專利名稱:用于半導(dǎo)體元件的支撐體、半導(dǎo)體元件和用于制造支撐體的方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種適用于半導(dǎo)體元件的支撐體,以及用于制造支撐體的方法。此外給出一種具有支撐體的半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù):
為了制造半導(dǎo)體元件通常使用所謂的引線框。引線框的另一種說(shuō)法例如是導(dǎo)體框架(Leiterrahmen)。引線框具有用于電子元件例如半導(dǎo)體元件的電連接導(dǎo)體。電連接導(dǎo)體例如借助引線框的框架連接或保持在該引線框中。引線框通常至少基本上由沖壓的銅片制成。引線框一般可以稱為金屬板,在該金屬板中借助凹部構(gòu)成電連接導(dǎo)體。在制造已知的半導(dǎo)體元件時(shí),引線框通常利用塑料制成的基礎(chǔ)殼體改成。基礎(chǔ)殼體形成用于半導(dǎo)體芯片的支撐體。基礎(chǔ)殼體至少具有通過(guò)引線框形成的第一電連接導(dǎo)體和第二電連接導(dǎo)體。隨后,安裝在基礎(chǔ)殼體上或安裝在基礎(chǔ)殼體內(nèi)的芯片例如利用封裝料 (Kapselmasse)包封。電連接導(dǎo)體例如側(cè)向地在彼此相反的側(cè)上從基礎(chǔ)殼體的塑料部分伸出ο
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是,給出一種用于半導(dǎo)體元件的支撐體,該支撐體可以在很多方面使用和/或與傳統(tǒng)的支撐體相比能以技術(shù)上更為簡(jiǎn)單的方式制造。此外,應(yīng)給出特別有利的具有這種支撐體的半導(dǎo)體元件以及用于制造這種支撐體或半導(dǎo)體元件的方法。本發(fā)明給出一種用于半導(dǎo)體元件、尤其是用于光電半導(dǎo)體元件的支撐體。該支撐體尤其適合承載元件的至少一個(gè)半導(dǎo)體主體。該支撐體尤其設(shè)置成半導(dǎo)體元件的殼體的組成部分。所述支撐體具有能導(dǎo)電的導(dǎo)體層和連接層,所述導(dǎo)體層和連接層通過(guò)朝向彼此的主面彼此連接。所述導(dǎo)體層、連接層或不僅導(dǎo)體層而且連接層具有至少一個(gè)變薄的區(qū)域,所述導(dǎo)體層和連接層在所述變薄的區(qū)域中的層厚度小于所述導(dǎo)體層和連接層的最大層厚度。該連接層在其完全能導(dǎo)電的情況下至少相對(duì)于導(dǎo)體層的部分電絕緣。根據(jù)另一種實(shí)施方式,該連接層至少部分地電絕緣。這就是說(shuō),連接層的一部分能導(dǎo)電或整個(gè)連接層電絕緣。不僅支撐體而且導(dǎo)體層和連接層本身尤其是自承載的或無(wú)承載的元件,這就是說(shuō)它們尤其在沒有其它材料的狀態(tài)下是形狀穩(wěn)定的并且可以在其形狀保持不變的情況下這樣地移動(dòng)和輸送。鍍層、例如施加在材料面上的透明的、能導(dǎo)電的氧化物的薄層或者薄的金屬鍍層、塑料鍍層本身不屬于術(shù)語(yǔ)“連接層”或“導(dǎo)體層”的范疇。當(dāng)如下情況時(shí)尤其是這樣下述形式的鍍層由于缺乏形狀穩(wěn)定性會(huì)不適合于通常處理,即在該形式中鍍層不是施加在其它材料上,而是沒有其它材料。然而這種鍍層可以是連接層的部分和/或?qū)w層的部分,只要連接層和導(dǎo)體層本身分別是無(wú)承載的或自承載的元件。根據(jù)一種有利的實(shí)施方式,不僅連接層而且導(dǎo)體層的最大厚度都是至少50 μ m、優(yōu)選至少80 μ m或至少90 μ m。這就是說(shuō),導(dǎo)體層和/或連接層必須在至少一個(gè)位置上的厚度至少與所給出的厚度之一一樣大,其中垂直于導(dǎo)體層的主延伸面測(cè)量所述厚度。導(dǎo)體層和連接層可以具有不同的厚度。根據(jù)至少一種實(shí)施方式,所述連接層、導(dǎo)體層或者不僅連接層而且導(dǎo)體層是金屬板或者具有金屬板。導(dǎo)體層和連接層分別包括帶彼此對(duì)置的主面的平整形狀,所述形狀通過(guò)側(cè)面彼此連接。所述側(cè)面分別小于主面。通過(guò)如下措施構(gòu)造至少帶有以連接層和導(dǎo)體層的形式的兩個(gè)部件的支撐體并且設(shè)置所述層中的至少一個(gè)具有變薄的區(qū)域的層,支撐體的性能形成為超過(guò)傳統(tǒng)性能,例如能作為用于半導(dǎo)體芯片的載體和僅具有電連接導(dǎo)體。術(shù)語(yǔ)“變薄的區(qū)域”未暗含確定的用于形成這種區(qū)域的制造方法。有利地,基于導(dǎo)體層和/或連接層能有利地以恒定的厚度例如通過(guò)例如借助蝕刻去除材料或者通過(guò)壓印 (Einpaegen)來(lái)制造變薄的區(qū)域。然而這不一定是必需的。相應(yīng)層例如可以一開始就構(gòu)造為具有較薄和較厚的區(qū)域?!白儽〉膮^(qū)域”一般以下述方式定義,即其中導(dǎo)體層的層厚度小于其最大層厚度, 而與制造方法無(wú)關(guān)。有利地,變薄的區(qū)域的厚度比導(dǎo)體層的最大厚度至少小10%、至少小 25 %或者至少小35 %。例如變薄的區(qū)域的厚度小于導(dǎo)體層的最大厚度的約40 %、約50 %或者約60%。根據(jù)支撐體的至少一種實(shí)施方式,所述連接層是第一引線框的一部分,所述導(dǎo)體層是第二引線框的一部分。所述兩個(gè)引線框彼此電絕緣地連接。如開頭所述,還可稱為導(dǎo)體框架的引線框是金屬板,在該金屬板中含有多個(gè)用于半導(dǎo)體元件的電連接導(dǎo)體,其中電連接導(dǎo)體在金屬板中通過(guò)在該板中的相應(yīng)的凹部設(shè)計(jì)和成形。術(shù)語(yǔ)“引線框”為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知,尤其是光電子學(xué)領(lǐng)域的技術(shù)人員。術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)體層”不一定暗含一體式的層。而導(dǎo)體層還可以具有多個(gè)彼此間隔開的、 并排設(shè)置的分層。類似的情況適用于連接層。根據(jù)支撐體的至少一種實(shí)施方式,所述支撐體具有第一側(cè),其中在所述第一側(cè)上, 封裝料成形到所述導(dǎo)體層和所述連接層上,所述封裝料具有硅酮。換句話說(shuō),封裝料形成用于導(dǎo)體層和連接層的殼體料。硅酮的優(yōu)點(diǎn)是,在短波電磁輻射射入時(shí)明顯比其它封裝料、例如光學(xué)樹脂 (Optoharze)更為有限地老化。此外,硅酮具有明顯高于例如環(huán)氧樹脂的耐熱性。在沒有損害的情況下環(huán)氧樹脂通常能夠加熱至最大約150°C的同時(shí),對(duì)于硅酮被加熱至約200°C是可能的。硅酮優(yōu)選用于封裝料,其在折射率為1. 41至1. 57時(shí)具有肖氏硬度A = 20至D = 90的范圍內(nèi)的硬度。
