專利名稱：電涌保護(hù)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電涌保護(hù)器及其制造方法，通過包括雷擊的電涌，在轉(zhuǎn)換成導(dǎo)電狀態(tài)后，它在很短時(shí)間自身能恢復(fù)到絕緣狀態(tài)。
背景技術(shù)：
包括避雷器的電涌保護(hù)器是非常重要的裝置，它用于保護(hù)不同的電子設(shè)備避免其受到包括雷擊的電涌。電涌保護(hù)器是一種設(shè)備的通用名稱，該設(shè)備用來(lái)保護(hù)其它電子設(shè)備不受過壓即電涌。避雷器用于保護(hù)其它電子設(shè)備避免雷擊，即極高電壓和大電流。避雷器是其中一種電涌保護(hù)器設(shè)備。術(shù)語(yǔ)“保護(hù)器”這里指用于保護(hù)其它電子設(shè)備不受過電壓或過電流的設(shè)備。然而，過電壓不限于極高電壓，例如雷擊，還包括超過額定電壓的低壓。
傳統(tǒng)上使用玻璃管避雷器。在玻璃管內(nèi)的兩電極之間含有特殊氣體。除非感應(yīng)到電涌，否則它是絕緣的。當(dāng)感應(yīng)到電涌或雷時(shí)，開始放電，并且電極之間的氣體變成可導(dǎo)電的。電流經(jīng)過避雷器，并且導(dǎo)向大地。電涌停止后，放電不會(huì)馬上停止。避雷器不能保護(hù)其它電子設(shè)備免受連續(xù)電流或者電涌、雷的隨后沖擊。在已經(jīng)使用的玻璃管和其它類型的保護(hù)器中存在著嚴(yán)重問題。其中一個(gè)問題是當(dāng)其受到電涌沖擊時(shí)，保護(hù)器必須在如0.03μsec的很短時(shí)間從電阻性狀態(tài)變換到導(dǎo)電狀態(tài)。另一個(gè)問題是當(dāng)電涌停止時(shí)，保護(hù)器應(yīng)該從導(dǎo)電狀態(tài)恢復(fù)到初始電阻性狀態(tài)。
現(xiàn)有技術(shù)中為了解決這些問題，推出一種改進(jìn)的避雷器(SeitaOhmori的“鉬避雷器”，日本專利公開號(hào)為118361/1995)。它使用若干表面被氧化的鉬條。這里將該避雷器命名為“鉬避雷器”。
當(dāng)感應(yīng)電涌或雷時(shí)，鉬避雷器將電流導(dǎo)向大地。由于鉬避雷器在導(dǎo)電狀態(tài)和絕緣狀態(tài)之間自動(dòng)反復(fù)轉(zhuǎn)換，因此鉬避雷器是非常實(shí)用而且經(jīng)濟(jì)有效。
在保護(hù)器中使用鉬之外的金屬也是可能的，其與鉬避雷器原理相同。該使用金屬包括鉭、鉻和鋁。
在Ohmori的改進(jìn)保護(hù)器中存在嚴(yán)重問題，該問題是由于該保護(hù)器使用了表面具有電阻膜的若干條簡(jiǎn)單堆積而產(chǎn)生。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的避雷器(10)的示意圖，該避雷器被稱為由Ohmori發(fā)明的鉬避雷器(日本專利公開號(hào)118361/1995“鉬避雷器”)。
該避雷器(10)包括兩個(gè)鉬條(11)，在鉬條(11)的表面上具有高電阻氧化膜(12)和電極(13)。該避雷器(10)在高電阻膜(12)之間的交界面上利用擊穿現(xiàn)象。擊穿電壓主要取決于交界面的微觀結(jié)構(gòu)。即，如圖2所示，在兩個(gè)鉬條上的高電阻膜(12)微觀上通過點(diǎn)對(duì)點(diǎn)相互接觸，盡管宏觀上它們看上去象通過線與線或面與面接觸。
