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一種電子式無觸點有載調容的分接開關的制作方法

文檔序號:7201617閱讀:225來源:國知局
專利名稱:一種電子式無觸點有載調容的分接開關的制作方法
技術領域
本實用新型屬于電力自動化領域,具體涉及一種電壓等級在10 35kV的電子式無觸點有載調容分接開關。
背景技術
目前我國的農網(wǎng)電力變壓器損耗還相當嚴重,主要表現(xiàn)為用電負荷季節(jié)性強,用 電集中,而傳統(tǒng)電力變壓器容量不可調整,沒有采用有載調壓變壓器,電網(wǎng)電壓波動大、力 率低。在夏、秋兩季農忙用電集中季節(jié),農村抗旱、排澇、或農產品加工用電等大約占全年用 電量的80%,變壓器過載運行現(xiàn)象嚴重,有時甚至出現(xiàn)200%過負載運行現(xiàn)象,電網(wǎng)電壓偏 低,無功損耗增加;而另一方面在用電淡季,主要是照明用電,變壓器負載率又低于30%, 出現(xiàn)了“大馬拉小車”的現(xiàn)象,電壓偏高,空載損耗相對增加,嚴重降低了用電設備的使用壽 命,造成不必要的大量電力資源浪費。為了解決農網(wǎng)用電負荷季節(jié)性強的特殊性問題,在農 網(wǎng)改造工程初期,采取了三桿兩臺式母子搭配的“母子變壓器”配變運行方式,即用大容量 的“母變壓器”去解決大負荷季節(jié)的用電問題,用小容量的“子變壓器”解決平時輕載時的 用電問題,以達到“小馬拉小車”、“大馬拉大車”的降損節(jié)能目的。這種方法配置變壓器所 帶來的明顯弊端一是由于配備大、小兩臺配電變壓器,設備閑置時間長,利用率低。二是有 兩套跌落式保險、避雷器甚至計量裝置,工程造價過高;三是由于控制保護過于簡單,給運 行和操作帶來了安全隱患。要實現(xiàn)農村電網(wǎng)有效的降損節(jié)能,需要新型有載調容電力變壓器的出現(xiàn),使其能 夠根據(jù)負荷大小,利用特制的調容開關來變換繞組的聯(lián)結方式,帶電進行容量調節(jié),將變壓 器運行時的空載損耗減至最小,確保最佳經濟運行。有載調容配電變壓器一般具有大小兩 個容量等級,它作為降低配變損耗的新型設備,比較適用于農網(wǎng)季節(jié)性負荷變化大的特點, 可根據(jù)實際負荷大小季節(jié)性地調節(jié)容量,有效減少用電低谷期變壓器的空載損耗。但是現(xiàn)有調容分接開關中,用的大都是純機械式有載分接開關,它主要由分接開 關、切換開關、過渡電阻三部分組成,其基本原理是改變變壓器的一次側線圈的連接方式和 變壓器二次側線圈的連接匝數(shù),達到調節(jié)變壓器容量的目的。這種分接開關在分接頭轉換 過程中產生電弧,分接開關的動作速度慢,造成三相繞組分合間的不同期性,產生繞組上電 壓的不對稱運行,而導致變壓器主變保護的動作,而且其故障率高,維護量大,使調容時刻 無法準確控制。

實用新型內容為解決現(xiàn)有技術中機械式有載調容分接開關,調容切換速度較慢,容易造成高低 容切換后,三相繞組分合間的不同期性,產生繞組上電壓的不對稱運行的問題。本實用新型 提供一種采用電力電子技術和微處理器控制技術,通過控制電力電子開關器件實現(xiàn)有載調 容的分接開關。一種電子式無觸點有載調容的分接開關,包括控制模塊、開關模塊和電源模 塊,其特征在于,所述控制模塊包括DSP微處理器、輸入電路和光纖觸發(fā)電路,所述開關模塊包括IGBT固體開關、驅動電路、CPLD控制電路和保護電路,所述輸入電路連接在DSP微 處理器和IGBT固體開關之間,光纖觸發(fā)電路包括發(fā)送端和接收端,發(fā)送器安裝在DSP微處 理器端,接收端安裝在IGBT固體開關端,DSP微處理器依次通過CPLD控制電路、驅動電路 與IGBT固體開關連接,所述保護電路連接在IGBT固體開關上,所述電源單元為控制單元和 和IGBT固體開關單元提供電力。