專利名稱：形成雙極晶體管的淺基區(qū)的方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及雙極晶體管，并且更具體地涉及形成雙極晶體管 的淺基區(qū)。
背景技術：
雙極晶體管包括用n型或p型材料交替摻雜的發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集 電區(qū)。例如，npn雙極晶體管包括用n型材料摻雜的發(fā)射區(qū)、用p型材 料摻雜的基區(qū)和用n型材料摻雜的集電區(qū)。對于另一個實例，pnp雙極 晶體管包括用p型材料摻雜的發(fā)射區(qū)、用n型材料摻雜的基區(qū)和用p型 材料摻雜的集電區(qū)。因此雙極晶體管的結構和工作參數(shù)至少部分地由 被用來摻雜發(fā)射極、基極和/或集電極區(qū)域的具體工藝所產生的摻雜劑 分布(dopant profile )確定。
圖1A、 1B、 1C和1D概念上示出了用于形成npn雙極晶體管的傳 統(tǒng)技術。最初，如圖1A所示，SOI襯底100被用作本發(fā)明的起始材料。 如圖1A所示，SOI襯底100由體(bulk)襯底100a、埋置絕緣層100b 和有源層100c構成。通常體硅100a由硅構成，埋置絕緣層100b由二氧 化硅(所謂的"BOX"層)構成，并且有源層100c由(摻雜的或未摻雜 的)硅構成?？梢院苋菀椎貜母鞣N商業(yè)上已知的來源來獲得這樣的S01 結構。通常，埋置絕緣層100b將相對厚，例如在約0.5-2微米的量級， 而有源層100c可以具有約2微米的初始厚度。
此后，如圖1A所示，摻雜的硅層105形成在有源層100c上方。硅 層105被用例如磷、砷的N型摻雜劑材料摻雜，使得它具有約2-15歐姆 /厘米的電阻率，該電阻率對應于約2xl0"到2.5xl015個離子/cm3的摻 雜劑濃度。硅層105是在外延反應器中被淀積的外延硅層。在該情形 下，可以通過在用來形成層105的工藝期間將摻雜劑材料引入到外延反應器中來摻雜外延硅層105。然而，也可以通過在形成硅層105之后 執(zhí)行離子注入工藝來將摻雜劑材料引入到硅層105中。請注意，硅層 105內的摻雜劑原子的分布在它的整個深度上可能不是均勻的。
僅僅出于說明的目的，附圖描繪了有源層100c與硅層105之間的 界面。實際上，這兩層之間的區(qū)別可能非常難以限定。然而，僅僅出 于說明的目的示出了不同的層。硅層105相對厚。在一個示例性實施 例中，硅層105具有約l-30微米范圍的厚度，這取決于具體的應用。 此后，通過執(zhí)行例如熱氧化在硅層105上方形成氧化物層110 (例如二 氧化硅)。在處理中的這點上，可以通過執(zhí)行摻雜劑注入工藝(如箭 頭115所示)來形成pnp雙極晶體管，該摻雜劑注入工藝能夠被執(zhí)行以 便在硅層105中注入摻雜劑物質。例如，摻雜劑注入工藝115可以被用 來將例如硼的p型摻雜劑注入到硅層105中來形成摻雜區(qū)120。然而， 圖l描繪了npn雙極晶體管的形成，因此這個步驟沒有被執(zhí)行。
現(xiàn)在參考圖1C，熱氧化工藝能夠被用來生長二氧化硅層110的所 選擇的部分。在所示出的實施例中，熱氧化工藝被用來生長部分125 (1-2)并且掩模層(未示出)被用來防止這些部分之間的區(qū)域生長。 熱氧化和隨之發(fā)生的部分125的生長消耗了摻雜區(qū)120的一部分。
現(xiàn)在參考圖1D，對于npn雙極晶體管的基區(qū)130可以通過在硅層 105的一部分中注入p型摻雜劑來形成，如箭頭135所示。在基區(qū)130中 的摻雜劑濃度通常為約1016-1018個離子/ 113。摻雜劑通常以對于硼(p 型摻雜劑)而言大于約50 keV、并且在pnp雙極晶體管的可替代情形 下對于例如磷的n型摻雜劑而言100keV的能量被注入。這些相對高的 注入能量通常導致高的注入離散度(implant straggle )并且致使被注 入的摻雜劑物質具有深深地延伸到硅層105中的相對淺的峰。例如， 基區(qū)130的深度可以遠大于幾千埃。以這些高能量注入摻雜劑濃度也 可能導致在基區(qū)130中的溝道效應。例如，摻雜劑原子的小部分可能 在與硅晶格相撞之前就非常深地穿入到層105中。
