專利名稱：多晶片交互交錯(cuò)堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種多晶片交互交錯(cuò)堆疊封裝結(jié)
構(gòu)，特別是有關(guān)于 一 種多晶片交互交錯(cuò)堆疊(zigzag stack)封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體的后段制程都在進(jìn)行三度空間 (Three Dimension; 3D)的封裝，以期禾U用最少的面 積來達(dá)到相對(duì)大的半導(dǎo)體集成度(Integrated)或是 存儲(chǔ)器的容量等。為了能達(dá)到此 一 目的，現(xiàn)階段已發(fā) 展出使用晶片堆疊(chip stacked)的方式來達(dá)成三 度空間(Three Dimension; 3D)的封裝。
在已知技術(shù)中，晶片的堆疊方式是將多數(shù)個(gè)晶片 相互堆疊于 一 基板上，然后使用打線的制程(wire bonding process)來將多數(shù)個(gè)晶片與基板連接。圖1A 是己知的具有相同或是相近晶片尺寸的堆疊型晶片封 裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖1 A所示，已知的堆疊型晶片封裝結(jié)構(gòu)包括一 電路基板(package substrate)110、 晶片 120a、晶片 120b、 一間隔物(spacer) 130、多 條導(dǎo)線 140與一封裝膠體(encapsulant ) 150。電路 基板IIO上具有多個(gè)焊墊112，且晶片120a與120b上 亦分別具有多個(gè)焊墊122a與122b，其中焊墊122a與 122b是以周圍型態(tài)(peripheral type)排列于晶片 120a與120b上。晶片120a是配置于電路基板110上， 且晶片120b經(jīng)由間隔物130而配置于晶片120a的上 方。導(dǎo)線140的兩端是經(jīng)由打線制程而分別連接于焊 墊112與122a，以使晶片120a電性連接于電路基板 110。而.其它部分導(dǎo)線140的兩端亦經(jīng)由打線制程而分 別連接于焊墊112與12 2b，以使晶片120b電性連接于 電路基板110。至于封裝膠體150則配置于電路基板 IIO上，并包覆這些導(dǎo)線140、晶片120a與120b。
由于焊墊122a與122b是以周圍型態(tài)排列于晶片 120a與120b上，因此晶片120a無法直接承載晶片 120b，是以已知技術(shù)必須在晶片120a與120b之間配 置間隔物130，使得晶片1 20a與1 20b之間相距 一 適當(dāng) 的距離，以利后續(xù)的打線制程的進(jìn)行。然而，間隔物 130的使用卻容易造成已知堆疊型晶片封裝結(jié)構(gòu)100的 厚度無法進(jìn) 一 步地縮減。
另外，已知技術(shù)提出另 一 種具有不同晶片尺寸的堆疊型晶片封裝結(jié)構(gòu)，其剖面示意圖如圖1 B所示。請(qǐng) 參考圖1 B ，已知的堆疊型晶片封裝結(jié)構(gòu)1 0包括 一 電路
基板(package substrate) 110、晶片120c 、晶片120d、 多條導(dǎo)線140與一封裝膠體150。電路基板110上具有 多個(gè)焊墊112。晶片120c的尺寸是大于晶片120d的尺 寸，且晶片120c與120d上亦分別具有多個(gè)焊墊122c 與 I22d，其中焊墊 122c與 122d是以周圍型態(tài) (peripheral type)排歹U于晶片120c與120d上。晶 片120c是配置于電路基板110上，且晶片120d配置 于晶片120c的上方。部分導(dǎo)線140的兩端是經(jīng)由打線 制程(wire bonding process)而分另U連接于焊墊112 與122c ，以使晶片120c電性連接于電路基板110。而 其它部分導(dǎo)線140的兩端亦經(jīng)由打線制程而分別連接 于焊墊112與122d，以使晶片120d電性連接于電路基 板110。至于封裝膠體1 50則配置于電路基板1 1 0上， 并包覆這些導(dǎo)線140、晶片120c與120d。
由于晶片120d小于晶片120c，因此當(dāng)晶片120d 配置于晶片120c上時(shí)，晶片120d不會(huì)覆蓋住晶片120c 的焊墊122c 。但是當(dāng)已知技術(shù)將多個(gè)不同尺寸大小的 晶片以上述的方式堆疊出堆疊型晶片封裝結(jié)構(gòu)1 0時(shí)， 由于越上層的晶片尺寸必須越小，是以堆疊型晶片封 裝結(jié)構(gòu)1 0有晶片的堆疊數(shù)量的限制。在上述兩種堆疊方式中，圖1 A使用間隔物1 30的 方式，容易造成堆疊型晶片封裝結(jié)構(gòu)100的厚度無法
進(jìn)一步地縮減的缺點(diǎn)；而圖1B，由于越上層的晶片尺 寸必須越小，如此會(huì)產(chǎn)生晶片在設(shè)計(jì)或使用時(shí)會(huì)受到 限制的問題。美國專利第6252305號(hào)、美國專利第 63 59340號(hào)及美國專利第646 1 897號(hào)則提供另 一 種多晶 片堆疊封裝的結(jié)構(gòu)，如圖1 C所示，此堆疊結(jié)構(gòu)可以使 用尺寸相同的晶片，且不需要使用間隔物130來形成 連接。然而，這些晶片在堆疊的過程中，為了要形成 交互堆疊而必須至少使用2種以上的焊墊配置，例如 某第 一 晶片上的焊墊是配置在第 一 晶片 一 側(cè)邊上，而 另 一 個(gè)第二晶片上的焊墊則是配置在兩相鄰的側(cè)邊 上；除此之外， 導(dǎo)線的打線連接 結(jié)構(gòu)中，除了有 行封膠的過程中 缺陷，并且還可 的模流沖擊力量 的問題。
另外，美國專利第 US6900528號(hào)、美國公開號(hào) US20030 1 37042A1 、 US20050029645A 1 及
US20060267 1 73A1則提供另 一 種多晶片堆疊封裝的結(jié)
此結(jié)構(gòu)還必須在兩 (wire bonding)。 可能會(huì)增加打線制 ，有可能會(huì)造成模 能造成某一方向的 ，造成金屬導(dǎo)線接
個(gè)方向上進(jìn)行金屬
因此，在圖1C的
程的時(shí)間外，在進(jìn)
流的不均勻而造成
金屬導(dǎo)線受到橫向
觸而產(chǎn)生晶片失效構(gòu)，如圖1D所示。圖1D是揭露一種交互堆疊的封裝
結(jié)構(gòu)，很明顯地，其利用晶片間的高度來取代間隔物，
使得封裝的密度可以增加，但此種封裝結(jié)構(gòu)卻仍然存在制程上的麻煩，就是必須先完成兩個(gè)晶片的連接后，
進(jìn)行第次的金屬導(dǎo)線連接后，才能進(jìn)行另外兩個(gè)晶
片的連接后，再進(jìn)行第二次的金屬導(dǎo)線連，故當(dāng)晶片
數(shù)愈多時(shí)，制程就相對(duì)復(fù)雜與困難。
有鑒于發(fā)明北 冃景中所述的晶片堆疊方式的缺點(diǎn)及
問題，本發(fā)明提供一種使用多晶片交互交錯(cuò)堆疊的方
式，來將多數(shù)個(gè)尺寸相近似的晶片交互交錯(cuò)堆疊成一
