專利名稱：：三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管及其制備方法。技術(shù)背景近年來有機薄膜晶體管在柔性顯示和塑料集成電路方面表現(xiàn)出應(yīng)用潛力。早期的有機薄膜晶體管一般采用二氧化硅(Si02)或聚合物等單一材料作為絕緣柵，但是器件的工作電壓很高，一般在20V以上。為了克服這一缺點，美國發(fā)明專利US5946551提供了一種采用高介電常數(shù)材料(如鈦酸鋇，BZT)為柵絕緣層來實行低工作電壓的方法，但是采用高介電絕緣柵器件的關(guān)態(tài)電流變大，這源于柵極與源/漏電之間的漏電流增大。為了克服這一缺點，中國發(fā)明專利ZL02130962.0和CN1545153采用低介電常數(shù)的聚合物薄膜和有機超薄膜與高介電常數(shù)的五氧化二鉭(Ta205)、二氧化鈦(Ti02)和三氧化二鋁(Al203)低溫濺射膜的雙層復(fù)合膜作為絕緣柵，有效降低了有機晶體管的關(guān)態(tài)電流和工作電壓，但是采用雙層復(fù)合膜作為絕緣柵晶體管在循環(huán)工作過程中出現(xiàn)工作電壓漂移現(xiàn)象(也稱為回滯現(xiàn)象)，即工作電壓不穩(wěn)定。2007年ECS雜志(Electrochemicalandsolid-stateletters10,H117-H119,(2007))采用三層復(fù)合膜絕緣柵結(jié)構(gòu)作為有機薄膜晶體管的絕緣柵顯著降低了有機薄膜晶體管的泄漏電流，并未涉及到有機薄膜晶體管工作電壓的穩(wěn)定性問題，但有機薄膜晶體管的工作電壓穩(wěn)定性在晶體管的應(yīng)用中非常重要。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管及其制作方法，解決晶體管的工作電壓不穩(wěn)定的問題。下面結(jié)合附圖描述本發(fā)明。三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管如圖1所示，其包括襯底1，金屬電極2，有機半導(dǎo)體層6，源/漏電極7;其特征在于，還包括.*低介電常數(shù)聚合物層3，高介電常數(shù)氧化物層4，低介電常數(shù)聚合物層5，所述的3、4和5層構(gòu)成三層復(fù)合膜絕緣柵；所述的高介電常數(shù)氧化物優(yōu)選為Ta205、Ti02、A1203、SiNx或Si02，厚度為10-200納米;所述的低介電常數(shù)聚合物層3和層5的兩層優(yōu)選為側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(簡稱為BCBOI)和側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(簡稱為BCBOII);3層和5層的厚度分別為10-200納米；所述的BCBOI結(jié)構(gòu)式為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中，Ri是氫或甲基；R是烷基、芳基、羥烷基、氰基(-CN)、酰胺基(-CONHR2)、三甲氧基硅烷基(-Si(OCH3)3)、或酯基(-COOR2);其中酰胺基(-CONHR2)和酯基(-COOR2)中的R2是氫、垸基、芳基、羥烷基、氰化烷基、環(huán)氧垸基、醚、酯或醋酸酯；n和m數(shù)值分別在0.1到0.9之間；其分子量分別在5000到30000之間。本發(fā)明的BCBOI優(yōu)選為BCBOI(1):Ri二氫；R二烷基；BCBOI(2):R產(chǎn)氫；R二芳基；BCBOI(3):Rf氫；R二羥烷基；BCBOI(4):R^氫；R二氰基；BCBOI(5):Rf氫；1=三甲氧基硅烷基;BCBOI(6):R產(chǎn)氫;R二酯基；Rf烷基;BCBOI(7):Rf氫；R二酰胺基；Rf烷基;所述的BCBOII結(jié)構(gòu)式為R，CH2~C-」1-n-mR其中，Ri是氫或甲基；R是垸基、芳基、羥烷基、氰基(-CN)、酰胺基(-CONHR2)、三甲氧基硅垸基(-Si(OCH3)3)、或酉旨基(-COOR2);其中酰胺基(-CONHR2)和酯基(-COOR2)中的R2是氫、烷基、芳基、'羥烷基、氰化烷基、環(huán)氧垸基、醚、酯或醋酸酯；R3是烷基或芳基；n和m數(shù)值分別在O.l到0.9之間；其分子量分別在5000到30000之間。本發(fā)明的BCBOII優(yōu)選為BCBOII(l):R尸氫；11=烷基;R^芳基;BCBOH(2):R尸氫;11=芳基;R尸芳基；BCB0II(3):R尸氫；11=羥烷基；R尸芳基；BCB0II(4):R尸氫;R-氰基;Rf芳基;BCBOIH5):R尸氫；11=三甲氧基硅垸基；Rf芳基；BCB0II(6):R尸氫;11=酯基;Rf烷基;Rf芳基;BCB0II(7):R尸氫;11=酰胺基;Rf烷基;Rf芳基。BCBOI和BCBOII按照美國發(fā)明專利US6534250和加拿大發(fā)明專利CA2346149條件合成。