可以通過減小用于注入工藝135的能量來增大在基區(qū)130中摻雜 劑濃度的尾部(trail)的斜率。然而，在較低能量下注入的摻雜劑物質遭受表面問題，例如，本征氧化物變化可能影響注入分布。因此， 這些低能量技術要求物質的表面制備和/或其它非標準的注入技術，這
極大地增加了注入工藝的復雜度和成本。使用例如BF2的材料也可以 幫助減輕這些問題。然而，BF2的使用可能導致由于氟組分而引起的 污染和/或其它問題。
本發(fā)明涉及解決上述問題中的一個或多個的影響。

發(fā)明內容
下面介紹所公開的主題的簡化摘要以便提供對所公開主題的一 些方面的基本理解。這個摘要不是所公開主題的窮盡性的總結。其不 意圖來確定所公開主題的關鍵或重要元素或者來描寫所公開的主題 的范圍。其唯一的目的是以簡化的形式來介紹一些概念作為稍后要討 論的更詳細描述的序言。
在所公開的主題的一個實施例中，提供了 一種用于形成雙極晶體 管的方法。該方法包括在用第一類型摻雜劑摻雜的材料的第一層上方 形成笫一絕緣層。該第一層形成在襯底上方。該方法還包括基于目標 摻雜劑分布來更改第一絕緣層的厚度并且在該第一層中注入第一類 型的摻雜劑。該摻雜劑以基于所更改的該第一絕緣層的厚度和該目標 摻雜劑分布而選擇的能量被注入。
在所公開的主題的另一個實施例中，提供了一種雙極晶體管。該 雙極晶體管包括襯底、形成在該村底上方的材料的第一層以及第一氧 化物層。該第一層包括用第一類型的摻雜劑摻雜的第一部分和用第二 類型的摻雜劑摻雜的第二部分，該第二類型與該第一類型相反。該第 二部分通過以下步驟來被摻雜基于目標摻雜劑分布來更改第一絕緣 層的厚度并且在該第一層中注入第一類型的摻雜劑。該摻雜劑以基于 該第一絕緣層厚度和該目標摻雜劑分布而選擇的能量被注入。


參考結合附圖的下面的描述可以理解所公開的主題，在附圖中相似的附圖標記標明相似的元件，并且在附圖中圖1A、 1B、 1C和1D在概念上示出了用于形成雙極晶體管的傳統(tǒng) 才支術的方面；圖2A、 2B、 2C和2D在概念上示出了才艮據(jù)所一J^開的主題的、用于 形成npn雙極晶體管的技術的第 一 示例性實施例；圖3A和3B在概念上示出了根據(jù)所公開的主題的、用于形成npn 雙極晶體管的基極的技術的第二示例性實施例；圖4在概念上示出了根據(jù)所公開的主題的、例如可以使用圖2和圖 3所示的第一和第二示例性實施例而形成的摻雜劑分布的示例性實施 例；圖5在概念上示出了根據(jù)所公開的主題而形成的摻雜劑分布的示 例性實施例；以及圖6在概念上示出了傳統(tǒng)的摻雜劑分布與根據(jù)所公開的主題而形 成的摻雜劑分布的比較。雖然所公開的主題容易進行各種修改和具有可替代形式，但是在述了該具體實施例。然而，應當理解，在這里的具體實施例的描述并 不意圖來將所公開的主題限制到所公開的特定形式，而是正相反地， 本發(fā)明意圖覆蓋落入如所附權利要求限定的所公開主題的范圍內的 所有修改、等同物和可替代方案。
具體實施方式
