專利名稱：分離兩種材料系統(tǒng)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種分離兩種材料系統(tǒng)的方法，尤其關(guān)于 一種使用濕蝕刻 方式分離藍(lán)寶石基板的方法。
背景技術(shù)：
氮化鎵(GaN )系列材料自1970年代初期被用于制造MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) 二極管，以及1990年代被用以制造p-n 結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode; LED)之后，目前已被廣泛使用 于藍(lán)光與紫外光頻段的光電元件中。氮化鎵系列材料以其直接能隙寬、熱 穩(wěn)定性高、與化學(xué)穩(wěn)定性佳著稱。然而，氮化鎵塊材制作不易，導(dǎo)致必須 使用藍(lán)寶石或碳化硅等異質(zhì)材料作為外延基板以成長氮化鎵結(jié)構(gòu)。其中， 又以釆用與氮化物間存有約14%晶格不匹配(lattice mismatch )的藍(lán)寶石基 才反為市場主 流。
但是，常見的藍(lán)寶石為電絕緣體，且熱導(dǎo)性不佳，為制造垂直導(dǎo)通式 氮化物發(fā)光二極管，或為提高發(fā)光二極管的散熱特性，使用其它種類載體 以替換藍(lán)寶石的技術(shù)也應(yīng)運(yùn)而生。其中一種分離技術(shù)為激光分離法(Laser Lift-off),其使用Nd-YAG激光或準(zhǔn)分子(Excimer)激光將氮化鎵分解為鎵與 氮?dú)舛_(dá)到分離藍(lán)寶石的目的。然而，激光光束的穿透深度控制不易，常 達(dá)到主要外延結(jié)構(gòu)而損及發(fā)光品質(zhì)。相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)可參考美國專利第 6,559,075號與第6,071,795號。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供數(shù)種可用于分離藍(lán)寶石塊材與外延結(jié)構(gòu)、或分離二種材料 系統(tǒng)的方法。
依本發(fā)明 一 實施例的分離二種材料系統(tǒng)的方法，包含提供一藍(lán)寶石塊 材；形成一氮化物系統(tǒng)于藍(lán)寶石塊材之上；形成至少二條空通道于藍(lán)寶石 塊材與氮化物系統(tǒng)之間；蝕刻空通道中至少一內(nèi)表面；及分離藍(lán)寶石塊材與氮化物系統(tǒng)。
依本發(fā)明另 一 實施例的分離二種材料系統(tǒng)的方法，包含提供一第 一材
料系統(tǒng)；形成多條材料通道或材料圖案于第一材料系統(tǒng)之上；形成一第二 材料系統(tǒng)于第 一材料系統(tǒng)與該些材料通道之上；移除該些材料通道或材料 圖案以形成空通道或空圖案；及對空通道或空圖案進(jìn)行濕蝕刻，直至第一 材料系統(tǒng)與第二材料系統(tǒng)間的接觸面積縮小至無法維持一穩(wěn)固連接。
依本發(fā)明又一實施例的一種分離二種材料系統(tǒng)的方法，包含提供一第 一材料系統(tǒng)；干蝕刻第一材料系統(tǒng)以形成一空通道；形成一第二材料系統(tǒng) 于第一材料系統(tǒng)之上；對空通道進(jìn)行濕蝕刻；及分離第一材料系統(tǒng)與第二 材料系統(tǒng)。
依本發(fā)明再一實施例的一種分離二種材料系統(tǒng)的方法，包含提供一第 一材料系統(tǒng)；提供一第二材料系統(tǒng)于第一材料系統(tǒng)之上；形成多個空通道 或空圖案介于第一材料系統(tǒng)與第二材料系統(tǒng)之間；提供一種蝕刻液，其在 第 一材料系統(tǒng)與第二材料系統(tǒng)間存有約50 10000倍等級的蝕刻速率差異； 使用蝕刻液蝕刻空通道或空圖案，直至第一材料系統(tǒng)與第二材料系統(tǒng)間的 接觸面積縮小至無法維持一穩(wěn)固連接。


圖1 A 1E說明依據(jù)本發(fā)明 一 實施例的分離藍(lán)寶石基板的方法；
圖2說明依照本發(fā)明實施例的數(shù)種可能分離型態(tài)；
圖3A與3B說明依據(jù)本發(fā)明一實施例的材料通道的配置；
圖4說明依據(jù)本發(fā)明另一實施例的分離藍(lán)寶石基板的方法；以及