三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管的制作方法如下1、采用旋涂或蘸涂方法，在襯底l已經(jīng)覆蓋金屬電極2的表面上形成一層低聚合度的低介電常數(shù)聚合物層3;低聚合度的低介電常數(shù)聚合物層3經(jīng)紫外照射，交聯(lián)后形成高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層3，其厚度為10-200納米；2、在高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層3上，采用濺射方法形成一層高介電常數(shù)氧化物層4，其厚度為10-200納米；3、按照步驟1)的方法，在高介電常數(shù)氧化物層4表面形成一層高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層5，其厚度為10-200納米；4、在上述形成的三層復(fù)合膜絕緣柵上，利用真空蒸鍍的方法制備有機半導(dǎo)體層6，背景壓力為3.0X104pa8.0X10—Spa，襯底溫度為180°C，厚度20納米；5、'在有機半導(dǎo)體層6上蒸鍍源/漏電極7，電極厚度為30納米。本發(fā)明的有益效果用于復(fù)合高介電常數(shù)氧化物的低介電常數(shù)聚合物層具有光照交聯(lián)性質(zhì)，便于器件的集成加工。該結(jié)構(gòu)的三層復(fù)和膜絕緣柵避免高介電常數(shù)的氧化物絕緣膜與金屬柵電極直接接觸，阻斷了金屬電極向氧化物層的電子注入，降低了在負電壓區(qū)有機薄膜晶體管的回滯同時降低了氧化物層的分壓，降低了在正電壓區(qū)晶體管的回滯。從而降低了有機薄膜晶體管的回滯效應(yīng)，顯著改善了有機薄膜晶體管的工作穩(wěn)定性。圖1三層復(fù)合膜作為絕緣柵的有機薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)示意圖。圖2三層復(fù)合膜絕緣柵電容結(jié)構(gòu)示意圖。l是襯底，2是金屬電極，3和5低介電常數(shù)聚合物層，4是高介電常數(shù)氧化物層，8是上金屬電極。圖3雙層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖。1是襯底，2是金屬電極，4是高介電常數(shù)氧化物層，5是低介電常數(shù)聚合物層，6是有機半導(dǎo)體層，7是源/漏金屬電極。圖4BCBOII(1)-Ta205-BCBOII(1)三層復(fù)合膜絕緣柵的柵源電流-電壓曲線。圖5BCBOII(1)-Ta205-BCBOII(1)三層復(fù)合膜絕緣柵在可見光范圍內(nèi)的光透過率-波長曲線。圖6采用雙層復(fù)合膜絕緣柵的有機晶體管器件兩種掃描方向的轉(zhuǎn)移特性曲線。圖7采用三層復(fù)合膜絕緣柵的有機晶體管器件兩種掃描方向的轉(zhuǎn)移特性曲線。具體實施方式實施例1所用高介電常數(shù)氧化物Ta205、Ti02、A1203、氮化硅(SiN。、Si02、鋁(Al)和鉭(Ta)是商業(yè)產(chǎn)品，直接使用。所用低介電常數(shù)聚合物BCBOI(1)到BCBOI(7)和BCBOII(l)到BCBOII(7)按照美國發(fā)明專利US6534250和加拿大發(fā)明專利CA2346149描述條件合成，經(jīng)過過濾使用。玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)薄膜是商業(yè)產(chǎn)品，清洗后使用。具體加工方法如下在襯底1玻璃上利用直流磁控濺射方法制備鉻金屬電極2，然后，采用旋涂方法在已經(jīng)覆蓋鉻金屬電極2的襯底1玻璃表面上形成一層低聚合度的低介電常數(shù)聚合物層3，所用聚合物為BCBOII(l)，用紫外光照射使其固化交聯(lián)，形成高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層3，膜厚約為100納米。再利用射頻磁控濺射的方法制備高介電常數(shù)氧化物層4，為Ta20s，氧氣和氬氣流量配比為02:Ar=5:0.8，真空室的氣壓為1.3X10—ipa，膜厚為200納米。最后，在高介電常數(shù)氧化物層Ta205上采用旋涂方法形成一層低聚合度的低介電常數(shù)聚合物層5，所用聚合物為BCBOII(l)，用紫外光照射使其固化交聯(lián)形成高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層5，膜厚為100納米，在覆蓋鉻金屬電極的襯底玻璃上制備出三層復(fù)合膜絕緣柵。在上述三層復(fù)合膜絕緣柵上采用真空蒸鍍的方法蒸鍍上金屬電極層8鋁，形成如圖2所示的電容器件，測試其電容值。圖4是上述三層復(fù)合膜絕緣柵構(gòu)成如圖2所示的電容器件后，測得的單位面積柵源電流-電壓(I-V)曲線，在1.5MV/cm時，其單位面積柵源電流接近10—8A，證明此三層復(fù)合膜絕緣柵有比較低的漏電流，適合于有機薄膜晶體管的應(yīng)用。