專利名稱：板條和使用其制造半導(dǎo)體封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及板條，更具體地，涉及一種具有在基礎(chǔ)襯底上形成保護(hù)層期間，能夠防止保護(hù)層滲透到基礎(chǔ)襯底和圍繞孔的真空臺(tái)之間界面的結(jié)構(gòu)的板條。
背景技術(shù)：
通常的半導(dǎo)體封裝包括印刷電路板(PCB)襯底和至少一個(gè)安裝在其上的電路元件(例如半導(dǎo)體集成電路(IC)芯片等)。參考圖1、2和3，多個(gè)PCB襯底10通常從單個(gè)板條制造而成。多個(gè)PCB襯底10可以以一個(gè)或多個(gè)單元襯底20的方式設(shè)置或排列在板條上。如圖1所示，示例板條可以包括三個(gè)單元襯底20，并且每個(gè)單元襯底20可以包括15個(gè)PCB襯底10，由此該板條可以生產(chǎn)45個(gè)襯底10。當(dāng)然，板條和/或襯底10、20可以不同地設(shè)置(例如形狀和/或尺寸)以產(chǎn)生更少或額外的PCB襯底10。單元襯底20通過(guò)偽襯底30彼此連撬在至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝在每個(gè)印刷電路襯底10之后，使用成型材件模制或封裝所得的產(chǎn)品，印刷電路襯底10通過(guò)切割工藝分割成獨(dú)立的封裝單元。
在這種情況下，單元襯底20和偽襯底30共享基礎(chǔ)襯底11(圖3)。基礎(chǔ)襯底11通過(guò)層疊至少一層聚酯膠片(prepreg)(由樹脂材料13例如雙馬來(lái)酰亞胺三嗪(BT)或FR-4形成)和纖維材料12例如玻璃纖維形成。
在包括單元襯底20的基礎(chǔ)襯底11的一個(gè)或多個(gè)部分的頂和/或底表面上形成具有特定圖案的電路圖案24。另外，可以形成連接頂和底表面上的電路圖案24的通孔或透孔36，在包括在單元襯底20中包括的基礎(chǔ)襯底11的一部分中可以形成用于連接半導(dǎo)體芯片到電路圖案24的器件孔。因?yàn)榘▎卧r底20和電路圖案24的基礎(chǔ)襯底11的一部分用于制造半導(dǎo)體封裝，通常將其稱為“功能”部分。
在偽襯底30的基礎(chǔ)襯底11的上和/或下表面上形成具有特定圖案的偽圖案34。因?yàn)榘▊我r底30和偽圖案34的基礎(chǔ)襯底11的一部分不適于在其上安裝部件，因此經(jīng)常被去掉，通常將它稱作“非功能”部分。設(shè)置偽圖案34以使基礎(chǔ)襯底11的上和下表面具有基本相同的熱膨脹系數(shù)，并增強(qiáng)板條的強(qiáng)度。在這種情況下，具有長(zhǎng)方形形狀(圖2)的偽圖案34可以彼此平行設(shè)置。
為了保護(hù)電路圖案24不受環(huán)境的影響，在電路圖案24和偽圖案34上形成保護(hù)層40(例如阻焊劑或光阻焊劑)。通過(guò)在基礎(chǔ)襯底11上涂敷保護(hù)層材料形成保護(hù)層40，同時(shí)基礎(chǔ)襯底11被吸附到真空臺(tái)50且使用真空固定在那兒。然后保護(hù)層40可以被曝光和顯影。
真空臺(tái)50包括其上安置有基礎(chǔ)襯底11的安置表面52和多個(gè)抽真空孔54以把基礎(chǔ)襯底11吸附到安置表面52。最好如圖1中所示，設(shè)置多個(gè)抽真空孔54以使多個(gè)孔54的每一個(gè)孔基本與偽襯底30對(duì)準(zhǔn)。更具體地，通常設(shè)置板條的單元襯底20和偽襯底30以使偽襯底30與多個(gè)抽真空孔54對(duì)準(zhǔn)。在多個(gè)抽真空孔54內(nèi)部建立負(fù)壓以吸附基礎(chǔ)襯底11的設(shè)置有偽圖案34的一部分。由此，基礎(chǔ)襯底11緊密地安置或保持在真空臺(tái)50的安置表面52上。
