專利名稱：液晶顯示器的母基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種具有多個(gè)有源矩陣陣列的母基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)由于其重量輕、體積纖薄和驅(qū)動(dòng)能耗低等而被廣泛地應(yīng)用。這 樣的LCD已經(jīng)被應(yīng)用到諸如筆記本PC的便攜式計(jì)算機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、音頻/視頻設(shè)備、 室內(nèi)/室外廣告顯示設(shè)備中。參照圖1，有源矩陣LCD的下玻璃基板GLSL設(shè)置有彼此交叉的數(shù)據(jù)線DL和選通線 GL。在數(shù)據(jù)線DL和選通線GL的交叉點(diǎn)，以矩陣形式布置有彼此連接的TFT (薄膜晶體管) 和像素電極。上玻璃基板GLSU設(shè)置有黑底BM、濾色器CF以及公共電極COM。下偏振器附 著在下玻璃基板GLSL的光入射面上，而光吸收軸與下偏振器的垂直的上偏振器附著在上 玻璃基板GLSU的光出射面上。另外，形成有與下玻璃基板GLSL和上玻璃基板GLSU之間的 液晶層相接觸的配向?qū)印榱颂岣週CD的生產(chǎn)率，在一個(gè)大尺寸母基板上一起形成多個(gè)有源矩陣陣列，隨 后通過劃刻工藝(scribing process)和研磨工藝將這些有源矩陣陣列彼此分割開。在對母基板進(jìn)行薄膜構(gòu)圖的過程中，在沉積工藝、蝕刻工藝等工藝中往往會(huì)產(chǎn)生 靜電。如果形成在母基板上的線材料是低電阻的金屬，靜電就容易通過該線材料施加到有 源矩陣陣列上。靜電使有源矩陣陣列中的元件的特性變差，或者導(dǎo)致介電擊穿。

發(fā)明內(nèi)容
本申請的實(shí)施方式提供了一種液晶顯示器的母基板及其制造方法，其可以阻止該 母基板制造過程中產(chǎn)生的靜電。本申請的一個(gè)示范實(shí)施方式提供了一種液晶顯示器的母基板，其包括多個(gè)有源 矩陣陣列；連接到有源矩陣陣列的測試線；連接到測試線的測試焊盤；以及將測試線彼此 連接起來的第一連接線。每個(gè)有源矩陣陣列都可以包括TFT陣列，其包括數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉的選通 線、連接到數(shù)據(jù)線和選通線的TFT、連接到TFT的像素電極，以及連接到像素電極的存儲(chǔ)電 極；依次向選通線供應(yīng)宣統(tǒng)脈沖的驅(qū)動(dòng)電路單元；將測試線連接至驅(qū)動(dòng)電路單元的LOG線。每個(gè)有源矩陣陣列都可以進(jìn)一步包括將LOG線彼此連接起來的第二連接線。本申請的一個(gè)示范實(shí)施方式提供了一種液晶顯示器的母基板的制造方法，該方法 包括以下步驟分別在母基板上形成多個(gè)有源矩陣陣列、連接到有源矩陣陣列的測試線、連 接到測試線的測試焊盤、將測試線彼此連接起來的第一連接線；在母基板上形成覆蓋所述 多個(gè)有源矩陣陣列、測試線、測試焊盤和連接線的鈍化層；以及在鈍化層的蝕刻工藝中形成 切斷第一連接線的第一開孔。


包含在此的附圖為本發(fā)明提供進(jìn)一步的理解，被結(jié)合并組成本說明的一部分，與 發(fā)明內(nèi)容一起闡明本發(fā)明的實(shí)施方式，來解釋本發(fā)明的原理。如圖所示圖1是示意性例示了 IXD的立體圖；圖2是根據(jù)本申請實(shí)施方式的LCD的母基板的平面圖；圖3是例示了圖2中所示的有源矩陣陣列的放大平面圖；圖4是例示了形成在測試線之間，以及LOG線之間的連接線的平面圖；圖5是例示了在鈍化層蝕刻工藝中被切斷的連接線的平面圖；圖6是沿圖4中Ι-Γ線的剖面圖，并示出了連接線由柵極金屬圖案形成的實(shí)施例；圖7是沿圖5中1-1’線的剖面圖，并示出了圖6中所示的連接線的斷開；圖8是沿圖4中1-1’線的剖面圖，并示出了連接線由源極/漏極金屬圖案形成的 實(shí)施例；圖9是沿圖8中1-1’線的剖面圖，并示出了圖8中所示的連接線的斷開。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本申請的實(shí)施方式。