下面描述了所公開主題的示例性實施例。為了清楚，在本說明書 中并沒有描述實際實施方案的所有特征。當然將明白，在任何這樣的 實際實施例的開發(fā)中，應當進行許多實施方案特有的決策來實現(xiàn)開發(fā) 者的特有目標，例如符合系統(tǒng)有關的和商業(yè)有關的約束，其會從一個實施方案到另一個實施方案而變化。此外，將明白，這樣的開發(fā)努力 可能是復雜的并且耗時的，但是仍然會是享有本發(fā)明益處的本領域技 術人員采取的慣例(routine)。現(xiàn)在將參考附圖來描述所公開的主題。僅僅出于說明的目的而在附圖中示意性描繪了各種結構、系統(tǒng)和器件，并且從而不會用本領域技術人員所公知的細節(jié)來模糊所公開的主題。然而，附圖被包括來描述和說明所公開主題的示例性實例。在這里所^使用的詞和短語應當,皮 理解和解釋為具有與相關領域技術人員對這些詞和短語的理解相一致的意思。術語或短語的特有定義(即，與如本領域技術人員所理解 的通常的和習慣的意思不同的定義)不意圖由在這里的該術語或短語 的一貫用法所暗示。如果術語或短語意圖具有特有意思(即，與技術 人員所理解的不同的意思)，則這樣的特有定義將在說明書中以明示 的方式被清楚地陳述，其直接且明確的提供了該術語或短語的特有定 義。圖2A、 2B、 2C和2D在概念上示出了用于形成npn雙極晶體管 200的技術的第一示例性實施例。然而，享有本發(fā)明益處的本領域技 術人員應當明白，在這里所述的技術同樣地可適用于pnp雙極晶體 管。圖2A描繪了在制造工藝中間階段的雙極晶體管200。在圖2A所 描繪的階段，該雙極晶體管包括絕緣層205。在所示出的實施例中， 絕緣層205是墊氧化物層(pad oxide layer) 205，盡管在這里所述的 晶體管可以利用其它類型的絕緣體。在所示出的實施例中，熱氧化工 藝已經被用來生長墊氧化物層205的部分205 ( 1, 3)并且掩蔽工藝 被用來防止部分205 ( 1， 3)之間的區(qū)域205 (2 )生長。在所示出的 實施例中，區(qū)域205 ( 1, 3)被生長到約0.25-1微米的厚度并且區(qū)域 205 ( 2 )具有約300-1400埃的厚度。用于淀積墊氧化物層205且然后 選擇性生長墊氧化物層205的部分的技術是本領域中已知的，并且為 了清楚在這里將不會進一步討論該技術。墊氧化物層205形成在硅層215的一部分上方，盡管享有本申請 公開內容益處的本領域技術人員應當明白，層245可以可替代地由多 晶硅形成。在一個實施例中，硅層215可以被用例如磷、砷的N型摻 雜劑材料摻雜，使得它具有約2.5歐姆/厘米的電阻率，該電阻率對應 于約2xl015個離子/cm3的摻雜劑濃度。在一個特定實施例中，硅層10215是在外延反應器中被淀積的外延硅層。在該情形下，可以通過在 被用來形成層215的工藝期間將摻雜劑材料引入到外延反應器中來摻 雜外延硅層215。然而，也可以通過在形成硅層215之后執(zhí)行離子注 入工藝來將摻雜劑材料引入到硅層215中。請注意，硅層215內的摻 雜劑原子的分布在它的整個深度上可能不是均勻的。在雙極晶體管 200是pnp型雙極晶體管的情況下，摻雜劑注入工藝可以被用來將例 如硼的p型摻雜劑注入到硅層215中來形成被稱為p阱的摻雜區(qū)。在 p阱中的摻雜劑濃度可以為約lxl0"個離子/cm3。然而，雙極晶體管 200的所示出的實施例是npn型雙極晶體管，因此該工藝在所示出實 施例中不^皮執(zhí)行。硅層215形成在襯底(例如，硅襯底或絕緣體上硅(SOI)襯底) 上。如圖2所示的實施例中，硅層215被淀積在SOI襯底220上，該 SOI襯底220由體襯底220a、埋置絕緣層220b和有源層220c構成。 體硅220a由珪構成，埋置絕緣層220b由二氧化珪(所謂的"BOX，， 層)構成，并且有源層220c由(摻雜的或未摻雜的)硅構成?？梢?很容易地從各種商業(yè)上已知的來源來獲得這樣的SOI結構。通常，埋 置絕緣層220b將相對較厚，例如在約0.5-2微米的量級，而有源層220c 可以具有約2微米的初始厚度?，F(xiàn)在參考圖2B，對于npn雙極晶體管200的基區(qū)可以通過在硅 層215的部分中注入p型摻雜劑來形成?；鶇^(qū)和雙極晶體管200的工 作性能至少部分地由在基區(qū)中被注入的摻雜劑物質的分布所確定。