專利名稱：半導(dǎo)體器件的分離的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的分離，具體而言(但非排他地)，涉及在移除藍(lán)寶石襯底
之后的這種半導(dǎo)體器件的分離。
背景技術(shù)：
諸如發(fā)光二極管(LED)、激光二極管、光電探測器、晶體管以及開關(guān)等的GaN半導(dǎo) 體器件已被廣泛應(yīng)用。公知的應(yīng)用包括(但不限于)交通信號、移動(dòng)電話顯示背光源、液晶 顯示器(LCD)背光源、照相機(jī)的閃光燈等。制作用于LED、激光二極管或照明的氮化鎵半導(dǎo) 體的生產(chǎn)率相對較低。另外，利用已知技術(shù)制作的半導(dǎo)體器件其光輸出不是最優(yōu)的。而且， 對于那些形成有第二襯底的半導(dǎo)體器件而言，由于翹曲和切割襯底原因，其管理第二襯底 具有極大的難度，尤其是在移除第一襯底之后。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)例示性的方面，提供了一種制作半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括提供其 上設(shè)有多個(gè)外延層的襯底以及在保持所述多個(gè)外延層完整的情況下將所述襯底與所述多 個(gè)外延層分離。這保留了所述多個(gè)外延層的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性。 在分離襯底之后，可利用溝槽刻蝕來執(zhí)行器件隔離的第一階段。在襯底分離之后 可形成多個(gè)臺面，所述溝槽刻蝕是沿著每個(gè)臺面的邊緣進(jìn)行的。所述臺面可形成在由所述 溝槽限定的區(qū)域。所述溝槽刻蝕可以刻透所述外延層。 在所述器件隔離的第一階段之后，所述方法可還包括焊盤刻蝕。在焊盤刻蝕之后， 可執(zhí)行芯片隔離的最后階段。 在所述芯片隔離的第一階段之前，可施加一層光刻膠層以在刻蝕工藝中保護(hù)所述 多個(gè)外延層的n型層的區(qū)域。繼所述芯片隔離的第一階段之后，第一絕緣層可被暴露在臺 面周圍，且光刻膠層可被去除。第二絕緣層可施加于所述第一絕緣層的被曝露的表面、所述 外延層的側(cè)邊以及所述外延層的中央，然后可實(shí)施焊盤刻蝕以移除所述第二絕緣層的至少 一部分以暴露所述外延層的部分表面。在所述第二絕緣層的被暴露的表面和所述外延層的 被暴露的表面的中央可施加另一光刻膠層，從而留下用于對所述外延層的被暴露的表面進(jìn) 行刻蝕的間隙。可在所述間隙實(shí)施刻蝕以在所述外延層的被暴露的表面上形成表面結(jié)構(gòu)。 所述另一光刻膠層可被去除并施加新的光刻膠層；可以實(shí)施刻蝕以暴露厚圖案的端部。
在芯片隔離之后，可在所述n型層上形成n型歐姆接觸陣列。 該方法可還包括在從所述多個(gè)外延層分離襯底之前，在所述多個(gè)外延層上形成至 少一個(gè)種子層；以及在所述至少一個(gè)種子層上形成外部層，所述外部層相對較厚，并且用作 選自由下列用于所述半導(dǎo)體器件的元件所組成的群組的至少其中之一 新襯底、結(jié)構(gòu)支撐、 熱沉、散熱器、電流發(fā)散器和作為端子。
在形成所述至少一個(gè)種子層之前 可在所述多個(gè)外延層的p型層上施加p型金屬歐姆接觸層；
可在所述p型金屬歐姆接觸層和p型層上施加電介質(zhì)層； 可將所述金屬歐姆接觸層上的電介質(zhì)層去除；以及 可在所述電介質(zhì)層和金屬歐姆接觸層上沉積所述至少一個(gè)種子層。 在沉積所述至少一個(gè)種子層之后并且在形成所述外部層之前，可在所述至少一個(gè)
種子層上施加所述厚圖案，其中所述外部層是形成于所述厚圖案之間的。 根據(jù)另一個(gè)例示性的方面，本發(fā)明提供了一種制作半導(dǎo)體器件的方法。該方法包
括提供其上設(shè)有多個(gè)外延層的襯底并施加圖案。在所述圖案之間形成外部層；所述外部層
至少有O. 3mm厚，并且用作用于所述半導(dǎo)體器件的下列元件的至少其中之一 新襯底、結(jié)構(gòu)
