專利名稱：自發(fā)光面板和自發(fā)光面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及自發(fā)光面板和自發(fā)光面板的制造方法。
背景技術(shù)：
例如，在各種信息設(shè)備的顯示器或燈等的照明等中使用的自發(fā)光面板中，一般由多個像素形成，通過針對各像素進行顯示驅(qū)動或非顯示驅(qū)動，顯示所期望的信息。公知有對于形成該自發(fā)光面板的像素采用自發(fā)光元件的自發(fā)光面板。
作為自發(fā)光元件，公知有無機EL元件、有機EL元件、FED元件、發(fā)光二極管等，作為其代表，公知有有機EL(電致發(fā)光)元件。有機EL元件例如還被稱為有機EL(OELOrganic electroluminescence)器件、有機發(fā)光二極管(OLEDorganic Light Emitting Diode)器件、自發(fā)光元件以及電致發(fā)光光源。
在有機EL元件中，假設(shè)大氣中所含有的水分等為導(dǎo)致有機EL元件劣化的劣化因素。有將有機EL元件與大氣隔離開、來防止由于這樣的劣化因素導(dǎo)致的有機EL元件的劣化的密封方法。密封方法中有各種技術(shù)，其中之一為氣密密封法。該方法是在設(shè)有有機EL元件的基板上相對地設(shè)置密封部件，以在與該基板之間形成將有機EL元件與大氣隔離開的密封區(qū)域(例如，參照下述專利文獻1。)。通過氣密密封法，可以簡單且低成本地制造使用了有機EL元件的自發(fā)光面板。
圖12是表示現(xiàn)有的自發(fā)光面板的一例的縱剖視圖。如圖12所示，現(xiàn)有的自發(fā)光面板1200具有基板1204，其設(shè)有多個在電極對1201之間具有發(fā)光層1202的自發(fā)光元件1203；以及密封部件1206，其與該基板1204相對配置，以在與基板1204之間形成將自發(fā)光元件1203與大氣隔離開的密封區(qū)域1205。
基板1204上設(shè)有絕緣膜1207，通過該絕緣膜1207針對各自發(fā)光元件1203將電極對1201中的一個電極1201a和發(fā)光層1202絕緣。通過粘合劑1208將基板1204和密封部件1206粘合。由此，防止劣化因素進入密封區(qū)域1205內(nèi)。
專利文獻1日本特開2000-21567號公報但是，例如，在上述的專利文獻1所記載的技術(shù)中，當(dāng)使用有機EL元件作為自發(fā)光元件1203時，即使通過粘合劑1208將基板1204和密封部件1206粘合，也因大氣中所含有的水分傳到粘合劑1208內(nèi)、基板1204或絕緣膜1207上而導(dǎo)致有機EL元件劣化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是以解決這樣的問題為課題的一例。即，本發(fā)明的目的在于，防止劣化因素向自發(fā)光面板中的自發(fā)光元件的傳遞、防止自發(fā)光面板的顯示質(zhì)量的劣化等。
為了解決上述課題、達成目的，本發(fā)明的技術(shù)方案1的自發(fā)光面板，將在電極對之間至少夾有發(fā)光層的自發(fā)光元件作為一個像素、具有一個或多個該自發(fā)光元件，其特征在于，具有基板，其設(shè)有自發(fā)光元件；絕緣膜，其設(shè)置在所述基板上，針對每個所述自發(fā)光元件將所述電極對中的至少一個電極和所述發(fā)光層絕緣；密封部件，其與所述基板相對配置，用于在與該基板之間形成將所述自發(fā)光元件與大氣隔離開的密封區(qū)域；以及切槽，其被設(shè)置在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件的外側(cè)，沿所述基板和所述密封部件的相對方向分隔所述絕緣膜。
并且，本發(fā)明的技術(shù)方案2的自發(fā)光面板的制造方法，制造將在電極對之間至少夾有發(fā)光層的自發(fā)光元件作為一個像素、具有一個或多個該自發(fā)光元件的自發(fā)光面板，其特征在于，包括自發(fā)光元件形成步驟，在基板上形成自發(fā)光元件；絕緣膜形成步驟，在所述自發(fā)光元件形成步驟中，形成針對每個所述自發(fā)光元件、將所述電極對中的至少一個電極和所述發(fā)光層絕緣的絕緣膜；切槽形成步驟，在通過所述絕緣膜形成步驟形成的絕緣膜中、在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件的外側(cè)，形成沿所述絕緣膜的厚度方向分隔該絕緣膜的切槽；以及密封區(qū)域形成步驟，與所述基板相對地配置密封部件，該密封部件在與所述基板之間形成將所述自發(fā)光元件與大氣隔離開的密封區(qū)域。


圖1是表示本實施方式中的自發(fā)光面板的平面圖。
圖2是表示自發(fā)光面板的縱剖視圖。
圖3是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。
圖4是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。
圖5是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。
圖6是表示電極材料成膜步驟的縱剖視圖。
圖7-1是表示金屬導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的俯視圖。
圖7-2是表示金屬導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的縱剖視圖。
圖8-1是表示透明導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的俯視圖。
圖8-2是表示透明導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的縱剖視圖。
圖9-1是表示絕緣膜形成步驟的俯視圖。
圖9-2是表示絕緣膜形成步驟的縱剖視圖。
圖10是表示成膜步驟所使用的蒸鍍裝置的圖。
圖11-1是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。
圖11-2是表示TFT形成步驟的縱剖視圖。
圖11-3是表示下部電極形成步驟的縱剖視圖。
圖11-4是表示絕緣膜形成步驟的縱剖視圖。