在兩個(gè)鉬條上高電阻膜之間存在有至少若干原子尺寸厚度的空氣層(21)。擊穿發(fā)生在該空氣層內(nèi)。因此，通過如圖3所示的電路(30)，當(dāng)直流電壓施加到圖1所示的由Ohmori發(fā)明的避雷器時(shí)，如圖4所示，電壓振蕩由示波器所觀察到。在圖3中，電路(30)包括電源(31)、試樣(32)、電阻(33、34)、示波器(35)以及安培表(36)。類似的，當(dāng)交流電壓施加到Ohmori避雷器上時(shí)，可觀測(cè)到特別大尖脈沖電流。這些現(xiàn)象意味著Ohmori避雷器不能在實(shí)際應(yīng)用中使用。Ohmori和其他人沒有對(duì)上述Ohmori避雷器作出測(cè)試報(bào)告。上述事實(shí)意味著只要避雷器由鉬條簡(jiǎn)單堆積構(gòu)成，它就不可能實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用。換句話說(shuō)，只要在兩表面之間的空氣層中利用擊穿現(xiàn)象，就不可能實(shí)現(xiàn)電涌保護(hù)器的實(shí)際應(yīng)用。
因此，所希望的是提供一種在兩表面之間的空氣層中不利用擊穿現(xiàn)象的電涌保護(hù)器。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種新穎和獨(dú)特的電涌保護(hù)器。該電涌保護(hù)器基本上包括若干金屬條，該金屬條通過半導(dǎo)體晶體的連續(xù)高電阻膜結(jié)合成單體，以便相鄰的金屬條之間無(wú)間隙；和在構(gòu)成單體的所述金屬條的端部元件上形成的電極。這樣，本發(fā)明的電涌保護(hù)器制造成在相鄰的金屬條之間無(wú)空氣間隙。結(jié)果，當(dāng)由于電涌使施加在電極上的電壓超過閾值電壓時(shí)，本發(fā)明的保護(hù)器可以如下方式操作，即由于附隨半導(dǎo)體晶體的勢(shì)壘區(qū)擊穿，保護(hù)器從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)電狀態(tài)。本發(fā)明的操作原理與現(xiàn)有技術(shù)的由Ohmiri發(fā)明的電涌保護(hù)器有本質(zhì)的區(qū)別，現(xiàn)有技術(shù)保護(hù)器的操作是基于在多個(gè)條之間的空氣間隙內(nèi)放電而從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)電狀態(tài)。
在本發(fā)明的電涌保護(hù)器中，最好鉬用作金屬條的主要成分。然而，還有可能使用鉭、鉻或鋁作為金屬條的主要部分。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種新穎而獨(dú)特的制造電涌保護(hù)器(如上所述)的方法。本發(fā)明的新穎而獨(dú)特的制造方法基本上包括兩個(gè)特殊工藝步驟(即第一和第二氧化步驟)。在第一氧化步驟中，若干金屬條被氧化，以便相鄰的金屬條相互結(jié)合。在第一氧化步驟中，若干金屬條首先開始接觸，接著這些金屬條制成在相鄰條之間無(wú)任何間隙的單體。在第二步驟中，由若干金屬條組成的單體再次被氧化，以便在單體的整個(gè)表面上形成高電阻半導(dǎo)體膜。同時(shí)在最后的步驟中，在單體的相對(duì)側(cè)上的端金屬條上形成電極。根據(jù)電涌保護(hù)器的用途，適當(dāng)選擇單體中金屬條的數(shù)量。通常，金屬條的數(shù)量是2-4。在一些用途中，還可能使用若干單體電串聯(lián)。
如上所述，盡管可以使用如鉭、鉻和鋁的其它金屬，然而金屬條的優(yōu)選金屬是鉬。在電涌保護(hù)器使用鉬條情況下，一旦該保護(hù)器由于電涌變成導(dǎo)電狀態(tài)后，當(dāng)電涌(或雷擊)停止時(shí)它立刻從導(dǎo)電狀態(tài)恢復(fù)到原始絕緣狀態(tài)。即使當(dāng)鉬氧化膜被大電流燒掉時(shí)這也會(huì)發(fā)生，因?yàn)槿绻谘趸瘹夥障?，鉬會(huì)迅速氧化。這樣，在使用鉬情況下，電涌保護(hù)器操作，以便自動(dòng)地在兩狀態(tài)(即絕緣狀態(tài)和導(dǎo)電狀態(tài))之間重復(fù)轉(zhuǎn)換。另外，根據(jù)本發(fā)明的新穎電涌保護(hù)器，可以精確地控制電涌保護(hù)器從絕緣狀態(tài)向?qū)щ姞顟B(tài)轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換電壓(閾值電壓)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電涌保護(hù)器的示意圖，它包括具有高電阻膜的兩個(gè)圓柱形鉬條，高電阻膜通過使每個(gè)條在堆積前分別氧化而形成。