支撐、熱沉、散熱器、電流發(fā)散器和作為端子。將所述襯底與所述多個(gè)外延層分離。所述外部層至少有l(wèi)mm厚或至少有2mm厚。 所述圖案的材料可以是一種不會粘附到所述外部層的材料，使得無須為了芯片分 離而切割所述外部層。將所述襯底從所述多個(gè)外延層分離可以是在保持所述多個(gè)外延層完 整的情況下進(jìn)行的，其保留了所述多個(gè)外延層的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性。所述圖案可定義所 述半導(dǎo)體器件的單個(gè)器件。 在施加所述圖案之前，可在所述多個(gè)外延層上形成至少一個(gè)種子層，其中所述圖 案是施加在所述至少一個(gè)種子層上的。在形成所述至少一個(gè)種子層之前，可在所述多個(gè)外 延層的P型層上施加P型金屬歐姆接觸層，可在所述P型金屬歐姆接觸層和P型層上施加 電介質(zhì)層?？蓪⑺鼋饘贇W姆接觸層上的電介質(zhì)層去除?？稍谒鲭娊橘|(zhì)層和金屬歐姆接 觸層上沉積所述至少一個(gè)種子層。
附圖簡要說明 為了全面理解本發(fā)明并容易地將本發(fā)明投入實(shí)用，現(xiàn)在將通過非限制性示例結(jié)合 附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
在附圖中

圖1是在制作工藝的第一階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖2是在制作工藝的第二階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖3是在制作工藝的第三階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖4是在制作工藝的第四階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖5是在制作工藝的第五階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖6是在制作工藝的第六階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖7是在制作工藝的第七階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖8是在制作工藝的第八階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖9是在制作工藝的第九階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖10是在制作工藝的第十階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖11是在制作工藝的第十一階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖12是在制作工藝的第十二階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖13是在制作工藝的第十三階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖14是在制作工藝的第十四階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；
圖15是在制作工藝的第十五階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意圖；以及
圖16是在制作工藝的第十六階段的半導(dǎo)體的不依比例的橫截面示意具體實(shí)施例方式
下文描述的GaN器件是由外延晶片制作的，其中外延晶片由藍(lán)寶石襯底上的薄半 導(dǎo)體層(稱為外延層)的疊層構(gòu)成。外延層的組分和厚度根據(jù)晶片設(shè)計(jì)而定，其決定了由 該晶片制成的器件所發(fā)出的光的顏色(波長)。通常會在藍(lán)寶石襯底上首先沉積一層薄緩 沖層，其厚度通常在10到30納米范圍內(nèi)，可以是AIN或者GaN。本說明書不對該層做描述 或圖示。在薄緩沖層的頂面可以形成另一層緩沖層，其可以是相對厚的緩沖層。另一緩沖 層的厚度可以在l至7微米的范圍內(nèi)。在相對厚的緩沖層上形成有其他層，例如，GaN層、 AIGaN層、InN層、InGaN層、AIGalnN層等。為了達(dá)到高晶片質(zhì)量，通常在緩沖層上沉積n型 層，接著是有源區(qū)。最后，沉積P型摻雜層。有源區(qū)通常是由單個(gè)量子阱或多個(gè)量子阱構(gòu)成 的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，其用于產(chǎn)生光。但其也可以是其它形式，例如量子點(diǎn)。外延層的沉積通常是 利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(M0CVD)或分子束外延法(MBE)進(jìn)行。外延層的厚度是在幾 納米至幾微米的范圍內(nèi)。 本工藝是在氮化鎵(GaN)的n型層3、量子阱或有源層2和GaN的p型層1已施加 于藍(lán)寶石襯底4之后開始。為簡化說明，n型層3包括有源層2下面的所有層，包括兩個(gè)緩 沖層和其它上述提到的層。P型層1厚度相對較薄 一通常不超過、但優(yōu)選地小于1微米。P 型金屬層5然后施加于p型層1上。p型金屬層5可以是鎳金(NiAu)或其他合適的金屬， 且優(yōu)選地相對較薄使其為透明的。可選擇地，其可以是反射式的。更具體而言，其作為一個(gè) 擴(kuò)散阻擋層以防止向外延層1、2和3中的擴(kuò)散或?qū)⑦@種擴(kuò)散降至最低。
