專利名稱：制造圖像傳感器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一種制造圖像傳感器的方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是將光圖像轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的半導(dǎo)體設(shè)備。圖像傳感器可以分
為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖 像傳感器(CIS)。
CIS可以在單位像素內(nèi)包括多個(gè)光電二極管和MOS晶體管，以便以 切換(switching)方式依次檢測(cè)各單位像素的電信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)圖像。
CIS可以進(jìn)一步包括在濾色鏡上和/或上方形成的微透鏡以提高所述 CIS的光敏感性。通過(guò)在光敏有機(jī)材料上依次執(zhí)行曝光工藝、顯影工藝和 回流工藝，微透鏡可以形成半圓/半球形狀。
然而，由于光敏有機(jī)材料具有弱的物理特性，因此，在隨后的如封裝和 凸點(diǎn)制作(bumping)等工藝中，微透鏡由于受到物理碰撞(其可能導(dǎo)致出 現(xiàn)裂紋)而容易損壞等。由于所述光敏有機(jī)材料具有相對(duì)強(qiáng)的粘性，所以當(dāng) 粒子被吸收時(shí)，會(huì)擴(kuò)大微透鏡的缺陷。為防止發(fā)生該現(xiàn)象，可以使用由具有 高硬度的氧化物層或氮化物層組成的鈍化層，或者由上述鈍化層組成無(wú)機(jī)材 料的微透鏡。此外，由于所述CIS的上部由在250。C或更高溫度下易損的光 敏有機(jī)材料形成，所以可能出現(xiàn)由等離子體處理導(dǎo)致的界面缺陷(trap)。 因此，對(duì)微透鏡的這種損壞結(jié)果可能導(dǎo)致暗電流的產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種可以防止暗電流產(chǎn)生的圖像傳感器的制造方法。
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造圖像傳感器的方法，該方法可以包括下列
步驟中的至少之一在半導(dǎo)體襯底上方形成包括焊盤(pán)的層間介電層；直接在所述層間介電層上方形成濾色鏡陣列；在所述濾色鏡陣列上方形成微透鏡陣 列；在包括微透鏡陣列的所述半導(dǎo)體襯底上方形成覆蓋層；在所述覆蓋層上 方形成焊盤(pán)掩模；然后暴露所述焊盤(pán)。
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造圖像傳感器的方法，該方法可以包括下列 步驟中的至少之一在半導(dǎo)體襯底上方形成包括焊盤(pán)的層間介電層；在所述 層間介電層上方形成鈍化層；在所述鈍化層上方形成濾色鏡陣列；在所述濾 色鏡陣列上方形成平坦化層；在所述平坦化層上方形成微透鏡陣列，所述微 透鏡陣列包括位于所述平坦化層上方的第一介電層以及在所述第一介電層 上方形成的第二介電層；在包括微透鏡陣列的所述半導(dǎo)體襯底上方形成有機(jī) 層；在所述有機(jī)層上方形成焊盤(pán)掩模，所述焊盤(pán)掩模包括第一焊盤(pán)孔，所述 第一焊盤(pán)孔用于暴露在空間上與所述焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的有機(jī)層的上表面部分；通 過(guò)使用所述焊盤(pán)掩模作為蝕刻掩模蝕刻所述有機(jī)層、第二介電層、第一介電 層以及鈍化層，暴露所述焊盤(pán)的頂表面；然后同時(shí)去除所述有機(jī)層和所述焊 盤(pán)掩模。
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造圖像傳感器的方法，該方法可以包括下列 步驟中的至少之一在半導(dǎo)體襯底上方形成包括焊盤(pán)的層間介電層；在所述 層間介電層上方形成鈍化層；在所述鈍化層上方形成濾色鏡陣列；在所述濾 色鏡陣列上方形成平坦化層；在所述平坦化層上方形成包括多個(gè)接觸微透鏡 的微透鏡陣列，所述多個(gè)接觸微透鏡之間具有零間隙，所述微透鏡陣列還包 括位于所述平坦化層上方的第一介電層以及在所述第一介電層上方形成的 第二介電層；在包括微透鏡陣列的所述半導(dǎo)體襯底上方形成金屬層；在所述 金屬層上方形成焊盤(pán)掩模，所述焊盤(pán)掩模包括第一焊盤(pán)孔，所述第一焊盤(pán)孔 用于暴露在空間上與所述焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的金屬層的上表面部分；通過(guò)使用所述 焊盤(pán)掩模作為蝕刻掩模蝕刻所述金屬層、第二介電層、第一介電層以及鈍化 層，暴露所述焊盤(pán)的頂表面；去除所述焊盤(pán)掩模；然后去除所述金屬層。


