專利名稱：顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示面板及其制造方法，尤其涉及具備將具有發(fā)光元件的 多個顯示元件排列而成的顯示面板的顯示面板、及該顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為便攜式電話或便攜式音樂播放器等電子設(shè)備的顯示器，
已知有采用將自發(fā)光元件即有機電致發(fā)光元件(以下簡稱為"有機EL元 件")二維排列的顯示面板(有機EL顯示面板)的顯示器。尤其在采用有 源矩陣驅(qū)動方式的有機EL顯示面板中，與廣泛普及的液晶顯示裝置相比 較，具有顯示應(yīng)答速度快、視野角依賴性也小等優(yōu)良的顯示特性，并且具 有不像液晶顯示裝置那樣需要背光燈或?qū)Ч獍宓难b置結(jié)構(gòu)上的特征。因此， 期待著今后在各種電子設(shè)備中的應(yīng)用。
眾所周知，有機EL元件大致具有在玻璃基板等的一面?zhèn)纫来螌盈B陽極 電極、有機EL層(發(fā)光層)、陰極電極的元件結(jié)構(gòu)，通過對陽極電極施加 正電壓、對陰極電極施加負電壓，使得有機EL層超過發(fā)光閾值，由此基于 在有機EL層內(nèi)注入的空穴和電子再結(jié)合時產(chǎn)生的能量來放射光(激發(fā)光)。
這里，已知有如下的底部放射型的發(fā)光結(jié)構(gòu)在玻璃基板的一面?zhèn)刃?成了有機EL元件(發(fā)光元件)的顯示面板中，通過具有光透射性的電極材 料來形成經(jīng)由上述有機EL層對置形成的一對電極(陽極電極、陰極電極) 中的任何一個，通過具有光反射性的電極材料來形成另一個，由此向玻璃 基板的另一面?zhèn)确派涔狻?br> 這里，在上述的制造方法中，在基板上的形成透明電極的區(qū)域，在形 成透明電極之前除去沉積的層間絕緣膜等薄膜，然后形成透明電極。作為 在基板上形成透明電極的工序之前進行的層間絕緣膜等薄膜的蝕刻工序， 如果采用氧和SF06的混合氣體等進行干法蝕刻，則形成透明電極的區(qū)域上 的玻璃基板也被蝕刻，因此玻璃基板的厚度變得不均勻。這樣在將有機EL
5元件形成在厚度不均勻的基板上的顯示面板中，在發(fā)光工作中，在從有機
EL層經(jīng)由基板放射光時，因基板厚度不均勻，產(chǎn)生光散射或光的干涉的不 均勻，導(dǎo)致色偏或發(fā)光亮度(發(fā)光強度)的波動，存在產(chǎn)生圖像污點或模 糊等顯示特性劣化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種可抑制色偏和發(fā)光 亮度(發(fā)光強度)的波動、沒有圖像污點和模糊的、顯示特性優(yōu)良的顯示 面板及該顯示面板的制造方法。
本發(fā)明的第1發(fā)明涉及一種顯示面板的制造方法，所述顯示面板具備 由第一電極、至少由一層構(gòu)成的載流子輸送層、和第二電極層疊而成的發(fā)
光元件，其中，該方法包括以下工序在所述基板上的規(guī)定區(qū)域上形成所 述第一電極的工序；在含有所述第一電極的所述基板上形成絕緣膜后，通 過蝕刻將該絕緣膜圖案化而形成只露出所述第一電極的規(guī)定區(qū)域的開口部 的工序；至少在所述開口部露出的所述第一電極上形成所述載流子輸送層 的工序。
第2發(fā)明是在第1發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，所述絕緣膜通 過浸蝕基板的蝕刻氣體進行圖案化，所述絕緣膜是氮化硅或氧化硅。
第3發(fā)明是在第2發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，所述蝕刻氣體 是氧和SF06的混合氣體。
第4發(fā)明是在第1發(fā)明至第3發(fā)明中任何一項所述的顯示面板的制造 方法中，形成有所述開口部的所述絕緣膜包含晶體管的柵極絕緣膜。
第5發(fā)明是在第4發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，包括在形成所 述第一電極的工序后，形成所述晶體管的源電極或漏電極中的任何一個的 工序。
第6發(fā)明是在第1發(fā)明至第3發(fā)明中任何一項所述的顯示面板的制造 方法中，形成有所述開口部的所述絕緣膜包含層間絕緣膜。
第7發(fā)明是在第6發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，包括在所述層 間絕緣膜上通過將感光性樹脂層圖案化而形成堤(bank)的工序。
第8發(fā)明是在第7發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，包括在形成堤的工序后，用純水洗滌所述基板，并實施氧等離子體處理或uv臭氧處理，
使所述第一電極表面相對于含有有機化合物的液體親液化的工序。
第9發(fā)明是在第8發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，包括在使所述 第一電極親液化的工序后，使所述堤的表面相對于所述含有有機化合物的 液體疏液化的工序。
第10發(fā)明是在第9發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，形成所述載流
子輸送層的工序是在使所述堤的表面疏液化的工序后，涂布所述含有有機 化合物的液體來形成所述載流子輸送層。
第11發(fā)明是在第10發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，包括在形成
所述載流子輸送層的工序后，在所述載流子輸送層上形成所述第二電極的 工序。
第12發(fā)明是在第4發(fā)明所述的顯示面板的制造方法中，包括在形成所 述第一電極的工序之前，在所述基板上用酸系蝕刻劑通過濕法蝕刻形成所 述晶體管的柵電極的工序。
第13發(fā)明涉及一種顯示面板的制造方法，所述顯示面板具備由第一電 極、至少由一層構(gòu)成的載流子輸送層、和第二電極層疊而成的發(fā)光元件，
其中，該方法包括以下工序
在所述基板上的規(guī)定區(qū)域上形成所述第一電極的工序；
在形成所述第一電極后，沉積所述晶體管的所述絕緣膜，通過蝕刻氣 體只除去所述第一電極上的所述絕緣膜的工序；
在所述第一電極上形成所述載流子輸送層的工序；
在所述載流子輸送層上形成所述第二電極的工序。
第14發(fā)明涉及一種顯示面板，其具備由第一電極、至少由一層構(gòu)成的 載流子輸送層、和第二電極層疊而成的發(fā)光元件，其中，該顯示面板包括 基板，其具有在絕緣膜的蝕刻氣體中不暴露的規(guī)定區(qū)域； 所述第一電極，其設(shè)在所述基板的所述規(guī)定區(qū)域上；
所述絕緣膜，其形成于包含所述第一電極的所述基板上，具有露出所 述第一電極的規(guī)定區(qū)域的開口部；
所述載流子輸送層，其至少形成于在所述開口部露出的所述第一電極
上；所述第二電極，其形成于發(fā)光層上。


本發(fā)明通過以下的詳細說明及附示來進行更充分地理解，但這些 是主要用于說明本發(fā)明，并不限定本發(fā)明的范圍。其中
圖1是表示本發(fā)明的顯示面板的像素排列狀態(tài)的一例的簡要俯視圖。
圖2是表示本發(fā)明的在顯示面板中二維排列的顯示像素(發(fā)光元件及 像素驅(qū)動電路)的電路結(jié)構(gòu)例的等價電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的顯示面板中可使用的顯示像素的一例的平面布局圖。