在此,封裝料能由在此描述的硅酮中的一種或多種制成,其中附加地能將反射輻射的或吸收輻射的填充料、例如TiA或炭黑(Russ)加入硅酮。此外,還可以考慮將混合材料用于封裝料,例如硅酮和環(huán)氧樹脂的混合物或者硅酮與其它有機(jī)材料、例如乙稀基或含丙烯酸的材料的混合物。有利地,所述類型的混合材料與純環(huán)氧樹脂相比是對(duì)于輻射更為穩(wěn)定的 (strahlungsstabiler)和熱性能更為穩(wěn)定的(thermisch stabiler)并且此外與純硅酮相比具有良好的機(jī)械特性(例如剛性)。根據(jù)支撐體的至少一種實(shí)施方式,所述支撐體具有與所述第一側(cè)對(duì)置的第二側(cè), 其中所述導(dǎo)體層在所述第二側(cè)上在這樣的區(qū)域中至少部分地沒有封裝料和電絕緣材料,在所述區(qū)域中在所述第一側(cè)上,封裝料成形到所述導(dǎo)體層上。優(yōu)選地,支撐體能進(jìn)行表面安裝。有利地,能通過(guò)導(dǎo)體層或支撐體的露出的部分,這就是說(shuō)通過(guò)第二側(cè)實(shí)現(xiàn)外部電接觸。根據(jù)支撐體的至少另一種實(shí)施方式,所述導(dǎo)體層具有至少兩個(gè)彼此電絕緣的部分,所述部分形成用于半導(dǎo)體元件的第一電連接導(dǎo)體和第二電連接導(dǎo)體,所述部分借助所述連接層的至少一個(gè)部分彼此機(jī)械連接。如果連接層完全能導(dǎo)電或者利用能導(dǎo)電的部分鄰接兩個(gè)電連接導(dǎo)體,為了所述連接層不將連接導(dǎo)體電連接,原則上使連接層僅相對(duì)于連接導(dǎo)體之一電絕緣就足夠了。根據(jù)支撐體的至少一種實(shí)施方式,不僅連接層而且導(dǎo)體層分別具有至少一個(gè)變薄的區(qū)域,導(dǎo)體層和連接層在至少一個(gè)變薄的區(qū)域中的層厚度小于導(dǎo)體層和連接層的最大層厚度。由此,還能在支撐體中在構(gòu)成附加功能或特殊的形狀和結(jié)構(gòu)方面實(shí)現(xiàn)更高的靈活性。在該實(shí)施方式的一種設(shè)計(jì)方案中,連接層的變薄的區(qū)域橫向地與導(dǎo)體層的變薄的區(qū)域重疊。“橫向地”結(jié)合本申請(qǐng)表示如下方向,該方向平行于導(dǎo)體層、連接層或支撐體的主延伸面分布。根據(jù)至少另一種實(shí)施方式,連接層和/或?qū)w層具有至少一個(gè)缺口。該缺口例如可以是在該層中的孔洞或凹部,其通過(guò)層的整個(gè)厚度延伸。凹部可在至少一個(gè)側(cè)上敞開,這就是說(shuō)該凹部不必從所有側(cè)橫向地由層的材料包圍。在該層具有多個(gè)彼此間隔開的分層的情況下,凹部是在分層之間的間隙。根據(jù)這種實(shí)施方式的至少一種設(shè)計(jì)方案,連接層和/或?qū)w層具有鄰接缺口的變薄的區(qū)域。根據(jù)這種實(shí)施方式的另一種設(shè)計(jì)方案,導(dǎo)體層具有變薄的區(qū)域,該變薄的區(qū)域橫向地與連接層的缺口重疊。該缺口和該變薄的區(qū)域可以彼此完全重疊。然而該缺口和該變薄的區(qū)域還可以僅部分地相互重疊,這就是說(shuō)該缺口可以部分地橫向地與變薄的區(qū)域錯(cuò)開。根據(jù)另一種設(shè)計(jì)方案,缺口的開口面積在連接層的俯視圖中小于導(dǎo)體層的與缺口重疊的變薄的區(qū)域在俯視圖中的面積。俯視圖意味著垂直于這些層或支撐體的主延伸面的觀察角度。替代地,在俯視圖中缺口的開口面積大于導(dǎo)體層的與缺口重疊的變薄的區(qū)域的分別在俯視圖中看到的面積。根據(jù)另一種實(shí)施方式,連接層具有橫向地超過(guò)導(dǎo)體層的一部分的一部分,其中在連接層的該部分和導(dǎo)體層的被橫向地超過(guò)的該部分之間的區(qū)域沒有支撐體的材料。尤其是,在所述部分之間存在間隙。
在一種設(shè)計(jì)方案中,連接層的該部分鄰接該缺口。根據(jù)支撐體的至少另一種設(shè)計(jì)方案,在一邊緣上存在連接層的一部分,所述一部分橫向地超過(guò)所述導(dǎo)體層的一部分,其中在所述連接層的該部分和所述導(dǎo)體層的該部分之間的區(qū)域沒有支撐體的材料。尤其是在所述部分之間存在間隙。支撐體的至少另一種實(shí)施方式規(guī)定了,所述連接層和所述導(dǎo)體層借助連接介質(zhì)彼此連接。在一種設(shè)計(jì)方案中,該連接介質(zhì)是電絕緣材料。附加地或替代地,該連接介質(zhì)可以是導(dǎo)熱良好的材料。有利地,連接介質(zhì)可以是粘合劑。根據(jù)至少另一種實(shí)施方式,在所述導(dǎo)體層的一部分上設(shè)置有芯片安裝區(qū)域。所述連接層在芯片安裝區(qū)域的側(cè)上跟隨所述導(dǎo)體層。該芯片安裝區(qū)域尤其是設(shè)置或形成在支撐體的凹槽中。在支撐體的至少另一種實(shí)施方式中,存在至少一個(gè)內(nèi)壁,所述內(nèi)壁的主延伸面傾斜于所述支撐體或?qū)w層的主延伸面分布并且與該主延伸面相比朝向所述芯片安裝區(qū)域傾斜。如此構(gòu)造的內(nèi)壁可以在光電元件中用作用于由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的或者要接收的電磁輻射的反射器。給出一種半導(dǎo)體元件,所述半導(dǎo)體元件包括以其實(shí)施方式或設(shè)計(jì)方案中的至少一種形式的支撐體。