圖12是表示現(xiàn)有的自發(fā)光面板的一例的縱剖視圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的自發(fā)光面板和自發(fā)光面板的制造方法的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。
(自發(fā)光面板的概略結(jié)構(gòu))
圖1是表示本實施方式的自發(fā)光面板的平面圖。本實施方式中的自發(fā)光面板100具有設(shè)置在基板101上的多個自發(fā)光元件102。該自發(fā)光面板100是將一個自發(fā)光元件102作為一個像素的顯示器的示例。通過有機EL元件來實現(xiàn)本實施方式的自發(fā)光元件102。
有機EL元件是層疊了多個具有各種功能的層的結(jié)構(gòu)。特別是，雖然省略圖示，但作為有機EL元件中的各層的層疊結(jié)構(gòu)，一般為以“下部電極(陽極)/空穴注入層/空穴輸送層/有機EL發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/上部電極(陰極)”的順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)，無論是這樣的層疊結(jié)構(gòu)還是單層結(jié)構(gòu)均可。
有機EL元件中的各層均可以由低分子有機材料或高分子有機材料的單一的有機材料形成、也可以通過將多種材料混合而形成(混合層)、也可以在高分子粘合劑中分散有機類或無機類的功能材料來形成。并且，作為功能材料，可列舉出電子輸送功能、發(fā)光功能、電子阻擋功能、光學(xué)功能等。
并且，在有機EL元件的各層中，也可以包括具有緩沖功能或平坦化功能的層，該緩沖功能用于在通過濺射法在發(fā)光層的上側(cè)形成電極時使發(fā)光層不受損害，該平坦化功能用于防止由于發(fā)光層的成膜工藝而產(chǎn)生的發(fā)光層表面的凹凸。
而且，有機EL元件也可以是將位于發(fā)光層上側(cè)的電極作為陽極、將位于發(fā)光層下側(cè)的電極作為陰極的有機EL元件；由多個層構(gòu)成發(fā)光層的有機EL元件；層疊發(fā)光色不同的多個發(fā)光層的有機EL元件；在陰極和陽極之間隔著未圖示的電子發(fā)生層的有機EL元件(多光子元件)；省略或多層層疊空穴輸送層等的有機EL元件；形成僅為有機層一層的元件結(jié)構(gòu)的有機EL元件(連續(xù)地形成各功能層、沒有層邊界)等。并且，本實施方式并不對有機EL元件的結(jié)構(gòu)進行限定。
關(guān)于自發(fā)光元件102，可以將所有的自發(fā)光元件102作為自發(fā)光面板100的顯示元件，也可以將部分的自發(fā)光元件102作為所謂的監(jiān)視元件。顯示元件是指自發(fā)光面板100所表示的文字或符號、圖像、影像等的信息顯示、或照明、各種室內(nèi)裝飾等的顯示所使用的自發(fā)光元件102。監(jiān)視元件是指不用于上述顯示的自發(fā)光元件102。更詳細地說，監(jiān)視元件用于獲得例如與自發(fā)光元件102的驅(qū)動有關(guān)的參數(shù)。
在驅(qū)動作為顯示元件的自發(fā)光元件102時，從作為監(jiān)視元件的自發(fā)光元件102獲得的參數(shù)被反饋給各顯示元件。作為與作為顯示元件的自發(fā)光元件102的驅(qū)動有關(guān)的參數(shù)，例如，可列舉出驅(qū)動電壓、電流、亮度等。作為監(jiān)視元件，利用在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件。
自發(fā)光元件102分別通過絕緣膜103來絕緣。在圖2所示的下部電極201之間和下部電極201上層疊絕緣膜103，在下部電極201上形成開口部。在由絕緣膜103劃分形成的開口部內(nèi)形成自發(fā)光元件102。絕緣膜103被設(shè)置成覆蓋自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)的整個區(qū)域和該排列面的外周部分。在該絕緣膜103上設(shè)有作為狹縫或槽的切槽104，在本發(fā)明的實施方式中定義為“切槽”。詳細內(nèi)容將在后面敘述，本實施方式中的切槽104被連續(xù)地設(shè)置成將自發(fā)光元件102的排列面的外周圍住。作為絕緣膜103的材料，利用聚酰亞胺、亞克力、SiO2等來形成。本實施方式的說明中，將切槽形成為中空，但也可以填充使劣化因素的傳遞變遲的材料，例如ITO等。
在基板101上，圍著絕緣膜103的外側(cè)，確保涂布了將密封材料(圖2的206)和基板101粘合的粘合劑(圖2的207)的粘合區(qū)域105。雖然在圖1中省略圖示，但密封部件與基板101相對配置，在與該基板101之間形成將自發(fā)光元件102與大氣隔離開的密封區(qū)域(圖2的208)。
圖1中的a、b、c、d分別表示在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102到粘合區(qū)域105的距離。并且，圖1中，符號I、II、III、IV、V、i、ii、iii、iv是為了便于表示自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)的各自發(fā)光元件102的位置而附加的符號。圖1中的符號S1、S2、S3、S4也同樣是，為了便于表示自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)的各切槽104的位置而附加的符號。
圖2是表示自發(fā)光面板100的縱剖視圖。圖2示出了沿A-A線切開圖1所示的自發(fā)光面板100，并從側(cè)方看到的狀態(tài)。如圖2所示，在自發(fā)光面板100中，在基板101的一面?zhèn)仍O(shè)置有多個自發(fā)光元件102。如上所述，沒有特別限定作為自發(fā)光元件102的有機EL元件的結(jié)構(gòu)，但在圖2中，作為自發(fā)光元件102示出了具有下述部分的有機EL元件具有漏極202的薄膜晶體管(Thin Film Transisor以下，簡稱為TFT)203和下部電極201、有機層204、以及上部電極205。直接或隔著其它導(dǎo)電材料連接漏極202和下部電極201，通過TFT 203控制自發(fā)光元件102的開/關(guān)。
