專利名稱：采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本創(chuàng)作有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種采用二次封裝的 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示，公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)采用一次封裝的方式來完成。此公知 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有一發(fā)光裸晶單元la、一基板單元5a、一導(dǎo)電單元3a及一封裝單元 7a0其中，該發(fā)光裸晶單元Ia的上表面具有一正極導(dǎo)電層Pa及一負(fù)極導(dǎo)電層Na，并且 該發(fā)光裸晶單元Ia通過該導(dǎo)電單元3a的兩個導(dǎo)線30a而電性設(shè)置于該基板單元5a上，最 后再通過該封裝單元7a來覆蓋上述的發(fā)光裸晶單元la、該導(dǎo)電單元3a及部分的基板單元 5a,以完成公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。然而，上述發(fā)光裸晶單元Ia的制作與公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝可能由兩 家廠商來分別負(fù)責(zé)，對于制作該發(fā)光裸晶單元Ia的廠商來說，如果該發(fā)光裸晶單元Ia在運 送過程中沒有得到完善的保護(hù)時，該發(fā)光裸晶單元Ia的良率將受到很大的影響，亦即在運 送該發(fā)光裸晶單元Ia的過程中可能因為碰狀等因素而使得該發(fā)光裸晶單元Ia形成不良 品。緣是，本創(chuàng)作人有感上述缺點的可改善，且依據(jù)多年來從事此方面的相關(guān)經(jīng)驗，悉 心觀察且研究，并配合學(xué)理的運用，而提出一種設(shè)計合理且有效改善上述缺點的本創(chuàng)作。發(fā)明內(nèi)容本創(chuàng)作所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 及其制作方法，其通過二次封裝的方式，以達(dá)到「在運送發(fā)光裸晶單元的過程中能使得發(fā)光 裸晶單元得到保護(hù)作用」的目的。另外，本創(chuàng)作通過第一次封裝，以制作出發(fā)光裸晶單元的正極導(dǎo)電焊墊及負(fù)極導(dǎo) 電焊墊，因此本創(chuàng)作不需經(jīng)過任何的打線過程；然后再通過覆晶的方式將上述經(jīng)過一次封 裝后的發(fā)光裸晶單元電性設(shè)置于一基板單元上，以使得發(fā)光裸晶單元與基板單元之間產(chǎn)生 電性連接；最后再進(jìn)行第二次封裝，以完成本創(chuàng)作的制作。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本創(chuàng)作的其中一種方案，提供一種采用二次封裝的 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光裸晶單元、一絕緣單元、一第一導(dǎo)電單元、一基板單元 及一封裝單元。其中，該發(fā)光裸晶單元具有一正極導(dǎo)電層及一負(fù)極導(dǎo)電層。該絕緣單元成 形于該正極導(dǎo)電層與該負(fù)極導(dǎo)電層之間。該第一導(dǎo)電單元具有一成形于該正極導(dǎo)電層上的 正極導(dǎo)電焊墊及一成形于該負(fù)極導(dǎo)電層上的負(fù)極導(dǎo)電焊墊。該基板單元的上表面至少具有 一正極導(dǎo)電區(qū)域及一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域，其中通過該正極導(dǎo)電焊墊電性接觸于該正極導(dǎo)電區(qū)域 及該負(fù)極導(dǎo)電焊墊電性接觸于該負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域，以使得該發(fā)光裸晶單元電性設(shè)置于該基板 單元上。該封裝單元覆蓋該發(fā)光裸晶單元及該基板單元的一部分上表面。