在整個(gè)詳細(xì)說明中，相同的標(biāo) 號(hào)代表相同的要素。在接下來的描述中，當(dāng)與本申請有關(guān)的公知功能或結(jié)構(gòu)的具體描述被 認(rèn)為不必要作為本發(fā)明的要點(diǎn)時(shí)，其在具體描述中將被省略。根據(jù)本發(fā)明的LCD，在按照LC模式分類時(shí)，可分為TN(扭曲向列)模式、VA(垂直 配向)模式、IPS(面內(nèi)切換)模式、FFS(邊緣場切換)模式等。從結(jié)構(gòu)角度來看，根據(jù)本 申請的LCD可以按其它任何方式實(shí)現(xiàn)，例如，透射型LCD、透反型LCD、反射型LCD等。透射 型LCD和透反型LCD需要背光單元。背光單元可以是直下式背光單元，或者是邊緣式背光 單元。根據(jù)本申請，在IXD的制造過程中，在母基板100上一起形成多個(gè)有源矩陣陣列， 如圖2中所示。在圖2和圖3中，母基板100設(shè)置有多個(gè)有源矩陣陣列20、測試焊盤12、和測試線 13。每個(gè)有源矩陣陣列20都設(shè)置有TFT陣列10、用于驅(qū)動(dòng)TFT陣列10的驅(qū)動(dòng)電路單 元11，和LOG(玻璃上線)線14。TFT陣列10具有數(shù)據(jù)線、與數(shù)據(jù)線交叉的選通線、連接到 數(shù)據(jù)線和選通線的TFT、連接到TFT的像素電極、連接到像素電極的存儲(chǔ)電容器等。驅(qū)動(dòng)電 路單元11包括用于依次向選通線供應(yīng)選通脈沖的選通驅(qū)動(dòng)電路。LOG線14將該測試線13 連接到驅(qū)動(dòng)電路單元11。測試焊盤12與外部測試夾具的探針相接觸，并向測試線13供應(yīng)從測試夾具輸出 的測試信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電力。測試焊盤形成在母基板100的一個(gè)邊緣上。測試線13形成在測試焊盤12和LOG線14之間，并將測試信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電力從測試 焊盤傳輸?shù)絃OG線14。母基板100的薄膜構(gòu)圖工藝包括多次沉積和蝕刻工藝，進(jìn)而形成TFT陣列10、驅(qū)動(dòng) TFT陣列10的驅(qū)動(dòng)電路單元11、LOG線14、測試焊盤12以及測試線13中的薄膜圖案。在本申請中，為了阻止沉積工藝和蝕刻工藝中產(chǎn)生的靜電，在測試線13之間形成有連接線15以將它們彼此連接起來。同時(shí)，在本申請中，還在LOG線14之間形成有連接線 15以將它們彼此連接起來。靜電通過連接線15被散開，因而可以阻止朝向驅(qū)動(dòng)電路單元 11流動(dòng)的靜電。連接線15不包括二極管或三極管元件，而是僅包括金屬線圖案。連接線15可以由選通線圖案和/或源極/漏極金屬圖案形成。因此，不需要形成 連接線15的單獨(dú)工藝。連接線15被鈍化層蝕刻工藝中形成的開孔17移除，如圖5所示。透明導(dǎo)電圖案 16形成于開孔17的兩邊。透明導(dǎo)電圖案16防止連接線15的殘留金屬暴露于空氣而被氧 化。在連接線15被移除后，測試夾具的探針與測試焊盤12接觸。當(dāng)測試夾具與測試焊盤 12接觸時(shí)，這些有源矩陣陣列全部被同時(shí)檢測。檢測之后，通過劃刻工藝和研磨工藝將這些 有源矩陣陣列單獨(dú)地彼此分割開。本申請中的母基板100可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的雙掩模工藝、三掩模工藝或四掩模 工藝來制造。下面以四掩模工藝為例來描述本申請的母基板100的制造方法的實(shí)施方式。 當(dāng)然，母基板100可以用雙掩模工藝或三掩模工藝來制造。圖6是連接線15由柵極金屬圖案形成的實(shí)施方式的剖視圖。圖7是圖6中所示 的連接線15斷開的剖視圖。參照圖6和圖7，在根據(jù)第一實(shí)施方式的母基板的制造方法中，采用沉積方法(例 如濺射)在母基板100上形成柵極金屬層。