圖2是在其表面上具有氧化膜的兩個(gè)鉬條之間的交界面的示意圖。
圖3表示用于測(cè)試現(xiàn)有技術(shù)電涌保護(hù)器的電路的示意圖。
圖4表示當(dāng)直流電壓加在現(xiàn)有技術(shù)電涌保護(hù)器時(shí)觀察到的電流振蕩。
圖5是多個(gè)金屬條和支持器的示意圖，支持器用來(lái)氧化金屬條，并使其保持接觸。
圖6是電涌保護(hù)器主要元件的示意圖，主要元件通過使多個(gè)金屬條氧化并使其保持接觸形成。
圖7是其上固定有主要元件的板的示意圖。
圖8是通過將板與主要元件設(shè)置在箱內(nèi)和在主要元件上形成電極與電極終端所形成結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖9是在箱上設(shè)置蓋后的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10是在箱內(nèi)設(shè)置主要元件、氧化和耐火劑后、根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電涌保護(hù)器的橫截面圖。
圖11是根據(jù)本第二實(shí)施例的電涌保護(hù)器的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
在下面的實(shí)施例中，使用圓柱形鉬條。
在第一實(shí)施例中，四個(gè)直徑是2毫米且長(zhǎng)度是7毫米的鉬條用來(lái)制造保護(hù)器的主要元件。
在第一步驟，用丙酮接著用甲醇漂洗鉬條。接著用高純度水清洗，然后烘干。
在第二步驟，四個(gè)鉬條被氧化以便將金屬條制成單體。如圖5所示，在支持器(100)上設(shè)置鉬條(101)。支持器(100)的頂面傾斜，以便鉬條(101)接觸。最好支持器由高純度石英(quarts)構(gòu)成。頂面上設(shè)有鉬條的支持器設(shè)在設(shè)備中用于氧化。圖5中顯示支持器(100)的頂面上設(shè)有兩組鉬條(101)。然而，支持器(100)設(shè)計(jì)成更多組是容易理解的。在該實(shí)施例中，通過在650℃加熱鉬條30分鐘、在高純度氧氣氣體環(huán)境下實(shí)施第一氧化，以便使四個(gè)鉬條形成單體。然而，這是一個(gè)優(yōu)選的實(shí)例，并且它可以根據(jù)特殊用途而改變。該氣體環(huán)境也可改變。如，可使用包括高純度蒸汽的高純度氧氣。
當(dāng)實(shí)施第一次氧化使四個(gè)鉬條制成單體時(shí)，一個(gè)薄的高電阻膜在鉬條組成主體的整個(gè)表面上形成。
在第三步驟，實(shí)施第二次氧化，以便使主體整個(gè)表面上的薄高電阻膜變厚。在該實(shí)施例中，在550℃實(shí)施氧化達(dá)5.5小時(shí)。該條件應(yīng)該根據(jù)特殊用途而改變。當(dāng)實(shí)施第一次和第二次氧化時(shí)單體保持在氧化設(shè)備內(nèi)。第一次氧化后，設(shè)備中的氣體環(huán)境從氧氣轉(zhuǎn)變到高純度氮?dú)猓钡皆O(shè)備的溫度達(dá)到550℃。第二次氧化也在高純度氧氣中實(shí)施。
圖6大致示出了主要元件(200)，即完成第二次氧化后由四個(gè)鉬條(101)構(gòu)成的單體。圖6中，高電阻膜(201)在整個(gè)表面上和鉬條之間的交界面區(qū)域形成。膜(201)由鉬氧化物制成，并在整個(gè)表面上和交界部連續(xù)。即，在鉬條之間和膜中無(wú)間隙。盡管通過在550℃氧化5.5小時(shí)形成的膜厚度實(shí)際約為20μm，但在圖6中該厚度被放大，以便清楚可見。