圖4是具有本實施方式的平面布局的顯示像素的簡要剖視圖。 圖5是表示本實施方式的顯示面板的制造方法的一例的工序剖視圖。 (其一)。
圖6是表示本實施方式的顯示面板的制造方法的一例的工序剖視圖。 (其二)。
圖7是表示本實施方式的顯示面板的制造方法的一例的工序剖視圖。 (其三)。
圖8是表示本實施方式的顯示面板的制造方法的一例的工序剖視圖。 (其四)。
圖9是表示本實施方式的顯示面板的制造方法的一例的工序剖視圖。 (其五)。
具體實施例方式
下面，對本發(fā)明的顯示面板及其制造方法，通過例示實施方式進行詳 細說明。
<顯示面板〉
首先，對本發(fā)明的顯示面板(有機EL顯示面板)及顯示像素的一實施 方式進行說明。
圖1是表示本發(fā)明的顯示面板的像素排列狀態(tài)的一例的簡要俯視圖， 圖2是表示本發(fā)明的在顯示面板中二維排列的顯示像素(發(fā)光元件及像素
8驅(qū)動電路)的電路結(jié)構(gòu)例的等價電路圖。另外，在圖1所示的俯視圖中， 為了便于說明，只示出從顯示面板的一面?zhèn)?有機EL元件的形成側(cè))觀看 的、設(shè)在各顯示像素上的像素電極的配置與各布線層的配設(shè)結(jié)構(gòu)的關(guān)系、 及與劃定各顯示像素的形成區(qū)域的堤(隔壁)的配置關(guān)系，省略了為發(fā)光
驅(qū)動各顯示像素的有機EL元件而設(shè)在各顯示像素上的圖2所示的像素驅(qū)動 電路內(nèi)的晶體管等的表示。此外，在圖1中，為了使像素電極及各布線層、 堤的配置清晰，方便地用陰影線來顯示。
如圖1所示，本實施方式的顯示面板10在玻璃基板等絕緣性的基板11
的一面?zhèn)?紙面跟前側(cè))具備在行方向(圖面左右方向)配設(shè)的多個選
擇線Ls、與該選擇線Ls并行地配設(shè)在行方向的多個電源電壓線(例如陽極 線)Lv、在與選擇線Ls及電源電壓線Lv直交的列方向(圖面上下方向) 配設(shè)的多個數(shù)據(jù)線Ld。在包含選擇線Ls與數(shù)據(jù)線Ld的各交點的區(qū)域上配 置有各顯示像素PIX (子像素PXr、 PXg、 PXb)。此外，在選擇線Ls上在 一方的端部設(shè)有端子墊片PLs，在電源電壓線Lv上在一方的端部設(shè)有端子 墊片PLv。
這里，在上述顯示面板10與彩色顯示對應(yīng)的情況下，如圖1所示，在 行方向(圖面左右方向)重復(fù)排列例如紅(R)、綠(G)、藍(B)三色的 各自的子像素(以下，為了方便簡稱為"色像素")PXr、 PXg、 PXb，并且 在列方向(圖面上下方向)排列多個同一色的色像素PXr、 PXg、 PXb。在 這種情況下，以在行方向(圖面左右方向)上相鄰的RGB三色的色像素PXr、 PXg、 PXb為一組，形成1個顯示像素PIX。在只有單色發(fā)光的色像素的顯 示面板(單色顯示面板)的情況下，各個色像素構(gòu)成1個顯示像素PIX。
此外，在與彩色顯示對應(yīng)的顯示面板10中，如后述的制造方法所示， 在涂布或蒸鍍含有高分子系或低分子系的有機材料的溶液來形成有機EL 層的情況下，如圖l所示，例如由絕緣性材料構(gòu)成的堤(隔壁)15從基板 11的一面?zhèn)韧怀觯湓O(shè)成具有柵狀或格子狀的平面形狀，從而使得按照每 個顯示像素(色像素)PIX來圍取各自的有機EL層形成區(qū)域。由此，劃定 圖3所示的像素形成區(qū)域Rpx內(nèi)的有機EL元件OLED的形成區(qū)域(圖3 所示的EL元件形成區(qū)域Rel)。這里，在圖1所示的具有柵狀的平面形狀的 堤15的情況下，在列方向(圖面上下方向)排列的同一色的多個色像素PXr、PXg或PXb的像素電極(例如陽極電極)12被包含在1個EL元件形成區(qū) 域Rel內(nèi)。
顯示像素PIX (各色像素PXr、 PXg、 PXb)，例如如圖2所示，可采用 如下的電路結(jié)構(gòu)，該電路結(jié)構(gòu)具有:像素驅(qū)動電路DC，其在基板11上具 有多個晶體管(例如無定形硅薄膜晶體管等)；和有機EL元件(發(fā)光元件) OLED，其通過將由該像素驅(qū)動電路DC生成的發(fā)光驅(qū)動電流供給到上述像 素電極12而進行發(fā)光工作。
具體地講，例如如圖2所示，像素驅(qū)動電路DC具備晶體管(選擇晶 體管)Trll，其中柵極端子連接在選擇線Ls上，漏極端子連接在數(shù)據(jù)線Ld 上，源極端子連接在接點N11上；晶體管(驅(qū)動晶體管，功能元件)Trl2， 其中柵極端子連接在接點N11上，漏極端子連接在電源電壓線Lv上，源極 端子連接在接點N12上；和電容器Cs，其被連接在晶體管Trl2的柵極端
子與源極端子之間。
這里，晶體管Trll、 Trl2都采用具有薄膜結(jié)構(gòu)的n通道型的場效應(yīng)晶 體管(薄膜晶體管)。晶體管Trll、 Trl2可以是無定形硅薄膜晶體管，也可 以是多晶硅薄膜晶體管。另外，在晶體管Trll、 Trl2中，如果至少一方是 p通道型，則源極端子及漏極端子就相互與上述相反。
此外，電容器Cs是形成于晶體管Trl2的柵極-源極之間的寄生電容、 或是附加地設(shè)在該柵極-源極之間的輔助電容、或是由上述寄生電容和輔助 電容構(gòu)成的電容成分。因而，如果晶體管Trl2是p通道型，則電容器Cs 的一方不是連接在有機EL元件OLED側(cè)(接點N12側(cè))，而是連接在電源 電壓線Lv側(cè)。
有機EL元件OLED中，陽極端子(成為陽極電極的像素電極12)被 連接在上述像素驅(qū)動電路DC的接點N12上，陰極端子(陰極電極)與對 置電極(通用電極)17—體地形成，直接或間接地與規(guī)定的標準電壓Vcom (例如接地電位Vgnd)連接。這里，對置電極17由單一的電極層(整體 電極(^fc電極))形成，使得相對于二維排列在基板11上的多個顯示像 素PIX的像素電極12共同地對置。由此，在多個顯示像素PIX上共同地施 加上述標準電壓Vcom。
另外，在圖2所示的顯示像素PIX (像素驅(qū)動電路DC及有機EL元件
10OLED)中，選擇線Ls經(jīng)由圖1所示的端子墊片PLs，與設(shè)在省略了基板 11的圖示的顯示區(qū)域的周圍的選擇驅(qū)動器連接，施加用于在規(guī)定的時機將 排列在顯示面板10的行方向的多個顯示像素PIX(色像素PXr、 PXg、 PXb) 設(shè)定在選擇狀態(tài)的選擇信號Ssel。此外，數(shù)據(jù)線Ld與設(shè)在省略了基板11 的圖示的顯示區(qū)域的周圍的數(shù)據(jù)驅(qū)動器連接，施加在與上述顯示像素PIX 的選擇狀態(tài)同期的時機下與顯示數(shù)據(jù)對應(yīng)的等級信號Vpix。這里，等級信 號Vpix是設(shè)定有機EL元件OLED的發(fā)光亮度等級的電壓信號。
此外，電源電壓線Lv經(jīng)由圖l所示的端子墊片PLv，例如直接或間接 地與規(guī)定的高電位電源連接，為了在設(shè)在各顯示像素PIX上的有機EL元件 OLED的像素電極12中流動與顯示數(shù)據(jù)對應(yīng)的發(fā)光驅(qū)動電流，施加與施加 到有機EL元件OLED的對置電極17的標準電壓Vcom相比電位高的、規(guī) 定的高電壓(電源電壓Vdd)。
也就是說，在圖2所示的像素驅(qū)動電路DC中，分別將電源電壓Vdd 和標準電壓Vcom施加到在各顯示像素PIX中串聯(lián)連接的晶體管Trl2和有 機EL元件OLED的組的兩端(晶體管Trl2的漏極端子與有機EL元件OLED 的陰極端子)，對有機EL元件OLED附加順偏壓，使有機EL元件OLED 成為可發(fā)光的狀態(tài)，而且，根據(jù)等級信號Vpix控制在有機EL元件OLED 中流動的發(fā)光驅(qū)動電流的電流值。