在本實施方式中，上部電極205對所有的自發(fā)光元件102為共同的，其被設(shè)置成以單一的電極層覆蓋所有的自發(fā)光元件102。通過下部電極201和上部電極205來實現(xiàn)電極對。雖未圖示，但也可以采用利用分隔壁等將上部電極205劃分并分割的結(jié)構(gòu)。
下部電極201與電源的陽極側(cè)連接，向?qū)?yīng)的有機層204施加正電壓，相反，上部電極205接地。通過從TFT 203的漏極202連接出來的下部電極201，向自發(fā)光元件102提供電流。
在根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板100中，示出了作為用于對自發(fā)光元件102進行有源驅(qū)動的驅(qū)動元件的一例，但可以根據(jù)自發(fā)光面板100的利用形式來分別設(shè)計選擇TFT 203的數(shù)量及電路結(jié)構(gòu)、恒壓驅(qū)動及恒流驅(qū)動等的驅(qū)動方法。另外，因為是公知的技術(shù)，所以省略對TFT 203的結(jié)構(gòu)等的詳細說明。
在有機EL元件中，例如通過在下部電極201和上部電極205之間層疊空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層等各有機層來實現(xiàn)了有機層204。有機層也可以是單層，所使用的材料也可以是高分子材料或低分子材料。
而且，也可以在高分子材料中分散低分子材料或無機材料來形成。作為形成發(fā)光層的發(fā)光材料，可以根據(jù)自發(fā)光面板100的利用形式分別設(shè)計選擇利用從單重激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時的發(fā)光(熒光)的熒光材料、或利用從三重激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時的發(fā)光(磷光)的磷光材料等。另外，因為是公知的技術(shù)，所以省略對有機EL元件的結(jié)構(gòu)等的詳細說明。
密封部件206被設(shè)置于基板101上的設(shè)有自發(fā)光元件102的一側(cè)。密封部件206具有一方被開口的容器形狀，其被設(shè)置成覆蓋所有的自發(fā)光元件102。密封部件206通過粘合劑207與基板101粘合。通過基板101、密封部件206和粘合劑207形成了密封區(qū)域208。在密封部件206上與自發(fā)光元件102相對的位置上設(shè)置有干燥劑209。
切槽104被設(shè)置在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a的外側(cè)。本實施方式中的切槽104被設(shè)置成在基板101和密封部件206的相對方向(圖2中箭頭X方向)上沿該相對方向貫通絕緣膜103。
切槽104不限于單一的切槽104，也可以在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向設(shè)置多個。在該情況下，切槽104的數(shù)量為幾個都可以。但是，考慮到越增加切槽104的數(shù)量則絕緣膜103對于基板的粘合力越下降的情況，所以優(yōu)選為使最外側(cè)的絕緣膜103對于基板101的粘合力滿足所要求的粘合力的程度。
但是，由圖1可知，作為在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件(圖2中的102a)，相應(yīng)的有多個。因此，即使是在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a，也根據(jù)自發(fā)光元件102的排列圖形，距粘合區(qū)域105的距離不同。特別地，雖省略圖示，但在這樣的情況下，也可將切槽104設(shè)置于在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)、距基板101和密封部件206的粘合位置、即粘合區(qū)域105的距離最短的位置上所設(shè)置的自發(fā)光元件102a的外側(cè)。
例如，在如圖1所示的、在距粘合區(qū)域105的距離a、b、c、d的關(guān)系為a＜b＜c＜d的情況下，排列在I表示的列上的自發(fā)光元件102為設(shè)置于在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)距粘合區(qū)域105的距離最短的位置上的自發(fā)光元件102a，設(shè)置符號S1所示的切槽104。
并且，也可以將切槽104設(shè)置于在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a之中、設(shè)置于距粘合區(qū)域105的距離比預(yù)定距離短的位置上的自發(fā)光元件102a的外側(cè)?？梢酝ㄟ^實驗等預(yù)先掌握容易受到劣化因素所致的影響的距離，從而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定該預(yù)定距離。
例如，在如圖1所示的距粘合區(qū)域105的距離a、b、c、d與預(yù)定距離r關(guān)系為a＜b＜c＜r＜d的情況下，排列在I、i、iv所示的列上的自發(fā)光元件102為設(shè)置于距粘合區(qū)域105的距離比預(yù)定距離短的位置上的自發(fā)光元件102a，設(shè)置符號S1、S2、S4所示的切槽104。
圖3是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。在圖3所示的自發(fā)光面板300中，被設(shè)置于絕緣膜103上的切槽301的形狀和上述圖1和圖2所示的自發(fā)光面板100不同。圖3所示的自發(fā)光面板300中的切槽301被設(shè)置成在基板101和密封部件206的相對方向上、將絕緣膜103分隔到中途。并且，在另一種實施方式中的自發(fā)光面板300中，與圖1和圖2所示的自發(fā)光面板100相同的部分使用相同符號來表示，也省略說明。以下也一樣。