本實用新型的另一優(yōu)選方式所述保護電路包括過壓保護電路、過熱保護電路和 緩沖電路,為IGBT固定開關提供過流、過熱及IGBT器件串并聯(lián)的均流、均壓電路保護。本實用新型的另一優(yōu)選方式,所述IGBT固體開關包括由IGBT構成的Kl開關組和 K2開關組,高壓側的Kl開關和K2開關并聯(lián)后連接到對應繞組的抽頭之間,低壓側每個抽 頭上并聯(lián)有兩個線圈,每個線圈串聯(lián)一個Kl開關,K2開關兩端分別連接在并聯(lián)的線圈和Kl 開關之間的線路上。本實用新型的另一優(yōu)選方式所述IGBT固定開關兩端連接有關斷緩沖電路和開通 緩沖電路。本實用新型的另一優(yōu)選方式所述關斷緩沖電路和開通緩沖電路是連接有阻容吸 收電路。本實用新型的另一優(yōu)選方式所述IGBT固體開關兩端連接有閉環(huán)反饋均壓電路。 本設計利用電力電子技術和微處理器控制技術,通過控制電力電子開關器件的通 斷和改變變壓器繞組的連接方式,實現(xiàn)有載調容。提高了變壓器有載調容的響應速度和降 低了故障率,本裝置無需機械開關的切換,也不會產生電弧,響應速度也得到了提高。同現(xiàn) 有的機械式有載調容分接開關相比,本實用新型具有開斷時間短、無聲響、無弧光、無關斷 死區(qū)、壽命長、工作可靠性高等方面的優(yōu)越性,其技術指標可以適應不同的使用場合、各種 參數(shù)范圍的需要。

圖1本實用新型電子式有載調容分接開關接線圖圖2圖1中Kl開關和K2開關IGBT示意圖圖3本實用新型電子式有載調容分接開關硬件結構圖圖4本實用新型IGBT驅動電路圖圖5本實用新型CPLD邏輯控制單元的功能框圖圖6本實用新型IGBT關斷緩沖圖圖7本實用新型IGBT開通緩沖圖圖8本實用新型柵極反饋閉環(huán)控制的均壓電路圖圖9本實用新型柵極反饋閉環(huán)控制的均壓電路工作原理圖圖10本實用新型耦合取能電路原理圖
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型包括控制模塊、開關模塊和電源模塊,控制模塊包括DSP 微處理器、輸入電路和光纖觸發(fā)電路,DSP微處理器采用高性能32位DSP,輸入電路對IGBT 固體開關的通斷狀態(tài)進行實時檢測,為了能夠保證IGBT通斷的同一性,采用光纖觸發(fā)技術,降低延時。開關模塊包括IGBT固體開關、驅動電路、CPLD控制電路和保護電路。CPLD控 制電路對所有IGBT器件的驅動電路進行過流保護。輸入電路連接在DSP微處理器和IGBT 固體開關之間,光纖觸發(fā)電路包括發(fā)送端和接收端,發(fā)送器安裝在DSP微處理器端,接收端 安裝在IGBT固體開關端,DSP微處理器依次通過CPLD控制電路、驅動電路與IGBT固體開 關連接,保護電路連接在IGBT固體開關上,電源單元為控制單元和和IGBT固體開關單元提 供電力。保護電路包括IGBT過流保護、IGBT緩沖電路、IGBT過熱保護以及IGBT器件串并 聯(lián)的均流、均壓電路等。通過DSP上的PWM輸出端口,實現(xiàn)對IGBT器件的高性能控制。如圖2、3所示,圖2為Kl開關組和K2開關組連接示意圖,其中圖2中的Kl開關 和K2開關的組成采用圖3中的IGBT連接方式,根據(jù)IGBT的單向導通性,利用雙IGBT反并 聯(lián)的形式來構成一組交流動態(tài)電力電子開關。針對10kV/0. 4kV的Sll型配電變壓器,分接 開關包括由IGBT組成的兩組開關Kl開關組和K2開關組,Kl開關組代表變壓器高壓側的3 只開關和變壓器低壓側的6只開關,K2開關組代表高壓側的3只開關和低壓側的3只開關。 