然而，人們可以理解，抽真空孔54具有大于預(yù)定尺寸的直徑以使基礎(chǔ)襯底11可以被充分地吸附和保持在安置表面52上。如圖2和3中最好地所示，偽圖案34比抽真空孔54小。如進(jìn)一步示出，偽圖案34可以不形成在襯底底面上。因此，當(dāng)抽真空孔54吸附基礎(chǔ)襯底11時(shí)，在襯底被吸引到真空臺(tái)50時(shí)，抽真空孔54沒(méi)有被襯底11或圖案24、34完全密封。
如圖3所示，由于在形成了偽圖案34之處的基礎(chǔ)襯底11的表面和其中沒(méi)有形成偽圖案34之處的基礎(chǔ)襯底11的表面之間的圖案24和34的厚度，存在臺(tái)階差別(step difference)。臺(tái)階差別導(dǎo)致在基礎(chǔ)襯底11的底表面和抽真空孔54之間形成間隙。結(jié)果，當(dāng)在抽真空孔54中形成真空時(shí)，也在基礎(chǔ)襯底11和安置表面52之間的間隙中形成了真空。
特別地，在涂敷保護(hù)層40的工藝中，保護(hù)層40填充孔例如通孔或透孔36。在此時(shí)，由于基礎(chǔ)襯底11不緊密地接觸抽真空孔54，保護(hù)層40滲透到圍繞基礎(chǔ)襯底11的底表面和真空臺(tái)50之間的透孔的區(qū)。
結(jié)果，面對(duì)真空臺(tái)50的基礎(chǔ)襯底11的表面被至少部分涂敷保護(hù)層40。因此，損害了基礎(chǔ)襯底11的平坦性。并且，可以在保護(hù)層40(例如在通孔36中)中產(chǎn)生空隙，由此減小產(chǎn)品可靠性。
根據(jù)前面所述，具有能夠阻止保護(hù)層滲透到圍繞在基礎(chǔ)襯底和真空臺(tái)之間的通孔的區(qū)的結(jié)構(gòu)的板條在本領(lǐng)域中將是一個(gè)重大改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種板條，包括包括其上封裝至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的功能部分、非功能部分和至少一個(gè)孔的基礎(chǔ)襯底；包括在功能部分的至少一個(gè)表面上形成的電路圖案和在非功能部分的至少一個(gè)表面上形成的偽圖案的電路層；在電路層上形成的保護(hù)層；和在非功能部分上形成的至少一個(gè)抽真空孔安置單元，該至少一個(gè)抽真空孔安置單元設(shè)置為密封真空臺(tái)的至少一個(gè)抽真空孔。
抽真空孔安置單元可以由與偽圖案相同的材料形成。
基礎(chǔ)襯底可以由包括FR-4和雙馬來(lái)酰亞胺三嗪(BT)中的至少一種的材料形成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括例如通過(guò)卷到卷工藝提供基礎(chǔ)襯底；在基礎(chǔ)襯底的功能部分的至少一個(gè)表面上形成電路圖案；在基礎(chǔ)襯底的非功能部分的至少一個(gè)表面上形成偽圖案；在基礎(chǔ)襯底中形成孔；在基礎(chǔ)襯底的非功能部分上形成抽真空孔安置單元，該至少一個(gè)抽真空孔安置單元設(shè)置為密封真空臺(tái)的至少一個(gè)抽真空孔；把基礎(chǔ)襯底安置在真空臺(tái)上以通過(guò)抽真空孔安置單元密封真空臺(tái)的至少一個(gè)抽真空孔；在基礎(chǔ)襯底上形成保護(hù)層；和在基礎(chǔ)襯底上封裝半導(dǎo)體芯片。


圖1是傳統(tǒng)板條的平面圖；圖2是由圖1中的A表示的部分的放大的平面圖；圖3是沿圖1的線III-III的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的示例板條的平面圖；圖5是由圖4中的B表示的部分的放大的平面圖；圖6是沿圖4的線VI-VI的截面圖；
