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陣列式靜電保護元件的制程與結構的制作方法

文檔序號:7237140閱讀:128來源:國知局
專利名稱:陣列式靜電保護元件的制程與結構的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種陣列式靜電保護元件的制程與結構,尤指一種利 用電路板疊層的概念,以縮小靜電保護元件的面積。
背景技術
現(xiàn)在坊間所見的電子產(chǎn)品,無不朝向將電子產(chǎn)品設計成具有輕、 薄、短、小的功能,以使得電子產(chǎn)品能更趨于迷你化。而被動元件(靜 電保護元件、過電流保護元件等)在電子產(chǎn)品中所占的面積又是最龐 大的,所以能夠有效地整合被動元件,將可達到電子產(chǎn)品迷你化的目 的。
然而,現(xiàn)有被動元件的設計,皆以單一功能為主。因此,當電子 產(chǎn)品需要安裝不同功能的被動元件來保護電子產(chǎn)品時,現(xiàn)有被動元件 的制程方法僅能設置多個單一功能的被動元件于電子產(chǎn)品內(nèi),十分占 用面積,當電子產(chǎn)品需要使用多種功能的被動元件時,勢必要增加電 子產(chǎn)品的體積,才能容納多種功能的被動元件。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題,本發(fā)明的主要目的為提出一種陣列式靜電保護 元件的制程,其具有減少靜電保護元件面積的功效,進而促使電子產(chǎn) 品能容納更多功能的被動元件。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供一種陣列式靜電保護元件的制程, 整個制程均于真空環(huán)境下作業(yè),包括步驟如下提供一第一絕緣層, 于該第一絕緣層形成至少一導電圖案層;于該至少一導電圖案層的相 對兩側之間切割一溝槽,該溝槽切開該至少一導電圖案層且延伸至該第一絕緣層內(nèi);提供一第二絕緣層,于該第二絕緣層鉆設至少一盲孔; 將該第二絕緣層具有盲孔的一側與該第一絕緣層具有溝槽的一側相對 地壓合粘結,該溝槽與該盲孔相連通;以及于該第二絕緣層、該至少 一導電圖案層及該第一絕緣層的相對二側分別形成至少一第一側邊導 電層及至少一第二側邊導電層。
本發(fā)明另提供一種陣列式靜電保護元件結構,包括 一第一絕緣層;至少一導電圖案層,該至少一導電圖案層設于該 第一絕緣層,該至少一導電圖案層相對兩側之間凹設有一溝槽,且該 溝槽延伸至該第一絕緣層內(nèi)部; 一第二絕緣層,該第二絕緣層的一側
凹設至少一盲孔,該第二絕緣層具有盲孔的一側與該第一絕緣層具有 溝槽的一側相對地壓合粘結,該溝槽與該盲孔相連通;至少一第一側 邊導電層,該至少一第一側邊導電層設于該第二絕緣層、該導電圖案 層及該第一絕緣層的一側;以及至少一第二側邊導電層,該至少一第 二側邊導電層設于該第二絕緣層、該至少一導電圖案層及該第一絕緣 層的相對另一側。
本發(fā)明具有以下有益的效果使用本發(fā)明的制造方法制作靜電保 護元件,可以有效地減少靜電保護元件所占的面積,進而可以有效整 合多種功能的被動元件于電子產(chǎn)品中。


圖1為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟一的立體圖; 圖2為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟二的立體圖; 圖3為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟三的立體圖; 圖4為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟四的立體圖; 圖5為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟五的立體圖; 圖6為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟六的立體圖; 圖7為本發(fā)明陣列式靜電保護元件制程步驟七的立體圖; 圖8為本發(fā)明陣列式靜電保護元件結構的剖視圖(圖7的8-8線的剖視圖)。