高壓側的Kl開關和K2開關反向并聯(lián)后連接每個繞組的抽頭之間,低壓側每個抽頭上并聯(lián) 有兩個線圈,每個線圈串聯(lián)一個Kl開關,K2開關兩端分別連接在并聯(lián)的線圈和Kl開關之間 的線路上。開關中的IGBT需要根據(jù)調容變壓器的容量進行選擇。以SZ11-M-T-315(100)/10 為例,經計算,高壓側開斷開關所承受的最大電壓是5. 77kV,閉合開關流過的最大電流是 18. 2A。低壓側開斷開關所承受的最大電壓為97. 5V,閉合開關流過的最大電流是454. 7A。 根據(jù)以上計算,在選擇IGBT型號時,其斷態(tài)峰值電壓和額定通態(tài)有效電流都要超出開關的 最大開斷電壓和最大電流。因為IGBT的耐壓電壓能夠達到本設計中的電壓要求,因此可 以把兩個IGBT反向并聯(lián)的IGBT組獨立地直接連接在變壓器的每個繞組抽頭之間,作為有 載分接開關的執(zhí)行元件。由于IGBT具有可控關斷特性,可以在計算機的控制下快速轉換, 所以分接頭回路中不需串入限制環(huán)流的過渡電阻。當調容變壓器處于大容量運行方式時, IGBTl組全部導通,其余IGBT組關斷。現(xiàn)由于負荷減小,達到調容要求時,需要改換有載分 接開關的分接頭位置達到調容的目的。在變換過程中,先給IGBT2組正向觸發(fā)電壓,使其導 通,隨之給IGBTl組負脈沖,使其關斷。在整個分接開關的控制裝置中,IGBT的驅動電路是保證分接開關可靠工作的關鍵 部分。IGBT柵極的驅動條件與IGBT的特性密切相關。設計驅動電路時,需特別注意開通特 性、負載短路能力和誤觸發(fā)等問題。在使用中,IGBT由于過壓、過流、過熱等原因,損壞的情 況時有發(fā)生。本發(fā)明在富士公司的高速型EXB841基礎上,對此電路進行了相應的改進,改 進后的驅動電路如圖4所示,其中(1)針對EXB841驅動模塊過流保護閉值過高的問題,在引腳6后反串穩(wěn)壓值為IV 的穩(wěn)壓二極管VZ1,改變EXB841的過電流保護起控點,使得驅動模塊的過流保護起控點由 7. 5V左右降至6. 5V左右,避免了 IGBT在過高的保護起控點下?lián)p壞。也可以根據(jù)主電路實 際工作情況,增加一只更大的穩(wěn)壓管進一步降低起控點,以提高過流保護的可靠性。VD2用 于檢測IGBT是否出現(xiàn)過流。(2)針對保護盲區(qū)的問題,通過將VD2換成導通壓降更大的超快速恢復二極管,使 短路時實際過載電流小于IGBT的極限過載電流,可在一定程度上減輕保護盲區(qū)帶來的可 靠性降低問題。(3)針對負柵壓不足的問題,在引腳2和引腳9之間并上電阻Rl和8V穩(wěn)壓二極管VZ2產生一 8V的偏壓,使IGBT固體開關的關斷更加可靠。(4)針對無過流保護自鎖功能的問題,利用與引腳5連接的光耦產生的通斷狀態(tài) 來設計一種過流保護自鎖電路,引腳5作為過流保護信號輸出與光耦TLP521相連,光耦輸 出接至過流保護自鎖電路,當出現(xiàn)短路故障時,TLP521導通使得過流保護自鎖電路工作,在 EXB841軟關斷期間封鎖輸入的驅動信號,保證軟關斷不被中斷。(5)穩(wěn)壓二極管VZS用以防止引腳6出現(xiàn)過電壓;20V穩(wěn)壓二極管VZ3和IOV穩(wěn)壓 管VZ4用以防止柵射極之間出現(xiàn)過電壓而損壞IGBT固體開關;大電阻R2用以防止柵射極 之間出現(xiàn)斷路;上拉三極管Vl保證有足夠大的輸入電流使光耦導通;電解電容C1、C2用以 平抑因電源接線阻抗引起的供電電壓變化,并非作為電源濾波。在IGBT固體開關工作時,極有可能發(fā)生器件兩端過電壓或功率過電流以及短路 過電流的狀況,因此必須對IGBT采取必要的保護措施。一般采用緩沖電路來保護IGBT器 件,以防器件兩端遭受過電壓沖擊而損壞,過電流保護電路一般集成在驅動模塊內部,可以 保證過電流保護電路工作時不受外部控制信號的影響,具有更高的安全性和可靠性。