專利名稱：鐵電體存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鐵電體存儲(chǔ)裝置，特別涉及其存儲(chǔ)單元電容器的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
鐵電體存儲(chǔ)器，具有由將施加電壓的極性作為數(shù)據(jù)保持的鐵電體電容器(以下也稱其為存儲(chǔ)單元電容器)和對(duì)該存儲(chǔ)單元電容器進(jìn)行數(shù)據(jù)訪存的訪存晶體管(以下也稱其為存儲(chǔ)單元晶體管)組成的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，作為此存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的加工方法，例如，在日本專利特開2002-198494號(hào)公報(bào)中揭示了利用相同掩模對(duì)存儲(chǔ)電容器的上部電極及其鐵電體層進(jìn)行加工的方法。
圖25(a)是說明現(xiàn)有的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖25(b)是圖25(a)的XXVa-XXVa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有的鐵電體存儲(chǔ)裝置100具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元電容器100a和存儲(chǔ)單元晶體管(未圖示)組成的存儲(chǔ)單元。上述鐵電體電容器100a，由在基板(未圖示)上形成的下部電極12、在該下部電極12上形成的鐵電體層13及在該鐵電體層13上形成的上部電極14構(gòu)成。
其中，各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極12，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的電極，在鐵電體存儲(chǔ)裝置100的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)上沿著第1方向(以下也稱其為橫向)D1及第2方向(以下也稱其為縱向)D2排列成為矩陣形狀。
上述鐵電體層3，對(duì)沿著縱向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元是共用的，橫跨沿著縱向D2排列的多個(gè)下部電極2，在縱向D2上延伸。
上述上部電極4與上述鐵電體層3相同地，對(duì)沿著縱向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元是共用的，橫跨沿著縱向D2排列的多個(gè)下部電極2，在縱向D2上延伸，成為與沿著縱向D2的各下部電極列相對(duì)應(yīng)的平板電極。
下面對(duì)上述存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的加工工序予以簡(jiǎn)單說明。
首先，在形成存儲(chǔ)單元晶體管的半導(dǎo)體基板(未圖示)上形成絕緣膜(未圖示)之后，在該絕緣膜上形成接觸部1，并且在整個(gè)表面上形成下部電極層。于是，經(jīng)過加工使該下部電極層分離成為各個(gè)存儲(chǔ)電容器的下部電極12，其后，在其上順序形成鐵電體層和上部電極層，利用相同掩模對(duì)這些部分進(jìn)行加工，形成鐵電體膜13和作為上述上部電極14的平板電極。
在這種現(xiàn)有的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的加工方法中，過去存在的問題是，為了利用相同掩模加工上部電極和鐵電體層，為使在上部電極和下部電極之間不發(fā)生漏電，必須如圖25(a)所示將上部電極14加工成為其寬度比下部電極12的寬度更大。這一問題也就成為縮小存儲(chǔ)單元尺寸的障礙。
就是說，由于上部電極14配置于因下部電極12的厚度而具有凸凹的基底上，根據(jù)上部電極14的加工條件，上部電極14的最小配置間隔，與配置于平坦的基底上的下部電極12的最小配置間隔相比，必須加大。在此場(chǎng)合，存儲(chǔ)單元電容器的間隔，即上部電極14和下部電極12重疊區(qū)域的配置間隔d12，成為上部電極的最小配置間隔d14和上部電極的左右邊緣比下部電極的左右邊緣多出的距離2·Δd相加的尺寸。此配置間隔d12(＝d14+2·Δd)，與下部電極12的最小配置間隔相比是相當(dāng)大的間隔。
另外，存儲(chǔ)單元電容器，并不限定于，如上所述，由在基板上順序?qū)盈B的下部電極、鐵電體層及上部電極構(gòu)成的平板型的結(jié)構(gòu)，也有立體型的結(jié)構(gòu)，即在絕緣膜上形成的具有矩形形狀的開口的凹部?jī)?nèi)層疊下部電極、鐵電體層及上部電極構(gòu)成的立體結(jié)構(gòu)。
圖26(a)是說明存儲(chǔ)單元電容器為立體結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖26(b)及圖26(c)分別是圖26(a)的XXVIa-XXVIa線剖面圖及XXVIb-XXVIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
此鐵電體存儲(chǔ)裝置200，具有多個(gè)由立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器200a和存儲(chǔ)單元晶體管(未圖示)構(gòu)成的存儲(chǔ)單元。這種立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器200a，是在下部電極上的層間絕緣膜上形成具有矩形形狀的開口并達(dá)到下部電極的貫通孔，在該層間絕緣膜上通過層疊方式在該貫通孔的內(nèi)壁面及貫通孔開口的周緣部順序形成基底電極層、鐵電體層及上部電極層而構(gòu)成的器件。
就是說，上述立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器200a，是由在基板(未圖示)上形成的下部電極22、在該下部電極22上的層間絕緣膜(未圖示)的貫通孔內(nèi)及其周緣部上形成的基底電極層25、在該基底電極層25上形成的鐵電體層23以及在該鐵電體層23上形成的上部電極24構(gòu)成的。另外，圖中，200b是在上述立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器200a的表面上形成的凹部。
然而，在這種立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器中存在的問題是，由于要求縮小存儲(chǔ)單元的尺寸，在減小在層間絕緣膜上形成的貫通孔開口的尺寸時(shí)，在濺射及蒸鍍等一般成膜處理中，很難在貫通孔內(nèi)壁面上形成薄電極層及鐵電體層，其結(jié)果，會(huì)使存儲(chǔ)單元電容器的容量劇減。這一問題也成為縮小存儲(chǔ)單元尺寸的障礙。
本發(fā)明系為解決上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種不會(huì)導(dǎo)致在平面結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器的上部電極和下部電極之間發(fā)生漏電及立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器的特性劣化，可以縮小存儲(chǔ)單元電容器的配置間隔，實(shí)現(xiàn)小存儲(chǔ)單元尺寸的鐵電體存儲(chǔ)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第1方面是具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器是由經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的以上述下部電極的寬度方向作為其寬度方向的鐵電體層及在上述鐵電體層的上面形成的以上述下部電極的寬度方向作為其寬度方向的上部電極構(gòu)成的，上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的電極，上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極，上述上部電極的寬度比上述鐵電體層的寬度小。
根據(jù)本發(fā)明的第1方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的上部電極的寬度制作成比該鐵電體層的寬度小，所以可以抑制在存儲(chǔ)單元電容器的上部電極和下部電極之間的漏電的發(fā)生，結(jié)果，就可以在抑制該上部電極和下部電極之間的漏電的發(fā)生的同時(shí)縮小存儲(chǔ)單元電容器的配置間隔而實(shí)現(xiàn)小的存儲(chǔ)單元尺寸。
本發(fā)明的第2方面的特征在于在本發(fā)明的第1方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，上述下部電極的寬度比上述鐵電體層的寬度小。
根據(jù)本發(fā)明的第2方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的下部電極的寬度制作成比該鐵電體層的寬度小，所以更可以抑制在存儲(chǔ)單元電容器的上部電極和下部電極之間的漏電的發(fā)生。
本發(fā)明的第3方面的特征在于在本發(fā)明的第2方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，上述上部電極的寬度和上述下部電極的寬度大致相同，上述上部電極的寬度方向的位置和上述下部電極的寬度方向的位置大致一致。
根據(jù)本發(fā)明的第3方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的上部電極的寬度制作成與下部電極的寬度大致相同的尺寸，上述上部電極和下部電極大致重疊配置，所以可以削減在存儲(chǔ)單元陣列上占據(jù)但并不作為存儲(chǔ)單元電容器的電容元件工作的無效區(qū)域。
本發(fā)明的第4方面的特征在于在本發(fā)明的第2方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，上述上部電極的寬度和上述下部電極的寬度大致相同，上述上部電極的寬度方向的位置和上述下部電極的寬度方向的位置不同。
根據(jù)本發(fā)明的第4方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的上部電極的寬度制作成與下部電極的寬度大致相同的尺寸，上述上部電極和下部電極錯(cuò)開配置，所以具有可以根據(jù)上述上部電極和下部電極的錯(cuò)開量調(diào)整存儲(chǔ)單元電容器的電容的效果。
本發(fā)明的第5方面是具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器是由經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的鐵電體層及在上述鐵電體層的上面形成的上部電極構(gòu)成的，上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的電極，上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極，上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述鐵電體層的邊緣的位置大致一致，上述上部電極的另一個(gè)邊緣位于上述鐵電體層的內(nèi)側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的第5方面，因?yàn)閷⒋鎯?chǔ)單元電容器的下部電極配置成為其邊緣位于比鐵電體層更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置，所以具有可以抑制在上部電極和下部電極之間發(fā)生漏電的效果。
本發(fā)明的第6方面的特征在于在本發(fā)明的第5方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，上述下部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置大致一致。
根據(jù)本發(fā)明的第6方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的下部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置大致一致，所以具有上部電極的配置間隔和下部電極的配置間隔配合起來可以使存儲(chǔ)單元的尺寸減小的效果。
本發(fā)明的第7方面是具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器是由經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的鐵電體層及在上述鐵電體層的上面形成的上部電極構(gòu)成的，上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的電極，上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極，上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述鐵電體層的邊緣的位置大致一致，上述上部電極的另一個(gè)邊緣位于比上述鐵電體層更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置，上述下部電極的一個(gè)邊緣位于上述鐵電體層的內(nèi)側(cè)，并且下部電極的另一個(gè)邊緣的位置與上述鐵電體層的邊緣的位置大致一致。
根據(jù)本發(fā)明的第7方面，因?yàn)樯喜侩姌O的一個(gè)邊緣位于比鐵電體層更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置并且下部電極的一個(gè)邊緣位于比鐵電體層更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置，此外，鐵電體層的一個(gè)邊緣與上部電極的另一個(gè)邊緣大致一致，鐵電體層的另一個(gè)邊緣與下部電極的另一個(gè)邊緣一致，所以從上部電極的邊緣至下部電極的邊緣的沿面距離最大，可以更加抑制漏電的發(fā)生。
本發(fā)明的第8方面的特征在于在本發(fā)明的第1方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，上述下部電極具有溝型結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的第8方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的下部電極制作成為溝形結(jié)構(gòu)，所以可以不增大存儲(chǔ)單元陣列上的存儲(chǔ)單元電容器的占有面積而增大存儲(chǔ)單元電容器的電容。
另外，由于存儲(chǔ)單元電容器的立體結(jié)構(gòu)是溝型結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，也具有在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此凹部中形成鐵電體層時(shí)容易使形成的該層厚度很薄的效果。其結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
本發(fā)明的第9方面的特征在于在本發(fā)明的第8方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向平行的方向。
根據(jù)本發(fā)明的第9方面，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向平行的方向，所以具有上部電極的邊緣不必跨越溝部，上部電極容易加工的效果。
本發(fā)明的第10方面的特征在于在本發(fā)明的第8方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向垂直的方向。
根據(jù)本發(fā)明的第10方面，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向垂直的方向，所以通過將上部電極和下部電極對(duì)置的區(qū)域作為在與上部電極的延伸方向垂直的方向上的長(zhǎng)的平面形狀，可以有效地增大電容器的電容。
本發(fā)明的第11方面是具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器是由經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的鐵電體層及在上述鐵電體層的上面形成的上部電極構(gòu)成的，上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的具有溝型結(jié)構(gòu)的電極，上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極。
根據(jù)本發(fā)明的第11方面，因?yàn)榇鎯?chǔ)單元電容器的下部電極制作成為溝型結(jié)構(gòu)，所以可以不增大存儲(chǔ)單元陣列上的存儲(chǔ)單元電容器的占有面積而增大存儲(chǔ)單元電容器的電容。
另外，由于存儲(chǔ)單元電容器的立體結(jié)構(gòu)是溝型結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，也具有在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此凹部中形成鐵電體層時(shí)容易使形成的該層厚度很薄的效果。其結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
本發(fā)明的第12方面的特征在于在本發(fā)明的第11方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向平行的方向。
根據(jù)本發(fā)明的第12方面，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向平行的方向，所以具有上部電極的邊緣不必跨越溝部，上部電極容易加工的效果。
本發(fā)明的第13方面的特征在于在本發(fā)明的第11方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向垂直的方向。
根據(jù)本發(fā)明的第13方面，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向垂直的方向，所以通過將上部電極和下部電極對(duì)置的區(qū)域作為在與上部電極的延伸方向垂直的方向上的長(zhǎng)的平面形狀，可以有效地增大電容器的電容。