圖1-圖6示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造圖像傳感器的方法。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，層間介電層20可以形成在半導(dǎo)體襯底10上和/或上方?？?為每個(gè)單位像素在半導(dǎo)體襯底10上和/或上方形成包括光電二極管的光檢測(cè) 部和電路區(qū)域。包括光電二極管的光檢測(cè)部可以包括定義有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)的器 件隔離層，其中所述有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)形成在半導(dǎo)體襯底10上和/或上方。每個(gè) 單位像素可以包括光電二極管和CMOS電路，該光電二極管用于接收光以產(chǎn) 生光電荷(photo charge)，該CMOS電路電連接至光電二極管以將所產(chǎn)生 的光電荷轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
在包括器件隔離層和光電二極管的相關(guān)器件形成之后，可以在半導(dǎo) 體襯底10上和/或上方形成層間介電層20。在層間介電層20中可以形成 多條金屬線，所述多條金屬線電連接至光檢測(cè)部。包括金屬線的層間介 電層20可以形成為具有多層結(jié)構(gòu)(其由多層構(gòu)成)。形成每條金屬線， 以免遮蔽或屏蔽入射到光電二極管上的光。
當(dāng)金屬線中的最后一條金屬線形成時(shí)，焊盤(pán)21可以在層間介電層20 中形成。鈍化層30可以在包括焊盤(pán)21的層間介電層20上和/或上方形成， 該鈍化層用于保護(hù)器件以免受到不希望的潮氣影響或劃傷。例如，鈍化 層30可以形成具有疊置的多層介電結(jié)構(gòu)，所述多層介電結(jié)構(gòu)包括氧化硅 層、氮化硅層和氮氧化硅層中的至少一層。如圖1所示，鈍化層30可以 具有如下結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括由厚度為1000-5000A的正硅酸乙酯(TEOS) 層31構(gòu)成的第一下層，以及由厚度為1000-10000A的氮化物層32構(gòu)成 的第二上層。
通過(guò)隨后的處理可以在鈍化層30上和/或上方形成包括多個(gè)濾色鏡 的濾色鏡40。濾色鏡40還可以直接在包括焊盤(pán)21的層間介電層20上和 /或上方形成，以獲得厚度和總體尺寸減小的圖像傳感器。
然后可以執(zhí)行暴露焊盤(pán)21的第一焊盤(pán)曝光工藝。在第一焊盤(pán)曝光工 藝中，可以在鈍化層30上和/或上方形成具有相應(yīng)于焊盤(pán)區(qū)域的孔的光致 抗蝕劑圖案。此外，使用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，蝕刻鈍化層30 來(lái)暴露焊盤(pán)21的頂表面。因此，在執(zhí)行第一焊盤(pán)曝光工藝之后，形成微 透鏡陣列，然后可以執(zhí)行第二焊盤(pán)曝光工藝。所述第一焊盤(pán)曝光工藝可 以被省略。
然后，可以在鈍化層30上和/或上方形成濾色鏡40，濾色鏡40可以包括多個(gè)濾色鏡以實(shí)現(xiàn)彩色圖像。這些濾色鏡可以代表不同的顏色，如
紅、綠和藍(lán)。可以作為濾色鏡40的示例性材料包括染色的光致抗蝕劑。 為了從入射光分離顏色，可以在每個(gè)單位像素上和/或上方形成濾色鏡 40，從而使得相鄰的濾色鏡40可以略微彼此重疊以具有高度差。為補(bǔ)償 該高度差，可以在濾色鏡40上和/或上方形成平坦化層50。在隨后工藝 中待形成的微透鏡陣列可以形成在平坦化的表面上和/或上方。因此，平 坦化層50可以在濾色鏡40上和/或上方形成，以消除由重疊的濾色鏡40 引起的高度差。當(dāng)然，平坦化層50可以被省略。