本技術方案的CPLD控制電路采用ALTERA公司的MAX7000系列CPLD器件完成對 EXB841驅動電路的過流保護自鎖功能。利用MAX7000和4MHz的有源晶振組成CPLD邏輯 控制單元,CPLD芯片的延時一般在納秒級,有源晶振的頻率也很穩(wěn)定,故能夠設計出延時非 常精確的過流保護自鎖電路。另外由于CPLD的可擦寫性,使得控制邏輯的調整變得非常靈 活,不需要對其硬件電路進行重新設計。如圖5所示,在CPLD邏輯控制單元的功能框圖中,CPLD邏輯控制單元的主要功能 是①作為DSP主控板與EXB841驅動電路之間的一個邏輯接口,在正常工作情況下接受來 自DSP主控板的驅動信號并將它輸出到相應的EXB841驅動電路控制IGBT固體開關的開通 與關斷。②過流保護自鎖功能當線路發(fā)生過流故障時,EXB841進入過流檢測,實施過流軟 關斷。此時利用過流保護自鎖功能強行封鎖14腳和76腳的驅動信號,保證軟關斷的時間, 防止IGBT固體開關由于短路情況下快速關斷而損壞。當故障清除后,鎖定能夠自動解除, 輸入信號能夠進行正常驅動。在分接開關實際關斷過程中,感性負載或雜散電感的影響會導致IGBT固體開關 兩端出現(xiàn)過電壓和過大的dv/dt,本技術方案設計了如圖6所示的關斷緩沖電路,將緩沖電 容Cs直接并聯(lián)于主回路IGBT兩端,能夠降低過電壓,并有效抑制過大的dv/dt,防止動態(tài)擎 住效應的發(fā)生。與主回路器件相并聯(lián)的副回路IGBT與緩沖電容以緩沖電阻Rs構成放電回 路,緩沖電路中副回路IGBT的驅動信號與主回路IGBT的驅動信號保持同步,當主回路IGBT 關斷時,以開始充電,此時副回路IGBT處于關斷狀態(tài),對以充電過程幾乎沒有影響,當主回 路IGBT閉合時,以開始放電,同時副回路IGBT閉合,Cs通過Rs、副回路IGBT放電。該緩沖 電路振蕩頻率低,不會對電路以及IGBT固體開關的功耗產生不良影響,效果比較理想,適 用于電壓等級中等或者較高的場合。為抑制器件開通時電流過沖和di/dt,減小器件開通損
^^ ο本技術方案設計了如圖7所示的開通緩沖電路,在主回路IGBT中使用串聯(lián)電感, 器件開通時,電感吸收能量、抑制di/dt ;器件關斷時,電感中能量通過二極管VDs續(xù)流作 用,消耗在VDs和電感本身電阻上,如果電感儲能較大,也可在續(xù)流支路串入一定電阻,Ls 的值可由器件開通前承受的電壓值除以所能承受的di/dt值,再減去線路中電感得到。[0035]IGBT固體開關的特性和安全工作區(qū)與溫度密切相關,當器件結溫升高時,其安全工作區(qū)將縮小,如果器件開關軌跡不變,將可能超出安全工作區(qū)而損壞,當器件結溫超過最 高允許值時,器件將產生永久性損壞。由于器件在工作過程中具有導通損耗和開關損耗,本 身就是發(fā)熱源,因此在設計和使用時要非常注意器件的熱保護,本技術方案采用結溫降額 使用方法,器件的結溫通常指芯片的平均溫度,由于功率器件芯片較大,溫度分布不均勻, 因此,局部可能出現(xiàn)高于允許結溫的過熱點,導致器件損壞。使用過程中,必須降額使用,降 額幅度視環(huán)境溫度和設備可靠性要求不同而不同。當電力電子器件的電壓容量不能滿足要求時,往往需要將多個器件串聯(lián)起來以滿 足需要。電力電子器件串聯(lián)時,由于它們的伏安特性、開通時間、恢復電荷等方面的分散性, 影響它們直接串聯(lián)的電壓均衡,因此,為了實現(xiàn)串聯(lián)器件的均壓,需要在特性的選配、門極 觸發(fā)脈沖、均壓電路等方面采取一定措施。IGBT固體開關串聯(lián)運行要面臨靜態(tài)均壓和動態(tài) 均壓的問題。