圖4是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。在圖4所示的自發(fā)光面板400中，在基板101和密封部件206的相對方向上設(shè)置有第一切槽401和第二切槽402兩種切槽，該第一切槽401被設(shè)置成沿該相對方向貫通絕緣膜103，該第二切槽402被設(shè)置成將絕緣膜103分隔到中途。第二切槽402被設(shè)置于在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向比第一切槽401更靠外側(cè)的位置上。
圖5是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。在圖5所示的自發(fā)光面板500中，在基板101和密封部件206的相對方向上設(shè)置有第一切槽501和第二切槽502兩種切槽，該第一切槽501被設(shè)置成將絕緣膜103分隔到中途，該第二切槽502被設(shè)置成沿該相對方向貫通絕緣膜103。第二切槽502被設(shè)置于在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向比第一切槽501更靠外側(cè)的位置上。
并且，在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向設(shè)置多個切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情況下，可以為所有的切槽的形狀相同，也可以為各切槽的形狀分別不同。在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向設(shè)置多個切槽的情況下，優(yōu)選至少有一個切槽在基板101和密封部件206的相對方向上、沿該相對方向貫通絕緣膜103。
監(jiān)視元件用于獲取與自發(fā)光元件102的驅(qū)動有關(guān)的參數(shù)，所以如果監(jiān)視元件劣化，則會導(dǎo)致自發(fā)光面板的顯示缺陷。在本實施方式中的自發(fā)光面板100、300、400、500中，可以通過防止監(jiān)視元件的劣化，來防止自發(fā)光面板100、300、400、500的顯示質(zhì)量的劣化。
(自發(fā)光面板的制造方法1)下面，對使用了本實施方式中的自發(fā)光面板100(也可以是自發(fā)光面板300、自發(fā)光面板400、或自發(fā)光面板500)的制造方法1的無源驅(qū)動型的自發(fā)光面板100的制造工藝的一例進行說明。自發(fā)光面板100的制造工藝由前處理步驟、使用蒸鍍裝置(參照圖10)的成膜步驟、以及使用密封部件206的密封步驟構(gòu)成。前處理步驟包括電極材料成膜步驟、金屬導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟、透明導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟以及絕緣膜形成步驟(參照圖6～圖9)。
圖6是表示電極材料成膜步驟的縱剖視圖。在圖6中示出了形成透明導(dǎo)電膜或金屬導(dǎo)電膜等的電極材料的膜的步驟。在電極材料成膜步驟中，首先，準備以緩沖層601、透明導(dǎo)電膜602、金屬導(dǎo)電膜603的順序形成了膜的基板101?；?01一般使用玻璃或者塑料。緩沖層601一般使用SiO2(二氧化硅)、TiO2(氧化鈦)等。透明導(dǎo)電膜602一般使用ITO(銦-錫氧化物)、IZO(銦-鋅氧化物)等。金屬導(dǎo)電膜603一般使用Cr(鉻)、Al(鋁)、Ag(銀)的金屬或其合金等。這些緩沖層601、透明導(dǎo)電膜602、金屬導(dǎo)電膜603采用濺射、蒸鍍、旋涂、浸涂、涂布等方法來成膜。
作為最佳例，可以列舉出基板101使用玻璃、透明導(dǎo)電膜602使用ITO、金屬導(dǎo)電膜603使用Al的形成例。并且，緩沖層601的用途為在基板101使用了具有堿性成分的玻璃時、玻璃中含有雜質(zhì)元素(堿金屬、Ca、Na等)的情況下、隔離該雜質(zhì)元素的浸透。在基板101中沒有堿性成分的情況下，也可以沒有該緩沖層601。
圖7-1是表示金屬導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的俯視圖。圖7-2是表示金屬導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的縱剖視圖。在圖7-2中示出了沿圖7-1的B-B線切開、從側(cè)方看到的狀態(tài)。在電極材料成膜步驟中，在基板101上形成的緩沖層601、透明導(dǎo)電膜602、金屬導(dǎo)電膜603之中、最上面的金屬導(dǎo)電膜603上，通過光刻法對下部電極和上部電極的引出配線進行構(gòu)圖，形成引出配線圖形的金屬導(dǎo)電膜部分703。
在圖7-1中示出了從上面看到的引出配線圖形的金屬導(dǎo)電膜部分703構(gòu)圖后的基板101的狀態(tài)。如圖7-1和圖7-2所示，基板101的除去了最上面的金屬導(dǎo)電膜603的部分處于露出透明導(dǎo)電膜602的狀態(tài)。
圖8-1是表示透明導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的俯視圖。圖8-2是表示透明導(dǎo)電膜的構(gòu)圖步驟的縱剖視圖。在圖8-2中示出了沿圖8-1中的C-C線切開、從側(cè)方看到的狀態(tài)。在第三步驟中對在第二步驟中基板101上所露出的透明導(dǎo)電膜602實施構(gòu)圖。通過構(gòu)圖，在透明導(dǎo)電膜602的露出部分中，除了圖8-1所示的網(wǎng)格部分801(下部電極形成部分)和引出配線圖形的透明導(dǎo)電膜部分802(引出配線圖形的金屬導(dǎo)電膜部分703的透明導(dǎo)電膜602)以外，全部被除去。在圖8-1和圖8-2中示出了構(gòu)圖后的基板101的狀態(tài)。
下部電極201由網(wǎng)格部分801形成，引出配線803由引出配線圖形的金屬導(dǎo)電膜部分703和引出配線圖形的透明導(dǎo)電膜部分802形成。此時，也可以研磨網(wǎng)格部分801中的成為下部電極201的部分的表面，使下部電極201的表面平滑。而且，也可以使用低濃度的下部電極201的形成中使用的蝕刻劑(蝕刻液)對下部電極201的表面進行化學(xué)蝕刻，從而使下部電極201的表面平滑。