在第四步驟，如圖7所示，由四個(gè)鉬條構(gòu)成的主要元件(200)用膠(302)固定在板上(301)上，以便機(jī)械穩(wěn)定該主要元件。板(301)可以由電阻性和耐熱的任何材料構(gòu)成。膠(302)還可由電阻性任何材料構(gòu)成。最好使用變硬時(shí)不收縮的膠。而且最好，僅主要元件(200)的底部用膠固定，以便膠(302)不阻礙電極在下一步驟中形成，并且當(dāng)主要元件和氧化劑設(shè)置在一個(gè)箱內(nèi)時(shí)，氧化劑在盡可能多的區(qū)域接觸主要元件。
在第五步驟，如圖8所示，其上固定有主要元件(200)的板(301)粘在箱(400)內(nèi)。然后，電極(401)在構(gòu)成主要元件(200)的鉬條兩個(gè)端部件上形成。電極(401)用銦焊料粘貼在端部件上。這些電極可以用其它材料如導(dǎo)電膠粘接。然而，最好不需要高溫工藝形成電極(401)。在該實(shí)施例中，通過利用銦焊料向鉬條的最中心部分焊接兩個(gè)電極終端(402)，形成電極(401)。該電極終端由薄黃銅板制造。電極終端(402)的長(zhǎng)度使得它們向箱(400)的外部伸展，并且與箱(400)外部的裝置電連接。電極終端(402)可以由其它導(dǎo)電材料如銅制造。在該實(shí)施例中，箱(400)由耐熱塑料制造。然而，箱可以由其它材料如陶瓷制造，只要它們是電絕緣和耐熱材料。
如圖9所示在第六步驟，由氧化劑和耐火劑組成的混合物(501)插入箱(400)內(nèi)，箱內(nèi)固定有主要元件(200)，，同時(shí)箱(400)的蓋(502)用膠固定。接著，箱(400)設(shè)置在真空容器內(nèi)，并且箱的內(nèi)部通過在蓋(502)內(nèi)形成的孔(503)被抽空。膠布置在孔(503)的周圍。當(dāng)箱(400)內(nèi)的壓力達(dá)到10-3托時(shí)，通過將膠(504)加熱以便其熔化從而封閉孔來(lái)密封箱(400)。通過密封箱，完成根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電涌保護(hù)器(600)。在圖10(a)和圖10(b)中，顯示成品電涌保護(hù)器(600)的橫截面示意圖。圖10(a)是沿圖9中線A-A’獲得的橫截面圖，而圖10(b)是沿線B-B’獲得的橫截面示意圖。
成品電涌保護(hù)器(600)通過應(yīng)用4000伏脈沖從絕緣狀態(tài)向?qū)щ姞顟B(tài)轉(zhuǎn)變。這意味著電涌保護(hù)器(600)可令人滿意地用作電涌保護(hù)器。
將作為氧化劑的氯酸鉀和作為耐火劑的二氧化硅以重量比1∶3混合，當(dāng)由此獲得的混合物(501)插入到具有主要元件(200)的箱(400)內(nèi)時(shí)，即使當(dāng)施加4500伏脈沖和300安電流時(shí)，電涌保護(hù)器(600)也重新形成。
盡管鉬條上的高電阻膜由通過鉬氧化形成的半導(dǎo)體晶體制造，它也可以是由其它方法制造的半導(dǎo)體晶體，該方法例如是汽相生長(zhǎng)和真空蒸發(fā)。
圖11示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電涌保護(hù)器(1000)。在本實(shí)施例中，兩個(gè)主要元件(1200，1201)相互電連接。每一個(gè)元件與在第一實(shí)施例中的主要元件相同，并且由四個(gè)鉬條組成。連接電極(1001)布置在兩個(gè)主要元件(1200，1201)之間，以便使這些元件電串聯(lián)。在第一主要元件(1200)的與連接電極(1001)相對(duì)側(cè)上，形成向箱(1400)的外側(cè)伸展的電極終端(1200)。通過與上述涉及第一實(shí)施例的方法形成電極終端(1002)。在第二主要元件(1201)的與連接電極(1001)相對(duì)側(cè)上，形成向箱(1400)的外側(cè)伸展的電極終端(1003)。兩個(gè)主要元件(1200，1201)和連接電極(1001)用導(dǎo)電膠相互連接。主要元件(1200，1201)通過與上述涉及第一實(shí)施例的相同方法固定。與第一實(shí)施例類型，氧化劑和耐火劑插入到箱(1400)內(nèi)。箱(1400)通過與第一實(shí)施例有關(guān)的與上述相同方法密封。