靜態(tài)均壓是指要使IGBT固體開關處于正向阻斷狀態(tài)時電壓均衡,靜態(tài)不均壓 主要是由串聯(lián)器件伏安特性不一致引起的。而影響IGBT固體開關串聯(lián)運行動態(tài)均壓的因 素比較多,如門檻電壓、輸入電容、密勒電容及柵極電阻、柵極驅動電壓的波形等,這些因素 共同影響了串聯(lián)IGBT固體開關開通及關斷時間的一致性,使得直接串聯(lián)的動態(tài)均壓復雜 化。串聯(lián)聯(lián)接IGBT固體開關實行均壓的目的是為了保證在開通、關斷瞬間對每個IGBT固 體開關的過電壓保持均衡,因而要求控制電路的響應是快速的,不允許產生更多的損耗和 降低系統(tǒng)的開關頻率,同時在工程上是經濟有效的。為解決IGBT固體開關串聯(lián)動態(tài)不均壓 的現(xiàn)象,本技術方案采用如下一些基本的均壓措施(1)選用相同型號的IGBT。(2)選擇合適的緩沖電路,緩沖電路參數(shù)和結構應保持一致。(3)柵極驅動信號應盡可能保持同步。(4)柵極電路參數(shù)應保持一致。線路中的分布電容、雜散電感和驅動信號的不同步不可避免,因此,必須設計合理 的動態(tài)均壓方案。本技術方案提出了在IGBT固體開關兩端設計柵極控制的閉環(huán)反饋均壓 電路,如圖8所示,壓控電壓源El E4 :E1、E2增益(即輸出輸入比)為0. 01,E3、E4增益 為4.4。E1、E2用以即時獲取IGBT1、IGBT2的端電壓Uce,并將其縮小100倍送至比較器的 同相輸入端。比較放大器LT1720/LT (圖中U1、U2)用以比較IGBT端電壓Uce與設定的參考 電壓Uref (接至反相輸入端)之間大小,若Uce < Uref,輸出為0V,反之若Uce > Uref,輸 出為高電平,可以驅動后級三極管。三極管V1、V2和V3、V4分別組成了功率放大電路。二 極管VD3、VD4和5. IV穩(wěn)壓二極管VZ1、VZ2是為了保證E3、E4與驅動源VS1、VS2之間正常 工作時互不影響。如果不加VD3、VD4,IGBT正常導通時,E3、E4輸出為0V,相當于IGBT的 柵、射極之間短路,加上VD3、VD4,VSl、VS2的+15V電平將反向加在VD3、VD4兩端,顯然此 時E3、E4的輸出不會影響驅動源正常工作。同理,加VZ1、VZ2是基于驅動源VS1、VS2正常 關斷IGBT輸出-5V電平而考慮的,如不加VZ1、VZ2,控制回路不工作,即E3、E4輸出OV時, 會為VS1、VS2提供短路通路,將IGBT柵、射極短路。如圖9所示,圖9為圖8閉環(huán)反饋均壓電路的電路示意圖,串聯(lián)IGBT固體開關處 于正常阻斷狀態(tài)時,每個器件兩端電壓應為直流電源電壓的一半。當串聯(lián)的某器件(以 IGBTl為例)因為關斷信號提前(此時IGBTl柵射極之間為-5V電壓),兩端出現(xiàn)過電壓即0. OlUcel > Uref (5V)時,比較器Ul輸出高電平,VI、V2導通,V2集電極輸出電壓UrlO經E3放大輸出至IGBTl柵、射極,使得在另一個器件(IGBT2)關斷之前,IGBTl柵、射極之間有 正電壓使其繼續(xù)處于導通狀態(tài),IGBTl導通,Ucel將下降,Ul輸出低電平,VI、V2截止,E3 輸出為0V,此時若IGBT2的關斷信號尚未發(fā)出,IGBTl兩端將再次出現(xiàn)過電壓而重復前面的 過程,直至IGBT2關斷。本技術方案采用光纖隔離觸發(fā)的方式控制IGBT固體開關的通斷,光纖是很細的 玻璃纖維,用光纖傳遞信號有比較高的工藝技術要求,特別是其兩端的發(fā)送器和接收器,需 要準確的聚焦和定位。隨著光纖技術的發(fā)展,用光纖傳遞信號越來越方便。光纖發(fā)送器和 接收器有標準的接口,用起來很方便,電路中輸入和輸出的信號都是TTL兼容的。