圖5 A~5 C說明依據(jù)本發(fā)明又 一 實施例的分離藍(lán)寶石基板的方法。
附圖標(biāo)記i兌明
10藍(lán)寶石基4反22第二氮化物系統(tǒng)
11第一氮化物系統(tǒng)23材誶午通道
12第二氮化物系統(tǒng)24第三氮化物系統(tǒng)
13材津牛通道30藍(lán)寶石基板
14空通道31第一氮化物系統(tǒng)
14a內(nèi)表面32第二氮化物系統(tǒng)
14b交點(diǎn)33空通道20 藍(lán)寶石基才反 33a側(cè)內(nèi)表面
21 第一氮化物系統(tǒng) 33b蝕刻面
具體實施例方式
以下配合

本發(fā)明的各實施例。
本發(fā)明的一實施例如圖1A 1E所示。首先，于一藍(lán)寶石基板10上方 沉積一蝕刻層(未顯示)，再利用光刻技術(shù)(photolithography)移除蝕刻層 中部分區(qū)域以形成具有特定配置圖案的材料通道13。此外，材料通道13亦 可選4奪作為橫向再成長外延法(epitaxial lateral overgrowth; ELOG)的沖莫板
(template )。繼而，于材料通道13及藍(lán)寶石基板10上方依序形成第 一氮化 物系統(tǒng)11與第二氮化物系統(tǒng)12。其中，第一氮化物系統(tǒng)11作為第二氮化 物系統(tǒng)12的緩沖層(buffer layer )以降低第二氮化物系統(tǒng)12中的位錯密度
(dislocation density )。
第一氮化物系統(tǒng)11的組成為如u-GaN、 A1N、 AlGaN、 InAlN，或由 A1N、 GaN、及InN所組合的材料。形成第一氮化物系統(tǒng)11的方法可采用 有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 或氫化物氣相外延法(Hydride Vapour Phase Epitaxy; HVPE )等。日本專利 第2，141，400號、日本專利公開第2004-289095號、與美國專利第5，122，845 號公開的內(nèi)容與上述制法相關(guān)，并皆以引用方式納入本文。于一實施例中， 第一氮化物系統(tǒng)11包含依序形成于藍(lán)寶石基板10上的A1N層、GaAlN層、 及u-GaN層。于另一具體例中，第一氮化物系統(tǒng)11包含一GaxAl^N(0^x $1)層。
第二氮化物系統(tǒng)12中至少包含一發(fā)光層以及位于此發(fā)光層兩側(cè)的p型 氮化物層與n型氮化物層。發(fā)光層的結(jié)構(gòu)為如單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(single heterostructure; SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure; DH)、雙側(cè)雙異 質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure ; DDH )、 或多重量子阱 (multi-quantumwell; MQW)。發(fā)光層、p型氮化物層、與n型氮化物層的 組成分別為AlxGayInzN (x+y+z=l )。此外，第二氮化物系統(tǒng)12中尚可包含 其他非氮化物、或半導(dǎo)體的材料，如金屬、有機(jī)化合物、絕緣體、與氧化 物等。于一實施例中， 一個氧化銦錫(indium tin oxide; ITO)層可包含于 本系統(tǒng)中以提升側(cè)向電流的分散效果。再者，第二氮化物系統(tǒng)12的外表面或內(nèi)表面中亦可以結(jié)構(gòu)化以形成特定的光場或提高光摘出效率，美國專利
第5,779,924號、第5,792,698號、及日本專利公開第2003-110136號揭示的 內(nèi)容與上述技術(shù)相關(guān)，這些專利亦以引用方式納入本文。形成第二氮化物 系統(tǒng)12的方法可釆用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD)或氬化物氣相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy; HVPE )等。
