專(zhuān)利名稱(chēng)：具有散熱器的電子模塊組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子模塊組件，并且特別涉及具有散熱器的組件。

背景技術(shù)：
在目前的電子模塊部件中，熱學(xué)性質(zhì)和行為正變得愈發(fā)關(guān)鍵，這是因?yàn)楣乃教岣卟⑶也考兊酶「?。這導(dǎo)致了高結(jié)溫，其可能降低部件的功能性并導(dǎo)致部件毀壞。高結(jié)溫的風(fēng)險(xiǎn)還限制了產(chǎn)品中的整體功耗水平。
一種具有堆疊封裝(package-on-package)部件的新型電子模塊組件正被提出。例如，電子模塊組件可以包括具有專(zhuān)用集成電路(ASIC)芯片和襯底的第一封裝，以及具有存儲(chǔ)器芯片和襯底的第二封裝。第二封裝被安裝到第一封裝的頂部，并且第二封裝通過(guò)第一封裝的襯底電耦合到印刷電路板。
一些例如存儲(chǔ)器模塊的部件具有非常低的允許最大結(jié)溫。對(duì)于存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)這會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題，特別是在存儲(chǔ)器模塊被置于一些功耗ASIC頂部的堆疊封裝部件中。較下面的部件會(huì)加熱存儲(chǔ)器，并且由于它本身也有功耗，因此存儲(chǔ)器模塊的結(jié)溫很容易升高到臨界限之上；存儲(chǔ)器的結(jié)溫可以在高于允許溫度大約10-15℃的正常使用情況下。利用所使用的現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法提高存儲(chǔ)器的最大允許溫度，因此必須找到針對(duì)該問(wèn)題的某種其它解決方法。結(jié)溫升高到臨界限之上在其它部件中也是相當(dāng)普遍的問(wèn)題，特別是在那些在晶片(die)上具有局部熱源的部件中。
對(duì)于堆疊封裝部件而言，存儲(chǔ)器溫度過(guò)高是一個(gè)非常新的問(wèn)題，因?yàn)檎麄€(gè)技術(shù)都是創(chuàng)新的。該問(wèn)題目前還沒(méi)有得到解決。在其它部件中，例如通過(guò)向部件襯底添加銅來(lái)降低晶片的溫度。也存在這樣的部件，其中，通過(guò)散熱塊(heat slug)(晶片和部件頂部之間的熱傳導(dǎo)材料)將熱量從晶片處向上引導(dǎo)。部件頂表面繼而通過(guò)散熱片(heat sink)被冷卻。
期望提供一種用于在堆疊封裝部件組件中防止過(guò)高溫度的系統(tǒng)和方法。


發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種電子模塊組件，包括第一襯底；安裝到第一襯底的頂表面的第一半導(dǎo)體晶片；位于第一半導(dǎo)體晶片之上并且與第一襯底的頂表面電連接且機(jī)械連接的第二襯底；安裝到第二襯底的頂表面的第二半導(dǎo)體晶片；位于第二半導(dǎo)體晶片之上且與第二半導(dǎo)體晶片熱耦合的散熱器；以及至少部分地包圍第二半導(dǎo)體晶片和散熱器的密封材料。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子模塊組件，其包含第一部分和第二部分，其中第一部分包括第一襯底以及與第一襯底電耦合且機(jī)械耦合的第一半導(dǎo)體晶片；第二部分包括第二襯底、與第二襯底電耦合且機(jī)械耦合的第二半導(dǎo)體晶片、與第二半導(dǎo)體晶片機(jī)械耦合且熱耦合的散熱器以及至少部分地包圍第二半導(dǎo)體晶片和散熱器的密封材料。通過(guò)在第一襯底和第二襯底之間直接延伸的導(dǎo)體，第二襯底與第一襯底電耦合以形成電子模塊組件，該電子模塊組件適于安裝到具有單一組件的電子構(gòu)件上。