圖9-1是表示絕緣膜形成步驟的俯視圖。圖9-2是表示絕緣膜形成步驟的縱剖視圖。在圖9-1中示出了基板101構(gòu)圖后的從上面看到的狀態(tài)。在圖9-2中示出了沿圖9-1的D-D線切開、從側(cè)方看到的狀態(tài)。在絕緣膜形成步驟中，在下部電極201的線之間利用光刻法對感光性聚酰亞胺等的絕緣膜進行構(gòu)圖。通過該絕緣膜形成步驟，形成了針對各自發(fā)光元件102將電極對中的至少一個電極(在本實施方式中為下部電極201)和發(fā)光層(在本實施方式中包含在有機層204中)絕緣的絕緣膜。使用光刻法的構(gòu)圖為公知的技術(shù)，所以省略說明。
如圖9-1和圖9-2所示，在透明導(dǎo)電膜構(gòu)圖步驟中實施了構(gòu)圖的下部電極201之間形成了絕緣膜103。形成絕緣膜103之后，還可以形成用于對上部電極205進行構(gòu)圖的上部電極分隔壁901(上部電極隔板)。例如，也可以不使用上部電極分隔壁901，而在后述的通過蒸鍍裝置(參照圖10)進行成膜時，使用成膜用掩模(參照圖10)對上部電極205進行構(gòu)圖。形成了絕緣膜103之后，實施UV(紫外線)清洗步驟，以除去基板101的表面上的有機物、水分。上述的第一步驟～第四步驟是有機EL元件的制造工藝的前處理步驟。
接著，對通過絕緣膜形成步驟形成的絕緣膜103形成切槽104。此處，實現(xiàn)了切槽形成步驟。通過該切槽形成步驟，在基板101上的、在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a的外側(cè)，沿絕緣膜103的厚度方向形成分隔該絕緣膜103的切槽104。
在切槽形成步驟中，例如，也可以通過利用旋轉(zhuǎn)切割機等刀具切割絕緣膜103來形成切槽104，也可以通過激光切割絕緣膜103來形成切槽104。在切槽形成步驟中，例如，在利用刀具形成切槽104的情況下，在形成沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103完全分隔開的切槽104時，將絕緣膜切割至刀尖到達基板。
在切槽形成步驟中，例如，在利用刀具形成切槽的情況下、如圖3所示的在形成沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103分隔到中途的切槽301時，將絕緣膜103切割至刀尖就要到達基板之前。
在切槽形成步驟中，例如，如圖4或圖5所示的、在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)沿朝向外側(cè)的方向形成多個切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或第一切槽501和第二切槽502)時，重復(fù)多次相同的操作。而且，在切槽形成步驟中，在形成沿基板和密封部件的相對方向的深度分別不同的多個切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)時，根據(jù)所形成的切槽形狀，重復(fù)多次相同的操作。
并且，例如，也可以在使用光刻法進行絕緣膜103的構(gòu)圖時，通過調(diào)節(jié)對基板101上涂布的感光劑(光致抗蝕劑)進行曝光時使用的遮光部件(掩模)的圖形，在形成絕緣膜103的同時形成切槽104。在該情況下，與絕緣膜形成步驟同時實現(xiàn)了切槽形成步驟。
利用圖6～圖9的過程結(jié)束前處理步驟后，使用圖10中說明的蒸鍍裝置實施成膜步驟。圖10是表示在成膜步驟中使用的蒸鍍裝置的圖。蒸鍍裝置1000由連接有閥門1001的處理室(成膜室)1002構(gòu)成。在處理室1002內(nèi)設(shè)置有加熱單元1003、磁鐵單元1004、成膜用掩模1005、以及成膜監(jiān)視器1006。將通過上述的第一步驟～第四步驟形成的基板101運送到蒸鍍裝置1000內(nèi)，并安放在維持真空的處理室(成膜室)1002內(nèi)的成膜用掩模1005的上部。
利用磁鐵單元1004使基板101和成膜用掩模1005緊密貼合。成膜時的狀態(tài)為，在加熱單元1003上配置蒸鍍源1007，在蒸鍍源1007的上部設(shè)置由未圖示的掩?？蛑蔚某赡び醚谀?005。
然后，利用加熱單元1003對蒸鍍源1007進行加熱，通過使成膜材料1008升華或蒸發(fā)而成為氣態(tài)，并在基板101上蒸鍍已成氣態(tài)的成膜材料1008作為有機層204或上部電極205。在利用這樣的蒸鍍裝置1000來形成有機層204或上部電極205的膜的成膜步驟中，只要是有機EL元件可以使用的有機材料或電極材料，可應(yīng)用任意的材料。
如上所述，有機層204是以單一或復(fù)合的結(jié)構(gòu)層疊空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送等而形成的。在有機層204成膜時所使用的有機材料以CuPc、NPB、Alq3為首，可應(yīng)用的有很多。在呈現(xiàn)多種發(fā)光色的自發(fā)光面板中使用有機EL元件作為自發(fā)光元件102時，有機層204可以形成為使有機層204與各像素的顏色對應(yīng)的多種圖形。而且，在有機層204成膜時，也可以將空穴輸送層或電子輸送層等成膜為與發(fā)光色對應(yīng)的膜厚。通過以上說明的前處理步驟和成膜步驟，在基板101上形成多個自發(fā)光元件102。
然后，將經(jīng)過了采用圖10所示的蒸鍍裝置1000的成膜步驟后的基板101，從真空氣氛中運入實施了N2惰性氣體氣氛化的密封室(省略圖示)。也可以在將基搬101運入密封室之前，進行發(fā)光檢查，該發(fā)光檢查用于檢查所形成的自發(fā)光元件102是否具有所期望的發(fā)光亮度。
在利用圖10所示的蒸鍍裝置1000的成膜步驟結(jié)束后，實施密封步驟(未圖示)。與上述的自發(fā)光元件102的形成相獨立地，作成通過噴砂處理而在表面設(shè)有凹部的密封部件206。在該密封部件206中，在凹部內(nèi)設(shè)置了SrO、CaO、BaO等的干燥劑209。在將基板101運入密封室時，將該密封部件206也一起運入密封室內(nèi)。此時，也可以使用通過保護片將粉末狀的材料固定在密封部件206內(nèi)的形狀的干燥劑209，或加工成片狀的干燥劑209，或通過在密封部件206內(nèi)涂布形成液態(tài)的干燥材料之后使其固化來粘固的干燥劑209。