另外，具有這樣的電路構(gòu)成的顯示像素PIX中的驅(qū)動控制工作，首先 通過在規(guī)定的選擇期間從省略了圖示的選擇驅(qū)動器對選擇線Ls施加選擇電 平(開啟電平，例如高電平)的選擇信號Ssel，使晶體管Trll進行開啟工 作，設(shè)定在選擇狀態(tài)。與該時機同期地進行控制，使得從省略了圖示的數(shù) 據(jù)驅(qū)動器向數(shù)據(jù)線Ld施加具有與顯示數(shù)據(jù)對應(yīng)的電壓值的等級信號Vpix。 由此，經(jīng)由晶體管Trl 1 ，將與等級信號Vpix對應(yīng)的電位施加到接點Nl 1 (即 晶體管Trl2的柵極端子)。
在具有圖2所示的電路構(gòu)成的像素驅(qū)動電路DC中，晶體管Trl2的漏 極-源極間電流(即在有機EL元件OLED中流動的發(fā)光驅(qū)動電流)的電流 值由漏極-源極間的電位差及柵極-源極間的電位差來決定。這里，施加到晶 體管Trl2的漏極端子(漏電極)上的電源電壓Vdd、和施加到有機EL元 件OLED的陰極端子(陰極電極)上的標準電壓Vcom是固定值，因此晶體管Trl2的漏極-源極間的電位差通過電源電壓Vdd和標準電壓Vcom被 預(yù)先固定。另外，晶體管Trl2的柵極-源極間的電位差由等級信號Vpix的 電位唯一地確定，因此在晶體管Tr12的漏極-源極間流動的電流的電流值可 通過等級信號Vpk來控制。
這樣，晶體管Trl2在滿足接點N11的電位的導(dǎo)通狀態(tài)(即滿足等級信 號Vpix的導(dǎo)通狀態(tài))下進行開啟工作，從高電位側(cè)的電源電壓Vdd經(jīng)由晶 體管Trl2及有機EL元件OLED，向低電位側(cè)的標準電壓Vcom (接地電位 Vgnd)流動具有規(guī)定的電流值的發(fā)光驅(qū)動電流，因此有機EL元件OLED 在與等級信號Vpix (即顯示數(shù)據(jù))對應(yīng)的亮度等級下進行發(fā)光工作。此外， 此時，基于施加到接點Nll上的等級信號Vpix，在晶體管Trl2的柵極-源 極間的電容器Cs中蓄積電荷(充電)。
接著，在上述選擇期間結(jié)束后的非選擇期間，通過向選擇線Ls施加非 選擇電平(截止電平，例如低電平)的選擇信號Ssel，顯示像素PIX的晶 體管Trll進行中斷工作，被設(shè)定在非選擇狀態(tài)，數(shù)據(jù)線Ld和像素驅(qū)動電 路DC (具體是接點Nll)被斷電。此時，通過將蓄積在上述電容器Cs中 的電荷保持，在晶體管Trl2的柵極端子保持與等級信號Vpix相當?shù)碾妷?(即，保持柵極-源極間的電位差)的狀態(tài)。
因而，與上述選擇狀態(tài)中的發(fā)光工作相同，從電源電壓Vdd經(jīng)由晶體 管Trl2，向有機EL元件OLED流動規(guī)定的發(fā)光驅(qū)動電流，繼續(xù)發(fā)光工作 狀態(tài)。該發(fā)光工作狀態(tài)控制成例如在1幀(frame)期間繼續(xù)，直到施加(寫 入)下個等級信號Vpix為止。然后，對于二維排列在顯示面板10上的所 有顯示像素PIX (各個色像素PXr、 PXg、 PXb)，例如按每行依次進行如此 的驅(qū)動控制工作，可進行顯示所要求的圖像信息的圖像顯示工作。
另外，在圖2中，作為設(shè)在顯示像素PIX上的像素驅(qū)動電路DC，示出 了與電壓指定型的等級控制方式對應(yīng)的電路構(gòu)成，所述電壓指定型的等級 控制方式通過按照顯示數(shù)據(jù)調(diào)整(指定)寫入到各顯示像素PIX (具體是， 像素驅(qū)動電路DC的晶體管Trl2的柵極端子，接點Nll)中的等級信號Vpix 的電壓值，對在有機EL元件OLED中流動的發(fā)光驅(qū)動電流的電流值進行控 制，使得在所要求的亮度等級進行發(fā)光工作；但是，也可以具有電流指定 型的等級控制方式的電路構(gòu)成，所述電流指定型的等級控制方式通過按照顯示數(shù)據(jù)調(diào)整(指定)供給(寫入)到各顯示像素PIX的電流的電流值，
對在有機EL元件OLED中流動的發(fā)光驅(qū)動電流的電流值進行控制，使得在 所要求的亮度等級下進行發(fā)光工作。
此外，在圖2所示的像素驅(qū)動電路DC中，示出了采用2個n通道型的 晶體管Trll、 Trl2的電路構(gòu)成，但本發(fā)明的顯示面板并不局限于此，也可 以是采用3個以上晶體管的具有其它的電路構(gòu)成的顯示面板，也可以是作 為電路元件只采用p通道型的晶體管的、或者是具有n通道型及p通道型 的雙方的通道極性的晶體管混雜的顯示面板。這里，如圖2所示，作為像 素驅(qū)動電路DC，在只采用n通道型的晶體管的情況下，采用已經(jīng)確立了制 造技術(shù)的無定形硅半導(dǎo)體制造技術(shù)，能夠很容易地制造工作特性穩(wěn)定的晶 體管，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了上述顯示像素的發(fā)光特性的波動的像素驅(qū)動電路。
<顯示像素的器件結(jié)構(gòu)〉
接著，對具有上述電路構(gòu)成的顯示像素(像素驅(qū)動電路及有機EL元件) 的具體的器件結(jié)構(gòu)(平面布局及斷面結(jié)構(gòu))進行說明。
圖3是表示本發(fā)明的顯示面板中可使用的顯示像素的一例的平面布局 圖。這里，示出了圖1所示的顯示像素PIX的紅(R)、綠(G)、藍(B) 的各個色像素PXr、 PXg、 PXb中的特定的一個色像素的平面布局。另夕卜， 在圖3中，重點示出形成有像素驅(qū)動電路DC的各晶體管及布線層等的層， 為了使各布線層及各電極的配置或平面形狀清晰，方便地用陰影線進行顯 示。此外，圖4 (a)及圖4 (b)是表示具有圖3所示的平面布局的顯示像 素中的沿著IVA-IVA線(在本說明書中，作為與圖3中所示的羅馬數(shù)字"4" 對應(yīng)的記號，為了方便采用"IV"。以下相同)的斷面及沿著IVB-IVB線的 斷面的簡要剖視圖。
圖2所示的顯示像素(色像素)PIX，具體地講，例如如圖3所示，在 設(shè)在基板11的一面?zhèn)鹊南袼匦纬蓞^(qū)域Rpx中，以在圖面上方及下方的邊緣 區(qū)域在行方向(圖面左右方向)上延伸的方式，分別配設(shè)選擇線Ls及電源 電壓線Lv，并且以與線Ls、 Lv直交的方式，在上述圖面右方的邊緣區(qū)域 以在列方向(圖面上下方向)上延伸的方式配設(shè)有數(shù)據(jù)線Ld。此外，在上 述平面布局的右方及左方的邊緣區(qū)域，以分別跨越與右側(cè)及左側(cè)相鄰接的 顯示像素PIX并在列方向(圖面上下方向)上延伸的方式配設(shè)有堤15。
13這里，例如如圖3、圖4所示，數(shù)據(jù)線Ld被設(shè)在選擇線Ls及電源電壓 線Lv的下層側(cè)(基板11側(cè))，通過將用于形成晶體管Trll、 Trl2的柵電極 Trllg、 Trl2g的柵極金屬層圖案化，由與該柵電極Trllg、 Trl2g相同的工 序來形成。此外，數(shù)據(jù)線Ld經(jīng)由設(shè)在由覆蓋形成于該數(shù)據(jù)線Ld上的氮化 硅或氧化硅構(gòu)成的柵極絕緣膜13上的接觸孔CHll，與晶體管Trll的漏電 極Trlld連接。
另外，作為柵極金屬層，優(yōu)選采用下述的金屬層，該金屬層含有例如 鋁(Al)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳 (Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、銀 (Ag)、銦(In)、錫(Sn)、鉭(Ta)、鴇(W)、鉬(Pt)、金(Au)的單 質(zhì)、或者含這些元素的化合物或合金。
