6繪示了本發(fā)明的第四較佳實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)的示意圖。其中，附圖標(biāo)記
10像素結(jié)構(gòu)12基板20薄膜晶體管元件22半導(dǎo)體層24柵極電極25柵極介電層251第二接觸洞26S，26D源/漏極電極28浮置導(dǎo)電墊30像素結(jié)構(gòu)32絕緣層321第一接觸洞34像素電極40像素結(jié)構(gòu)50電性橋接結(jié)構(gòu)52基板54導(dǎo)線56浮置導(dǎo)電墊58絕緣層581介電層582保護(hù)層59接觸洞60導(dǎo)電層62導(dǎo)電膠64驅(qū)動芯片70電性橋接結(jié)構(gòu)80像素結(jié)構(gòu)
具體實施例方式為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。請參考圖1。圖1繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖1 所示，本實施例的像素結(jié)構(gòu)10設(shè)置于一基板12上，且像素結(jié)構(gòu)10包括一薄膜晶體管元件 20、一絕緣層(亦稱為保護(hù)層)32與一像素電極34。薄膜晶體管元件20位于基板12上， 且薄膜晶體管元件20包括一半導(dǎo)體層22位于基板12上、一柵極電極M位于基板12上、 一柵極介電層25位于半導(dǎo)體層22與柵極電極M之間、兩個源/漏極電極^S，26D位于基板12上并分別對應(yīng)于半導(dǎo)體層22的兩相對側(cè)，以及一浮置導(dǎo)電墊觀位于基板12上并位于半導(dǎo)體層22的一側(cè)。兩源/漏極電極的源/漏極電極26D部分覆蓋浮置導(dǎo)電墊觀而與浮置導(dǎo)電墊觀接觸并電性連接，且源/漏極電極26D至少部分暴露出浮置導(dǎo)電墊28。此外，絕緣層32位于薄膜晶體管元件20之上，且絕緣層32具有一第一接觸洞321。 第一接觸洞321部分暴露出浮置導(dǎo)電墊28，且第一接觸洞321未暴露出源/漏極電極^S， 26D。另外，柵極絕緣層25具有一第二接觸洞251，至少部分暴露出浮置導(dǎo)電墊觀。像素電極34位于絕緣層32上并經(jīng)第一接觸洞321以及第二接觸洞251與浮置導(dǎo)電墊觀電性連接。由于浮置導(dǎo)電墊觀僅與源/漏極電極^D以及像素電極34電性連接而未與其它信號源電性連接，因此可視為浮置狀態(tài)。另一方面，源/漏極電極26S則可與數(shù)據(jù)線(圖未示) 電性連接。在本實施例中，薄膜晶體管元件20為頂柵極(top-gate)型薄膜晶體管元件，且兩源/漏極電極26S，26D位于基板12與半導(dǎo)體層22之間，柵極介電層25位于半導(dǎo)體層22 上，柵極電極M位于柵極介電層25的上方，而絕緣層32位于柵極電極M與柵極介電層25 上。此外，在本實施例中，浮置導(dǎo)電墊觀位于基板12與源/漏極電極26D之間，且源/漏極電極26D僅部分覆蓋浮置導(dǎo)電墊28而部分暴露出浮置導(dǎo)電墊28。另外，在本實施例中， 半導(dǎo)體層22與部分的浮置導(dǎo)電墊觀直接接觸，但不以此為限。例如半導(dǎo)體層22亦可不與浮置導(dǎo)電墊觀直接接觸。此外，第一接觸洞321以及第二接觸洞251可由同一道光刻及蝕刻工藝完成，但不以此為限。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體層22較佳為一有機(jī)半導(dǎo)體層，因有機(jī)半導(dǎo)體層具有輕薄、 可撓曲性與可利用低溫工藝制作等特性。舉例而言，有機(jī)半導(dǎo)體層的材料可為小分子 (small molecular)化合物、高分子聚合物(polymer)或有機(jī)金屬錯合物(organometallic complex)，但不以此為限。另外，為了使源/漏極電極與半導(dǎo)體層22具有良好的電荷注入效率，源/漏極電極的材料較佳包括銀、鋁、銅、鎂的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金。浮置導(dǎo)電墊觀的材料包括一抗氧化材料?？紤]到源/ 漏極電極26S，26D的材料容易受到用來形成第一接觸洞321的蝕刻氣體的成分例如氧、硫、 氟或氯等的影響而產(chǎn)生氧化或腐蝕，會造成后續(xù)與像素電極34電性連接不佳的問題，因此第一接觸洞321僅暴露出浮置導(dǎo)電墊觀，而未暴露出源/漏極電極沈0。此外，浮置導(dǎo)電墊 28較佳使用抗氧化材料，例如抗氧化材料可包括鈦、鉬、鎢、金、鉬、鉻、鎳、鈀、鈷的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金；或是抗氧化材料可包括金屬氧化物導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、摻氟的氧化銦(FZO)的其中至少一者；或金屬氮化物導(dǎo)電材料例如氮化鈦(TiN)或氮化鉬(MoN)的其中至少一者。另外，浮置導(dǎo)電墊觀可包括一單層(single-layered)浮置導(dǎo)電墊或一復(fù)合層(composite-layered)浮置導(dǎo)電墊。