柵極金屬層可以從包括鋁/釹(AlNd)的鋁(AL) 基金屬、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等中選擇。在第一光刻工藝中對柵極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖。TFT陣列10中的選通線、連接到選通 線的柵極和TFT的柵極焊盤等由柵極金屬圖案GM形成。和TFT陣列10中的柵極金屬圖案 GM—起，形成了驅(qū)動(dòng)電路單元11的柵極金屬圖案和測試線12的柵極金屬圖案GM以及連接 線15。接下來，依次沉積覆蓋柵極金屬圖案GM的柵極絕緣層GI、半導(dǎo)體層和源極/漏極 金屬層。柵極絕緣層GI可以由無機(jī)絕緣材料，例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)形成。 源極/漏極金屬可以選自于鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬合金、銅(Cu)等。在第二光刻工藝 中一起對半導(dǎo)體層和源極/漏極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖。半導(dǎo)體層圖案SEMI包括沒有雜質(zhì)摻雜 的非晶硅層和摻雜有雜質(zhì)的歐姆接觸層。TFT陣列10中的數(shù)據(jù)線和源極/漏極SDM(S)和 SDM(D)，數(shù)據(jù)焊盤由源極/漏極金屬圖案形成。與TFT陣列10中的源極/漏極金屬圖案一 起形成了驅(qū)動(dòng)電路單元11的源極/漏極金屬圖案和測試線12的源極/漏極金屬圖案。在母基板100上依次沉積覆蓋了有源矩陣陣列20、測試焊盤12和測試線 13的鈍化層PASSI。鈍化層PASSI可以由與柵極絕緣層GI相同的無機(jī)絕緣材料、低 介電常數(shù)的丙烯酸基有機(jī)化合物，或有機(jī)絕緣材料，例如BCB (bebzocyclobutane)和 PFCB (perfluorocyclobutane)形成。接下來，在第三光刻工藝中對鈍化層PASSI進(jìn)行蝕刻。在第三光刻工藝中，如圖7 所示，一起形成了暴露有源矩陣陣列20的TFT的漏極SDM(D)的一部分的接觸孔CNT、斷開 連接線15的柵極金屬圖案GM的開孔17，以及暴露測試焊盤12的源極/漏極金屬圖案和柵 極金屬圖案的接觸孔。然后，沉積覆蓋鈍化層PASSI的透明導(dǎo)電層，之后在第四光刻工藝中對該透明導(dǎo) 電層進(jìn)行構(gòu)圖。該透明導(dǎo)電層可以由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)或氧化銦鋅(IZO)形成。該透明導(dǎo)電層圖案包括有源矩陣陣列20的像素電極、柵極焊盤和 數(shù)據(jù)焊盤的上電極、測試焊盤12的上電極以及覆蓋了開孔17的邊緣的上電極。圖8是由源極/漏極金屬圖案形成的連接線15的一個(gè)實(shí)施方式的剖視圖。圖9 是例示了圖8中所示的連接線15的斷開的剖視圖。參照圖8和圖9，在根據(jù)本申請第二實(shí)施方式的母基板的制造方法中，連接線15由 源極/漏極金屬圖案SDM形成，而且該連接線15在鈍化層PASSI的蝕刻工藝中被斷開。這 一制造工藝的順序與前述第一實(shí)施方式大體上相同。如前面所述，在本申請中，通過連接線使母基板上的測試線彼此連接，該連接線在 鈍化層的蝕刻工藝中被斷開，因此，通過采用該連接線，阻止了沉積工藝、蝕刻工藝等工藝 中產(chǎn)生的靜電。盡管就其多個(gè)示例性實(shí)施方式描述了一些實(shí)施方式，但是應(yīng)該理解的是，許多可 以被本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其它修改例和實(shí)施方式會(huì)落入到本申請的原理的范疇內(nèi)。更具 體地講，各種在元件部分和/或主體結(jié)合設(shè)置方式上可能變化和修改，都在本申請、附圖及 附加的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。除了元件部分和/或設(shè)置的變化和修改，替代方法的應(yīng)用對本 領(lǐng)域技術(shù)人員來說也是明顯的。