圖7是圖5的變型的放大的平面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明另一方面，制造半導(dǎo)體封裝的示例方法的流程圖；圖9是示出提供基礎(chǔ)襯底的步驟的透視圖；圖10是沿圖9的線X-X的截面圖；圖11是形成電路圖案、偽圖案、抽真空孔安置單元和安置表面以及在基礎(chǔ)襯底中的孔的步驟的截面圖；以及圖12是說(shuō)明在基礎(chǔ)襯底上形成保護(hù)層的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考示出了本發(fā)明的示例實(shí)施例的附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的示例板條100的平面圖；圖5是由圖4中的B表示的部分的放大的平面圖；圖6是沿圖4的線VI-VI的截面圖；參考圖4到圖6，板條100包括基礎(chǔ)襯底141、電路層144、保護(hù)層146和抽真空孔安置單元150。
如圖4和6所示，基礎(chǔ)襯底141設(shè)置有至少一個(gè)功能部分120和至少一個(gè)非功能部分130。功能部分120包括多個(gè)與半導(dǎo)體芯片結(jié)合使用以制造多個(gè)半導(dǎo)體封裝的單元襯底110。非功能部分130通常設(shè)置在功能部分120之間且包圍功能部分120?；A(chǔ)襯底141可以由BT或FR-4形成。如圖6中所示，BT或FR-4可以包括聚酯膠片122和圍繞聚酯膠片122的樹脂材料123。在這種情況下，聚酯膠片122表示玻璃纖維和樹脂的合成物。一個(gè)示例聚酯膠片122包含70％或更少的樹脂，具有0.15mm或更小的整體厚度，并且具有25Gpa或更大的強(qiáng)度。當(dāng)使用例如卷到卷方法形成基礎(chǔ)襯底141時(shí)，包括聚酯膠片122和樹脂123的基礎(chǔ)襯底141可能需要一些條件。聚酯膠片122的強(qiáng)度可以通過(guò)控制與玻璃纖維一起構(gòu)成聚酯膠片122的樹脂123的量來(lái)控制。
電路層144形成在基礎(chǔ)襯底141的至少一個(gè)表面上。電路層144包括多個(gè)電路圖案124，這些電路圖案設(shè)置在基礎(chǔ)襯底141的功能部分120上以電連接到半導(dǎo)體芯片。電路層144也包括多個(gè)設(shè)置在基礎(chǔ)襯底141的非功能部分130上的偽圖案134。設(shè)置該偽圖案134以使基礎(chǔ)襯底141的上和下表面具有基本相同的熱膨脹系數(shù)。
在這種情況下，電路圖案124和偽圖案134可以通過(guò)在基礎(chǔ)襯底141上形成導(dǎo)電膜之后曝光和顯影由例如銅形成的導(dǎo)電膜而構(gòu)圖，或通過(guò)其它本領(lǐng)域已知的方法例如濺射、蒸鍍等構(gòu)圖。電路圖案124可以形成在基礎(chǔ)襯底141的一個(gè)或兩個(gè)表面上。當(dāng)電路圖案124形成在基礎(chǔ)襯底141的上和下表面上時(shí)，電路圖案124可以通過(guò)孔例如通孔或透孔126彼此連接。
保護(hù)層146形成在電路層144上。保護(hù)層146可以由阻焊劑或光阻焊劑形成，其保護(hù)電路圖案124不受環(huán)境的影響。在這種情況下，基礎(chǔ)襯底141用于芯片上板(BOC)的封裝，且每個(gè)電路圖案124都可以包括電連接單元、球安置單元和連接單元。
雖然未示出，電路圖案124的電極連接單元連接到半導(dǎo)體芯片的電極單元，電連接到外部襯底的導(dǎo)電球安置在球安置單元上，連接單元連接電極連接單元到球安置單元。在這種情況下，能夠在不具有電極連接單元和球安置單元的情況下形成保護(hù)層146?？梢酝ㄟ^(guò)通孔126在基礎(chǔ)襯底141的上和下表面上形成保護(hù)層146。
