專利名稱：鰭式結(jié)構(gòu)和制造采用該鰭式結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造鰭式(fin)結(jié)構(gòu)的方法，更具體地講，涉及一種制 造用在半導(dǎo)體存儲器件中的鰭式晶體管的方法。
背景技術(shù)：
鰭式晶體管適用于100nm或更小的設(shè)計規(guī)則(design rule )。具體地講， 鰭式晶體管已經(jīng)被作為低功耗、高效且高速的器件來研究。需要極端地具有 20nm的線寬或更小線寬的有源區(qū)來得到鰭式晶體管的全耗盡(fUll depletion)。為了得到滿足這種要求的鰭式晶體管，制造作為有源區(qū)的鰭式結(jié) 構(gòu)是非常重要的。傳統(tǒng)地，使用側(cè)壁技術(shù)(sidewall technique),紫外光刻、電子束光刻等 來形成鰭式結(jié)構(gòu)。公知的方法是利用側(cè)壁技術(shù)在硅基底上形成多晶硅鰭式結(jié) 構(gòu)。第2005-0048727號美國專利申請公布公開了一種利用側(cè)壁晶體生長來制 造鰭式晶體管鰭式晶體管的方法。在這些傳統(tǒng)的方法中，由于線寬窄，因此鰭式結(jié)構(gòu)的均勻性降低，且制造鰭式結(jié)構(gòu)的成本高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種均勻地形成價格低、可靠性高的鰭式結(jié)構(gòu)的方法和制 造采用該鰭式結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種在基底上制造鰭式結(jié)構(gòu)的方法，該方 法包括在基底上形成多個臺面結(jié)構(gòu)，所述多個臺面結(jié)構(gòu)包括與鰭式結(jié)構(gòu)對 應(yīng)的側(cè)壁；在臺面結(jié)構(gòu)上沉積非晶半導(dǎo)體材料，以形成非晶半導(dǎo)體層，所述 非晶半導(dǎo)體層包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在臺面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的部分；在非晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋層；在形成在基底上的所得到的堆疊 結(jié)構(gòu)中，去除臺面結(jié)構(gòu)的上表面上的非晶半導(dǎo)體層和覆蓋層的部分；將臺面 結(jié)構(gòu)和覆蓋層去除至預(yù)定的深度，以得到包括下部的鰭式結(jié)構(gòu)，其中，所述 下部由臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層的剩余部分支撐。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種制造包括為鰭式結(jié)構(gòu)的有源區(qū)的鰭 式晶體管的方法，包括在基底上形成多個臺面結(jié)構(gòu)，所述多個臺面結(jié)構(gòu)包 括與鰭式結(jié)構(gòu)對應(yīng)的側(cè)壁；在臺面結(jié)構(gòu)上沉積非晶半導(dǎo)體材料，以形成非晶半導(dǎo)體層，所述非晶半導(dǎo)體層包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在臺面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的部分；在非晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋層；在形成在基底上的所得到的堆疊結(jié)構(gòu)中，去除臺面結(jié)構(gòu)的上表面上的非晶半導(dǎo)體層和覆蓋層的部分；將臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層去除至預(yù)定的深度，以得到包括下部的鰭式結(jié)構(gòu)，其中，所述下部由臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層的剩余部分支撐。該方法還可包括在非晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋層之后，利用包括退火的結(jié) 晶工藝使非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，可以在得到鰭式結(jié)構(gòu)之后執(zhí)行鰭式結(jié)構(gòu)的結(jié)晶?？梢岳肧PE或液相外延來使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶。如 果應(yīng)用SPE,則基底可以是晶體基底。如果應(yīng)用液相外延，則不需要結(jié)晶核。 因此，基底可以是非晶基底?？梢岳脺?zhǔn)分子激光退火(ELA)來執(zhí)行SPE。 在這種情況下，當(dāng)鰭式結(jié)構(gòu)被熔化成球形時，可以引發(fā)結(jié)晶。 非晶半導(dǎo)體層可以由硅形成?；卓梢允枪杈Ｅ_面結(jié)構(gòu)和覆蓋層可以由相同的材料形成，優(yōu)選地由氧化硅形成。 該方法還可包括在形成臺面結(jié)構(gòu)之后，去除基底的表面上的氧化物。該 方法還可包括在形成非晶半導(dǎo)體層之后，將離子注入到非晶半導(dǎo)體層中。非 晶半導(dǎo)體層和離子可以由相同的材料形成。該方法還可包括將石圭離子注入到 非晶半導(dǎo)體層中。