例離散度(straggle)、在硅層215中的摻雜劑分布的峰的深度等所確 定。享有本申請公開內容的益處的本領域技術人員將明白，術語"離 散度"指的是摻雜劑分布的寬度或陡度的統(tǒng)計測量。如果摻雜劑分布 是正態(tài)分布的，那么離散度等于摻雜劑分布的標準偏差。目標摻雜劑 分布(其可以由例如離散度、標準偏差和/或峰深度的參數(shù)來表示)可 以基于基區(qū)的所期望的性能來選擇。在硅層215中形成的實際摻雜劑 分布可以通過改變用來注入摻雜劑物質的能量和墊氧化物層205的厚度來控制，摻雜劑物質穿過該墊氧化物層205被注入到硅層215中。在第一示例性實施例中，通過刻蝕墊氧化物層205的背部部分來 將墊氧化物層205的厚度從初始厚度(如虛線225所示)更改到減小 的厚度(如實線230所示)。可以控制刻蝕工藝使得在區(qū)域205 (2) 中的墊氧化物層的厚度達到基于目標摻雜劑分布所確定的值。例如， 可以刻蝕墊氧化物層205使得區(qū)域205 (2)的厚度大約為400A。圖2C描繪了離子到基區(qū)240中的注入，如箭頭235所示。基于 目標摻雜劑分布和墊氧化物層205的厚度來選擇所注入摻雜劑物質的 能量。在所示出實施例中，以5-30keV范圍內的相對低能量注入摻雜 劑物質。例如，當區(qū)域205 (2)的厚度約為400 A時，可以約20keV 的能量注入摻雜劑物質(例如硼)。由此引起的基區(qū)240中的摻雜劑 濃度對于約2xl0"個離子/cn^的注入劑量而言約為1016-1018個離子 /cm"。墊氧化物層205中的碰撞可以使所注入的摻雜劑物質隨機分布， 這可以增大摻雜劑分布的陡度并且減少基區(qū)240中的溝道效應。例如， 當使用約15 keV的能量穿過約400 A的厚度注入摻雜劑物質時，摻 雜劑分布的目標范圍為約500 A,并且摻雜劑分布的標準偏差或離散 度約為100 A。在圖2D中，n型發(fā)射極245已經形成在墊氧化物205上方。發(fā) 射極245也穿過墊氧化物205的一部分而接觸基區(qū)240。用于形成發(fā) 射極245的技術在本領域中是已知的，并且為了清楚在這里將不會進 一步討論該技術。享有本申請公開內容益處的本領域技術人員同樣應 當明白，例如集電區(qū)、沉子(sinker)等的附加區(qū)域也可以形成作為 雙極晶體管200的部分。圖3A和圖3B在概念上示出了用于形成npn雙極晶體管300的 技術的第二示例性實施例。然而，享有本申請公開內容益處的本領域 技術人員應當明白，這些技術也可以被應用于pnp雙極晶體管的形 成。在第二示例性實施例中，通過刻蝕墊氧化物層205的背部部分來 將墊氧化物層205的厚度從初始厚度(如虛線225所示)更改直到區(qū) 域205 ( 2 )基本上被完全去掉。例如，可以刻蝕墊氧化物層205直到在區(qū)域205 (2)下方的區(qū)域中暴露硅層215的摻雜區(qū)210的一部分。 在圖3B中，附加的氧化物層305被淀積在區(qū)域205 ( 1， 3)和 摻雜層210的被暴露部分的上方?？梢钥刂频矸e工藝使得在摻雜層210 的被暴露部分上方的附加氧化物層305的厚度達到基于目標摻雜劑分 布所確定的值。例如，在摻雜層210被暴露部分上方的附加氧化物層 305的厚度可以為約400人。然后摻雜劑物質可以被離子注入到基區(qū) 315中，如箭頭310所示?；谠撃繕藫诫s劑分布和附加氧化物層305 的厚度來選擇所注入摻雜劑物質的能量。在所示出實施例中，以5-30 keV范圍內的相對低能量注入摻雜劑物質。例如，當附加氧化物層305 的厚度約為400 A時，可以約20keV的能量注入摻雜劑物質。圖4在概念上示出了例如可以使用圖2和圖3所示技術形成的摻 雜劑分布400、 405的示例性實施例。水平軸表示任意單位的到層中 的深度，而垂直軸表示任意單位的摻雜劑濃度。垂直的虛線415表示 墊氧化物層和硅層之間的邊界。