專利名稱：包括多層隧道勢(shì)壘的非易失存儲(chǔ)器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括多層隧道勢(shì)壘的非易失存儲(chǔ)器件及其制造方法，更具體而言，本發(fā)明涉及一種其中利用具有不同能量間隙的多個(gè)介電層形成隧道氧化層的非易失存儲(chǔ)器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般地，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以分為易失存儲(chǔ)器件和非易失存儲(chǔ)器件。易失存儲(chǔ)器件可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。如果將電力提供到易失存儲(chǔ)器件，那么可以將數(shù)據(jù)輸入該器件或從該器件輸出。但是，如果中斷了電力供給，則數(shù)據(jù)丟失。比較而言，即使中斷了電力供給，非易失存儲(chǔ)器件仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)。閃存器件是一種代表性的非易失存儲(chǔ)器件。
圖1是示出了常規(guī)非易失存儲(chǔ)器件的典型結(jié)構(gòu)的橫截面圖，具體而言，這是一種浮置柵極型閃存器件。參考圖1，在半導(dǎo)體襯底11中制備了用摻雜劑注入的源極區(qū)12a和漏極區(qū)12b。在源極和漏極區(qū)12a和12b之間的半導(dǎo)體襯底11中形成溝道區(qū)13。這里，柵極結(jié)構(gòu)14形成于溝道區(qū)13上，并與源極區(qū)12a和漏極區(qū)12b接觸。柵極結(jié)構(gòu)14包括依次形成的隧道勢(shì)壘層15、浮置柵極16、阻擋氧化層17、以及由導(dǎo)電材料形成的柵電極層18。典型地，隧道勢(shì)壘層15是由介電材料形成的，且浮置柵極16由多晶硅形成。
在圖1所示的常規(guī)非易失存儲(chǔ)器件中，各個(gè)層的種類和厚度幾乎到達(dá)物理極限。具體而言，隧道勢(shì)壘層15不能形成小于約6到7nm的厚度。因此，需要一種具有新結(jié)構(gòu)的非易失存儲(chǔ)器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種非易失存儲(chǔ)器件及其制造方法，所述存儲(chǔ)器件在結(jié)構(gòu)上得到改善來提高數(shù)據(jù)保持時(shí)間和數(shù)據(jù)寫入/擦除速度。
以及本發(fā)明的一個(gè)方面，提供有一種包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件。所述器件包括半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底中的源極區(qū)和漏極區(qū)；和形成于所述半導(dǎo)體襯底上且接觸所述源極和漏極區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)。這里，柵極結(jié)構(gòu)包括多層隧道勢(shì)壘層，所述隧道勢(shì)壘層由具有不同帶隙能量的兩個(gè)或更多層形成。
在一實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)可以包括依次形成的隧道勢(shì)壘層、浮置柵極、阻擋氧化層和柵電極層。
在另一實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)可以包括依次形成的隧道勢(shì)壘層、電荷存儲(chǔ)層、阻擋氧化層和柵電極層。
隧道勢(shì)壘層可以包括第一隧道勢(shì)壘層，形成于所述半導(dǎo)體襯底上且接觸源極區(qū)和漏極區(qū)；第二隧道勢(shì)壘層，形成于所述第一隧道勢(shì)壘層上；和第三隧道勢(shì)壘層，形成于所述第二隧道勢(shì)壘層上。
第二隧道勢(shì)壘層具有比第一隧道勢(shì)壘層和第三隧道勢(shì)壘層更寬的能量帶隙。
第二隧道勢(shì)壘層可以由SiO2、Si3N4和Al2O3中的至少一種形成。
第一隧道勢(shì)壘層可以由MO、MSiO、MSiON、和MON中的一種形成，且M是Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)和其合金的一種。
第三隧道勢(shì)壘層可以由MO、MSiO、MSiON、和MON中的一種形成，且M是Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)和其合金的一種。
依據(jù)本發(fā)明的一方面，提供有一種制造包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的方法。所述方面包括在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括由兩個(gè)或更多層形成的隧道勢(shì)壘層；通過蝕刻?hào)艠O結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)面部分從而暴露半導(dǎo)體襯底的兩個(gè)表面；以及通過對(duì)半導(dǎo)體襯底的兩個(gè)表面注入摻雜劑從而形成源極區(qū)和漏極區(qū)。