通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和 其它特征和優(yōu)點將變得更加清楚，在附圖中圖1至圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的制造鰭式結(jié)構(gòu)的工藝的剖視圖； 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的將離子注入到半導(dǎo)體層中的工藝的剖視圖；圖8A和圖8B是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶的方法的剖視 圖和平面圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另 一 實施例的使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶的方法的剖視圖； 圖IOA和圖IOB是根據(jù)本發(fā)明實施例的鰭式晶體管的示意性剖視圖11至圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造具有雙層結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管的方法的示意性剖3見圖；圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的具有三層結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管的剖視圖。
具體實施方式
現(xiàn)在將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的制造鰭式結(jié)構(gòu)的方法。該方法對應(yīng) 于制造鰭式晶體管的鰭式有源區(qū)的方法。因此，根據(jù)該方法將容易理解根據(jù) 本發(fā)明的制造鰭式晶體管的方法。圖l至圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造鰭式結(jié)構(gòu)的工藝的剖視圖。 在本發(fā)明的實施例中，硅將被描述為形成半導(dǎo)體層的材料的應(yīng)用。如圖l所示，具有預(yù)定長度的多個臺面(mesa)結(jié)構(gòu)2形成在硅基底1 上。臺面結(jié)構(gòu)2具有上表面2b和形成在上表面2b旁邊的側(cè)面2a。臺面結(jié)構(gòu) 2之間的距離必須根據(jù)兩個相鄰的薄膜晶體管之間的距離來被適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)。參照圖2，在超高的真空氣氛下對硅基底1進(jìn)行加熱，其中，提供H2以 利用還原反應(yīng)來去除殘留在硅基底1的表面上的天然的氧化物。在根據(jù)本發(fā) 明的制造鰭式結(jié)構(gòu)的方法中選擇性地釆用這個工藝。這個工藝可提高將在隨 后的過程中在超高的真空氣氛下形成的非晶硅層與基底之間的介面特性 (interface characteristic ), 從而有助于使珪結(jié)晶。如圖3所示，非晶硅層3在硅基底1上形成為半導(dǎo)體層?？梢岳贸?壓-化學(xué)氣相沉積(UHV-CVD)來形成非晶硅層3,以得到用于固相外延 (SPE)的高品質(zhì)的基底與非晶硅之間的高品質(zhì)的優(yōu)良的介面特性。在臺面 結(jié)構(gòu)2的上表面2b和側(cè)面2a及硅基底1的表面的暴露部分上形成非晶硅層3。 因此，非晶硅層3包括第一部分3a,形成在臺面結(jié)構(gòu)2的上表面2b上；第 二部分3b,形成在臺面結(jié)構(gòu)2的側(cè)面2a上；第三部分3c，形成在硅基底1 上。非晶硅層3的第三部分3c接觸硅基底1,并且從第三部分3c開始晶體的 生長。第二部分3b對應(yīng)于將被結(jié)晶的鰭式結(jié)構(gòu)，并隨后被用作晶體管的有源 區(qū)。如圖4所示，在非晶硅層3上形成覆蓋層( capping layer) 4, 以埋藏非 晶硅層3。覆蓋層4的厚度可以形成為足以充分地填充臺面結(jié)構(gòu)2之間的區(qū) 域。具體地講，根據(jù)將在隨后形成的鰭式結(jié)構(gòu)的高度來調(diào)節(jié)覆蓋層4的厚度。