選擇線Ls及電源電壓線Lv被設(shè)在數(shù)據(jù)線Ld和柵電極Trllg、 Trl2g 的上層側(cè)，可通過將用于形成晶體管Trll、 Trl2的源電極Trlls、 Trl2s、 漏電極Trlld、Trl2d的源極、漏極金屬層圖案化，按與該源電極Trlls、Trl2s、 漏電極Trlld、 Trl2d相同的工序來形成。
選擇線Ls經(jīng)由設(shè)在位于晶體管Trl 1的柵電極Trl 1 g的一端側(cè)的柵極絕 緣膜13上的接觸孔CH12，與柵電極Tdlg連接。此外，電源電壓線Lv與 晶體管Trl2的漏電極Trl2d —體形成。
這里，用于形成選擇線Ls及電源電壓線Lv的源極、漏極金屬層，與 上述的柵極金屬層同樣，優(yōu)選下述的金屬層，該金屬層含有例如鋁(Al)、 鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅 (Cu)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、銀(Ag)、銦 (In)、錫(Sn)、鉭(Ta)、鉤(W)、鉬(Pt)、金(Au)的單質(zhì)、或者含 這些元素的化合物或合金。作為一具體例，可以由鋁單質(zhì)(Al)或鋁-鈦合 金(Al-Ti)、鋁-釹-鈦(Al-Nd-Ti)等鋁合金、銅(Cu)等用于降低布線電 阻的低電阻金屬的單層或合金層來形成，也可以具有將鉻(Cr)或鈦(Ti) 等用于降低移動的過渡金屬層設(shè)在上述低電阻金屬層的下層的層疊結(jié)構(gòu)。 特別優(yōu)選Al-Ti/Cr的二層結(jié)構(gòu)或Al-Nd-Ti/Cr的二層結(jié)構(gòu)。另外，在用同樣 的濺射等成膜裝置形成柵極金屬層及源極、漏極金屬層時，也可以將柵極 金屬層設(shè)定為與源極、漏極金屬層相同的材料構(gòu)成、相同的層結(jié)構(gòu)。另外，更具體地講，例如如圖3所示，像素驅(qū)動電路DC以圖2所示的 晶體管Trll及Trl2沿著列方向延伸的方式配置。這里，各晶體管Trll、 Td2具有眾所周知的場效應(yīng)型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，分別具有逆交錯結(jié)構(gòu)
(reversed stagger structure),該逆交錯結(jié)構(gòu)具有例如形成于基板11上的 柵電極Trllg、 Trl2g;經(jīng)由覆蓋形成于該柵電極Trllg、 Trl2g上的柵極絕 緣膜13形成于與各柵電極Trllg、 Trl2g對應(yīng)的區(qū)域上的半導(dǎo)體層SMC; 以向該半導(dǎo)體層SMC的通道的兩側(cè)部延伸的方式形成的源電極Trlls、 Trl2s及漏電極Trlld、 Trl2d。
另外，在各晶體管Trll、 Trl2的源電極Trlls、 Trl2s和漏電極Trlld、 Trl2d在兩端部對置配置的半導(dǎo)體層SMC的通道上，形成有用于防止在制 造過程中對該半導(dǎo)體層SMC的蝕刻損傷的氧化硅或氮化硅等的通道保護層
(阻擋層)BL，此外，在源電極Trlls、 Trl2s及漏電極Trlld、 Trl2d接觸 的半導(dǎo)體層SMC的通道的兩端部上，形成有雜質(zhì)層OHM，該雜質(zhì)層OHM 用于實現(xiàn)該半導(dǎo)體層SMC與源電極Trlls、 Trl2s及漏電極Trlld、 Trl2d 的歐姆接觸。
另外，為了與圖2所示的像素驅(qū)動電路DC的電路構(gòu)成對應(yīng)，晶體管 Trll如圖3所示，柵電極Trllg經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜13上的接觸孔CH12 連接在選擇線Ls上，同樣漏電極Trlld經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜13上的接觸孔 CHll連接在數(shù)據(jù)線Ld上。
晶體管Trl2如圖3、圖4 (a)所示，柵電極Trl2g經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣 膜13上的接觸孔CH13連接在上述晶體管Trll的源電極Trlls上，其電極 Trl2d與電源電壓線Lv —體地形成，其源電極Trl2s直接連接在設(shè)在基板 11上的有機EL元件OLED的像素電極12上。
此外，電容器Cs如圖3、圖4 (b)所示，與晶體管Trl2的柵電極Trl2g 一體地形成于基板11上的電極Eca、和與晶體管Tr12的源電極Trl2s—體 地形成于柵極絕緣膜13上的電極Ecb以經(jīng)由柵極絕緣膜13對置的方式設(shè) 置。
有機EL元件OLED如圖3、圖4所示，通過依次層疊以下的結(jié)構(gòu)而形 成，即具有光透過性的像素電極(例如陽極電極)12，其直接設(shè)在與上 述晶體管Trll、 Trl2的柵電極Trllg、 Trl2g同層的基板11上，并且直接
15連接在晶體管Trl2的源電極Trl2s上，供給規(guī)定的發(fā)光驅(qū)動電流；有機EL 層(載流子輸送層)16，其形成在EL元件形成區(qū)域Rel上，并且具有例如 作為空穴輸送性的載流子輸送層的空穴輸送層16a、及作為電子輸送性的進 行發(fā)光的載流子輸送層的電子輸送性發(fā)光層16b，其中所述EL元件形成區(qū) 域Rel由覆蓋上述柵極絕緣膜13、晶體管Trll、 Trl2、電容器Cs及各線 Ls、 Lv、 Ld且形成于相鄰的顯示像素PIX的像素電極12之間的區(qū)域(邊 界區(qū)域)的層間絕緣膜14、及連續(xù)突出地配設(shè)在該層間絕緣膜14上的堤 15劃定(被堤15圍住的區(qū)域)而成；和對置電極(例如陰極電極)17，其 由以與二維排列在基板11上的各顯示像素PIX的像素電極12共同地對置
的方式設(shè)置的具有光反射特性的單一的電極層(整體電極)構(gòu)成。
顯示像素PIX的各晶體管Trll、 Trl2是逆交錯結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，為 了柵極絕緣膜13不與EL元件形成區(qū)域Rd重合，g卩，在從像素電極12中 的被后述的層間絕緣膜14的端部14a圍住的開口部露出的區(qū)域上，不形成 柵極絕緣膜13。
假如與上述的結(jié)構(gòu)不同，在有機EL層16的下表面，相互重合地配置 像素電極12及柵極絕緣膜13，如果在像素電極12及柵極絕緣膜13之間具 有折射率差，則有機EL層16發(fā)出的光就按照光的入射角在像素電極12及 柵極絕緣膜13的界面引起反射，成為多重反射的原因。
如果將像素電極12設(shè)定為折射率2.1左右的ITO、將柵極絕緣膜13設(shè) 定為折射率2.0左右的氮化硅、將基板11設(shè)定為折射率1.5左右的玻璃， 在柵極絕緣膜13的膜厚為200nm和190nm時，在xyz色度坐標系中的差 值為0.03左右。這樣，如果在像素電極12下方的光路上，除了基板以外還 配置柵極絕緣膜，則即使柵極絕緣膜的膜厚只相差±5%左右，也從基板射 出視覺上不同的色。
在上述實施方式中，由于不在像素電極12和基板11之間的光路上配 置比較容易產(chǎn)生波動的柵極絕緣膜13，因此從有機EL層16發(fā)出的光透過 像素電極12，不會遭受柵極絕緣膜13造成的光的散射或干涉，經(jīng)由基板 ll射出。因此，可抑制出射光的色偏。
