專(zhuān)利名稱(chēng)：用于改進(jìn)插頭/插座連接內(nèi)以及相鄰插頭/插座組合之間的串?dāng)_衰減的方法和系統(tǒng)的制作方法
用于改進(jìn)插頭/插座連接內(nèi)以及相鄰插頭/插座組合之間的串?dāng)_衰減的方法和系統(tǒng)
背景技術(shù)：
存在一種在用于近端串?dāng)_和遠(yuǎn)端串?dāng)_(NEXT和FEXT)、以及外來(lái)近端串?dāng)_和外來(lái)遠(yuǎn)端串?dāng)_(ANEXI^PAFEXT)的信道中獲得更大的余量的持續(xù)需求。NEXT和FEXT的主源發(fā)生在插頭/插座組合的插頭內(nèi)，并通常在插座內(nèi)被補(bǔ)償。外來(lái)串?dāng)_的主源是耦合在信道之間、尤其是相鄰插座之間的共模噪聲，并轉(zhuǎn)換成差分外來(lái)串?dāng)_(模式轉(zhuǎn)換)。


圖1是本發(fā)明的具有箔層屏蔽件的插座的一實(shí)施例的立體圖；圖2是本發(fā)明的具有箔層屏蔽件的插座的另一實(shí)施例的立體圖；圖3是沿圖1中剖面線(xiàn)3-3所取的剖面圖，示出了本發(fā)明的用于粘合箔層材料的堆疊結(jié)構(gòu)；圖4是示出由于沿著相鄰插座之間的插座箔層屏蔽件的共模傳播而發(fā)生的外來(lái)串?dāng)_的示意圖，該外來(lái)串?dāng)_轉(zhuǎn)換回插座中的差分串?dāng)_；圖5是本發(fā)明的通信系統(tǒng)一實(shí)施例的局部立體圖；圖6是本發(fā)明的模塊化插座一實(shí)施例的分解立體圖；圖7示出了圖6插座的一些方面的立體圖；圖8是圖6插座的插頭接口觸點(diǎn)的立體圖；圖9是圖6的插座的多層柔性電路板的透視立體圖；圖10是圖9的柔性電路板的示意圖；圖11是圖6的插座的多層剛性電路板的透視立體圖；圖12是圖11的剛性電路板的示意圖；圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明如何通過(guò)使用裂開(kāi)箔層阻止沿著插座箔層屏蔽件的共模傳播來(lái)減少外來(lái)串?dāng)_的示意圖；圖14是本發(fā)明的具有箔層屏蔽件的插座的另一實(shí)施例的立體分解圖，其中箔層屏蔽件是連續(xù)的，但金屬層具有間隙；圖15是本發(fā)明的具有箔層屏蔽件的插座的另一實(shí)施例的立體分解圖，其中箔層屏蔽件是連續(xù)的，但金屬層僅僅存在于底部和一側(cè)上；圖16是本發(fā)明的具有箔層屏蔽件的插座的另一實(shí)施例的立體分解圖，其中箔層屏蔽件是連續(xù)的，但箔層的可選區(qū)域具有金屬層；以及圖17是本發(fā)明的具有箔層屏蔽件的插座的另一實(shí)施例的立體分解圖，其中箔層屏蔽件由于連續(xù)金屬化而是連續(xù)的，但箔層僅僅包括單側(cè)和頂部。對(duì)應(yīng)的附圖標(biāo)記在若干附圖中標(biāo)示對(duì)應(yīng)的部件。這里闡述的實(shí)例說(shuō)明書(shū)了本發(fā)明的一些較佳實(shí)施例，但是這些實(shí)例并不構(gòu)造成以任何方式限制本發(fā)明的范圍。
具體實(shí)施方式
在2008 年 8 月 20 日提交的、名稱(chēng)為"High-Speed Connector with Multi-Stage Compensation”的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/090，403中，以一種在500MHz處、超過(guò)TIA 6A類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)的改進(jìn)6A類(lèi)(CAT6A)RJ45插座設(shè)計(jì)描述了補(bǔ)償方法和設(shè)備，以參見(jiàn)的方式引入該臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)，就好像這里已經(jīng)完全闡述了一樣。該插座針對(duì)行業(yè)需求以對(duì)近端串?dāng)_(NEXT)、遠(yuǎn)端串?dāng)_(FEXT)和返回?fù)p耗獲得更大余量，從而滿(mǎn)足苛刻消費(fèi)者的需求。