然后利用標(biāo)準(zhǔn)光刻和刻蝕來圖案化金屬層5。這是通過在金屬層5上形成薄光刻 膠層(圖2中的層6(a))然后進(jìn)行光刻膠曝光和顯影的方式來完成的。光刻膠圖案6(a) 充當(dāng)用于刻蝕金屬層5的刻蝕掩模?？涛g可以是濕法刻蝕或等離子干法刻蝕(見圖2)。光 刻膠6 (a)然后被去除。保留在p型GaN層1的表面上的圖案化金屬層5將用作對p型GaN 層1的歐姆接觸層。退火工藝可以在金屬層5被圖案化之前或之后進(jìn)行。
二氧化硅(Si02)層7利用標(biāo)準(zhǔn)薄膜沉積法沉積在剩余的p型金屬層部分5和p 型GaN層l(圖3)上。這可以使用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、濺射、蒸鍍或其他合 適的技術(shù)來完成。 如圖4所示，第二光刻膠6(b)被施加于氧化物層7上。光刻膠然后被圖案化并作 為用于圖案化該氧化物層7的掩模。對氧化物層7施行濕法刻蝕或干法刻蝕(等離子刻 蝕)。在沒有光刻膠6 (b)的區(qū)域7 (a)內(nèi)的氧化物7被去除，而受光刻膠6 (b)保護(hù)的氧化 物7在刻蝕后得以保留。如圖4所示，被圖案化的第二光刻膠層6(b)在面積上大于NiAu 層5，使得剩余的Si02層7延伸跨過NiAu層5并沿NiAu層5側(cè)邊向下延伸直到p型GaN 層l。 如圖5所示，第二光刻膠層6(b)被去除，接著沉積種子層。種子層8是多個(gè)不同 的金屬層，優(yōu)選地是如圖所示的三層不同的金屬層。第一金屬層11與AiAu層5和Si02層 7接觸并粘附良好，且其材料可為鉻或鈦。接著是第二層10和第三層9，其材料分別為鉭和 銅。但也可以使用其它材料。優(yōu)選地是，第一種子層ll對發(fā)光器件產(chǎn)生的光具有良好的反 射性。第二種子層10作為擴(kuò)散阻擋層，防止位于其頂部的銅或其他材料(例如，第三種子 層9)擴(kuò)散進(jìn)入歐姆接觸層6和半導(dǎo)體外延層1、2和3。第三種子層9作為形成后續(xù)層的種子層。 種子層9、10和11的熱膨脹系數(shù)可以與GaN的熱膨脹系數(shù)3. 17不同。雖然歐姆
接觸層(Ni和Au)的熱膨脹系數(shù)(分別為14. 2和13. 4)也與GaN的熱膨脹系數(shù)不同，但他
們相對較薄(幾個(gè)納米)，不會對下面的GaN外延層造成嚴(yán)重的應(yīng)力問題。然而，之后增設(shè)
的銅層可達(dá)數(shù)百微米的厚度，因此可能造成嚴(yán)重的應(yīng)力問題。故這些種子層9、10和11可
用于緩沖這種應(yīng)力。這可以通過下列方式中的一個(gè)或多個(gè)來實(shí)現(xiàn) (a)通過具有足夠的柔性來吸收這種應(yīng)力； (b)通過具有足夠的內(nèi)部滑移特性來吸收這種應(yīng)力； (c)通過具有足夠的剛度來承受這種應(yīng)力；以及 (d)通過具有逐漸變化的熱膨脹系數(shù)。 在逐漸變化的熱膨脹系數(shù)的情況下，第一層11的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選地是小于第二 層10的熱膨脹系數(shù)，且第二層10的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選地是小于第三層9的熱膨脹系數(shù)。例 如，第一層11可以是熱膨脹系數(shù)為4. 9的鉻，且第二層10可以是熱膨脹系數(shù)為6. 3的鉭， 第三層9可以是熱膨脹系數(shù)為16. 5的銅。這樣，熱膨脹系數(shù)從歐姆接觸層5和Si02層7 逐漸變化至第三銅層9。這些種子層9、 10和11的厚度的選擇應(yīng)使得施加在這些外延層1、 2和3上的應(yīng)力最小。 如果外部的銅層9直接施加于Si02層7和歐姆接觸層5，則它們的熱膨脹率的差 異會導(dǎo)致碎裂、分離和/或失效。