特別地，如圖6所示，為了形成保護(hù)層146，在將基礎(chǔ)襯底141安置在真空臺(tái)50上之后，在真空臺(tái)50的抽真空孔54中形成負(fù)壓以使基礎(chǔ)襯底141的表面(例如在基礎(chǔ)襯底141的非功能區(qū)130中)可以被吸附且保持在真空臺(tái)50上。在這種狀態(tài)下，例如使用絲網(wǎng)印刷方法涂敷保護(hù)層146。
在本實(shí)施例中，通常在基礎(chǔ)襯底141上設(shè)置至少一個(gè)抽真空孔安置單元150以總體上與至少一個(gè)抽真空孔54的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)。如圖6中所示，抽真空孔安置單元150的厚度基本上與電路層144的厚度相同。然而，在其它實(shí)施例中，抽真空孔安置單元150的厚度可以比電路層144更大。因此，因?yàn)槌檎婵湛装仓脝卧?50密封孔54，在抽真空孔54中的負(fù)壓不會(huì)影響圍繞抽真空孔安置單元150的區(qū)域，因此保護(hù)層146的粘性材料穿過(guò)透孔126被吸引到襯底141的區(qū)域。因此，由于負(fù)壓不會(huì)影響孔的周圍區(qū)域，而不會(huì)產(chǎn)生保護(hù)層146的滲透。
抽真空孔安置單元150可以由與基礎(chǔ)襯底141相同的材料形成。即，例如通過(guò)在與至少一個(gè)抽真空孔54的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的某些區(qū)域添加附加的樹脂123，可以使襯底141更厚?？蛇x擇地，抽真空孔安置單元150可以由與電路層144相同的材料形成，并且例如可以基本上與偽圖案134同時(shí)形成。抽真空孔安置單元150可以具有比抽真空孔54更大的直徑。如圖5中所示，抽真空孔安置單元150可以由與偽圖案134相同的材料形成并且可以具有正方形或長(zhǎng)方形的形狀。當(dāng)然，抽真空孔安置單元150可以具有其它合適的形狀例如圓形、橢圓或其它多邊形和曲線結(jié)構(gòu)。如圖7中所示，抽真空孔安置單元150可以為具有直徑大于抽真空孔54的直徑的外環(huán)單元151和具有直徑小于抽真空孔54直徑的內(nèi)環(huán)單元的環(huán)形或螺旋管形。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)利用至少一個(gè)抽真空孔安置單元150密封至少一個(gè)抽真空孔54，可以防止在設(shè)置在通孔126中的保護(hù)層146中產(chǎn)生空隙以及防止未硬化的保護(hù)層146滲透到基礎(chǔ)襯底141和真空臺(tái)50之間的透孔126周圍的區(qū)域。同樣地，可以增加基礎(chǔ)襯底141的平坦度。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面制造半導(dǎo)體封裝的示例方法的流程圖。參考圖8，制造半導(dǎo)體封裝的方法包括提供基礎(chǔ)襯底，例如使用卷到卷工藝(S10)；在基礎(chǔ)襯底的功能部分中形成電路圖案和孔，以及在基礎(chǔ)襯底的非功能部分上形成偽圖案(S20)；在非功能部分(S30)上形成抽真空孔安置單元；在真空臺(tái)(S40)上安置基礎(chǔ)襯底以使抽真空孔安置單元基本密封真空臺(tái)的抽真空孔；當(dāng)基礎(chǔ)襯底的抽真空孔安置單元通過(guò)對(duì)抽真空孔抽真空而固定在抽真空孔上時(shí)，在基礎(chǔ)襯底上形成保護(hù)層(S50)；以及在基礎(chǔ)襯底上封裝半導(dǎo)體芯片(S60)。
現(xiàn)在將參考圖9至12詳細(xì)描述圖8中示出的示例方法的步驟。參考圖9和10，提供了基礎(chǔ)襯底141。基礎(chǔ)襯底141可以包括至少一層由玻璃纖維和樹脂的混合物而形成的聚酯膠片122和形成在聚酯膠片122周圍的樹脂材料123。在本實(shí)施例中，可以使用卷到卷方法提供聚酯膠片122。