這里，對置電極17不僅設(shè)在各EL元件形成區(qū)域Rel，而且也延伸設(shè)置 到劃定該EL元件形成區(qū)域Rd的堤15上。此外，EL元件形成區(qū)域Rd的周圍，由于在圖3所示的平面布局的左右方向上相鄰接的顯示像素PIX的
與EL元件形成區(qū)域Rel的邊界區(qū)域上形成有堤15，因此選擇線Ls及電源 電壓線Lv的一部分、以及數(shù)據(jù)線Ld、晶體管Trll、 Trl2與堤15在平面上 (俯視)重合。因此，堤15可緩和形成于該堤15上的上述對置電極17造 成的寄生電容的影響。
另外，本實施方式的顯示像素的器件結(jié)構(gòu)，并不限定于圖3、圖4所示 的結(jié)構(gòu)，可以通過將柵極金屬層圖案化而將選擇線Ls及電源電壓線Lv形 成在柵極絕緣膜13的下層，通過將源極、漏極金屬層圖案化而將數(shù)據(jù)線Ld 形成在柵極絕緣膜13的上層，由此可以不設(shè)接觸孔CH11及CH12，而將 選擇線Ls與柵電極Trllg —體地設(shè)置，并將數(shù)據(jù)線Ld與漏電極Trlld —體 地設(shè)置。
如圖1所示，堤15被配設(shè)在二維排列在顯示面板10上的多個顯示像 素PIX相互的邊界區(qū)域，具體是在顯示面板10的行方向上重復(fù)排列的色像 素PXr、 PXg、 PXb的各像素電極12間的區(qū)域，在顯示面板10的列方向上 具有將同一色的色像素PXr、PXg或PXb的多個像素電極12圍住的柵狀(或 圍住各色像素PXr、 PXg、 PXb的各像素電極12的格子狀)的平面圖案。
這里，如圖3、圖4所示，在上述邊界區(qū)域，在列方向上延伸地形成上 述晶體管Trll、 Trl2，堤15以從基板11的表面向高度方向連續(xù)突出的方 式形成于層間絕緣膜14上，該層間絕緣膜14覆蓋該晶體管Tr11、 Trl2， 形成于各像素形成區(qū)域Rpx的像素電極12間。由此，被堤15圍住的區(qū)域、 即包含排列在列方向的多個顯示像素PIX的像素電極12的區(qū)域，在后述的 制造方法中，被規(guī)定為形成有機EL層16 (例如空穴輸送層16a及電子輸 送性發(fā)光層16b)時的含有有機化合物材料的溶液或懸濁液的溶劑(含有有 機化合物的液體)的涂布區(qū)域(即，EL元件形成區(qū)域Rel)。
此外，堤15例如可采用感光性的樹脂材料來形成，在上述有機EL層 16的形成時對該堤15實施表面處理，使得至少該堤15的表面(側(cè)面及上 表面)相對于涂布在EL元件形成區(qū)域Rd上的含有有機化合物的液體具有 疏液性。
另外，在形成了上述像素驅(qū)動電路DC、有機EL元件OLED及堤15 的基板11的一面?zhèn)鹊恼嫔希缛鐖D4所示，覆蓋形成具有作為保護絕
17緣膜(鈍化膜)的功能的密封層18。另外，也可以與基板11對置地接合由 省略了圖示的玻璃基板等構(gòu)成的密封基板。
這樣，在本實施方式的顯示面板中，與控制有機EL元件OLED的發(fā)光 工作的像素驅(qū)動電路DC的輸出端(晶體管Trl2的源電極Trl2s)連接的由 ITO等透明電極材料構(gòu)成的像素電極12，不經(jīng)由柵極絕緣膜13，直接連接 在基板11上。尤其，其特征在于，像素電極12與形成像素驅(qū)動電路DC的 晶體管Trll、 Trl2的柵電極Trllg、 Trl2g被設(shè)在同一層(直接與基板11 接合的層)上，并且用與該柵電極Trllg、 Td2g不同的工序形成。
而且，在如此的顯示面板IO (顯示像素PIX)中，基于經(jīng)由數(shù)據(jù)線Ld 供給的與顯示數(shù)據(jù)對應(yīng)的等級信號Vpk，通過在晶體管Trl2的漏極-源極 間流動具有規(guī)定的電流值的發(fā)光驅(qū)動電流，并供給到有機EL元件OLED 的像素電極12，從而各顯示像素(色像素)PIX的有機EL元件OLED在 與上述顯示數(shù)據(jù)對應(yīng)的所要求的亮度等級下進行發(fā)光工作。
這里，在本實施方式的顯示面板10中，像素電極12具有光透射特性 (相對于可見光具有高的透射率)，且對置電極17具有光反射特性(相對 于可見光具有高的反射率)，由此能夠?qū)崿F(xiàn)底部放射型的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該底部 放射型的發(fā)光結(jié)構(gòu)是在各顯示像素PIX的有機EL層16中發(fā)出的光，經(jīng) 由具有光透射特性的像素電極12及基板11，直接射出到視野側(cè)(圖4的下 方)，并且被具有光反射特性的對置電極17反射，經(jīng)由像素電極12向視野 側(cè)射出。
此時，如上所述，在有機EL層(發(fā)光層)16中發(fā)出的光，只經(jīng)由透 明的像素電極12及透明的基板11向視野側(cè)射出，因此例如與具有將像素 電極設(shè)在形成于基板上的柵極絕緣膜上的面板結(jié)構(gòu)的顯示面板相比較，可 抑制起因于介于光的出射路線(光路)中的柵極絕緣膜的膜厚分布(膜厚 的偏差)的干擾，能夠抑制R、 G、 B的各個發(fā)光色的色偏或發(fā)光亮度的波 動，能夠?qū)崿F(xiàn)沒有圖像污點和模糊等的良好的顯示特性。 (顯示面板的制造方法) 接著，對本實施方式的顯示面板的制造方法進行說明。 圖5 圖9是表示本實施方式的顯示面板的制造方法的一例的工序剖視 圖。這里，示出了為了方便將沿著圖4所示的IVA-IVA線及IVB-IVB線的顯示面板的斷面結(jié)構(gòu)中的各一部分(晶體管Trl2、電容器Cs、有機EL元 件OLED、數(shù)據(jù)線Ld、選擇線Ls、電源電壓線Lv等)、以及設(shè)在圖1所示 的選擇線Ls的端部上的端子墊片PLs、設(shè)在電源電壓線Lv的端部上的端 子墊片PLv卸下的結(jié)構(gòu)，對制造方法的概要進行說明。
上述的顯示面板的制造方法，首先，如圖l、圖3所示，在設(shè)于玻璃基 板等絕緣性基板11的一面?zhèn)?圖面上面?zhèn)?的顯示像素PIX (色像素PXr、 PXg、 PXb)的像素形成區(qū)域Rpx上，形成像素驅(qū)動電路DC的晶體管Trll、 Trl2或電容器Cs、數(shù)據(jù)線Ld或選擇線Ls、電源電壓線Lv等的布線層。
具體是，如圖5 (a)所示，在基板ll上形成柵極金屬層，通過濕法蝕 刻將該柵極金屬層圖案化，從而同時形成柵電極Trllg、 Trl2g、及與該柵 電極Trl2g—體形成的電容器Cs的一方側(cè)的電極Eca、數(shù)據(jù)線Ld、與選擇 線Ls連接的端子墊片PLs的下層電極層PLsl、與電源電壓線Lv連接的端 子墊片PLv的下層電極層PLvl。此時，酸系的蝕刻液(例如，氫氟酸系蝕 刻液)與要形成像素電極的區(qū)域的基板ll的表面接觸，但由于相對于玻璃 可采取充分的選擇比，因此不會蝕刻基板ll。
另外，柵極金屬層優(yōu)選采用下述的金屬層，該金屬層含有例如鋁(Al)、 鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅 (Cu)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、銀(Ag)、銦 (In)、錫(Sn)、鉭(Ta)、鉤(W)、鈾(Pt)、金(Au)的單質(zhì)、或者這 些元素的化合物或合金。