覆蓋層4可以由與形成臺面結(jié)構(gòu)2的材料相同的材料形成，例如由Si02形成。如圖5所示，為了去除形成在臺面結(jié)構(gòu)2的上表面2b上的非晶硅層3的 第一部分3a,利用平面化工藝從堆疊在硅基底1上的材料的頂部開始對這些 材料進(jìn)行拋光或蝕刻。這樣使作為獨(dú)立的鰭式結(jié)構(gòu)的形成在臺面結(jié)構(gòu)2的側(cè) 面2a上的第二部分3b鰭式結(jié)構(gòu)相互隔離。通過將堆疊在硅基底1上的材料 的上部去除至預(yù)定的厚度，來實現(xiàn)平面化工藝。例如，可以利用化學(xué)機(jī)械拋 光(CMP)或非選#^生的干蝕刻來執(zhí)行該平面化工藝。如圖6所示，由非晶硅層3的第二部分3b來得到具有預(yù)定高度的鰭式結(jié) 構(gòu)，然后，將臺面結(jié)構(gòu)2和埋藏鰭式結(jié)構(gòu)的覆蓋層4去除至預(yù)定的深度。結(jié) 果，保留了臺面結(jié)構(gòu)2和覆蓋層4的部分，以支撐非晶硅層3的第二部分3b (下文中被稱作鰭式結(jié)構(gòu))的下部。接著，利用包括熱處理(比如快速熱退 火(RTA)等)的公知的SPE來使鰭式結(jié)構(gòu)3b結(jié)晶。鰭式結(jié)構(gòu)3b的結(jié)晶從 鰭式結(jié)構(gòu)3b的與具有單結(jié)晶性(single crystallinity)的硅基底1接觸的那部 分開始進(jìn)行。因此，鰭式結(jié)構(gòu)3b和硅基底l被結(jié)晶為一體。如果通過這樣的工藝來得到目標(biāo)單晶硅的鰭式結(jié)構(gòu)，則利用隨后的公知 的方法來得到鰭式晶體管。根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以在得到鰭式結(jié)構(gòu)3b之前進(jìn)行結(jié)晶。例如，可 以在參照圖5描述的工藝之后或緊接著參照圖5描述的工藝之后，進(jìn)行利用 SPE的非晶硅層的結(jié)晶。換言之，根據(jù)本發(fā)明的一方面，可以在形成覆蓋非 晶硅的覆蓋層4之后，在任意步驟中進(jìn)行非晶硅的結(jié)晶。為了得到高品質(zhì)的單晶硅鰭式結(jié)構(gòu)，在使非晶硅層3結(jié)晶之前需要去除 殘留在非晶硅層3中的多晶硅的晶種(seed)等。為了達(dá)到這個目的，在形 成非晶硅層3之后，如圖7所示，將硅離子注入到非晶硅層3中。硅離子撞 擊具有高能量的非晶硅層3，從而破壞非晶硅層3的晶體硅的疇(domain), 以使得非晶硅更均勻。結(jié)果，硅離子防止非晶硅層3由于在非晶硅層3中存 在的非特定的硅晶種而結(jié)晶，并使非晶硅層3只從非晶硅層3與硅基底1接 觸的那部分開始結(jié)晶。沿著相對于硅基底1傾斜的方向來將硅離子注入到硅 基底1中，以使硅離子充分地撞擊臺面結(jié)構(gòu)2的側(cè)壁。圖8A和圖8B是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的利用固相外延將圖6中的鰭 式結(jié)構(gòu)3b結(jié)晶成球形結(jié)構(gòu)3b'的方法的剖視圖和平面圖。這里，球形結(jié)構(gòu)3b' 是鰭式結(jié)構(gòu)的變形，因此被當(dāng)作是鰭式結(jié)構(gòu)的一種類型。
參照圖8A，利用準(zhǔn)分子激光退火(ELA)將鰭式結(jié)構(gòu)3b熔化并固化。 因此，鰭式結(jié)構(gòu)3b被結(jié)晶為球形結(jié)構(gòu)3b'。結(jié)果，如果硅基底l由晶體材料 形成，則可以得到單晶的鰭式結(jié)構(gòu)。如果硅基底1由非晶材料形成，則可以 得到多晶硅鰭式結(jié)構(gòu)。圖8B是示出了參照圖8A描述的利用ELA的方法的平面圖。參照圖8B, 線性激光束沿著一個方向(即，從向上的方向向著向下的方向)行進(jìn)，以熔 化并固化鰭式結(jié)構(gòu)3b,從而將鰭式結(jié)構(gòu)3b結(jié)晶成球形結(jié)構(gòu)3b'。圖9是示出利用采用ELA的熔化和固化來形成晶體鰭式結(jié)構(gòu)或多晶鰭式 結(jié)構(gòu)的方法的剖視圖。該方法在執(zhí)行了先前的實施例中的參照圖5描述的平 面化工藝之后進(jìn)行。將準(zhǔn)分子激光束照射到由于平面化工藝而暴露的鰭式結(jié)構(gòu)3b的前端，以 熔化鰭式結(jié)構(gòu)3b。此后，去除準(zhǔn)分子激光束，使鰭式結(jié)構(gòu)3b固化，以使鰭 式結(jié)構(gòu)3b結(jié)晶。熔化的硅中與硅基底l接觸的那部分首先固化。因此，晶體 從鰭式結(jié)構(gòu)3b的下部向著向上的方向生長。如果硅基底1由非晶材料(例如玻璃或塑料)形成，則鰭式結(jié)構(gòu)3b可以 由多晶硅形成。圖IOA和圖IOB是根據(jù)本發(fā)明實施例的鰭式晶體管的示意性剖視圖。參照圖10A,在作為有源區(qū)的鰭式結(jié)構(gòu)3b上形成柵極絕緣體5。通過對 硅基底1和鰭式結(jié)構(gòu)3b進(jìn)行熱氧化來得到柵極絕緣體5。在柵極絕緣體5上 形成柵極6。如圖IOB所示，柵極6位于鰭式結(jié)構(gòu)3b的中間部分，鰭式結(jié)構(gòu) 3b的兩側(cè)被用作源極和漏極。在柵極6的兩側(cè)上都形成側(cè)壁7，以使源極和 漏極彼此電絕緣。利用下面的工藝來制造具有這種結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管完成 鰭式結(jié)構(gòu)3b;利用采用公知方法的熱氧化來形成柵極絕緣體5;在柵極絕緣 體5上沉積柵極材料；將柵極材料圖案化以形成柵極6;形成側(cè)壁7。根據(jù)如上所述的鰭式結(jié)構(gòu)和制造利用鰭式結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管的方法，可 以制造出多層的結(jié)構(gòu)。在通過如上所述的工藝得到的鰭式晶體管上可以形成如上所述的鰭式結(jié)構(gòu)。圖11至圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造具有雙層結(jié)構(gòu)的鰭式晶 體管的方法的示意性的剖視圖。如圖11所示，利用釆用上述工藝得到的鰭式結(jié)構(gòu)3b來制造具有單層結(jié)