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本創(chuàng)作的其中一種方案，提供一種采用二次封裝的 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟首先，提供一發(fā)光裸晶單元，其具有一正極導(dǎo)電層及一負(fù)極導(dǎo)電層；接著，形成一絕緣單元于該正極導(dǎo)電層與該負(fù)極導(dǎo)電層之間； 然后，分別形成一正極導(dǎo)電焊墊及一負(fù)極導(dǎo)電焊墊于該正極導(dǎo)電層上及該負(fù)極導(dǎo)電層上， 以完成第一次的封裝；接下來，將該發(fā)光裸晶單元電性設(shè)置于一基板單元上，其中該基板單 元的上表面至少具有一正極導(dǎo)電區(qū)域及一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域，該正極導(dǎo)電焊墊電性接觸于該正 極導(dǎo)電區(qū)域，并且該負(fù)極導(dǎo)電焊墊電性接觸于該負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域；最后，使用一封裝單元來覆 蓋該發(fā)光裸晶單元及該基板單元的一部分上表面。因此，本創(chuàng)作的有益效果在于通過二次封裝的方式，使得該發(fā)光裸晶單元在運送 過程中可以得到完善的保護(hù)，因此該發(fā)光裸晶單元的良率將大大的提升。為了能更進(jìn)一步了解本創(chuàng)作為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請參閱 以下有關(guān)本創(chuàng)作的詳細(xì)說明與附圖，相信本創(chuàng)作的目的、特征與特點，當(dāng)可由此得一深入且 具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本創(chuàng)作加以限制者。

圖1為公知采用一次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本創(chuàng)作采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；以及圖2A至圖2G分別為本創(chuàng)作采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法的制 作流程示意圖。符號說明發(fā)光裸晶單元Ia負(fù)極導(dǎo)電層Na導(dǎo)線3Oa封裝單元7a正極導(dǎo)電層P發(fā)光本體10氮化鎵負(fù)電極層101發(fā)光區(qū)域A絕緣單元2第一導(dǎo)電單元3負(fù)極導(dǎo)電焊墊31正極導(dǎo)電區(qū)域50第二導(dǎo)電單元6導(dǎo)電體具體實施方式
請參閱圖2、及圖2A至圖2G所示，本創(chuàng)作提供一種采用二次封裝的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下列步驟步驟SlOO為請配合圖2及圖2A所示，首先，提供一發(fā)光裸晶單元1，其具有一正 極導(dǎo)電層P及一負(fù)極導(dǎo)電層N，其中該發(fā)光裸晶單元1具有一發(fā)光本體10及一成形于該發(fā) 光本體10內(nèi)的發(fā)光區(qū)域A，并且該正極導(dǎo)電層P成形于該發(fā)光本體10上，該負(fù)極導(dǎo)電層N 成形于該發(fā)光本體10上。另外，該發(fā)光本體10具有一氧化鋁基板100、一成形于該氧化鋁
正極導(dǎo)電層Pa 導(dǎo)電單元3a 基板單元5a 發(fā)光裸晶單元1 負(fù)極導(dǎo)電層N 氧化鋁基板100 氮化鎵正電極層102 絕緣材料R 導(dǎo)電材料C 正極導(dǎo)電焊墊30 基板單元5 負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域51 導(dǎo)電體60 封裝單元7基板100上的氮化鎵負(fù)電極層101、及一成形于該氮化鎵負(fù)電極層101上的氮化鎵正電極層 102，此外該正極導(dǎo)電層P成形于該氮化鎵正電極層102上，該負(fù)極導(dǎo)電層N成形于該氮化 鎵負(fù)電極層101上。步驟S102為請配合圖2及圖2B所示，形成一絕緣材料R于該發(fā)光裸晶單元1上。步驟S104為請配合圖2及圖2C所示，移除部分的絕緣材料R，以形成只露出該 正極導(dǎo)電層P與該負(fù)極導(dǎo)電層N且位于該正極導(dǎo)電層P與該負(fù)極導(dǎo)電層N間的一絕緣單元 2。