這里，在通過層疊多個導(dǎo)電層的布線結(jié)構(gòu)形成選擇線Ls及電源電壓線 Lv的情況下，在將上述柵極金屬層圖案化時，將選擇線Ls的下層布線層及 電源電壓線Lv的下層布線層(都省略了圖示)與上述柵電極Trllg、 Trl2g 等同時形成。在這種情況下，如圖3所示，在將源極、漏極金屬層Ls-d圖 案化而得到的數(shù)據(jù)線Ld、與將柵極金屬層圖案化而得到的選擇線Ls及電源 電壓線Lv交叉的區(qū)域中，為了相互不進行電連接，例如不通過柵極金屬層 來形成選擇線Ls及電源電壓線Lv的下層布線，使后述的柵極絕緣膜13介 于數(shù)據(jù)線Ld、與選擇線Ls及電源電壓線Lv之間。
接著，在包含上述柵電極Trllg、 Trl2g、電容器Cs的電極Eca、數(shù)據(jù) 線Ld、下層電極層PLsl、 PLvl的基板11上，在采用濺射法等薄膜形成為錫摻雜氧化銦(Indium Tin Oxide: ITO)或氧化銦和氧化鋅的氧化物(Indium ZincOxide)、鴿摻雜氧化銦(Indium Tungsten Oxide: IWO)、鴿-鋅摻雜氧 化銦(Indium Tungsten Zinc Oxide: IWZO)等透明電極材料構(gòu)成的(具有 光透射特性的)導(dǎo)電性氧化金屬層后，將該導(dǎo)電性氧化金屬層圖案化，如 圖5 (b)所示，在各顯示像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rd上形成具有規(guī) 定的平面形狀(例如矩形狀)的像素電極12。
接著，如圖5 (c)所示，為了覆蓋包含上述柵電極Trllg、 Td2g和像 素電極12等的基板11的整面，例如釆用化學氣相沉積法(CVD法)等， 依次層疊形成由氮化硅、氧化硅等構(gòu)成的柵極絕緣膜13、由無定形硅等構(gòu) 成的半導(dǎo)體層Lsmc及由氮化硅等構(gòu)成的絕緣層Lbl。然后，如圖5 (d)所 示，采用未圖示的光致抗蝕劑掩模將最上層的絕緣層Lbl圖案化，在與上 述柵電極Trllg、 Trl2g對應(yīng)的區(qū)域上，形成由氮化硅等構(gòu)成的通道保護層 (阻擋層)BL。
接著，如圖6 (a)所示，為了覆蓋上述基板11的整面，例如在采用 CVD法等形成摻雜了雜質(zhì)的n+硅層Lohm后，采用氧和SF06的混合氣體 連續(xù)地對該n+硅層Lohm、半導(dǎo)體層Lsmc及柵極絕緣膜13進行干法蝕刻， 形成在各像素形成區(qū)域Rpx內(nèi)的EL元件形成區(qū)域Rd中露出像素電極 12的開口部、數(shù)據(jù)線Ld僅在特定的區(qū)域的上表面露出的接觸孔CHll (參 照圖3)、柵電極Trllg、 Trl2g分別僅在特定的區(qū)域的上表面露出的接觸孔 CH12、 CH13 (參照圖3)、及在端子墊片部只有下層電極層PLsl、 PLvl分 別露出的開口部CHsl、 CHvl。此時的只有像素電極12露出的開口部的形 狀由柵極絕緣膜13、半導(dǎo)體層Lsmc及n+硅層Lohm的端部13a的形狀來 決定。此時，位于像素電極12的下表面的基板11的區(qū)域，由于被像素電 極12覆蓋，因而不會暴露于干法蝕刻的蝕刻劑中，能夠維持平滑的狀態(tài)。 接著，如圖6 (b)所示，在上述基板ll的整面上形成源極、漏極金屬 層Ls-d。這里，源極、漏極金屬層Ls-d與上述的柵極金屬層相同，例如優(yōu) 選采用下述的金屬層，該金屬層含有例如鋁(Al)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻 (Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鋯 (Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、銀(Ag)、銦(In)、錫(Sn)、鉭 (Ta)、鎢(W)、鉑(Pt)、金(Au)的單質(zhì)、或者這些元素的化合物或合
20金。作為一個具體例，也可以通過鋁單質(zhì)(Al)或鋁-鈦合金(Al-Ti)、鋁-釹-鈦(Al-Nd-Ti)等鋁合金、銅(Cu)等用于降低布線電阻的低電阻金屬 的單層或合金層來形成，也可以具有在上述低電阻金屬層的下層設(shè)有鉻 (Cr)或鈦(Ti)等用于降低移動的過渡金屬層的層疊結(jié)構(gòu)。
接著，在源極、漏極金屬層上形成進行了圖案化的掩模MSK，采用該 掩模MSK對源極、漏極金屬層Ls-d進行蝕刻，從而同時形成晶體管Trll、 Trl2的各個源電極Trlls、 Trl2s及漏電極Trlld、 Trl2d、電容器Cs的另一 側(cè)的電極Ecb、選擇線Ls及連接在該選擇線Ls上的端子墊片PLs的上層電 極層PLs2、電源電壓線Lv及連接在該電源電壓線Lv上的端子墊片PLv的 上層電極層PLv2。
接著，將該源電極Trlls、 Trl2s及漏電極Trlld、 Trl2d、電容器Cs的 電極Ecb、選擇線Ls及電源電壓線Lv、上層電極層PLs2、層PLv2作為掩 模，連續(xù)地蝕刻n+硅層Lohm及半導(dǎo)體層Lsmc，如圖6 (c)所示，在與柵 極絕緣膜13上的柵電極Trllg、 Trl2g對應(yīng)的區(qū)域上形成具有通道區(qū)域的半 導(dǎo)體層SMC，并且在該半導(dǎo)體層SMC和上述源電極Trlls、 Trl2s及漏電 極Trlld、 Trl2d之間分別形成雜質(zhì)層OHM。
由此，形成晶體管Trll、 Trl2，該晶體管Trll、 Trl2在柵電極Trllg、 Trl2g上經(jīng)由柵極絕緣膜13具有半導(dǎo)體層SMC，在通道區(qū)域的兩端部經(jīng)由 雜質(zhì)層OHM具有源電極Trlls、 Trl2s及漏電極Trlld、 Trl2d。此時，如 圖3所示，晶體管Trll的漏電極Trlld經(jīng)由形成于柵極絕緣膜13上的接觸 孔CH11連接在數(shù)據(jù)線Ld上，同樣源電極Trlls經(jīng)由形成于柵極絕緣膜13 上的接觸孔CH13連接在晶體管Trl2的柵電極Trl2g上。此夕卜,源電極Trl2s 的一端側(cè)延伸到像素電極12上，相互進行電連接，并且除去與該源電極 Trl2s的接觸部，使像素電極12的上表面再次露出。
此外，通過上述工序，在電容器Cs的電極Ecb、選擇線Ls及電源電壓 線Lv、上層電極層PLs2、層PLv2與柵極絕緣膜13之間，介入地形成各 n+硅層Lohm及半導(dǎo)體層Lsmc。此時，選擇線Ls經(jīng)由設(shè)在柵極絕緣膜13 的接觸孔CH12而連接在晶體管Tr11的柵電極Trllg上，此外，電源電壓 線Lv與晶體管Trl2的漏電極Trl2d —體形成。
此外，與柵電極Trl2g—體形成的電極Eca、和與源電極Trl2s—體形成的電極Ecb (包含n+硅層Lohm及半導(dǎo)體層Lsmc)經(jīng)由成為絕緣體的柵 極絕緣膜13對置地配置，形成電容器Cs。而且，在端子墊片部中，經(jīng)由形 成于n+硅層Lohm、半導(dǎo)體層Lsmc及柵極絕緣膜13上的上述開口部CHsl、 CHvl，使上層電極層PLs2、層PLv2和下層電極層PLsl、層PLvl分別電 連接，形成端子墊片PLs、 PLv。
接著，如圖7 (a)所示，形成上述晶體管Trll、 Trl2和選擇線Ls、電 源電壓線Lv等，在像素電極12露出的基板11上，采用CVD法等，例如 在形成由硅氧化膜或硅氮化膜等無機的絕緣性材料構(gòu)成的絕緣層Lisl后， 通過將該絕緣層Lisl進行圖案化，如圖7 (b)所示，形成層間絕緣膜14， 該層間絕緣膜14使在顯示面板10的行方向(圖1、圖3的左右方向)排列 的相鄰接的顯示像素PIX的EL元件形成區(qū)域Rel間的區(qū)域(或像素電極 12間的區(qū)域，邊界區(qū)域)電絕緣，并且形成在各顯示像素PIX的EL元件 形成區(qū)域Rel上像素電極12露出的開口部、以及在端子墊片部上上層電極 層PLs2、 PLv2分別露出的開口部CHs2、 CHv2。此時的像素電極12露出 的開口部的形狀由層間絕緣膜14的端部14a的形狀來決定。