該電子模塊組件適于將來(lái)自第二半導(dǎo)體晶片的熱量傳遞到散熱器，并通過(guò)導(dǎo)體且通過(guò)第一襯底傳遞給電子構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方法，提供了一種組裝電子模塊組件的方法，該方法包括提供第一子組件，其包含第一襯底以及安裝到第一襯底的頂表面的第一半導(dǎo)體晶片，其中第一襯底的底面適于可操作地安裝在電子構(gòu)件上；提供第二子組件，其包括第二襯底、安裝到第二襯底并位于第二襯底的頂表面之上的至少一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片、以及與至少一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片熱耦合并位于第二半導(dǎo)體晶片的頂表面之上的散熱器；以及通過(guò)在第二襯底的底面和第一襯底的頂表面之間延伸的導(dǎo)體連接第二襯底與第一襯底。散熱器和導(dǎo)體適于從散熱器到導(dǎo)體地將熱量從第二半導(dǎo)體晶片處傳遞走。
根據(jù)本發(fā)明的另一方法，提供了一種將熱量從電子模塊組件中的半導(dǎo)體晶片處傳遞走的方法，該方法包括在半導(dǎo)體晶片頂部上提供散熱器；將熱量從半導(dǎo)體晶片處傳遞到散熱器；通過(guò)至少部分地包圍散熱器的半導(dǎo)體晶片密封材料將熱量從散熱器處傳遞到與半導(dǎo)體晶片電連接的電導(dǎo)體；將熱量從電導(dǎo)體傳遞到電子模塊組件的第一電子模塊子組件的第一襯底；以及將熱量從第一電子模塊子組件傳遞到第一電子模塊子組件安裝在其上的電子構(gòu)件。



本發(fā)明的上述方面和其它特征將在下文的描述中參考附圖進(jìn)行闡釋?zhuān)渲? 圖1是結(jié)合本發(fā)明特征的移動(dòng)電話(huà)的透視圖； 圖2是圖1中所示電話(huà)的印刷電路板組件的示意性部分截面視圖； 圖3是示出了圖2中所示部件的部分放大視圖的示意圖； 圖4是圖3中所示組件的較下面的封裝的頂視平面圖； 圖5是圖3中所示組件的第二封裝的截面和裂開(kāi)頂視圖； 圖6是示出了本發(fā)明的可選實(shí)施方式的類(lèi)似于圖3的示意圖； 圖7是示出了包含本發(fā)明的堆疊封裝組件的可選實(shí)施方式的示意圖；以及 圖8是說(shuō)明了在本發(fā)明的另一可選實(shí)施方式中部件位置的示意圖。

具體實(shí)施例方式 參考圖1，其示出了結(jié)合本發(fā)明特征的便攜式電子設(shè)備10的透視圖。盡管將參考附圖中所示的示例性實(shí)施方式而描述本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可以在很多可選形式的實(shí)施方式中被具體化。而且，元件或材料的任何適當(dāng)?shù)拇笮?、形狀或?lèi)型都可被使用。
設(shè)備10包括手持通信設(shè)備，并且更特別地包括移動(dòng)電話(huà)。然而，本發(fā)明的特征可以在諸如PDA、膝上型計(jì)算機(jī)、游戲設(shè)備等任何適當(dāng)類(lèi)型的電子設(shè)備中使用。電話(huà)10一般地包括顯示器12、小鍵盤(pán)14、具有包括收發(fā)器18在內(nèi)的適當(dāng)電子電路17的印刷電路板16、天線(xiàn)20以及電池22?？梢蕴峁└郊拥幕蚩蛇x的特征。
參考圖2，印刷電路板16優(yōu)選地包括例如金屬的電傳導(dǎo)材料的接地層24，它還可以起到熱傳遞的作用，以用于將熱量從電子電路處傳遞走。在此實(shí)施方式中，電子電路17包括了包含堆疊封裝部件的電子模塊組件26。電子模塊組件26安裝到印刷線(xiàn)路板或者印刷電路板(PCB)16的頂面28上，并與印刷電路板的導(dǎo)體電耦合。組件26可被附接到印刷電路板的底面。正如在這里所使用的那樣，“頂”和“底”僅僅是為了理解本發(fā)明而使用的參考術(shù)語(yǔ)，用以相對(duì)于其它組件來(lái)描述組件，其不應(yīng)被視為限制。在此實(shí)施方式中的組件26包括層疊配置的兩個(gè)部分或者說(shuō)封裝30、32。然而，在可選實(shí)施方式中，可以提供多于兩個(gè)的部分或者說(shuō)封裝。