接著，在基板101上的與密封部件206的凸緣部相應(yīng)的位置上涂布粘合劑207。作為粘合劑207，例如，可以使用紫外線固化型環(huán)氧樹脂制的粘合劑。在涂布粘合劑207時，例如，也可以使用點膠機等來進行涂布。
通過粘合劑207將涂布了粘合劑207的基板101和密封部件206粘合起來。其后，從基板101側(cè)向粘合劑207照射紫外線。這樣，使粘合劑固化，并通過粘合劑207將基板101和密封部件206粘合起來。在本實施方式中，此處實現(xiàn)了密封步驟。通過該密封步驟，在與基板101之間形成將自發(fā)光元件102與大氣隔離開的密封區(qū)域208。
在密封步驟中，通過粘合劑207在密封部件206和基板101之間不出現(xiàn)間隙的情況下將密封部件206粘合在基板101上。這樣，通過使用粘合劑207將基板101和密封部件206粘合起來，可以完全地將密封區(qū)域208與大氣隔離開。其結(jié)果是，能夠獲得上述那樣的自發(fā)光面板100(有機EL面板)。在密封步驟中，除了本實施方式所說明的氣密密封之外，還可以使用固態(tài)密封或膜密封等的密封方法來對密封區(qū)域208進行密封。
如上說明，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板100，具有切槽104，該切槽104被設(shè)置于在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a的外側(cè)、并沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103分隔開，所以即使在大氣中含有的水分等的劣化因素傳入粘合劑207中而進入到密封區(qū)域208內(nèi)時，也可以通過切槽104來阻止該劣化因素傳入絕緣膜103中。
并且，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板100，將切槽104設(shè)置成沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103完全分隔的形狀，由此可以通過切槽104適當(dāng)?shù)刈钃趿踊蛩貍魅虢^緣膜103中。
根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板100，將切槽104設(shè)置成沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103分隔至中途的形狀，由此可以使劣化因素傳入絕緣膜103中的區(qū)域變窄、而不使絕緣膜103與基板101的粘合面積下降，從而通過切槽104阻止了劣化因素傳入絕緣膜103中。
并且，在本實施方式中的自發(fā)光面板100中，在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)沿朝向外側(cè)的方向設(shè)置多個切槽104的情況下，可以通過多個切槽104，高效地阻止劣化因素傳入絕緣膜103中。
此處，例如，如自發(fā)光面板400或500所示，在按照沿基板101和密封部件206的相對方向的深度分別不同的方式設(shè)置多個切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情況下，發(fā)揮各形狀的切槽所具有的多種效果，可以更高效地阻止劣化因素傳入絕緣膜103中。
并且，例如，在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)距粘合區(qū)域105的距離最短的位置上所設(shè)置的自發(fā)光元件102a的外側(cè)設(shè)置了切槽104的自發(fā)光面板的情況下，可以高效地防止最容易受到劣化因素的影響的自發(fā)光元件102的劣化。
此外，例如，在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a之中、距粘合區(qū)域105的距離比預(yù)定距離短的位置上所設(shè)置的自發(fā)光元件102a的外側(cè)設(shè)置了切槽104的自發(fā)光面板的情況下，可以高效地防止最容易受到劣化因素的影響的自發(fā)光元件102的劣化。
根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板100，通過利用有機EL元件來實現(xiàn)自發(fā)光元件102，可以防止容易受到大氣中所含水分等的影響的、使用了有機EL元件的自發(fā)光面板100的性能下降。
并且，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板100的制造方法，因為包括如下的切槽形成步驟在通過絕緣膜形成步驟形成的絕緣膜103中、在自發(fā)光元件102的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件102a的外側(cè)、形成沿絕緣膜103的厚度方向分隔該絕緣膜103的切槽104，所以可以與現(xiàn)有的自發(fā)光元件(參照圖12)的制造方法相比不進行顯著的步驟變化的情況下，形成具有上述切槽104的自發(fā)光面板100。
根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板的制造方法，無論是沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103完全分隔開的切槽(例如，切槽104、第一切槽401、第二切槽502)，還是沿基板101和密封部件206的相對方向?qū)⒔^緣膜103分隔到中途的切槽(例如，切槽301、第二切槽402、第一切槽501)，只要調(diào)節(jié)沿基板101和密封部件206的相對方向的切槽的深度即可，所以無需根據(jù)所形成的切槽的形狀大幅度地變更切槽形成步驟的內(nèi)容，即可形成具有上述切槽的自發(fā)光面板。
同樣地，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板的制造方法，在切槽形成步驟中，即使形成多個切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情況下，也無需根據(jù)所形成的切槽的數(shù)量大幅度地變更切槽形成步驟的內(nèi)容，即可形成具有上述切槽的自發(fā)光面板。