因此，通過上述步驟S102及S104以完成「形成一絕緣單元2于該正極導(dǎo)電層P與該負(fù) 極導(dǎo)電層N之間」步驟。步驟S106為請配合圖2及圖2D所示，形成一導(dǎo)電材料C于該絕緣單元2、該正 極導(dǎo)電層P及該負(fù)極導(dǎo)電層N上。步驟S108為請配合圖2及圖2E所示，移除部分的導(dǎo)電材料C，以形成彼此絕緣且 分別電性連接于該正極導(dǎo)電層P及該負(fù)極導(dǎo)電層N的一正極導(dǎo)電焊墊30及一負(fù)極導(dǎo)電焊 墊31，以完成本創(chuàng)作第一次的封裝。因此，通過上述步驟S106及S108以完成「分別形成一 正極導(dǎo)電焊墊30及一負(fù)極導(dǎo)電焊墊31于該正極導(dǎo)電層P上及該負(fù)極導(dǎo)電層N上」步驟。步驟SlOO為請配合圖2及圖2F所示，將該發(fā)光裸晶單元1電性設(shè)置于一基板單 元5上，其中該基板單元5的上表面至少具有一正極導(dǎo)電區(qū)域50及一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域51，該 正極導(dǎo)電焊墊30通過一導(dǎo)電體60而電性接觸于該正極導(dǎo)電區(qū)域50，并且該負(fù)極導(dǎo)電焊墊 31通過一導(dǎo)電體61而電性接觸于該負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域51。此外，依據(jù)不同的設(shè)計需求，每一個 導(dǎo)電體(60、61)的上表面面積占據(jù)該正極導(dǎo)電焊墊30或該負(fù)極導(dǎo)電焊墊31的上表面面積 的30% 100%，并且該正極導(dǎo)電焊墊30的上表面面積大于該負(fù)極導(dǎo)電焊墊31的上表面 面積。步驟S112為請配合圖2及圖2G所示，使用一封裝單元7來覆蓋該發(fā)光裸晶單元 1及該基板單元5的一部分上表面，并且依據(jù)不同的設(shè)計需求，該封裝單元7可為一透明封 裝體或一熒光封裝體。因此，由本創(chuàng)作圖2G可知，本創(chuàng)作提供一種采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)，其包括一發(fā)光裸晶單元1、一絕緣單元2、一第一導(dǎo)電單元3、一基板單元5、一第二導(dǎo)電 單元6及一封裝單元7。其中，該發(fā)光裸晶單元1具有一正極導(dǎo)電層P及一負(fù)極導(dǎo)電層N。該絕緣單元2成 形于該正極導(dǎo)電層P與該負(fù)極導(dǎo)電層N之間。該第一導(dǎo)電單元3具有一成形于該正極導(dǎo)電 層P上的正極導(dǎo)電焊墊30及一成形于該負(fù)極導(dǎo)電層N上的負(fù)極導(dǎo)電焊墊31。上述結(jié)構(gòu)即 形成第一次封裝單元。另外，該基板單元5的上表面至少具有一正極導(dǎo)電區(qū)域50及一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域51， 其中通過該正極導(dǎo)電焊墊30電性接觸于該正極導(dǎo)電區(qū)域50及該負(fù)極導(dǎo)電焊墊31電性接 觸于該負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域51，以使得該發(fā)光裸晶單元1電性設(shè)置于該基板單元5上。再者，該第 二導(dǎo)電單元6具有兩個導(dǎo)電體(60、61)，例如焊錫或錫膏…等。此兩個導(dǎo)電體(60、61)分 別設(shè)置于「該正極導(dǎo)電焊墊30與正極導(dǎo)電區(qū)域50之間」及「該負(fù)極導(dǎo)電焊墊31與該負(fù)極 導(dǎo)電區(qū)域51之間」，并且每一個導(dǎo)電體(60、61)的上表面面積占據(jù)該正極導(dǎo)電焊墊30或該 負(fù)極導(dǎo)電焊墊31的上表面面積的30% 100%，并且該正極導(dǎo)電焊墊30的上表面面積大于該負(fù)極導(dǎo)電焊墊31的上表面面積。此外，該封裝單元7覆蓋該發(fā)光裸晶單元1及該基板單元5的一部分上表面，其中 該封裝單元7可為一透明封裝體或一熒光封裝體。另外，依據(jù)不同的設(shè)計需求，該熒光封裝 體可「由硅膠與熒光粉所混合形成的熒光膠體」或可「由環(huán)氧樹脂與熒光粉所混合形成的 熒光膠體」。