種二度空間的封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在提供一種多晶片交互交錯(cuò)堆
疊封裝結(jié)構(gòu)，使具有較高的封裝積集度以及較薄的
厚度
本發(fā)明的另一主要目的在提供一種多晶片交互交
錯(cuò)堆疊封裝結(jié)構(gòu)，使得多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)可以
在與導(dǎo)線架完成固接后，再以 一 次的打線制程將每一
曰 曰曰片上已曝曬的焊墊連接至導(dǎo)線架的內(nèi)引腳，故可有
效減化封裝制程并可提高制造的良率及可靠度。 本發(fā)明的再一主要目的在提供一種多晶片交互交左it 午曰堆ft的封裝結(jié)構(gòu)，其可由導(dǎo)線架的設(shè)計(jì)，將多曰 曰曰片
父互交錯(cuò)堆疊封裝成金手指結(jié)構(gòu):,故與電路板連接時(shí)，可有效地降低多晶片交互交錯(cuò)堆疊所占用的面積^
據(jù)此，本發(fā)明提供一種多晶片交互交錯(cuò)堆疊的封
裝結(jié)構(gòu)，導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)相對(duì)交錯(cuò)排列的多數(shù)
個(gè)第內(nèi)引及多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳；一多曰 曰曰片交互父
錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于導(dǎo)線架之上；多曰 曰曰片交互交錯(cuò)
堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第晶片及多數(shù)個(gè)第曰 曰曰片交互父
錯(cuò)堆疊而成且每一第晶片的一主動(dòng)面上的一側(cè)邊附
近配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊及每一第二晶片的主動(dòng)面上
的相對(duì)于第曰片的多數(shù)個(gè)暴露焊墊的另側(cè)邊附近
亦配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊；多數(shù)條金屬導(dǎo)線，用以將
多曰 曰曰片父互父錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)的多數(shù)個(gè)第一曰 曰曰片及多數(shù)個(gè)
第曰 曰曰片上的多數(shù)個(gè)焊墊與多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與多數(shù)
個(gè)第—內(nèi)引腳電性連接，其中多數(shù)個(gè)第曰 曰曰片與多數(shù)
個(gè)第內(nèi)引腳電性連接，多數(shù)個(gè)第二晶片與多數(shù)個(gè)第
內(nèi)引腳電性連接；以及 一 封裝體，包覆多曰 bi* 日日斤交互
.、-父錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)及部份的導(dǎo)線架。
本發(fā)明接著再提供一種堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，包
含:導(dǎo)線架包含多數(shù)個(gè)相對(duì)交錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第
內(nèi)引腳及多數(shù)個(gè)第內(nèi)引腳，其中多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引
腳及多數(shù).個(gè)二內(nèi)弓1腳的交錯(cuò)部份形成一曰 tdr 日曰斤承座區(qū)—多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于該曰 曰曰片承
座區(qū)之上，多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第—曰 曰曰
片及多數(shù)個(gè)第二晶片交互交錯(cuò)堆疊而成且每第曰 曰曰
片的主動(dòng)面上的側(cè)邊附近配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊
及每第晶片的主動(dòng)面上的相對(duì)于第 一 晶片的多數(shù)
個(gè)暴露焊墊的另一'狽(J邊附近亦配置并暴露多數(shù)個(gè)焊
墊多數(shù)條金屬導(dǎo)線，用以將多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)
構(gòu)的多數(shù)個(gè)第 一 晶片及多數(shù)個(gè)第二晶片上的多數(shù)個(gè)焊
塾與多數(shù)個(gè)成相對(duì).、-父錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第 一 內(nèi)引腳與多
數(shù)個(gè)第內(nèi)引腳電性連接，其中多數(shù)個(gè)第一曰 曰曰片與多
數(shù)個(gè)第一曰 曰曰片上的奇數(shù)焊墊與多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳電性
連接，而多數(shù)個(gè)第晶片與多數(shù)個(gè)第二晶片上的偶數(shù)
焊墊與多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳電性連接以及 一 封裝體，包
覆該多曰 曰曰片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)及部份的導(dǎo)線架,
本發(fā)明進(jìn) 一 步提供 一 種 一 種堆疊式晶片封裝結(jié)
構(gòu)，包含一導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)平形且間隔排列的
內(nèi)腳且內(nèi)引腳向自由端延伸的 一 側(cè)形成下置結(jié)
構(gòu)多曰 曰曰片父互父錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于導(dǎo)線架的下
置結(jié)構(gòu)上，多晶片父互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第—曰 曰曰
片及多數(shù)個(gè)第二晶片交互交錯(cuò)堆疊而成且每第曰 曰曰
片的主動(dòng)面上的側(cè)邊附近配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊
及每第一晶片的主動(dòng)面上的相對(duì)于第 一 晶片的多數(shù)個(gè)暴露焊墊的另!'J邊附近亦配置并暴露多數(shù)個(gè)焊
墊， 其中曝露的焊墊均相鄰每 一 內(nèi)引腳；多數(shù)條金屬
導(dǎo)線，用以將多曰 曰曰片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)中的每曝露