所述形成柵極結(jié)構(gòu)可以包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一隧道勢(shì)壘層；利用一種具有比所述第一隧道勢(shì)壘層更高帶隙能量的材料在第一隧道勢(shì)壘層上形成第二隧道勢(shì)壘層；以及利用一種具有比所述第二隧道勢(shì)壘層更低帶隙能量的材料在第二隧道勢(shì)壘層上形成第三隧道勢(shì)壘層。


參考附圖，通過詳細(xì)地描述其示范性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯見，在附圖中
圖1是常規(guī)的閃存存儲(chǔ)器件的橫截面圖；圖2是依據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的橫截面圖；圖3A到3E是示出根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的制造方法的橫截面圖；圖4A到4C是圖2所示的非易失存儲(chǔ)器件的多層隧道勢(shì)壘層的能帶圖；圖5A是顯示常規(guī)的隧道勢(shì)壘層和依據(jù)本發(fā)明的隧道勢(shì)壘層中的漏電流特性的曲線圖；圖5B示出相對(duì)于施加到常規(guī)隧道勢(shì)壘層和依據(jù)本發(fā)明的隧道勢(shì)壘層中每個(gè)的電壓的修改的能帶圖；以及圖5C示出各種材料的帶隙能量。
具體實(shí)施例方式
下面，將參考示出了本發(fā)明的示范性實(shí)施例的附圖，更加全面地描述依據(jù)本發(fā)明的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失器件及其制造方法。
圖2是依據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的橫截面圖。
參考圖2，在半導(dǎo)體襯底21中制備了用摻雜劑注入的源極區(qū)22a和漏極區(qū)22b。溝道區(qū)23形成于源極區(qū)22a和漏極區(qū)22b之間的半導(dǎo)體襯底21中。此外，柵極結(jié)構(gòu)24形成于溝道區(qū)23上，從而其與源極區(qū)22a和漏極區(qū)22b接觸。柵極結(jié)構(gòu)24包括依次形成的隧道勢(shì)壘層25、浮置柵極26、阻擋氧化層27和柵電極層28。
這里，本發(fā)明的特征在于隧道勢(shì)壘層25，該隧道勢(shì)壘層25是包括具有不同能量帶隙的兩個(gè)或更多材料層、優(yōu)選地三個(gè)或更多材料層的多層結(jié)構(gòu)。在圖2所示的實(shí)施例中，隧道勢(shì)壘層25由三層25a、25b和25c形成。
隧道勢(shì)壘層25垂直地與半導(dǎo)體襯底21的溝道區(qū)域23接觸，且還與浮置柵極26接觸。在該情況中，分別接觸溝道區(qū)23和浮置柵極26的第一隧道勢(shì)壘層25a和第三隧道勢(shì)壘層25c可以由一種比設(shè)置于它們之間的第二隧道勢(shì)壘層25b具有更窄能量帶隙的材料形成。即，第一隧道勢(shì)壘層25a和第三隧道勢(shì)壘層25c是由介電材料形成的絕緣層。例如，該介電材料可以是MO、MSiO、MSiON、或MON。這里，M可以是Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)或其合金。而且，第二隧道勢(shì)壘層25b可以由一種比第一隧道勢(shì)壘層25a和第三隧道勢(shì)壘層25c具有更寬的能量帶隙的材料形成。優(yōu)選地，第二隧道勢(shì)壘層25b可以由SiO2、Al2O3或Si3N4形成。圖4示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層隧道勢(shì)壘層的帶隙能量圖。以下，將給出帶隙能量圖的詳細(xì)描述。
依據(jù)本發(fā)明的多層隧道勢(shì)壘層可以應(yīng)用于硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存儲(chǔ)器件，而不限于圖2所示的浮置柵極型閃存器件。
圖3A到3E是圖示根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的制造方法的橫截面圖。在本發(fā)明中，利用原子層沉積(ALD)工藝或化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝形成該多層隧道勢(shì)壘層。
參考圖3A，在硅襯底21上形成第一隧道勢(shì)壘層25a。第一隧道勢(shì)壘層25a是由介電材料形成的絕緣層。如上所述，第一隧道勢(shì)壘層25a可以由MO、MSiO、MSiON、或MON形成。這里，第一隧道勢(shì)壘層25a可以由1到50％重量比的M形成。