此外，該插座減少了插座內(nèi)發(fā)生的差模一共模轉(zhuǎn)換和共模一差模轉(zhuǎn)換(這里稱(chēng)為“模式轉(zhuǎn)換”)，從而改進(jìn)了系統(tǒng)的外來(lái)串?dāng)_性能。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公布2006/0134995披露了通信插座，這些通信插座設(shè)有導(dǎo)電覆蓋層，從而在插座彼此并排安裝時(shí)，減少絕緣層剝離觸點(diǎn)(IDC)處連接器之間的ANEXT量，也以參見(jiàn)的方式引入該專(zhuān)利申請(qǐng)公布，就好像這里已經(jīng)完全闡述了一樣。這些導(dǎo)電層或箔層也是以上引用的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/090，403的部分。在其它進(jìn)展中，與高頻處的插座返回?fù)p耗余量相對(duì)應(yīng)，本發(fā)明針對(duì)信道中的一些電流限制和持久鏈接性能。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，插座傳輸線(xiàn)部件可包括插頭接口觸點(diǎn)(Pic)、柔性電路板、剛性電路板電路元件和IDC，PIC與插頭匹配、繞分線(xiàn)器卷繞并與剛性電路板接口，柔性電路板繞該分線(xiàn)器卷繞且其部件與PIC接觸，IDC也與剛性電路板接口并允許電纜中的線(xiàn)與IDC連接。插頭/PIC、柔性板、剛性板的PIC區(qū)和剛性板的補(bǔ)償區(qū)可被認(rèn)為是第一阻抗區(qū)；剛性板的IDC通孔區(qū)和IDC可被認(rèn)為是第一阻抗區(qū)之后的第二阻抗區(qū)。 假如插座連接器具有相對(duì)低阻抗區(qū)(第一阻抗區(qū))之后的相對(duì)高阻抗區(qū)(第二阻抗區(qū))， 則在低頻處有較大的返回?fù)p耗余量，而在高頻處有較小的返回?fù)p耗余量。僅有第一低阻抗區(qū)而沒(méi)有第二相對(duì)高阻抗區(qū)的插座在低頻處有較小的余量，而在高頻處有較大的相對(duì)余量 (與具有低阻抗區(qū)之后的相對(duì)高阻抗區(qū)的插座相比)。當(dāng)幅值與上述相反時(shí)，諸如插座具有高阻抗區(qū)之后的低阻抗區(qū)，這個(gè)關(guān)系同樣適用，其中低阻抗區(qū)的阻抗增大改進(jìn)了返回?fù)p耗。在目前的插座設(shè)計(jì)中，線(xiàn)對(duì)4-5通常是在高頻處具有最差返回?fù)p耗余量的線(xiàn)對(duì)。 一般來(lái)說(shuō)，線(xiàn)對(duì)4-5具有由插頭/PIC、柔性板、剛性板的PIC區(qū)和剛性板的補(bǔ)償區(qū)引起的低阻抗區(qū)，后跟由相應(yīng)IDC和線(xiàn)蓋引起的高阻抗區(qū)。本發(fā)明的一特征是，減小高阻抗區(qū)的阻抗，從而返回?fù)p耗在低頻處變得相對(duì)較差，而在高頻處改進(jìn)余量，這導(dǎo)致相對(duì)于CAT6A規(guī)格總體改進(jìn)的返回?fù)p耗余量。由于阻抗和電容之間的關(guān)系通常遵循Z =V (L/C)，在高阻抗區(qū)增大電容，以減小高阻抗區(qū)的阻抗。在許多插座聚集在一區(qū)域內(nèi)的接線(xiàn)板或插座板中，在這些相鄰的插座之間會(huì)發(fā)生高程度的外來(lái)串?dāng)_。這個(gè)原理的先前理解指出這個(gè)耦合主要是由于相鄰插頭和插座中的相鄰導(dǎo)線(xiàn)和翼片、尤其是彼此相鄰延伸的平行部分發(fā)生接近而引起的感應(yīng)差分耦合。圖1 和2的箔層標(biāo)簽設(shè)計(jì)針對(duì)這個(gè)問(wèn)題。在圖1中，插座組件20包括插座22和粘附安裝的箔層標(biāo)簽或屏蔽件對(duì)。例如，插座22可以是CAT6A插座設(shè)計(jì)?；蛘撸部墒褂闷渌遄?，諸如 CAT6、CAT7或其它。