絕緣層32可為單層絕緣層或復(fù)合層絕緣層，且其可為無機(jī)絕緣層、有機(jī)絕緣層或無機(jī)/有機(jī)堆迭絕緣層。通過上述配置，第一接觸洞321僅暴露出浮置導(dǎo)電墊28而未暴露出源/漏極電極 26S,26D,因此源/漏極電極^S，26D不會產(chǎn)生氧化，故可確保源/漏極電極與半導(dǎo)體層22可形成良好的電荷注入界面。此外，浮置導(dǎo)電墊觀由抗氧化材料所形成，因此亦不會在形成第一接觸洞321的工藝中受損，而可確保浮置導(dǎo)電墊觀與像素電極34具有良好的電性連接。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)并不以上述實施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)，且為了便于比較各實施例的相異處并簡化說明，在下文的各實施例中使用相同的符號標(biāo)注相同的元件，且主要針對各實施例的相異處進(jìn)行說明，而不再對重復(fù)部分進(jìn)行贅述。請參考圖2。圖2繪示了本發(fā)明的第一較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的一變化型的示意圖。如圖2所示，本變化型的像素結(jié)構(gòu)30的薄膜晶體管元件20亦為頂柵極型薄膜晶體管元件，不同于圖1的實施例之處在于，半導(dǎo)體層22位于兩源/漏極電極^5S，26D與基板12之間，柵極介電層25位于半導(dǎo)體層22與兩源/漏極電極26S，26D上，兩源/漏極電極26S， 26D的源/漏極電極26D部分覆蓋浮置導(dǎo)電墊28而與浮置導(dǎo)電墊28接觸并電性連接，且柵極電極24位于柵極介電層25的上方。請參考圖3。圖3繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖3所示，不同于第一實施例，本實施例的像素結(jié)構(gòu)40的薄膜晶體管元件20為底柵極 (bottom-gate)型薄膜晶體管元件，因此柵極電極24位于基板12與柵極介電層25之間，半導(dǎo)體層22位于柵極介電層25上，源/漏極電極26S，26D位于柵極介電層25與半導(dǎo)體層22 之間，且絕緣層32位于柵極介電層25、源/漏極電極26S，26D與半導(dǎo)體層22上。此外，浮置導(dǎo)電墊28位于基板12與柵極介電層25之間，且第一接觸洞321部分暴露出浮置導(dǎo)電墊 28。源/漏極電極26D填入部分的第二接觸洞251且部分覆蓋浮置導(dǎo)電墊28，以及部分暴露出浮置導(dǎo)電墊28，且浮置導(dǎo)電墊28未與半導(dǎo)體層22直接接觸，但不以此為限。同樣地，通過上述配置，源/漏極電極26D部分填入第二接觸洞251而與浮置導(dǎo)電墊28接觸，但第一接觸洞321僅暴露出浮置導(dǎo)電墊28而未暴露出源/漏極電極26S，26D， 因此源/漏極電極26S，26D不會產(chǎn)生氧化。此外，浮置導(dǎo)電墊28由抗氧化材料所形成，因此亦不會在形成第一接觸洞321的工藝中受損，而可確保浮置導(dǎo)電墊28與像素電極34具有良好的電性連接。請參考圖4。圖4繪示了本發(fā)明的第二較佳實施例的像素結(jié)構(gòu)的一變化型的示意圖。如圖4所示，本變化型的像素結(jié)構(gòu)80的薄膜晶體管元件20亦為底柵極型薄膜晶體管元件，不同于圖3的實施例之處在于，柵極電極24位于基板12與柵極介電層25之間，柵極介電層25具有一第二接觸洞251部分暴露出浮置導(dǎo)電墊28，半導(dǎo)體層22位于柵極介電層 24上，兩源/漏極電極26S，26D位于柵極介電層25與半導(dǎo)體層22上，且源/漏極電極26D 填入部分的第二接觸洞251之內(nèi)而與浮置導(dǎo)電墊28電性連接。本發(fā)明的浮置導(dǎo)電墊的設(shè)計并不限于應(yīng)用在顯示面板的像素結(jié)構(gòu)上，而亦可應(yīng)用于其它部分，例如顯示面板的周邊區(qū)的橋接結(jié)構(gòu)上。請參考圖5。圖5繪示了本發(fā)明的第三較佳實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖5所示，本實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)50設(shè)置于一基板52上，且電性橋接結(jié)構(gòu)50包括一導(dǎo)線54、一浮置導(dǎo)電墊56、一絕緣層58以及一導(dǎo)電層60。導(dǎo)線54位于基板52上，且導(dǎo)線54可為例如顯示面板的柵極線、數(shù)據(jù)線、共通線或其它各種需作外部電性連接或彼此橋接的導(dǎo)線。導(dǎo)線54的材料較佳可包括銀、鋁、銅、鎂的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金。浮置導(dǎo)電墊56位于基板52上并與導(dǎo)線54電性連接，且浮置導(dǎo)電墊56的材料包括一抗氧化材料。