參考圖3，第一部分30一般地包括第一襯底34、安裝到第一襯底34的頂表面38的第一半導(dǎo)體晶片36、以及基本上包圍第一晶片36的第一密封材料40。第一半導(dǎo)體晶片36可以是例如諸如專(zhuān)用集成電路(ASIC)芯片的任何適當(dāng)類(lèi)型的半導(dǎo)體晶片，或者任何其它類(lèi)型的功耗芯片/組件，或者例如存儲(chǔ)器芯片。在可選實(shí)施方式中，第一部分30可以包含多于一個(gè)的半導(dǎo)體晶片。兩個(gè)或者多個(gè)晶片還可以相互層疊。第一襯底34在其底面44上具有底部接觸區(qū)域42，該底部接觸區(qū)域42通過(guò)例如焊料球的可熔元件46而與印刷電路板16電耦合且機(jī)械耦合。在可選實(shí)施方式中，接觸可以從第一襯底34處延伸，用以將第一部分30耦合到印刷電路板16，而不是可熔元件。
參考圖4，第一襯底34的頂面38包含頂部接觸區(qū)域48。在此實(shí)施方式中，頂部接觸區(qū)域48按照一般的環(huán)狀形狀被布置在第一襯底周邊的周?chē)?。然而，任何適當(dāng)?shù)呐渲枚伎梢员惶峁?。如下文進(jìn)一步描述的，提供接觸區(qū)域48是為了借助于第一襯底34來(lái)將第二部分或者說(shuō)封裝32連接到印刷電路板16。在此實(shí)施方式中，提供了引線(xiàn)鍵合(wire bond)50，用以將第一半導(dǎo)體晶片36電連接到第一襯底34上。然而，任何適當(dāng)?shù)碾娺B接都可以被提供。密封材料也可以覆蓋引線(xiàn)鍵合。
返回參考圖3，第二部分或者說(shuō)封裝32一般地包括第二襯底52，兩個(gè)第二半導(dǎo)體晶片54、55，第二密封材料56，以及散熱器58。在可選實(shí)施方式中，可以提供多于或者少于兩個(gè)的第二半導(dǎo)體晶片?？梢栽诘谝幻芊獠牧?0的頂部和第二襯底52的底部之間提供氣隙84。氣隙例如可以小到約0.1毫米。
第二半導(dǎo)體晶片54、55可以是任何適當(dāng)類(lèi)型的半導(dǎo)體晶片，例如存儲(chǔ)器芯片。在此實(shí)施方式中，兩個(gè)晶片54、55中的一個(gè)層疊在另一個(gè)的頂部上。第二襯底52在其底面62上具有底部連接區(qū)域60，該底部連接區(qū)域60通過(guò)例如焊料球的可熔元件64而與第一襯底34的接觸區(qū)域48電耦合且機(jī)械耦合。在可選實(shí)施方式中，接觸可以從第二襯底52處延伸以耦合到第一襯底34，而不是可熔元件。第二半導(dǎo)體晶片54、55通過(guò)可熔元件46、64和兩個(gè)襯底34、52而與印刷電路板16耦合。這種類(lèi)型的堆疊封裝配置在印刷電路板16上占據(jù)較小的占地面積，并因此使得減小設(shè)備10的尺寸大小。
散熱器58包括熱傳遞構(gòu)件，并且可以包括任何適當(dāng)?shù)牟牧匣虿牧辖M合，例如鋁、銅、硅等。參考圖5，在此實(shí)施方式中，散熱器58包括平坦的大體上的“I”形狀。然而，在可選實(shí)施方式中，任何適當(dāng)?shù)男螤疃伎梢员惶峁?，例如正方形或矩形。散熱?8通過(guò)熱傳導(dǎo)附接層68被附接到頂部第二晶片55的頂面66。層68可以包括例如熱傳導(dǎo)的粘合劑、膠帶或膠水。在可選實(shí)施方式中，只要能建立將熱量從晶片55傳導(dǎo)到散熱器58的熱通路，可以提供散熱器58與晶片55的任意適當(dāng)?shù)倪B接。在可選實(shí)施方式中，散熱器58可以包括多個(gè)構(gòu)件。另外或可選地，例如如果兩個(gè)晶片都具有其自己的散熱器，則散熱器可以被附接在較下面的晶片54上。