其后，如圖3B所示，在第一隧道勢(shì)壘層25a上依次形成第二隧道勢(shì)壘層25b和第三隧道勢(shì)壘層25c。與第一隧道勢(shì)壘層25a相似，第二和第三隧道勢(shì)壘層25b和25c由介電材料形成，諸如MO、MSiO或MON。在該情況中，第三隧道勢(shì)壘層25c可以由與第一隧道勢(shì)壘層25a相同或不同的材料形成，但是第二隧道勢(shì)壘層25b應(yīng)由一種具有比第一和第三隧道勢(shì)壘層25a和25c更寬能量帶隙的材料形成。通常，具有高介電常數(shù)的材料具有窄的能量帶隙。因此，當(dāng)?shù)诙淼绖?shì)壘層25b由SiO2、Al2O3或Si3N4形成時(shí)，第三堆疊勢(shì)壘層25c由一種高k材料形成。
其后，如圖3C所示，在隧道勢(shì)壘層25上依次形成浮置柵極26、阻擋氧化層27和柵電極層28。這里，通過沉積多晶硅或金屬形成浮置柵極26。而且，通過沉積例如氧化硅的絕緣介電材料形成阻擋氧化層27。
其后，如圖3D所示，蝕刻隧道勢(shì)壘層25、浮置柵極26、阻擋氧化層27和柵電極層28的兩個(gè)側(cè)面部分，由此形成柵極結(jié)構(gòu)24。因此，暴露了半導(dǎo)體襯底21的兩個(gè)側(cè)面頂部分，從而界定將形成源極和漏極的區(qū)域。
最后，如圖3E所示，將半導(dǎo)體襯底21的兩個(gè)側(cè)面頂部分用摻雜劑注入，由此形成源極區(qū)22a和漏極區(qū)22b。于是，制造了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件。
其后，將參考圖2和圖4A到圖4C描述依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的操作原理。
首先，將描述寫入操作。當(dāng)將Vg的電壓施加到柵電極層28時(shí)，將電子從溝道23發(fā)射且通過隧道勢(shì)壘層25注入到浮置柵極26中。這稱為“FowlerNordheim(FM)隧道方法”?？梢赃x擇性地使用溝道熱電子注入(CHEI)方法。這里，浮置柵極26用電荷充電的狀態(tài)被稱為數(shù)據(jù)值‘1’。其后，將描述擦除的操作。當(dāng)通過柵電極層28施加-Vg的電壓時(shí)，將電荷從浮置柵極26發(fā)射且通過隧道勢(shì)壘層25注入溝道23。這里，將電荷從浮置柵極26發(fā)射的狀態(tài)被稱為數(shù)據(jù)值‘0’。
將描述讀的操作。當(dāng)將Vg’的電壓施加到柵電極層28且將Vd’的電壓施加到漏極22b時(shí)，晶體管MOSFET保持開啟。在該狀態(tài)中，如果在源極22a和漏極22b之間探測(cè)到大于參考電流的電流，則其被辨識(shí)為數(shù)據(jù)值‘0’。當(dāng)然，相反的情況也是可能的。即，用電荷充電浮置柵極26的狀態(tài)可以被稱為數(shù)據(jù)值‘0’，而電荷從浮置柵極26發(fā)射的狀態(tài)可以被稱為數(shù)據(jù)值‘1’。
圖4A到圖4C是圖2所示的非易失存儲(chǔ)器件的多層隧道勢(shì)壘層的能帶圖。
圖4A示出了沒有提供外部電力的狀態(tài)。因?yàn)樗淼绖?shì)壘層25的第二隧道勢(shì)壘層25b具有比第一隧道勢(shì)壘層25a和第三隧道勢(shì)壘層25c更高的帶隙能量，所以勢(shì)壘具有高的中心部分。因此，當(dāng)沒有提供外部電力時(shí)，電荷不能從溝道23傳輸?shù)礁≈脰艠O26或從浮置柵極26傳輸?shù)綔系?3。因此，存儲(chǔ)器件在數(shù)據(jù)保持特性方面得到了改善。
圖4B示出了電荷從溝道23通過隧道勢(shì)壘層25傳輸?shù)礁≈脰艠O26中，其示出了寫入操作，其中將Vg的電壓施加到柵電極層28。在寫入操作中，電荷沒有傳輸通過第三隧道勢(shì)壘層25c，由此促進(jìn)了電荷注入到浮置柵極26中。
圖4C示出了電荷從浮置柵極26通過隧道勢(shì)壘層25傳輸入溝道23，其顯示了存儲(chǔ)操作，其中將-Vg的電壓施加到柵電極層28。在擦除操作中，電荷沒有傳輸通過第一隧道勢(shì)壘層25a，由此促進(jìn)了電荷從浮置柵極26的發(fā)射。
總之，在依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件中，隧道勢(shì)壘層25的中間區(qū)由具有高帶隙能量的材料形成，從而可以將電荷容易地注入浮置柵極26且從浮置柵極26發(fā)射。因此，非易失存儲(chǔ)器件可以在電荷保存特性方面得到改善。
圖5A是顯示隧道勢(shì)壘層的三個(gè)樣品的漏電流特性的曲線圖。隧道勢(shì)壘層的第一樣品由SiO2形成為約60的厚度。隧道勢(shì)壘層的第二樣品由HfO2/SiO2/HfO2形成為20/20/20的厚度。隧道勢(shì)壘層的第三樣品由SiO2/HfO2/SiO2形成為20/20/20的厚度。隧道勢(shì)壘層25的第二樣品的帶隙能量圖與圖4A所示相同，且隧道勢(shì)壘層25的第三樣品的帶隙能量圖具有量子阱(QW)結(jié)構(gòu)。
