專利名稱：：噻吩電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：需要由在此說明的化學(xué)式的半導(dǎo)體制造的電子器件，例如薄工的；并且其中這些器件具有機(jī)械耐久性和結(jié)構(gòu)柔韌性特征，這些特征是在許多基材，例如塑料基材上制造柔性TFTs所需要的。柔性TFTs使電子器件的結(jié)構(gòu)可以具有結(jié)構(gòu)柔韌性和機(jī)械耐久性特征。塑料基材與在此說明的化學(xué)式的半導(dǎo)體一起使用可以將傳統(tǒng)上的硬質(zhì)硅TFT轉(zhuǎn)變?yōu)闄C(jī)械上更耐久和結(jié)構(gòu)上柔韌的TFT結(jié)構(gòu)。這一點對于大面積器件，例如大面積圖像傳感器、電子紙和其它顯示介質(zhì)可能特別有價值。此外，在實施方案中，選擇在此說明的化學(xué)式的半導(dǎo)體具有低端微電子器件，例如智能卡、射頻識別(RFID)標(biāo)簽和記憶/存儲器件的集成電路邏輯元件的擴(kuò)展結(jié)合，并且增強它們的機(jī)械耐久性，和因此提高它們的有效壽命。苯并p塞吩、苯并[l,2-b:4,5-b']雙噻吩、其取代衍生物及其混合物。方案9.根據(jù)方案1的器件，其中所述半導(dǎo)體為具有(l)到(15)的至少一種化學(xué)式/結(jié)構(gòu)式的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>R,C=C-Ar<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(9)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(10)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(11)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(12)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>(13)<image>imageseeoriginaldocumentpage19</image>(１４)<image>imageseeoriginaldocumentpage19</image>(15)其中R'獨立地為氬和合適的烴的至少一種；R為合適的烴、卣素和氫的至少一種；m和n表示取代基的數(shù)目；Ar為芳基；x、y和z表示重復(fù)單元的數(shù)目。方案12.根據(jù)方案10的器件，其中所述烷基含有1到約12個碳原子，所述烷氧基含有1到約10個碳原子，和所述芳基含有6到約18個碳原子。方案14.根據(jù)方案10的器件，其中m為零(O)、1、2、3或4;和n為1、2、3、4、5或6。方案17.—種薄膜晶體管，由基材、柵極、柵極介電層、源極和漏極、及與源極/漏極和柵極介電層接觸的半導(dǎo)體層組成，該半導(dǎo)體層由以下化學(xué)式/結(jié)構(gòu)式(I)組成R'R'Ar——C=C—M—C=C—ArIIR'R'(I)其中各R'獨立地為氪和合適的烴的至少一種；Ar為芳基取代基；和M表示至少一種基于噻吩的共軛鏈段。方案20.根據(jù)方案18的薄膜晶體管，其中所述烷基含有1到約12個碳原子，所述烷氧基含有1到約IO個碳原子，和所述芳基含有6到約18個碳原子。方案21.根據(jù)方案17的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體層由以下的至少一種纟且成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>其中R'獨立地為氫和合適的烴的至少一種；R為合適的烴、卣素和氫的至少一種；m和n表示取代基的數(shù)目；Ar為芳基；x、y和z表示重復(fù)單元的數(shù)目。0028]方案22.根據(jù)方案21的薄膜晶體管，其中所述R和R'的所述合適的烴為烷基、烷氧基、芳基及其取代衍生物的至少一種。方案24。根據(jù)方案22的薄膜晶體管，其中所述烷基含有1到約12個碳原子，所述烷氧基含有1到約IO個碳原子，和所述芳基含有6到約18個碳原子。方案25.根據(jù)方案22的薄膜晶體管，其中所述烷基為曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基的至少一種；所述烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基的至少一種；和所述芳基為苯基、萘基、曱基苯基(甲苯基)、乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基笨基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、十三烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、十六烷基苯基、十七烷基苯基、十八烷基苯基和卣代苯基的至少一種。方案31.