接著，如圖8 (a)所示，在形成于相鄰接的顯示像素PIX (像素電極 12)間的邊界區(qū)域上的上述層間絕緣膜14上，形成例如由聚酰亞胺系或丙 烯酸系等感光性的樹脂材料構(gòu)成的堤15。具體是，將以覆蓋包含上述層間 絕緣膜14的基板11的一面?zhèn)鹊恼娴姆绞叫纬傻母泄庑詷渲瑢舆M行圖案 化，如圖1所示，在行方向相鄰接的顯示像素PIX間的邊界區(qū)域形成向高 度方向連續(xù)地突出的堤(隔壁)15，該堤15具有包括向顯示面板10的列 方向延伸的區(qū)域的柵狀的平面形狀。由此，排列在顯示面板10的列方向的 同一色的多個顯示像素(色像素)PIX的EL元件形成區(qū)域Rd被堤15及 層間絕緣膜14包圍并劃定，在該EL元件形成區(qū)域Rd內(nèi)各顯示像素PIX 的像素電極12的上表面露出。
接著，在用純水將基板11洗滌后，通過實施例如氧等離子體處理或 UV臭氧處理等，對在EL元件形成區(qū)域Rd露出的各像素電極12的表面實 施相對于后述的空穴輸送材料或電子輸送性發(fā)光材料的含有有機化合物的 液體親液化的處理，接著，對堤15的表面進行CF4等離子體處理，有選擇 性地對堤15的表面實施相對于含有有機化合物的液體疏液化的處理。另外，如果形成堤15的樹脂材料本身預(yù)先含有氟原子或包含氟原子的官能團，也 不一定必須進行上述疏液化處理。
由此，在同一基板11上，由于保持堤15的表面被疏液化處理、在由
該堤15劃定的各像素形成區(qū)域Rpx露出的像素電極12的表面未被疏液化
的狀態(tài)(親液性)，因此如后所述，即使在通過涂布含有有機化合物的液體
形成有機EL層16 (電子輸送性發(fā)光層16b)的情況下，也能夠防止含有有 機化合物的溶液向相鄰的EL元件形成區(qū)域Rel的漏出或越過，可抑制相鄰 像素的相互混色，可進行紅(R)、綠(G)、藍(B)色的分涂。
另外，本實施方式中使用的所謂"疏液性"，規(guī)定為在將含有成為后述 的空穴輸送層16a的空穴輸送材料的含有有機化合物的液體、或含有成為 電子輸送性發(fā)光層16b的含有有機化合物的液體、或者這些溶液中所用的 有機溶劑滴在基板等上，進行接觸角的測定時，該接觸角在50°以上的狀 態(tài)。此外，所謂與"疏液性"相對的"親液性"，在本實施方式中，規(guī)定為 上述接觸角達到40。以下，優(yōu)選達到IO。以下的狀態(tài)。
接著，如圖8 (b)所示，相對于被上述堤15圍住(劃定)的各色的 EL元件形成區(qū)域Rd，采用工藝控制性和生產(chǎn)性優(yōu)良的噴墨法或噴嘴印刷 法等，將由高分子系的有機材料構(gòu)成的空穴輸送材料的溶液或分散液涂布 后，使其加熱干燥，形成空穴輸送層16a。接著，在將由與R、 G、 B的發(fā) 光色對應(yīng)的高分子系的有機材料構(gòu)成的電子輸送性發(fā)光材料的溶液或分散 液涂布在該空穴輸送層16a上后，使其加熱干燥，形成電子輸送性發(fā)光層 16b。由此，如圖9 (a)所示，在像素電極12上層疊形成至少具有空穴輸 送層16a及電子輸送性發(fā)光層16b的有機EL層16。
具體是，將作為含有有機高分子系的空穴輸送材料的含有有機化合物 的液體的例如聚二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液(PEDOT/PSS，將作為 導(dǎo)電性聚合物的聚二氧乙基噻吩PEDOT、和作為摻雜劑的聚苯乙烯磺酸 PSS分散在水系溶劑中而得到的分散液)涂布在上述像素電極12上，然后 進行加熱干燥處理，除去溶劑，由此使有機高分子系的空穴輸送材料固定 在該像素電極12上，形成載流子輸送層即空穴輸送層16a。
此外，作為含有有機高分子系的電子輸送性發(fā)光材料的含有有機化合 物的液體，例如將通過在四氫化萘、四甲基苯、三甲基苯、二甲苯等有機
23溶劑或水中溶解含有聚對亞苯基亞乙烯基系或聚芴系等共軛雙鍵聚合物的
發(fā)光材料而得到的溶液，涂布在上述空穴輸送層16a上，然后進行加熱干
燥處理，除去溶劑，從而使高分子系的電子輸送性發(fā)光材料固定在空穴輸
送層16a上，形成既是載流子輸送層又是發(fā)光層的電子輸送性發(fā)光層16b。 然后，如圖9 (b)所示，至少在包括各顯示像素PIX的EL元件形成 區(qū)域Rel的基板ll上形成共同的對置電極(例如陰極電極)17，對置電極 17具有光反射特性，經(jīng)由上述有機EL層16 (空穴輸送層16a及電子輸送 性發(fā)光層16b)與各顯示像素PIX的像素電極12對置。
具體地講，對置電極17可使用下述電極結(jié)構(gòu)，該電極結(jié)構(gòu)是采用例如 真空蒸鍍法或濺射法來形成膜厚為1 10nm左右的、鈣(Ca)、鋇(Ba)、 鋰(Li)、銦(In)等的功函數(shù)低的電子注入層(陰極電極)后，在其上層 疊加形成膜厚為100nm以上的、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銀鈀(AgPd) 系合金、或ITO等的功函數(shù)高的薄膜(給電電極)而形成的。這里，如圖 1、圖4所示，對置電極17形成為不僅延伸到與在各EL元件形成區(qū)域Rel 露出的像素電極12對置的區(qū)域、且延伸到劃定各EL元件形成區(qū)域Rel的 單一的導(dǎo)電層(整體電極)。
接著，在形成了上述對置電極17后，采用CVD法等在基板11的一面 側(cè)的整面上形成作為保護絕緣膜(鈍化膜)的由氧化硅膜或氮化硅膜等構(gòu) 成的密封層18，由此完成具有圖4所示的斷面結(jié)構(gòu)(底部發(fā)射型的發(fā)光結(jié) 構(gòu))的顯示面板IO。另外，也可以用UV固化或熱固化粘合劑粘合金屬頂 蓋(密封蓋)或玻璃等密封基板來取代密封層18或者加在上述密封層18 上。
這樣，本實施方式的顯示面板的制造方法是在晶體管Trll、 Trl2的柵 極絕緣膜13的圖案化工序之前，將設(shè)在各顯示像素PIX上的有機EL元件 OLED的像素電極12直接形成于基板11上，然后將形成于柵極絕緣膜13 上的晶體管Trl2的源電極Trl2s直接連接在上述像素電極12上。
也就是說，當在基板11上形成了像素電極12后，對覆蓋形成于該像 素電極12上的柵極絕緣膜13進行蝕刻，在各EL元件形成區(qū)域Rd形成像 素電極12露出的開口部，由此在對柵極絕緣膜13進行干法蝕刻時，像素 電極12具有作為對位于下方的基板11的蝕刻保護膜(阻擋層)的功能，因此例如與對覆蓋形成于基板上的柵極絕緣膜進行蝕刻形成開口部，然后 形成像素電極的情況相比，能夠減輕基板表面的平滑性受損(變得粗糙) 等損傷。
因而，可以實現(xiàn)如下的顯示面板其在顯示面板(有機EL元件)的發(fā) 光工作時，能夠抑制在各顯示像素PIX的有機EL層發(fā)出的光在基板表面散 射、或因基板厚度的不均勻發(fā)生干涉而產(chǎn)生不均勻的現(xiàn)象，能抑制色偏或 發(fā)光亮度(發(fā)光強度)的波動，沒有圖像的污點和模糊等，顯示特性優(yōu)良。
而且，由于柵極絕緣膜不介于由透明電極構(gòu)成的像素電極和透明基板 之間，因此與例如柵極絕緣膜介于像素電極和基板之間的情況相比，顯示
像素PIX的有機EL層(發(fā)光層)發(fā)出的光在入射到像素電極和透明基板之
間時，由于沒有起因于柵極絕緣膜的膜厚的波動的干涉色的波動，因此能 夠抑制從基板出射的光的色偏或發(fā)光亮度的波動，能夠?qū)崿F(xiàn)沒有圖像污點 和模糊等的良好的顯示特性。
