專利名稱：太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種背面接合型太陽能電池。
背景技術(shù)：
太陽能電池由于能夠?qū)⑶鍧?、無窮盡地供給的太陽光直接轉(zhuǎn)化為電，從而作為新能源的源頭被給予很多期望。目前，提案有在η型半導(dǎo)體襯底的背面上配備多個ρ側(cè)電極和多個η側(cè)電極的、所謂背面接合型的太陽能電池(例如，參照專利文獻1)。具體地說，在專利文獻1中記載的太陽能電池具備覆蓋η型半導(dǎo)體襯底的背面的 i型半導(dǎo)體層、在i型半導(dǎo)體層上沿著規(guī)定的方向形成的多個P型半導(dǎo)體層、覆蓋i型半導(dǎo)體層和多個P型半導(dǎo)體層的η型半導(dǎo)體層。各ρ側(cè)電極經(jīng)由η型半導(dǎo)體層形成于各ρ型半導(dǎo)體層上。各η側(cè)電極形成于兩個ρ側(cè)電極之間。根據(jù)這種構(gòu)成，由于在形成η型半導(dǎo)體層的工序中，不需要用掩膜覆蓋住P型半導(dǎo)體層，從而能夠?qū)崿F(xiàn)太陽能電池的制造工序的簡化?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 (日本)特開2005-101151號公報(0039段，圖2)

發(fā)明內(nèi)容
但是，在專利文獻1中記載的構(gòu)成中，通過在ρ型半導(dǎo)體層上形成的η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，形成與由η型半導(dǎo)體襯底和P型半導(dǎo)體層所形成的電場呈相反方向的電場。因此，難以提升太陽能電池特性。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，目的在于提供一種能夠提高太陽能電池特性的背面接合型的太陽能電池。本發(fā)明的特征的太陽能電池的要點在于，具備半導(dǎo)體襯底；形成于半導(dǎo)體襯底的一主面上的第一區(qū)域上、且具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；和形成于半導(dǎo)體襯底的一主面上的第二區(qū)域上、且具有第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，其中第二半導(dǎo)體層從第二區(qū)域上跨越到第一半導(dǎo)體層上而形成，在第一區(qū)域上，具有插入第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的復(fù)合層。根據(jù)本發(fā)明的特征的太陽能電池，能抑制在由襯底和第一半導(dǎo)體層形成的接合的背面?zhèn)壬闲纬傻谝话雽?dǎo)體層和第二的逆接合。從而，能夠使載流子收集損失降低，所以能夠提升太陽能電池的特性。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，具備在第一區(qū)域上形成于第一半導(dǎo)體層上的第一電極；和在第二區(qū)域上形成于第二半導(dǎo)體層上的第二電極，第一電極也可以經(jīng)由復(fù)合層與第一半導(dǎo)體層連接。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，復(fù)合層由與第二半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體構(gòu)成，復(fù)合層中含有的摻雜劑的量可以多于第二半導(dǎo)體層中含有的摻雜劑的量。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，復(fù)合層由與第一半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體構(gòu)成， 復(fù)合層中含有的摻雜劑的量可以多于第一半導(dǎo)體層中含有的摻雜劑的量。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，復(fù)合層也可以由微晶硅構(gòu)成。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，復(fù)合層也可以由金屬構(gòu)成。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，第二導(dǎo)電類型也可以為ρ型。在本發(fā)明的特征的太陽能電池中，也可以包含插入復(fù)合層和第二半導(dǎo)體層之間、 且具有第二導(dǎo)電類型的第三半導(dǎo)體層。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能提升太陽能電池特性的背面接合型的太陽能電池。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池100的背面?zhèn)鹊钠矫鎴D。圖2是在圖1的A-A線的放大剖面圖。圖3是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。圖4是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。圖5是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。圖6是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池10的制造方法的圖。圖7是本發(fā)明的第二實施方式的太陽能電池100的放大剖面圖。
具體實施例方式使用附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。在下面的附圖的記載中，在相同或者類似的部分，附加相同或者類似的符號。附圖為示意性的圖，應(yīng)留意各尺寸的比率等與現(xiàn)實的內(nèi)容不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)參考下面的說明來進行判斷。在附圖相互之間，也包含相互的尺寸關(guān)系或比例不同的部分也是不言而喻的。[第一實施方式](太陽能電池的構(gòu)成)針對本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池的構(gòu)成，參照圖1和圖2進行說明。圖 1為第一實施方式的太陽能電池100的背面?zhèn)鹊钠矫鎴D。圖2為在圖1的A-A線的放大剖面圖。如圖1和圖2所示，太陽能電池100具備n型結(jié)晶硅襯底IOrui型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lli、P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lip、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i、η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η、ρ側(cè)電極20ρ、η側(cè)電極20η和復(fù)合層R。η型結(jié)晶硅襯底IOn由薄板狀的單晶硅或者多晶硅構(gòu)成。η型結(jié)晶硅襯底IOn具有接收太陽光的受光面和設(shè)于受光面的相反側(cè)的背面。η型結(jié)晶硅襯底IOn通過在受光面的受光而生成光生成載流子(carrier)。所謂光生載流子是指光被η型結(jié)晶硅襯底IOn吸收所生成的空穴和電子。另外，雖然未圖示，但應(yīng)該留意到在η型結(jié)晶硅襯底IOn的受光面上，并未形成遮擋光的射入的結(jié)構(gòu)體(例如，電極等)，而能實現(xiàn)在受光面整個面上的受光。