專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種側(cè)設(shè)型LED封裝體，特別是有關(guān)以機(jī)械鉆孔及銅箔黏貼工藝形成 的全包覆膠式側(cè)設(shè)型LED封裝體及其制造方法。
背景技術(shù)：
側(cè)設(shè)型LED封裝體具有邊射型發(fā)光二極管，特別是其封裝方式，利用轉(zhuǎn)移模鑄的 方式制作全包覆式透鏡，以構(gòu)成表面黏著型側(cè)光型(Side View)封裝。圖1是顯示傳統(tǒng)側(cè)設(shè)型LED封裝體的立體示意圖。于圖1中，一小尺寸的側(cè)設(shè)型 LED封裝體10包括一基板12，其上具有LED芯片設(shè)置于導(dǎo)電線路上(未繪示)。一封膠14 以模鑄的方式包覆LED芯片及固芯片線，做為封裝體的透鏡。由于此側(cè)設(shè)型LED封裝體10 的設(shè)計(jì)及應(yīng)用是以側(cè)立固著的型式封裝于系統(tǒng)(例如光學(xué)式觸控屏幕)上，因此為了增加 焊錫的接著性，在LED封裝體10兩端需增加電極層16a、16b以增加側(cè)面吃錫面積，甚至需 要增加一額外的電極墊16c。小尺寸側(cè)設(shè)型LED封裝體，膠體大小已經(jīng)受到限制，如果因?yàn)樘厥馔哥R(lens)需 求，必須要使膠體利用最大化，勢必整個(gè)成品的PCB都要包覆膠體。因此，幫助吃錫的鉆孔 上方也必須要包覆膠體，但是如此一來，在封膠的過程中，孔內(nèi)將會灌滿膠體。傳統(tǒng)的制造方法必須使用激光鉆孔，并且停止至最上層的銅箔層，利用銅箔層來 阻擋膠體灌入孔內(nèi)。但是，如欲形成可以幫助抓錫的孔洞，其孔徑對激光鉆孔方法而言太 大，必須重復(fù)施以多次激光(例如數(shù)十次)于同一點(diǎn)上以達(dá)大孔徑鉆孔，造成成本過高，不 符生產(chǎn)效益。另外的做法為，在PCB基板的背面形成半盲孔(blindhole)，此種鉆孔限制為 必須使用大厚度的PCB板，會影響成品的高度限制及成本，并且在PCB加工時(shí)，一次只能加 工一片PCB，同樣地造成成本居高不下。再者，另一做法為使用聚亞酰胺帶(PI tape)黏貼 開口的做法，因?yàn)镻I帶本身的黏貼公差，以及于封膠時(shí)支撐膠體的能力遠(yuǎn)不及銅箔，因此 限制產(chǎn)品的適用尺寸。再者，另有使用防焊漆(綠漆)半塞孔的做法，因?yàn)轭櫦胺篮钙岬淖?射成型(molding)的耐受度，因此必須要填孔超過一半以上的深度，如此一來會影響到側(cè) 設(shè)型吃錫及PCB的厚度必須要加厚。于先前技術(shù)中，關(guān)于印刷電路板機(jī)械鉆孔的相關(guān)技術(shù)，日本專利早期公開 JP11-298120揭露一種印刷電路板的制造方法，包括以以蝕刻法移除基板上下表面的銅箔 層，并以機(jī)械鉆孔的方式形成穿孔(through hole)于基板中，之后在絕緣基板的表面上形 成光阻及線路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置，可避免 傳統(tǒng)半盲孔鉆法必須使用價(jià)格較高的厚PCB板并可避免因傳統(tǒng)黏貼PI至已蝕刻好的線路 所導(dǎo)致的黏貼公差問題。本發(fā)明的一方面提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)由至少一基材所構(gòu)成；形成一第一導(dǎo)電層于該基板結(jié)構(gòu)的一第一面上；在 該基板結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)鉆孔，這些鉆孔穿透該基板結(jié)構(gòu)；形成一黏結(jié)層于相對該基板結(jié)構(gòu) 的該第一面的一第二面上，以將這些鉆孔的一端覆蓋住；形成一第二導(dǎo)電層于該黏結(jié)層上； 自該基板結(jié)構(gòu)的該第一面，由這些鉆孔的一端內(nèi)移除部份的該黏結(jié)層；沉積一金屬層于該 基板結(jié)構(gòu)的第一面上，并形成在這些鉆孔的內(nèi)側(cè)壁及底部上；分別圖案化該第一和第二導(dǎo) 電層以形成一電路圖案于該基板結(jié)構(gòu)的第一面及該第二面上；封裝一發(fā)光二極管芯片于該 基板結(jié)構(gòu)的第二面上，并與該電路圖案電性連接；模鑄一封膠并覆蓋住該基板結(jié)構(gòu)的第二 面；以及沿這些鉆孔所構(gòu)成的一封裝區(qū)域的外緣，切割該基板結(jié)構(gòu)以形成該發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板 