在所示實(shí)施方式中，除了散熱器58與頂部晶片55的連接處之外，散熱器58完全被第二密封材料56所包圍。散熱器58可以包括空洞，密封材料被注模到該空洞中用以將兩個(gè)構(gòu)件附接在一起。如果散熱器58被接地，則散熱器58還可以起到EMI屏蔽的作用。在可選實(shí)施方式中，散熱器的一部分可以從第二密封材料56中暴露出來(lái)，用于將熱量傳遞到周?chē)目諝饣蛘呱崞?未示出)。
如圖3中的箭頭70所示，來(lái)自頂部晶片55的熱量可以被傳遞給散熱器58。如箭頭72所示，散熱器58可以通過(guò)密封材料56將熱量向可熔元件64處傳遞。這使得熱量經(jīng)過(guò)第一襯底34和可熔元件46被傳遞給PCB16，并可以從組件的晶片處被傳遞走。這降低了晶片54、55的溫度。
本發(fā)明包括將散熱器置于組件26內(nèi)部的至少一個(gè)晶片的頂部上，類(lèi)似于晶片層疊中將晶片層疊到相互頂部的方式。散熱器可以完全處于封裝之內(nèi)，或者可以例如部分延伸到封裝之外或是在邊緣處暴露。散熱器的至少一個(gè)部分延伸越過(guò)(past)與該散熱器附接的晶片的外圍邊緣。在圖5中，散熱器具有兩個(gè)裙邊(skirt)部分59，其延伸越過(guò)晶片55的兩個(gè)相對(duì)端59。
散熱器可以是具有足夠熱傳導(dǎo)值的任意材料。散熱器通過(guò)熱傳導(dǎo)的膠水/其它粘合劑而被附接到晶片表面，并且散熱器可以是任何形狀，只要其面積優(yōu)選地盡可能大。散熱器還可以這樣成形以使其在外部邊緣上彎曲，用以將熱量更為有效地傳導(dǎo)給部件襯底/焊料球。散熱器通過(guò)將熱量擴(kuò)散到較寬的區(qū)域并引導(dǎo)熱量使其通過(guò)部件襯底/焊料球向下傳導(dǎo)到PCB16來(lái)降低晶片的溫度。散熱器還能夠在可能的局部熱點(diǎn)的情況下均衡晶片上的溫度，并降低溫度峰值。
散熱器方法在堆疊封裝部件中的存儲(chǔ)器模塊中尤其有益，其中具有低最大允許溫度的存儲(chǔ)器晶片被置于例如處理器部件之類(lèi)的熱量產(chǎn)生部件的頂部。在一種實(shí)施方式中，散熱器被置于存儲(chǔ)器部件內(nèi)部的頂部晶片的頂部，在此實(shí)施方式中是置于部分32的頂部，其有效地降低了結(jié)溫，例如半導(dǎo)體晶片頂部的pn結(jié)的結(jié)溫。在一種使用示例中，晶片的溫度可以從100℃降低到94℃。對(duì)于使用0.97W功率的ASIC封裝和使用0.23W功率的存儲(chǔ)器封裝(總共約1.2W)而言，散熱器的使用可以使存儲(chǔ)器晶片的結(jié)溫降低大約5攝氏度。這可以使結(jié)溫降低到例如85℃的臨界限之下。這在例如EM ASIC之類(lèi)的晶片上具有局部熱點(diǎn)的部件中也是有益的。散熱器也可以在晶片上具有局部熱點(diǎn)的獨(dú)立部件中使用(而不是在堆疊封裝組件中)。
部件中的散熱器降低了溫度，提供較好的散熱。這無(wú)需較厚或較大的部件，因?yàn)樯崞鞯暮穸瓤梢韵喈?dāng)小，舉例來(lái)說(shuō)，例如只有大約0.1毫米，并且散熱器可以容易地安裝到部件內(nèi)部。從部件制造的角度看，通過(guò)僅使用與層疊晶片時(shí)相同的附接技術(shù)，至少對(duì)于平坦形狀的散熱器，該技術(shù)是相當(dāng)容易實(shí)現(xiàn)的。散熱器的形狀可以成形為使得它允許頂部晶片55從邊緣處的彎曲；也就如同晶片被層疊到相互頂部的情形一樣。散熱器可以成形為使得散熱器下面的晶片54、55可以從側(cè)面被引線(xiàn)鍵合。
