專利名稱：電流控制電路、半導體器件以及攝像器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電流控制電路、半導體器件以及使用該電流控制電路和半導體器件的攝像器件，更具體地，本發(fā)明涉及對作為致動器所使用的電動機進行適當?shù)乜刂?，該致動器用于控制進行變焦、聚焦、光圈控制等的攝像器件的鏡頭。
背景技術(shù)：
為了獲得用于控制攝像器件的鏡頭的電動機所使用的線圈的相位信息，使用霍爾元件。通過調(diào)整流經(jīng)霍爾元件的電流強度來調(diào)整霍爾元件的靈敏度，該霍爾元件的靈敏度決定霍爾元件根據(jù)霍爾元件所受的磁場變化所檢測的電壓的大小。但是，霍爾元件的特性極大地取決于每個產(chǎn)品。而且霍爾元件的特性還隨著氣溫等外部環(huán)境而變化。所以，為了使霍爾元件特性保持恒定，必須在每次接通電源時，對流經(jīng)霍爾元件的電流強度進行調(diào)整。
對現(xiàn)有技術(shù)的流經(jīng)霍爾元件的電流強度的調(diào)整方法進行說明。在現(xiàn)有技術(shù)中，如下調(diào)整電流強度。如圖1所示，將作為使來自攝像器件的CPU的預定強度的電流流經(jīng)霍爾元件6的控制信號的數(shù)字信號輸入給DAC(數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器)7。由DAC 7將該數(shù)字控制信號轉(zhuǎn)換為模擬控制信號。從DAC 7的輸出的模擬控制信號被作為阻抗元件的電阻R1和R2分壓并輸入給運算放大器4，由于運算放大器4的輸出是作為電流控制元件的NMOS(N型MOS晶體管)5的柵極電壓，所以通過來自攝像器件的CPU的數(shù)字控制信號對NMOS 5的柵極電壓進行調(diào)整，從而可對流經(jīng)霍爾元件6的電流強度進行調(diào)整。
在NMOS 5在飽和區(qū)域中工作的情況下，以下等式成立。
Vg＝Vgs+R3Ω×Ids…(式1)
其中將NMOS 5的柵極電壓設(shè)為Vg，將NMOS 5的柵極和源極間的電壓設(shè)為Vgs，將流經(jīng)NMOS 5的漏極和源極間的電流設(shè)為Ids，將電阻R3的電阻值設(shè)為R3Ω。
由于在飽和區(qū)域中，晶體管的基本運算方程式為Ids＝K(Vgs-Vt)2…(式2)(K常數(shù))，所以，從式1、式2可以得到以下等式。
Vg＝Vgs+R3Ω×K(Vgs-Vt)2…(式3)由于Vg、R3Ω、Vt均為常數(shù)，所以可以算出Vgs。此處，在式1中，R3Ω×Ids是點A的電位VA。所以根據(jù)由NMOS 5的柵極電壓所決定的點A的電位VA和電阻R3，可以決定霍爾元件6的電流強度。
接著，對電阻R3連接到NMOS 5的源極側(cè)的必要性進行敘述。如上所述，作為負載的霍爾元件6的電流強度由點A的電位VA和電阻R3的電阻值R3Ω來決定。如果將點A的電流值設(shè)為I，則等式I＝(VA/R3Ω)成立。由于霍爾元件具有陡峭的特性，所以可用微小的電流步幅進行控制。因此，電阻R3是為了調(diào)整流經(jīng)霍爾元件的電流強度所必需的。電阻R3必須具有某種程度的大的電阻值。
接著，敘述對來自攝像器件的CPU的數(shù)字信號進行分壓的必要性。在圖中所示的情況下，利用電阻R1和電阻R2進行分壓。為了使DAC 7高精度地線性工作，優(yōu)選DAC 7的電源電壓8(AVDD)較高，因為不會產(chǎn)生錯碼(miscode)。但是，由于霍爾元件6的靈敏度高并且具有陡峭的特性，所以要用微小的電流步幅進行控制。當電阻R3的電阻值為R3Ω并且點A的電流值為I時，等式I＝(VA/R3Ω)成立。因此，為了用微小的電流步幅進行控制，必須對DAC 7的輸出電壓的步幅進行分壓，并將電平移位到適合控制霍爾元件6的電壓，所以，對DAC 7的輸出電壓進行分壓。