在玻璃襯底l上，制備上述三層復(fù)合膜絕緣柵3-5，測試上述結(jié)構(gòu)的光透過率-波長曲線，如圖5所示，三層復(fù)合膜絕緣柵有很高的光透明度，適合于平板顯示的應(yīng)用。實施例2所用材料同實施例1。在實施例l，襯底1采用PET，金屬電極2采用鋁，制備高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物薄膜3，所用聚合物為BCBOIH7)，在其上采用Si02耙，在1500W的功率下利用磁控射頻濺射方法制備高介電常數(shù)氧化物層4，為Si02，膜厚為200納米；最后在高介電常數(shù)氧化物層Si02上制備低介電常數(shù)聚合物層5，所用聚合物為BCBOII(7)，形成三層復(fù)合膜絕緣柵。在上述三層復(fù)合膜絕緣柵上采用真空蒸鍍的方法蒸鍍上金屬電極層8鋁，形成如圖2所示的電容器件，測試其電容值。在實施例l，襯底1采用PEN，金屬電極2采用鋁釹合金，制備高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層3，所用聚合物為BCBOI(3)，在其上采用Al203耙，在1400W的功率下利用磁控射頻濺射方法制備高介電常數(shù)氧化物層4，為Al20"膜厚為100納米；最后在高介電常數(shù)氧化物層Al203上制備低介電常數(shù)聚合物層5，所用聚合物為BCB01(3)，形成三層復(fù)合膜絕緣柵。在上述三層復(fù)合膜絕緣柵上采用真空蒸鍍的方法蒸鍍上金屬電極層8鋁，形成如圖2所示的電容器件，測試其電容值。在實施例l，襯底l采用玻璃，金屬電極2采用鉬，制備高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層3，所用聚合物為BCBOI(1)，在其上采用Ti(V耙，在1500W的功率下利用磁控射頻濺射方法制備高介電常數(shù)氧化物層4，為TiCb，膜厚為200納米；最后在高介電常數(shù)氧化物層Ti02上制備低介電常數(shù)聚合物層5，所用聚合物為BCBOI(1)，形成三層復(fù)合膜絕緣柵。在上述三層復(fù)合膜絕緣柵上采用真空蒸鍍的方法蒸鍍上金屬電極層8鋁，形成如圖2所示的電容器件，測試其電容值。在實施例1，襯底1采用PC，金屬電極2采用銀，制備高交聯(lián)度低介電常數(shù)聚合物層3上，所用聚合物為BCBOI(7)，在其上采用SiNx耙，在1500W的功率下利用磁控射頻濺射方法制備高介電常數(shù)氧化物層4，為SiNx，膜厚為200納米；最后在高介電常數(shù)氧化物層SiNx上制備低介電常數(shù)聚合物層5，所用聚合物為BCBOI(7)，形成三層復(fù)合膜絕緣柵。在上述三層復(fù)合膜絕緣柵上采用真空蒸鍍的方法蒸鍍上金屬電極層8鋁，形成如圖2所示的電容器件，測試其電容值。上述各種如圖2所示的電容器件其各層組成如表1所示<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>上述各種組成的三層復(fù)合膜絕緣柵，其在測試頻率為20Hz時的單位面積電容數(shù)據(jù)如表2所示表2<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>實驗中發(fā)現(xiàn)同一種氧化物與不同取代基的BCBO組成三層復(fù)合膜絕緣柵時，其總電容有較小的差別，數(shù)據(jù)不再羅列，實驗中發(fā)現(xiàn)采用不同襯底l，不同金屬電極2時，其電容數(shù)據(jù)差別不大，在這里不重復(fù)羅列。實施例3所用材料同實施例1。六聯(lián)苯(6P)和酞菁氧釩(VOPc)是商業(yè)產(chǎn)品，經(jīng)過三次提純后使用。采用實施例1制備三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，利用真空蒸鍍的方法制備6P和VOPc有機半導(dǎo)體層6，背景壓力為3.0Xl(T4Pa8.0X10-5Pa，襯底溫度為180°C，6P薄膜厚度約2納米，VOPc薄膜厚度約20納米。再在有機半導(dǎo)體層6上蒸鍍金(Au)源/漏電極7，電極厚度為30納米，所制備的三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖l所示。為了方便比較，采用實施例1的方法制備不包含低介電常教聚合物層3的雙層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，所制備的雙層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖3所示。雙層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖6所示。