通過沉積多層不同材料，特別是彼此具有不同熱膨脹系數(shù) 的金屬的種子層9、10、11，熱膨脹的應(yīng)力分散在種子層9、10、11上，結(jié)果降低了碎裂、分離 和/或失效的可能性。第一種子層11應(yīng)當(dāng)是一種熱膨脹系數(shù)相對較低的材料，而最終層9 可以具有較高的熱膨脹系數(shù)。如果存在一個(gè)(多個(gè))中間層IO，則該一個(gè)(多個(gè))中間層 的熱膨脹系數(shù)應(yīng)當(dāng)是介于層11和層9的熱膨脹系數(shù)之間，且應(yīng)當(dāng)從第一層11逐漸變化至 最終層9。也可以沒有中間層10，或者可以根據(jù)任何需求或期望設(shè)置任何數(shù)目的中間層(一 層、兩層或三層等)。 可選擇地，種子層9、10、11可以被替換為單個(gè)電介質(zhì)層，例如，具有過孔或通孔的 AIN，以使銅層9能夠連接至p型金屬層5。 為了圖案化鍍上相對厚的導(dǎo)電金屬(例如銅)層29(將在原始襯底4被去除之后 用作新襯底、電氣接點(diǎn)、散熱器、電流發(fā)散器、熱沉和物理支撐)，利用標(biāo)準(zhǔn)光刻將厚光刻膠 圖案12施加到外部的第三種子層9上或其內(nèi)(圖6)。厚金屬層29形成在厚光刻膠12之 間的且由厚光刻膠12限定的區(qū)域30中。該厚金屬層29可以通過電鍍來形成，且可以形成 在厚光刻膠12上以形成單個(gè)金屬支撐層29。由于p型層1相對較薄，有源層2中產(chǎn)生的熱 量能夠更容易被傳遞至厚金屬層29。厚金屬層29可以具有任何合適的厚度，例如0. 3mm、 lmm、2mm或超過2mm。 可選擇地，在施加厚光刻膠12之前，第三種子層9可以在用于形成厚光刻膠 12(圖6)和鍍上主銅層29(圖7)的臺面(mesa)32之間的劃片街區(qū)(street)31的中央?yún)^(qū) 域被部分刻蝕。這樣做具有改善粘附性的好處。 光刻膠12可以例如是SU-8或其它任何能夠形成高深寬比圖案的材料。光刻膠12 的圖案界定了器件的最終形狀和尺寸。 然后實(shí)施藍(lán)寶石襯底4的移除或剝離(圖8和圖9)。提供一種軟性緩沖材料33來封裝整個(gè)晶片或晶片材料的一部分，藍(lán)寶石襯底4的下表面被暴露在外。該緩沖材料33 可以例如是乳膠橡膠、硅膠、環(huán)氧樹脂、乳膠、膠粘劑、導(dǎo)熱膠、Crystal BondTM粘合劑、蠟或 類似材料。 使用激光器37施加一光束36穿過藍(lán)寶石襯底4到達(dá)藍(lán)寶石襯底4與n型GaN層 3之間的界面以分離該藍(lán)寶石襯底4和n型GaN層3。該光束36可以是發(fā)散(如圖所示) 或準(zhǔn)直光束。這樣，藍(lán)寶石襯底4被從多個(gè)外延層上移除，同時(shí)保持了這些外延層的完整。 這種方式保持了這些外延層1、2、3的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性。接著該軟性緩沖層33可被去 除。 這樣就暴露了n型GaN層3的最下面的表面13。優(yōu)選的是，在外延層完整時(shí)實(shí)施 剝離襯底4，以改善移除質(zhì)量和保證結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。通過在移除時(shí)保持外延層3的完整，外延層 的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性得以保持。 如圖10所示，然后利用如圖12至14所示的沿臺面39邊緣40對新暴露出的表面 進(jìn)行溝槽刻蝕，使單個(gè)器件彼此隔離，其中在刻蝕工藝中光刻膠層41保護(hù)n型GaN層3的 區(qū)域。這讓Si02層7暴露于臺面39周圍。光刻膠41接著被移除。 可選擇地，n型層3的最下面的表面13可以在與光刻膠12對齊的位置處被解離， 分離出多個(gè)芯片。這種方式對激光二極管是有利的，因?yàn)閚型層3的被暴露的側(cè)面是基本 平行的，從而形成鏡面并因此導(dǎo)致大量全內(nèi)反射。其充當(dāng)用于改善的定向光輸出的光放大 系統(tǒng)。 Si02層42形成于Si02層7的被暴露的表面、n型GaN層3的側(cè)面以及n型GaN 層3的中央(圖11)。接著實(shí)施焊盤刻蝕以移除Si02層以暴露n型層3的表面13。
