專利名稱：半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種具有較佳密合性的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝的LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命周期時間長、且 不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點(diǎn)。然而由于LED的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)為了增加發(fā)光效率，具有一個反射層設(shè)置。所述反射層主要環(huán)繞著所述半導(dǎo)體晶粒(即所述LED芯片)，以對所述半導(dǎo)體晶粒發(fā)出的光線進(jìn)行反射，產(chǎn)生集中光線增加發(fā)光亮度的效果。但是，所述反射層設(shè)置的位置會與所述半導(dǎo)體晶粒電性連接的電極接觸，所述電極是為金屬材質(zhì)，而所述反射層是為塑料材質(zhì)，這兩種材質(zhì)之間的附著性不佳，因此在兩者之間的界面常會有水氣滲入，從而導(dǎo)致所述半導(dǎo)體晶粒的功能喪失。所以如何避免水氣滲入，提高所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的密合度，是目前半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)努力的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種密合度良好的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括一個第一電極、一個第二電極、至少一個半導(dǎo)體晶粒、一個封裝層、一個反射層以及一個熒光層。所述半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在所述第一電極上，并與所述第二電極電性連接。所述封裝層包覆所述第一電極、第二電極、半導(dǎo)體晶粒以及其電性連接處。所述封裝層的周圍側(cè)邊上具有一個環(huán)狀凸出，所述環(huán)狀凸出的外圍以及頂面設(shè)置所述反射層。所述反射層內(nèi)部設(shè)置所述熒光層并覆蓋所述封裝層。一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制程，其包括以下的步驟，
提供一個第一電極以及一個第二電極，在所述第一電極上設(shè)置至少一個半導(dǎo)體晶粒，使所述半導(dǎo)體晶粒與所述兩個電極電性連接；
形成一個封裝層，在所述兩個電極的頂面以及底面，并包覆所述半導(dǎo)體晶粒及其電性連接處，同時在所述封裝層的周圍側(cè)邊上形成一個環(huán)狀凸出；
形成一個反射層，在所述兩個電極的頂面以及所述封裝層的環(huán)狀凸出頂面上；
形成一個熒光層，在所述反射層內(nèi)部并覆蓋所述封裝層 '及 彎折所述兩個電極，使所述兩個電極的端部位于所述封裝層的底部。上述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及制程中，由于所述封裝層完整地包覆所述半導(dǎo)體晶粒以及所述半導(dǎo)體晶粒與所述兩個電極的電性連接處，可以有效避免水氣滲入所述半導(dǎo)體晶粒與所述兩個電極的電性連接處，尤其是所述封裝層的環(huán)狀凸出更具有阻擋水氣的作用，從而有效提高所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的密合度。


圖I是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)實施方式的剖視圖。圖2是本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制程的步驟流程圖。圖3是對應(yīng)圖2形成一個封裝層步驟的剖視圖。圖4是對應(yīng)圖2形成ー個反射層步驟的剖視圖。圖5是對應(yīng)圖2形成一個熒光層步驟的剖視圖。主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括一個第一電極、一個第二電極、至少一個半導(dǎo)體晶粒、一個封裝層、一個反射層以及一個熒光層，所述半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在所述第一電極上，并與所述第二電極電性連接，其特征在于所述封裝層包覆所述第一電極、第二電極、半導(dǎo)體晶粒以及其電性連接處，所述封裝層的周圍側(cè)邊上具有一個環(huán)狀凸出，所述環(huán)狀凸出的外圍以及頂面設(shè)置所述反射層，所述反射層內(nèi)部設(shè)置所述熒光層并覆蓋所述封裝層。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一電極與所述第二電極左右對稱設(shè)置，并分別具有一個頂面以及一個底面，所述第一電極的頂面設(shè)置所述半導(dǎo)體晶粒，所述半導(dǎo)體晶粒通過導(dǎo)電線與所述第一電極及所述第二電極電性連接。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一電極以及第二電極的端部彎折位于所述封裝層的底部。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述半導(dǎo)體晶粒為發(fā)光二極管。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述環(huán)狀凸出包覆所述第一電極以及第二電極的所述頂面以及底面。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝層為透明材料，例如，環(huán)氧樹脂(epoxy)、娃利康(silicon)或其相關(guān)混合物。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射層的材料為反射材料或是高分子的材料，例如，PPA(Polyphthalamide)塑料。
8.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒光層包含至少一種熒光粉，所述突光層的材料為環(huán)氧樹脂(epoxy)或娃利康(silicon)。
9.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述熒光層的折射率小于所述封裝層的折射率。
10.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制程，其包括以下的步驟 提供一個第一電極以及一個第二電極，在所述第一電極上設(shè)置至少一個半導(dǎo)體晶粒，使所述半導(dǎo)體晶粒與所述兩個電極電性連接； 形成一個封裝層，在所述兩個電極的頂面以及底面，并包覆所述半導(dǎo)體晶粒及其電性連接處，同時在所述封裝層的周圍側(cè)邊上形成一個環(huán)狀凸出； 形成一個反射層，在所述兩個電極的頂面以及所述封裝層的環(huán)狀凸出頂面上； 形成一個熒光層，在所述反射層內(nèi)部并覆蓋所述封裝層 '及 彎折所述兩個電極，使所述兩個電極的端部位于所述封裝層的底部。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制程，其特征在于所述形成一個封裝層步驟，是以模造成型方式成型，在所述第一電極以及第二電極的所述頂面上為所述封裝層的上部，在所述第一電極以及第二電極的所述底面為所述封裝層的底部。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制程，其特征在于所述形成一個反射層步驟，是以模造成型方式成型，環(huán)繞所述封裝層上部的外周圍，所述反射層的內(nèi)部與所述封裝層的上部之間形成一個凹槽。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制程，其特征在于所述形成一個熒光層步驟，是以射出成型方式成型。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括一個第一電極、一個第二電極、至少一個半導(dǎo)體晶粒、一個封裝層、一個反射層以及一個熒光層。所述半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在所述第一電極上，并與所述第二電極電性連接。所述封裝層包覆所述第一電極、第二電極、半導(dǎo)體晶粒以及其電性連接處。所述封裝層的周圍側(cè)邊上具有一個環(huán)狀凸出，所述環(huán)狀凸出的外圍以及頂面設(shè)置所述反射層。所述反射層內(nèi)部設(shè)置所述熒光層并覆蓋所述封裝層。本發(fā)明并提供制造所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制程。
文檔編號H01L33/00GK102769089SQ20111011671
公開日2012年11月7日 申請日期2011年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月6日
發(fā)明者林新強(qiáng) 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司