本發(fā)明的第14方面的特征在于在本發(fā)明的第11方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，具有上述溝型結(jié)構(gòu)的下部電極是由構(gòu)成上述溝部的底面部的平面狀的第1下部電極部和構(gòu)成上述溝部的側(cè)面部及溝部開口周緣部的第2下部電極部構(gòu)成的。
根據(jù)本發(fā)明的第14方面，因?yàn)榫哂猩鲜鰷闲徒Y(jié)構(gòu)的下部電極是由構(gòu)成上述溝部的底面部的平面狀的第1下部電極部和構(gòu)成上述溝部的側(cè)面部及溝部開口周緣部的第2下部電極部構(gòu)成的，所以在溝部的底面積、側(cè)面部、及開口周緣部上，可以在相同條件下形成電極部，可以使構(gòu)成電極部的導(dǎo)電膜的膜厚及特性均勻。
本發(fā)明的第15方面的特征在于在本發(fā)明的第11方面所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，具有上述溝型結(jié)構(gòu)的下部電極是由構(gòu)成上述溝部的底面部的第1下部電極部和只構(gòu)成上述溝部的側(cè)面部的第2下部電極部構(gòu)成的。
根據(jù)本發(fā)明的第15方面，因?yàn)榫哂猩鲜鰷闲徒Y(jié)構(gòu)的下部電極是由構(gòu)成上述溝部的底面部的第1下部電極部和只構(gòu)成上述溝部的側(cè)面部的第2下部電極部構(gòu)成的，所以具有可以減少在對(duì)上部電極層進(jìn)行構(gòu)圖加工時(shí)下部電極的與上部電極接觸而發(fā)生漏電的部分的效果。


圖1(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的鐵電體存儲(chǔ)裝置101的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器101a的電極的布局。
圖1(b)為圖1(a)的Ia-Ia線剖面圖，示出上述鐵電體電容器101a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖2(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的鐵電體存儲(chǔ)裝置102的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器102a的電極的布局。
圖2(b)為圖2(a)的IIa-IIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器102a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖3(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式3的鐵電體存儲(chǔ)裝置103的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器103a的電極的布局。
圖3(b)為圖3(a)的IIIa-IIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器103a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖4(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式4的鐵電體存儲(chǔ)裝置104的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器104a的電極的布局。
圖4(b)為圖4(a)的IVa-IVa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器104a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖5(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式5的鐵電體存儲(chǔ)裝置105的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器105a的電極的布局。
圖5(b)為圖5(a)的Va-Va線剖面圖，示出上述鐵電體電容器105a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖6(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式6的鐵電體存儲(chǔ)裝置106的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器106a的電極的布局。
圖6(b)為圖6(a)的VIa-VIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器106a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖7(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式7的鐵電體存儲(chǔ)裝置107的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器107a的電極的布局。
圖7(b)為圖7(a)的VIIa-VIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器107a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖8(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式8的鐵電體存儲(chǔ)裝置108的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器108a的電極的布局。
圖8(b)為圖8(a)的VIIIa-VIIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器101a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖9(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式9的鐵電體存儲(chǔ)裝置109的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器109a的電極的布局。
圖9(b)為圖9(a)的IXa-IXa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器109a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖10(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式10的鐵電體存儲(chǔ)裝置110的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器110a的電極的布局。
圖10(b)為圖10(a)的Xa-Xa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器110a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖11(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式11的鐵電體存儲(chǔ)裝置111的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器111a的電極的布局。
圖11(b)為圖11(a)的XIa-XIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器111a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖12(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式12的鐵電體存儲(chǔ)裝置112的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器112a的電極的布局。
圖12(b)為圖12(a)的XIIa-XIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器112a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖13(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式13的鐵電體存儲(chǔ)裝置113的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器113a的電極的布局。
圖13(b)及圖13(c)分別為圖13(a)的XIIIa-XIIIa線剖面圖及圖13(a)的XIIIb-XIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器113a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖14(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式14的鐵電體存儲(chǔ)裝置114的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器114a的電極的布局。
圖14(b)及圖14(c)分別為圖14(a)的XIVa-XIVa線剖面圖及圖14(a)的XIVb-XIVb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器114a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖15(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式15的鐵電體存儲(chǔ)裝置115的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器115a的電極的布局。
圖15(b)及圖15(c)分別為圖15(a)的XVa-XVa線剖面圖及圖15(a)的XVb-XVb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器115a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖16(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式16的鐵電體存儲(chǔ)裝置116的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器116a的電極的布局。
圖16(b)及圖16(c)分別為圖16(a)的XVIa-XVIa線剖面圖及圖16(a)的XVIb-XVIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器116a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖17(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式17的鐵電體存儲(chǔ)裝置117的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器117a的電極的布局。
圖17(b)及圖17(c)分別為圖17(a)的XVIIa-XVIIa線剖面圖及圖17(a)的XVIIb-XVIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器117a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖18(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置118的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器118a的電極的布局。
圖18(b)及圖18(c)分別為圖18(a)的XVIIIa-XVIIIa線剖面圖及圖18(a)的XVIIIb-XVIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器118a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖19(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式19的鐵電體存儲(chǔ)裝置119的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器119a的電極的布局。
圖19(b)及圖19(c)分別為圖19(a)的XIXa-XIXa線剖面圖及圖19(a)的XIXb-XIXb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器118a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖20(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式20的鐵電體存儲(chǔ)裝置120的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器120a的電極的布局。
圖20(b)及圖20(c)分別為圖20(a)的XXa-XXa線剖面圖及圖20(a)的XVIIIb-XVIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器120a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖21(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式21的鐵電體存儲(chǔ)裝置121的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器121a的電極的布局。
圖21(b)及圖21(c)分別為圖21(a)的XXIa-XXIa線剖面圖及圖21(a)的XXIb-XXIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器121a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖22(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式22的鐵電體存儲(chǔ)裝置122的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器122a的電極的布局。
圖22(b)及圖22(c)分別為圖22(a)的XXIIa-XXIIa線剖面圖及圖22(a)的XXIIb-XXIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器122a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖23(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式23的鐵電體存儲(chǔ)裝置123的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器123a的電極的布局。
圖23(b)及圖23(c)分別為圖23(a)的XXIIIa-XXIIIa線剖面圖及圖23(a)的XXIIIb-XXIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器123a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖24(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式24的鐵電體存儲(chǔ)裝置124的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器124a的電極的布局。
圖24(b)及圖24(c)分別為圖24(a)的XXIVa-XXIVa線剖面圖及圖24(a)的XXIVb-XXIVb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器124a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖25(a)為說明現(xiàn)有的鐵電體存儲(chǔ)裝置100的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器100a的電極的布局。
圖25(b)為圖25(a)的XXVa-XXVa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器100a的剖面結(jié)構(gòu)。
圖26(a)為說明現(xiàn)有的鐵電體存儲(chǔ)裝置200的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器200a的電極的布局。
圖26(b)及圖26(c)分別為圖26(a)的XXVIa-XXVIa線剖面圖及圖26(a)的XXVIb-XXVIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器200a的剖面結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
(實(shí)施方式1)圖1(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式1的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖1(b)為圖1(a)的Ia-Ia線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式1的鐵電體存儲(chǔ)裝置101，是具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣位于比構(gòu)成該存儲(chǔ)單元電容器的鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的裝置。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置101的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向(橫向)D1及第2方向(縱向)D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器101a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在該下部電極2上形成的鐵電體層3及在該鐵電體層3上形成的上部電極4構(gòu)成的。