其中器件正向電壓掃描時(即從有機薄膜晶體管關(guān)的狀態(tài)掃描到開的狀態(tài))，閾值電壓-7.1V，遷移率0.16cm"Vs;反向掃描時(即從有機薄膜晶體管開的狀態(tài)掃描到關(guān)的狀態(tài))，閾值電壓-3.3V，遷移率0.13cm2/Vs;兩種掃描方向閾值電壓相差較大，即雙層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管工作電壓不穩(wěn)定。三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖7所示。其中器件正向電壓掃描時(即從有機薄膜晶體管關(guān)的狀態(tài)掃描到開的狀態(tài))，閾值電壓-9.5V，遷移率0.11cm"Vs;反向掃描時(即從有機薄膜晶體管開的狀態(tài)掃描到關(guān)的狀態(tài))，閾值電壓-9.3V，遷移率0.11cm2/Vs;兩種掃描方向閾值電壓相差很小，即三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管工作電壓穩(wěn)定。高介電常數(shù)氧化物層為Ta205、Si02、Al203、Ti02、SiNx的有機薄膜晶體管兩種掃描方向數(shù)據(jù)如表3所示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>本發(fā)明不限于上述實施例。一般來說，基于本發(fā)明所公開的三層復(fù)合膜絕緣柵形成的有機薄膜晶體管可以加工形成二維或三維的集成器件中的元件。這些集成器件可能應(yīng)用在柔性集成電路、有源矩陣顯示和有機傳感器等方面。使用基于本發(fā)明的薄膜晶體管元件可以低溫加工。加工本發(fā)明的有機薄膜晶體管不限于傳統(tǒng)的光刻工藝，也可以采用打印、印刷等加工方法。權(quán)利要求1.三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，其包括襯底(1)，金屬電極(2)，有機半導(dǎo)體(6)層，源/漏電極(7)；其特征在于還包括低介電常數(shù)聚合物層(3)，高介電常數(shù)氧化物層(4)，低介電常數(shù)聚合物層(5)，所述的(3)、(4)和(5)層構(gòu)成三層復(fù)合膜絕緣柵。2、如權(quán)利要求1所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的高介電常數(shù)氧化物為Ta205、Ti02、A1203、SiNx或Si02;所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的低介電常數(shù)聚合物為側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物或側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物；所述的側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物的結(jié)構(gòu)式為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中，Ri是氫或甲基；R是烷基、芳基、羥烷基、氰基(-CN)、酰胺基(-CONHR2)、三甲氧基硅烷基(-Si(OCH3)3)、或者酯基(-COOR2);其中酰胺基(-CONHR2)和酯基(-COOR2)中的R2是氫、烷基、芳基、羥烷基、氰化垸基、環(huán)氧烷基、醚、酯或醋酸酯；n和m數(shù)值分別在0.1到0.9之間；其分子量分別在5000到30000之間；所述的側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物結(jié)構(gòu)式為:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，R!是氫或甲基；R是烷基、芳基、羥烷基、氰基(-CN)、酰胺基(-CONHR2)、三甲氧基硅烷基(-Si(OCH3)3)、或者酯基(-COOR2);其中酰胺基(-CONHR2)和酯基(-COOR2)中的R2是氫、烷基、芳基、羥烷基、氰化垸基、環(huán)氧烷基、醚、酯或醋酸酯；R3是烷基或芳基；n和m數(shù)值分別在O.l到0.9之間；其分子量分別在5000到30000之間。3、如權(quán)利要求2所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的高介電常數(shù)氧化物層(4)厚度為10-200納米。4、如權(quán)利要求2或3所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，其特征在于，所述的低介電常數(shù)聚合物層(2)和(3)的厚度分別為10-200納米。