根據(jù)第二實(shí)施例的電涌保護(hù)器(1000)通過施加8000伏脈沖從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變到導(dǎo)電狀態(tài)，即使當(dāng)施加9000伏脈沖和600安電流時(shí)，其功能也有效。
當(dāng)施加直流電壓時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的電涌保護(hù)器未顯示由Ohmori發(fā)明的鉬避雷器的電壓和電流振蕩。該事實(shí)意味著在根據(jù)本發(fā)明的電涌保護(hù)器的電流通路任意部分中不存在空氣間隙。
當(dāng)在相同條件下制造電涌保護(hù)器時(shí)，根據(jù)第一和第二實(shí)施例的電涌保護(hù)器的每一個(gè)箱在性能上存在±2％的誤差。另一方面，實(shí)際上在相同條件下制造的、由Ohmori發(fā)明的避雷器的性能具有達(dá)±20％的非均勻性。其中一個(gè)原因在于，鉬條之間的分界面結(jié)構(gòu)不能控制在原子尺寸內(nèi)，這是因?yàn)镺hmori發(fā)明的避雷器具有多個(gè)鉬條簡(jiǎn)單堆積的結(jié)構(gòu)。另外一個(gè)原因在于，施加到鉬條間的壓力不受控制，這是因?yàn)殂f條也是簡(jiǎn)單的堆積。分界面的原子結(jié)構(gòu)和施加到分界面的壓力在包括擊穿的電子性能上均有影響。根據(jù)本發(fā)明的電涌保護(hù)器不會(huì)產(chǎn)生如電流振蕩和非均勻性能的問題，這是因?yàn)樵陔娏魍穬?nèi)無(wú)間隙。
如下考慮根據(jù)本發(fā)明保護(hù)器的功能原理。當(dāng)感應(yīng)在閾值之上的電場(chǎng)時(shí)，在鉬條之間區(qū)域內(nèi)和鉬條表面上的鉬氧化膜內(nèi)，由于在伴隨半導(dǎo)體晶體的勢(shì)壘區(qū)發(fā)生擊穿，因此發(fā)生從絕緣狀態(tài)向?qū)щ姞顟B(tài)的轉(zhuǎn)換功能。另一方面，由Ohmori發(fā)明的避雷器從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變到導(dǎo)電狀態(tài)，這是因?yàn)楫?dāng)電場(chǎng)達(dá)到閾值時(shí)，在鉬條之間空氣間隙內(nèi)發(fā)生放電。因此，在Ohmori提出的專利申請(qǐng)中清楚描述轉(zhuǎn)換功能是基于放電。在根據(jù)本發(fā)明的電涌保護(hù)器的情況下，不利用放電產(chǎn)生轉(zhuǎn)換功能。即，根據(jù)本發(fā)明的電涌保護(hù)器的轉(zhuǎn)換功能原理根本不同于Ohmori發(fā)明的避雷器。
當(dāng)保護(hù)器從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變到導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，如果施加電壓較大且電流較大，由于發(fā)熱，部分電流通路中斷是可能的。在這種情況下，如果處于氧化環(huán)境中，由于鉬迅速氧化，根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)器很快復(fù)位。這與Ohmori發(fā)明的避雷器相似。