如圖1B所示，使用特定蝕刻液蝕刻材料通道13以形成空通道14。于 一實施例中，材料通道13的材料為二氧化硅(Si02)，蝕刻液為純度85% 以上熔融狀的氫氧化鉀(potassium hydroxide; KOH)，蝕刻溫度介于170 。C 250。C。根據(jù)文獻(xiàn)記載，二氧化硅于230。C的氬氧化鉀中的蝕刻速率可 達(dá)10jum/min以上。此外，二氧化硅與氫氧化鉀的可能反應(yīng)機(jī)制可描述如 下
Si02+2KOH — K2Si03+H20
當(dāng)材料通道13內(nèi)的全部或部分材料被蝕刻液移除而暴露出第一氮化物 系統(tǒng)11后，可以使用與移除材料通道13相同或相異的蝕刻液繼續(xù)蝕刻第 一氮化物系統(tǒng)ll。隨著蝕刻液逐漸蝕刻第一氮化物系統(tǒng)11，空通道14的內(nèi) 表面14a將向外移動或退化。于一實施例中，蝕刻液僅與第一氮化物系統(tǒng) 11發(fā)生反應(yīng)，或與第一氮化物系統(tǒng)11反應(yīng)的蝕刻速率遠(yuǎn)大于與藍(lán)寶石基板 10的蝕刻速率，因此空通道14的內(nèi)表面14a就宏觀上將朝向第一氮化物系 統(tǒng)ll的方向移動，如圖1C所示。
影響內(nèi)表面14a輪廓的可能因素包含但不限于蝕刻液、第一氮化物系 統(tǒng)11暴露的晶格方向、材料通道13的幾何配置、與第一氮化物系統(tǒng)11的 晶格缺陷或結(jié)構(gòu)弱點(diǎn)。于一實施例中，第一氮化物系統(tǒng)11是利用以材料通 道13作為模板的橫向再成長外延法形成，因此，通道13上方所成長的氮 化物可能較不完美或結(jié)構(gòu)較為松散而容易被氫氧化鉀等蝕刻液所蝕刻。然 而，當(dāng)內(nèi)表面14a接近或成為特定面族后，蝕刻速度將變得十分緩慢，換言 之，此特定面族可視為一蝕刻停止面。此特定面族為例如{11-22}或{10-11} 面族，以下并將以{11-22}面族為例進(jìn)行說明。如圖1D所示，非靠近藍(lán)寶 石基板一側(cè)的內(nèi)表面14a已被蝕刻為{11-22}面族，這些成為{11-22}面族的內(nèi)表面14a理論上具有相同的蝕刻速率，空通道14的截面因此成為具有相 等側(cè)邊的等腰三角形(equilateral triangular )。
若材料通道13的寬度與間距配置得當(dāng)，相鄰空通道14的最近側(cè)表面 經(jīng)蝕刻后將可能彼此接觸。于一實施例中，當(dāng)相鄰空通道14的最近{11-22} 面族的內(nèi)表面14a相接時，第一氮化物系統(tǒng)11與藍(lán)寶石基板10間將僅存有 脆弱的連接或已完全彼此分離，如圖1E所示。于另一例中，{11-22}面族的 平面理論上與(0001)面成約58°夾角，若使材料通道13與間距具有相等或 接近的寬度，亦有可能使相鄰空通道14的最近內(nèi)表面14a彼此相接而分離 氮化物系統(tǒng)12與藍(lán)寶石基^反10。
圖2例示數(shù)種內(nèi)表面143達(dá)到{11-22}面族位置時狀態(tài)的剖面圖。于(A) 態(tài)樣，內(nèi)表面14a達(dá)到(ll-22)面族位置時，會在鄰近或恰為藍(lán)寶石基板10 處形成交點(diǎn)14b,此時，第一氮化物系統(tǒng)11與藍(lán)寶石基板10已實質(zhì)上分離。 于(B)態(tài)樣，相鄰的內(nèi)表面14a尚未彼此接觸，然而，由于第一氮化物系統(tǒng) 11與藍(lán)寶石基板10間僅存有極小的接觸面積，因此可以輕易施加如震動、 剪應(yīng)力、拉應(yīng)力、壓應(yīng)力、與熱膨脹等形式的外力將其二者分離。于(C)態(tài) 樣，內(nèi)表面14a達(dá)到(11-22}面族時，會在藍(lán)寶石基板IO上方的交點(diǎn)14b處 彼此接觸，且第一氮化物系統(tǒng)11與藍(lán)寶石基板IO彼此間已不相接觸。于(D) 態(tài)樣，達(dá)到{11-22}面族位置時，相鄰的內(nèi)表面14a并未彼此接觸，但是， 第一氮化物系統(tǒng)11與藍(lán)寶石基板10卻已經(jīng)分離。于以上各態(tài)樣中，藍(lán)寶 石基板IO、第一氮化物系統(tǒng)ll、或其二者可使用治具限制、維持、或固定 其位置。