通過選擇墊氧化物層的厚度和注入摻 雜劑物質的能量來形成摻雜劑分布400使得摻雜劑分布400的峰位于 墊氧化物層內。因此，在硅層中的摻雜劑分布400包括分布的尾部， 并且因此在硅層中的摻雜劑分布400是淺且陡峭的。通過選擇墊氧化 物層的厚度和注入摻雜劑物質的能量來形成摻雜劑分布405使得摻雜 劑分布405的峰位于硅層內。因此，在硅層中的摻雜劑分布405包括 分布405的尾部和峰。摻雜劑分布405相對較窄并且保持陡峭的尾部。 圖5在概念上示出了對于雙極晶體管的摻雜劑分布的示例性實 施例。水平軸表示任意單位的深度，而垂直軸表示任意單位的載流子 濃度。對于n型摻雜劑由字母"n，，來表示摻雜劑物質的類型，而對于p 型摻雜劑由字母"p，，來表示摻雜劑物質的類型。發(fā)射區(qū)由在延伸到約 0.5微米的區(qū)域中的濃度約1019 cm-s的n型摻雜劑形成?？梢允褂迷?這里所述的技術形成的基區(qū)從約0.5微米延伸到約0.68微米。在基區(qū) 中的p型摻雜劑濃度的范圍從約3xl017 cnT3到約1016 cnT3?；鶇^(qū)的尾 部是陡峭的并且不表現(xiàn)出任何溝道效應。在約0.68微米以下的深度處 用n型摻雜劑形成集電區(qū)。13圖6在概念上示出了傳統(tǒng)的摻雜劑分布600與使用在這里所描述 的技術的實施例而形成的摻雜劑分布605的比較。傳統(tǒng)的摻雜劑分布 600具有相對淺的尾部以及相對寬的標準偏差，這可能導致溝道效應。 相反，根據(jù)在這里所描述的技術的實施例而形成的摻雜劑分布605具 有相對陡峭的尾部以及相對窄的標準偏差，這可以減少在基區(qū)中的溝道效應o上面所公開的特定實施例僅僅是示例性的，因為所公開的主題可 以以對于享有在這里的教導益處的本領域技術人員顯而易見的不同 但是等同的方式來被修改和實踐。此外，并不意圖限制在這里所示的 結構或設計的細節(jié)，除了如在下面的權利要求中所描述的之外。因此， 顯然在上面所公開的特定實施例可以被改變或修改，并且所有這樣的 變化被認為在所公開的主題的范圍內。因此，在這里所尋求的保護如 在下面的權利要求中所陳述的。
權利要求
1.一種形成雙極晶體管的方法，包含以下步驟在用第一類型摻雜劑摻雜的材料的第一層上方形成第一絕緣層，所述第一層形成在襯底上方；基于目標摻雜劑分布來更改所述第一絕緣層的厚度；以及在所述第一層中注入第一類型的摻雜劑，所述摻雜劑以基于所更改的所述第一絕緣層厚度和所述目標摻雜劑分布而選擇的能量下被注入。
2. 如權利要求l所述的方法，包含以下步驟 在所述襯底上方淀積硅的第一層，所述襯底包含硅襯底和絕緣體上硅襯底中的至少一種；以及用第一類型的摻雜劑來摻雜所述材料的第一層。
3. 如權利要求2所述的方法，其中淀積第一氧化物層的步驟包 含以下步驟在所述材料的第一層上方淀積第一氧化物層；以及 將第二類型的摻雜劑穿過所述第一氧化物層注入到與所述第一氧化物層相鄰的所述材料的第一層的一部分中，摻雜劑的第二類型與 摻雜劑的第一類型相反。
4. 如權利要求3所述的方法，其中形成第一絕緣層的步驟包含 以下步驟通過熱工藝形成第一氧化物層并且生長所述第一氧化物層 的第一部分使得所述第一氧化物層的所述第一部分的厚度增大并且 所述第一氧化物層的第二部分的厚度保持基本相同。
5. 如權利要求4所述的方法，其中更改第一絕緣層的厚度的步 驟包含以下步驟刻蝕所述第一氧化物層使得所述第一氧化物層的所述第二部分 的厚度近似等于基于所述目標摻雜劑分布而選擇的目標厚度。
6. 如權利要求4所述的方法，其中更改第一絕緣層的厚度的步 驟包含以下步驟刻蝕所述第一氧化物層使得所述第一氧化物層的所述第二部分基本被去掉以暴露所述第一層的一部分；以及至少在所述第一層的所暴露部分上方淀積第二氧化物層，所述第 二氧化物層的厚度近似等于基于所述目標摻雜劑分布而選擇的目標 厚度。
7. 如權利要求5或6所述的方法，包含以下步驟基于所述目標 摻雜劑分布來選擇所述目標厚度。