結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)由至少一基材所構(gòu)成，該基材具有一第一金屬層形成于一該基材的第一 面上；形成多個(gè)鉆孔于該基板結(jié)構(gòu)內(nèi)，這些鉆孔構(gòu)成一封裝區(qū)域；形成一黏結(jié)層于相對該 基板結(jié)構(gòu)的該第一面的一第二面上，以將這些鉆孔的一端覆蓋住；形成一第二金屬層于該 黏結(jié)層上；自該基板結(jié)構(gòu)的該第一面，由這些鉆孔的一端內(nèi)移除部份的該黏結(jié)層；沉積一 金屬層于該基板結(jié)構(gòu)的第一面上，并形成在這些鉆孔的內(nèi)側(cè)壁及底部上；分別圖案化該第 一和第二導(dǎo)電層以形成一電路圖案于該基板結(jié)構(gòu)的第一面及該第二面上；封裝一發(fā)光二極 管芯片于該基板結(jié)構(gòu)的第二面上，并與該電路圖案電性連接；模鑄一封膠并覆蓋住該基板 結(jié)構(gòu)的第二面；以及沿這些鉆孔所構(gòu)成的一封裝區(qū)域的外緣，切割該基板結(jié)構(gòu)以形成該發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的又一方面提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括一基底，該基底具有多個(gè) 四分之一的圓形通孔設(shè)置在該基底的角落上；一圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底的一 表面上；一圖案化的第二導(dǎo)電層，設(shè)置于相對該基底表面的另一表面上；一黏結(jié)層，設(shè)置于 該圖案化的第二導(dǎo)電層與該基底的該表面之間；一金屬層，形成于這些基底的圓形通孔的 內(nèi)側(cè)壁；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層上，并通過該金屬層電性連接該 圖案化的第一導(dǎo)電層；以及一光學(xué)透鏡，系完全包覆該芯片及該基底的該表面。本發(fā)明的再一方面提供一種顯示裝置，包括一顯示面板；以及兩個(gè)以上發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)做為發(fā)射器及一 CMOS接受器做為檢測觸控信號的元件，設(shè)置于該顯示面板 的角落。其中該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一基底，該基底具有多個(gè)四分之一的圓形通孔設(shè) 置在該基底的角落上；一圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底的一表面上；一圖案化的第 二導(dǎo)電層，設(shè)置于相對該基底表面的另一表面上；一黏結(jié)層，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層 與該基底的該表面之間；一金屬層，形成于這些基底的圓形通孔的內(nèi)側(cè)壁；一發(fā)光二極管 芯片，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層上，并通過該金屬層電性連接該圖案化的第一導(dǎo)電層； 以及一光學(xué)透鏡，系完全包覆該芯片及該基底的該表面。本發(fā)明相較于現(xiàn)有技術(shù)的有益技術(shù)效果是可以先行依孔徑需求，將多片PCB同 時(shí)鉆孔，PCB的板厚也不受限制，不像傳統(tǒng)半盲孔鉆法，必須使用價(jià)格較高的厚PCB板；可依 實(shí)際設(shè)計(jì)需求，將導(dǎo)電層蝕刻成圖案化線路，避免因傳統(tǒng)黏貼PI至已蝕刻好的線路所導(dǎo)致 的黏貼公差問題，導(dǎo)電層受封膠的能力也遠(yuǎn)遠(yuǎn)大過PI的能力，因此能達(dá)到小尺寸全包覆封 膠體的低成本側(cè)設(shè)型需求。