如圖3所示，假設(shè)材料通道13的排列方向是位于x軸向，長度方向位 于y軸向，藍(lán)寶石基板10上表面的法向量位于z軸向。于本發(fā)明的實施例 中，x軸向可以為藍(lán)寶石基板10的<1-100〉方向或<11-20〉方向，y軸向可以 為藍(lán)寶石基4反10的<1-100〉方向或<11-20>方向，z軸向可以為藍(lán)寶石基沐反 10的<0001>方向。于圖中，材料通道13的圖案呈現(xiàn)離散分布。然而，彼此 間具有連接通道相接的材料通道13亦可能適用于本發(fā)明的各實施例。如圖 3B所示，材料通道13的上視圖呈現(xiàn)棋盤狀。
如圖4所示，于本發(fā)明的另一實施例中，藍(lán)寶石基板20上依序形成有 第三氮化物系統(tǒng)24、第一氮化物系統(tǒng)21、與第二氮化物系統(tǒng)22。材料通道 23形成于第三氮化物系統(tǒng)24與第一氮化物系統(tǒng)21間，亦即，移除材料通
9道23時，分離現(xiàn)象發(fā)生于第三氮化物系統(tǒng)24與第一氮化物系統(tǒng)21的位置。 第一氮化物系統(tǒng)21的組成包含但不限于u-GaN、 n-GaN、 p-GaN、 A1N、 InN、 AlGaN、 InGaN、與AlGalnN等材料。第二氮化物系統(tǒng)22的組成或構(gòu)造可 參考以上各實施例的說明。第三氮化物系統(tǒng)24的組成包含但不限于u-GaN、 A1N、 AlGaN、 InAlN、與由A1N、 GaN、與InN所組合的材料。氮化物系 統(tǒng)21、 22、及24的形成方式亦可參考以上各實施例的說明。
以上各實施例中，材料通道13與23除可采用二氧化硅外，亦可以使 用如氮化硅(Si3N4 )、環(huán)氧樹脂(Epoxy )、或苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene; BCB)等絕緣物。然而，導(dǎo)體與半導(dǎo)體材料亦可視情況使用。
本發(fā)明的另一實施例如圖5A 5C所示。首先，于c面(即(OOOl))的 藍(lán)寶石基板30上沿著<1-100>或<11-20>方向形成空通道33?？胀ǖ?3可 采用光刻技術(shù)、反應(yīng)離子蝕刻法(Reactive Ion Etch; RIE)或感應(yīng)耦合等離 子體(Inductive Coupling Plasma; ICP)等干蝕刻方式形成。繼而，使用有機(jī) 金屬化學(xué)氣相沉積法、氫化物氣相外延法、或其他可資利用的方法形成第 一氮化物系統(tǒng)31與第二氮化物系統(tǒng)32。于本實施例中，于系統(tǒng)31與32成 長完成后，即使有部分材料覆蓋于空通道33上方或其內(nèi)部，空通道33仍 應(yīng)具有足夠空間使流體得以流入其內(nèi)。第一氮化物系統(tǒng)31與第二氮化物系 統(tǒng)32的結(jié)構(gòu)、組成與制法可以分別參考以上對于第一氮化物系統(tǒng)11與第 二氮化物系統(tǒng)12的說明，此外,文獻(xiàn)如K.Tadatomo et al.， phys. Stat. sol. (a) 188, No.l， 121-122 (2001)，及Y.P. Hsu et al., Journal of Crystal Growth 261 (2004) 466-470皆一并以引用方式納入本文。
完成圖5A所示的結(jié)構(gòu)后，選#^一適當(dāng)?shù)奈g刻液對空通道33進(jìn)行蝕刻。 蝕刻液的種類會影響產(chǎn)生分離的機(jī)制。如圖5B(A)所示，若蝕刻液對藍(lán)寶石 基板30的蝕刻速率遠(yuǎn)大于其對第一氮化物系統(tǒng)31的蝕刻速率，空通道33 的兩側(cè)內(nèi)表面33a將可能^f皮蝕刻為具有特定方向的晶面，例如{1-102}面族。 具體而言，此面族與藍(lán)寶石基板30的c面具有一大于零的特定交角。隨著 蝕刻時間的增長，側(cè)內(nèi)表面33a亦隨之朝外移動，亦即空通道33朝橫向擴(kuò) 張。因此，藍(lán)寶石基板30與第一氮化物系統(tǒng)31的接觸面積隨著蝕刻時間 增長而縮小，直到基板30與系統(tǒng)31彼此分離或僅維持不穩(wěn)定或不穩(wěn)固的 連接，如圖5C(A)所示。適用于以上狀況的蝕刻液為如^S克酸與磷酸的混合液， 其在藍(lán)寶石與氮化物間的蝕刻速率比約可達(dá)到50:1 1000:1的等級。如圖5B(B)所示，若蝕刻液對第一氮化物系統(tǒng)31的蝕刻速率遠(yuǎn)大于其對藍(lán)寶石基板30的蝕刻速率，空通道33的上側(cè)表面將被蝕刻。換言之，空通道33上方的第一氮化物系統(tǒng)31將被蝕刻。于此狀況下，第一氮化物系統(tǒng)31的蝕刻面33b亦可能成為具有特定方向的晶面，例如{11-22}或{10-11}面族。當(dāng)蝕刻面33b逐漸朝外側(cè)移動，第一氮化物系統(tǒng)31與藍(lán)寶石基板30間的接觸面積亦逐漸縮小，直到基板30與系統(tǒng)31彼此分離，如圖5C(B)所示。適用于以上狀況的蝕刻液為如氫氧化鉀，相關(guān)的蝕刻條件可參考以上實施例中對于氫氧化鉀的說明。