圖中符號說明1第一絕緣層
2導電圖案層
21溝槽
3第二絕緣層
31盲孔
4銅箔片
惻邊貫穿槽單元
51第一側邊貫穿槽
511第一側邊導電層
52第二側邊貫穿槽
521第二側邊導電層
6端電極
具體實施例方式
如圖l至圖7所示,本發(fā)明提供一種陣列式靜電保護元件的制程, 整個制程均于真空環(huán)境下作業(yè),包括步驟如下
Sl:提供一第一絕緣層1,于該第一絕緣層1表面以蝕刻或印制 的方式形成至少一導電圖案層2 (圖l所示);
S2:于該至少一導電圖案層2的相對兩側之間切割一溝槽21,該 溝槽21的寬度約10~100um,深度約10~10000um (圖2所示),該溝 槽21將該至少一導電圖案層2切開且延伸至第一絕緣層1內(nèi);
S3:提供一第二絕緣層3,于該第二絕緣層3表面鉆設至少一盲 孔31 (圖3所示);
S4:將該第二絕緣層3具有盲孔31的一側與該第一絕緣層1具有 溝槽21的一側相對地壓合粘結,該溝槽21與該盲孔31相連通(圖4 所示);
S5:于該第二絕緣層3上表面鄰近二側處及該第一絕緣層1下表面鄰近二側處貼合至少一銅箔片4 (圖所示);
S6:于銅箔片4上通過鉆孔或沖壓的方式依序貫穿該第二絕緣層 3、該至少一導電圖案層2及該第一絕緣層1的相對二側而形成一側邊
貫穿槽單元5及多個端電極6,該側邊貫穿槽單元5包含彼此分離的至 少一第一側邊貫穿槽51及至少一第二側邊貫穿槽52 (圖6所示);
S7:于該第一側邊貫穿槽51的內(nèi)表面電鍍一第一側邊導電層511, 于該第二側邊貫穿槽52的內(nèi)表面電鍍一第二側邊導電層521,每一對 端電極6分別與第一側邊導電層511或第二側邊導電層521的兩端作 電性連接(圖7所示)。
如圖8所示,本發(fā)明另提供一種陣列式靜電保護元件結構,該至 少一導電圖案層2覆蓋于該第一絕緣層l表面,該溝槽21凹設于該至 少一導電圖案層2且延伸至第一絕緣層1內(nèi)部,該溝槽21的寬度為 10~100um,深度為10 10000um,該盲孔31凹設于該第二絕緣層3表 面,該第二絕緣層3具有盲孔31的一側與該第一絕緣層1具有溝槽21 的一側相對地壓合粘結,該溝槽21與該盲孔31相連通,該第一側邊 貫穿槽51及該第二側邊貫穿槽52分別依序貫穿該第二絕緣層3、該至 少一導電圖案層2及該第一絕緣層1的相對二側,該第一側邊導電層 511電鍍于該第一側邊貫穿槽51的內(nèi)表面,該第二側邊導電層521電 鍍于該第二側邊貫穿槽52的內(nèi)表面,每一第一側邊導電層511的兩端 分別與一對端電極6作電性連接,每一第二側邊導電層521的兩端分 別與另一對端電極6作電性連接。
以本發(fā)明的制造方法制作靜電保護元件,可以減少靜電保護元件 所占的面積,進而可以有效整合更多種功能的被動元件于電子產(chǎn)品中。
以上所述,僅為本發(fā)明其中的較佳實施例,并非用來限定本發(fā)明 的實施范圍,即凡依本發(fā)明權利要求所做的均等變化與修飾,皆為本 發(fā)明的權利要求書范圍所涵蓋。
權利要求
1. 一種陣列式靜電保護元件的制程,其特征在于,整個制程均于真空環(huán)境下作業(yè),包括步驟如下提供一第一絕緣層,于該第一絕緣層形成至少一導電圖案層;于該至少一導電圖案層的相對兩側之間切割一溝槽,該溝槽切開該至少一導電圖案層且延伸至該第一絕緣層內(nèi);提供一第二絕緣層,于該第二絕緣層鉆設至少一盲孔;將該第二絕緣層具有盲孔的一側與該第一絕緣層具有溝槽的一側相對地壓合粘結,該溝槽與該盲孔相連通;以及于該第二絕緣層、該至少一導電圖案層及該第一絕緣層的相對二側分別形成至少一第一側邊導電層及至少一第二側邊導電層。