鑒于上述方面，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板的制造方法，在切槽形成步驟中，即使形成沿基板101和密封部件206的相對方向的深度分別不同的多個切槽(例如，第一切槽401和第二切槽402、或者第一切槽501和第二切槽502)的情況下，也無需根據(jù)所形成的切槽的形狀或數(shù)量大幅度地變更切槽形成步驟的內(nèi)容，即可形成具有上述切槽的自發(fā)光面板。
根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板的制造方法，在切槽形成步驟中，無論是在距基板101和密封部件206之間的粘合位置(即，粘合區(qū)域105)的距離最短的位置上所設(shè)置的自發(fā)光元件102a的外側(cè)形成切槽104的情況，還是在距基板101和密封部件206之間的粘合位置(即，粘合區(qū)域105)的距離比預(yù)定距離短的位置上所設(shè)置的自發(fā)光元件102a的外側(cè)形成切槽104的情況，均無需根據(jù)形成切槽的位置大幅度地變更切槽形成步驟的內(nèi)容，就可以形成具有上述切槽的自發(fā)光面板。
圖11-1是表示另一種實施方式中的自發(fā)光面板的縱剖視圖。在圖11-1中示出了有源驅(qū)動型自發(fā)光面板的一例。在本實施方式中，不限于無源驅(qū)動型自發(fā)光面板100(自發(fā)光面板300、自發(fā)光面板400、或自發(fā)光面板500)，也可以是有源驅(qū)動型自發(fā)光面板1100。
有源驅(qū)動型自發(fā)光面板1100具有TFT 1110，該TFT 1110由柵絕緣膜1101、柵極1102、漏極1103、源極1104、以及層間絕緣層1105形成。TFT 1110被設(shè)置于基板1120上。漏極1103和下部電極1130通過接觸孔1140電連接。在下部電極1130上依次層疊了有機層1150、上部電極1160，設(shè)置有自發(fā)光元件(有機EL元件)1170。
可在基板1120上形成一個或多個有機EL元件1170。在自發(fā)光面板1100中，通過絕緣膜1180形成有自發(fā)光元件1170的各像素(發(fā)光)區(qū)域。如上所述，在位于自發(fā)光元件(有機EL元件)1170a的外側(cè)的絕緣膜1180上形成有切槽1190，該自發(fā)光元件(有機EL元件)1170a在自發(fā)光元件1170的排列面內(nèi)位于最外側(cè)。
(自發(fā)光面板的制造方法2)下面，對使用了本實施方式中的自發(fā)光面板1100的制造方法2的有源驅(qū)動型的自發(fā)光面板1100的制造工藝的一例進行說明。自發(fā)光面板1100的制造工藝由前處理步驟、成膜步驟、使用密封部件206的密封步驟構(gòu)成。自發(fā)光面板的制造方法2中的成膜步驟和密封步驟與上述自發(fā)光面板的制造方法1相同，所以此處僅對前處理步驟進行說明。自發(fā)光面板1100的制造工藝中的前處理步驟包括TFT形成步驟、下部電極形成步驟以及絕緣膜形成步驟。
圖11-2是表示TFT形成步驟的縱剖視圖。在TFT形成步驟中，首先，通過激光退火在基板1120上形成p-Si膜。利用紫外光的準分子激光對成膜后的p-Si膜進行構(gòu)圖，之后，利用CVD法設(shè)置氮化硅等，從而形成柵絕緣膜1101。
然后，通過蝕刻對多晶硅-金屬硅化物(polycide)結(jié)構(gòu)的材料膜進行構(gòu)圖，該多晶硅-金屬硅化物結(jié)構(gòu)是由通過CVD法成膜的多晶硅膜和通過濺射法或CVD法成膜的金屬硅化物膜層疊而成的。在進行蝕刻時，以通過光刻法形成的抗蝕圖形作為掩模。這樣，形成柵極1102。
形成柵極1102之后，通過離子摻雜法向柵極1102注入雜質(zhì)。這樣，形成了漏極1103、源極1104。
圖11-3是表示下部電極形成步驟的縱剖視圖。在下部電極形成步驟中，在覆蓋柵極1102、漏極1103、源極1104的狀態(tài)下，在基板1120的上方形成層間絕緣層1105。對于層間絕緣層1105使用例如氧化硅等的氧化硅類材料。
之后，對源極1104和數(shù)據(jù)線1106之間的接觸孔1107以及漏極1103和下部電極1130之間的接觸孔1140進行曝光、顯影來形成。如上所述，形成了接觸孔1107、1140之后，通過濺射等，由Al等形成數(shù)據(jù)線1106的圖形，由ITO等形成下部電極1130的圖形。
圖11-4是表示絕緣膜形成步驟的縱剖視圖。在絕緣膜形成步驟中，利用旋涂法將聚酰亞胺等成膜，從而在下部電極1130上形成絕緣膜。之后，利用光刻法等，進行構(gòu)圖，以使有機EL元件1170形成部分開口。此時，利用光刻法在與位于最外側(cè)的有機EL元件1170a(參照圖11-1)接觸的絕緣膜1180的外側(cè)形成切槽1190。
如上述說明，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板1100的制造方法，在絕緣膜形成步驟的形成絕緣膜1180時，可以在形成絕緣膜1180(構(gòu)圖)的同時形成切槽1190。這樣，即使是具有切槽1190的自發(fā)光面板1100，也可以在不增加步驟數(shù)的情況下進行制造。
另外，根據(jù)本實施方式的自發(fā)光面板1100的制造方法，在發(fā)揮上述各種自發(fā)光面板100、300、400、500的各種效果的同時，可以實現(xiàn)形成切槽1190時的步驟的簡化。
權(quán)利要求