例如抗氧化材料可包括鈦、 鉬、鎢、金、鉬、鉻、鎳、鈀、鈷的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金；或是抗氧化材料可包括金屬氧化物導(dǎo)電材料例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、摻氟之氧化銦 (FZO)等，或金屬氮化物導(dǎo)電材料例如氮化鈦(TiN)或氮化鉬(MoN)等。另外，浮置導(dǎo)電墊 56可包括一單層(single-layered)浮置導(dǎo)電墊或一復(fù)合層(composite-layered)浮置導(dǎo)電墊。絕緣層58位于浮置導(dǎo)電墊56上，且絕緣層58具有一接觸洞59，部分暴露出浮置導(dǎo)電墊56且未露出導(dǎo)線54。絕緣層58可包括一介電層581，以及一保護(hù)層582位于介電層 581上。在本實施施例中，導(dǎo)線54位于介電層581與保護(hù)層582之下。絕緣層58的介電層 581與保護(hù)層582分別可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，且其材料可為無機(jī)材料或有機(jī)材料。導(dǎo)電層60位于絕緣層58上并經(jīng)接觸洞59與浮置導(dǎo)電墊56電性連接。在本實施例中，導(dǎo)電層60可為例如一透明導(dǎo)電層，用來保護(hù)導(dǎo)線54與浮置導(dǎo)電墊56，并使導(dǎo)線54與浮置導(dǎo)電墊56可通過導(dǎo)電層60作對外電性連接。另外，本實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)50可更包括一導(dǎo)電膠62以及一驅(qū)動芯片64，其中驅(qū)動芯片64可為例如一覆晶薄膜(chip on film, C0F)， 而導(dǎo)電膠62可為例如一異方向性導(dǎo)電膠(ACF)，位于導(dǎo)電層60與驅(qū)動芯片64之間，用以接合并電性連接導(dǎo)電層60與驅(qū)動芯片64，使得驅(qū)動芯片64得以提供訊號給導(dǎo)線54。在本實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)50中，由于接觸洞59未暴露出導(dǎo)線54而暴露出浮置導(dǎo)電墊56，因此由抗氧化材料形成的浮置導(dǎo)電墊56亦具有避免導(dǎo)線54產(chǎn)生氧化或腐蝕的功效。請參考圖6。圖6繪示了本發(fā)明的第四較佳實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖6所示，不同于第三實施例在于，在本實施例的電性橋接結(jié)構(gòu)70中，導(dǎo)線54位于絕緣層 58的介電層581與保護(hù)層582之間并與浮置導(dǎo)電墊56電性連接。綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及電性橋接結(jié)構(gòu)具有浮置導(dǎo)電墊，且絕緣層的接觸洞僅暴露出由抗氧化材料形成的浮置導(dǎo)電墊，而未暴出易氧化的源/漏極電極或?qū)Ь€，因此可避免源/漏極電極或?qū)Ь€產(chǎn)生氧化而影響顯示面板的電性表現(xiàn)。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于一基板上，該像素結(jié)構(gòu)包括一薄膜晶體管元件，位于該基板上，該薄膜晶體管元件包括一半導(dǎo)體層、一柵極電極、 一柵極介電層、源極與漏極電極以及一浮置導(dǎo)電墊該半導(dǎo)體層位于該基板上；該柵極電極位于該基板上；該柵極介電層位于該半導(dǎo)體層與該柵極電極之間；所述兩個源/漏極電極位于該基板上并分別對應(yīng)于該半導(dǎo)體層的兩相對側(cè)；以及該浮置導(dǎo)電墊位于該基板上并位于該半導(dǎo)體層的一側(cè)，其中該浮置導(dǎo)電墊與該兩源/漏極電極的其中一者電性連接；一絕緣層，位于該薄膜晶體管元件之上，其中該絕緣層具有一第一接觸洞，部分暴露出該浮置導(dǎo)電墊；以及一像素電極，位于該絕緣層上并經(jīng)該第一接觸洞與該浮置導(dǎo)電墊電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該薄膜晶體管元件的該半導(dǎo)體層包括一有機(jī)半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該兩源/漏極電極的材料包括銀、鋁、銅、鎂的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該浮置導(dǎo)電墊包括一單層浮置導(dǎo)電墊或一復(fù)合層浮置導(dǎo)電墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該浮置導(dǎo)電墊的材料包括一抗氧化材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該抗氧化材料包括鈦、鉬、鎢、 