根據(jù)方案30的半導(dǎo)體，由以下表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>(15)其中R"、R"'和R""獨立地表示選自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、三氟曱基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基和全氟十二烷基的烷基和取代烷基；和選自甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基或十八烷氧基的烷氧基，及其取代衍生物的至少一種。方案32.根據(jù)方案1的器件，在所述半導(dǎo)體層中進(jìn)一步包括樹脂基料和分散劑的至少一種。方案33.根據(jù)方案32的器件，其中所述基料樹脂為聚(乙烯醇縮丁醛)、聚酯、聚碳酸酯、聚(氯乙烯)、聚丙烯酸酯和曱基丙烯酸酯、氯乙烯和乙酸乙烯酯的共聚物、苯氧基樹脂、聚氨酯、聚(乙烯醇)、聚丙烯腈和聚苯乙烯的低聚物和聚合物的至少一種。0040方案34.根據(jù)方案32的器件，其中所述分散劑為乙氧基化醇、硬脂酸甘油酯和鏈烷醇酰胺的非離子組分；月桂基硫酸鈉、烷基萘磺酸鹽和脂肪族基磷酸酯的陰離子組分；三曱基十六烷基氯化銨、油酸咪唑啉和乙氧基化脂肪胺的陽離子組分；或卵磷脂和聚乙二醇醚衍生物的兩性表面活性劑的至少一種。本公開內(nèi)容的另一個特征是提供在此說明的化學(xué)式的半導(dǎo)體，其具有如由其薄膜吸收光譜測定的約1.5eV到約4eV(電子伏特)的帶隙。在本公開內(nèi)容的進(jìn)一步特征中，提供在此說明的化學(xué)式的p-型半導(dǎo)體，其可用作微電子部件，并且該半導(dǎo)體在普通有機(jī)溶劑，例如二氯曱烷、四氬呋喃、甲苯、二曱苯、均三曱苯、氯苯、二氯苯、三氯苯等中具有例如至少約0.1wt。/。到約95wt。/。的溶解度，并且這些半導(dǎo)體因此可以通過例如j走涂、絲網(wǎng)印刷、印才莫印刷、浸涂、溶液流延、噴印等溶液方法經(jīng)濟(jì)地制造。在實施方案中，基料樹脂和任選的分散劑基本溶于溶劑，包括完全溶于溶劑。但是，基料樹脂和分散劑在溶劑中的溶解度在實施方案中可以從例如約95wt。/o到100wt。/o溶解度變化，和更具體地溶解度為約99wt。/o到100wt%。另外，在本公開內(nèi)容的另一個特征中，提供一類新的具有獨特結(jié)構(gòu)特征的如在此說明的化學(xué)式的p-型半導(dǎo)體，其在合適的加工條件下有助于分子自動調(diào)準(zhǔn)，并且該結(jié)構(gòu)特征還使器件性能的穩(wěn)定性提高。適當(dāng)?shù)姆肿诱{(diào)準(zhǔn)可以允許薄膜中更高的分子結(jié)構(gòu)有序，這可能對有效的載荷子遷移有價值，并且因此允許更高的電氣性能。在實施方案中公開在此說明的化學(xué)式的半導(dǎo)體及其電子器件。更具體地，本公開內(nèi)容涉及由以下化學(xué)式/結(jié)構(gòu)式(I)說明或包括的半導(dǎo)體材料<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>(I)R'其中各R'獨立地為氳、合適的烴，例如烷基、烷氧基、卣代烷基、芳基、其取代衍生物等；Ar為具有例如6到約42個碳原子的芳基或雜芳基取代基，例如苯基、烷基苯基、面代苯基，例如氯苯基、烷氧基苯基等；和M表示至少一個基于蓬吩的共軛鏈段。式的那些取代的芳族的基于乙烯基的p塞吩半導(dǎo)體<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>(15)其中R'和Ar如在此對化學(xué)式(I)說明的；R分別表示芳族和噻吩環(huán)上的合適的取代基，并且更具體地，R為合適的烴，例如烷基、芳基、烷氧基及其取代衍生物；卣素；氬等；m和n表示取代基的數(shù)目，并且在實施方案中為零(O)、1、2、3或4;x、y和z表示重復(fù)單元或鏈段的數(shù)目，例如x可以為1、2、3、4、5或6;y可以為零(O)、1、2、3或4;z可以為零(O)、1、2和3。烷基包括例如曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、三氟曱基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基的具有約l到約35個碳原子的那些取代基。烷氧基包括例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基或十八烷氧基的具有約1到約35個碳原子的那些取代基。芳基實施為例如苯基、萘基、甲基苯基(甲苯基)、乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、十三烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、十六烷基苯基、十七烷基苯基、十八烷基苯基、囟代苯基，例如氯苯基、烷氧基苯基等的具有例如約6到約42個碳原子的那些基團(tuán)。-噻吩并(3，2-b)噻吩，結(jié)構(gòu)(a)，其中R表示戊基。-噻吩并(3，2-b)噻吩的半導(dǎo)體層32組成。-p塞吩并(3,2-b)噻吩的遂吩半導(dǎo)體層52、其上沉積的源極60和漏極62;和柵極接觸件64組成。