圖2示出了插座組件沈，該插座組件包括插座22和具有延伸側(cè)四的粘附安裝箔層標(biāo)簽觀。這些箔層標(biāo)簽對(duì)、觀主要用來(lái)減少發(fā)生在相鄰插座之間的外來(lái)串?dāng)_量，這是因?yàn)橛捎诓幌噜彶遄鄬?duì)遠(yuǎn)離，所以不相鄰插座的耦合程度已經(jīng)非常低。盡管在圖1-2中未示出，但是插座20 J6通常可包括圖6所示的線(xiàn)蓋和圖6的其它元件。箔層標(biāo)簽包括粘合材料、金屬襯層、隨后的漆層和保護(hù)涂層，如圖3所示。然而，已經(jīng)觀察到，在具有高程度共模噪聲的通道環(huán)境中，箔層屏蔽件為共模電流流至和流過(guò)相鄰插座提供電連接(包括圍繞插座的導(dǎo)電路徑，各相鄰插座有電容耦合)，如圖4所示。這是不相鄰插座之間的外來(lái)串?dāng)_的主要原因，還進(jìn)一步增大了相鄰插座之間的外來(lái)串?dāng)_量。當(dāng)若干插座(每個(gè)插座包括如圖1和2所示包括箔層屏蔽件)彼此相鄰時(shí)， 由于相鄰箔層之間的大量電容耦合，在插座之間存在用于共模電流行進(jìn)的非常低損耗的路徑，本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例針對(duì)這個(gè)問(wèn)題。在本發(fā)明的另一方面，希望在插頭/插座組合內(nèi)的所有不同線(xiàn)對(duì)組合之間具有平衡的電容負(fù)載和電感負(fù)載，從而使模式轉(zhuǎn)換最小化。還希望每個(gè)不同線(xiàn)對(duì)相對(duì)于插座周?chē)考牟瓕訕?biāo)簽設(shè)計(jì)得到平衡，從而進(jìn)一步減小模式轉(zhuǎn)換。這里描述了一種帶有箔層標(biāo)簽和改進(jìn)剛性電路板的插座的新穎設(shè)計(jì)，其除了針對(duì)上述問(wèn)題作出改進(jìn)之外，還改進(jìn)了插座上的每個(gè)不同線(xiàn)對(duì)相對(duì)于箔層標(biāo)簽的平衡。本發(fā)明減少了插座的模式轉(zhuǎn)換，并改進(jìn)了外來(lái)串?dāng)_?，F(xiàn)在參見(jiàn)附圖，更具體地參見(jiàn)圖5，示出了通信系統(tǒng)30，該通信系統(tǒng)可包括連接至設(shè)備34的通信電纜，諸如接線(xiàn)電纜32和水平電纜33。設(shè)備34在圖5中顯示成接線(xiàn)板，但設(shè)備也可以是無(wú)源設(shè)備或有源設(shè)備。無(wú)源設(shè)備的實(shí)例可以是，但不局限于，模塊化接線(xiàn)板、 打線(xiàn)接線(xiàn)板、耦合接線(xiàn)板、墻插座等。有源設(shè)備的實(shí)例可以是，但不局限于，如能夠在數(shù)據(jù)中心/無(wú)線(xiàn)通信室內(nèi)發(fā)現(xiàn)的以太網(wǎng)切換機(jī)、路由器、服務(wù)器、物理層管理系統(tǒng)和以太網(wǎng)供電設(shè)備；安全裝置(攝像頭和其它傳感器等)以及門(mén)禁設(shè)備；以及如能夠在工作站區(qū)域內(nèi)發(fā)現(xiàn)的電話(huà)、計(jì)算機(jī)、傳真機(jī)、打印機(jī)和其它外圍設(shè)備。通信系統(tǒng)30還可包括機(jī)箱、機(jī)架、電纜管理和頂置路由系統(tǒng)以及其它這種設(shè)備。通信電纜32和33顯示成未屏蔽扭絞線(xiàn)對(duì)(UTP)電纜的形式，更具體地是可以 10(ib/S運(yùn)行的CAT6A電纜。然而，本發(fā)明可應(yīng)用于和/或?qū)嵤┯诟鞣N通信電纜的連接。電纜33能夠直接端接到設(shè)備34中，或者能夠端接到諸如RJ45型的各種插頭或插座模塊40 中、插座模塊盒和許多其它接插件類(lèi)型或其組合中。接線(xiàn)電纜32通常端接于插頭36。圖6示出了插座40的更詳細(xì)分解圖，其大體包括罩殼42、鼻部44，該罩殼42匹配 RJ45插頭，該鼻部44具有八個(gè)PIC56，PIC56與插頭匹配、繞分線(xiàn)器60卷繞并與剛性板46 接口。