散熱器可以在任意適當(dāng)類(lèi)型的堆疊封裝部件中使用，例如在電話(huà)產(chǎn)品的存儲(chǔ)器部件中或者在其它具有結(jié)溫可能過(guò)高的風(fēng)險(xiǎn)的部件中使用。過(guò)去，存儲(chǔ)器晶片的熱學(xué)問(wèn)題已經(jīng)不是問(wèn)題。然而，當(dāng)存儲(chǔ)器晶片被封裝到新形式的堆疊封裝組件中時(shí)，新的問(wèn)題就產(chǎn)生了。只有現(xiàn)在，當(dāng)堆疊封裝模塊已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入使用時(shí)，這個(gè)問(wèn)題才會(huì)出現(xiàn)。本發(fā)明克服了之前沒(méi)有得以解決的堆疊封裝組件中存儲(chǔ)器晶片的溫度過(guò)高問(wèn)題。
現(xiàn)在參考圖6，示出了散熱器的可選設(shè)計(jì)。在此實(shí)施方式中，除了散熱器74的形狀之外，第二部分32’等同于第二部分32。散熱器74具有至少一個(gè)外部末端部分76，其朝向可熔元件64向下并向外延伸。散熱器具有至少一個(gè)邊緣部分，其越過(guò)第二半導(dǎo)體晶片55的頂表面而朝向第二襯底延伸。這將末端部分76定位到更加靠近可熔元件64，以用于將熱量更快地傳遞給可熔元件。然而，在可選實(shí)施方式中，任意適當(dāng)?shù)男螤疃伎梢员惶峁?。在此?shí)施方式中，形成了散熱器74，使其更為有效地傳導(dǎo)將被襯底/焊料球傳送的熱量。
參考圖7，示出了另一個(gè)可選實(shí)施方式。在此實(shí)施方式中，散熱器78具有一般的平坦矩形形狀，其末端80延伸到第二密封材料56之外。參考圖8，示出了另一個(gè)可選實(shí)施方式。在此實(shí)施方式中，第二封裝82具有兩個(gè)散熱器58、74。第一散熱器58在兩個(gè)晶片54、55之間被附接到底部晶片54。第二散熱器74被附接到頂部晶片54。因此，兩個(gè)散熱器都通過(guò)可熔元件64將來(lái)自各自存儲(chǔ)器晶片54、55的熱量傳遞給第一封裝30。
通過(guò)本發(fā)明，可以提供了一種組裝電子模塊組件的方法，該方法包括提供第一子組件，其包含第一襯底以及安裝到第一襯底的頂表面的第一半導(dǎo)體晶片，其中第一襯底的底面適于可操作地安裝在電子構(gòu)件上；提供第二子組件，其包括第二襯底，安裝到第二襯底并位于第二襯底頂表面之上的至少一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片，以及與至少一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片熱耦合并位于第二半導(dǎo)體晶片頂表面之上的散熱器；以及通過(guò)在第二襯底的底面和第一襯底的頂表面之間延伸的導(dǎo)體連接第二襯底與第一襯底。散熱器和導(dǎo)體適于將熱量從散熱器到導(dǎo)體地從第二半導(dǎo)體晶片處傳遞走。組件在其與印刷電路板16連接之前被制造。因此，組件可以作為單一單元與PCB16一步附接。
通過(guò)本發(fā)明，可以提供一種將熱量從電子模塊組件中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)晶片處傳遞走的方法，該方法包括在半導(dǎo)體晶片頂部上提供散熱器；將熱量從半導(dǎo)體晶片處傳遞到散熱器；通過(guò)至少部分地包圍散熱器的半導(dǎo)體晶片密封材料，將熱量從散熱器處傳遞到與半導(dǎo)體晶片電連接的電導(dǎo)體；將熱量從電導(dǎo)體傳遞到電子模塊組件的第一電子模塊子組件的第一襯底；以及將熱量從第一電子模塊子組件傳遞到第一電子模塊子組件安裝在其上的電子構(gòu)件。
應(yīng)當(dāng)理解，上述描述只是本發(fā)明的說(shuō)明性描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的前提下可以進(jìn)行各種替換和改造。相應(yīng)地，本發(fā)明意在涵蓋所附權(quán)利要求范圍之內(nèi)的所有這些替換、改造以及變化。