0066圖4示意地說明一種TFT構(gòu)造70，其由基材76、柵極78、源極80、漏極82、p-型半導(dǎo)體2,5-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-噻吩并(3,2-b)噻吩層72和絕緣介電層74組成。-噻吩并(3，2-b)噻吩；結(jié)構(gòu)式(a),其中R表示戊基向含有2,5-二溴-p塞吩并[3,2-b]p塞吩(3.01克，10.10mmol)和曱苯(80毫升)的裝有磁力攪拌器棒、氬氣管路和冷凝器的500毫升3頸反應(yīng)燒瓶中加入2-[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-4,4,5，5-四曱基-l,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷(7.580克，25.2mmol)在曱苯(20毫升)中的溶液。在約23。C到約26°C的室溫下在氬氣氣氛下攪拌得到的混合物，直到上述反應(yīng)物溶解。分別添加碳酸鈉(4.91克，溶于23.16克蒸餾水中；2M)、曱苯(25毫升)中的相轉(zhuǎn)移劑ALIQUAT336(2.02克，5mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.233克，0.202mmo1)。將得到的反應(yīng)混合物伴隨攪拌加熱到9(TC，在該溫度下回流三天。反應(yīng)期間，使用薄層色譜(TLC)分析監(jiān)測反應(yīng)的完成。使反應(yīng)混合物冷卻到室溫，并通過過濾和用曱醇洗滌收集產(chǎn)生的沉淀物，得到有光澤的淺黃色粗產(chǎn)物(4.20克)。通過從甲苯(300毫升)和氯苯(IOO毫升)的混合物中重結(jié)晶進(jìn)一步提純該產(chǎn)物，并且在室溫真空下干燥，得到3.57克(73%產(chǎn)率)的有光澤的淺黃色薄片固體，2,5-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-噻吩并(3,2-b)噻吩。質(zhì)譜分析484.2259(C32H36S2,計算值484.2258);熔點320.45。C。(b)OTFT(有機(jī)薄膜晶體管)器件制造和評價選擇例如圖3中示意性說明的頂部接觸薄膜晶體管構(gòu)造作為測試器件結(jié)構(gòu)。在其上具有厚度為約200納米的熱增長氧化硅層的n-摻雜硅晶片上形成測試器件，并且具有如用電容計測量的約15nF/cm2(毫微法每平方厘米)的電容。該晶片用作柵極，同時氧化硅層用作柵極介電體。硅晶片首先用異丙醇、氬等離子體、異丙醇清洗并且空氣干燥，然后在6CTC浸入辛基三氯硅烷(OTS-8)在曱苯中的0.1M溶液中20分鐘。隨后，晶片用曱苯、異丙醇洗滌并且空氣干燥。通過真空蒸發(fā)在l(T6托高真空下以1A/s的速率將上述制備的噻吩化合物(a)的100納米厚半導(dǎo)體層沉積到OTS-8處理的硅晶片基材上，其中基材保持在室溫或60°C。其后，利用真空沉積經(jīng)由具有各種通道長度和寬度的陰影掩模在半導(dǎo)體層之上沉積約50納米的金源極和漏極，由此產(chǎn)生各種尺寸的一系歹'J晶體管。-2,2'-聯(lián)p塞吩；結(jié)構(gòu)式(b)，其中R表示戊基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜環(huán)戊硼烷(7.51克，25.2mmol)在甲苯(20毫升)中的溶液。在約23。C到約26'C的室溫下在氬氣氣氛下攪拌得到的混合物，直到上述所有反應(yīng)物溶解。然后添加碳酸鈉(4.91克，溶于23.16克蒸餾水中，2M)、曱苯(25毫升)中的相轉(zhuǎn)移劑ALIQUAT336(2.023克，5.01mmol)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.231克，0.20mmol)。將得到的反應(yīng)混合物伴隨攪拌加熱到90°C，并在該溫度下回流三天。使反應(yīng)混合物冷卻到室溫，并通過過濾和用甲醇洗滌收集得到的沉淀物，得到3.3克有光澤的淺橙黃色關(guān)鍵的產(chǎn)物。將濾液倒入分液漏斗并用甲苯萃取有機(jī)層，用水(3x250毫升)洗滌，并用硫酸鎂MgS04干燥。去除有機(jī)溶劑之后，得到l.l克有光澤的淺橙黃色關(guān)鍵的產(chǎn)物。進(jìn)一步通過從曱苯(300毫升)和氯苯(IOO毫升)的混合物中重結(jié)晶提純混合的4.4克產(chǎn)物，并在在室溫下真空干燥，得到3.4克(產(chǎn)率66%)淺橙黃色薄片固體，5,5-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-2,2'-聯(lián)噻吩。質(zhì)譜分析510.2411(C34H38S2,計算值510.2415);熔點214.39°C。(b)OTFT器件制造和評價0079]選擇具有以上如例如在圖3中示意性說明的半導(dǎo)體(a)的頂部接觸薄膜晶體管構(gòu)造作為測試器件結(jié)構(gòu)。制造該器件并使用與實施例I相同的步驟進(jìn)行表征。