專利名稱：N型基體單晶硅太陽電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽電池的結(jié)構(gòu)，特征別是有關(guān)于一種采用N型單晶硅片為基體制造的太陽電池。
背景技術(shù)：
當(dāng)前世界上太陽電池制造工廠，都采用P型硅單晶片為基體，制造單晶硅太陽電池，而沒有采用N型硅單晶片為基體，制造單晶硅太陽電池。

發(fā)明內(nèi)容
為解決前述問題，本實(shí)用新型提供一種N型基體單晶硅太陽電池；本實(shí)用新型的太陽電池結(jié)構(gòu)，從上面向下面各層依次是上電極/氮化硅減反射膜/P+擴(kuò)散層/N型單晶硅片/N+/背電極；其中氮化硅減反射膜厚度約為0.75um，P+擴(kuò)散層的厚度約為0.2-0.25um，薄層電阻約20Ω-cm，N+層厚度約為5-10um，N型單晶硅片電阻率＞0.5Ω-cm。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是，其生產(chǎn)出的太陽電池效率和完全用P型基體制成的太陽電池一樣，開創(chuàng)了使用N型基體單晶硅太陽電池的應(yīng)用領(lǐng)域。


附圖是本實(shí)用新型N型基體單晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)示意構(gòu)圖。
附圖中標(biāo)號(hào)說明1-，N型硅片，2-P+層，3-N+，4-SIN4氮化硅減反射膜，5-背電極(-)，6-上電極(+)具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱附圖所示，本實(shí)用新型采用固態(tài)硼源和固態(tài)磷源在擴(kuò)散爐中一次性形成P+層，N+層解決了高效N型基體單晶硅太陽電池制造工藝中的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)問題；采用特制銀漿來印制背電極5(負(fù)極)和上電極6(正極)，其特點(diǎn)是分別使用兩種不同摻雜的銀漿分別制造上電極5和背電極6，背電極5的銀漿摻有少量磷，上電極6的銀漿摻有少量的硼。這樣才能和N+層和P+層形成良好的歐姆接觸，提高電池的效率。
陽光從電池的正面入射，由于在空氣和P+層硅之間有一層氮化硅減反射膜4，使得極大多數(shù)太陽光能入射到N型硅片1中，并產(chǎn)生電子空穴對(duì)，電子空穴對(duì)被N-P+形成的空間電荷區(qū)的強(qiáng)電場(chǎng)所分離，分別在P+區(qū)和N區(qū)形成光生電流，如果用導(dǎo)線將上電極6正極和下電極5負(fù)極引出，就可以作為一個(gè)能發(fā)電的電池。本實(shí)用新型中還有一個(gè)特殊的結(jié)構(gòu)就是在電池背部有一層N+硅層，它和N型硅片形成N+/N結(jié)，它的作用是提高電池的開路電壓和增加電池對(duì)長波光的有效吸收，從而達(dá)到提高電池效率的目的。
權(quán)利要求1.一種N型基體單晶硅太陽電池，其特征在于，N型基體單晶硅太陽電池的結(jié)構(gòu)，從上面向下面各層依次是上電極/氮化硅減反射膜/P+擴(kuò)散層/N型單晶硅片/N+/背電極；其中氮化硅減反射膜厚度為0.75um，P+擴(kuò)散層的厚度為0.2-0.25um，薄層電阻20Ω-cm，N+層厚度為5-10um，N型單晶硅片電阻率＞0.5Ω-cm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種N型基體單晶硅太陽電池采用N型硅單晶片為基體，制造太陽電池，其生產(chǎn)出的太陽電池效率和應(yīng)用完全和用P型基體制成的太陽電池一樣；本實(shí)用新型的太陽電池結(jié)構(gòu)，從上面向下面各層依次是上電極/氮化硅減反射膜/P
文檔編號(hào)H01L31/04GK2888652SQ200520043749
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2005年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月25日
發(fā)明者胡宏勛, 鄭君 申請(qǐng)人:胡宏勛, 鄭君