在示例的卷到卷方法中，纏繞卷提供裝置201的玻璃纖維材料122a提供給樹脂槽205。樹脂槽205包含從樹脂儲(chǔ)倉(cāng)203提供的液態(tài)樹脂122b。玻璃纖維材料122a饋送進(jìn)樹脂槽205并浸入到液態(tài)樹脂122b中。在浸入到樹脂122b中之后，玻璃纖維材料122a和其上的樹脂122b例如通過(guò)在爐內(nèi)加熱而硬化，并且由此制造聚酯膠片122。一個(gè)或多個(gè)滾筒207可以用于引導(dǎo)聚酯膠片122。
一種示例的聚酯膠片122包含70％或更少的樹脂，具有0.15mm或更小的總體厚度，且具有25Gpa或更大的強(qiáng)度。當(dāng)這些條件滿足時(shí)，基礎(chǔ)襯底141可以通過(guò)卷到卷方法提供，并且當(dāng)基礎(chǔ)襯底在隨后的工藝中彎曲時(shí)也可以保持預(yù)定的強(qiáng)度。可以通過(guò)控制與玻璃纖維122a一起構(gòu)成聚酯膠片122的樹脂材料123的量來(lái)控制聚酯膠片122的強(qiáng)度。
基礎(chǔ)襯底141可以由FR-4 or BT形成。在一些情況下，由于FR-4的吸濕、阻滯、粘性和高導(dǎo)電性材料屬性，使用它是有優(yōu)勢(shì)的。通過(guò)控制加入到樹脂122b的填料的量，可以控制基礎(chǔ)襯底141的熱膨脹系數(shù)。
然后，如圖11中所示，在基礎(chǔ)襯底141的功能部分120的至少一個(gè)表面上形成電路圖案124，同樣，在基礎(chǔ)襯底141的非功能部分130的至少一個(gè)表面上形成偽圖案134。例如，在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)浸漬、濺射、蒸鍍等在基礎(chǔ)襯底141的至少一個(gè)表面上形成導(dǎo)電膜。然后，在導(dǎo)電膜的上表面上涂敷光敏膜，通過(guò)曝光和顯影(例如蝕刻)可以形成電路圖案124和偽圖案134。在形成圖案124、134之前或基本與之同時(shí)可以進(jìn)行在基礎(chǔ)襯底141中形成多個(gè)孔126的操作?？?26包括電連接在基礎(chǔ)襯底141的上和下表面上形成的電路圖案124的孔或透孔。
本發(fā)明進(jìn)一步包括例如在基礎(chǔ)襯底141的非功能部分130中形成抽真空孔安置單元150的操作。在某些實(shí)施例中，抽真空孔安置單元150由與偽圖案134相同的材料形成，并且可以在與偽圖案134相同的工藝中形成。設(shè)置抽真空孔安置單元150以總體上與抽真空孔54的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)，并且，可以具有比抽真空孔54更大的直徑以使抽真空孔54的負(fù)壓不會(huì)影響圍繞抽真空孔54的區(qū)域。抽真空孔安置單元150可以具有任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)以密封抽真空孔54，例如，抽真空孔安置單元150可以具有比抽真空孔54的直徑更大的外環(huán)單元151和具有比抽真空孔54的直徑更小的內(nèi)環(huán)單元153的環(huán)形形狀。
然后，如圖12中所示，為了在電路圖案124上形成保護(hù)層146，通過(guò)在真空臺(tái)50中包括的抽真空孔54中建立負(fù)壓以吸引抽真空孔安置單元150，把基礎(chǔ)襯底141安置在真空臺(tái)50上并固定基礎(chǔ)襯底141。抽真空孔安置單元150具有基本與那里臨近的圖案124、134的厚度相似的厚度(或者在一些情況下更大)。因此，當(dāng)抽真空孔54接觸抽真空孔安置單元150時(shí)，密封抽真空孔54以使負(fù)壓不會(huì)影響抽真空孔54周圍的區(qū)域。在這種情況下，在基礎(chǔ)襯底141上形成保護(hù)層146。因此，在基礎(chǔ)襯底141完全平坦并且保護(hù)層146填充透孔126的情況下，涂敷保護(hù)層146。