綜上所述，本創(chuàng)作通過第一次封裝，以制作出該發(fā)光裸晶單元1的正極導(dǎo)電焊墊 30及負(fù)極導(dǎo)電焊墊31，因此本創(chuàng)作不需經(jīng)過任何的打線過程；然后再通過覆晶的方式將上 述經(jīng)過一次封裝后的發(fā)光裸晶單元1電性設(shè)置于一基板單元5上，以使得發(fā)光裸晶單元1 與基板單元5之間產(chǎn)生電性連接；最后再進(jìn)行第二次封裝(采用該封裝單元7)，以完成本 創(chuàng)作的制作。本創(chuàng)作的所有范圍應(yīng)以權(quán)利要求要求保護(hù)的范圍為準(zhǔn)，凡合于本創(chuàng)作保護(hù)范圍的 精神與其類似變化的實施例，皆應(yīng)包含于本創(chuàng)作的范疇中，任何熟悉該項技術(shù)人員在本創(chuàng) 作的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一發(fā)光裸晶單元，其具有一正極導(dǎo)電層及一負(fù)極導(dǎo)電層；一絕緣單元，其成形于該正極導(dǎo)電層與該負(fù)極導(dǎo)電層之間；一第一導(dǎo)電單元，其具有一成形于該正極導(dǎo)電層上的正極導(dǎo)電焊墊及一成形于該負(fù)極 導(dǎo)電層上的負(fù)極導(dǎo)電焊墊，以完成該發(fā)光裸晶單元的第一次封裝；一基板單元，其上表面具有一正極導(dǎo)電區(qū)域及一負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域，其中通過該正極導(dǎo)電 焊墊電性接觸于該正極導(dǎo)電區(qū)域及該負(fù)極導(dǎo)電焊墊電性接觸于該負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域，以使得該 發(fā)光裸晶單元電性設(shè)置于該基板單元上；以及一封裝單元，其覆蓋該發(fā)光裸晶單元及該基板單元的一部分上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光 裸晶單元具有一發(fā)光本體及一成形于該發(fā)光本體內(nèi)的發(fā)光區(qū)域，并且該正極導(dǎo)電層與該負(fù) 極導(dǎo)電層皆成形于該發(fā)光本體上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該發(fā)光 本體具有一氧化鋁基板、一成形于該氧化鋁基板上的氮化鎵負(fù)電極層、及一成形于該氮化 鎵負(fù)電極層上的氮化鎵正電極層，此外該正極導(dǎo)電層成形于該氮化鎵正電極層上，該負(fù)極 導(dǎo)電層成形于該氮化鎵負(fù)電極層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該封裝 單元為一透明封裝體或一熒光封裝體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更進(jìn)一 步包括一第二導(dǎo)電單元，其具有兩個分別設(shè)置于該正極導(dǎo)電焊墊與正極導(dǎo)電區(qū)域之間及 該負(fù)極導(dǎo)電焊墊與該負(fù)極導(dǎo)電區(qū)域之間的導(dǎo)電體，并且每一個導(dǎo)電體的上表面面積占據(jù)該 正極導(dǎo)電焊墊或該負(fù)極導(dǎo)電焊墊的上表面面積的30% 100%，并且該正極導(dǎo)電焊墊的上 表面面積大于該負(fù)極導(dǎo)電焊墊的上表面面積。
專利摘要一種采用二次封裝的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括一發(fā)光裸晶單元、一絕緣單元、一第一導(dǎo)電單元、一基板單元及一封裝單元。該發(fā)光裸晶單元具有一正極導(dǎo)電層及一負(fù)極導(dǎo)電層。該絕緣單元成形于該正極導(dǎo)電層及該負(fù)極導(dǎo)電層之間。該第一導(dǎo)電單元具有一成形于該正極導(dǎo)電層上的正極導(dǎo)電焊墊及一成形于該負(fù)極導(dǎo)電層上的負(fù)極導(dǎo)電焊墊。該發(fā)光裸晶單元電性設(shè)置于該基板單元上。該封裝單元覆蓋該發(fā)光裸晶單元及該基板單元的一部分上表面，從而使得發(fā)光裸晶單元得到保護(hù)。
文檔編號H01L33/62GK201780990SQ20102010713
公開日2011年3月30日 申請日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者莊峰輝, 汪秉龍, 蕭松益 申請人:宏齊科技股份有限公司