i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili在η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上沿著第一方向而形成。i 型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili不積極導(dǎo)入雜質(zhì)地形成。i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili的厚度為實質(zhì)上無助于發(fā)電的程度，例如為數(shù)A 250A左右。ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp在i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili上沿著第一方向而形成。P 型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP具有P型的導(dǎo)電類型。P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP的厚度為例如IOnm
左右ο另外，也可以不形成i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lli，但根據(jù)在η型結(jié)晶硅襯底IOn上依次形成i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili和P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp的構(gòu)造(所謂“HIT” (注冊商標(biāo)，三洋電機株式會社)構(gòu)造)，能夠提升Pn接合特性。i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i從η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上跨越到ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp上而形成。在第一實施方式中，i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i形成為覆蓋η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面的幾乎整個面。i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i不積極導(dǎo)入雜質(zhì)地形成。i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i的厚度為例如數(shù)A 250A左右。η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η形成于i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i上。在第一實施方式中， η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η形成為覆蓋i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i。η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η的厚度為例如IOnm左右。另外，根據(jù)在η型結(jié)晶硅襯底IOn上形成有η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η的構(gòu)造(所謂“BSF構(gòu)造”)，能夠抑制η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面和非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的界面上的少數(shù)載流子的復(fù)合。另外，根據(jù)在η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η之間夾插有薄的i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i的構(gòu)造，能夠提升η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η之間的特性。此處，i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lli、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i、p型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp 和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η，能分別由含有硅的非晶質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成。作為這種非晶質(zhì)半導(dǎo)體，可以舉出非晶質(zhì)硅、非晶質(zhì)碳化硅、或者非晶質(zhì)硅鍺等，但不限于此，使用其他的非晶質(zhì)半導(dǎo)體也可以。另外，i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lli、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i、ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η，也可以分別由一種非晶質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成，另外，也可以由兩種以上的非晶質(zhì)半導(dǎo)體組合而成。ρ側(cè)電極20ρ為收集載流子的收集電極。ρ側(cè)電極20ρ隔著i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 12 和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η在ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp上形成。因此，ρ側(cè)電極20ρ沿著第一方向形成為線狀。作為ρ側(cè)電極20ρ，能夠使用Ag、Al等金屬或?qū)щ娦院?paste)等。η側(cè)電極20η為收集載流子的收集電極。η側(cè)電極20η形成于η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η上。因此，η側(cè)電極20η在一個ρ側(cè)電極20ρ和另一個ρ側(cè)電極20ρ之間，沿著第一方向形成為線狀。而且，ρ側(cè)電極20ρ和η側(cè)電極20η可以為單層構(gòu)造，也可以為多層的層疊構(gòu)造。 此外，為層疊構(gòu)造時，也可以在η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η側(cè)設(shè)置透明導(dǎo)電層。作為透明導(dǎo)電層，能夠使用例如氧化銦或氧化錫或者氧化鋅等透明導(dǎo)電性氧化物。此外，ρ側(cè)電極20ρ和η側(cè)電極20η也可以分別以覆蓋ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層1 Ip或者η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η的大致整個面的方式形成。由此，即便在ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 Ilp或者η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η的片電阻不是那么小的情況下，也能夠由ρ側(cè)電極20ρ和