所述支撐體在第一側(cè)上設(shè)有半導(dǎo)體芯片和封裝料,其中所述封裝料包圍半導(dǎo)體芯片并且成形到所述支撐體上。換句話說(shuō),封裝料可以一體式構(gòu)成并且封裝芯片以及部分地封裝支撐體。根據(jù)一種實(shí)施方式,半導(dǎo)體元件是光電半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體芯片在此尤其適合于發(fā)射和/或接收電磁輻射。根據(jù)半導(dǎo)體元件的至少一種另外的實(shí)施方式,支撐體在與第一側(cè)對(duì)置的第二側(cè)上在橫向地與封裝料和/或與封裝料和半導(dǎo)體芯片重疊的區(qū)域中至少部分地沒有封裝料并且沒有可能的其它絕緣材料。這就是說(shuō),電連接導(dǎo)體-即例如導(dǎo)體層或支撐體-在第二側(cè)上在這種區(qū)域中至少部分地沒有封裝料,其中在對(duì)置的第一側(cè)上存在封裝料。支撐體的露出的部分在其第二側(cè)上尤其是用作半導(dǎo)體元件的外部電連接。根據(jù)半導(dǎo)體元件的一種設(shè)計(jì)方案,支撐體在第二側(cè)上完全沒有封裝料。下述實(shí)施方式不屬于前述實(shí)施方式的范疇,即其中連接導(dǎo)體在封裝料的區(qū)域中完全由封裝料包圍并且連接導(dǎo)體的另一部分從封裝料伸出并且在封裝料的背側(cè)上彎曲。然而原則上,半導(dǎo)體元件還可以具有這種特征。根據(jù)半導(dǎo)體元件的另一種設(shè)計(jì)方案,支撐體在第二側(cè)上的橫向地與半導(dǎo)體芯片重疊的區(qū)域沒有封裝料,也沒有其它電絕緣材料。半導(dǎo)體芯片尤其是發(fā)光二極管芯片,其中術(shù)語(yǔ)“發(fā)光二極管芯片”不局限于發(fā)射可視光的芯片,而是一般用于所有發(fā)射電磁輻射的半導(dǎo)體芯片。該半導(dǎo)體芯片尤其具有包括有源層的外延半導(dǎo)體層序列,在該有源層中產(chǎn)生電磁輻射。根據(jù)另一種實(shí)施方式,封裝料大部分或完全構(gòu)造成能透射輻射。該封裝料在能透射輻射的部分中具有用于半導(dǎo)體芯片的波長(zhǎng)光譜中的電磁輻射的至少50%、優(yōu)選至少 70%的透射率。根據(jù)半導(dǎo)體元件的至少另一種實(shí)施方式,支撐體完全或至少80%、優(yōu)選至少90%
7地、橫向地與封裝料重疊。本發(fā)明提出一種用于制造用于半導(dǎo)體元件的支撐體的方法。在該方法中準(zhǔn)備連接層和導(dǎo)體層。這些導(dǎo)體層分別具有彼此背離的主面。通過(guò)所述連接層和所述導(dǎo)體層的兩個(gè)主面以下述方式使所述連接層與所述導(dǎo)體層彼此連接,即所述主面朝向彼此。尤其是,在準(zhǔn)備導(dǎo)體層后實(shí)現(xiàn)連接層和導(dǎo)體層的連接。此外,在連接層、導(dǎo)體層中或者不僅在連接層中而且在導(dǎo)體層中形成至少一個(gè)變薄的區(qū)域,在至少一個(gè)變薄的區(qū)域中相應(yīng)導(dǎo)體層的層厚度小于其最大層厚度。這些層如此連接和/或具有其材料性質(zhì),即這些層彼此電絕緣。連接層部分地或完全地能導(dǎo)電或電絕緣??梢栽谶B接層和導(dǎo)體層彼此連接之前或之后形成變薄的區(qū)域。尤其是還可以在準(zhǔn)備相應(yīng)的層期間、例如在制造所述層期間形成變薄的區(qū)域。所述層可以一開始就形成為具有變薄的區(qū)域。然而,該變薄的區(qū)域尤其是還可以通過(guò)材料去除或通過(guò)材料變形形成。
支撐體、半導(dǎo)體元件和該方法的其它優(yōu)點(diǎn)、優(yōu)選實(shí)施方式和改進(jìn)方案在隨后結(jié)合附圖闡述的實(shí)施例中給出。其中示出了圖1示出根據(jù)第一實(shí)施例在用于制造支撐體或者半導(dǎo)體元件的方法階段期間的連接層和導(dǎo)體層的示意性截面圖;圖2示出根據(jù)第一實(shí)施例具有在圖1中示出的層的支撐體的示意性截面圖;圖3示出根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的示意性截面圖;圖4示出根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的示意性截面圖;圖5示出根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的示意性截面圖;圖6示出根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的示意性截面圖;圖7以示意性截面圖示出在圖4中示出的元件的示例性部段;圖8示出在圖3中示出的半導(dǎo)體元件的第一示例性示意俯視圖;圖9示出在圖3中示出的半導(dǎo)體元件的第二示例性示意俯視圖;圖10示出根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的示意性俯視圖;和圖11示出根據(jù)第六實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的示例性俯視圖。
具體實(shí)施例方式在實(shí)施例和附圖中,相同或起相同作用的部件分別具有相同的附圖標(biāo)記。所示出的部件以及部件彼此間的尺寸比例未按正確比例示出。用于更好的理解而過(guò)大地示出附圖的一些細(xì)節(jié)。在圖1中示意性示出連接層11和導(dǎo)體層12。不僅連接層而且導(dǎo)體層具有多個(gè)變薄的區(qū)域,這一點(diǎn)在下面結(jié)合圖2來(lái)闡述。此外,連接層11具有多個(gè)缺口(Durchbruch)。 缺口例如能構(gòu)造成孔洞。缺口還可以是凹部,該凹部在至少一個(gè)側(cè)上敞開或者該凹部將連接層11的可在圖1中看到的不同的部分彼此分開。換句話說(shuō),連接層11還可以具有多個(gè)彼此分離的部分。同樣的情況適用于導(dǎo)體層12。圖1和2主要用于說(shuō)明一些能以技術(shù)上簡(jiǎn)單的方式有利地利用支撐體實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。圖2不必示出被優(yōu)化用于半導(dǎo)體元件的支撐體,即使該支撐體原則上應(yīng)適合于這種半導(dǎo)體元件。