以上各實施例中分離藍(lán)寶石基板的步驟可視為 一獨(dú)立的流程，亦可視為一制造如發(fā)光二極管、激光、太陽能電池、光偵測器等光電元件的完整工藝中的一部分。其他可能步驟包含但不限于蝕刻(etching )、退火(annealing )、電鍍(plating )、表面4且4匕(surface roughing )、專占著才妻合(adhesivebonding )、陽才及才妄合(anodic bonding )、融炫4妄合(fusion bonding )、共晶接合(eutectic bonding )、激光移除、電極形成、切割(dicing )、分類(sorting )、篩選(binning )、封裝(packaging )、及引線4建合(wire bonding )。
此外，以上各實施例中雖主要說明自藍(lán)寶石基板分離氮化物系統(tǒng)的方法，然而，本發(fā)明的概念亦適用于分離其他種類的結(jié)構(gòu)，例如圖4的分離面位于二個氮化物系統(tǒng)之間。適用本發(fā)明各實施例的其中 一個可能條件是選"l奪一種蝕刻方式或蝕刻液，其對分離面兩側(cè)的材料系統(tǒng)存有50 10000倍差異的蝕刻速度。
雖然本發(fā)明已說明如上，但是其并非用以限制本發(fā)明的范圍、實施順序、或使用的材料與工藝方法。對于本發(fā)明所作的各種修飾與變更，皆不脫本發(fā)明的精神與范圍。
權(quán)利要求
1. 一種分離兩種材料系統(tǒng)的方法，包含下列步驟提供一藍(lán)寶石塊材；形成一氮化物系統(tǒng)于該藍(lán)寶石塊材之上；形成至少二條空通道于該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)之間；蝕刻該空通道中至少一內(nèi)表面；及分離該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含下列步驟 形成 一模板于該藍(lán)寶石塊材之上； 形成該氮化物系統(tǒng)于該才莫一反與該藍(lán)寶石塊材之上；及 移除該;漠板的至少 一部分藉以形成該空通道。
3. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含至少一步驟 4吏該內(nèi)表面發(fā)展成至少 一 晶面。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含至少一步驟 4吏該二空通道相4妄觸。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含至少一步驟 〃使該空通道的一截面成為三角形。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含至少一步驟使該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)間的接觸面積縮小至無法維持 一穩(wěn)固 連接。
7. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含至少一步驟 使該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)的接觸面積逐漸縮小。
8. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含下列步驟提供一蝕刻液，其對該氮化物系統(tǒng)的蝕刻速率大于對藍(lán)寶石塊材的蝕 刻速率。
9. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含下列步驟提供一蝕刻液，其對該藍(lán)寶石塊材的蝕刻速率大于對該氮化物系統(tǒng)的 蝕刻速率。
10. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該分離步驟包含 施加一外力以使該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)分離。
11. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，形成該氮化物系統(tǒng)的步驟包含形成一第一氮化物系統(tǒng)；及形成一第二氮化物系統(tǒng)。
12. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包含下列步驟形成一第三氮化物系統(tǒng)于該藍(lán)寶石塊材與該氮化物系統(tǒng)之間。
13. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，于形成該空通道的步驟中，該二 空通道的間距與該空通道的寬度大致相同。
14. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，于形成該空通道的步驟中使該二 空通道相交。
15. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該空通道形成于靠近該氮化物系統(tǒng)側(cè)。
16. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該空通道形成于靠近該藍(lán)寶石塊材側(cè)。
17. —種分離兩種材料系統(tǒng)的方法，包含下列步驟 提供一第一材料系統(tǒng)；形成多條材料通道于該第 一材料系統(tǒng)之上； 形成一 第二材料系統(tǒng)于該些材料通道之上； 移除該些材料通道以形成空通道；及濕蝕刻該空通道，直至該第一材料系統(tǒng)與該第二材料系統(tǒng)間的接觸面 積縮小至無法維持一穩(wěn)固連接。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成該第一材料系統(tǒng)的步驟包含提供一藍(lán)寶石塊材。
19. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成該第二材料系統(tǒng)的步驟包含形成一發(fā)光層；及形成一 p型氮化物層與一 n型氮化物層，其二者分別位于該發(fā)光層的兩側(cè)。
20. —種分離兩種材料系統(tǒng)的方法，包含下列步驟 提供一第一材料系統(tǒng)；干蝕刻該第 一材料系統(tǒng)以形成一 空通道；形成一 第二材料系統(tǒng)于該第 一材料系統(tǒng)之上；濕蝕刻該空通道；及分離該第 一 材料系統(tǒng)與該第二材料系統(tǒng)。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，其中，濕蝕刻該空通道的步驟包含 形成一 退化面于該第 一材料系統(tǒng)之上。
22. 如權(quán)利要求20所述的方法，其中，濕蝕刻該空通道的步驟包含 形成一退化面于該第二材料系統(tǒng)之上。
23. —種分離兩種材料系統(tǒng)的方法，包含下列步驟 提供一第一材料系統(tǒng)；提供一 第二材料系統(tǒng)于該第 一材料系統(tǒng)之上；形成多個空通道介于該第 一材料系統(tǒng)與該第二材料系統(tǒng)之間；提供一蝕刻液，其在該第 一材料系統(tǒng)與該第二材料系統(tǒng)間的蝕刻速率差異達(dá)到50 10000倍等級；及使用該蝕刻液蝕刻該空通道，直至該第一材料系統(tǒng)與該第二材料系統(tǒng)間的接觸面積縮小至無法維持一穩(wěn)固連接。
全文摘要
本發(fā)明公開一種分離兩種材料系統(tǒng)的方法，其步驟包含提供一藍(lán)寶石塊材；形成一氮化物系統(tǒng)于藍(lán)寶石塊材之上；形成至少二條空通道于藍(lán)寶石塊材與氮化物系統(tǒng)之間；蝕刻空通道中至少一內(nèi)表面；及分離藍(lán)寶石塊材與氮化物系統(tǒng)。
文檔編號H01L21/00GK101477943SQ200810001609
公開日2009年7月8日 申請日期2008年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月4日
發(fā)明者徐大正, 李亞儒, 謝明勛 申請人:晶元光電股份有限公司