剛性板46連接至IDC48和保持IDC的后分線(xiàn)器50。線(xiàn)蓋52允許電纜內(nèi)的導(dǎo)線(xiàn)與 IDC連接，這也是圖1-2的插頭的一部分，但未在圖中示出。鼻部44包括柔性電路板M、插頭接口觸點(diǎn)56、前底分線(xiàn)器58和前頂分線(xiàn)器60。圖1和2與圖6的不同之處在于圖1和 2分別示出兩個(gè)箔層標(biāo)簽設(shè)計(jì)對(duì)、28，而圖6示出改進(jìn)的箔層標(biāo)簽70 (也參見(jiàn)圖7)，該箔層標(biāo)簽70具有第一側(cè)72和鏡像的第二側(cè)74，其間具有間隙76。這里所述的剛性板46的設(shè)計(jì)可與所有三種這些箔層24J8和70 —起工作。與箔層觀一樣，箔層標(biāo)簽70包括延伸部 78，該延伸部78有助于減少插頭與相鄰插座中的PIC之間的耦合。如圖8和圖9-10分別所示，串?dāng)_補(bǔ)償部件可被包括在PIC56和柔性板M上。具體參見(jiàn)圖11和12，剛性板46也包括串?dāng)_補(bǔ)償部件(與插頭串?dāng)_部件的極性相同或相反)， 這些串?dāng)_補(bǔ)償部件具體在圖12中標(biāo)出，但C45是例外。C45通過(guò)如前所述減小第二阻抗區(qū)的較高阻抗來(lái)改進(jìn)線(xiàn)對(duì)4-5中在高頻處的返回?fù)p耗余量。盡管返回?fù)p耗由于該修改而在低頻處變得較差，但總體的余量在所關(guān)注的頻帶上得到了改進(jìn)。剛性板46包括點(diǎn)陣型補(bǔ)償， 也在美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/090，403中有描述。本發(fā)明的一個(gè)新穎方面是它針對(duì)存在于插座上的所有線(xiàn)對(duì)和箔層標(biāo)簽之間的天CN 102232259 A
說(shuō)明書(shū)
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然不平衡耦合。這種不平衡的主要原因示于圖6中?？拷遄吘壍腎DC48(插腳5、2、6、 7)比不靠近插座邊緣的IDC48(插腳4、1、3、8)更強(qiáng)地電容耦合至箔層。這對(duì)于線(xiàn)對(duì)4_5和線(xiàn)對(duì)1-2尤其如此，其中，IDC5和2靠近箔層，而IDCl和4遠(yuǎn)離箔層。圖11中示出了用于相對(duì)于箔層屏蔽件來(lái)平衡線(xiàn)對(duì)的剛性板解決方案的一實(shí)施例。在該實(shí)施例中，剛性板46具有四個(gè)導(dǎo)電跡線(xiàn)層。IDC通孔接納并保持IDC。IDC通孔在圖11中板的頂邊處標(biāo)為5-4-1-2，在板的底邊處標(biāo)為7-8-3-6，還是在各層上將一些跡線(xiàn)互連起來(lái)的鍍金屬穿孔。信號(hào)或噪聲可尤其通過(guò)IDC通孔和IDC5、2、6、7較強(qiáng)地耦合至箔層標(biāo)簽70。例如對(duì)于線(xiàn)對(duì)4-5來(lái)說(shuō)，IDC通孔5和IDC5比IDC通孔4和IDC4更靠近箔層標(biāo)簽70。為了平衡這個(gè)線(xiàn)對(duì)，導(dǎo)電跡線(xiàn)柱90在箔層70附近被引導(dǎo)至板46的邊緣附近，并連接至跡線(xiàn)4 (將PIC通孔4和IDC通孔4互連起來(lái)的導(dǎo)電跡線(xiàn))。柱90由此相對(duì)于導(dǎo)體5 和箔層平衡導(dǎo)體4。附加地和/或替代地，跡線(xiàn)4可引導(dǎo)至相對(duì)靠近剛性板46的邊緣，以增大至箔層70的耦合。在所示的實(shí)施例中，柱90以0. 5盎司銅制成0. 008英寸寬乘以0. 220 英寸長(zhǎng)(約0. 0007英寸厚)，但也可采用其它厚度、寬度和長(zhǎng)度。類(lèi)似地，例如對(duì)于線(xiàn)對(duì)1-2來(lái)說(shuō)，IDC通孔2和IDC2比IDC通孔1和IDCl更靠近箔層70。