的焊墊與相鄰的每?jī)?nèi)引腳電性連接，其中多數(shù)個(gè)第
晶片及多i(個(gè)第晶片上同 一 列上的焊墊電性連接
至同 一 內(nèi)引腳；以及一封裝體，包覆該多晶片—、》 父互交
錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)及部份的導(dǎo)線架。


為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以 下結(jié)合實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下，其中
圖1A、圖1B、圖1C、圖1D為是先前技術(shù)的示意
圖2A、圖2C為是本發(fā)明的晶片結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖2B、圖2D為是本發(fā)明的晶片結(jié)構(gòu)的剖視圖； 圖2E為是本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)的剖
視圖3A、圖3B、圖3C是本發(fā)明的重配置層制造過 程的示意圖4A 、圖4B是本發(fā)明的重配置層中的焊線接合區(qū) 的剖視15圖5所示是本發(fā)明的一多晶片交互交錯(cuò)堆疊的結(jié)
構(gòu)；
圖6所示是本發(fā)明的由6個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆疊而
成；
圖7A所示是本發(fā)明的 一 導(dǎo)線架實(shí)施例的平面示意
圖7B為本發(fā)明的 一 導(dǎo)線架實(shí)施例的側(cè)面示意圖8為本發(fā)明的 一 多晶片交互交錯(cuò)堆疊封裝結(jié)構(gòu) 與導(dǎo)線架的平面示意圖9為本發(fā)明的一多晶片交互交錯(cuò)堆疊封裝結(jié)構(gòu) 與導(dǎo)線架的另 一 實(shí)施例的平面示意圖10為圖8與圖9的一剖面示意圖1 1為多晶片交互交錯(cuò)堆疊封裝結(jié)構(gòu)與導(dǎo)線架的 再一實(shí)施例的平面示意圖；與
圖1 2為圖1 1的 一 剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明在此所探討的方向?yàn)橐环N使用曰 曰曰片父互交
錯(cuò)偏移堆疊的方式，來將多數(shù)個(gè)尺寸相近或相汁的晶
片堆疊成種二度空間的封裝結(jié)構(gòu)。為了能徹底地了
解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成顯然地，本發(fā)明的施行并未限定晶片堆疊的方式
的技術(shù)者所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。另一方面，眾所周知的
曰 曰曰片形成方式以及晶片薄化等后段制程的詳細(xì)步驟并
未描述于細(xì)中，以避免造成本發(fā)明不必要的限制。
然而對(duì)于本發(fā)明的較佳實(shí)施'例,,則會(huì)詳細(xì)描述如下，
然而除了這些詳細(xì)描述之外，本發(fā)明還可以廣泛地施
且本發(fā)明的范圍不受限定，其
在現(xiàn)代的半導(dǎo)體封裝制程中，均是將 一 個(gè)已經(jīng)完
成 / -目IJ段審U程(FrontEnd Process)的晶片(w6 r
先進(jìn)行薄化處理(ThinningProcess), 例如將曰 曰曰片的
厚度研磨至2— 20mi1之間；然后，再涂布(C 0a ti ng)
或網(wǎng)印 (printing)一層高分子 (polymer)材料于晶
片的背面，此高分子材料可以是一種樹脂(s in)，
特別^一禾中B — Stage樹脂。再經(jīng)由一個(gè)烘烤或是照光
制程，使得高分子材料呈現(xiàn)一禾中具有粘稠度的半固化
膠再接著，將 一 個(gè)可以移除的膠帶 (tape)貼附于
半固化狀的高分子材料上；然后，進(jìn)行晶片的切割
sawing process)以形成一顆顆的晶片(die)最
后，就可將 一 顆顆的晶片與基板連接并且將曰 曰曰片形成
堆ft晶片結(jié)構(gòu)。
圖2A及圖2B所示，是 一 完成前述制程的晶片200
w 為
例 圍
施范
實(shí)的
的 求
它要
其 利
在權(quán)
行以的平面示意圖及剖面示意圖。如圖2A所示，晶片200
具有一主動(dòng)面210及一相對(duì)主動(dòng)面的背面220，且晶片 背面2 20上己形成 一 粘著層230;在此要強(qiáng)調(diào)，本發(fā)明 的粘著層230并未限定為前述的半固化膠，只要是能 與導(dǎo)線架或是晶片形成接合的粘著材料，均為本發(fā)明 的實(shí)施態(tài)樣，例如膠膜(die attached f i 1 m)。其 次，在本發(fā)明的實(shí)施例中，多數(shù)個(gè)焊墊240配置于晶 片200的主動(dòng)面210的 一 側(cè)邊上。再者，參考圖2C及 圖2D所示，與晶片200相異之處，另 一 晶片20的主 動(dòng)面2 1 0上的多數(shù)個(gè)焊墊240配置在另 一 側(cè)邊上，即 晶片20與晶片200上的各自多數(shù)個(gè)焊墊240是配置在 相對(duì)的 一 側(cè)邊上。其次，每 一 晶片上定義 一 邊緣線260 作為焊線接合區(qū)250的對(duì)準(zhǔn)線，要強(qiáng)調(diào)的是，邊緣線 260實(shí)際上是不存在晶片200上，其僅作為一參考線。
利用上述的晶片20與200可以形成 一 種多晶片交 互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)。圖2E所示為 一 種多晶片交互交錯(cuò)堆 疊結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，多晶片交互交錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)30 中堆疊的每 一 晶片交互交錯(cuò)堆疊的重迭面積可以相同 或相異。于此多晶片交互交錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)30中，最下 層的兩晶片20a及200a以粘著層230來接合時(shí)，晶片 200a交互覆蓋晶片20a大于 一 半以上的面積，而晶片 20b覆蓋晶片200a的面積則可大于或小于晶片200a覆蓋晶片20a的面積。同時(shí)，每一晶片以焊線接合區(qū)的
邊緣線260為參考線來形成，以交互交錯(cuò)使得配置在
晶片上的同 一 側(cè)的焊墊均未被上層的晶片完全覆蓋或
遮蔽。以一具體實(shí)施例來說明，晶片20a、 20b、 20c、 20d 或晶片 200a、 200b、 200c、 200d白勺尺寸約為 10mmX13mmX75um， 每一粘著層230的厚度約為60um，