2. 如權利要求1所述的陣列式靜電保護元件的制程,其特征在于, 上述形成所述的側邊導電層的步驟前,更進一步包括于該第二絕緣 層、該至少一導電圖案層及該第一絕緣層的相對二側形成一側邊貫穿 槽單元,該側邊貫穿槽單元包含彼此分離的至少一第一側邊貫穿槽及 至少一第二側邊貫穿槽,該第一側邊貫穿槽及該第二側邊貫穿槽分別 通過鉆孔或沖壓的方式依序貫穿該第二絕緣層、該至少一導電圖案層 及該第一絕緣層的相對二側。
3. 如權利要求2所述的陣列式靜電保護元件的制程,其特征在于, 該第一側邊導電層電鍍于該第一側邊貫穿槽的內(nèi)表面,該第二側邊導 電層電鍍于該第二側邊貫穿槽的內(nèi)表面。
4. 如權利要求1所述的陣列式靜電保護元件的制程,其特征在于, 該溝槽的寬度為10 100um,深度為10~10000um。
5. 如權利要求1所述的陣列式靜電保護元件的制程,其特征在于, 該至少一導電圖案層蝕刻于該第一絕緣層上。
6. 如權利要求1所述的陣列式靜電保護元件的制程,其特征在于, 該至少一導電圖案層印制于該第一絕緣層上。
7. —種陣列式靜電保護元件結構,其特征在于,包括 一第一絕緣層;至少一導電圖案層,該至少一導電圖案層設于該第一絕緣層,該 至少一導電圖案層相對兩側之間凹設有一溝槽,且該溝槽延伸至該第 一絕緣層內(nèi)部;一第二絕緣層,該第二絕緣層的一側凹設至少一盲孔,該第二絕 緣層具有盲孔的一側與該第一絕緣層具有溝槽的一側相對地壓合粘 結,該溝槽與該盲孔相連通;至少一第一側邊導電層,該至少一第一側邊導電層設于該第二絕 緣層、該導電圖案層及該第一絕緣層的一側;以及至少一第二側邊導電層,該至少一第二側邊導電層設于該第二絕 緣層、該至少一導電圖案層及該第一絕緣層的相對另一側。
8. 如權利要求7所述的陣列式靜電保護元件結構,其特征在于, 更進一步包括 一側邊貫穿槽單元,該側邊貫穿槽單元包含彼此分離 的至少一第一側邊貫穿槽及至少一第二側邊貫穿槽,該第一側邊貫穿 槽及該第二側邊貫穿槽分別依序貫穿該第二絕緣層、該至少一導電圖 案層及該第一絕緣層的相對二側。
9. 如權利要求8所述的陣列式靜電保護元件結構,其特征在于, 該第一側邊導電層電鍍于該第一側邊貫穿槽的內(nèi)表面,及該第二側邊 導電層電鍍于該第二側邊貫穿槽的內(nèi)表面。
10. 如權利要求7所述的陣列式靜電保護元件結構,其特征在于, 該溝槽的寬度為10 100um,深度為10~10000um。
全文摘要
一種陣列式靜電保護元件的制程,整個制程均于真空環(huán)境下作業(yè),包括步驟如下提供一第一絕緣層,于該第一絕緣層形成至少一導電圖案層;于導電圖案層的兩側之間切割一溝槽,溝槽切開導電圖案層且延伸至第一絕緣層內(nèi)部;提供一第二絕緣層,于第二絕緣層鉆設至少一盲孔;將第二絕緣層具有盲孔的一側與該第一絕緣層具有溝槽的一側相對地壓合粘結,溝槽與盲孔相連通;以及于第二絕緣層、導電圖案層及第一絕緣層的相對二側分別形成至少一第一側邊導電層及至少一第二側邊導電層;通過以上的設計,可以有效地減少靜電保護元件所占的面積,進而可以有效整合更多種功能的被動元件于電子產(chǎn)品中。本發(fā)明另提供一種陣列式靜電保護元件結構。
文檔編號H01L49/00GK101414660SQ200710181859
公開日2009年4月22日 申請日期2007年10月19日 優(yōu)先權日2007年10月19日
發(fā)明者馮輝明, 巫宜燐, 蘇圣富, 黃建豪 申請人:佳邦科技股份有限公司
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