其中，構(gòu)成上述存儲(chǔ)單元電容器101a的下部電極2，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的電極。就是說，該下部電極2，在存儲(chǔ)單元陣列上以矩陣形狀排列，各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極，經(jīng)貫通上述絕緣膜的接觸部1與在基板上形成的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。其中，接觸部1，是由在上述絕緣膜上形成的接觸孔內(nèi)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的。
上述鐵電體層3，是沿著第2方向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元共用的，跨越在沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2與第2方向D2延伸。此鐵電體層3的與第2方向D2平行的左右邊緣31a及32a，與位于鐵電體層3的下側(cè)的多個(gè)下部電極2的與第2方向D2平行的左右邊緣21a及22a一致或大致一致。
上部電極4，與上述鐵電體層3一樣，是沿著第2方向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元共用的，是跨越在沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2與第2方向D2延伸的平板電極。此上部電極4的與第2方向D2平行的左右邊緣41a及42a，分別位于比上述鐵電體層3的左右邊緣31a及32a更靠近內(nèi)側(cè)的位置。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器101a的下部電極2、鐵電體層3及上部電極4的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在基板上形成構(gòu)成存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元晶體管，在整個(gè)表面上形成絕緣膜之后，在與該絕緣膜的各存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分上形成接觸孔，在該接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2。另外，此時(shí)的下部電極層的加工，是通過加工使下部電極層成為與上部電極4延伸的第2方向D2垂直的第1方向D1平行的帶狀，也可以將各下部電極2通過構(gòu)圖形成跨越沿著第1方向D1排列的多個(gè)接觸部1的帶狀。
此外，在其上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。此時(shí)，在上部電極層加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。就是說，上部電極層加工中使用的掩模的寬度，即電極加工掩模的第1方向D1的尺寸比鐵電體層加工中使用的掩模的寬度，即鐵電體加工掩模的第1方向D1的尺寸小。
在實(shí)際制造時(shí)，鐵電體層及上部電極層的加工可以使用種種方法進(jìn)行。
例如，在鐵電體層及上部電極層加工中，可以采用在形成鐵電體層及上部電極層之后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極形狀，其后，使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工而形成跨越多個(gè)下部電極2的帶狀的鐵電體層3的方法(第1加工方法)。
另外，在鐵電體層及上部電極層的加工中，可以采用使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層及上部電極層進(jìn)行加工形成鐵電層3和具有與該鐵電體層3相同的平面圖形的上部電極層，其后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極形狀的方法(第2加工方法)。
此外，在鐵電體層及上部電極層的加工中，可以采用在使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工時(shí)，對(duì)先加工的，例如，帶狀的下部電極層也使用鐵電體加工掩模進(jìn)行加工而形成與各存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的下部電極的方法(第3加工方法)。
這樣，在本實(shí)施方式1中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣位于比該鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有可以抑制或防止在上部電極和下部電極之間漏電的效果。
另外，還具有可以在對(duì)鐵電體層進(jìn)行掩模加工時(shí)，對(duì)先加工的，例如，帶狀的下部電極也進(jìn)行加工時(shí)，以與鐵電體層的加工相同的掩模進(jìn)行對(duì)下部電極的分離的效果。就是說，可以實(shí)現(xiàn)不受下部電極的加工掩模和鐵電體加工掩模的掩模錯(cuò)開的影響而確保下部電極的大小的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
(實(shí)施方式2)圖2(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式2的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖2(b)為圖2(a)的IIa-IIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式2，是使一個(gè)鐵電體層與上述實(shí)施方式1中相鄰的兩個(gè)平板電極相對(duì)應(yīng)的實(shí)施方式1的應(yīng)用例，是使對(duì)實(shí)施方式1中的沿著第2方向D2的下部電極列每一個(gè)配置的鐵電體層成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)下部電極列共用的鐵電體層3b的實(shí)施方式。所以，此實(shí)施方式2的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，是上部電極4的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣4a及4b位于比沿著鐵電體層3b的縱向D2的左右的邊緣3b1及3b2更靠近內(nèi)側(cè)的位置的結(jié)構(gòu)。
另外，在本實(shí)施方式2中，在下部電極層加工時(shí)，對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2的縱向的左右邊緣的一個(gè)不進(jìn)行加工而是在鐵電體層加工之際對(duì)在下部電極層加工時(shí)未加工的下部電極的邊緣進(jìn)行加工。結(jié)果，在未加工鐵電體層的部分中，存儲(chǔ)單元電容器的配置間隔減小而可以縮小存儲(chǔ)單元面積。
具體言之，在本實(shí)施方式2的鐵電體存儲(chǔ)裝置102的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器102a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在該下部電極2上形成的鐵電體層3b及在該鐵電體層3b上形成的上部電極4構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2與實(shí)施方式1中的相同，下部電極2經(jīng)接觸部1與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。
上述鐵電體層3b，成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元列共用的，跨越在沿著第2方向D2排列的相鄰的兩個(gè)下部電極列的形狀。此鐵電體層3b的與第2方向D2平行的左邊緣31a，與位于鐵電體層3b的下側(cè)的相對(duì)置的兩個(gè)下部電極列的左側(cè)列的下部電極2的與第2方向D2平行的左邊緣21a一致或大致一致。此鐵電體層3b的與第2方向D2平行的右邊緣32a，與位于鐵電體層3b的下側(cè)的相對(duì)置的兩個(gè)下部電極列的右側(cè)列的下部電極2的與第2方向D2平行的右邊緣22a一致或大致一致。
上述上部電極4，與實(shí)施方式1中的相同，此上部電極4的與第2方向D2平行的左右邊緣41a及42a分別位于比上述鐵電體層3b的左右邊緣31a及32a更靠近內(nèi)側(cè)的位置。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器101a的下部電極2、鐵電體層3b及上部電極4的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式1一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2。此時(shí)，經(jīng)過加工使下部電極層分離成為在沿著第1方向D1排列的相鄰的兩個(gè)接觸部1上跨越的部分。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，鐵電體層及上部電極層的加工可以使用種種方法進(jìn)行。
例如，在鐵電體層及上部電極層加工中，可以采用在形成鐵電體層及上部電極層之后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極形狀，其后，使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工而形成跨越沿著縱向D2排列的兩列的下部電極2的很寬的帶狀的鐵電體層3b的方法(第1加工方法)。
另外，在鐵電體層及上部電極層的加工中，可以采用使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層及上部電極層進(jìn)行加工形成鐵電層3和具有與該鐵電體層3相同的平面圖形的上部電極層，其后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極形狀的方法(第2加工方法)。
此外，在鐵電體層及上部電極層的加工中，可以采用在使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工時(shí)，對(duì)先加工的，例如，跨越相鄰兩個(gè)接觸部1的帶狀的下部電極層也使用鐵電體加工掩模進(jìn)行加工而形成與各存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的下部電極的方法(第3加工方法)。
這樣，在本實(shí)施方式2中，與實(shí)施方式1一樣，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為存儲(chǔ)單元電容器的上部電極4的左右邊緣位于比該鐵電體層3b的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有可以抑制或防止在上部電極和下部電極之間漏電的效果。
另外，還具有可以在對(duì)鐵電體層進(jìn)行掩模加工時(shí)，對(duì)先加工的，例如，帶狀的下部電極也進(jìn)行加工時(shí)，以與鐵電體層的加工相同的掩模進(jìn)行對(duì)下部電極的分離的效果。
另外，在該實(shí)施方式2中，因?yàn)閷㈣F電層制作成為跨越相鄰兩列的下部電極的很寬的帶狀，所以在這兩個(gè)下部電極列之間不進(jìn)行分離鐵電體膜的加工。因此，與實(shí)施方式1相比具有可以進(jìn)一步縮小存儲(chǔ)單元面積的效果。
另外，在上述實(shí)施方式2中，是通過加工使鐵電體層跨越兩條板線，但鐵電體層也可以加工成為跨越大于等于三條板線。
(實(shí)施方式3)圖3(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式3的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖3(b)為圖3(a)的IIIa-IIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式3的鐵電體存儲(chǔ)裝置103，是具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣位于比該存儲(chǔ)單元電容器的鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，存儲(chǔ)單元電容器的下部電極層的邊緣也位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的裝置。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置103的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器103a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2c，在該下部電極2c上形成的鐵電體層3c及在該鐵電體層3c上形成的上部電極4c構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2c，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的電極。就是說，該下部電極2c，在存儲(chǔ)單元陣列上以矩陣形狀排列，各下部電極2c，經(jīng)貫通上述絕緣膜的接觸部1與在基板上形成的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。其中，接觸部1，與實(shí)施方式1一樣，是由在上述絕緣膜上形成的接觸孔內(nèi)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的。
上述鐵電體層3c，是沿著第2方向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元共用的，跨越在沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2c與第2方向D2延伸。此鐵電體層3c的與第2方向D2平行的左右邊緣31c及32c，位于在鐵電體層3的下側(cè)的多個(gè)下部電極2c的與第2方向D2平行的左右邊緣21c及22c的外側(cè)。
上述上部電極4c，與上述鐵電體層3c一樣，是沿著第2方向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元共用的，跨越在沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2c與第2方向D2延伸的平板電極。此上部電極4c的與第2方向D2平行的左右邊緣41c及42c，分別位于比上述鐵電體層3c的左右邊緣31c及32c更靠近內(nèi)側(cè)的位置，位于上述上部電極2c的左右邊緣21c及22c的外側(cè)。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器101a的下部電極2c、鐵電體層3c及上部電極4c的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式1一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器分別獨(dú)立的下部電極2c。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
就是說，在鐵電體層及上部電極層加工中，可以采用在形成鐵電體層及上部電極層之后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極4c形狀，其后，使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工而形成跨越多個(gè)下部電極2c的帶狀的鐵電體層3c的方法(第1加工方法)。
另外，在鐵電體層及上部電極層的加工中，可以采用使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層及上部電極層進(jìn)行加工形成鐵電層3c和具有與該鐵電體層3c相同的平面圖形的上部電極層，其后，使用電極加工掩模對(duì)該上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極4c形狀的方法(第2加工方法)。
這樣，在本實(shí)施方式3中，與實(shí)施方式1一樣，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成上部電極4c的邊緣41c及42c位于比鐵電體層3c的邊緣31c及32c更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有可以使上部電極和下部電極之間漏電難以發(fā)生的效果。
另外，在本實(shí)施方式3中，與實(shí)施方式1不同，因?yàn)橄虏侩姌O2c的邊緣21c及22c是位于比鐵電體層3c的邊緣31c及32c更靠近內(nèi)側(cè)的位置，所以具有可以使上部電極和下部電極之間漏電更加難以發(fā)生的效果。
(實(shí)施方式4)
圖4(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式4的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖4(b)為圖4(a)的IVa-IVa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式4，是使一個(gè)鐵電體層與上述實(shí)施方式3中相鄰的兩個(gè)平板電極相對(duì)應(yīng)的實(shí)施方式3的應(yīng)用例，是使對(duì)實(shí)施方式3中的沿著第2方向D2的下部電極列每一個(gè)配置的鐵電體層成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)下部電極列共用的鐵電體層3d的實(shí)施方式。所以，此實(shí)施方式4的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，是上部電極4c的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣41c及42c位于比沿著縱向D2的鐵電體層3d的左右的邊緣31d及32d更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極2c的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣21c及22c位于比沿著縱向D2的鐵電體層3d的左右的邊緣31d及32d更靠近內(nèi)側(cè)的位置的結(jié)構(gòu)。