然后，在濾色鏡40或平坦化層50上和/或上方形成用于形成微透鏡 的第一介電層60。然后可以在第一介電層60上和/或上方形成用于每個(gè) 單位像素的微透鏡陣列掩模200。第一介電層60可以由氧化物層、氮化 物層和氮氧化物層中的至少一層組成。例如，第一介電層60可以由諸如 Si02的氧化物層構(gòu)成，其中可使用化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉 積(PVD)或等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD)技術(shù)，在約50-25(TC的溫度 范圍下形成具有約2000-20000A厚度的上述氧化物層。
通過(guò)用光致抗蝕劑層涂敷第一介電層60，然后執(zhí)行圖案化工藝和回 流工藝，可形成包括多個(gè)微透鏡掩模的微透鏡陣列掩模200，其中所述多 個(gè)微透鏡掩模形成為彼此分隔預(yù)定距離。然后微透鏡陣列掩模200可以 形成為具有半球形狀。
如圖2所示，可以在第一介電層60上和/或上方形成用于每個(gè)單位像 素的籽晶微透鏡陣列61。通過(guò)使用微透鏡陣列掩模200作為蝕刻掩模在 第一介電層60上執(zhí)行蝕刻工藝，可以形成所述籽晶微透鏡陣列61?？梢?執(zhí)行第一介電層60的蝕刻，以便以1:0.7-1.3的蝕刻比對(duì)形成微透鏡陣列 掩模200的光致抗蝕劑層和形成第一介電層60的氧化物層進(jìn)行蝕刻。因 此，可對(duì)形成籽晶微透鏡陣列61的第一介電層60執(zhí)行蝕刻，直到完全 蝕刻掉由光致抗蝕劑材料構(gòu)成的微透鏡陣列掩模200。例如，通過(guò)提供蝕 刻氣體CJIyFz (x, y， z是零或自然數(shù))以及惰性氣體(例如，Ar、 He、 02以及N2中的至少一種)，可在室中執(zhí)行第一介電層60的蝕刻工藝。 具體地，使用27MHz、大約600-1400W的源功率(source power)和施 加在室中的2MHz、大約0-500W的偏置功率以及在室內(nèi)注入蝕刻氣體和惰性氣體，可執(zhí)行蝕刻工藝，所述蝕刻氣體包括大約40-120sccm的CF4， 所述惰性氣體例如為大約2-20sccm的02和大約200-900sccm的Ar中的
至少一種。
第一介電層60可被蝕刻到約1000-19000A的厚度，以形成籽晶微透 鏡陣列61。籽晶微透鏡陣列61可以形成為具有約1000-6000A的厚度。 具體地，所述工藝可以被改進(jìn)，以使得在所述蝕刻處理期間不向室施加 偏置功率。這可以降低從室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體向半導(dǎo)體襯底IO移動(dòng)的離 子的能量。從而能夠減少對(duì)第一介電層60的蝕刻損傷。而且可以防止由 于在等離子體處理期間在半導(dǎo)體襯底10的界面處產(chǎn)生的缺陷能級(jí)(trap level)導(dǎo)致的暗電流。
如圖2所示，通過(guò)上述的蝕刻處理，可以由相應(yīng)濾色鏡40上和/或上 方的低溫氧化物層形成具有半球形狀的籽晶微透鏡陣列61?？梢孕纬勺?晶微透鏡陣列61，以使得各籽晶微透鏡與相鄰的籽晶微透鏡分隔，從而 防止融合現(xiàn)象(merging phenomenon)。
如圖3所示，可以在包括籽晶微透鏡陣列61的半導(dǎo)體襯底10上和/ 或上方形成第二介電層70，以形成微透鏡陣列80。可以在包括籽晶微透 鏡陣列61的第一介電層60的頂表面上和/或上方以及相鄰籽晶微透鏡之 間的間隙中沉積第二介電層70。因此，每一個(gè)籽晶微透鏡都能直接接觸 相鄰的籽晶微透鏡。因此，包括籽晶微透鏡陣列61和第二介電層70的 微透鏡陣列80可以形成為在相鄰微透鏡之間沒(méi)有間隙的連續(xù)半球形狀。 第二介電層70可以由與第一介電層60相同的材料構(gòu)成。例如，通過(guò)在 約50-250'C的溫度范圍下沉積厚度約500-20000A的氧化物層，可以形成 第二介電層70。
因?yàn)樵谧丫⑼哥R陣列61上和/或上方以及在籽晶微透鏡之間的間 隙中沉積具有薄厚度的第二介電層70，所以可以形成微透鏡80以使得相 鄰微透鏡直接接觸。因此，所述微透鏡之間的間隙可以減小到零，由此 提高所述圖像傳感器的圖像質(zhì)量。