構(gòu)的薄膜晶體管(TFT)。這里，鰭式結(jié)構(gòu)3b"用于形成新的硅晶種層，其中， 硅晶種層將在隨后描述且不用于制造TFT。圖11中示出的TFT與圖10A中 示出的鰭式晶體管具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，相同的標(biāo)號表示相同的元件。如圖12所示，在TFT上形成鈍化層8,在鈍化層8中形成與鰭式結(jié)構(gòu) 3b"對應(yīng)的井8a，井8a用于形成新的硅晶種層。如圖13所示，在鈍化層8上沉積非晶硅，以形成非晶態(tài)的晶種層9。如圖14所示，利用ELA等來使晶種層9結(jié)晶。晶種層9從井8a底部的 與鰭式結(jié)構(gòu)3b"接觸的那部分開始結(jié)晶。因此，沿著如箭頭標(biāo)注的井8a內(nèi)的 垂直方向和鈍化層8上方的水平方向執(zhí)行晶體的生長。如圖15所示，在晶種層9上形成臺面結(jié)構(gòu)20,以制造新的鰭式結(jié)構(gòu)， 在臺面結(jié)構(gòu)20上沉積非晶硅層30。此后，利用先前參照圖4至圖6描述的 工藝來得到具有雙層結(jié)構(gòu)的鰭式結(jié)構(gòu)，利用鰭式結(jié)構(gòu)來制造具有雙層結(jié)構(gòu)的 TFT。圖16是示出具有三層結(jié)構(gòu)的TFT 100、 TFT 101和TFT 102的剖視圖。 這里，可以利用上述方法來得到TFT 100、 TFT 101和TFT 102。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以根據(jù)鰭式結(jié)構(gòu)的沉積厚度來確定鰭式結(jié)構(gòu) 的寬度。因此，可以制造具有極窄的寬度(即10nm或更小)的鰭式結(jié)構(gòu)。 鰭式結(jié)構(gòu)可以利用SPE在硅基底上結(jié)晶，以具有完全的單晶結(jié)構(gòu)。鰭式結(jié)構(gòu) 不依靠光刻，因此，可以以低成本來制造。具體地講，由于可以利用覆蓋層 來制造鰭式結(jié)構(gòu)，因此，在施加物理的力的CMP工藝中，鰭式結(jié)構(gòu)不發(fā)生變 形。結(jié)果，可以容易地控制鰭式結(jié)構(gòu)的厚度和位置。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍 的情況下，可以對本發(fā)明的示例性實施例進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的變化。
權(quán)利要求
1、 一種在基底上制造鰭式結(jié)構(gòu)的方法，包括在基底上形成多個臺面結(jié)構(gòu)，所述多個臺面結(jié)構(gòu)包括與鰭式結(jié)構(gòu)對應(yīng)的 側(cè)壁；在臺面結(jié)構(gòu)上沉積非晶半導(dǎo)體材料，以形成非晶半導(dǎo)體層，所述非晶半分；- 、、土 、 、 ； 、a 、' 、在非晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋層；在形成在基底上的所得到的堆疊結(jié)構(gòu)中，去除臺面鰭式結(jié)構(gòu)的上表面上 的非晶半導(dǎo)體層和覆蓋層的部分；將臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層去除至預(yù)定的深度，以得到包括下部的鰭式結(jié)構(gòu)，其中，所述下部由臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層的剩余部分支杯者
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括在形成覆蓋層之后，利用包括退火 的結(jié)晶工藝使非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶。
3、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括在得到鰭式結(jié)構(gòu)之后，利用包括退 火的結(jié)晶工藝使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其中，利用固相外延和液相外延中的一種 來使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶。
5、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，基底是晶體基底。
6、 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，基底和非晶半導(dǎo)體層是由硅形成的。