不僅連接層而且導(dǎo)體層都具有例如能導(dǎo)電的材料。所述層尤其也可以完全由能導(dǎo)電的材料制成。替代地,所述層之一或者兩個(gè)層還可以僅部分地由能導(dǎo)電的材料制成。然而優(yōu)選地,至少該導(dǎo)體層大部分由能導(dǎo)電的材料制成,例如多于50 %,多于75 %或多于80 %。 同樣的情況可以適于連接層。導(dǎo)體層12和連接層11都具有例如金屬材料或者由金屬材料制成。兩個(gè)層例如大部分能由銅制成。附加地,導(dǎo)體層例如能被涂敷有至少另一種金屬,例如金、銀或錫。替代地,連接層11還可以完全由電絕緣材料制成或者具有電絕緣材料。絕緣材料的示例是陶瓷材料或塑料。如果連接層11僅部分地由電絕緣材料制成,則該電絕緣材料例如能以下述方式集成在連接層11中,即如果層11,12例如借助能導(dǎo)電的連接介質(zhì)3彼此連接,則支撐體10中的連接層11的能導(dǎo)電的部分相對(duì)于導(dǎo)體層也電絕緣,參見圖2。原則上同樣的情況還適用于導(dǎo)體層的性質(zhì)。在一種有利的實(shí)施例中,連接層11和導(dǎo)體層12都是引線框的一部分,該引線框例如完全電絕緣地機(jī)械地彼此連接。引線框由金屬制成并且例如具有銅。兩個(gè)層11,12或者所述層之一的最大厚度例如為0. lmm、0. 15mm或0. 2mm。尤其可以應(yīng)用具有不同最大厚度的導(dǎo)體層12和連接層11。例如連接層11的最大厚度13可以為約0. 15mm,導(dǎo)體層12的最大厚度23為0. 4mm,或者相反。為了制造支撐體10,連接層和電導(dǎo)體層11、12借助連接材料3彼此連接,參見圖 2。連接材料3例如電絕緣,例如是粘合劑。原則上例如還可以使用能導(dǎo)電的連接介質(zhì)3、例如焊料或者能導(dǎo)電的粘合劑。這例如可以與下述情況相關(guān),即電絕緣的連接介質(zhì)是否是使導(dǎo)體層的在支撐體中可能要彼此絕緣的各個(gè)部分彼此電絕緣所必需的。原則上,能導(dǎo)電的連接介質(zhì)還能與電絕緣的連接介質(zhì)組合。原則上還可以在連接層11和導(dǎo)體層12已經(jīng)借助連接介質(zhì)3彼此連接之后才制造連接層11的變薄的區(qū)域中的至少一些以及缺口 4中的一些,。如在圖2中看出的一樣,支撐體10通過(guò)使用至少兩個(gè)層11,12能以技術(shù)上簡(jiǎn)單的方式設(shè)有多個(gè)三維結(jié)構(gòu),所述三維結(jié)構(gòu)以其它方式不能實(shí)現(xiàn)或僅能以顯著較高的費(fèi)用實(shí)現(xiàn)。原則上,支撐體除了連接層11和導(dǎo)體層12之外還可以具有其它的層,例如總共三層或四層。在圖2中示出的支撐體10中,連接層11在第一邊緣處具有變薄的區(qū)域111,該區(qū)域111橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域121。在連接層的變薄的區(qū)域111和導(dǎo)體層的變薄的區(qū)域121之間是無(wú)支撐體的材料的區(qū)域。在圖2的圖示中,在邊緣處的變薄的區(qū)域 111,121之間的整個(gè)區(qū)域沒有連接導(dǎo)體的材料。然而該區(qū)域的一部分也可以具有連接導(dǎo)體的材料,例如連接材料3可以伸入該區(qū)域中。在支撐體邊緣處的這種間隙能夠?qū)τ谝圃斓脑?、例如用于封裝料的固定件起作用,借助該固定件能明顯降低封裝料和電連接導(dǎo)體分層的風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)連接層11和導(dǎo)體層12 的部分之間的相應(yīng)間隙至少部分地由封裝料填充時(shí),則在圖2中示出的電連接導(dǎo)體的其它結(jié)構(gòu)也能用作用于封裝料的錨固件。在圖2中示出的連接層11的變薄的區(qū)域112,113鄰接缺口 4。此外,所述區(qū)域112,113分別橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域122的一部分。在其之間分別是間隙。此外, 由此還在支撐體10中形成凹槽。凹槽的橫截面從俯視圖來(lái)看在從連接層11的外側(cè)朝向?qū)w層12的走向中放大。這種凹槽例如能用作支撐體10的純錨固件,即凹槽可以在半導(dǎo)體元件的情況下沒有半導(dǎo)體芯片。此外,這種凹槽的底部還可以用作用于半導(dǎo)體芯片的安裝面,該半導(dǎo)體芯片相應(yīng)地設(shè)置在凹槽中。在根據(jù)圖2的支撐體10的中心形成另一個(gè)凹槽。連接層的變薄的區(qū)域114,115 在該凹槽中鄰接缺口 4并且橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域123。在連接層11的變薄的區(qū)域114,115和導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域123之間是間隙。與前述凹槽的不同之處在于 該凹槽具有橫截面的尺寸的另一走向。從連接層11的外側(cè)開始,凹槽的橫截面在缺口內(nèi)部首先縮小,以便在導(dǎo)體層12的區(qū)域中再次變大。連接層的鄰接缺口 4的變薄的區(qū)域114,115與變薄的區(qū)域112,113不同地形成在導(dǎo)體層11的一部分中,該部分朝向?qū)w層12并且形成連接層11的主面,連接層11通過(guò)該主面與導(dǎo)體層12連接。在圖2中示出的支撐體的實(shí)施例中,存在連接層11的另一變薄的區(qū)域116,該區(qū)域 116橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的一部分。然而在此,僅在變薄的區(qū)域116與導(dǎo)體層12的、變薄的區(qū)域116超過(guò)其的部分之間的區(qū)域的一部分沒有支撐體10的材料。這以下述方式實(shí)現(xiàn), 即導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域IM僅部分地與變薄的區(qū)域116重疊。而且導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域IM僅部分地橫向地與另一缺口 4重疊,變薄的區(qū)域116鄰接該另一缺口 4。