為使本發(fā)明能更明顯易懂，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例作詳細(xì)說明， 其中圖1是顯示傳統(tǒng)側(cè)設(shè)型LED封裝體的立體示意圖；圖2A-圖2G是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的側(cè)設(shè)型LED封裝體的制造方法各步驟 的示意圖；圖3A-圖3C是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例于機(jī)械鉆孔內(nèi)形成金屬化導(dǎo)電層各步驟 的剖面示意圖；以及圖4A和圖4B是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例以機(jī)械鉆孔及銅箔黏貼工藝形成的全包 覆膠式側(cè)設(shè)型LED封裝體應(yīng)用于光學(xué)式觸控屏幕系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的范例，做為本發(fā)明的參考依據(jù)。在 附圖或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的標(biāo)號。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或 是厚度可擴(kuò)大，并以簡化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述予以說 明，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知的形 式，另外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。一般側(cè)設(shè)型柵格陣列(Land Grid Array，簡稱LGA)封裝要達(dá)到吃錫優(yōu)良，大多利 用PCB鉆孔達(dá)到側(cè)面增加吃錫面積需求，使得錫膏與PCB銅箔接觸表面積增加，使握裹力能 達(dá)到推力測試需求。但有特殊要求的情況，例如使用在發(fā)光二極管(LED)或接收光線的光 傳感器(Photo sensor)的小尺寸封裝體，因?yàn)榘l(fā)光或收光角度的限制，透鏡(lens)形狀必 須符合需求，加上尺寸的限制，使得膠體本身無可避免地必須要包覆到鉆孔的上方。本發(fā)明 主要實(shí)施例及樣態(tài)在于利用PCB銅箔黏貼技術(shù)來制作全包覆式側(cè)設(shè)型封裝體，可以達(dá)到吃 錫優(yōu)良以及降低成本的要求。圖2A-圖2G是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的側(cè)設(shè)型LED封裝體的制造方法各步驟 的示意圖。請參閱圖2A，首先提供一基板結(jié)構(gòu)100，該基板結(jié)構(gòu)由至少一基材所構(gòu)成，例如 用于制作印刷電路板(PCB)的素材基板101。一般市售的PCB板為雙層板，于兩側(cè)皆有銅 箔，因此可以使用蝕刻方式先將上層銅箔去除，然而非限定于此，亦可以使用素材基板101， 并形成一第一導(dǎo)電層110(例如銅箔)于該基板結(jié)構(gòu)的一第一面上。再者，亦可直接使用已 形成電鍍銅箔的素材基板。接著，請參閱圖2B，形成多個(gè)鉆孔105于基板結(jié)構(gòu)100內(nèi)，這些鉆孔105穿透該基 板結(jié)構(gòu)。為了達(dá)到較佳的工藝效率，可選擇將多片基板結(jié)構(gòu)堆疊后，再進(jìn)行機(jī)械式同步鉆 孔，以降低制造成本。于一范例中，這些鉆孔105的半徑大抵為0. 5mm。接著，形成一黏結(jié)層 115于相對該基板結(jié)構(gòu)110的該第一面的一第二面上，以將這些鉆孔105的一端覆蓋住。于 一實(shí)施例中，黏貼具有黏結(jié)層115的膠帶于基板結(jié)構(gòu)的第二面上，再將黏結(jié)層上的離型膜 移除。于另一實(shí)施例中，可直接涂布黏結(jié)層115干膜或者使用無基材黏著方式于基板結(jié)構(gòu) 100的第二面上。接著，形成第二導(dǎo)電層120(例如銅箔)于黏結(jié)層115上，如圖2D所示。接著，進(jìn)行形成鉆孔105內(nèi)壁金屬化步驟。圖3A-圖3C是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 例于機(jī)械鉆孔內(nèi)形成金屬化導(dǎo)電層各步驟的剖面示意圖。請參閱圖3A，其顯示在鉆孔105附近區(qū)域的剖面示意圖，為了使鉆孔105的內(nèi)部顯露第二導(dǎo)電層120，以利后續(xù)金屬化層直 接接觸。于本發(fā)明的一實(shí)施例中，自該基板結(jié)構(gòu)的該第一面，由這些鉆孔的一端內(nèi)移除部份 的該黏結(jié)層，以化學(xué)溶劑將鉆孔105底部的黏結(jié)層115移除，如圖;3B所示。接著，請參閱圖3C，實(shí)施一金屬化工藝(例如電鍍、濺鍍或化學(xué)氣相沉積法)，將 一金屬層135形成在這些鉆孔105的內(nèi)側(cè)壁及底部上，其中第二面的第二導(dǎo)電層120可通 過該金屬層135導(dǎo)到第一面的第一導(dǎo)電層110(即后續(xù)圖案化形成的陰極與陽極電極112、 114)。