為了平衡這個(gè)線(xiàn)對(duì)，導(dǎo)電跡線(xiàn)柱92在箔層70附近被引導(dǎo)至板46的邊緣附近，并經(jīng)由鍍金屬穿孔94連接至跡線(xiàn)1 (將PIC通孔1和IDC通孔1互連起來(lái)的導(dǎo)電跡線(xiàn))。柱 92類(lèi)似于柱90 ；然而，因?yàn)閯傂园?6上的空間限制，柱92僅僅是0. 005英寸寬乘以0. 075 英寸長(zhǎng)，也由1盎司銅制成(約0. 0014英寸厚加上附加鍍層以實(shí)現(xiàn)0. 002-0. 0035的厚度)， 但也可采用其它厚度、寬度和長(zhǎng)度。為了補(bǔ)償該相對(duì)短的長(zhǎng)度，12線(xiàn)對(duì)還通過(guò)將跡線(xiàn)1移動(dòng)到非常靠近板邊緣(靠近箔層70)來(lái)平衡，鍍金屬穿孔94提供第三維度(板厚度)中的顯著表面積，其也電容耦合至箔層70，在導(dǎo)體1和箔層70之間給出較強(qiáng)耦合，由此相對(duì)于箔層 70平衡12線(xiàn)對(duì)。大致在96處的各未鍍金屬穿孔減少更靠近NEXT補(bǔ)償區(qū)域的跡線(xiàn)4和5 之間的電容，從而通過(guò)較好的阻抗匹配減少補(bǔ)償元件對(duì)返回?fù)p耗的影響。圖13中示出了使用裂開(kāi)箔層、相對(duì)于箔層的線(xiàn)對(duì)平衡結(jié)果。本發(fā)明由于相對(duì)于箔層的線(xiàn)對(duì)平衡而在箔層上實(shí)現(xiàn)了較小的共模電流I’，裂開(kāi)箔層消除了用于將共模電流從相鄰插座傳播至相鄰插座的低損耗路徑。由于本發(fā)明的改進(jìn)，已經(jīng)顯示外來(lái)串?dāng)_余量的總體改進(jìn)為至少4dB。此外，本發(fā)明可有利地用于圖1、2、6和14的每個(gè)對(duì)稱(chēng)箔層設(shè)計(jì)，但是圖1 和2的設(shè)計(jì)將不具有裂開(kāi)屏蔽件的特征和優(yōu)點(diǎn)。圖14包括具有金屬化間隙的連續(xù)單件箔層。在本發(fā)明的其它方面，穿孔100(在圖11中示出)是指具有與C45相反的效應(yīng)，但是不必要的話(huà)可去除穿孔98。相對(duì)于美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/090，403，電容C24的增加和 C15的消除改進(jìn)了線(xiàn)對(duì)組合45-12上的NEXT。下面是與美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/090，403的一些其它比較。與新電感L3L —起使用導(dǎo)電跡線(xiàn)L3將跡線(xiàn)3連接至C38，使用點(diǎn)陣補(bǔ)償并改進(jìn)36-78NEXT。改變L6的定向以使其遠(yuǎn)離剛性板的側(cè)部減少了至箔層的耦合。移動(dòng)C58 和C16的位置適應(yīng)了本發(fā)明的新布線(xiàn)圖。圖15-17的對(duì)稱(chēng)箔層設(shè)計(jì)通常需要對(duì)于圖11所示平衡電路的修改，諸如剛性板 46的側(cè)部上的較小平衡部件，其幾乎沒(méi)有或沒(méi)有導(dǎo)電屏蔽件。也就是說(shuō)，較小平衡部件設(shè)置在剛性板的特定部分上，不相鄰于任何導(dǎo)電箔層或屏蔽件。原理上，每個(gè)不同線(xiàn)對(duì)需要實(shí)現(xiàn)相對(duì)于箔層每個(gè)部分的平衡，從而多個(gè)箔層部分需要每個(gè)箔層部分相對(duì)于插座平衡。圖15示出了箔層標(biāo)簽的一實(shí)施例，其中一側(cè)沒(méi)有任何金屬(注意，這里所示的實(shí)施例可翻轉(zhuǎn)從而相反側(cè)是金屬化的)；圖16示出了具有可選金屬化區(qū)域的箔層標(biāo)簽的一實(shí)施例；以及圖17示出了箔層標(biāo)簽的一實(shí)施例，該箔層標(biāo)簽是L形的金屬化箔層，其中插座的一側(cè)和頂部或底部被箔層覆蓋，留出一側(cè)沒(méi)有任何覆蓋。注意，圖17所示的實(shí)施例可通過(guò)使相反側(cè)具有箔層且去除圖17所示一側(cè)來(lái)作出修改。本發(fā)明的替代實(shí)施例包括帶有圖11電路板的插座，但電容C15位于IDC通孔1和 5之間，或者包括帶有圖11電路板的插座，但電容CM與連接至其的任何跡線(xiàn)從板上完全去除。本發(fā)明的另外替代實(shí)施例消除了柔性板。盡管本發(fā)明已經(jīng)描述成具有較佳設(shè)計(jì)，但本發(fā)明還可在本說(shuō)明書(shū)的精神和范圍內(nèi)作出修改。本申請(qǐng)因此旨在使用其總體原理覆蓋本發(fā)明的任何變型、用途或改適。