具體言之，在本實(shí)施方式4的鐵電體存儲(chǔ)裝置104的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器104a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2c、在該下部電極2c上形成的鐵電體層3d及在該鐵電體層3d上形成的上部電極4c構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2c與實(shí)施方式3中的相同，下部電極2c經(jīng)接觸部1與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。
上述鐵電體層3d，成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元列共用的，跨越在沿著第2方向D2排列的相鄰的兩個(gè)下部電極列的形狀。此相鄰的兩列下部電極的與第2方向D2平行的左右邊緣21c及22c，位于鐵電體層3d的與第2方向D2平行的左右邊緣31d及32d的內(nèi)側(cè)。
上述上部電極4c，與實(shí)施方式3中的相同，此上部電極4c的與第2方向D2平行的左右邊緣41c及42c分別位于比上述鐵電體層3d的左右邊緣31c及32c更靠近內(nèi)側(cè)的位置。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器103a的下部電極2c、鐵電體層3d及上部電極4c的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式3一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2c。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
就是說，在鐵電體層及上部電極層加工中，可以采用在形成鐵電體層及上部電極層之后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極4c形狀，其后，使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工而形成跨越沿著縱向D2排列的兩列的下部電極2的很寬的帶狀的鐵電體層3d的方法(第1加工方法)。
另外，在鐵電體層及上部電極層的加工中，可以采用使用鐵電體加工掩模對(duì)鐵電體層及上部電極層進(jìn)行加工形成鐵電層3d和具有與該鐵電體層3d相同的平面圖形的上部電極層，其后，使用電極加工掩模對(duì)上部電極層進(jìn)行加工而形成上部電極4c形狀的方法(第2加工方法)。
這樣，在本實(shí)施方式4中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為存儲(chǔ)單元電容器的上部電極4c的左右邊緣位于比該鐵電體層3d的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有可以抑制或防止在上部電極和下部電極之間漏電的效果。
另外，在本實(shí)施方式4中，與實(shí)施方式1不同，因?yàn)橄虏侩姌O2c的邊緣21c及22c是位于比鐵電體層3d的邊緣31d及32d更靠近內(nèi)側(cè)的位置，所以具有可以使上部電極和下部電極之間漏電更加難以發(fā)生的效果。
此外，在本實(shí)施方式4中，因?yàn)槭菍㈣F電體層制作成為跨越相鄰兩列的下部電極的很寬的帶狀，所以在這兩個(gè)下部電極列之間不進(jìn)行分離鐵電體膜的加工。因此，與實(shí)施方式3相比具有可以更縮小存儲(chǔ)單元面積的效果。
(實(shí)施方式5)圖5(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式5的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖5(b)為圖5(a)的Va-Va線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式5的鐵電體存儲(chǔ)裝置105，是具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極層的邊緣也位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，上部電極和下部電極的寬度相同或大致相同，上部電極和下部電極位于同一位置而重疊的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的裝置。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置105的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器105a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2c，在該下部電極2c上形成的鐵電體層3及在該鐵電體層3上形成的上部電極4構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2c與實(shí)施方式3中的相同，下部電極2c，與實(shí)施方式3一樣，經(jīng)接觸部1與在基板上形成的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。另外，上述鐵電體層3及上部電極4，與實(shí)施方式1中的相同。此鐵電體層3的與第2方向D2平行的左右邊緣31a及32a，位于在鐵電體層3的下側(cè)的多個(gè)下部電極2的與第2方向D2平行的左右邊緣21a及22a的外側(cè)。
此上部電極4的與第2方向D2平行的左右邊緣41a及42a，分別位于比上述鐵電體層3的左右邊緣31a及32a更靠近內(nèi)側(cè)的位置，位于與上述上部電極2c的左右邊緣21c及22c相同的位置或大致相同的位置。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器105a的下部電極2c、鐵電體層3及上部電極4的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式1一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器分別獨(dú)立的下部電極2c。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極加工中使用比鐵電體層的加工掩模更細(xì)，與下部電極加工掩模寬度相同或?qū)挾却笾孪嗤难谀！?br> 在實(shí)際制造時(shí)，與實(shí)施方式3一樣，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
這樣，在本實(shí)施方式5中，由于上部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。此外，由于上部電極和下部電極的寬度大致相同，并且這些電極位于相同位置，所以具有可以將存儲(chǔ)單元制作為以小的存儲(chǔ)單元面積確保大的電容器有效面積的結(jié)構(gòu)的效果。
(實(shí)施方式6)圖6(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式6的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖6(b)為圖6(a)的VIa-VIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式6，是使一個(gè)鐵電體層與上述實(shí)施方式5中相鄰的兩個(gè)平板電極(上部電極)相對(duì)應(yīng)的實(shí)施方式5的應(yīng)用例，是使對(duì)實(shí)施方式5中的沿著第2方向D2的下部電極列每一個(gè)配置的鐵電體層3成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)下部電極列共用的鐵電體層3f的實(shí)施方式。
所以，其中，存儲(chǔ)單元電容器106a由上述上部電極4、鐵電體層3f及下部電極2c構(gòu)成。于是，此實(shí)施方式6的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，是上部電極4的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣41a及42a位于比鐵電體層3f的沿著縱向D2的左右的邊緣31f及32f更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極2c的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣21c及22c位于比鐵電體層3f的沿著縱向D2的左右的邊緣31f及32f更靠近內(nèi)側(cè)的位置，上部電極和下部電極的寬度大致相同，在上部電極和下部電極的存儲(chǔ)單元陣列上的第1方向D1上的位置相同的結(jié)構(gòu)。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器106a的下部電極2c、鐵電體層3f及上部電極4的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式5一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2c。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層的加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，與實(shí)施方式4一樣，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
這樣，在本實(shí)施方式6中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為上部電極4c的左右邊緣位于比鐵電體層3f的左右邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極2c的左右邊緣位于比鐵電層3f的左右邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
此外，由于上部電極和下部電極的寬度大致相同，這些電極位于相同位置，所以具有可以將存儲(chǔ)單元制作為以小的存儲(chǔ)單元面積確保大的電容器有效面積的結(jié)構(gòu)的效果。
此外，在本實(shí)施方式6中，因?yàn)槭菍㈣F電體層3f制作成為跨越相鄰兩列的下部電極2c的很寬的帶狀，所以在這兩個(gè)下部電極列之間不進(jìn)行分離鐵電體膜的加工。因此，與實(shí)施方式5相比具有可以更縮小存儲(chǔ)單元面積的效果。
(實(shí)施方式7)圖7(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式7的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖7(b)為圖7(a)的VIIa-VIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式7的鐵電體存儲(chǔ)裝置107，是具有使實(shí)施方式5的上部電極和下部電極沿著第1方向D1錯(cuò)開配置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的裝置，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極層的邊緣也位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置107的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器107a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2g，在該下部電極2g上形成的鐵電體層3及在該鐵電體層3上形成的上部電極4g構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2g，是沿著第1方向D1向紙面左側(cè)錯(cuò)開實(shí)施方式5的下部電極2c以使其邊緣21c及22c不會(huì)伸出到鐵電體層3的邊緣31a及32a的外側(cè)而成的。上述鐵電體層3，與實(shí)施方式5中的相同。上述上部電極4g，是沿著第1方向D1向紙面右側(cè)錯(cuò)開實(shí)施方式5的上部電極4以使其邊緣41a及42a不會(huì)伸出到鐵電體層3的邊緣31a及32a的外側(cè)而成的。另外，21g及22g，是下部電極2g的左右邊緣，41g及42g是上部電極4g的左右邊緣。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器107a的下部電極2g、鐵電體層3及上部電極4g的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式1一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器獨(dú)立的下部電極2c。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層的加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄，與下部電極的寬度大致相同的寬度的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，如在實(shí)施方式3所說明的，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
這樣，在本實(shí)施方式7中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為上部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
此外，因?yàn)樯喜侩姌O和下部電極是沿著第1方向D錯(cuò)開配置的，所以除掉電極邊緣附近，只使用電極中心附近的膜質(zhì)穩(wěn)定的部分作為鐵電體電容器區(qū)域，所以具有可以實(shí)現(xiàn)特性穩(wěn)定的電容元件的效果。
(實(shí)施方式8)圖8(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式8的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖8(b)為圖8(a)的VIIIa-VIIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式8，是使一個(gè)鐵電體層與上述實(shí)施方式7中相鄰的兩個(gè)平板電極(即上部電極)相對(duì)應(yīng)的實(shí)施方式7的應(yīng)用例，是使對(duì)實(shí)施方式7中的沿著第2方向D2的下部電極列每一個(gè)配置的鐵電體層成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)下部電極列共用的鐵電體層3h的實(shí)施方式。
所以，其中，存儲(chǔ)單元電容器108a由上述上部電極4g、鐵電體層3h及下部電極2g構(gòu)成。另外，此實(shí)施方式8的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，是上部電極4g的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣41g及42g位于比鐵電體層3h的沿著縱向D2的左右的邊緣31h及32h更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極2g的沿著縱向(第2方向)D2的左右的邊緣21g及22g位于比鐵電體層3h的沿著縱向D2的左右的邊緣31h及32h更靠近內(nèi)側(cè)的位置的結(jié)構(gòu)。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器108a的下部電極2g、鐵電體層3h及上部電極4g的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式7一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2g。
之后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電層及上部電極層，這些鐵電層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層加工中使用比鐵電體層的加工掩模更細(xì)，與下部電極加工掩模寬度大致相同的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，與實(shí)施方式4一樣，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
這樣，在本實(shí)施方式8中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為上部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
此外，因?yàn)樯喜侩姌O和下部電極是沿著第1方向D錯(cuò)開配置的，所以除掉電極邊緣附近，只使用電極中心附近的膜質(zhì)穩(wěn)定的部分作為鐵電體電容器區(qū)域，所以具有可以實(shí)現(xiàn)特性穩(wěn)定的電容元件的效果。
此外，在本實(shí)施方式8中，因?yàn)槭菍㈣F電體層制作成為跨越相鄰兩列的下部電極的很寬的帶狀，所以在這兩個(gè)下部電極列之間不進(jìn)行分離鐵電體膜的加工。因此，與實(shí)施方式7相比具有可以進(jìn)一步縮小存儲(chǔ)單元面積的效果。
(實(shí)施方式9)圖9(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式9的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖9(b)為圖9(a)的IXa-IXa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式9的鐵電體存儲(chǔ)裝置109，是具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣的一部分位于比該存儲(chǔ)單元電容器的鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，上部電極的另一邊緣位于與該存儲(chǔ)單元電容器的鐵電體層的邊緣一致的位置的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的裝置。