請參閱圖2E，接著進(jìn)行固芯片面上形成圖案化線路。分別圖案化該第一和第二導(dǎo) 電層以形成一電路圖案于該基板結(jié)構(gòu)的第一面及該第二面上。于一實(shí)施例中，施以光刻及 蝕刻步驟，將第二導(dǎo)電層120圖案化成電極電路結(jié)構(gòu)，包括固芯片墊IM部分和金屬線焊墊 122部分。于其它實(shí)施例中，依實(shí)際需求可增加電鍍層，以利LED芯片設(shè)置于導(dǎo)電線路上。接著，請參閱圖2F，封裝一發(fā)光二極管芯片于該基板結(jié)構(gòu)的第二面上，并與該電路 圖案電性連接。例如，將一 LED芯片145固芯片于固芯片墊上，并將金屬線140連接LED芯 片145與焊墊122。此后，模鑄一封膠并覆蓋住該基板結(jié)構(gòu)的第二面，例如將一封膠132以 移轉(zhuǎn)模鑄(transfer molding process)的方式包覆LED芯片及固芯片線，做為封裝體的透 鏡 130。在完成封膠步驟后，沿這些鉆孔所構(gòu)成的一封裝區(qū)域的外緣，切割該基板結(jié)構(gòu)以 形成該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，即完成全包覆式側(cè)設(shè)型LED封裝體。本發(fā)明達(dá)到低成本高功 能的小尺寸需求，吃錫區(qū)完整并最大化，PCB厚度不受限，因應(yīng)光學(xué)需求的大尺寸透鏡可以 最大化包覆PCB而不用擔(dān)心吃錫孔有溢膠的問題。再者，此封裝體亦可使用于頂部觀察 (top-looker)型封裝體。圖2G是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的全包覆式側(cè)設(shè)型LED封裝體的側(cè)立示意圖。在陰 極和陽極電極112、114之間設(shè)置有一防焊漆(綠漆)層150以防止電極之間短路。再者， 由于側(cè)設(shè)型LED封裝體僅一面與封裝基底接觸，因此于部分實(shí)施例中上方的鉆孔105’可省 略。于一實(shí)施例中，該多個(gè)四分之一機(jī)械鉆孔105包括兩個(gè)四分之一機(jī)械鉆孔于側(cè)設(shè)型LED 封裝體的下方，而上方的鉆孔105’可省略。圖4A和圖4B是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例以機(jī)械鉆孔及銅箔黏貼工藝形成的全包 覆膠式側(cè)設(shè)型LED封裝體應(yīng)用于光學(xué)式觸控屏幕系統(tǒng)的示意圖。于圖4A中，一光學(xué)式觸控 屏幕系統(tǒng)400包括顯示面板410，以及兩個(gè)以上的LED發(fā)射器420及CMOS接受器做為檢測 觸控信號的元件。上述LED發(fā)射器420可使用全包覆膠式側(cè)設(shè)型LED封裝體設(shè)置于顯示面 板410的頂角，如圖4B所示。根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例，提供一種顯示裝置包括一顯示面板410以及兩個(gè)以上發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)420做為發(fā)射器，以及兩各以上的CMOS傳感器(圖未繪示)做為檢測觸 控信號的元件，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)420及CMOS傳感器以成對方式設(shè)置于顯示面板的角落 上。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)420包括一基底，該基底具有多個(gè)四分之一的圓形通孔設(shè)置在 該基底的角落上。一圖案化的第一導(dǎo)電層設(shè)置于該基底的一表面上。一圖案化的第二導(dǎo)電 層設(shè)置于相對該基底表面的另一表面上。一黏結(jié)層設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層與該基底 的該表面之間。一金屬層形成于這些基底的圓形通孔的內(nèi)側(cè)壁。一發(fā)光二極管芯片設(shè)置于 該圖案化的第二導(dǎo)電層上，并通過該金屬層電性連接該圖案化的第一導(dǎo)電層。一光學(xué)透鏡完全包覆該芯片及該基底的該表面。本發(fā)明所揭露各實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，利用PCB及銅箔的黏貼技術(shù)，可以先行依孔 徑需求，將多片PCB同時(shí)鉆孔，PCB的板厚也不受限制，不像傳統(tǒng)半盲孔鉆法，必須使用價(jià)格 較高的厚PCB板。