權(quán)利要求
1.一種用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，包括草冗；箔層，所述箔層至少部分地封圍所述罩殼；印刷電路板；第一絕緣層剝離觸點(diǎn)和第二絕緣層剝離觸點(diǎn)，所述第一絕緣層剝離觸點(diǎn)比所述第二絕緣層剝離觸點(diǎn)靠近所述箔層，所述第一絕緣層剝離觸點(diǎn)和所述第二絕緣層剝離觸點(diǎn)與第一差分信號(hào)相關(guān)聯(lián)；以及第一導(dǎo)電跡線(xiàn)柱，所述第一導(dǎo)電跡線(xiàn)柱引導(dǎo)成靠近所述印刷電路板的邊緣，并構(gòu)造成對(duì)于所述第一差分信號(hào)至少部分地平衡從所述第一絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合與從所述第二絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括與所述第一絕緣層剝離觸點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的第一通孔和與所述第二絕緣層剝離觸點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的第二通孔，所述第一導(dǎo)電柱還構(gòu)造成對(duì)于所述第一差分信號(hào)至少部分地平衡從所述第一通孔到所述箔層的耦合與從所述第二通孔到所述箔層的耦合。
3.如權(quán)利要求2所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括分線(xiàn)器。
4.如權(quán)利要求3所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括線(xiàn)蓋。
5.如權(quán)利要求4所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括插頭接口觸點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括所述印刷電路板上與所述第一差分信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信號(hào)跡線(xiàn)，所述跡線(xiàn)的一部分靠近所述印刷電路板的邊緣，從而有助于對(duì)于所述第一差分信號(hào)平衡從所述第一絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合與從所述第二絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合。
7.如權(quán)利要求2所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括所述印刷電路板上與所述第一差分信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信號(hào)跡線(xiàn)，所述跡線(xiàn)的一部分靠近所述印刷電路板的邊緣，從而有助于對(duì)于所述第一差分信號(hào)平衡從所述第一絕緣層剝離觸點(diǎn)和所述第一通孔到所述箔層的耦合與從所述第二絕緣層剝離觸點(diǎn)和所述第二通孔到所述箔層的耦合。