具體言之，在本實(shí)施方式9的鐵電體存儲(chǔ)裝置109的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器109a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2c，在該下部電極2c上形成的鐵電體層3i及在該鐵電體層3i上形成的上部電極4c構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2c與實(shí)施方式3中的相同，下部電極2c，經(jīng)接觸部1與存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。
上述鐵電體層3i，成為沿著第2方向D2的相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元列共用的，跨越在沿著第2方向D2排列的相鄰的兩個(gè)下部電極列的形狀。此相鄰的兩列下部電極的與第2方向D2平行的左右邊緣21c及22c，位于鐵電體層3i的與第2方向D2平行的左右邊緣31i及32i的內(nèi)側(cè)。
上述上部電極4c，與實(shí)施方式3中的相同，此上部電極4c的與第2方向D2平行的左右邊緣41c及42c分別位于比上述鐵電體層3i的左右邊緣31i及32i更靠近內(nèi)側(cè)的位置。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器109a的下部電極2c、鐵電體層3i及上部電極4c的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式3一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2c。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。對(duì)鐵電體層的邊緣和上部電極的邊緣一致的部分，可以在鐵電體層加工時(shí)也同時(shí)加工上部電極。
這樣，在本實(shí)施方式9中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為下部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
另外，在本實(shí)施方式9中，與實(shí)施方式8一樣，因?yàn)槭菍㈣F電體層制作成為跨越相鄰兩列的下部電極的很寬的帶狀，所以在這兩個(gè)下部電極列之間不進(jìn)行分離鐵電體膜的加工。因此，與實(shí)施方式8一樣，更具有可以縮小存儲(chǔ)單元面積的效果。
(實(shí)施方式10)圖10(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式10的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖10(b)為圖10(a)的Xa-Xa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式10的鐵電體存儲(chǔ)裝置110，是具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的邊緣位于比該存儲(chǔ)單元電容器的鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，并且位于與下部電極的邊緣大致相同的位置，而上部電極的另一邊緣位于與該存儲(chǔ)單元電容器的鐵電體層的邊緣一致的位置的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)的裝置。
換言之，本實(shí)施方式10的存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)，是使實(shí)施方式9中的位于一個(gè)鐵電體層3i下側(cè)的兩列的下部電極的間隔變窄，以使左側(cè)列的下部電極的右側(cè)邊緣22j和右側(cè)列的下部電極的左側(cè)邊緣21j分別與鐵電體層3i上的相鄰兩列的左列的上部電極4c的右側(cè)邊緣42c和相鄰的兩列的右側(cè)列的上部電極4c的左側(cè)邊緣42c相一致。
其中，構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器110a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2j，在該下部電極2j上形成的鐵電體層3i及在該鐵電體層3i上形成的上部電極4c構(gòu)成的。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器110a的下部電極2j、鐵電體層3i及上部電極4j的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式1一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器獨(dú)立的下部電極2j。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層的加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
另外，對(duì)和鐵電體層的邊緣一致的上部電極邊緣，可以在鐵電體層加工時(shí)進(jìn)行加工。
這樣，在本實(shí)施方式10中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為下部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
另外，由于與鐵電體層上的上部電極相對(duì)置的邊緣的位置，與鐵電體層的下側(cè)的兩列的下部電極的相對(duì)置的邊緣的位置大致一致，所以具有可以縮小存儲(chǔ)單元尺寸的效果。
(實(shí)施方式11)圖11(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式11的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖11(b)為圖11(a)的XIa-XIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式11的鐵電體存儲(chǔ)裝置111，是具有使實(shí)施方式5的上部電極和下部電極沿著第1方向(橫向)D1錯(cuò)開配置的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的裝置，存儲(chǔ)單元電容器的上部電極的右側(cè)邊緣位于比鐵電體層的右側(cè)邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，上部電極的左側(cè)邊緣與鐵電體層的左側(cè)邊緣一致，下電極層的左側(cè)邊緣位于比鐵電體層的左側(cè)邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，上部電極的右側(cè)邊緣與鐵電體層的右側(cè)邊緣一致。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置111的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器111a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2j，在該下部電極2j上形成的鐵電體層3j及在該鐵電體層3j上形成的上部電極4j構(gòu)成的。
其中，上述下部電極2j，是沿著第1方向D1向紙面右側(cè)錯(cuò)開實(shí)施方式5的下部電極2c以使其右側(cè)邊緣21c與鐵電體層3的右側(cè)邊緣31a一致而成的。上述鐵電體層3j的寬度小于實(shí)施方式5中的鐵電體層3的寬度。上述上部電極4j，是沿著第1方向D1向紙面左側(cè)錯(cuò)開實(shí)施方式5的上部電極4以使左側(cè)邊緣41a與鐵電體層3的左側(cè)邊緣31a一致而成的。另外，21j及22j，是下部電極2j的左側(cè)及右側(cè)邊緣，41j及42j，是上部電極4j的左側(cè)及右側(cè)邊緣。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器111a的下部電極2j、鐵電體層3j及上部電極4j的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，與實(shí)施方式1一樣地形成存儲(chǔ)單元晶體管、絕緣膜及接觸部。
之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器獨(dú)立的下部電極2j。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層的加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄，與下部電極大致相同寬度的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
對(duì)鐵電體層的邊緣和上部電極的邊緣一致的部分，也可以在鐵電體層加工時(shí)也同時(shí)加工上部電極。
這樣，在本實(shí)施方式11中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為下部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
另外，因?yàn)樯喜侩姌O和下部電極是沿著第1方向D錯(cuò)開配置的，所以除掉電極邊緣附近，只使用電極中心附近的膜質(zhì)穩(wěn)定的部分作為鐵電體電容器區(qū)域，所以具有可以實(shí)現(xiàn)特性穩(wěn)定的電容元件的效果。
(實(shí)施方式12)圖12(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式12的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。另外，圖12(b)為圖12(a)的XIIa-XIIa線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式12的鐵電體存儲(chǔ)裝置112是實(shí)施方式8的鐵電體存儲(chǔ)裝置108的更具體的裝置，在圖12(a)及圖12(b)中示出實(shí)施方式8的鐵電體存儲(chǔ)裝置108的存儲(chǔ)單元晶體管及位線等存儲(chǔ)單元陣列。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置112的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。在此存儲(chǔ)單元陣列上沿著存儲(chǔ)單元的排列方向D2排列多條字線11，而沿著存儲(chǔ)單元的排列方向D1排列多條位線12。上述字線11的位于存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域上的部分為該存儲(chǔ)單元晶體管的柵極，另外，上述位線12經(jīng)位線接觸部13與上述存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域相連接。
構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器112a，是由在基板10上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2g，在該下部電極2g上形成的鐵電體層3h及在該鐵電體層3h上形成的上部電極4g構(gòu)成的。其中，上述下部電極2g、鐵電體層3h及上部電極4g與實(shí)施方式8中的相同。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器112a的下部電極2g、鐵電體層3h及上部電極4g的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
首先，在基板10的表面區(qū)域中形成存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)，在基板10上經(jīng)柵絕緣膜(未圖示)形成字線12。此外，形成層間絕緣膜，在該層間絕緣膜上形成位線接觸部13，其后，形成位線11并使其與位線接觸部13相連接。
于是，再在形成層間絕緣膜之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器獨(dú)立的下部電極2g。
其后，在整個(gè)表面上順序形成鐵電體層及上部電極層，這些鐵電體層及上部電極層是分別使用不同的掩模進(jìn)行加工的。
此時(shí)，在上部電極層的加工中使用比鐵電體層的加工中使用的掩模的寬度窄，與下部電極大致相同寬度的掩模。
在實(shí)際制造時(shí)，既可以在上部電極的加工后對(duì)鐵電體層進(jìn)行加工，也可以在鐵電體層的加工后對(duì)上部電極進(jìn)行加工。
這樣，在本實(shí)施方式12中，因?yàn)槭菍⒋鎯?chǔ)單元制作成為上部電極的邊緣位于比鐵電體層的邊緣更靠近內(nèi)側(cè)的位置，下部電極的邊緣位于鐵電層的邊緣的內(nèi)側(cè)的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，所以具有在上部電極和下部電極之間沒有漏電的效果。
另外，因?yàn)樯喜侩姌O和下部電極是沿著第1方向D錯(cuò)開配置的，所以除掉電極邊緣附近，只使用電極中心附近的膜質(zhì)穩(wěn)定的部分作為鐵電體電容器區(qū)域，所以具有可以實(shí)現(xiàn)特性穩(wěn)定的電容元件的效果。
此外，在本實(shí)施方式12中，與實(shí)施方式8一樣，因?yàn)槭菍㈣F電體層制作成為跨越相鄰兩列的下部電極的很寬的帶狀，所以在這兩個(gè)下部電極列之間不進(jìn)行分離鐵電體膜的加工。因此，與實(shí)施方式8一樣，更具有可以縮小存儲(chǔ)單元面積的效果。
另外，在本實(shí)施方式8中，是將位線配置在比存儲(chǔ)單元電容器更靠下側(cè)的位置，但位線也可以配置在存儲(chǔ)單元電容器的上側(cè)。
(實(shí)施方式13)圖13(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式13的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局，圖13(b)及圖13(c)分別為圖13(a)的XIIIa-XIIIa線剖面圖及圖13(a)的XIIIb-XIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。另外，以下將鐵電體電容器稱為存儲(chǔ)單元電容器。
本實(shí)施方式13的鐵電體存儲(chǔ)裝置113，具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列。另外，在此實(shí)施方式13中，鐵電體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元，是沿著存儲(chǔ)單元的排列方向D2在存儲(chǔ)單元電容器的多個(gè)下部電極2上形成跨越這些下部電極2的溝部，制作成在該溝部?jī)?nèi)及其周邊區(qū)域上形成基底電極層5、鐵電體層3m及上部電極4m的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，增加存儲(chǔ)單元電容器的電容的存儲(chǔ)單元。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置113的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器113a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在跨越多個(gè)下部電極2的帶狀溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5、在該基底電極層5上形成的鐵電體層3m以及在該鐵電體層3m上形成的上部電極4m構(gòu)成的。
其中，構(gòu)成上述存儲(chǔ)單元電容器113a的下部電極2，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的電極。就是說，該下部電極2，在存儲(chǔ)單元陣列上以矩陣形狀排列，各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極，經(jīng)貫通上述絕緣膜的接觸部1與在基板上形成的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。其中，接觸部1，是由在上述絕緣膜上形成的接觸孔內(nèi)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的。
另外，在上述下部電極上形成的層間絕緣膜(未圖示)上形成跨越多個(gè)下部電極2的帶狀開孔(以下也稱其為溝部)，上述基底電極層5，在帶狀開孔內(nèi)的下部電極2露出的區(qū)域及其周邊區(qū)域上形成。另外，上述鐵電體層3m在上述基底電極層5上形成。
其中，鐵電體層3m及基底電極層5，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的。
上述上部電極4m，是沿著第2方向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元共用的，在上述溝部?jī)?nèi)及其周邊的鐵電體層3m上，跨越在沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2而形成的。
另外，圖中113b是跨越多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器113a沿著第2方向D2上延伸的溝部。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器113的下部電極2、基底電極層5、鐵電體層3m及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在基板(未圖示)形成構(gòu)成存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元晶體管，并在整個(gè)表面上形成絕緣膜之后，在與該絕緣膜的各存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分上形成接觸孔，在該接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成接觸部1。