7、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中，臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層由氧化硅形成。
8、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括在形成臺面結(jié)構(gòu)之后，去除基底的 表面上的氧化物。
9、 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括將離子注入到非晶半導(dǎo)體層。
10、 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，非晶半導(dǎo)體層是硅半導(dǎo)體層，離 子是硅離子。
11、 一種制造包括為鰭式結(jié)構(gòu)的有源區(qū)的鰭式晶體管的方法，包括 在基底上形成多個臺面結(jié)構(gòu)，所述多個臺面結(jié)構(gòu)包括與鰭式結(jié)構(gòu)對應(yīng)的側(cè)壁；在臺面結(jié)構(gòu)上沉積非晶半導(dǎo)體材料，以形成非晶半導(dǎo)體層，所述非晶半 導(dǎo)體層包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在臺面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的部分；在非晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋層；在形成在基底上的所得到的堆疊結(jié)構(gòu)中，去除臺面結(jié)構(gòu)的上表面上的非 晶半導(dǎo)體層和覆蓋層的部分；將臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層去除至預(yù)定的深度，以得到包括下部的鰭式結(jié)構(gòu)， 其中，所述下部由臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層的剩余部分支撐。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在形成覆蓋層之后，利用包括退 火的結(jié)晶工藝使非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶。
13、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在得到鰭式結(jié)構(gòu)之后，利用包括 退火的結(jié)晶工藝使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶。
14、 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，利用固相外延和液相外延中的一 種來使鰭式結(jié)構(gòu)結(jié)晶。
15、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，基底是晶體基底。
16、 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，基底和非晶半導(dǎo)體層是由硅形成的。
17、 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，臺面結(jié)構(gòu)和覆蓋層由氧化珪形成。
18、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在形成臺面結(jié)構(gòu)之后，去除基底 的表面上的氧化物。
19、 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括將離子注入到非晶半導(dǎo)體層。
20、 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，非晶半導(dǎo)體層是硅半導(dǎo)體層，離 子是硅離子。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種鰭式結(jié)構(gòu)和制造采用該鰭式結(jié)構(gòu)的鰭式晶體管的方法。在基底上形成包括側(cè)壁的多個臺面結(jié)構(gòu)。在臺面結(jié)構(gòu)上形成半導(dǎo)體層。在半導(dǎo)體層上形成覆蓋層。因此，半導(dǎo)體層被覆蓋層保護(hù)，并包括將被形成為鰭式結(jié)構(gòu)的部分。通過平面化工藝來去除覆蓋層的上部的部分，由此去除半導(dǎo)體層在臺面結(jié)構(gòu)的上表面上的那部分。結(jié)果，在臺面結(jié)構(gòu)的側(cè)面上形成彼此隔離的鰭式結(jié)構(gòu)。因此，可以形成具有非常窄的寬度的鰭式結(jié)構(gòu)，并可以容易地控制鰭式結(jié)構(gòu)的厚度和位置。
文檔編號H01L21/336GK101123180SQ20071014180
公開日2008年2月13日 申請日期2007年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日
發(fā)明者樸永洙, 趙世泳, 鮮于文旭 申請人:三星電子株式會社