8.如權(quán)利要求1所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括第三絕緣層剝離觸點(diǎn)和第四絕緣層剝離觸點(diǎn)，所述第三絕緣層剝離觸點(diǎn)和所述第四絕緣層剝離觸點(diǎn)與第二差分信號(hào)相關(guān)聯(lián)，所述第三絕緣層剝離觸點(diǎn)比所述第四絕緣層剝離觸點(diǎn)靠近所述箔層；以及第二導(dǎo)電跡線(xiàn)柱，所述第二導(dǎo)電跡線(xiàn)柱引導(dǎo)成靠近所述印刷電路板的邊緣，并構(gòu)造成對(duì)于所述第二差分信號(hào)至少部分地平衡從所述第三絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合與從所述第四絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合。
9.如權(quán)利要求8所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括與所述第三絕緣層剝離觸點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的第三通孔和與所述第四絕緣層剝離觸點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的第四通孔，所述導(dǎo)電柱還構(gòu)造成對(duì)于所述第二差分信號(hào)至少部分地平衡從所述第三通孔到所述箔層的耦合與從所述第四通孔到所述箔層的耦合。
10.如權(quán)利要求8所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括分線(xiàn)器。
11.如權(quán)利要求10所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括線(xiàn)蓋。
12.如權(quán)利要求11所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括插頭接口觸點(diǎn)ο
13.如權(quán)利要求8所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括所述印刷電路板上與所述第二差分信號(hào)相關(guān)聯(lián)的信號(hào)跡線(xiàn)，所述跡線(xiàn)的一部分靠近所述印刷電路板的邊緣，從而有助于平衡從所述第三絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合與從所述第四絕緣層剝離觸點(diǎn)到所述箔層的耦合。
14.如權(quán)利要求9所述的用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座，其特征在于，還包括所述印刷電路板上與所述第二差分信號(hào)線(xiàn)對(duì)相關(guān)聯(lián)的信號(hào)跡線(xiàn)，所述跡線(xiàn)的一部分靠近所述印刷電路板的邊緣，從而有助于平衡從所述第三絕緣層剝離觸點(diǎn)和所述第三通孔到所述箔層的耦合與從所述第四絕緣層剝離觸點(diǎn)和所述第四通孔到所述箔層的耦合。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種用于改進(jìn)串?dāng)_衰減的插座。該插座具有罩殼、箔層、印刷電路板以及至少一對(duì)絕緣層剝離觸點(diǎn)和通孔，該箔層至少部分地封圍罩殼。每對(duì)絕緣觸點(diǎn)和通孔與差分信號(hào)相關(guān)聯(lián)。導(dǎo)電跡線(xiàn)柱在印刷電路板上引導(dǎo)成靠近板的邊緣，從而至少部分地平衡從一對(duì)絕緣層剝離觸點(diǎn)和通孔之一到箔層的耦合與從該對(duì)絕緣層剝離觸點(diǎn)和通孔之另一到箔層的耦合。
文檔編號(hào)H01R24/00GK102232259SQ200980149115
公開(kāi)日2011年11月2日 申請(qǐng)日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者F·M·斯特拉卡, J·J·吉爾曼, R·L·泰拉斯, V·J·瓦伊特庫(kù)斯 申請(qǐng)人:泛達(dá)公司