上層銅箔黏貼后直接覆蓋住鉆孔，在依實(shí)際設(shè)計(jì)需求，將銅箔蝕刻成圖案 化線路，避免因傳統(tǒng)黏貼PI至已蝕刻好的線路所導(dǎo)致的黏貼公差問題，銅箔承受封膠的能 力也遠(yuǎn)遠(yuǎn)大過PI的能力，因此能達(dá)到小尺寸全包覆封膠體的低成本側(cè)設(shè)型需求。本發(fā)明雖以各種實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬 技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做出種種等同的改變 或替換，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的本申請權(quán)利要求范圍所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括提供一基板結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)由至少一基材所構(gòu)成，該基板結(jié)構(gòu)具有一第一導(dǎo)電層設(shè) 置于一第一面上；在該基板結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)鉆孔，這些鉆孔穿透該基板結(jié)構(gòu)；形成一黏結(jié)層于相對該基板結(jié)構(gòu)的該第一面的一第二面上，以將這些鉆孔的一端覆蓋??；形成一第二導(dǎo)電層于該黏結(jié)層上；自該基板結(jié)構(gòu)的該第一面，由這些鉆孔的一端內(nèi)移除部份的該黏結(jié)層； 沉積一金屬層于該基板結(jié)構(gòu)的第一面上，并形成在這些鉆孔的內(nèi)側(cè)壁及底部上； 分別圖案化該第一和第二導(dǎo)電層以形成一電路圖案于該基板結(jié)構(gòu)的第一面及該第二 面上；封裝一發(fā)光二極管芯片于該基板結(jié)構(gòu)的第二面上，并與該電路圖案電性連接； 模鑄一封膠并覆蓋住該基板結(jié)構(gòu)的第二面；以及沿這些鉆孔所構(gòu)成的一封裝區(qū)域的外緣，切割該基板結(jié)構(gòu)以形成該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該基材包括 一 PCB基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)電層為一銅箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一導(dǎo)電 層被圖案化成一陰極與一陽極電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，這些鉆孔的 形成步驟包括將多片基材堆疊后，再對這些堆疊的基材同時(shí)進(jìn)行機(jī)械式鉆孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該該黏結(jié)層 的形成步驟包括涂布或使用無基材黏著方式形成于該基板的第二面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該該第二導(dǎo) 電層為一銅箔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第二導(dǎo)電 層被圖案化成一固芯片墊和一焊墊。
9.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基底，該基底具有多個(gè)四分之一的圓形通孔設(shè)置在該基底的角落上； 一圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底的一表面上； 一圖案化的第二導(dǎo)電層，設(shè)置于相對該基底表面的另一表面上； 一黏結(jié)層，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層與該基底的該表面之間； 一金屬層，形成于這些基底的圓形通孔的內(nèi)側(cè)壁；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層上，并通過該金屬層電性連接該圖 案化的第一導(dǎo)電層；以及一光學(xué)透鏡，其完全包覆該芯片及該基底的該表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的第一導(dǎo)電層包括一陰極及一陽極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一防焊漆層設(shè) 置于該陰極與該陽極之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的第二導(dǎo)電層 包括兩導(dǎo)電性相異的導(dǎo)電區(qū)域，該兩導(dǎo)電區(qū)域彼此分離設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片設(shè)置在該兩導(dǎo) 電區(qū)域其中之一個(gè)，并通過一金屬導(dǎo)線電性連接于該兩導(dǎo)電區(qū)域其中另一個(gè)。