與依據(jù)常規(guī)方法形成的第一樣品相比，依據(jù)本發(fā)明的第二樣品在低的施加電壓下表現(xiàn)低的漏電流且在高的施加電壓下表現(xiàn)高的隧道電流。但是，第三樣品表現(xiàn)比第一樣品更差的漏電流。因此，可以看出依據(jù)本發(fā)明的包括多層隧道氧化層的非易失存儲(chǔ)器件具有最好的特性。
圖5B示出相對(duì)于施加到每個(gè)第一和第二樣品的電壓的修改的能帶圖。具體而言，第一樣品是由SiO2單層形成的常規(guī)隧道勢(shì)壘層，而第二樣品是依據(jù)本發(fā)明由HfO2/SiO2/HfO2形成的隧道勢(shì)壘層，且施加了6V和10V(Vg)的電壓。參考圖5B，第二樣品在施加10V的高電壓時(shí)表現(xiàn)比在施加6V的低電壓時(shí)遠(yuǎn)低的帶隙能量。但是，第一樣品相對(duì)于施加的電壓表現(xiàn)了小的帶隙能量變化。因此，可以看出依據(jù)本發(fā)明的第二樣品在低的施加電壓下表現(xiàn)出低的漏電流，且在高的施加電壓下表現(xiàn)高的隧道電流，如從圖5A所見。
另外，依據(jù)本發(fā)明由HfO2/SiO2/HfO2形成的隧道勢(shì)壘層表現(xiàn)非常高的耦合比(coupling ratio)。這里，耦合比指一代表施加到柵電極28的電壓對(duì)浮置施加26的電勢(shì)影響的值。耦合比可以簡(jiǎn)要地表達(dá)為等式1所示 換言之，耦合比rCR代表施加的電壓的效率。當(dāng)耦合比rCR接近1時(shí)，施加的電壓被使用得更有效。當(dāng)使用圖5B所示的SiO2單層作為隧道勢(shì)壘層時(shí)，C阻擋是0.25，C隧道是0.5，且耦合比rCR變?yōu)榧s0.67。相比，當(dāng)使用圖5B所示的HfO2/SiO2/HfO2層作為隧道勢(shì)壘層時(shí)，C阻擋是0.25，C隧道是0.8，耦合比rCR變?yōu)榧s0.78。
考慮到材料的帶隙能量，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)依據(jù)本發(fā)明的隧道勢(shì)壘層，且圖5C示出了各種材料的帶隙能量。參考圖5C，隧道勢(shì)壘層的中間部分可以由例如SiO2或Al2O3形成，且隧道勢(shì)壘層的兩個(gè)靠外的部分可以由具有低帶隙能量的材料形成，例如，HfO2或ZrO2。除了上述的三層結(jié)構(gòu)以外，可以使用任何由兩個(gè)和更多層形成的結(jié)構(gòu)作為隧道勢(shì)壘層。即，中間層或兩個(gè)或更多層中靠外的一層可以由具有高帶隙能量的材料形成，且其它層可以由具有逐漸降低的帶隙能量的材料形成，由此實(shí)現(xiàn)相同的目的。
依據(jù)本發(fā)明，非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括由兩個(gè)或更多層，優(yōu)選地由三個(gè)或更多層形成的多層隧道勢(shì)壘層。因此，減小了漏電流來改善數(shù)據(jù)保持特性，且可以將數(shù)據(jù)有效地寫入浮置柵極或從浮置柵極擦除。
在附圖和說明書中，已經(jīng)公開了本發(fā)明典型的示范性實(shí)施例，盡管使用了具體的術(shù)語(yǔ)，但是它們僅被用于概括和描述，而非用于限制的目的。即，本發(fā)明也可以應(yīng)用于SONOS存儲(chǔ)器件而不限于浮置柵極型閃存器件，SONOS存儲(chǔ)器件包括隧道氧化層、電荷存儲(chǔ)層和阻擋氧化層的柵極結(jié)構(gòu)。對(duì)于本發(fā)明的范圍，將在權(quán)利要求中闡述。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在不脫離由權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以做出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。
權(quán)利要求
1.一種包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件，所述器件包括半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底中的源極區(qū)和漏極區(qū)；和形成于所述半導(dǎo)體襯底上且接觸所述源極區(qū)和漏極區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括所述多層隧道勢(shì)壘層，所述多層隧道勢(shì)壘層由具有不同帶隙能量的至少兩個(gè)層形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次形成的所述隧道勢(shì)壘層、浮置柵極、阻擋氧化層和柵電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次形成的所述隧道勢(shì)壘層、電荷存儲(chǔ)層、阻擋氧化層和柵電