8. 如權利要求7所述的方法，其中選擇所述目標厚度的步驟包 含以下步驟基于所述目標摻雜劑分布的目標離散度、所述目標摻雜 劑分布的目標標準偏差或者所述目標摻雜劑分布的峰的目標深度中 的至少一個來選擇所述目標厚度。
9. 如權利要求8所述的方法，其中在第一氧化物層中注入第一 類型的摻雜劑的步驟包含以下步驟對于p型摻雜劑使用約5-30 keV 的注入能量穿過具有約/400 A厚度的所更改的第一氧化物層來注入第 一類型的摻雜劑。
10. 如權利要求8所述的方法，其中在第一氧化物層中注入第一 類型的摻雜劑的步驟包含以下步驟對于n型摻雜劑使用約50-100 keV 的注入能量穿過具有約400 A厚度的所更改的第一氧化物層來注入第 一類型的摻雜劑。
11. 一種雙極晶體管，包含 襯底；材料的第一層，形成在所述襯底上方，所述第一層包含用第一類 型的摻雜劑摻雜的第一部分和用第二類型的摻雜劑摻雜的第二部分， 所述第二類型與所述第一類型相反；以及第一絕緣層，形成在所述第一層上方，其中所述第二部分通過以 下處理^皮摻雜基于目標摻雜劑分布來更改所述第一絕緣層的厚度；以及在所述第一層中注入第一類型的摻雜劑，所述摻雜劑以基于所述 第一絕緣層厚度和所述目標摻雜劑分布而選擇的能量被注入。
12. 如權利要求ll所述的雙極晶體管，其中所述襯底包含硅襯底 和絕緣體上硅襯底中的至少 一種。
13. 如權利要求12所述的雙極晶體管，其中所述第一絕緣層包含 第一氧化物層，而所述第一氧化物層包含第一部分，所述第一部分在 被淀積以增大所述第一氧化物層的第一部分的厚度之后被生長，并且 其中所述第 一氧化物層包含在被淀積之后不被生長的第二部分。
14. 如權利要求13所述的雙極晶體管，其中更改第一氧化物層的 厚度包含刻蝕所述第一氧化物層使得所述第一氧化物層的所述第二部分 的厚度近似等于基于所述目標摻雜劑分布而選擇的目標厚度。
15. 如權利要求13所述的雙極晶體管，其中更改第一氧化物層的 厚度包含刻蝕所述第一氧化物層使得所述第一氧化物層的所述第二部分 基本被去掉以暴露第一層的一部分；以及至少在所述第一層的所暴露部分上方淀積第二氧化物層，所述第 二氧化物層的厚度近似等于基于所述目標摻雜劑分布而選擇的目標 厚度。
16. 如權利要求ll所述的雙極晶體管，其中更改第一絕緣層的厚 度包含更改第一絕緣層的厚度以對應于基于所述目標摻雜劑分布而 選擇的目標厚度。
17. 如權利要求16所述的雙極晶體管，其中所述目標厚度基于所 述目標摻雜劑分布的目標離散度、所述目標摻雜劑分布的目標標準偏 差或者所述目標摻雜劑分布的峰的目標深度中的至少一個來選擇。
18. 如權利要求17所述的雙極晶體管，其中所述目標厚度約為 400 A并且對于p型摻雜劑被用來在第 一氧化物層中注入第 一類型的 摻雜劑的能量在5-30 keV的范圍內。
19. 如權利要求17所述的雙極晶體管，其中所述目標厚度約為 400 A并且對于n型摻雜劑被用來在第一氧化物層中注入第一類型的 摻雜劑的能量在50-100 keV的范圍內。
20.如權利要求ll所述的雙極晶體管，其中所述第一層包含硅， 并且所述雙極晶體管包含在所述第一層上方形成的多晶硅的第二層。
全文摘要
所公開的主題提供了一種形成雙極晶體管的方法，包括形成雙極晶體管的淺基區(qū)的方法。該方法包括在用第一類型摻雜劑摻雜的材料的第一層上方淀積第一絕緣層。該第一層形成在襯底上方。該方法還包括基于目標摻雜劑分布來更改第一氧化物層的厚度并且在該第一層中注入第一類型的摻雜劑。該摻雜劑以基于所更改的該第一絕緣層厚度和該目標摻雜劑分布而選擇的能量被注入。
文檔編號H01L21/3105GK101552202SQ20091012990
公開日2009年10月7日 申請日期2009年4月1日 優(yōu)先權日2008年4月2日
發(fā)明者C·J·斯派爾, T·J·克魯特西克 申請人:卓聯(lián)半導體(美國)公司