則承載多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)的基板厚度約為 200um至250um。根據(jù)上述，多晶片堆疊的結(jié)構(gòu)30完 成堆疊后的最大堆疊展開寬度(overhang):以6層晶 片為例約為1 mm ;以8層晶片為例則會(huì)小于1. 5mm 。再 次要強(qiáng)調(diào)的是，對(duì)于上述形成多晶片交互交錯(cuò)堆疊的 結(jié)構(gòu)的晶片的數(shù)量及其尺寸大小，本發(fā)明并未加以限 制，只要能符合上述說明的可形成多晶片交互交錯(cuò)堆 疊的結(jié)構(gòu)，均為本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣，例如2層晶片的 交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)或是4層晶片的交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)。
接下來要說明本發(fā)明的晶片焊墊設(shè)計(jì)的另 一 實(shí)施 例，是使用 一 個(gè)具有重配置線路層的晶片結(jié)構(gòu)來將晶 片焊墊的位置改變，如圖3A所示。首先提供 一 晶片本 體310，并且在鄰近晶片本體3 1 0的單 一 側(cè)邊規(guī)劃出焊 線接合區(qū)320 。晶片本體310的主動(dòng)表面上的焊墊區(qū)分 為第一焊墊312a以及第二焊墊312b，其中第一焊墊 312a位于焊線接合區(qū)320內(nèi)，第二焊墊312b則位于焊線接合區(qū)3 2 0外。
接著參考圖3B，于晶片本體310的主動(dòng)表面上形
成第保護(hù)層330，其中第 一 保護(hù)層330具有多個(gè)第-'
開□3 32:，以暴露出第一焊墊312a與第二焊墊312b
然后在第一保護(hù)層330上形成重配置線路層340，苴 7 、包
括多條導(dǎo)線342與多個(gè)第三焊墊344 。于此實(shí)施伊j中，
第二焊墊344位于焊線接合區(qū)320內(nèi)，導(dǎo)線342可以
從第——焊墊312b電性連接延伸至第三焊墊344，或是
從第二焊墊312b電性連接至第一焊墊312a。其次，第 三焊墊344與第 一 焊墊312a是排列成兩列，并且沿著
曰 曰曰片本體3 10的單 一 側(cè)邊排列，但是第三焊墊344與
第焊墊3 12a亦可以以單列、多列或是其它的方式排
列于焊線接合區(qū)320內(nèi)。此外，重配置線路層340的
材料，可以為金、銅、鎳、鈦化鎢、鈦或其它的導(dǎo)電
材料
參考圖3C，在形成重配置線路層340后，將第—
保護(hù)層350覆蓋于重配置線路層340上以形成晶片300 的結(jié)構(gòu)，其中第二保護(hù)層3 50具有多個(gè)第二開口 3 52， 以暴露出第一焊墊312a與第三焊墊3 44 。要強(qiáng)調(diào)的是， 第 一 焊墊3 12a與第二焊墊312b可以周圍型態(tài)排列于 晶片本體310的主動(dòng)表面上，然而第一焊墊312a與第 二焊墊312b亦可以經(jīng)由面陣歹U型態(tài)(area array type)
20或其它的型態(tài)排列于晶片本體3 1 0上。
參考圖4A與圖4B，是為圖3C中分別沿剖面線 A-A，與B-B，所繪示的剖面示意圖。晶片300主要包 括晶片本體310以及重配置層400，其中重配置層400 包含第一保護(hù)層330 、重配置線路層340與第二保護(hù)層 3 5 0 。第一保護(hù)層3 30具有多個(gè)第一開口 3 32，以暴露 出這些第 一 焊墊3 12a與第二焊墊312b。重配置線路層 340配置于第 一 保護(hù)層330上，第二保護(hù)層3 50覆蓋于 重配置線路層340上，其中第二保護(hù)層350具有多個(gè) 第二開口 3 52，以暴露出這些第一焊墊312a與重配置 線路層340的第三焊墊344 。很明顯地，第 一 焊墊312a 與第三焊墊344位于焊線接合區(qū)內(nèi)，因此第二保護(hù)層 3 50上的焊線接合區(qū)以外的區(qū)域提供 一 個(gè)承載的平臺(tái)，
晶片結(jié)構(gòu)，因此，可以形成 一 種多晶片 的結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述，多晶片交互交錯(cuò)堆 包含具有重配置線路層或直接設(shè)置單側(cè) 亦可僅包含具有重配置線路層的晶片或 置單側(cè)焊墊的晶片所形成的多晶片交互 交錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)，例如參照同 一 申請(qǐng)人:的美國專利 US7170160中的圖2至圖4所示，于此不再贅述。
請(qǐng)參考圖5所示，是本發(fā)明的 一 種多晶片交互交 錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)50 。多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50是由多
以承載另-■個(gè)
交互父錯(cuò)堆
疊的結(jié)構(gòu)可以
焊墊的曰 曰曰片，
僅具有直接設(shè)數(shù)個(gè)晶片500堆疊而成，例如由4個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆
疊，其中每 一 晶片上具有重配置層400 ，故可將晶片上 的焊墊3 1 2b配置于晶片的焊線接合區(qū)之上，而形成多 晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50 。由于多晶片交互交錯(cuò)堆疊 結(jié)構(gòu)50的堆疊方式與上述多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)30 相同，在此不再贅述。此外，形成多晶片交互交錯(cuò)堆 疊結(jié)構(gòu)50的個(gè)晶片500之間是以 一 高分子材料所形成 的粘著層2 3 0來連接。
本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)除了上述的結(jié)
構(gòu)外，即多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)30及50，也可將曰 曰曰
片20與具有重配置層400的晶片500交互堆疊以形成
另~~■種多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)70 ，如圖6所示，苴 z 、
由6個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆疊而成。由于形成多晶片交互
交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)70的堆疊方式與形成多曰 曰曰片交互父錯(cuò)堆
疊結(jié)構(gòu)30及50的堆疊方式相同，在此不再贅述。然
而要強(qiáng)調(diào)的是，本實(shí)施例并未限定晶片20與晶片500何者在上層何者在下層，本發(fā)明并未加以限制，