5η側(cè)電極20η充分地收集載流子。復(fù)合層R設(shè)置于由η型結(jié)晶硅襯底IOrui型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili和ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp形成的n(i)p接合的背面?zhèn)?，為了抑制由P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lip、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η形成ρ (i) η接合。因此，在本實施方式中，通過夾插復(fù)合層R，來實現(xiàn)在P側(cè)電極20ρ和ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp之間的低電阻化。具有如上所述的特性的復(fù)合層R ⑴由能帶中存在許多間隙(gap)內(nèi)能級的半導(dǎo)體材料形成、O)由與ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lip歐姆接觸的金屬材料形成。(1)在能帶中存在許多間隙內(nèi)能級的半導(dǎo)體材料在使用這種半導(dǎo)體材料時，通過利用經(jīng)由能帶中存在的許多間隙內(nèi)能級的載流子的復(fù)合，能夠經(jīng)由P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp取出在η型結(jié)晶硅襯底IOn上生成的載流子。因此，即便在P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP的表面上形成復(fù)合層R，兩層的接觸也近似低電阻即歐姆接觸。此外，如上所述，由于形成于復(fù)合層R的表面的i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i的厚度極薄，所以作為對載流子的阻擋層的作用極小。如上所述，能實現(xiàn)ρ側(cè)電極20p和ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp之間的低電阻化，由此能夠很好地從P側(cè)電極20p取出載流子。此處，作為構(gòu)成復(fù)合層R的半導(dǎo)體材料，能夠使用(i)比P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp 含有更多量的P型雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體材料、(ii)含有許多晶格缺陷的半導(dǎo)體材料、或者 (iii)比η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η含有更多η型雜質(zhì)的η型半導(dǎo)體材料。而且，作為含有許多晶格缺陷的半導(dǎo)體材料，例如為向非晶質(zhì)硅中混入碳或鍺等異類元素使晶格缺陷增大的半導(dǎo)體材料(非晶質(zhì)碳化硅、非晶質(zhì)硅鍺)或P型或者η型的微晶硅等。而且，在復(fù)合層R的導(dǎo)電類型為η型的情況下，由于能夠使用與非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 12η相同的原料氣體形成復(fù)合層R，所以能夠抑制制造成本的增加。(2)與ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp進行歐姆接觸的金屬材料在使用這種金屬材料時，即便在ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp的表面形成復(fù)合層R，兩層的接觸也近似低電阻、即歐姆接觸。因此，能實現(xiàn)P側(cè)電極20ρ和P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 Ilp之間的低電阻化，由此能夠從P側(cè)電極20ρ很好地取出載流子。而且，作為這種金屬材料，能夠使用鈦(Ti)或鎢(W)等。此外，為了抑制電阻成分的增大，優(yōu)選復(fù)合層R的厚度為0. 1 20nm，更優(yōu)選為 1 IOnm0(太陽能電池的制造方法)下面，參照太陽能電池100的剖面圖，對太陽能電池100的制造方法進行說明。首先，如圖3所示，使用CVD法，在η型結(jié)晶硅襯底IOn的整個背面上依次形成i 型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lli、P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp之后，形成復(fù)合層R。在利用半導(dǎo)體材料形成復(fù)合層R的情況下，能使用CVD法等，在利用金屬材料形成復(fù)合層R的情況下，能使用濺射法或蒸鍍法。接著，如圖4所示，在復(fù)合層R上，按照規(guī)定的圖案涂敷抗蝕劑30。規(guī)定的圖案對應(yīng)形成P側(cè)電極20p的區(qū)域，例如以圖1的單點劃線為基準(zhǔn)來設(shè)定。接著，如圖5所示，通過實施蝕刻法處理，對i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lli、P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp和復(fù)合層R進行構(gòu)圖。此時，在使用被非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的蝕刻材料所蝕刻的材料作為復(fù)合層R的材料的情況下，能夠與i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili和P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp同時對復(fù)合層R進行蝕刻加工，因此從生產(chǎn)性的提升的觀點看，優(yōu)選此方法。接著， 去除抗蝕劑膜30之后，通過實施蝕刻法處理和氫等離子體處理，對η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面中露出的區(qū)域進行構(gòu)圖。而且，由此對復(fù)合層R的表面也可以實施蝕刻處理和氫等離子體處理。接著，如圖6所示，使用CVD法從η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上跨越到復(fù)合層R上， 依次形成i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η。接著，使用CVD法、濺射法、蒸鍍法、電鍍法或者印刷法等，在η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 12η上，按照規(guī)定的圖案形成ρ側(cè)電極20ρ和η側(cè)電極20η。(作用和效果)第一實施方式的太陽能電池100具有插入ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η之間的復(fù)合層R。ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp和復(fù)合層R以低電阻接觸。因此，能夠抑制與由ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lip、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η形成的電場反方向的電場，由η型結(jié)晶硅襯底10η、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 Ili和P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP形成。從而，能實現(xiàn)P側(cè)電極20p和ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 Ilp之間的低電阻化，因此能夠從P側(cè)電極20p很好地取出載流子。其結(jié)果是，能夠使載流子收集損耗降低，因此能夠提升太陽能電池100的特性。第一實施方式的復(fù)合層R能夠利用能帶中存在許多間隙內(nèi)能級的半導(dǎo)體材料而形成。此時，通過利用能帶中介有許多間隙內(nèi)能級的載流子的復(fù)合，能夠經(jīng)由P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp取出在η型結(jié)晶硅襯底IOn上生成的載流子。作為這種半導(dǎo)體材料，能夠使用比P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP含有更多量的P型雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體材料，或比η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η含有更多量的η型雜質(zhì)的η型半導(dǎo)體材料，或者微晶硅等。尤其是在復(fù)合層R 的導(dǎo)電類型與非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η相同的情況下，由于能夠使用與非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η相同的原料氣體形成復(fù)合層R，所以能夠抑制制造成本的增加。第一實施方式的復(fù)合層R能夠利用與ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp進行歐姆接觸的金屬材料而形成。作為這種金屬材料，能夠使用鈦(Ti)或鎢(W)等。此外，在第一實施方式的太陽能電池100的制造方法中，在將i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 lli、P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp和復(fù)合層R進行構(gòu)圖之后，從η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上跨越到復(fù)合層R上，依次形成i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η。這樣，由于在ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp上形成復(fù)合層R，所以無需用掩膜等對i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η進行構(gòu)圖。因此，能夠提升太陽能電池100 的生產(chǎn)性。[第二實施方式]下面，參照附圖，對第二實施方式的太陽能電池100進行說明。下面，主要對與上述第一實施方式不同的點進行說明。(太陽能電池的構(gòu)成)圖7為第二實施方式的太陽能電池100的放大剖面圖。如圖7所示，太陽能電池 100具有半導(dǎo)體層S。CN 102422434 A
說明書
6/7頁半導(dǎo)體層S夾插于復(fù)合層R和i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i之間。半導(dǎo)體層S具有與 η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η相同的導(dǎo)電類型。因此，在由η型結(jié)晶硅襯底10η、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili和P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP形成的n(i)p接合的背面?zhèn)?，由半?dǎo)體層S、i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η形成η (i) η接合。這樣，即便在n(i)p接合的背面?zhèn)壬闲纬蒼(i)n接合，由于i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 12 的厚度極薄，所以作為對載流子的阻擋層的作用極小。從而，載流子經(jīng)由η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η從ρ側(cè)電極20ρ取出。而且，在復(fù)合層R的導(dǎo)電類型與非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η相同的情況下，由于能夠使用相同的原料氣體形成復(fù)合層R、半導(dǎo)體層S和非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η，所以能夠抑制制造成本的增加。其他實施方式本發(fā)明雖然通過上述的實施方式進行了記載，但是不應(yīng)該理解為成為該公開的一部分的論述和附圖限制本發(fā)明的內(nèi)容。從該公開內(nèi)容，本領(lǐng)域技術(shù)人員會明白各種各樣的代替實施方式、實施例和運用技術(shù)。例如，在上述的實施方式中，作為太陽能電池100的襯底，使用了 η型結(jié)晶硅襯底 10η，但并非限定于此。例如，太陽能電池100的襯底可以具有ρ型的導(dǎo)電類型。此外，太陽能電池100的襯底也可以由多晶Si、微晶Si等的結(jié)晶類半導(dǎo)體材料或由包含GaAS、InP等的化合物半導(dǎo)體材料的一般的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。此外，在上述實施方式中，在η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上形成ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層llp，之后形成η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η，但并非限定于此。例如，ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp 和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η的形成順序也可以顛倒。即，在η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上形成η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η，之后形成ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lip。