如上所述，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2。
其后，在整個(gè)表面上形成層間絕緣膜(未圖示)，在該層間絕緣膜上沿著第2方向D2形成溝部一直到達(dá)上述下部電極2，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層5。此外，在基底電極層上形成鐵電體層3，在此狀態(tài)下將鐵電體層及基底電極層加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著第1方向D1排列的多個(gè)接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成上部電極層，將該上部電極層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1。此時(shí)，對(duì)先加工成為帶狀的鐵電體層及基底電極層進(jìn)行與各存儲(chǔ)單元電容器相應(yīng)的加工。
結(jié)果，就形成具有本實(shí)施方式13的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。
這樣，在本實(shí)施方式13中，因?yàn)樵谙虏侩姌O2的加工中使用橫向D1的帶狀掩模，在上部電極4m的加工中使用縱向的帶狀掩模，所以可以不受掩模錯(cuò)開的影響而確保存儲(chǔ)單元電容器的有效區(qū)域的大小。
另外，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，也具有在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄的效果。
另外，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向平行的方向，所以具有上部電極的邊緣不必跨越溝部，上部電極容易加工的效果。
其結(jié)果，在本實(shí)施方式13中，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
(實(shí)施方式14)圖14(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式14的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖14(b)及圖14(c)分別為圖14(a)的XIVa-XIVa線剖面圖及圖14(a)的XIVb-XIVb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式14的鐵電體存儲(chǔ)裝置114，是將實(shí)施方式13的鐵電體存儲(chǔ)裝置113的上部電極4m及鐵電體層3m的第1方向D1及第2方向D2中的尺寸比下部電極2及基底電極層5的第1方向D1及第2方向D2中的尺寸相對(duì)加大，從而抑制在上部電極和下部電極之間的漏電的結(jié)構(gòu)。
具體言之，本實(shí)施方式14的存儲(chǔ)單元電容器114a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2n，在跨越多個(gè)下部電極2n的帶狀溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5n、在該基底電極層5n上形成的鐵電體層3m以及在該鐵電體層3m上形成的上部電極4m構(gòu)成的。其中，下部電極2n的橫向D1的尺寸及縱向D2的尺寸與基底電極層5n的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸一致，下部電極2n的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸比鐵電體層3m的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸小。另外，上述上部電極4m的橫向D1的尺寸與鐵電體層3m的橫向D1的尺寸一致。
另外，圖中114b是跨越多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器114a沿著第2方向D2上延伸的溝部。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器114a的下部電極2n、基底電極層5n、鐵電體層3m及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式14中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，形成下部電極層，在其上部形成層間絕緣膜，接著，在該層間絕緣膜上沿著縱向D2形成溝部一直到達(dá)下部電極層，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。其后，將基底電極層及下部電極層加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2n及基底電極層5n。
之后，在整個(gè)表面上形成鐵電體層，將該鐵電體層加工成為比先加工的下部電極2n的矩形形狀更大的矩形形狀而形成鐵電體層3m。
其后，在整個(gè)表面上形成上部電極層，將該上部電極層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式14的鐵電存儲(chǔ)裝置114的存儲(chǔ)單元114a。
這樣，在本實(shí)施方式14中，因?yàn)榕c下部電極2n的縱橫尺寸相比鐵電體層3m的縱橫尺寸更大，所以可以實(shí)現(xiàn)在上部電極和下部電極之間不發(fā)生漏電的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，與實(shí)施方式13一樣，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄，結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
(實(shí)施方式15)圖15(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式15的鐵電體存儲(chǔ)裝置115的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖15(b)及圖15(c)分別為圖15(a)的XVa-XVa線剖面圖及圖15(a)的XVb-XVb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式15的鐵電體存儲(chǔ)裝置115，是將實(shí)施方式13的鐵電體存儲(chǔ)裝置113的鐵電體層3m與其上部電極4m同時(shí)加工而使鐵電體層3m的平面圖形和上部電極4的平面圖形相同的裝置。所以，本實(shí)施方式15的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)為鐵電體層3o的縱向D2的尺寸比下部電極2縱向尺寸大，從而抑制在上部電極和下部電極之間的漏電的結(jié)構(gòu)。
具體言之，本實(shí)施方式15的存儲(chǔ)單元電容器115a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在跨越多個(gè)下部電極2的溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5、在該基底電極層5上形成的鐵電體層3o以及在該鐵電體層3o上形成的上部電極4m構(gòu)成的。其中，下部電極2的橫向D1的尺寸及縱向D2的尺寸與基底電極層5的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸一致，下部電極2的橫向D1的尺寸與鐵電體層3o的橫向D1的尺寸一致，而鐵電體層3o的縱向D2的尺寸比下部電極2的縱向D2尺寸大。另外，上述上部電極4m的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸與鐵電體層3o的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸一致。
另外，圖中115b是跨越多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器115a沿著第2方向D2上延伸的溝部。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器115a的下部電極2、基底電極層5、鐵電體層3o及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式15中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，在其上部形成層間絕緣膜，接著，在層間絕緣膜上沿著縱向D2形成溝部一直到達(dá)下部電極層，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。其后，將基底電極層及下部電極層加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2及基底電極層5。
之后，在整個(gè)表面上形成鐵電體層及上部電極層，將該上部電極層及鐵電體層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1而形成鐵電體層3o及上部電極4m。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式15的鐵電體存儲(chǔ)裝置115中的存儲(chǔ)單元115a。
這樣，在本實(shí)施方式15中，因?yàn)榕c下部電極的縱向尺寸相比鐵電體層的縱向尺寸更大，所以可以實(shí)現(xiàn)在上部電極和下部電極之間難以發(fā)生漏電的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，與實(shí)施方式13一樣，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄，結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
(實(shí)施方式16)圖16(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式16的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖16(b)及圖16(c)分別為圖16(a)的XVIa-XVIa線剖面圖及圖16(a)的XVIb-XVIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式16的鐵電體存儲(chǔ)裝置116，是將實(shí)施方式15的鐵電體存儲(chǔ)裝置115中的下部電極2的橫向D1的寬度制作成為比上部電極4m的橫向D1的寬度小的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施方式16的下部電極2n只要與立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層5電連接即可。本實(shí)施方式16，是通過減小下部電極2n可以改善在制造工序中在不同的下部電極2n之間發(fā)生短路等問題的實(shí)施方式。
具體言之，本實(shí)施方式16的存儲(chǔ)單元電容器116a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2n，在跨越多個(gè)下部電極2n的溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5、在該基底電極層5上形成的鐵電體層3o以及在該鐵電體層3o上形成的上部電極4m構(gòu)成的。其中，下部電極2n的橫向D1的尺寸比基底電極層5的橫向D1的尺寸小，下部電極2n的縱向D2的尺寸與基底電極層5的縱向D2的尺寸一致。下部電極2的橫向D1的尺寸比鐵電體層3o的橫向D1的尺寸小。另外，上述上部電極4m的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸與鐵電體層3o的橫向D1的尺寸及縱向D2尺寸一致。
另外，圖中116b是跨越多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器116a沿著第2方向D2上延伸的溝部。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器116a的下部電極2n、基底電極層5、鐵電體層3o及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式16中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，暫且將此下部電極層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1。
其后，在整個(gè)表面上形成層間絕緣膜，接著，在層間絕緣膜上沿著縱向D2形成溝部一直到達(dá)下部電極層，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。其后，將基底電極層及下部電極層加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2及基底電極層5。
之后，在整個(gè)表面上形成鐵電體層及上部電極層，將該上部電極層及鐵電體層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1而形成鐵電體層3o及上部電極4m。
這樣，在本實(shí)施方式16中，因?yàn)榕c下部電極的橫向尺寸相比鐵電體層的橫向尺寸更大，所以可以實(shí)現(xiàn)在上部電極和下部電極之間難以發(fā)生漏電的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，通過減小下部電極2的橫向D1的尺寸，可以改善抑制在制造工序中在不同的下部電極2之間發(fā)生短路等問題。
另外，與實(shí)施方式13一樣，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄，結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
(實(shí)施方式17)圖17(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式17的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器117a的電極的布局。圖17(b)及圖17(c)分別為圖17(a)的XVIIa-XVIIa線剖面圖及圖17(a)的XVIIb-XVIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式17的鐵電體存儲(chǔ)裝置117，是將實(shí)施方式15的鐵電體存儲(chǔ)裝置115中的鐵電體層制作成為擴(kuò)展到存儲(chǔ)單元陣列的整個(gè)表面上的結(jié)構(gòu)而抑制在上部電極和下部電極之間的漏電的裝置。
具體言之，本實(shí)施方式17的存儲(chǔ)單元電容器117a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在跨越多個(gè)下部電極2的溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5、在該基底電極層5上形成的鐵電體層3q以及在該鐵電體層3q上形成的上部電極4m構(gòu)成的。其中，下部電極2的橫向D1及縱向D2的尺寸與基底電極層5的橫向D1及縱向D2的尺寸一致。另外，上述上部電極4m的橫向D1的尺寸與下部電極4m的橫向D1的尺寸一致。鐵電體層3q是在橫向D1及縱向D2上都擴(kuò)展到存儲(chǔ)單元陣列整個(gè)表面的結(jié)構(gòu)。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器117a的下部電極2、基底電極層5、鐵電體層3q及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式17中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著縱向D2形成溝部一直到達(dá)下部電極層，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。將該基底電極層加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元每一個(gè)相對(duì)應(yīng)的矩形形狀。
于是，在整個(gè)表面上形成鐵電體層3q及上部電極層，將該上部電極層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1而形成上部電極4m。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式17的鐵電體存儲(chǔ)裝置117中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式17中，因?yàn)榕c上部電極的尺寸相比鐵電體層的尺寸更大，所以可以實(shí)現(xiàn)在上部電極和下部電極之間難以發(fā)生漏電的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，與實(shí)施方式13一樣，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄，結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
另外，即使是在上部電極4m和基底電極層5的位置關(guān)系由于掩模錯(cuò)開在左右方向上發(fā)生變化的場(chǎng)合，各存儲(chǔ)單元的容量也相同。另外，通過使上部電極4m和基底電極層5的位置關(guān)系不改變，也可以使存儲(chǔ)單元的電容值穩(wěn)定。
(實(shí)施方式18)圖18(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖18(b)及圖18(c)分別為圖18(a)的XVIIIa-XVIIIa線剖面圖及圖18(a)的XVIIIb-XVIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置118，具有將由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器組成的存儲(chǔ)單元排列成的存儲(chǔ)單元陣列。另外，在此實(shí)施方式18中，鐵電體存儲(chǔ)裝置118是將存儲(chǔ)單元制作成為在存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2上形成沿著橫向D1的溝部，在該溝部?jī)?nèi)及其周邊區(qū)域上形成基底電極層5r、鐵電體層3r及上部電極4r的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，增加存儲(chǔ)單元電容器的電容的存儲(chǔ)單元。