金、鉬、鉻、鎳、鈀、鈷的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該抗氧化材料包括一金屬氧化物導(dǎo)電材料或一金屬氮化物導(dǎo)電材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該絕緣層的該第一接觸洞未暴露出該兩源/漏極電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該兩源/漏極電極位于該基板與該半導(dǎo)體層之間，該兩源/漏極電極的其中一者部分覆蓋該浮置導(dǎo)電墊，該柵極介電層位于該半導(dǎo)體層上，該柵極介電層具有一第二接觸洞部分暴露出該浮置導(dǎo)電墊，且該柵極電極位于該柵極介電層的上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該半導(dǎo)體層位于該兩源/漏極電極與該基板之間，該柵極介電層位于該半導(dǎo)體層與該兩源/漏極電極上，該柵極介電層具有一第二接觸洞部分暴露出該浮置導(dǎo)電墊，且該柵極電極位于該柵極介電層的上方。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極電極位于該基板與該柵極介電層之間，該柵極介電層具有一第二接觸洞部分暴露出該浮置導(dǎo)電墊，該半導(dǎo)體層位于該柵極介電層上，該兩源/漏極電極位于該柵極介電層與該半導(dǎo)體層之間，且該兩源/漏極電極的其中一者填入部分的該第二接觸洞而部分覆蓋該浮置導(dǎo)電墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該柵極電極位于該基板與該柵極介電層之間，該柵極介電層具有一第二接觸洞部分暴露出該浮置導(dǎo)電墊，該半導(dǎo)體層位于該柵極介電層上，該兩源/漏極電極位于該柵極介電層與該半導(dǎo)體層上，且該兩源/漏極電極的其中一者填入部分的該第二接觸洞之內(nèi)而與該浮置導(dǎo)電墊電性連接。
13.—種電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，設(shè)置于一基板上，該電性橋接結(jié)構(gòu)包括一導(dǎo)線，位于該基板上，其中該導(dǎo)線的材料包括銀、鋁、銅、鎂的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金；一浮置導(dǎo)電墊，位于該基板上并與該導(dǎo)線電性連接，其中該浮置導(dǎo)電墊的材料包括一抗氧化材料；一絕緣層，位于該浮置導(dǎo)電墊上，且該絕緣層具有一接觸洞，部分暴露出該浮置導(dǎo)電墊；以及一導(dǎo)電層，位于該絕緣層上并經(jīng)該接觸洞與該浮置導(dǎo)電墊電性連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該浮置導(dǎo)電墊包括一單層浮置導(dǎo)電墊或一復(fù)合層浮置導(dǎo)電墊。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該抗氧化材料包括鈦、 鉬、鎢、金、鉬、鉻、鎳、鈀、鈷的其中至少一者、上述材料的復(fù)合層或上述材料的合金。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該抗氧化材料包括一金屬氧化物導(dǎo)電材料或一金屬氮化物導(dǎo)電材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該接觸洞未暴露出該導(dǎo)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該導(dǎo)電層包括一透明導(dǎo)電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該絕緣層包括一介電層， 以及一保護(hù)層位于該介電層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該導(dǎo)線位于該介電層與該保護(hù)層之下。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的電性橋接結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該導(dǎo)線位于該介電層與該保護(hù)層之間。
全文摘要
本發(fā)明公開一種像素結(jié)構(gòu)及電性橋接結(jié)構(gòu)，包括一薄膜晶體管元件、一絕緣層位于薄膜晶體管元件之上，以及一像素電極位于絕緣層上。薄膜晶體管元件包括一浮置導(dǎo)電墊位于一半導(dǎo)體層的一側(cè)，并與一源/漏極電極電性連接。絕緣層具有一第一接觸洞，部分暴露出浮置導(dǎo)電墊。像素電極經(jīng)第一接觸洞與浮置導(dǎo)電墊電性連接。
文檔編號H01L51/05GK102254928SQ20111018317
公開日2011年11月23日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月17日
發(fā)明者劉思呈, 劉景洋, 朱書緯, 林*翔, 梁育馨, 蕭祥志, 黃志杰 申請人:友達(dá)光電股份有限公司