又一個(gè)光刻膠層43施加于Si02層42的被暴露的表面和被暴露的表面13的中央， 因而留下一個(gè)間隙16用于對被暴露的表面13進(jìn)行刻蝕。接著在間隙16實(shí)施刻蝕以在被 暴露的表面13上形成表面結(jié)構(gòu)。 光刻膠43去除之后，新的光刻膠層44施加于被暴露的下表面上的除了那些與厚 圖案12對齊的區(qū)域之外的所有區(qū)域上。然后實(shí)施刻蝕刻透Si02層42和7以及種子層8 (圖 14)，直到暴露出厚圖案12的端部。 然后施加一個(gè)或多個(gè)金屬層18在光刻膠44上，該層18在n型GaN層3的中央 具有間隙17，以使層18直接施加在GaN層3上(圖15)。去除附有金屬層18的光刻膠層 44，而留下附著到n型GaN層3的中央7 (之前間隙7的位置)的層18。金屬層18可為一 層或多層。所有金屬層18可以是相同或不同。它們可以例如分別是18(a)鈦；18(b)鋁； 18(c)鈦和18(d)金。 接著對厚的銅層29進(jìn)行拋光磨平(圖16)。由于這些圖案12沒有粘結(jié)到厚的銅 層29上，這些芯片然后通過物理分離法進(jìn)行分離。這意味著不需要將厚的銅層29切片或 利用其它方法切割成單獨(dú)器件。 這樣，種子層11 、 10、9和銅層29用作增加光輸出的反射體，而銅層29作為其中一 個(gè)端子，因而不會干涉光輸。第二端子是n型GaN層3上的層18。 雖然已經(jīng)在前述描述中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理 解的是，在不背離本發(fā)明的情況下，有關(guān)設(shè)計(jì)或構(gòu)造細(xì)節(jié)可以進(jìn)行多種變化或改進(jìn)。
權(quán)利要求
一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括提供襯底，所述襯底上設(shè)有多個(gè)外延層；以及在保持所述多個(gè)外延層完整的情況下將所述襯底與所述多個(gè)外延層分離，以保留所述多個(gè)外延層的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在分離襯底之后，利用溝槽刻蝕來執(zhí)行器件隔離的第一階段。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中在襯底分離之后形成多個(gè)臺面，所述溝槽刻蝕是沿著每個(gè)臺面的邊緣進(jìn)行的。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述臺面形成在由所述溝槽限定的區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求4或5所述的方法，其中所述溝槽刻蝕刻透所述外延層。
6. 如權(quán)利要求2至7任意一項(xiàng)所述的方法，其中在所述器件隔離的第一階段之后，所述方法還包括焊盤刻蝕。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中在焊盤刻蝕之后，執(zhí)行芯片隔離的最后階段。
8. 如權(quán)利要求3至7任意一項(xiàng)所述的方法，其中在所述芯片隔離的第一階段之前，施加一層光刻膠層以在刻蝕工藝中保護(hù)所述多個(gè)外延層的n型層的區(qū)域。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中繼所述芯片隔離的第一階段之后，第一絕緣層被暴露在臺面周圍，且光刻膠層被去除。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中第二絕緣層施加于所述第一絕緣層的被曝露的表面、所述外延層的側(cè)邊以及所述外延層的中央，然后實(shí)施焊盤刻蝕以移除所述第二絕緣層的至少一部分以暴露所述外延層的部分表面。
11. 如權(quán)利要求io所述的方法，其中在所述第二絕緣層的被暴露的表面和所述外延層的被暴露的表面的中央施加另一光刻膠層，從而留下用于對所述外延層的被暴露的表面進(jìn)行刻蝕的間隙；在所述間隙實(shí)施刻蝕以在所述外延層的被暴露的表面上形成表面結(jié)構(gòu)。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述另一光刻膠層被去除并施加新的光刻膠層；實(shí)施刻蝕以暴露厚圖案的端部。
13. 如權(quán)利要求8至12任意一項(xiàng)所述的方法，其中在芯片隔離之后，在所述n型層上形成n型歐姆接觸陣列。