使用尺寸為W-5,000nm和L=90^mi的晶體管，得到以下性能<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>實施例III(a)制備5，5'"-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-3,3'"-十二烷基-2,2':5',2":5",2'"-四分之一p塞吩(quarterthiophene);結(jié)構(gòu)式(H)，其中R表示戊基并且R'表示十二烷基0080向含有5,5-二溴-2,2-聯(lián)p塞吩(1.542克，1.87mmol)和甲苯(20毫升)的裝有磁力攪拌器棒、氬氣管路和冷凝器的250毫升3頸反應(yīng)燒瓶中加入2-[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-4,4,5,5-四甲基-l,3，2-二氧雜環(huán)戊硼烷(1.402克，4.67mmol)在曱苯(10毫升)中的溶液。在氬氣氣氛下在室溫下攪拌得到的混合物，直到反應(yīng)物完全溶解。然后分別添加碳酸鈉(0.92克，溶于4.34克蒸餾水中，2M)、甲苯(5毫升)中的相轉(zhuǎn)移劑ALIQUAT336(0.377克，0.93mmol)、四(三苯基膦)把(0)(0.233克，0.20mmol)。然后將得到的反應(yīng)混合物伴隨攪拌加熱到9(TC,并在該溫度下回流三天。使反應(yīng)混合物冷卻到室溫并倒入分液漏斗中。用甲苯萃取得到的有機(jī)層，用水(3x250毫升)洗滌，并用硫酸鎂MgS04干燥。蒸發(fā)溶劑之后通過在硅膠上的柱色譜用己烷和二氯曱烷的混合溶劑(己烷/二氯甲烷70/30按體積計)提純得到的紅色固體，并且從己坑中重結(jié)晶得到紅色固體產(chǎn)物1.2克(產(chǎn)率60%)的5,5"'-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]-3,3"'-十二烷基-2,2':5',2":5",2'"-四分之一噻吩。質(zhì)譜分析1011.40(C66H90S4,計算值1011.68);熔點91.3。C。(b)OTFT器件制造和評價[0081選擇例如在圖3中示意性說明的頂部接觸薄膜晶體管構(gòu)造作為測試器件結(jié)構(gòu)。用實施例I中描述的步驟清洗和改性硅晶片基材。因為以上制備的噻吩化合物在普通有機(jī)溶劑中具有良好的溶解度，所以溶液加工的晶體管可以制備如下。將以上噻吩化合物(IO毫克)和聚苯乙烯基料(IO毫克)溶于1克氯苯中。然后用0.45微米注射過濾器過濾得到的溶液，并將其旋涂在以上改性的清洗的基材上形成薄半導(dǎo)體層。在真空烘箱中干燥去除剩余量溶劑之后，通過真空沉積經(jīng)由具有各種通道長度和寬度的陰影掩模在半導(dǎo)體層頂部上沉積厚度各為約50納米的金源極和漏極，由此形成一系列各種尺寸的晶體管。然后可以使用實施例I的步驟評價晶體管的性能。[00821以上實驗數(shù)據(jù)表明芳族基于乙烯基的噻吩半導(dǎo)體比在空氣中極快退化的例如并苯基半導(dǎo)電材料和區(qū)域有規(guī)聚(3-烷基噻吩-2,5-二基)半導(dǎo)體材料更穩(wěn)定。更具體地，以上用噻吩(a)制備的薄膜晶體管顯示遷移率高達(dá)0.15cm2/V.s，并且大電流通/斷比高達(dá)106的優(yōu)異的電氣性能。這些半導(dǎo)電的(a)p塞吩可以溶于或共混在聚合物基料中用于制造可以選作電子器件，例如TFTs的半導(dǎo)體的均勻薄膜，其在環(huán)境條件中穩(wěn)定，當(dāng)暴露于氧氣時經(jīng)過例如一個月的時間段，基本不退化。權(quán)利要求1.一種電子器件，包括以下化學(xué)式/結(jié)構(gòu)式(I)的半導(dǎo)體其中各R′獨立地為氫和合適的烴的至少一種；Ar為芳基和雜芳基的至少一種；和M表示至少一種基于噻吩的共軛鏈段。2.—種薄膜晶體管，由基材、柵極、柵極介電層、源極和漏極、及與源極/漏極、柵極介電層接觸的半導(dǎo)體層組成，該半導(dǎo)體層由以下化學(xué)式/結(jié)構(gòu)式(I)組成<formula>seeoriginaldocumentpage2</formula>(I)其中各R'獨立地為氬和合適的烴的至少一種；Ar為芳基取代基；和M表示至少一種基于噻吩的共軛鏈段。3.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管，其中所述合適的烴為烷基、烷氧基、芳基及其取代衍生物的至少一種，和M為噻吩環(huán)。4.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管，其中所述半導(dǎo)體層由以下的至少—種組成<formula>seeoriginaldocumentpage2</formula>(1)<formula>seeoriginaldocumentpage2</formula>(2)<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(3)<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(4)<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(5)<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(6)<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