權(quán)利要求
1.一種電子模塊組件，包括
第一襯底；
安裝到所述第一襯底的頂表面的第一半導(dǎo)體晶片；
位于所述第一半導(dǎo)體晶片之上并且與所述第一襯底的所述頂表面電連接且機(jī)械連接的第二襯底；
安裝到所述第二襯底的頂表面的第二半導(dǎo)體晶片；
位于所述第二半導(dǎo)體晶片之上并且與所述第二半導(dǎo)體晶片熱耦合的散熱器；以及
至少部分地包圍所述第二半導(dǎo)體晶片和所述散熱器的密封材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器通過(guò)熱傳導(dǎo)的粘合劑而被直接安裝到所述第二半導(dǎo)體晶片的頂表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器包括選自鋁、銅和硅的組中的至少一種材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器基本上是平坦的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器具有大體上的I形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器具有大體上的矩形形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器延伸到所述密封材料之外。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述第二半導(dǎo)體晶片包括層疊布置的多個(gè)半導(dǎo)體晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器至少部分地位于所述第二半導(dǎo)體晶片的兩個(gè)晶片之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述第二襯底的底面通過(guò)可熔元件而與所述第一襯底的所述頂表面機(jī)械連接且電連接，其中所述可熔元件形成到所述第二半導(dǎo)體晶片的電導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器具有至少一個(gè)越過(guò)所述第二半導(dǎo)體晶片的頂表面向所述第二襯底延伸的邊緣部分。
12.一種電子模塊組件，包括
第一部分，其包括第一襯底和與所述第一襯底電耦合且機(jī)械耦合的第一半導(dǎo)體晶片；以及
第二部分，其包括第二襯底、與所述第二襯底電耦合且機(jī)械耦合的第二半導(dǎo)體晶片、與所述第二半導(dǎo)體晶片機(jī)械耦合且熱耦合的散熱器以及至少部分地包圍所述第二半導(dǎo)體晶片和所述散熱器的密封材料，
其中，通過(guò)所述襯底之間直接延伸的導(dǎo)體，所述第二襯底與所述第一襯底電耦合，以形成適于安裝到具有單一組件的電子構(gòu)件上的所述電子模塊組件，并且其中，所述電子模塊組件適于將來(lái)自所述第二半導(dǎo)體晶片的熱量傳遞給散熱器，并通過(guò)所述導(dǎo)體和所述第一襯底傳遞給所述電子構(gòu)件。
13.一種便攜式電子通信設(shè)備，包括
天線(xiàn)；
電子電路，其包括與所述天線(xiàn)耦合的收發(fā)器，以及根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子模塊組件；以及
與所述電子電路耦合的顯示器。
14.一種印刷電路板，包括
印刷電路板襯底，其包括散熱層；以及
根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子模塊組件，其具有通過(guò)可熔元件與所述印刷電路板襯底的頂表面連接的所述第一襯底的導(dǎo)體。