通過(guò)這種部分橫向重疊,在支撐體10中能有效地形成分別比在層11,12之一中更小的結(jié)構(gòu)元件、例如突出的(wegragend)部件或開口。如果例如變薄的區(qū)域和缺口通過(guò)在由金屬制成的導(dǎo)體層中的蝕刻來(lái)制造,則變薄的區(qū)域和缺口的橫向范圍的最小尺寸大約是未形成結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體層的最大厚度。在支撐體10的第二邊緣處,連接層11具有未變薄的部分118,該部分118橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的部分125,其中在導(dǎo)體層11,12的這些部分118,125之間存在間隙。該間隙也可以作為用于封裝料的固定件。在圖3至6中分別示出半導(dǎo)體元件的實(shí)施例。半導(dǎo)體元件例如是光電元件、例如發(fā)光二極管元件。其分別具有支撐體10。支撐體10包含導(dǎo)體層12,該導(dǎo)體層12在第一部分中形成第一電連接導(dǎo)體21并且在第二部分中形成第二電連接導(dǎo)體22。第一電連接導(dǎo)體21分別具有芯片安裝區(qū)域5,在該芯片安裝區(qū)域5上以機(jī)械和導(dǎo)電的方式安裝半導(dǎo)體芯片50。連接導(dǎo)體21,22彼此電絕緣, 該連接導(dǎo)體21,22例如橫向地彼此間隔開。此外,支撐體10包含連接層11。該連接層11例如使電連接導(dǎo)體21,22彼此機(jī)械地但不導(dǎo)電地連接。半導(dǎo)體芯片50例如是發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片例如具有外延的半導(dǎo)體層序列,該半導(dǎo)體層序列包括有源層。該有源層尤其可以由多個(gè)分層組成,所述分層尤其還可以具有不同的材料成分。半導(dǎo)體層序列例如具有III/V-化合物半導(dǎo)體材料。III/V-化合物半導(dǎo)體材料具有第三主族中的至少一種元素、例如B、Al、Ga、h和第五主族中的元素、例如N、P、As。術(shù)語(yǔ)“III/V-化合物半導(dǎo)體材料”尤其包括二元、三元或四元化合物的族,其包含第三主族中至少一種元素和第五主族中的至少一種元素,例如氮化合物半導(dǎo)體和磷化合物半導(dǎo)體。此外,這種二元、三元或四元化合物例如可以具有一種或多種摻雜物以及附加的組分。有源層優(yōu)選包括pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱(SQW,single quantum well)或特別優(yōu)選地包括用于產(chǎn)生輻射的多量子阱(MQW,multi quantum well)。在此,名稱量子阱結(jié)構(gòu)沒有詳細(xì)說(shuō)明關(guān)于量子化的維數(shù)的含義。因此,量子阱結(jié)構(gòu)除其他之外包括量子槽 (Quantentroege)、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的每種組合。本領(lǐng)域技術(shù)人員知道MQW結(jié)構(gòu)的示例。在附圖中示出的實(shí)施例中,芯片安裝區(qū)域5分別形成在第一支撐體10的導(dǎo)體層12 的外面上。連接層11在芯片安裝區(qū)域5的該側(cè)上跟隨導(dǎo)體層12。因此,半導(dǎo)體芯片50分別至少部分地由支撐體10的材料橫向包圍。換句話說(shuō),半導(dǎo)體芯片50設(shè)置在支撐體10的凹槽中。在芯片安裝區(qū)域5和半導(dǎo)體芯片50的該側(cè)上,支撐體10和半導(dǎo)體芯片50設(shè)有半導(dǎo)體元件的封裝料9。封裝料9封裝半導(dǎo)體芯片50并且成形到支撐體10上。在支撐體10 的與芯片安裝區(qū)域5對(duì)置的側(cè)上,該支撐體10沒有封裝料以及其它電絕緣材料。支撐體10 的外面的這個(gè)區(qū)域例如在第一連接導(dǎo)體21的區(qū)域中用作第一外部電接觸面81并且在第二連接導(dǎo)體22的區(qū)域中用作半導(dǎo)體元件的第二外部電接觸面。在電連接導(dǎo)體21,22之間分別存在導(dǎo)體層12的缺口 4,該缺口使電連接導(dǎo)體彼此分開。在根據(jù)圖3、圖5和圖6的實(shí)施例中,導(dǎo)體層的變薄的部分123,124鄰接缺口 4,從而缺口的橫截面在朝向連接層11的走向中變小。因此,在電連接導(dǎo)體21,22之間的外部的距離大于在連接層附近的距離,由此能在不會(huì)顯著影響支撐體10的穩(wěn)定性的情況下在半導(dǎo)體元件的電裝配時(shí)防止短路。在圖4中,導(dǎo)體層12的整個(gè)缺口 4例如具有恒定的橫截面。在圖3,圖5和圖6中示出的實(shí)施例中,芯片安裝區(qū)域5形成在導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域122的外面上。如果芯片安裝區(qū)域5形成在導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域122的外面上,則在芯片安裝區(qū)域5和外部電連接面81之間的距離能以有利的方式特別小地實(shí)現(xiàn)。由此能實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片50和電連接面81之間的特別小的熱阻,這可以對(duì)半導(dǎo)體元件的運(yùn)行、功率和耐久性產(chǎn)生積極影響。如果芯片安裝區(qū)域5形成在導(dǎo)體層的外面上(即“下部的”、背離主輻射方向的層),則特別小的熱阻通??偸悄軐?shí)現(xiàn),而與芯片安裝區(qū)域是形成在未變薄的區(qū)域中還是變薄的區(qū)域中無(wú)關(guān)。如果例如導(dǎo)體層基本上由銅制成,則導(dǎo)體層的厚度對(duì)于熱阻來(lái)說(shuō)僅起很小的作用。在圖4中示出的半導(dǎo)體元件的實(shí)施例中,芯片安裝區(qū)域5形成在導(dǎo)體層12的一部分的外面上,其厚度與導(dǎo)體層的最大厚度23相應(yīng)。根據(jù)圖4的半導(dǎo)體元件例如具有支撐體10的導(dǎo)體層12,該導(dǎo)體層12不包含變薄的區(qū)域。