另外，在上述的實施方式中，對用多個由空穴輸送層16a及電子輸送 性發(fā)光層16b構(gòu)成的載流子輸送層構(gòu)成有機EL層16的情況進行了說明， 但本發(fā)明的載流子輸送層的組合并不局限于此，例如可以只是空穴輸送兼
電子輸送性發(fā)光層，也可以是空穴輸送性發(fā)光層及電子輸送層，也可以是 三層以上，例如是空穴輸送層、電子輸送層及發(fā)光層，此外，也可以將用 于控制層間層等的載流子的輸送的載流子輸送控制層作為載流子輸送層適 當介于各層之間，也可以是其它載流子輸送層的組合。
此外，在上述的實施方式中，將像素電極12作為有機EL元件OLED 的陽極電極，將對置電極17作為陰極電極，在像素電極12側(cè)形成空穴輸 送層16a，并在對置電極17側(cè)形成電子輸送性發(fā)光層16b的情況進行了說 明，但本發(fā)明并不限定于此，也可以將像素電極12作為有機EL元件的透 明的陰極電極，將對置電極17作為非透明的陽極電極。在此種情況下，為 在像素電極12側(cè)形成電子輸送性發(fā)光層16b、且在對置電極17側(cè)形成空穴 輸送層16a的元件結(jié)構(gòu)。
此外，在上述實施方式中，是在基板上配置了透明電極的底部發(fā)射型， 但是即使是有機EL層的光從對置電極17側(cè)射出的頂部發(fā)射型，由于在制 造工序中，基板表面沒有蝕刻造成的凹凸，因此能夠在基板上按均勻的厚度將電極或有機EL層成膜，能夠抑制光的散射的波動或光的干涉等的波 動。在采用如此的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下，像素電極不透明也行，也可以 只是反射導(dǎo)電膜、或是透明導(dǎo)電膜和反射膜的組合。
此外，在上述實施方式中，采用氧和SF06的混合氣體進行干法蝕刻， 但只要是浸蝕基板的氣體即可，也不局限于此。
根據(jù)本發(fā)明的顯示面板及其制造方法，可抑制色偏或發(fā)光亮度(發(fā)光 強度)的波動，可實現(xiàn)沒有圖像污點和模糊的優(yōu)良的顯示特性。
這里通過引用加入在2007年11月29日申請的、日本國專利申請第 2007-308189號中的包括說明書、權(quán)利要求范圍、附圖、摘要的所有公開的 內(nèi)容。
示出并說明了多種典型的實施方式，但本發(fā)明并不限定于上述實施方 式。因而，本發(fā)明的范圍只通過權(quán)利要求范圍來進行限定。
權(quán)利要求
1、一種顯示面板的制造方法，所述顯示面板具備由第一電極、至少由一層構(gòu)成的載流子輸送層、和第二電極層疊而成的發(fā)光元件，其中，該方法包括以下工序在所述基板上的規(guī)定區(qū)域上形成所述第一電極的工序；在包含所述第一電極的所述基板上形成絕緣膜后，通過蝕刻將該絕緣膜圖案化而形成只露出所述第一電極的規(guī)定區(qū)域的開口部的工序；至少在所述開口部露出的所述第一電極上形成所述載流子輸送層的工序。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其中，所述絕緣膜通 過浸蝕基板的蝕刻氣體進行圖案化，所述絕緣膜是氮化硅或氧化硅。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板的制造方法，其中，所述蝕刻氣體 是氧和SF06的混合氣體。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任何一項所述的顯示面板的制造方法，其中， 形成有所述開口部的所述絕緣膜包含晶體管的柵極絕緣膜。
5、 根據(jù)項權(quán)利要求4所述的顯示面板的制造方法，其中，該方法包括 在形成所述第一電極的工序后，形成所述晶體管的源電極或漏電極中的任 何一個的工序。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任何一項所述的顯示面板的制造方法，其中， 形成有所述開口部的所述絕緣膜包含層間絕緣膜。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板的制造方法，其中，該方法包括在 所述層間絕緣膜上通過將感光性樹脂層圖案化而形成堤的工序。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制造方法，其中，該方法包括在 形成所述堤的工序后，用純水洗滌所述基板，并實施氧等離子體處理或UV 臭氧處理，使所述第一電極表面相對于含有有機化合物的液體親液化的工 序。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板的制造方法，其中，該方法包括在 使所述第一電極親液化的工序后，使所述堤的表面相對于所述含有有機化 合物的液體疏液化的工序。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板的制造方法，其中，形成所述載 流子輸送層的工序是在使所述堤的表面疏液化的工序后，涂布所述含有有 機化合物的液體來形成所述載流子輸送層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的顯示面板的制造方法，其中，該方法包括 在形成所述載流子輸送層的工序后，在所述載流子輸送層上形成所述第二 電極的工序。
12、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板的制造方法，其中，該方法包括 在形成所述第一電極的工序之前，在所述基板上用酸系蝕刻劑通過濕法蝕 刻形成所述晶體管的柵電極的工序。
13、 一種顯示面板的制造方法，所述顯示面板具備由第一電極、至少 由一層構(gòu)成的載流子輸送層、和第二電極層疊而成的發(fā)光元件，其中，該 方法包括以下工序-在所述基板上的規(guī)定區(qū)域上形成所述第一電極的工序； 在形成所述第一電極后，沉積所述晶體管的所述絕緣膜，通過蝕刻氣 體只除去所述第一電極上的所述絕緣膜的工序；在所述第一 電極上形成所述載流子輸送層的工序； 在所述載流子輸送層上形成所述第二電極的工序。
14、 一種顯示面板，其具備由第一電極、至少由一層構(gòu)成的載流子輸 送層、和第二電極層疊而成的發(fā)光元件，其中，該顯示面板包括 基板，其具有在絕緣膜的蝕刻氣體中不暴露的規(guī)定區(qū)域； 所述第一電極，其設(shè)在所述基板的所述規(guī)定區(qū)域上； 所述絕緣膜，其形成于包含所述第一電極的所述基板上，具有露出所 述第一電極的規(guī)定區(qū)域的開口部；所述載流子輸送層，其至少形成于在所述開口部露出的所述第一電極上；所述第二電極，其形成于發(fā)光層上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可抑制色偏或發(fā)光亮度(發(fā)光強度)的波動、沒有圖像污點和模糊、顯示特性優(yōu)良的顯示面板、及該顯示面板的制造方法。本發(fā)明的顯示面板的制造方法是在晶體管(Tr11、Tr12)的柵極絕緣膜(13)的圖案化工序之前，將設(shè)于各顯示像素(PIX)上的有機EL元件(OLED)的像素電極(12)直接形成于基板(11)上，然后將形成于柵極絕緣膜(13)上的晶體管(Tr12)的源電極(Tr12s)直接連接在上述像素電極(12)上。
文檔編號H01L21/84GK101447459SQ20081017832
公開日2009年6月3日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月29日
發(fā)明者尾崎剛, 當山忠久 申請人:卡西歐計算機株式會社