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，所述隧道勢(shì)壘層包括第一隧道勢(shì)壘層，形成于所述半導(dǎo)體襯底上且接觸所述源極區(qū)和漏極區(qū)；第二隧道勢(shì)壘層，形成于所述第一隧道勢(shì)壘層上；和第三隧道勢(shì)壘層，形成于所述第二隧道勢(shì)壘層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述隧道勢(shì)壘層包括第一隧道勢(shì)壘層，形成于所述半導(dǎo)體襯底上且接觸所述源極區(qū)和漏極區(qū)；第二隧道勢(shì)壘層，形成于所述第一隧道勢(shì)壘層上；和第三隧道勢(shì)壘層，形成于所述第二隧道勢(shì)壘層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第二隧道勢(shì)壘層具有比所述第一隧道勢(shì)壘層和第三隧道勢(shì)壘層更寬的能量帶隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第二隧道勢(shì)壘層是由選自SiO2、Si3N4和Al2O3中的至少一種形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第一隧道勢(shì)壘層是由選自MO、MSiO、MSiON、和MON中的一種形成，且M是選自Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)和其合金中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，所述第三隧道勢(shì)壘層是由選自MO、MSiO、MSiON、和MON中的一種形成，且M是選自Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)和其合金中的一種。
10.一種制造包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括由至少兩層形成的隧道勢(shì)壘層；通過蝕刻所述柵極結(jié)構(gòu)的兩個(gè)側(cè)面部分從而暴露所述半導(dǎo)體襯底的兩個(gè)表面；以及通過對(duì)所述半導(dǎo)體襯底的兩個(gè)表面注入摻雜劑從而形成源極區(qū)和漏極區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述形成柵極結(jié)構(gòu)包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一隧道勢(shì)壘層；利用一種具有比所述第一隧道勢(shì)壘層更高帶隙能量的材料在所述第一隧道勢(shì)壘層上形成第二隧道勢(shì)壘層；以及利用一種具有比所述第二隧道勢(shì)壘層更低帶隙能量的材料在所述第二隧道勢(shì)壘層上形成第三隧道勢(shì)壘層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第二隧道勢(shì)壘層是由選自SiO2、Si3N4和Al2O3中的至少一種所形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一隧道勢(shì)壘層是由選自MO、MSiO、MSiON、和MON中的一種形成，且M是選自Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)和其合金中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第三隧道勢(shì)壘層是由選自MO、MSiO、MSiON、和MON中的一種形成，且M是選自Hf、Zr、Ti、Ta、Al、Ln(鑭系)和其合金中的一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括多層隧道勢(shì)壘層的非易失存儲(chǔ)器件和制造其的方法。所述器件包括半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底中的源極區(qū)和漏極區(qū)；和形成于所述半導(dǎo)體襯底上且接觸所述源極和漏極區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)。這里，柵極結(jié)構(gòu)包括多層隧道勢(shì)壘層，所述隧道勢(shì)壘層由具有不同帶隙能量的兩個(gè)或更多層形成。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1761073SQ200510106838
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2005年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月8日
發(fā)明者田尚勛, 金楨雨, 黃顯相 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社