在這種情況下,導(dǎo)體層12例如可以由具有基本上恒定的厚度的金屬板形成。在圖 5中示出的實(shí)施例的連接層11例如同樣沒有變薄的區(qū)域。因此,在這些實(shí)施例中僅兩個(gè)層之一必須設(shè)有變薄的區(qū)域,這可以簡(jiǎn)化制造。在圖3、圖4和圖5中示出的實(shí)施例中,其中設(shè)置有半導(dǎo)體芯片50的凹槽構(gòu)造成固定件,其中在連接層11的部分和導(dǎo)體層12的、連接層的所述部分橫向地超過(guò)其的部分之間存在間隙,該間隙由封裝料9填滿。與此不同,在圖6中示例性示出的半導(dǎo)體元件具有帶邊緣的凹槽,所述邊緣可以用作反射器。在根據(jù)圖6的實(shí)施例中,芯片安裝區(qū)域5由凹槽的至少兩個(gè)內(nèi)壁包圍,該內(nèi)壁的主延伸面51傾斜于支撐體10的主延伸面分布并且與支撐體10的主延伸面相比朝向芯片安裝區(qū)域5傾斜。在圖6中以下述方式示出內(nèi)壁,即該內(nèi)壁由多個(gè)直角的臺(tái)階形成。實(shí)際上在各種情況下不是直角的臺(tái)階,而是部分弧形的和倒圓的面。如果缺口 4、連接層的變薄的區(qū)域 112,113和導(dǎo)體層121的變薄的區(qū)域122借助蝕刻形成在厚度基本上恒定的金屬板中,則例如形成凹形的弓形結(jié)構(gòu)。內(nèi)壁的臺(tái)階的這種凹形的弓形結(jié)構(gòu)的示例性示意圖在圖7中示出的部段中給出。內(nèi)壁還能以其它方式形成。此外可以采取附加的措施以使內(nèi)壁平滑。在圖12中借助虛線示例性示出變平滑的內(nèi)壁的走向或形狀看起來(lái)會(huì)如何。棱的變平滑或去除例如可以借助電拋光或類似的方法實(shí)現(xiàn)。內(nèi)壁盡可能如此形成,使得在內(nèi)壁上可以使半導(dǎo)體芯片 50的電磁輻射沿半導(dǎo)體元件的輻射方向轉(zhuǎn)向。如果連接導(dǎo)體10的內(nèi)壁構(gòu)造成反射器,如在圖6和圖7示例性示出,則在凹槽的、 其上形成芯片安裝區(qū)域50的底部盡可能深時(shí)是有利的,以便“反射器”盡可能高地超過(guò)芯片5。例如導(dǎo)體層12的變薄的區(qū)域122比導(dǎo)體層的最大厚度薄至少60%,至少70%或者至少80%。附加地或替代地,整個(gè)支撐體10的總厚度例如為至少0. 5mm、至少0. 75mm或者至少1mm。支撐體10的總厚度可以總共例如為最大Imm厚。封裝料9例如具有硅酮或者至少大部分由硅酮制成。封裝料9的一部分例如形成透鏡91。封裝料9例如分別橫向地完全包圍支撐體10和第二電連接導(dǎo)體20并且從一側(cè)出發(fā)完全覆蓋連接導(dǎo)體10,20,如在圖4中示出。替代地,封裝料9未橫向地包圍導(dǎo)體層12,如在圖3中示出的一樣,或者僅部分地橫向包圍該導(dǎo)體層12,如在圖5和圖6中示出。在這些示例中,封裝料例如豎直地與外部連接面81,82間隔開。封裝料9例如同樣可以部分地覆蓋支撐體的背離半導(dǎo)體芯片50的側(cè),與在附圖中示出的相反。然而,在這種情況下,電連接導(dǎo)體21,22的外部連接面81,82的一部分也保持沒有封裝料9,并且在第一連接導(dǎo)體21中形成電連接面81和在第二電連接導(dǎo)體22中形成電連接面82。半導(dǎo)體芯片50例如借助接合線6與第二電連接導(dǎo)體22的內(nèi)部電連接面7導(dǎo)電連接。在與內(nèi)部電連接面7對(duì)置的側(cè)上,第二電連接導(dǎo)體具有不含有絕緣材料的外部電連接面82。替代接合線6,原則上還可以使用用于半導(dǎo)體芯片50與第二電連接導(dǎo)體22的導(dǎo)電連接的其它電連接介質(zhì)。在所有實(shí)施例中,支撐體在邊緣處分別具有連接層11的部分111,131,116,134, 該部分橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的部分121,125,141,142,其中在各個(gè)部分之間存在沒有支撐體的材料的間隙。在根據(jù)圖3,圖5和圖6的示例中,導(dǎo)體層的部分121,125在支撐體10的邊緣處在間隙的區(qū)域中例如僅部分地橫向地被連接層11超過(guò)。相反,導(dǎo)體層12的外部的另一部分橫向地與連接層11錯(cuò)開。
在第二連接導(dǎo)體22的區(qū)域中,連接層11分別具有缺口 4。由此,內(nèi)部接觸面7可以從連接層11的側(cè)出發(fā)來(lái)接觸。在圖5和圖6中示出的實(shí)施例中,該缺口 4例如分別具有在俯視圖來(lái)看的恒定橫截面。在圖3和圖4中示出的實(shí)施例中,凹槽類似于在第一連接導(dǎo)體21的區(qū)域中的凹槽設(shè)計(jì)成固定件或設(shè)計(jì)有用于封裝料9的固定件。在這種情況下,缺口 4的截面在朝向?qū)w層的走向中擴(kuò)大。連接層11的部分114,115橫向地超過(guò)導(dǎo)體層12的部分,并且在各個(gè)部分之間分別存在沒有支撐體的材料的間隙。在圖8中以俯視圖示出在圖3中的半導(dǎo)體元件的第一實(shí)施例。在該實(shí)施例中,半導(dǎo)體芯片50橫向地完全由連接層11并且必要時(shí)由導(dǎo)體層12的部分包圍。換句話說(shuō),存在支撐體10的凹槽,在該支撐體中設(shè)置有半導(dǎo)體芯片50,該凹槽在所有側(cè)上具有內(nèi)壁。這種凹槽例如還存在于第二連接導(dǎo)體22的區(qū)域中。與此不同,在圖9中示出的俯視圖中,其中設(shè)置有半導(dǎo)體芯片50的凹槽是在兩個(gè)對(duì)置的側(cè)上敞開的溝。相應(yīng)的情況例如適于在第二連接導(dǎo)體22的區(qū)域中的凹槽。在這種實(shí)施例中,根據(jù)圖3的截面圖替代地還可以是半導(dǎo)體元件的側(cè)向俯視圖,因?yàn)榘疾墼趦蓚€(gè)側(cè)上側(cè)向敞開。凹槽替代地還可以僅在一個(gè)側(cè)上側(cè)向敞開。在所有實(shí)施例中,導(dǎo)體層和連接層能以不同的材料、金屬化、材料調(diào)質(zhì)和/或表面粗糙度來(lái)形成。例如,連接層的表面至少在部分區(qū)域中的粗糙度比導(dǎo)體層的表面大至少 50%、至少100%或至少150%。