要是以晶片20或晶片200與晶片500來形成本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，均為本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣。 同時(shí)，也要再次要強(qiáng)調(diào)，對(duì)于上述形成多晶片交互交 錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)的晶片的數(shù)量，本發(fā)明并未加以限制，
例如圖2E所示，其由8個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆疊而成；圖5所示，其由4個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆疊而成；圖6所示， 其由6個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆疊而成；當(dāng)然也能有其它的 組成方式，故只要能符合上述說明的可形成多晶片交 互交錯(cuò)堆疊的結(jié)構(gòu)，均為本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣。
接著，本發(fā)明依據(jù)上述的多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)
構(gòu)30、 50及70還提出 一 種堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，并 且詳細(xì)說明如下。同吋，在如下的說明過程中，將以 多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50為實(shí)施例，然而要強(qiáng)調(diào)的 是，多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)30及70亦適用本實(shí)施 例所揭露的內(nèi)容。
接著，將說明本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆疊式封 裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的平面示意圖。如圖7A所示，導(dǎo)線架 600是由多數(shù)個(gè)成相對(duì)交錯(cuò)排列的第 一 內(nèi)引腳610a與 第二內(nèi)引腳610b所組成，其中在第 一 內(nèi)引腳610a與 第二內(nèi)引腳610b的部分交錯(cuò)區(qū)域形成 一 晶片承座區(qū) 620 (如圖7A中的虛線標(biāo)示的區(qū)域)。此外，每 一 第一 內(nèi)引腳610a與第二內(nèi)引腳610b的 一 端為 一 自由端， 另 一 端則由連接條630a或630b與其它的內(nèi)引腳610a 或內(nèi)引腳6 1 0b相連接。在本發(fā)明的 一 較佳實(shí)施例中， 每 一 第 一 內(nèi)引腳6 10a與第二內(nèi)引腳610b的自由端與 晶片承座區(qū)620的邊緣切齊。最后，在后續(xù)的制程中， 連接條630a或630b可由適當(dāng)?shù)囊阎椒ㄒ瞥蛩苄?。接著，?qǐng)參考圖7B ，為本發(fā)明的相應(yīng)圖7 A的導(dǎo)線
架600的側(cè)面示意圖。導(dǎo)線架的晶片承座區(qū)620可以 與第 一 內(nèi)引腳610a與第二內(nèi)引腳610b之間可以是形 成一高度差或是形成一共平面。同時(shí)，在本實(shí)施例中， 多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50是配置在晶片承座區(qū)620 之上，并且經(jīng)由金屬導(dǎo)線(圖上未示)將多晶片交互 交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50與導(dǎo)線架600的第 一 內(nèi)引腳610a與 第二內(nèi)引腳6 10b連接。
請(qǐng)繼續(xù)參考圖8 ，是本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆疊 結(jié)構(gòu)與導(dǎo)線架的連接平面示意圖。在本實(shí)施例中，是 以4個(gè)晶片交互交錯(cuò)堆疊而成的多晶片交互交錯(cuò)堆疊 結(jié)構(gòu)50為例來說明。如圖8所示，多晶片交互交錯(cuò)堆 疊結(jié)構(gòu)50固接于導(dǎo)線架600的第 一 內(nèi)引腳610a與第 二內(nèi)引腳610b所形成的晶片承座區(qū)620之上，每 一 晶 片具有多數(shù)個(gè)金屬焊墊634 (a、 b、 c、 d)排列于單一 側(cè)邊。于本實(shí)施例中，多數(shù)個(gè)金屬焊墊634a與多數(shù)個(gè) 金屬焊墊634c位于鄰近第一內(nèi)引腳610a的連接條 6 30a端；而多數(shù)個(gè)金屬焊墊634b與多數(shù)個(gè)金屬焊墊 634d則位于鄰近第二內(nèi)引腳610b的連接條630b端； 其中，多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50與導(dǎo)線架600的晶 片承座區(qū)620的固接方式可以是以 一 粘著層230來固 接，然而此粘著層230并未限定為半固化膠，例如B-Stage材料，其只要是能與導(dǎo)線架或是晶片形成接合 的粘著材料，均為本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣，例如膠膜(d i e attached film)。再接著，利用多數(shù)條金屬導(dǎo)線640a 連接每一金屬焊墊634a及每一金屬焊墊634c至每一 第 一 內(nèi)引腳610a的靠近連接條630a端的附近。同理 的，再以多數(shù)條金屬導(dǎo)線640b連接每一金屬焊墊634b 及每一金屬焊墊634d至每一第二內(nèi)引腳610b的靠近 連接條630b端的附近。
請(qǐng)?jiān)倮^續(xù)參考圖9 ，是本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆 疊結(jié)構(gòu)與導(dǎo)線架連接的另一實(shí)施例的平面示意圖。于
本實(shí)施例中，多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50固接于導(dǎo)線 架600的第一內(nèi)引腳610a與第二內(nèi)引腳610b所形成 的晶片承座區(qū)620之上，每一晶片上具有 焊墊634 ( a、 b、 c、 d)并排列于單 一 側(cè)邊 個(gè)金屬焊墊634a與多數(shù)個(gè)金屬焊墊634c 一內(nèi)引腳610a的連接條630a端；而多數(shù) 634b與多數(shù)個(gè)金屬焊墊 634d則位于鄰近 610b的連接條630b端。而多晶片交互交 50與導(dǎo)線架600的晶片承座區(qū)620的固接 著層230來固接。接著，以多數(shù)條金屬導(dǎo)線640a連接 每 一 個(gè)奇數(shù)(例如1 、 3 、 5 、 7 、 9 、 11)的金屬焊墊 634a及金屬焊墊634c至每一第一內(nèi)引腳610a鄰近連