如圖4所示，可以在包括微透鏡陣列80的半導(dǎo)體襯底10上和/或上 方形成覆蓋層90，用于防止由于在等離子體蝕刻處理期間產(chǎn)生的紫外線 (UV)輻射導(dǎo)致在半導(dǎo)體襯底10與介電層之間產(chǎn)生的缺陷能級(jí)?？梢詫⒏采w層90沉積為具有約100-3000A的厚度，以覆蓋在半導(dǎo)體 襯底10上和/或上方形成的微透鏡陣列80和層間介電層20。覆蓋層90 可以由有機(jī)的底部抗反射涂層(BARC)構(gòu)成。當(dāng)將覆蓋層90形成為有 機(jī)BARC層時(shí)，覆蓋層90可以吸收在等離子體蝕刻處理期間產(chǎn)生的UV 輻射，從而防止在半導(dǎo)體襯底IO與介電層之間產(chǎn)生缺陷能級(jí)。
可選地，覆蓋層90可以由金屬層構(gòu)成，其中通過(guò)沉積電導(dǎo)率約為 l(T6ohm/m或更高的金屬材料來(lái)形成所述金屬層。這種用于覆蓋層90的 金屬材料包括Al、 Ti、 W和TiN中的至少之一，也即電導(dǎo)率約為 10義l(^ohm/m的材料。當(dāng)將覆蓋層90形成為金屬層時(shí)，覆蓋層90可以 反射在等離子體蝕刻處理期間產(chǎn)生的UV輻射，從而防止在半導(dǎo)體襯底 10與所述介電層之間產(chǎn)生的缺陷能級(jí)。
如圖5所示，然后可以在覆蓋層卯上和/或上方形成包括焊盤(pán)孔110 的焊盤(pán)掩模100。通過(guò)用光致抗蝕劑涂敷覆蓋層90并且圖案化所述光致 抗蝕劑，可以形成焊盤(pán)掩模100。可以通過(guò)焊盤(pán)孔110暴露在空間上與焊 盤(pán)21對(duì)應(yīng)的覆蓋層90的上表面部分，而覆蓋層90的其余部分可以被焊 盤(pán)掩模100覆蓋。
然后，使用焊盤(pán)掩模100作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻部分覆蓋層90、部分 第二介電層70、部分第一介電層60以及部分鈍化層30，以形成暴露焊 盤(pán)21的頂表面的焊盤(pán)暴露孔23。焊盤(pán)暴露孔23可以通過(guò)干蝕刻工藝形 成。例如，焊盤(pán)暴露孔23可以通過(guò)與用于形成籽晶微透鏡陣列61的蝕 刻工藝相同的蝕刻工藝形成。具體地，可以使用27MHz、大約600-1400W 的源功率和2MHz、大約0-500W的偏置功率，以及在室內(nèi)提供由CxHyFz (x, y, z是零或自然數(shù))組成的蝕刻氣體和由Ar、 He、 02以及^中至 少一種組成的惰性氣體，通過(guò)蝕刻工藝形成焊盤(pán)暴露孔23。因?yàn)樵趫?zhí)行 所述等離子體蝕刻處理時(shí)產(chǎn)生UV輻射，所以覆蓋層90的使用防止了半 導(dǎo)體襯底IO對(duì)UV輻射的吸收。同時(shí)，當(dāng)覆蓋層90是有機(jī)BARC層時(shí)， 覆蓋層90吸收所述UV輻射，由此防止了暗電流的產(chǎn)生?？蛇x地，當(dāng)覆 蓋層卯是金屬層時(shí)，覆蓋層90反射所述UV輻射，同樣防止了暗電流 的產(chǎn)生。
如圖6所示，在暴露焊盤(pán)21的蝕刻處理之后，通過(guò)在約0-5(TC的溫
10度范圍下執(zhí)行灰化處理(ashing process)，可以去除焊盤(pán)掩模100。具體 地，在0'C的溫度下使用02氣體，可以去除焊盤(pán)掩模100。通過(guò)降低半 導(dǎo)體襯底IO所在的下電極的溫度，可以執(zhí)行上述處理。
如果覆蓋層90是由例如BARC的有機(jī)層構(gòu)成，由于覆蓋層卯和焊 盤(pán)掩模100都是由有機(jī)材料形成，所以當(dāng)去除焊盤(pán)掩模100時(shí)，可以同 時(shí)去除覆蓋層90。去除焊盤(pán)掩模100和覆蓋層90通常需要200'C或更高 的溫度，在這樣的溫度下執(zhí)行去除光致抗蝕劑層的工藝。根據(jù)本發(fā)明的 實(shí)施例，不需要這么高的溫度，所以能夠防止微透鏡陣列80的表面由于 暴露于高溫而受到損傷。
如果覆蓋層90是由金屬層構(gòu)成，可以首先去除焊盤(pán)掩模100，隨后 執(zhí)行覆蓋層卯的去除。使用包括屬于鹵族的元素(如F、 Cl等)的蝕刻 氣體可以去除由金屬材料形成的覆蓋層90。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法可以形成由無(wú)機(jī)材料 制成的微透鏡陣列，以防止由于隨后的封裝和凸點(diǎn)制作工藝對(duì)微透鏡造 成的損傷。該方法可以形成無(wú)間隙的微透鏡，從而提高圖像傳感器的靈 敏性。此外，該方法可以包括在微透鏡陣列上和/或上方形成覆蓋層，以 防止由于后續(xù)工藝期間的等離子體導(dǎo)致的暗電流的產(chǎn)生，由此提高了圖 像傳感器的整體質(zhì)量。