1.一種自發(fā)光面板，將在基板上形成的、在電極對之間至少夾有發(fā)光層的自發(fā)光元件作為一個像素，具有一個或多個該自發(fā)光元件，其特征在于，具有基板，其設(shè)有自發(fā)光元件；絕緣膜，其設(shè)置在所述基板上，針對每個所述自發(fā)光元件將所述電極對中的至少一個電極與所述發(fā)光層絕緣；密封部件，其與所述基板相對配置，用于在與該基板之間形成將所述自發(fā)光元件與大氣隔離開的密封區(qū)域；以及切槽，其被設(shè)置于在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件的外側(cè)，沿所述基板和所述密封部件的相對方向分隔所述絕緣膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，所述切槽被設(shè)置成沿所述基板和所述密封部件的相對方向完全分隔所述絕緣膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，所述切槽被設(shè)置成沿所述基板和所述密封部件的相對方向?qū)⑺鼋^緣膜分隔至中途。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任意一項所述的自發(fā)光面板，其特征在于，在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向設(shè)置有多個所述切槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自發(fā)光面板，其特征在于，所述切槽沿所述基板和所述密封部件的相對方向的深度各不相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，所述切槽被設(shè)置于在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)、距所述基板和所述密封部件之間的粘合位置的距離最短的位置上所設(shè)置的所述自發(fā)光元件的外側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，所述切槽被設(shè)置于在距所述基板和所述密封部件之間的粘合位置的距離比預(yù)定距離短的位置上所設(shè)置的所述自發(fā)光元件的外側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件是監(jiān)視用的自發(fā)光元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光面板，其特征在于，所述自發(fā)光元件是有機EL元件。
10.一種自發(fā)光面板的制造方法，制造將在電極對之間至少夾有發(fā)光層的自發(fā)光元件作為一個像素、具有一個或多個該自發(fā)光元件的自發(fā)光面板，其特征在于，包括自發(fā)光元件形成步驟，在基板上形成自發(fā)光元件；絕緣膜形成步驟，在所述自發(fā)光元件形成步驟時形成絕緣膜，該絕緣膜針對每個所述自發(fā)光元件將所述電極對中的至少一個電極與所述發(fā)光層絕緣；切槽形成步驟，在通過所述絕緣膜形成步驟形成的絕緣膜之中、在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件的外側(cè)，形成沿所述絕緣膜的厚度方向分隔該絕緣膜的切槽；以及密封區(qū)域形成步驟，與所述基板相對地配置密封部件，該密封部件用于在與所述基板之間形成將所述自發(fā)光元件與大氣隔離開的密封區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述切槽形成步驟形成沿所述基板和所述密封部件的相對方向完全分隔所述絕緣膜的切槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述切槽形成步驟形成沿所述基板和所述密封部件的相對方向?qū)⑺鼋^緣膜分隔至中途的切槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求10～12中的任意一項所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述切槽形成步驟在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)、沿朝向外側(cè)的方向形成多個切槽。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述切槽形成步驟形成沿所述基板和所述密封部件的相對方向的深度分別不同的多個切槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述切槽形成步驟在距所述基板和所述密封部件之間的粘合位置的距離最短的位置上所設(shè)置的所述自發(fā)光元件的外側(cè)形成切槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述切槽形成步驟在距所述基板和所述密封部件之間的粘合位置的距離比預(yù)定距離短的位置上所設(shè)置的所述自發(fā)光元件的外側(cè)形成切槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，在所述自發(fā)光元件的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件是監(jiān)視用的自發(fā)光元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的自發(fā)光面板的制造方法，其特征在于，所述自發(fā)光元件是有機EL元件。
全文摘要
本發(fā)明的課題是防止劣化因素傳入自發(fā)光元件。自發(fā)光面板(100)具有絕緣膜(103)，其設(shè)置在基板(101)上，在基板(101)上設(shè)置有多個在電極對之間具有發(fā)光層的自發(fā)光元件(102)，該絕緣膜(103)針對各自發(fā)光元件(102)將電極對中的至少一個電極(201)和發(fā)光層絕緣；密封部件(206)，其與基板(101)相對配置，用于在與該基板(101)之間形成將自發(fā)光元件(102)與大氣隔離開的密封區(qū)域(208)；以及切槽(104)，其被設(shè)置于在自發(fā)光元件(102)的排列面內(nèi)位于最外側(cè)的自發(fā)光元件(102a)的外側(cè)，沿基板(101)和密封部件(206)的相對方向?qū)⒔^緣膜(103)分隔開。這樣，即使在大氣中所含有的水分等劣化因素傳入粘合劑(207)中而進入密封區(qū)域(208)的情況下，也可以通過切槽(104)來阻止該劣化因素傳入絕緣膜(103)中。
文檔編號H01L51/50GK1828928SQ200610056769
公開日2006年9月6日 申請日期2006年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月4日
發(fā)明者渡邊輝一 申請人:東北先鋒公司