多數(shù)個(gè)金屬
，中多數(shù)
位于鄰近第
個(gè)金屬焊墊
第一內(nèi)弓l腳
錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)
方式是以粘接條630a的固定端。同理的
來連接每 一 偶數(shù)(例如2 、
焊墊634b及金屬焊墊634d
近連接條630b的固定端。
，再以多數(shù)條金屬導(dǎo)線640b 4、 6、 8、 10、 12)的金屬 至每 一 第二內(nèi)引腳610b鄰
很明顯地，圖9中的第 一 內(nèi)引腳610a與第二內(nèi)引 腳610b的數(shù)量比圖8中的第 一 內(nèi)引腳610a與第二內(nèi) 引腳6 10b少一半的數(shù)量，但是每一第一內(nèi)引腳6 10a 與每 一 第二內(nèi)引腳6 1 Ob的自由端則必須要曝露在晶片 承座區(qū)620之外，并且須要有足夠的空間以作為焊接 區(qū)。
接著，請(qǐng)參考圖10，其為圖8與圖9的剖面示意 圖。多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50設(shè)置于晶片承座區(qū)620 之上，其中導(dǎo)線架600于第 一 內(nèi)引腳610a與第二內(nèi)引 腳6 1 0b的交錯(cuò)區(qū)域間行成 一 下置結(jié)構(gòu)，如此，可以使 多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50固接后，使得后續(xù)在進(jìn)行 注模制程時(shí)，在多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50之上的模 流以及導(dǎo)線架之下的模流有相較佳的平衡，可以提供 封膠制程的可靠度。最后，再以 一 沖壓制程(stamp process),將延伸于封膠體650之外的內(nèi)引腳塑形并 移除固定端的連接條630 ，即可完成 一 多晶片交互交錯(cuò) 堆疊的封裝結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)?jiān)倮^續(xù)參考圖11，是本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)與導(dǎo)線架連接的另一實(shí)施例的平面示意圖。 于本實(shí)施例中，導(dǎo)線架600是由多數(shù)條相互平行的內(nèi) 引腳610所形成，且其 一 自由端則曝露于晶片覆蓋區(qū)
之外，以便能提供足夠的空間以作為焊接區(qū)；此外， 自內(nèi)引腳610向自由端延伸的部份區(qū)域可以形成一下 置部(down set)，以便與多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50 固接后，使得后續(xù)在進(jìn)行注模制程時(shí)，在多晶片交互 交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50之上的模流以及導(dǎo)線架之下的模流有 相較佳的平衡，可以提供封膠制程的可靠度。
當(dāng)多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50固接于導(dǎo)線架600 的內(nèi)引腳6 10之后，接著以多數(shù)條金屬導(dǎo)線640連接
金屬焊墊634a及金屬焊墊634c至每一相鄰的內(nèi)引展卩
610;而在另 一 側(cè)，則同樣以多數(shù)條金屬導(dǎo)線640連接
金屬焊墊634b及金屬焊墊634d至每一相鄰的內(nèi)引腳
610 。特別要強(qiáng)調(diào)在本實(shí)施例中，屬于同一列的金屬
焊墊634 ( a、 b、c 、.d)，會(huì)由金屬導(dǎo)線640連接至同
條內(nèi)引腳；例如第1與第1，的金屬焊墊634連接
至同 一 條內(nèi)引腳610a，而第2與第2，的金屬焊墊634 (a、 b、 c、 d)也共同連接至另一條內(nèi)引腳 610b ，其 實(shí)依此方式完成連接。因此，當(dāng)完成封膠制程后，只 有 一 側(cè)的內(nèi)引腳610，會(huì)暴露于封裝膠體之外，故可將 內(nèi)引腳610作為金手指(gold finger),當(dāng)本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)與 一 電路板(未顯示于圖中)連接時(shí)，即 可由單側(cè)連接，可以使得本實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)占用較 少的電路板面積。另外，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D1 2所示，其為圖 1 0的剖面示意圖，很明顯地，內(nèi)引腳6 1 0可以形成一
下置(down set)區(qū)域，以便與多晶片交互交錯(cuò)堆疊 結(jié)構(gòu)50固接后，使得后續(xù)在進(jìn)行注模制程時(shí)，在多晶 片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50之上的模流以及導(dǎo)線架之下的 模流有相較佳的平衡，可以提供封膠制程的可靠度。
另外，要再次強(qiáng)調(diào)，本發(fā)明的多晶片交互交錯(cuò)堆
疊結(jié)構(gòu)50是固接于導(dǎo)線架600之上，其中多晶片父互
父錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)50中的多數(shù)個(gè)晶片，其可以是相同尺寸
及相同功能的晶片(例如存儲(chǔ)器晶片)，或是多數(shù)個(gè)
曰 曰曰片中的晶片尺寸及功能不相同(例如最上層的曰 曰曰
片是驅(qū)動(dòng)晶片而其它的晶片則是存儲(chǔ)器晶片)，于此不
再贅述
顯然地，依照上面實(shí)施例中的描述，本發(fā)明可能
有許多的修正與差異。因此需要在其附加的權(quán)利要求
項(xiàng)的范圍內(nèi)加以理解，除了上述詳細(xì)的描述外，本發(fā) 明還可以廣泛地在其它的實(shí)施例中施行。上述僅為本 發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)