導(dǎo)體層例如具有金屬鍍層,例如具有不同的金屬層的層序列。層序列例如從導(dǎo)體層的基體開始以這種順序例如具有鎳層、鈀層和金層,其中所述層中的每一層除了鎳、鈀和金外還可附加地具有其它材料。尤其可以是合金。這種金屬鍍層例如能很好地適合于焊接和粘合以及適合于接合線的接合。導(dǎo)體層例如包括含有銅或由銅制成的基體。附加地或替代地,連接層大部分具有銅,或者該連接層完全由銅制成。銅制表面快速氧化并且在氧化狀態(tài)下能很好地附著到封裝料,例如含有硅酮或由硅酮制成的封裝料。然而,連接層同樣可以具有金屬鍍層,類似于前述導(dǎo)體層的金屬鍍層。在圖10和圖11中示出的實(shí)施例中,半導(dǎo)體元件分別具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片50,51, 52,53,M。半導(dǎo)體元件例如以下述方式形成,半導(dǎo)體芯片中的至少一些或者所有半導(dǎo)體芯片能在外部彼此獨(dú)立地控制。這例如通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn)導(dǎo)體層12包括至少三個(gè)彼此電絕緣的部分21,221, 222,如在圖10中示出。導(dǎo)體層12的第一部分21例如用作第一連接導(dǎo)體,在該第一連接導(dǎo)體上半導(dǎo)體芯片50機(jī)械地且利用連接側(cè)也與第一電連接導(dǎo)體21的連接面5導(dǎo)電連接。半導(dǎo)體芯片50例如焊接在第一連接導(dǎo)體21上。導(dǎo)體層12的第二部分221例如用作第二電連接導(dǎo)體,導(dǎo)體層12的第三部分222 例如用作支撐體和元件的第三電連接導(dǎo)體。半導(dǎo)體芯片50中的一個(gè)例如借助接合線6或者借助另一個(gè)電連接介質(zhì)例如導(dǎo)電地與第二連接導(dǎo)體221導(dǎo)電連接。半導(dǎo)體芯片50中的第二個(gè)例如同樣借助接合線6或者借助另一個(gè)電連接介質(zhì)例如導(dǎo)電地與第三連接導(dǎo)體222 導(dǎo)電連接。導(dǎo)體層12的所有部分例如借助連接層11機(jī)械地彼此連接。
半導(dǎo)體芯片中的至少一些原則上還可以間接地通過(guò)連接層與支撐體的電連接導(dǎo)體導(dǎo)電連接。例如至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片與連接層導(dǎo)電連接并且連接層與相應(yīng)的連接導(dǎo)體導(dǎo)電連接。對(duì)此在圖11中示出一個(gè)示例。半導(dǎo)體元件例如具有四個(gè)半導(dǎo)體芯片51,52,53, 54,這四個(gè)半導(dǎo)體芯片51,52,53,54全都安裝在導(dǎo)體層12的第一連接導(dǎo)體21上。導(dǎo)體層 12例如具有五個(gè)彼此電絕緣的電連接導(dǎo)體21,221,222,223,224。連接層例如具有兩個(gè)彼此電絕緣的且能導(dǎo)電的部分25,26。連接層的這兩個(gè)部分25,26使連接導(dǎo)體21,221,222, 223,224彼此機(jī)械連接。第一連接導(dǎo)體21使連接層的兩個(gè)部分25,26彼此機(jī)械連接,從而元件的支撐體是一個(gè)連貫部件(zusammenhaengendes Teil)。第一半導(dǎo)體芯片51間接地通過(guò)連接層11與導(dǎo)體層12的第二連接導(dǎo)體221導(dǎo)電連接。該連接層例如能借助接合線6與第二連接導(dǎo)體221的內(nèi)部連接面71電連接。替代地,在連接層11和第二連接導(dǎo)體221之間能設(shè)置能導(dǎo)電的連接介質(zhì),該連接介質(zhì)使連接層 11的該部分25與連接導(dǎo)體224彼此導(dǎo)電連接。類似的情況適合于連接層的第二部分26和導(dǎo)體層12的第五連接導(dǎo)體224,該第二部分26相對(duì)于第一部分25電絕緣。第四半導(dǎo)體芯片54間接地通過(guò)連接層11的第二部分26與第五連接導(dǎo)體224導(dǎo)電連接。第二半導(dǎo)體芯片52直接借助連接介質(zhì)、例如接合線6與第三電連接導(dǎo)體222電連接。第三半導(dǎo)體芯片53直接借助連接介質(zhì)例如接合線6與導(dǎo)體層的第四電連接導(dǎo)體223 電連接。第二半導(dǎo)體芯片52可選地能附加地例如間接地通過(guò)連接層11的第一部分25與第二連接導(dǎo)體導(dǎo)電連接。由此如果在第一連接導(dǎo)體21和第二連接導(dǎo)體221之間施加電壓, 則不僅使第一半導(dǎo)體芯片51開始工作而且使第二半導(dǎo)體芯片52開始工作。與此無(wú)關(guān),也可以單獨(dú)通過(guò)第一連接導(dǎo)體21和第三連接導(dǎo)體222來(lái)僅使第二半導(dǎo)體芯片開始工作。所描述特征的任意組合能夠?qū)崿F(xiàn)涉及電互連的任何情況。半導(dǎo)體芯片和連接導(dǎo)體的數(shù)量未受到限制。連接層還可以具有多于兩個(gè)的彼此電絕緣的部件。支撐體和半導(dǎo)體元件所有實(shí)施例原則上還可以利用均沒有變薄的區(qū)域的導(dǎo)體層和連接層來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明并局限于借助實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的描述。而是本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的每種組合,這尤其包含權(quán)利要求中特征的每種組合,即便該特征或該組合本身沒有在權(quán)利要求或?qū)嵤├忻鞔_給出。