本說(shuō)明書(shū)中對(duì)"一個(gè)實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"實(shí)施實(shí)例"等的任何提及表示 結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例 中。在說(shuō)明書(shū)中不同地方出現(xiàn)的這種術(shù)語(yǔ)不必須均指同一的實(shí)施例。此外， 當(dāng)結(jié)合任一實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，應(yīng)認(rèn)為結(jié)合其它實(shí)施例實(shí) 現(xiàn)這種特征、結(jié)構(gòu)或特性處于本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。
雖然參照多個(gè)示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明的各實(shí)施例，應(yīng)理解由本領(lǐng)域 技術(shù)人員想到的各種其它變型和實(shí)施例均應(yīng)落入本發(fā)明的原理的精神和范 圍內(nèi)。更具體地，在說(shuō)明書(shū)、附圖和后附權(quán)利要求所公開(kāi)的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行 主要組合排列的元部件和/或結(jié)構(gòu)的各種改變和變化。除了元部件和/或結(jié)構(gòu) 的各種改變和變化之外，替代使用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種制造圖像傳感器的方法，其包括如下步驟在半導(dǎo)體襯底上方形成包括焊盤(pán)的層間介電層；直接在所述層間介電層上方形成濾色鏡陣列；在所述濾色鏡陣列上方形成微透鏡陣列；在包括所述微透鏡陣列的所述半導(dǎo)體襯底上方形成覆蓋層；在所述覆蓋層上方形成焊盤(pán)掩模；然后暴露所述焊盤(pán)。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中暴露所述焊盤(pán)的步驟包括使用所述焊 盤(pán)掩模作為蝕刻掩模來(lái)執(zhí)行等離子體蝕刻處理。
3. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括，在暴露所述焊盤(pán)之后，同時(shí) 去除所述焊盤(pán)掩模和所述覆蓋層。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中在大約0-5(TC的溫度下，使用02 氣體去除所述焊盤(pán)掩模和所述覆蓋層。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述覆蓋層包括有機(jī)的底部抗反 射涂層。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述覆蓋層包括金屬層。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，還包括如下步驟 在暴露所述焊盤(pán)之后去除所述焊盤(pán)掩模；然后 去除所述覆蓋層。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中使用包括鹵族元素的蝕刻氣體去 除所述覆蓋層。
9. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中形成所述微透鏡陣列的步驟包括 如下步驟在所述濾色鏡陣列上方形成第一介電層； 在所述第一介電層上方形成微透鏡陣列掩模；然后 利用所述微透鏡掩模蝕刻所述第一介電層，以形成與相鄰微透鏡分 隔的多個(gè)微透鏡。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，還包括在所述微透鏡上方和相鄰微透 鏡之間的空間中沉積第二介電層。
11. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一介電層和所述第二介電 層中的每一個(gè)包括氧化物層、氮化物層以及氮氧化物層中的至少一種。
12. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述覆蓋層具有大約100-3000A 的厚度。
13. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述濾色鏡陣列之后但 在形成所述微透鏡陣列之前形成平坦化層。
14. 一種制造圖像傳感器的方法，包括如下步驟 在半導(dǎo)體襯底上方形成包括焊盤(pán)的層間介電層； 在所述層間介電層上方形成鈍化層； 在所述鈍化層上方形成濾色鏡陣列； 在所述濾色鏡陣列上方形成平坦化層；在所述平坦化層上方形成微透鏡陣列，所述微透鏡陣列包括位于所 述平坦化層上方的第一介電層以及在所述第一介電層上方形成的第二介 電層；在包括所述微透鏡陣列的所述半導(dǎo)體襯底上方形成有機(jī)層； 在所述有機(jī)層上方形成焊盤(pán)掩模，所述焊盤(pán)掩模包括第一焊盤(pán)孔，所述第一焊盤(pán)孔用于暴露在空間上與所述焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的所述有機(jī)層的上表面部分；通過(guò)使用所述焊盤(pán)掩模作為蝕刻掩模蝕刻所述有機(jī)層、所述第二介 電層、所述第一介電層以及所述鈍化層，暴露所述焊盤(pán)的頂表面；然后 同時(shí)去除所述有機(jī)層和所述焊盤(pán)掩模。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述鈍化層的步驟包括如 下步驟在所述層間介電層上方沉積厚度為1000-5000A的正硅酸乙酯層；然后在所述正硅酸乙酯層上方沉積厚度為1000-10000A的氮化物層。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述微透鏡陣列的步驟包 括如下步驟在所述平坦化層和所述鈍化層上方形成所述第一介電層； 在包括分隔形成的多個(gè)微透鏡掩模的所述第一介電層上方形成微透鏡陣列掩模；使用所述微透鏡陣列掩模作為蝕刻掩模，在所述第一介電層上執(zhí)行 蝕刻處理，形成籽晶微透鏡陣列；然后在包括所述籽晶微透鏡陣列的所述第一介電層上方以及相鄰籽晶微 透鏡之間的間隙中形成所述第二介電層。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述有機(jī)層包括具有大約 100-3000A厚度的底部抗反射涂層。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中在大約0-50'C的溫度下使用02 氣體去除所述有機(jī)層和所述焊盤(pán)掩模。
19. 一種制造圖像傳感器的方法，包括如下步驟 在半導(dǎo)體襯底上方形成包括焊盤(pán)的層間介電層； 在所述層間介電層上方形成鈍化層； 在所述鈍化層上方形成濾色鏡陣列； 在所述濾色鏡陣列上方形成平坦化層；在所述平坦化層上方形成包括多個(gè)接觸微透鏡的微透鏡陣列，所述 多個(gè)接觸微透鏡之間具有零間隙，所述微透鏡陣列還包括位于所述平坦 化層上方的第一介電層以及在所述第一介電層上方形成的第二介電層； 在包括所述微透鏡陣列的所述半導(dǎo)體襯底上方形成金屬層； 在所述金屬層上方形成焊盤(pán)掩模，所述焊盤(pán)掩模包括第一焊盤(pán)孔， 所述第一焊盤(pán)孔用于暴露在空間上與所述焊盤(pán)相對(duì)應(yīng)的所述金屬層的上 表面部分；通過(guò)使用所述焊盤(pán)掩模作為蝕刻掩模蝕刻所述金屬層、所述第二介 電層、所述第一介電層以及所述鈍化層，暴露所述焊盤(pán)的頂表面； 去除所述焊盤(pán)掩模；然后 去除所述金屬層。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述金屬層包括電導(dǎo)率約為 10'6ohm/m或更高的材料，其中使用包括鹵族元素的蝕刻氣體去除所述金屬 層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種制造圖像傳感器的方法，該方法包括如下步驟在濾色鏡陣列上方形成微透鏡陣列；在包括所述微透鏡陣列的半導(dǎo)體襯底上方形成覆蓋層；在所述覆蓋層上方形成焊盤(pán)掩模；然后暴露層間介電層中的焊盤(pán)。
文檔編號(hào)H01L27/14GK101308821SQ200810099299
公開(kāi)日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日
發(fā)明者卓炳錫, 柳商旭 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司