在這種情況下，透孔126不會(huì)受到抽真空孔54的負(fù)壓的影響。因此，保護(hù)層146基本完全填充了透孔126，并且不會(huì)穿透基礎(chǔ)襯底141和真空臺(tái)50之間的透孔126周圍的區(qū)域。
然后，雖然未示出，封裝半導(dǎo)體芯片和基礎(chǔ)襯底141。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片和基礎(chǔ)襯底141可以是芯片上板(BOC)的封裝。即，半導(dǎo)體芯片上表面朝下地安置在具有電極連接單元和在下表面上的球安置單元的基礎(chǔ)襯底141的上部分上。在這種情況下，在窗口縫隙的內(nèi)部空間中設(shè)置半導(dǎo)體芯片的電極單元。然后，半導(dǎo)體芯片的電極單元和基礎(chǔ)襯底141的電極連接單元引線鍵合。然后，使用成型材料模制或封裝得到的包括引線鍵合部分的產(chǎn)品。
然后，通過(guò)例如通過(guò)切割分開每個(gè)印刷電路襯底，完成半導(dǎo)體封裝的制作。
根據(jù)本發(fā)明，由于在通過(guò)接觸平坦抽真空孔安置單元的抽真空孔抽真空吸引基礎(chǔ)襯底的情況下形成保護(hù)層，可以防止保護(hù)層滲透到基礎(chǔ)襯底和真空臺(tái)之間的透孔周圍的區(qū)域，并由此可以防止在保護(hù)層中產(chǎn)生空隙，并且印刷電路板可以具有高的平坦性。因此，增加了半導(dǎo)體封裝的可靠性。
雖然參考示例實(shí)施例具體描述和說(shuō)明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明在形式和細(xì)節(jié)上作出多種修改。
權(quán)利要求
1.一種板條，包括基礎(chǔ)襯底，其包括至少一個(gè)其中封裝有至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的功能部分、至少一個(gè)臨近所述至少一個(gè)功能部分的非功能部分和至少一個(gè)孔；電路層，其包括在所述至少一個(gè)功能部分的至少一個(gè)表面上形成的電路圖案和在所述至少一個(gè)非功能部分的至少一個(gè)表面上形成的偽圖案；在電路層上形成的保護(hù)層；以及至少一個(gè)抽真空孔安置單元，其形成在所述至少一個(gè)非功能部分的一部分上，該至少一個(gè)抽真空孔安置單元設(shè)置為密封真空臺(tái)的抽真空孔。
2.如權(quán)利要求1的板條，其中所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元由與所述偽圖案相同的材料形成。
3.如權(quán)利要求2的板條，其中所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元具有比抽真空孔更大的面積。
4.如權(quán)利要求2的板條，其中所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元總體上為環(huán)形，且包括具有比抽真空孔周長(zhǎng)更大的第一周長(zhǎng)的外環(huán)單元和具有比抽真空孔周長(zhǎng)更小的第二周長(zhǎng)的內(nèi)環(huán)單元。
5.如權(quán)利要求1的板條，其中所述基礎(chǔ)襯底是從由FR-4和雙馬來(lái)酰亞胺三嗪構(gòu)成的組中選擇的。
6.如權(quán)利要求1的板條，其中所述至少一個(gè)功能部分基本上被所述至少一個(gè)非功能部分圍繞。