此外，在上述實施方式中沒有特別涉及，但在使用ρ型襯底的情況下，優(yōu)選P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層IlP和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η與上述實施方式相反地形成。即，ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp形成為覆蓋i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12i。在此情況下，通常由于ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體比η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體電阻大，因此更加能夠抑制P側(cè)電極20ρ和η側(cè)電極20η之間發(fā)生漏電。此外，在上述實施方式中，雖然i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ili和i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層 12i設(shè)定為不積極導(dǎo)入雜質(zhì)地形成，但是也可以含有微量的摻雜劑。此外，在上述實施方式中沒有特別涉及，但在η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面上，也可以不形成i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層13i。此時，能夠進一步減少η型結(jié)晶硅襯底IOn的背面?zhèn)鹊碾娮琛４送?，在上述實施方式中，ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp和η型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η設(shè)定為由非晶質(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成，但也可以由非晶質(zhì)半導(dǎo)體碳化物或微晶硅構(gòu)成。此外，在上述實施方式中，復(fù)合層R設(shè)定為具有一層結(jié)構(gòu)，但并非限定于此。復(fù)合層R也可以還具有能保持與ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp的歐姆接觸性的其他層。此外，在上述實施方式中，ρ型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp設(shè)定為具有一層結(jié)構(gòu)，但并非限定于此。P型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Ilp也可以還具有能保持與復(fù)合層R的歐姆接觸性的其他層。
而且，日本國專利申請第2009-44431號(2009年2月26日申請)的全部內(nèi)容，通過參照而編入本申請說明書中。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明的太陽能電池由于能夠提供能提升太陽能電池特性的背面耦合型的太陽能電池，因而在太陽能電池的制造領(lǐng)域有實效。符號說明10 太陽能電池IOn η型結(jié)晶硅襯底Ili :i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層lip :p型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層Illp:襯底側(cè)區(qū)域112p:復(fù)合層側(cè)區(qū)域12i:i型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層12η :n型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層20η :n 側(cè)電極20p:p 側(cè)電極30 抗蝕劑膜R:復(fù)合層S 半導(dǎo)體層100 太陽能電池
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池，其特征在于，具備 半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底的一主面上的第一區(qū)域上，且具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層；和形成于所述半導(dǎo)體襯底的所述一主面上的第二區(qū)域上，且具有第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層從所述第二區(qū)域上跨越到所述第一半導(dǎo)體層上而形成， 所述太陽能電池在所述第一區(qū)域上，具有插入所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的復(fù)合層。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，具備在所述第一區(qū)域上，形成于所述第一半導(dǎo)體層上的第一電極；和在所述第二區(qū)域上，形成于所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極， 所述第一電極經(jīng)由所述復(fù)合層與所述第一半導(dǎo)體層連接。
3.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于 所述復(fù)合層由與所述第二半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體構(gòu)成，所述復(fù)合層中含有的摻雜劑量多于所述第二半導(dǎo)體層中含有的摻雜劑量。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的太陽能電池，其特征在于 所述復(fù)合層由與所述第一半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體構(gòu)成，所述復(fù)合層中含有的摻雜劑量多于所述第一半導(dǎo)體層中含有的摻雜劑量。
5.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于 所述復(fù)合層由微晶硅構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于所述復(fù)合層由金屬構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的太陽能電池，其特征在于 所述第二導(dǎo)電類型為P型。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的太陽能電池，其特征在于含有第三半導(dǎo)體層，其插入所述復(fù)合層與所述第二半導(dǎo)體層之間，具有所述第二導(dǎo)電類型
全文摘要
一種太陽能電池(100)，具備插入p型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層(11p)與n型非晶質(zhì)半導(dǎo)體層(12n)之間的復(fù)合層R。
文檔編號H01L31/04GK102422434SQ20108001862
公開日2012年4月18日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月26日
發(fā)明者小野雅義, 村上洋平, 森博幸, 高濱豪 申請人:三洋電機株式會社