>(7)<formula>seeoriginaldocumentpage4</formula>(8)<formula>seeoriginaldocumentpage4</formula>(9)<formula>seeoriginaldocumentpage4</formula>(10)<formula>seeoriginaldocumentpage4</formula>(11)<formula>seeoriginaldocumentpage4</formula>(12)<formula>seeoriginaldocumentpage5</formula><formula>seeoriginaldocumentpage5</formula><formula>seeoriginaldocumentpage5</formula>其中R'獨立地為氬和合適的烴的至少一種；R為合適的烴、面素和氬的至少一種；m和n表示取代基的數(shù)目；Ar為芳基；x、y和z表示重復(fù)單元的數(shù)目。5.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管，其中烴為烷基，選自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基的至少一種；烷氧基，選自曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基的至少一種；和芳基，選自苯基、萘基、曱基苯基(曱苯基)、乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、十三烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、十六烷基苯基、十七烷基苯基、十八烷基苯基和卣代苯基的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，該器件為薄膜晶體管，由基材、柵極、柵極介電層、源極和漏極、及與源/漏極和柵極接觸的半導(dǎo)體層組成，所述半導(dǎo)體層由以下組成<formula>seeoriginaldocumentpage6</formula><formula>seeoriginaldocumentpage7</formula>(5)<formula>seeoriginaldocumentpage7</formula>(6)<formula>seeoriginaldocumentpage7</formula>(7)<formula>seeoriginaldocumentpage7</formula>(8)<formula>seeoriginaldocumentpage7</formula>(9)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(10)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(11)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(12)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(13)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(14)<formula>seeoriginaldocumentpage9</formula>(15)其中R'獨立地為氬、烷基、烷氧基和芳基的至少一種；R為烷基、烷氧基、芳基、鹵素和氪的至少一種；m和n表示取代基的數(shù)目；Ar為芳基或取代芳基；x、y和z表示重復(fù)單元的數(shù)目。7.—種半導(dǎo)體，由以下組成<formula>seeoriginaldocumentpage9</formula>(1)<formula>seeoriginaldocumentpage9</formula>(2)<formula>seeoriginaldocumentpage9</formula>(3)<formula>seeoriginaldocumentpage10</formula><formula>seeoriginaldocumentpage11</formula><formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>(14)<formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>(15)其中R'獨立地為氪、烷基、烷氧基和芳基的至少一種；R為烷基、烷氧基、芳基、鹵素和氫的至少一種；m和n表示取代基的數(shù)目；Ar為芳基或取代芳基；x、y和z表示重復(fù)單元的數(shù)目。全文摘要本發(fā)明公開了一種電子器件，例如薄膜晶體管，含有右邊化學(xué)式/結(jié)構(gòu)式(I)的半導(dǎo)體，其中各R′獨立地為氫和合適的烴的至少一種；Ar為芳基，包括取代基；和M表示至少一種基于噻吩的共軛鏈段。文檔編號H01L51/00GK101207182SQ200710199559公開日2008年6月25日申請日期2007年12月13日優(yōu)先權(quán)日2006年12月14日發(fā)明者B·S·翁,H·潘,P·劉,Y·吳,Y·李申請人:施樂公司