14. 如權(quán)利要求1至13任意一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括在從所述多個(gè)外延層分離襯底之前，在所述多個(gè)外延層上形成至少一個(gè)種子層；以及在所述至少一個(gè)種子層上形成外部層，所述外部層相對較厚，并且用作選自由下列用于所述半導(dǎo)體器件的元件所組成的群組的至少其中之一 新襯底、結(jié)構(gòu)支撐、熱沉、散熱器、電流發(fā)散器和作為端子。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中在形成所述至少一個(gè)種子層之前在所述多個(gè)外延層的P型層上施加P型金屬歐姆接觸層；在所述P型金屬歐姆接觸層和P型層上施加電介質(zhì)層；將所述金屬歐姆接觸層上的電介質(zhì)層去除；以及在所述電介質(zhì)層和金屬歐姆接觸層上沉積所述至少一個(gè)種子層。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，當(dāng)其依附于權(quán)利要求12時(shí)，在沉積所述至少一個(gè)種子層之后并且在形成所述外部層之前，在所述至少一個(gè)種子層上施加所述厚圖案，其中所述外部層是形成于所述厚圖案之間的。
17. 如權(quán)利要求15或16所述的方法，其中所述電介質(zhì)選自由氧化物和氮化物組成的群組。
18. 如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括作為該工藝中最后一個(gè)步驟的芯片分離。
19. 如權(quán)利要求1至18任意一項(xiàng)所述的方法，其中激光器用于施加光束穿過所述襯底至所述襯底與所述多個(gè)外延層的n型層之間的界面，以將所述襯底與所述多個(gè)外延層分離，所述光束選自由發(fā)散光束和準(zhǔn)直光束所組成的群組。
20. —種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括提供其上設(shè)有多個(gè)外延層的襯底；施加圖案至所述多個(gè)外延層；在所述圖案之間形成外部層；所述外部層至少有0. 3mm厚，并且用作選自由下列用于所述半導(dǎo)體器件的元件所組成的群組的至少其中之一 新襯底、結(jié)構(gòu)支撐、熱沉、散熱器、電流發(fā)散器和作為端子；以及將所述襯底與所述多個(gè)外延層分離。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述外部層至少有l(wèi)mm厚。
22. 如權(quán)利要求20或21所述的方法，其中所述外部層至少有2mm厚。
23. 如權(quán)利要求20至22任意一項(xiàng)所述的方法，其中所述圖案的材料是一種不會粘附到所述外部層的材料，使得無須為了芯片分離而切割所述外部層。
24. 如權(quán)利要求20至23任意一項(xiàng)所述的方法，其中將所述襯底從所述多個(gè)外延層分離是在保持所述多個(gè)外延層完整的情況下進(jìn)行的，其保留了所述多個(gè)外延層的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性。
25. 如權(quán)利要求20至24任意一項(xiàng)所述的方法，其中所述圖案定義了所述半導(dǎo)體器件的單個(gè)器件。
26. 如權(quán)利要求20至25任意一項(xiàng)所述的方法，其中在施加所述圖案之前，在所述多個(gè)外延層上形成至少一個(gè)種子層，其中所述圖案是施加在所述至少一個(gè)種子層上的。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中在形成所述至少一個(gè)種子層之前在所述多個(gè)外延層的P型層上施加P型金屬歐姆接觸層；在所述P型金屬歐姆接觸層和P型層上施加電介質(zhì)層；將所述金屬歐姆接觸層上的電介質(zhì)層去除；以及在所述電介質(zhì)層和金屬歐姆接觸層上沉積所述至少一個(gè)種子層。
28. 如權(quán)利要求20至27任意一項(xiàng)所述的方法，其中激光器用于施加光束穿過所述襯底至所述襯底與所述多個(gè)外延層的n型層之間的界面，以將所述襯底與所述多個(gè)外延層分離，所述光束選自由發(fā)散光束和準(zhǔn)直光束所組成的群組。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括提供其上設(shè)有多個(gè)外延層的襯底以及在保持外延層完整的情況下將襯底與外延層分離。這種方式保留了這些外延層的電氣、機(jī)械和光學(xué)特性。
文檔編號H01L21/26GK101743619SQ200880023028
公開日2010年6月16日 申請日期2008年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者康學(xué)軍, 林世鳴, 林卉敏, 袁述 申請人:霆激技術(shù)有限公司