15.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器通過(guò)熱傳導(dǎo)層被直接安裝到所述第二半導(dǎo)體晶片的頂表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器包括選自鋁、銅和硅的組中的至少一種材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器基本上是平坦的。
18.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器具有至少一個(gè)越過(guò)所述第二半導(dǎo)體晶片的頂表面向所述第二襯底延伸的邊緣部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器延伸到所述密封材料之外。
20.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述部分包括層疊布置的多個(gè)所述第二半導(dǎo)體晶片。
21.根據(jù)權(quán)利要求20中所述的電子模塊組件，其中，所述散熱器至少部分地位于所述第二半導(dǎo)體晶片的兩個(gè)晶片之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求20中所述的電子模塊組件，其中，所述第二部分包括多個(gè)所述散熱器，并且其中，每個(gè)散熱器附接在所述第二半導(dǎo)體晶片中的各自所關(guān)聯(lián)的一個(gè)晶片上。
23.根據(jù)權(quán)利要求12中所述的電子模塊組件，其中，所述導(dǎo)體包括可熔元件。
24.一種組裝電子模塊組件的方法，包括
提供第一子組件，其包含第一襯底和安裝到所述第一襯底的頂表面的第一半導(dǎo)體晶片，其中所述第一襯底的底面適于可操作地安裝在電子構(gòu)件上；
提供第二子組件，其包括第二襯底、安裝到所述第二襯底上的位于所述第二襯底的頂表面之上的至少一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片、以及與所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體晶片熱耦合的位于所述第二半導(dǎo)體晶片的頂表面之上的散熱器；以及
通過(guò)在所述第二襯底的底部和所述第一襯底的頂表面之間延伸的導(dǎo)體連接所述第二襯底和所述第一襯底，
其中，所述散熱器和所述導(dǎo)體適于從所述散熱器到所述導(dǎo)體地將熱量從所述第二半導(dǎo)體晶片上傳遞走。
25.一種將熱量從電子模塊組件中的半導(dǎo)體晶片處傳遞走的方法，包括
在所述半導(dǎo)體晶片頂部提供散熱器；
將熱量從所述半導(dǎo)體晶片傳遞給所述散熱器；
通過(guò)至少部分地包圍所述散熱器的半導(dǎo)體晶片密封材料，將熱量從所述散熱器傳遞到與所述半導(dǎo)體晶片電連接的電導(dǎo)體；
將熱量從所述電導(dǎo)體傳遞到所述電子模塊組件的第一電子模塊子組件的第一襯底；以及
將熱量從所述第一電子模塊子組件傳遞到所述第一電子模塊子組件安裝在其上的電子構(gòu)件。
全文摘要
一種電子模塊組件，包括第一襯底；安裝到第一襯底的頂表面的第一半導(dǎo)體晶片；位于第一半導(dǎo)體晶片之上并與第一襯底的頂表面電連接且機(jī)械連接的第二襯底；安裝到第二襯底的頂表面的第二半導(dǎo)體晶片；位于第二半導(dǎo)體晶片之上并與第二半導(dǎo)體晶片熱耦合的散熱器；以及至少部分地包圍第二半導(dǎo)體晶片和散熱器的密封材料。
文檔編號(hào)H01L23/433GK101228627SQ200680027243
公開(kāi)日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2006年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月20日
發(fā)明者A-M·厄納爾, V·T·基伊基南, J·T·尼爾米南 申請(qǐng)人:諾基亞公司