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括 一顯示面板；以及多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及多個(gè)傳感器，這些發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及這些傳感器成對 地設(shè)置于該顯示面板的角落，各該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)用以發(fā)射一光源，各該傳感器用以作為 檢測觸控信號的元件；其中該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一基底，該基底具有多個(gè)四分之一的圓形通孔設(shè)置在該基底的角落上； 一圖案化的第一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底的一表面上； 一圖案化的第二導(dǎo)電層，設(shè)置于相對該基底表面的另一表面上； 一黏結(jié)層，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層與該基底的該表面之間； 一金屬層，形成于這些基底的圓形通孔的內(nèi)側(cè)壁；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該圖案化的第二導(dǎo)電層上，并通過該金屬層電性連接該圖 案化的第一導(dǎo)電層；以及一光學(xué)透鏡，其完全包覆該芯片及該基底的該表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，該傳感器為CMOS傳感器。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，該圖案化的第一導(dǎo)電層包括一陰 極及一陽極。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化的第二導(dǎo)電 層包括兩導(dǎo)電性相異的導(dǎo)電區(qū)域，該兩導(dǎo)電區(qū)域彼此分離設(shè)置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于，該芯片設(shè)置在該兩導(dǎo)電區(qū)域其中 之一個(gè)，并通過一金屬導(dǎo)線電性連接于該兩導(dǎo)電區(qū)域其中另一個(gè)。
全文摘要
本發(fā)明提供發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法和顯示裝置。該制造方法包括提供由至少一基材構(gòu)成的基板結(jié)構(gòu)；形成第一導(dǎo)電層于基板結(jié)構(gòu)的第一面上；在基板結(jié)構(gòu)上形成多個(gè)穿透基板結(jié)構(gòu)的鉆孔；形成一黏結(jié)層于相對該第一面的一第二面上，以將這些鉆孔的一端覆蓋?。恍纬梢坏诙?dǎo)電層于黏結(jié)層上；自該第一面，由這些鉆孔的一端內(nèi)移除部份的黏結(jié)層；沉積一金屬層于該第一面上，并形成在這些鉆孔的內(nèi)側(cè)壁及底部上；分別圖案化第一和第二導(dǎo)電層以形成一電路圖案于該第一面及第二面上；封裝一發(fā)光二極管芯片于該第二面上，并與電路圖案電性連接；模鑄封膠并覆蓋住該第二面；以及沿這些鉆孔所構(gòu)成的封裝區(qū)域的外緣，切割基板結(jié)構(gòu)以形成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L33/52GK102148312SQ20101011969
公開日2011年8月10日 申請日期2010年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月5日
發(fā)明者賴律名 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司