本申請要求享有2009年10月30日遞交、申請?zhí)枮?0-2009-0104372的韓國專利 申請的優(yōu)先權(quán)，其整個(gè)內(nèi)容以引用的方式并入本文，如同全部在此闡述。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器的母基板，該母基板包括 多個(gè)有源矩陣陣列；連接到所述有源矩陣陣列的測試線； 連接到所述測試線的測試焊盤；和 將所述測試線彼此連接起來的第一連接線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的母基板，其中，每一個(gè)有源矩陣陣列都包括薄膜晶體管陣列，其包括多條數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線交叉的選通線、連接到所述數(shù)據(jù)線 和所述選通線的薄膜晶體管、連接到所述薄膜晶體管的像素電極，以及連接到所述像素電 極的存儲(chǔ)電容器；驅(qū)動(dòng)電路單元，其依次向所述選通線供應(yīng)選通脈沖；以及 將所述測試線連接到該驅(qū)動(dòng)電路單元的LOG線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的母基板，其中，每一個(gè)有源矩陣陣列都還包括將所述LOG線彼 此連接起來的第二連接線。
4.一種制造液晶顯示器的母基板的方法，該方法包括以下步驟分別在該母基板上形成多個(gè)有源矩陣陣列、連接到所述有源矩陣陣列的測試線、連接 到所述測試線的測試焊盤、將所述測試線彼此連接起來的第一連接線；在該母基板上形成覆蓋所述多個(gè)有源矩陣陣列、所述測試線、所述測試焊盤和所述第 一連接線的鈍化層；以及在所述鈍化層的蝕刻工藝中形成切斷第一連接線的第一開孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，該方法還包括以下步驟在第一開孔的邊緣上形成透 明導(dǎo)電圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，每一個(gè)有源矩陣陣列都包括薄膜晶體管陣列，其包括由源極/漏極金屬圖案形成的數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線交叉并 由柵極金屬圖案形成的選通線、連接到所述數(shù)據(jù)線和所述選通線的薄膜晶體管、連接到所 述薄膜晶體管的像素電極，以及連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容器； 驅(qū)動(dòng)電路單元，其依次向所述選通線供應(yīng)選通脈沖；以及 將所述測試線連接到所述驅(qū)動(dòng)電路單元的LOG線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在該母基板上形成第一連接線的步驟包括形成 將所述LOG線彼此連接起來的第二連接線。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成第一開孔的步驟包括 在所述鈍化層的蝕刻工藝中形成切斷第二連接線的第二開孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一連接線和第二連接線由所述源極/漏極金屬 圖案形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一連接線和第二連接線由所述柵極金屬圖案 形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器的母基板，該母基板包括多個(gè)有源矩陣陣列、連接到有源矩陣陣列的測試線、連接到測試線的測試焊盤和將測試線彼此連接起來的連接線。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102097440SQ201010577028
公開日2011年6月15日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者崔壹萬, 金容敏 申請人:樂金顯示有限公司