1權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體元件的支撐體,所述支撐體具有能導(dǎo)電的導(dǎo)體層和連接層,所述導(dǎo)體層和連接層通過(guò)朝向彼此的主面彼此連接,其中所述連接層完全能導(dǎo)電并且至少相對(duì)于所述導(dǎo)體層的部分電絕緣或者所述連接層至少部分地電絕緣,其中所述導(dǎo)體層、所述連接層或不僅所述導(dǎo)體層而且所述連接層具有至少一個(gè)變薄的區(qū)域,所述導(dǎo)體層和連接層在所述至少一個(gè)變薄的區(qū)域中的層厚度小于所述導(dǎo)體層和連接層的最大層厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的支撐體,所述支撐體具有第一側(cè),其中在所述第一側(cè)上,封裝料成形到所述導(dǎo)體層和所述連接層上,所述封裝料具有硅酮。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的支撐體,所述支撐體具有與所述第一側(cè)對(duì)置的第二側(cè),其中所述導(dǎo)體層在所述第二側(cè)上在這樣的區(qū)域中至少部分地沒有所述封裝料和電絕緣材料,其中在所述第一側(cè)上,封裝料成形到所述導(dǎo)體層上。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,所述導(dǎo)體層具有至少兩個(gè)彼此電絕緣的部分,所述部分形成用于半導(dǎo)體元件的第一電連接導(dǎo)體和第二電連接導(dǎo)體,以及所述部分借助所述連接層的至少一個(gè)部分彼此機(jī)械連接。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,所述導(dǎo)體層是第一引線框的一部分,所述連接層是第二引線框的一部分,以及所述兩個(gè)引線框電絕緣地彼此連接。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,不僅所述導(dǎo)體層而且所述連接層分別具有至少一個(gè)變薄的區(qū)域,所述導(dǎo)體層和連接層在所述至少一個(gè)變薄的區(qū)域中的層厚度小于所述導(dǎo)體層和連接層的最大層厚度,以及尤其是,所述導(dǎo)體層的所述變薄的區(qū)域橫向地與所述連接層的所述變薄的區(qū)域重疊。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,所述連接層和/或所述導(dǎo)體層具有缺口和鄰接所述缺口的變薄的區(qū)域。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,所述連接層具有缺口以及所述導(dǎo)體層具有變薄的區(qū)域,以及所述缺口橫向地與所述導(dǎo)體層的所述變薄的區(qū)域重疊。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,所述連接層具有缺口和鄰接所述缺口的部分,所述部分橫向地超過(guò)所述導(dǎo)體層的一部分,其中在所述部分之間的區(qū)域沒有支撐體的材料。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,在一邊緣上存在所述連接層的一部分,所述部分橫向地超過(guò)所述導(dǎo)體層的一部分,并且在所述部分之間的區(qū)域沒有支撐體的材料。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,在所述導(dǎo)體層的一部分上設(shè)置有芯片安裝區(qū)域,以及所述連接層在所述芯片安裝區(qū)域的側(cè)上跟隨所述導(dǎo)體層,尤其是存在至少一個(gè)內(nèi)壁,所述內(nèi)壁的主延伸面傾斜于所述支撐體的主延伸面或電連接導(dǎo)體的導(dǎo)體層分布并且與所述主延伸面相比朝向所述芯片安裝區(qū)域傾斜。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體,其中,所述導(dǎo)體層和所述連接層借助連接介質(zhì)彼此連接。
13.一種具有根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的支撐體的半導(dǎo)體元件,其中,所述導(dǎo)體層在第一側(cè)上設(shè)有半導(dǎo)體芯片和封裝料,所述封裝料包圍所述半導(dǎo)體芯片并且成形到所述支撐體上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件,其中,所述導(dǎo)體層在與所述第一側(cè)對(duì)置的第二側(cè)上在橫向地與所述封裝料和/或與所述封裝料和所述半導(dǎo)體芯片重疊的區(qū)域中沒有封裝料和電絕緣材料。
15. 一種用于制造支撐體的方法,所述方法包括下述步驟 準(zhǔn)備導(dǎo)體層和連接層,所述導(dǎo)體層和所述連接層分別具有兩個(gè)彼此背離的主面; 通過(guò)所述導(dǎo)體層和所述連接層的兩個(gè)主面以下述方式連接所述導(dǎo)體層與所述連接層, 即所述主面朝向彼此,其中所述連接層能導(dǎo)電并且相對(duì)于所述連接層電絕緣或者所述連接層電絕緣;在所述導(dǎo)體層、所述連接層或者不僅所述導(dǎo)體層而且所述連接層中形成至少一個(gè)變薄的區(qū)域,在所述至少一個(gè)變薄的區(qū)域中相應(yīng)層的層厚度小于其最大層厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體元件、尤其是用于光電半導(dǎo)體元件的支撐體。所述支撐體具有連接層和導(dǎo)體層,所述連接層和導(dǎo)體層通過(guò)朝向彼此的主面彼此連接。所述連接層、所述導(dǎo)體層或不僅連接層而且導(dǎo)體層具有至少一個(gè)變薄的區(qū)域,所述導(dǎo)體層和連接層在所述區(qū)域中的層厚度小于所述導(dǎo)體層和連接層的最大層厚度。所述連接層完全能導(dǎo)電并且至少相對(duì)于導(dǎo)體層的部分電絕緣,或者所述連接層至少部分地電絕緣。此外本發(fā)明提出一種具有電連接導(dǎo)體的半導(dǎo)體元件以及用于制造這種支撐體的方法。
文檔編號(hào)H01L31/0203GK102203940SQ200980143733
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2009年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者M·齊茨爾斯佩格, S·米策爾 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司