5、如權(quán)利要求2所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，其特征在于所述的側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物和側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物為下列所述14種材料的任意一種側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(l):Rf氫；R二垸基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(2):Rf氫；R:芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(3):R^氫；1^=羥烷基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(4):R產(chǎn)氫；1=氰基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(5):R^氫；R二三甲氧基硅烷基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(6):Rf氫；1=酯基；Rf烷基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的二元共聚物(7):&=氫；1^=酰胺基；R2二垸基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(l):R尸氫；R-烷基；R尸芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(2):R尸氫；！1=芳基；Rf芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(3):R尸氫；11=羥烷基；R^芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(4):R產(chǎn)氫；R:氰基；Rf芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(5):R尸氫；f^三甲氧基硅垸基；R尸芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(6):R尸氫；11=酯基；R產(chǎn)垸基；R3=芳基；側(cè)鏈含苯并環(huán)丁酮的三元共聚物(7):R產(chǎn)氫；11=酰胺基；R^烷基；R^芳基。6、如權(quán)利要求1所述的三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管制法，其特征在于步驟和條件如下1)采用旋涂或蘸涂方法，在襯底(1)已經(jīng)覆蓋金屬電極(2)的表面上形成一層低聚合度的低介電常數(shù)聚合物層(3);低聚合度的低介電常數(shù)聚合物層(3)的低聚合度聚合物薄膜經(jīng)紫外照射，交聯(lián)后形成高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層(3)，其厚度為10-200納米；2)在高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層上，采用濺射方法形成一層高介電常數(shù)氧化物層(4)，其厚度為10-200納米；3)按照步驟1)，在高介電常數(shù)氧化物層(4)表面形成一層高交聯(lián)度的低介電常數(shù)聚合物層(5)，其厚度為10-200納米；4)在上述形成的三層復(fù)合膜絕緣柵上，利用真空蒸鍍的方法制備有機半導(dǎo)體層(6)，背景壓力為3.0X10^Pa8.0Xl(rSpa，襯底溫度為180°C，厚度20納米；5)、在有機半導(dǎo)體層(6)上蒸鍍源/漏電極(7)，電極厚度為30納米。全文摘要本發(fā)明涉及三層復(fù)合膜絕緣柵的有機薄膜晶體管，包括襯底(1)，金屬電極(2)，有機半導(dǎo)體(6)層，源/漏電極(7)；還包括低介電常數(shù)聚合物層(3)，高介電常數(shù)氧化物層(4)，低介電常數(shù)聚合物層(5)，所述的(3)、(4)和(5)層構(gòu)成三層復(fù)合膜絕緣柵。該低介電常數(shù)聚合物層具有光照交聯(lián)性質(zhì)，便于器件的集成加工。該結(jié)構(gòu)的三層復(fù)合膜絕緣柵避免高介電常數(shù)的氧化物絕緣膜與金屬電極(2)直接接觸，阻斷了金屬電極(2)向高介電常數(shù)氧化物層的電子注入，降低了在負電壓區(qū)有機薄膜晶體管的回滯；同時降低了高介電常數(shù)氧化物層的分壓，降低了在正電壓區(qū)晶體管的回滯。從而降低了有機薄膜晶體管的回滯效應(yīng)，顯著改善了有機薄膜晶體管的工作穩(wěn)定性。文檔編號H01L51/10GK101267019SQ20081005065公開日2008年9月17日申請日期2008年4月28日優(yōu)先權(quán)日2008年4月28日發(fā)明者李春紅,賀王,王植源,閆東航申請人:中國科學(xué)院長春應(yīng)用化學(xué)研究所