專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述申請(qǐng)專利范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)相對(duì)交錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳、多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳，其中所述多數(shù)個(gè)相對(duì)交錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳的交錯(cuò)部份形成一晶片承座區(qū)；一多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于該晶片承座區(qū)之上，該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第一晶片及多數(shù)個(gè)第二晶片交互交錯(cuò)堆疊而成且每一該第一晶片的一主動(dòng)面上的一側(cè)邊附近配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊及每一該第二晶片的主動(dòng)面上的相對(duì)于該第一晶片的該些暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊；多數(shù)條金屬導(dǎo)線，用以將該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)所述的多數(shù)個(gè)第一晶片及所述的多數(shù)個(gè)第二晶片上的多數(shù)個(gè)焊墊與所述多數(shù)個(gè)成相對(duì)交錯(cuò)排列的所述多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與所述多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳電性連接，其中所述多數(shù)個(gè)第一晶片與所述多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳電性連接，所述多數(shù)個(gè)第二晶片與所述多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳電性連接；以及一封裝體，包覆該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)及部份該導(dǎo)線架。
2.如權(quán)利要求1所述的堆疊式曰 曰曰片封裝結(jié)構(gòu)，特征在于，其中所述多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳的白由丄山 順與該多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳的自由端被所述多數(shù)個(gè)曰 曰曰片交互交錯(cuò)堆結(jié)構(gòu)所覆蓋。
3.如權(quán)利要求1所述的堆疊式曰 曰曰片封裝結(jié)構(gòu)，特征在于，其中所述多數(shù)個(gè)第內(nèi)引腳與所述多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳的交錯(cuò)部份所形成的該曰 曰曰片承座區(qū)且 Z 、有一下置結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的堆疊式曰 曰曰片封裝結(jié)構(gòu)，特征在于，其中該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)中的至少一該第 一 晶片或至少 一 該第二晶片的結(jié)構(gòu)包括一晶片本體，具有 一 焊線接合區(qū)域，該焊線接合區(qū)域是鄰近于該晶片本體的單 一 側(cè)邊或相鄰兩側(cè)邊，苴 z 、中該晶片本體具有多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域內(nèi)的第一焊墊以及多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域外的第二焊墊；一第一保護(hù)層，配置于該晶片本體上，其中該第保護(hù)層員有多個(gè)第一開口，以暴露出該些第一焊墊與該些第一焊墊；一重配置線路層，配置于該第一保護(hù)層上，其中該重配置線路層從所述多數(shù)個(gè)第二焊墊延伸至該焊線接合區(qū)域內(nèi)，而該重配置線路層具有多個(gè)位于該焊線 接合區(qū)域內(nèi)的第三焊墊；以及一第二保護(hù)層，覆蓋于該重配置線路層上，其中 該第二保護(hù)層具有多個(gè)第二開口，以暴露出該些第一 焊墊以及該些第三焊墊。
5.如權(quán)利要求1所述的堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該粘著層由下列群組中選ai: —B-Stage材料及 一 膠帶。
6. 一種堆ft式曰 Iz^ 日日斤封裝結(jié)構(gòu)其特:征在于，包含導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)相對(duì)父錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第內(nèi)引腳、多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳中所述多數(shù)個(gè)相對(duì)父錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與多數(shù)個(gè)第—內(nèi)引腳的■ 、 》 父錯(cuò)部份形成曰 曰曰片承座區(qū)多曰 曰曰片父互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于該曰 曰曰片承座區(qū)之上，該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第一曰 曰曰片及多數(shù)個(gè)第曰 日日斤交互交錯(cuò)堆疊而成且每一該第曰 曰曰片的主動(dòng)面上的一側(cè)邊附近配置并暴路多數(shù)個(gè)焊墊及每該第一曰 b!r 日日斤的主動(dòng)面上的相對(duì)于該第一晶片的多數(shù)個(gè)暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露該些焊墊；多數(shù)條金屬導(dǎo)線，用以將該多晶片交互交錯(cuò)堆疊 結(jié)構(gòu)的所述多數(shù)個(gè)第 一晶片及所述多數(shù)個(gè)第二晶片1的所述多數(shù)個(gè)焊墊與所述多數(shù)個(gè)成相對(duì)交錯(cuò)排列的所述多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與所述多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳電性連接，中所述多數(shù)個(gè)第一晶片與所述多數(shù)個(gè)第—曰 曰曰片上的奇數(shù)焊墊與所述多數(shù)個(gè)第 一 內(nèi)引腳電性連接，而所述多數(shù)個(gè)第 一 晶片與所述多數(shù)個(gè)第二晶片上的偶數(shù)焊塾與所述多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳電性連接；以及封裝體，包覆該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)及該部份導(dǎo)線架。