根據(jù)本發(fā)明電涌保護(hù)器不具有由Ohmori發(fā)明的避雷器的下述問題1)如電流振蕩的較差特性2)較差的可控制性，以及3)較差的制造再現(xiàn)特性根據(jù)本發(fā)明的電涌保護(hù)器從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變到導(dǎo)電狀態(tài)轉(zhuǎn)換功能的原理是基于在伴隨半導(dǎo)體晶體勢(shì)壘區(qū)擊穿。它是完全不同于基于由Ohmori發(fā)明的避雷器，即空氣放電。
權(quán)利要求
1.一種用于保護(hù)電子設(shè)備不受浪涌電壓沖擊的電涌保護(hù)器，所述電涌保護(hù)器包括若干金屬條，該若干金屬條通過半導(dǎo)體晶體的連續(xù)高電阻膜結(jié)合成單體，因此在相鄰金屬條之間無(wú)間隙；所述半導(dǎo)體晶體的高電阻膜，該高電阻膜成形以便涂在由所述若干金屬條組成的所述單體的整個(gè)表面上；和電極，該電極在構(gòu)成所述單體的所述金屬條的端部件上形成，其中，當(dāng)由于電涌使施加在所述電極上的電壓超過閾值電壓時(shí)，由于在附隨所述半導(dǎo)體晶體的勢(shì)壘區(qū)出現(xiàn)的擊穿，所述電涌保護(hù)器從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)電狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電涌保護(hù)器，其特征在于，所述金屬條的主要成分是鉬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電涌保護(hù)器，其特征在于，所述金屬條的主要成分是鉭、鉻或鋁。
4.一種用于制造用來(lái)保護(hù)電子設(shè)備不受浪涌電壓沖擊的電涌保護(hù)器的方法，所述方法包括第一氧化步驟，在該步驟中，若干金屬條被氧化，并使其保持相互接觸，以便通過半導(dǎo)體晶體的連續(xù)單一高電阻膜，使所述金屬條結(jié)合成在相鄰的所述金屬條之間無(wú)任何間隙的單體；以及第二氧化步驟，在該步驟中，使所述金屬條氧化并結(jié)合成所述單體，以便高電阻膜形成在由所述金屬條組成的所述單體的整個(gè)表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述金屬條的主要成分是鉬。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述金屬條的主要成分是鉭、鉻或鋁。
全文摘要
本發(fā)明提供一種改進(jìn)的電涌保護(hù)器及其制造方法。本發(fā)明的電涌保護(hù)器主要包括若干金屬條，該金屬條通過半導(dǎo)體晶體的連續(xù)高電阻膜結(jié)合成單體，以便相鄰的金屬條之間無(wú)間隙；和在構(gòu)成單體的所述金屬條的端部元件上形成的電極。這樣，本發(fā)明的電涌保護(hù)器制造成在相鄰的金屬條之間無(wú)空氣間隙。結(jié)果，當(dāng)由于電涌使施加在電極上的電壓超過閾值電壓時(shí)，本發(fā)明的保護(hù)器可以如下方式操作，即由于附隨半導(dǎo)體晶體的勢(shì)壘區(qū)擊穿，保護(hù)器從絕緣狀態(tài)轉(zhuǎn)變成導(dǎo)電狀態(tài)。并且，本發(fā)明裝置的制造方法包括第一氧化步驟，該步驟中若干金屬條被氧化，保持相互接觸，以便通過半導(dǎo)體晶體的連續(xù)單一高電阻膜，使所述金屬條結(jié)合成在相鄰的所述金屬條之間無(wú)任何間隙的單體；以及第二氧化步驟，該步驟中使所述金屬條氧化并結(jié)合成所述單體，以便高電阻膜形成在所述金屬條組成的所述單體的整個(gè)表面上。
文檔編號(hào)H01T4/10GK1658338SQ20051000942
公開日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2005年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月16日
發(fā)明者河?xùn)|田隆 申請(qǐng)人:河?xùn)|田隆