專利名稱：發(fā)光裝置的封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種發(fā)光裝置，特別是一種發(fā)光裝置的封裝結構。
背景技術：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diodes；LED)是一種冷光發(fā)光組件，由III-V族元素組成，如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)；發(fā)光二極管的發(fā)光原理是將電能轉換成光，透過P型與N型半導體中電子與電洞相結合后，再以光的形式釋放能量來產生光源，若以發(fā)光波長區(qū)分，可分為可見光與不可見光(紅外線)LED兩種，相較于傳統(tǒng)燈泡發(fā)光的形式，LED具有省電、耐震、閃爍速度快的優(yōu)點，因此為日常生活中不可或缺的重要組件。
可見光LED的應用范圍包括交通號志、戶外大型顯示看板、通訊產品背光源、計算機及外圍產品、指示燈、汽車儀表板及車燈、消費性電子產品、工業(yè)儀表設備等；不可見光LED則應用于光纖通訊、汽車防撞傳感器、遙控器、紅外線(IrDA)傳輸模塊、自動控制、檢測(如激光打印機的進紙檢測裝置)等。
圖1所示為傳統(tǒng)發(fā)光二極管的封裝結構剖視圖，發(fā)光二極管1包括有數個導線架10，并設置有數芯片12，在芯片12上利用引線14電連接到導線架10上，且利用透明外罩16包覆住，以使芯片12發(fā)出的光線經由兩側的反光區(qū)18反射后，而經由透明外罩16發(fā)射出而達到照明目的。
然而，上述的發(fā)光二極管1的封裝結構中的導線架10及反光區(qū)18占據過多空間，使得單位面積增大，且在進行矩陣式排列時，芯片12密集度不高，因此無法達到小面積高亮度發(fā)光源。

發(fā)明內容
本實用新型的目的是提供一種發(fā)光裝置的封裝結構，整合現(xiàn)有技術中的導線架及反光區(qū)，以達到最小面積最大數量的發(fā)光源，以此在縮小封裝面積的前提下，實現(xiàn)高密度發(fā)光源，進而提高亮度。
本實用新型的另一目的是提供一種發(fā)光裝置的封裝結構，利用涂布反射層代替先前技術的反光區(qū)，以使得發(fā)光裝置的厚度減薄。
本實用新型的上述目的是這樣實現(xiàn)的，一種發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于包括一基材，其上設置二線路，且位于二該線路間設置有一絕緣層；數個發(fā)光源，設置于該基材上，每一該發(fā)光源上設置有正負極，用以產生光線；數個引線，其自該等發(fā)光源的正負極分別連接至二該線路，以形成電連接；以及數個反射層，其設置于基材上，且位于該等發(fā)光源間，以供發(fā)光源反射該光線。
以下結合附圖對本實用新型進行詳細說明。


圖1為傳統(tǒng)發(fā)光二極管的封裝結構剖視圖；圖2為本實用新型的結構剖視圖；圖3為本實用新型的俯視圖；圖4為矩陣式發(fā)光源的設置示意圖；圖5為本實用新型的另一實施例。
附圖標記說明1發(fā)光二極管；10導線架；12芯片；14引線；16透明外罩；18反光區(qū)；3發(fā)光裝置；30基材；32線路；34絕緣層；36發(fā)光源；38引線；40反射層；42封裝膠體。
具體實施方式
參見圖2和圖3，本實用新型的發(fā)光裝置3包括一基材30，其由電路板、硅芯片或玻璃、非金屬材質所構成，在基材30表面上設置有二線路32，并在基材30上設置有數個發(fā)光源36，如發(fā)光二極管，且發(fā)光源36可呈現(xiàn)如圖4所示的矩陣式排列，或任何其它排列樣式，如三個設置為一模塊等皆可，以用以產生光線，其中在每一發(fā)光源36上有二個作為電極的焊墊，即正負極，因此二線路32分別供正負極連接，并且在二路線間設置有一絕緣層34，并利用數引線38自發(fā)光源36的正負極分別連接到二線路32上，以形成電連接，另有數反射層40設置在基材30上，而且反射層40位于發(fā)光源36間，以提供發(fā)光源36反射光線。
其中，反射層40的材質為金屬與高分子混合物，或者可為可撓性材質所構成，金屬為銀、鋁、鋅或鉻或者利用陶瓷材質構成，舉凡任何可反射光線的材質皆可；且發(fā)光裝置3也可包括數個保護層，利用來包覆引線38，以保護引線38，且反射層40利用涂布法設置在基材30上，且反射層40涂布的高度要大于發(fā)光源36的厚度。
其中，如圖5所示，當發(fā)光裝置3完成封裝后，也可在基板30上，利用一封裝膠體42，如環(huán)氧樹脂覆蓋所有組件。
本實用新型提出一種發(fā)光裝置的封裝結構，其將導線架及反光區(qū)整合，而利用反射層反射光線，以達到最小面積最大數量的發(fā)光源，進而達到高密度發(fā)光源的目的，并藉此提高亮度，并使發(fā)光裝置的厚度減薄。
以上所述利用實施例說明本實用新型的特點，其目的是使本領域熟練技術人員能了解本實用新型的內容并據以實施，而非限定本實用新型的范圍，因此凡其它未脫離本實用新型所揭示的精神而完成的等效修飾或修改，仍應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于包括一基材，其上設置二線路，且位于二該線路間設置有一絕緣層；數個發(fā)光源，設置于該基材上，每一該發(fā)光源上設置有正負極，用以產生光線；數個引線，其自該等發(fā)光源的正負極分別連接至二該線路，以形成電連接；以及數個反射層，其設置于基材上，且位于該等發(fā)光源間，以供發(fā)光源反射該光線。
2.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，基材由電路板、硅芯片或玻璃、非金屬材質所構成。
3.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，發(fā)光源為發(fā)光二極管。
4.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，反射層由金屬與高分子混合物或可撓性材質構成。
5.如權利要求4所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，金屬為銀、鋁、鋅或鉻。
6.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，反射層由陶瓷材質構成。
7.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，還包括數個保護層，用于包覆引線。
8.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，反射層涂布于基材上。
9.如權利要求1所述的發(fā)光裝置的封裝結構，其特征在于，反射層的高度大于該等發(fā)光源的厚度。
專利摘要本實用新型是一種發(fā)光裝置的封裝結構，包括一基材，其上設置二線路，且位于二該線路間設置有一絕緣層；數個發(fā)光源，設置于該基材上，每一該發(fā)光源上設置有正負極，用以產生光線；數個引線，其自該等發(fā)光源的正負極分別連接至二該線路，以形成電連接；以及數個反射層，其設置于基材上，且位于該等發(fā)光源間，以供發(fā)光源反射該光線。本實用新型具有小面積高密度的優(yōu)點，并且可使得發(fā)光裝置厚度減薄。
文檔編號H01L25/075GK2772031SQ20042012223
公開日2006年4月12日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權日2004年12月31日
發(fā)明者陳亞理, 彭裕清 申請人:利機企業(yè)股份有限公司