在輸出端 只要按所需的觸發(fā)功率放大信號,即可直接觸發(fā)IGBT固體開關。為了減小IGBT固體開關開通和關斷過程中的電壓尖峰,晶閘管都配有阻容吸收 電路,如圖10所示,當晶閘管截止時,Rg, Cg不斷地向Cs充電,Cs上的電壓經過一定的限 幅穩(wěn)壓后,即可得到一個穩(wěn)定直流電源,而且與晶閘管的陰極等電位。主電路處于截止狀態(tài) 時,由Rg,Cg進行電壓耦合取能,為觸發(fā)電路提供電源。主電路導通之后,晶閘管上的壓降 很低,不能再進行電壓取能,在這種狀態(tài)下耦合取能的任務由電流變壓器Tc來接替,進行 電流耦合取能。當儲能電容器Cs上的電壓達到一定的幅值,則限幅電路動作,三極管VT導 通,儲能過程停止,以防止Cs上的電壓過高。晶間管只有導通和截止兩種工作狀態(tài)在截止 時由電容進行電壓耦合取能;導通時由電感進行電流耦合取能,以此保證觸發(fā)電路在任何 狀態(tài)下都能正常工作,完成觸發(fā)任務。
權利要求一種電子式無觸點有載調容的分接開關,包括控制模塊、開關模塊和電源模塊,其特征在于,所述控制模塊包括DSP微處理器、輸入電路和光纖觸發(fā)電路,所述開關模塊包括IGBT固體開關、驅動電路、CPLD控制電路和保護電路,所述輸入電路連接在DSP微處理器和IGBT固體開關之間,光纖觸發(fā)電路包括發(fā)送端和接收端,發(fā)送器安裝在DSP微處理器端,接收端安裝在IGBT固體開關端,DSP微處理器依次通過CPLD控制電路、驅動電路與IGBT固體開關連接,所述保護電路連接在IGBT固體開關上,所述電源單元為控制單元和和IGBT固體開關單元提供電力。
2.如權利要求1所述的分接開關,其特征在于,所述保護電路包括過壓保護電路、過熱 保護電路和緩沖電路,為IGBT固定開關提供過流、過熱及IGBT器件串并聯(lián)的均流、均壓電 路保護。
3.如權利要求2所述的分接開關,其特征在于,所述IGBT固體開關包括由IGBT構成的 K 1開關組和K 2開關組,高壓側的Kl開關和K2開關并聯(lián)后連接到對應繞組的抽頭之間, 低壓側每個抽頭上并聯(lián)有兩個線圈,每個線圈串聯(lián)一個Kl開關,K2開關兩端分別連接在并 聯(lián)的線圈和Kl開關之間的線路上。
4.如權利要求3所述的分接開關,其特征在于,所述IGBT固定開關兩端連接有關斷緩 沖電路和開通緩沖電路。
5.如權利要求4所述的分接開關,其特征在于,所述關斷緩沖電路和開通緩沖電路是 連接有阻容吸收電路。
6.如權利要求3所述的分接開關,其特征在于,所述IGBT固體開關兩端連接有閉環(huán)反 饋均壓電路。
專利摘要本實用新型涉及一種電子式無觸點有載調容的分接開關,具體涉及一種電壓等級在10~35kV的電子式無觸點有載調容分接開關。本方案的輸入電路連接在DSP微處理器和IGBT固體開關之間,光纖觸發(fā)電路的發(fā)送器安裝在DSP微處理器端,接收端安裝在IGBT固體開關端,DSP微處理器依次通過CPLD控制電路、驅動電路與IGBT固體開關連接,保護電路連接在IGBT固體開關上。本設計利用電力電子技術和微處理器控制技術,實現(xiàn)有載調容,提高了變壓器有載調容的響應速度和降低了故障率,本裝置無需機械開關的切換,也不會產生電弧,響應速度也得到了提高,具有開斷時間短、無聲響、無弧光、無關斷死區(qū)、壽命長、工作可靠性高等。
文檔編號H01F29/04GK201570360SQ200920277589
公開日2010年9月1日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權日2009年12月23日
發(fā)明者孫軍平, 張海龍, 盛萬興, 范聞博 申請人:中國電力科學研究院
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