7.如權(quán)利要求1的板條，其中在該板條的中心部分設(shè)置所述至少一個(gè)功能部分。
8.一種包括基礎(chǔ)襯底的板條，其中該基礎(chǔ)襯底具有至少一個(gè)其上封裝有至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的具有電路圖案的功能部分、至少一個(gè)具有偽圖案的非功能部分、以及在電路圖案和偽圖案上形成的保護(hù)層；其中改進(jìn)包括至少一個(gè)在所述非功能部分的一部分上形成的抽真空孔安置單元，該至少一個(gè)抽真空孔安置單元設(shè)置為密封真空臺(tái)的抽真空孔。
9.如權(quán)利要求8的板條，其中所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元由與所述偽圖案相同的材料形成。
10.如權(quán)利要求8的板條，其中所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元具有比抽真空孔更大的面積。
11.如權(quán)利要求8的板條，其中所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元總體上為環(huán)形，且包括具有比抽真空孔周長(zhǎng)更大的第一周長(zhǎng)的外環(huán)單元和具有比抽真空孔周長(zhǎng)更小的第二周長(zhǎng)的內(nèi)環(huán)單元。
12.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括提供基礎(chǔ)襯底；在基礎(chǔ)襯底的功能部分上形成電路圖案，并在基礎(chǔ)襯底的非功能部分上形成偽圖案；穿過(guò)基礎(chǔ)襯底形成至少一個(gè)孔；在所述基礎(chǔ)襯底的非功能部分上形成至少一個(gè)抽真空孔安置單元，該至少一個(gè)抽真空孔安置單元設(shè)置為與真空臺(tái)的至少一個(gè)抽真空孔對(duì)應(yīng)；把基礎(chǔ)襯底安置在真空臺(tái)上以使所述至少一個(gè)抽真空孔安置單元密封所述至少一個(gè)抽真空孔；在所述至少一個(gè)抽真空孔中建立負(fù)壓以把基礎(chǔ)襯底保持在所述真空臺(tái)上；在基礎(chǔ)襯底上形成保護(hù)層；和在基礎(chǔ)襯底上封裝半導(dǎo)體芯片。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述提供基礎(chǔ)襯底的步驟包括從滾筒或卷提供基礎(chǔ)襯底。
14.如權(quán)利要求12的方法，其中所述形成至少一個(gè)抽真空孔安置單元的步驟基本上與所述形成偽圖案的步驟同時(shí)進(jìn)行。
全文摘要
提供了一種板條，包括具有至少一個(gè)孔和其中封裝有至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片的多個(gè)功能部分的基礎(chǔ)襯底；具有分別在基礎(chǔ)襯底的表面上形成的功能部分上形成的電路圖案和非功能部分上形成偽圖案的電路層；在電路層上形成的保護(hù)層；形成在非功能部分的一部分上的至少一個(gè)抽真空孔安置單元，設(shè)置在接觸抽真空孔的部分上，并且很平坦而沒(méi)有臺(tái)階差別。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101083247SQ20071010539
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2007年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月24日
發(fā)明者李鳳熙 申請(qǐng)人:三星Techwin株式會(huì)社