具體言之，在鐵電體存儲(chǔ)裝置118的存儲(chǔ)單元陣列(未圖示)之上，存儲(chǔ)單元(未圖示)以矩陣形狀沿著第1方向D1及第2方向D2排列。構(gòu)成各存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元電容器118a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在跨越多個(gè)下部電極2的帶狀溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5r、在該基底電極層5r上形成的鐵電體層3r以及在該鐵電體層3r上形成的上部電極4r構(gòu)成的。
其中，構(gòu)成上述存儲(chǔ)單元電容器118a的下部電極2，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的電極。就是說，該下部電極2，在存儲(chǔ)單元陣列上以矩陣形狀排列，各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極，經(jīng)貫通上述絕緣膜的接觸部1與在基板上形成的對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域(未圖示)相連接。其中，接觸部1，是由在上述絕緣膜上形成的接觸孔內(nèi)的導(dǎo)電材料構(gòu)成的。
另外，在上述下部電極2上形成的層間絕緣膜(未圖示)上，沿著第1方向D1，形成跨越多個(gè)下部電極2的帶狀開孔(溝部)，上述基底電極層5r，在溝部?jī)?nèi)的下部電極2露出的區(qū)域及其周邊區(qū)域上形成。另外，上述鐵電體層3r在上述基底電極層5r上形成。
其中，鐵電體層3r及基底電極層5r，是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每一個(gè)都獨(dú)立的。
上述上部電極4r，是沿著第2方向D2排列的一定數(shù)目的存儲(chǔ)單元共用的，在上述溝部?jī)?nèi)及其周邊的鐵電體層3r上，跨越在沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2而形成的。
另外，圖中118b是各存儲(chǔ)單元電容器118a中的沿著第1方向D1的溝部。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器118a的下部電極2、基底電極層5r、鐵電體層3r及上部電極4r的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在基板(未圖示)上形成構(gòu)成存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元晶體管，并在整個(gè)表面上形成絕緣膜之后，在與該絕緣膜的各存儲(chǔ)單元晶體管的活性區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分上形成接觸孔，在該接觸孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料形成接觸部1。
如上所述，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)該下部電極層進(jìn)行加工而使其成為各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極2。
在其上形成層間絕緣膜，在該層間絕緣膜上沿著第1方向D1形成溝部一直到達(dá)上述下部電極2，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。此外，在基底電極層上形成鐵電體層，在此狀態(tài)下將鐵電體層及基底電極層加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著第1方向D1排列的多個(gè)接觸部1。
之后，在整個(gè)表面上形成上部電極層，將該上部電極層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1。結(jié)果，就形成本實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置118中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式18中，因?yàn)樵谙虏侩姌O2的加工中使用橫向D1的帶狀掩模，在上部電極4r的加工中使用縱向的帶狀掩模，所以可以不受掩模錯(cuò)開的影響而確保存儲(chǔ)單元電容器的有效區(qū)域的大小。
另外，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，也具有在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄的效果。
另外，因?yàn)樵诒緦?shí)施方式18中在存儲(chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向垂直的方向，所以通過將上部電極和下部電極對(duì)置的區(qū)域形成為與上部電極的延伸方向垂直的方向上長(zhǎng)長(zhǎng)的平面形狀，可以有效地增大電容器的電容。
(實(shí)施方式19)圖19(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式19的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖19(b)及圖19(c)分別為圖19(a)的XIXa-XIXa線剖面圖及圖19(a)的XIXb-XIXb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式19的鐵電體存儲(chǔ)裝置119，是將實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置118中的下部電極2s及立體用的基底電極層5s的縱橫的尺寸制作成為比鐵電體層3r的縱橫尺寸小的裝置。
具體言之，本實(shí)施方式19的存儲(chǔ)單元電容器119a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2s，在下部電極2s上的層間絕緣膜上形成的溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5s、在該基底電極層5上形成的鐵電體層3r以及在該鐵電體層3r上形成的上部電極4r構(gòu)成的。其中，下部電極2s的橫向D1及橫向D2的尺寸與基底電極層5的橫向D1及縱向D2的尺寸一致。下部電極2s的橫向D1與縱向D2的尺寸比鐵電體層3r的橫向D1及縱向D2的尺寸小。
另外，圖中119b是各存儲(chǔ)單元電容器119a中的沿著第1方向D1的溝部。
下面對(duì)存儲(chǔ)單元電容器119a的下部電極2s、基底電極層5s、鐵電體層3r及上部電極4r的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式19中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)此下部電極層進(jìn)行加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2s。
在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著縱向D1構(gòu)成溝部一直到達(dá)下部電極，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。將該基底電極層加工成為與下部電極2s相同的矩形形狀而形成基底電極層5s。
此外，還形成鐵電體層3，將該鐵電體層加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著1方向D1排列的多個(gè)接觸部1。
之后，形成上部電極層，將該上部電極層及鐵電體層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1而形成鐵電體層3r及上部電極4r。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式19的鐵電體存儲(chǔ)裝置119中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式19中，因?yàn)閷⒒纂姌O層5s的縱橫尺寸制作成為比鐵電體層3r的縱橫尺寸小，所以可以實(shí)現(xiàn)在上部電極和下部電極之間難以發(fā)生漏電的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄，其結(jié)果，可以得到容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器。
另外，因?yàn)樵诒緦?shí)施方式19中在存儲(chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向垂直的方向，所以通過將上部電極和下部電極對(duì)置的區(qū)域形成為與上部電極的延伸方向垂直的方向上長(zhǎng)長(zhǎng)的平面形狀，可以有效地增大電容器的電容。
(實(shí)施方式20)圖20(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式20的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖20(b)及圖20(c)分別為圖20(a)的XXa-XXa線剖面圖及圖20(a)的XXb-XXb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式20的鐵電體存儲(chǔ)裝置120，是將實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置118中的鐵電體層的平面圖形制作成為與鐵電體存儲(chǔ)裝置118中的上部電極4r的平面圖形相同的圖形的裝置。另外，在本實(shí)施方式20中，鐵電體層及上部電極可以同時(shí)利用圖形加工而得到。
具體言之，本實(shí)施方式20的存儲(chǔ)單元電容器120，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2n，在下部電極2n上溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5r、在該基底電極層5r上形成的鐵電體層3t以及在該鐵電體層3t上形成的上部電極4t構(gòu)成的。其中，下部電極2n的橫向D1的尺寸比基底電極層5r的橫向D1的尺寸小，下部電極2n的縱向D2的尺寸與基底電極層5r的縱向D2的尺寸一致。下部電極2n的橫向D1的尺寸比鐵電體層3t的橫向D1的尺寸小。
另外，圖中120b是各存儲(chǔ)單元電容器120a中的沿著第1方向D1的溝部。
下面，對(duì)存儲(chǔ)單元電容器120a的下部電極2n、基底電極層5r、鐵電體層3t及上部電極4r的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式20中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)此下部電極層進(jìn)行加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2n。
在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著縱向D1構(gòu)成溝部一直到達(dá)下部電極，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。將該基底電極層加工成為各存儲(chǔ)單元的基底電極5r。
此外，還形成鐵電體層及上部電極層，將該鐵電體層及上部電極層加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著第1方向D1排列的多個(gè)接觸部1而形成鐵電體層3r及上部電極4r。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式20的鐵電體存儲(chǔ)裝置120中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式20中，由于對(duì)實(shí)施方式18的鐵電體層及上部電極層同時(shí)進(jìn)行圖形加工形成電容器鐵電體層3t及上部電極4r，所以具有在上部電極和下部電極之間難以發(fā)生漏電，容易進(jìn)行實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的加工，并且還可以以很少工序數(shù)獲得電容器電容很大的立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器的效果。
(實(shí)施方式21)圖21(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式21的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖21(b)及圖21(c)分別為圖21(a)的XXIa-XXIa線剖面圖及圖21(a)的XXIb-XXIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式21的鐵電體存儲(chǔ)裝置121，是將實(shí)施方式18的鐵電體存儲(chǔ)裝置118中的鐵電體層3r制作成為擴(kuò)展到存儲(chǔ)單元陣列的整個(gè)表面上的結(jié)構(gòu)的裝置。另外，本實(shí)施方式21的存儲(chǔ)單元電容器的加工工序，不是如實(shí)施方式18所示在形成鐵電體層之后對(duì)該鐵電體層進(jìn)行圖形加工，而是在鐵電體層和上部電極形成之后只對(duì)上部電極進(jìn)行圖形加工。
具體言之，本實(shí)施方式21的存儲(chǔ)單元電容器121，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在該下部電極2上的溝部?jī)?nèi)及其周邊部上形成的基底電極層5r、在該基底電極層5r上形成的鐵電體層3q以及在該鐵電體層3q上形成的上部電極4r構(gòu)成的。其中，下部電極2的橫向D1及縱向D2的尺寸與基底電極層5r的橫向D1及縱向D2的尺寸一致。下部電極2的橫向D1的尺寸與上部電極4r的橫向D1的尺寸一致。
另外，圖中121b是各存儲(chǔ)單元電容器121a中的沿著第1方向D1的溝部。
下面，對(duì)存儲(chǔ)單元電容器121a的下部電極2、基底電極層5r、鐵電體層3q及上部電極4r的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式21中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)此下部電極層進(jìn)行加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2。
在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著縱向D1形成溝部一直到達(dá)下部電極，在其上形成立體結(jié)構(gòu)用的基底電極層。其后，將該基底電極層加工成為各存儲(chǔ)單元的基底電極層5r。
此外，還形成鐵電體層3q及上部電極層，只對(duì)該上部電極層進(jìn)行加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著第1方向D1排列的多個(gè)接觸部1而形成上部電極4r。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式21的鐵電體存儲(chǔ)裝置121中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式21中，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元陣列上的整個(gè)表面上保留有鐵電體層，就可以實(shí)現(xiàn)在上部電極和下部電極之間的漏電更難以發(fā)生的結(jié)構(gòu)。
(實(shí)施方式22)圖22(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式22的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖22(b)及圖22(c)分別為圖22(a)的XXIIa-XXIIa線剖面圖及圖22(a)的XXIIb-XXIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式22的鐵電體存儲(chǔ)裝置122，是具有代替實(shí)施方式13的鐵電體存儲(chǔ)裝置113中的基底電極層5的側(cè)面電極層5v的裝置。
就是說，與在實(shí)施方式13中，在下部電極2上的層間絕緣膜上形成的溝部?jī)?nèi)面及其周邊部上形成電容器基底電極層5相對(duì)，在實(shí)施方式22中，只在下部電極2上的層間絕緣膜上形成的溝部側(cè)面上形成基底電極層。另外，在上述溝部的底部也可以形成基底電極層，但在本實(shí)施方式中只在溝部的側(cè)面上形成基底電極層。
具體言之，本實(shí)施方式22的存儲(chǔ)單元電容器122，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在跨越多個(gè)下部電極2的溝部的側(cè)壁上形成的基底電極層5v、在溝部?jī)?nèi)及其周邊上形成的覆蓋基底電極層5v的鐵電體層3m以及在該鐵電體層3m上形成的上部電極4m構(gòu)成的。其中，下部電極2的橫向D1及縱向D2的尺寸與鐵電體層3m的橫向D1及縱向D2的尺寸一致。下部電極2的橫向D1的尺寸與上部電極4r的橫向D1的尺寸一致。
另外，圖中122b是各存儲(chǔ)單元電容器122a中的沿著第2方向D2的溝部。
下面，對(duì)存儲(chǔ)單元電容器122a的下部電極2、基底電極層5v、鐵電體層3m及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式22中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)此下部電極層進(jìn)行加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2。