7.如權(quán)利要求6所述的堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，特征在于，其中所述多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與所述多數(shù)個(gè)第內(nèi)引腳的交錯(cuò)部份所形成的該晶片承座區(qū)員有下置結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求6所述的堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，特征在于，其中該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)中的至少該第一晶片或至少 一 該第二晶片的結(jié)構(gòu)包括 晶片本體，具有 一 焊線接合區(qū)域，該焊線接合區(qū)域是鄰近于該晶片本體的單 一 側(cè)邊或相鄰兩側(cè)邊苴 z 、中該晶片本體具有多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域內(nèi)的第焊墊以及多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域外的第二焊墊； 第 一 保護(hù)層，配置于該晶片本體上，其中該第保護(hù)層具有多個(gè)第一開口，以暴露出該些第焊墊與該些第二焊墊；重酉己置線路層，配置于該第-^保護(hù)層上，苴 中該重配置線路層從所述多數(shù)個(gè)第焊延伸至該焊線接合區(qū)域內(nèi)，而該重配置線路層員有多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域內(nèi)的第三焊墊；以及——-保護(hù)層，覆蓋于該重配置線路層上，中該第保護(hù)層具有多個(gè)第二開P，以暴露出所述多數(shù)個(gè)第~"■焊墊以及所述多數(shù)個(gè)第.焊墊，
9. 一種堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含一導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)平形且間隔排列的內(nèi)引腳，該內(nèi)引腳向—■自由端延伸的 側(cè)形成-一下置結(jié)構(gòu)；多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于該下置么士構(gòu)之上，該多曰& 日曰斤交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第曰 曰曰片及多數(shù)個(gè)第二晶片交互交錯(cuò)堆疊而成且每一該第晶片的主動(dòng)面上的一側(cè)邊附近配置并暴露多數(shù)個(gè)焊塾及每該第— 曰 ——日日片的主動(dòng)面上的相對(duì)于該第一曰 曰曰片的該勝暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊，中所述多數(shù)個(gè)曝露的焊墊均相鄰每一該內(nèi)引腳多數(shù)條金屬導(dǎo)線，用以將該多曰 曰曰片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)中的每一曝露的焊墊與相鄰的每一該內(nèi)引腳電性連接苴 z 、中所述多數(shù)個(gè)第一曰 曰曰片及所述多數(shù)個(gè)第曰 曰曰片上同列上的焊墊電性連接至同內(nèi)引腳；;以及一封裝體，包覆該多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)及該 部份導(dǎo)線架。
10.如權(quán)利要求9所述的堆疊式晶片封裝結(jié)構(gòu)， 其特征在于，其中該晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)中的至少一該第 一 晶片或至少 一 該第二晶片的結(jié)構(gòu)包括一晶片本體，具有 一 焊線接合區(qū)域，該焊線接合 區(qū)域是鄰近于該晶片本體的單 一 側(cè)邊或相鄰兩側(cè)邊，苴 z 、中該曰 曰曰片本體員有多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域內(nèi)的第焊塾以及多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域外的第-二焊墊；第保護(hù)層，配置于該晶片本體上，苴 z 、中該第保護(hù)層有多個(gè)第一開□，以暴露出該些第一焊墊與該勝第焊墊重配置線路層，配置于該第 一 保護(hù)層上， 其中該重配置線路層從所述多數(shù)個(gè)第二焊墊延伸至該焊線接合區(qū)域內(nèi)，而該重配置線路層具有多個(gè)位于該焊線接合區(qū)域內(nèi)的第二焊墊；以及第一保護(hù)層，覆蓋于該重配置線路層上， 其中該第一保護(hù)層有多個(gè)第開口 ，以暴露出所述多數(shù)個(gè)第焊墊以及所述多數(shù)個(gè)第三焊墊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多晶片交互交錯(cuò)堆疊的封裝結(jié)構(gòu)，一導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)相對(duì)交錯(cuò)排列的多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳及多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳；一多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)，是固接于導(dǎo)線架之上；多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)由多數(shù)個(gè)第一晶片及多數(shù)個(gè)第二晶片交互交錯(cuò)堆疊而成且每一第一晶片的一主動(dòng)面上的一側(cè)邊附近配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊及每一第二晶片的主動(dòng)面上的相對(duì)于第一晶片的多數(shù)個(gè)暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露多數(shù)個(gè)焊墊；多數(shù)條金屬導(dǎo)線，用以將多晶片交互交錯(cuò)堆疊結(jié)構(gòu)的多數(shù)個(gè)第一晶片及多數(shù)個(gè)第二晶片上的多數(shù)個(gè)焊墊與多數(shù)個(gè)第一內(nèi)引腳與多數(shù)個(gè)第二內(nèi)引腳電性連接。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101452919SQ20071019699
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日
發(fā)明者陳煜仁 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司