在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著縱向D2構(gòu)成溝部一直到達(dá)下部電極，在該溝部的沿著縱向D2的側(cè)面上形成基底電極層。
此外，還在整個(gè)表面上形成鐵電體層，對(duì)該鐵電體層進(jìn)行加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著第1方向D1排列的多個(gè)接觸部1。此時(shí)，對(duì)該基底電極層與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)地進(jìn)行加工而形成側(cè)面電極層5v。于是，在整個(gè)表面上形成上部電極層，將該上部電極層加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)接觸部1。此外，還按照上部電極4m的平面圖形對(duì)與第1方向D1平行的帶狀的鐵電體層進(jìn)行加工。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式22的鐵電體存儲(chǔ)裝置122中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式22中，因?yàn)樵谙虏侩姌O2的加工中使用橫向D1的帶狀掩模，在上部電極4m的加工中使用縱向D2的帶狀掩模，所以可以不受掩模錯(cuò)開的影響而確保存儲(chǔ)單元電容器的有效區(qū)域的大小。
另外，因?yàn)槭菍⒏鱾€(gè)存儲(chǔ)單元電容器制作成為溝型立體結(jié)構(gòu)，所以與現(xiàn)有的具有孔型立體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元電容器相比，也具有在層間絕緣膜上形成凹部的加工容易進(jìn)行，并且，在此溝部中形成鐵電體層時(shí)也容易使形成的該層厚度很薄的效果。其結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)容易進(jìn)行加工、電容器電容可以加大的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，由于只在溝部的側(cè)面上形成側(cè)面電極層5v，所以在圖形加工上部電極層時(shí)，具有可以使與上部電極接觸發(fā)生漏電的部分減少的效果。
(實(shí)施方式23)圖23(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式23的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖23(b)及圖23(c)分別為圖23(a)的XXIIIa-XXIIIa線剖面圖及圖23(a)的XXIIIb-XXIIIb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式23的鐵電體存儲(chǔ)裝置123，是具有代替實(shí)施方式22的鐵電體存儲(chǔ)裝置122中的鐵電體層3m的擴(kuò)展到存儲(chǔ)單元陣列整個(gè)表面的鐵電體層3q的裝置。
具體言之，本實(shí)施方式23的存儲(chǔ)單元電容器123，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在跨越沿著第2方向D2排列的多個(gè)下部電極2的溝部的側(cè)壁上形成的側(cè)面電極層5v，擴(kuò)展到存儲(chǔ)單元陣列的整個(gè)表面而形成的鐵電體層3q以及在該鐵電體層3q上形成的上部電極4m構(gòu)成的。其中，下部電極2的橫向D1的尺寸，與上部電極4m的橫向D1的尺寸一致。
另外，圖中123b是各存儲(chǔ)單元電容器123a中的沿著第2方向D2的溝部。
下面，對(duì)存儲(chǔ)單元電容器123a的下部電極2、側(cè)面電極層5v、鐵電體層3q及上部電極4m的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式23中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)此下部電極層進(jìn)行加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2。
在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著縱向D2構(gòu)成溝部一直到達(dá)下部電極，在該溝部的沿著縱向D2的側(cè)面上形成作為側(cè)壁的電極層。對(duì)該電極層，與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)地加工而形成側(cè)面電極層5v。
其后，在整個(gè)表面上形成鐵電體層3q及上部電極層，只對(duì)該上部電極層進(jìn)行加工成為與第1方向D1平行的帶狀并跨越沿著第1方向D2排列的多個(gè)接觸部1而形成上部電極4m。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式23的鐵電體存儲(chǔ)裝置123中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式23中，因?yàn)樵谛纬设F電體膜之前，對(duì)基底電極層進(jìn)行圖形加工成為側(cè)面電極層，其后形成鐵電體層及上部電極層，只對(duì)上部電極層進(jìn)行圖形加工，所以與在實(shí)施方式22中形成鐵電體膜之后對(duì)基底電極層進(jìn)行圖形加工形成側(cè)面電極層相比，可以實(shí)現(xiàn)完全不存在上部電極層4和側(cè)面電極層5v的接觸部的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向平行的方向，所以具有上部電極的邊緣不必跨越溝部，上部電極容易加工的效果。
另外，在上述實(shí)施方式23中，存儲(chǔ)單元是全部保留存儲(chǔ)單元上的鐵電體層的結(jié)構(gòu)，但存儲(chǔ)單元，即使是鐵電體層與上部電極層是同時(shí)以相同圖形進(jìn)行加工的結(jié)構(gòu)，也可以實(shí)現(xiàn)上部電極層4和側(cè)面電極層5v完全不存在接觸部的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
(實(shí)施方式24)圖24(a)為說明本發(fā)明的實(shí)施方式24的鐵電體存儲(chǔ)裝置的示圖，示出構(gòu)成存儲(chǔ)單元的鐵電體電容器的電極的布局。圖24(b)及圖24(c)分別為圖24(a)的XXIVa-XXIVa線剖面圖及圖24(a)的XXIVb-XXIVb線剖面圖，示出上述鐵電體電容器的剖面結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式24的鐵電體存儲(chǔ)裝置124，是使實(shí)施方式22的鐵電體存儲(chǔ)裝置122中的沿著第2方向D2的溝型立體存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)成為沿著第1方向D1的溝型立體存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的裝置。
具體言之，本實(shí)施方式24的存儲(chǔ)單元電容器124a，是由在基板(未圖示)上經(jīng)絕緣膜(未圖示)形成的下部電極2，在該下部電極2上的層間絕緣膜上形成的沿著第1方向D1的溝部的側(cè)壁上形成的側(cè)面電極層5x，擴(kuò)展到存儲(chǔ)單元陣列的整個(gè)表面而形成的鐵電體層3q以及在該鐵電體層3q上形成的上部電極4x構(gòu)成的。其中，下部電極2的橫向D1的尺寸，與上部電極4x的橫向D1的尺寸一致。
另外，圖中124b是各存儲(chǔ)單元電容器124a中的沿著第1方向D1的溝部。
下面，對(duì)存儲(chǔ)單元電容器124a的下部電極2、基底電極層5x、鐵電體層3q及上部電極4x的加工方法予以簡(jiǎn)單說明。
在本實(shí)施方式24中，存儲(chǔ)單元晶體管的形成、絕緣膜的形成、接觸部1的形成與實(shí)施方式13一樣進(jìn)行。
于是，在形成接觸部1之后，在整個(gè)表面上形成下部電極層，對(duì)此下部電極層進(jìn)行加工成為與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的矩形形狀而形成下部電極2。
在其上形成層間絕緣膜，在層間絕緣膜上沿著橫向D1構(gòu)成溝部一直到達(dá)下部電極，在該溝部的沿著橫向D1的側(cè)面上形成作為側(cè)壁的基底電極層。對(duì)該基底電極層進(jìn)行與各個(gè)存儲(chǔ)單元電容器相對(duì)應(yīng)的加工而形成側(cè)面電極層5x。
其后，在整個(gè)表面上形成鐵電體層3q及上部電極層，只對(duì)該上部電極層進(jìn)行加工成為與第2方向D2平行的帶狀并跨越沿著縱向D2排列的多個(gè)接觸部1而形成上部電極4x。
結(jié)果，就形成本實(shí)施方式24的鐵電體存儲(chǔ)裝置124中的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
這樣，在本實(shí)施方式24中，因?yàn)樵谛纬设F電體膜之前，對(duì)基底電極層進(jìn)行加工成為側(cè)面電極層，其后形成鐵電體層及上部電極層，只對(duì)上部電極層進(jìn)行圖形加工形成上部電極，所以與在實(shí)施方式22中形成鐵電體膜之后對(duì)基底電極層進(jìn)行圖形加工形成側(cè)面電極層相比，可以實(shí)現(xiàn)完全不存在上部電極4和側(cè)面電極層5x的接觸部的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。
另外，在本實(shí)施方式24中，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)單元電容器的下部電極上形成的溝部的延伸方向是與該上部電極的延伸方向垂直的方向，所以通過將上部電極和下部電極對(duì)置的區(qū)域形成為與上部電極的延伸方向垂直的方向上長(zhǎng)長(zhǎng)的平面形狀，可以有效地增大電容器的電容。
另外，在上述實(shí)施方式22～24中，只在下部電極2上的層間絕緣膜上形成的溝部的側(cè)面上形成基底電極層作為側(cè)面電極層5v、5x，但在形成此側(cè)面電極層之際，不僅上述溝部的側(cè)面，而且在該溝部的底面上露出的下部電極的表面上也可以形成基底電極層。此時(shí)，利用與形成側(cè)面電極層的工序相同的工序，也可以在溝部?jī)?nèi)的下部電極的露出面上形成與該側(cè)面電極層相同組成的電極層，具有在該溝部的底面及側(cè)面的電極層上形成的鐵電體膜的特性均勻的效果。
另外，本發(fā)明的實(shí)施方式并不限定于上述的實(shí)施方式1至實(shí)施方式24，當(dāng)然也可以構(gòu)成將這些實(shí)施方式的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)合并的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，這種存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)也包含在本發(fā)明之中。
另外，在上述實(shí)施方式中，作為存儲(chǔ)單元電容器的結(jié)構(gòu)是對(duì)平面型結(jié)構(gòu)和溝型立體型結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明的，但對(duì)于孔型立體結(jié)構(gòu)及圓柱型立體結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用本結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的鐵電體存儲(chǔ)裝置，可以使存儲(chǔ)單元尺寸縮小，特別是在鐵電體存儲(chǔ)裝置的電容器結(jié)構(gòu)中有用。
權(quán)利要求
1.一種鐵電體存儲(chǔ)裝置，具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器包括經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的以上述下部電極的寬度方向作為其寬度方向的鐵電體層、以及在上述鐵電體層的上面形成的以上述下部電極的寬度方向作為其寬度方向的上部電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極；上述上部電極的寬度比上述鐵電體層的寬度小。
2.如權(quán)利要求1所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述下部電極的寬度比上述鐵電體層的寬度小。
3.如權(quán)利要求2所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述上部電極的寬度和上述下部電極的寬度大致相同；以及上述上部電極的寬度方向的位置和上述下部電極的寬度方向的位置大致一致。
4.如權(quán)利要求2所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述上部電極的寬度和上述下部電極的寬度大致相同；以及上述上部電極的寬度方向的位置和上述下部電極的寬度方向的位置不同。
5.一種鐵電體存儲(chǔ)裝置，具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器包括經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的鐵電體層、以及在上述鐵電體層的上面形成的上部電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極；上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述鐵電體層的邊緣的位置大致一致；以及上述上部電極的另一個(gè)邊緣位于上述鐵電體層的內(nèi)側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述下部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置大致一致。
7.一種鐵電體存儲(chǔ)裝置，具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器包括經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的鐵電體層、以及在上述鐵電體層的上面形成的上部電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極；上述上部電極的一個(gè)邊緣的位置與上述鐵電體層的邊緣的位置大致一致；上述上部電極的另一個(gè)邊緣位于比上述鐵電體層更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置；上述下部電極的一個(gè)邊緣位于上述鐵電體層的內(nèi)側(cè)，并且下部電極的另一個(gè)邊緣的位置與上述鐵電體層的邊緣的位置大致一致。
8.如權(quán)利要求1所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于上述下部電極具有溝型結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向平行的方向。
10.如權(quán)利要求8所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向垂直的方向。
11.一種鐵電體存儲(chǔ)裝置，具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元，其特征在于上述各存儲(chǔ)單元電容器包括經(jīng)上述存儲(chǔ)單元晶體管與位線連接的下部電極、在上述下部電極的上面形成的鐵電體層、以及在上述鐵電體層的上面形成的上部電極；上述各存儲(chǔ)單元電容器的下部電極是對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的具有溝型結(jié)構(gòu)的電極；以及上述各存儲(chǔ)單元電容器的上部電極形成為多個(gè)存儲(chǔ)單元電容器共用的平板電極。
12.如權(quán)利要求11所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向平行的方向。
13.如權(quán)利要求11所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于在上述下部電極上形成的溝部的延伸方向是與上述上部電極的延伸方向垂直的方向。
14.如權(quán)利要求11所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于具有上述溝型結(jié)構(gòu)的下部電極包括構(gòu)成上述溝部的底面部的平面狀的第1下部電極部；以及構(gòu)成上述溝部的側(cè)面部及溝部開口周緣部的第2下部電極部。
15.如權(quán)利要求11所述的鐵電體存儲(chǔ)裝置，其特征在于具有上述溝型結(jié)構(gòu)的下部電極包括構(gòu)成上述溝部的底面部的第1下部電極部；以及只構(gòu)成上述溝部的側(cè)面部的第2下部電極部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鐵電體存儲(chǔ)裝置(101)，具有多個(gè)由存儲(chǔ)單元晶體管和存儲(chǔ)單元電容器構(gòu)成的存儲(chǔ)單元，其中，各存儲(chǔ)單元電容器(101a)是由對(duì)各存儲(chǔ)單元電容器每個(gè)都獨(dú)立的下部電極(2)，在該下部電極(2)上形成的鐵電體層(3)以及在該鐵電體層(3)上形成的由多個(gè)共同連接而形成平板電極的上部電極(4)構(gòu)成的，上部電極的寬度小于鐵電體層的寬度。在本發(fā)明涉及的鐵電體存儲(chǔ)裝置中，通過使上部電極的寬度小于鐵電體層的寬度，可以防止上部電極和下部電極之間的漏電，結(jié)果，可以在不導(dǎo)致上部電極和下部電極之間發(fā)生漏電的情況下縮小存儲(chǔ)單元電容器的配置間隔，可以實(shí)現(xiàn)更小的存儲(chǔ)單元尺寸。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1781191SQ20048001119
公開日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2004年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月25日
發(fā)明者平野博茂 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社