接著，對電阻R3所產(chǎn)生的問題以及由電阻R1和電阻R2進行分壓所產(chǎn)生的問題進行敘述。當流經(jīng)霍爾元件6的電流強度大時，由流經(jīng)電阻R3的電流所產(chǎn)生的電壓使點A的電位VA上升，NMOS 5的漏極和源極間的電壓(Vds)減小。由于從NMOS 5的漏極側(cè)的電壓經(jīng)由電阻R3到接地的電位連接著霍爾元件6，因此該電位只能低于電源電壓8，此處，為了說明簡單起見，假定從NMOS 5的漏極側(cè)經(jīng)由電阻R3到接地的電位必須固定為電源電壓8的1/2，即為1/2 AVDD。如圖2所示，當電阻R3所產(chǎn)生的電壓VR增大時，NMOS 5在飽和區(qū)域中工作所需的Vds減小。因此，必須在飽和狀態(tài)下工作的NMOS在非飽和狀態(tài)下工作。所以只能利用DAC 7的輸出電壓的輸出范圍的一部分，作為調(diào)整流經(jīng)霍爾元件6的電流強度用的點A的電位VA的可變幅度。即，為了調(diào)整流經(jīng)霍爾元件6的電流強度，電阻R3是必須的，即，必須將電阻R3連接到NMOS 5的源極側(cè)(參照第3頁第3行到第5頁第5行)，但是，在產(chǎn)生電流時NMOS 5的Vds減小。因此，不能擴大決定霍爾元件的電流強度的電壓VA的可變幅度(以上為問題a)。
當由電阻R1和R2進行分壓時，如圖2中所示，產(chǎn)生以下現(xiàn)象。在圖2中，(1)是圖1的以往的電流控制電路的縮小圖；(2)是表示DAC 7的輸出電壓中可以使用的電壓的輸出范圍的曲線圖；(3)是表示輸入給運算放大器4的輸入電壓和運算放大器4的偏移之間的關(guān)系的曲線圖；(4)是表示從電源電壓8(AVDD)到接地(GND)之間所產(chǎn)生的電壓的曲線圖。當將DAC 7的輸出電壓輸入到運算放大器4時被電阻R1和R2分壓。但是，由于運算放大器4的偏移電壓(圖2中的曲線圖(3)所示的放大器偏移)未被減小，所以運算放大器4的偏移電壓不能忽略。而且，DAC 7的輸出電壓的步幅大致為((AVDD-DAC 7的偏移電壓)/來自攝像器件的CPU的數(shù)字信號數(shù))。
在降低電功率時，必須用小電源電壓對來自攝像器件的CPU的強度操作電平數(shù)進行DA轉(zhuǎn)換(數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換)。所以使DAC的輸出電壓的步幅也變小。因此，DAC 7的輸出由于錯碼而失去線性。另外，當由電阻進行分壓時，產(chǎn)生電阻引起的偏差。所以，不能將來自攝像器件的CPU的數(shù)字信號正確地施加給NMOS 5的柵極電壓(以上為問題b)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述實際情況，為了消除上述問題a、b而提出的。本發(fā)明的第一目的是提供一種電流控制電路，該電流控制電路用正確且微小的步幅對提供給諸如霍爾元件等負載的電流強度進行調(diào)整；不產(chǎn)生與霍爾元件相連接的電流控制元件的偏置電壓的減??；并且，不必進行分壓以獲得使諸如NMOS等的電流控制元件工作的控制電壓。本發(fā)明的第二目的是提供一種使用上述電流控制電路的半導體器件。本發(fā)明的第三目的是提供一種安裝有上述半導體器件的攝像器件。
為了達到本發(fā)明的第一目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種電流控制電路，包括第一電流控制元件，其控制提供給負載的電流；第二電流控制元件，其控制端子與上述第一電流控制元件的控制端子相連；阻抗元件，其連接在電源和上述第二電流控制元件的電源側(cè)的端子之間；以及運算放大器，其具有第一輸入端子、第二輸入端子以及輸出，上述第一輸入端子連接在上述第二電流控制元件的電源側(cè)的端子和上述阻抗元件之間，上述第二輸入端子被輸入用于調(diào)整提供給上述負載的電流強度的控制信號，上述輸出連接在上述第一電流控制元件和上述第二電流控制元件的共同連接點上。
而且，為了達到本發(fā)明的第一目的，根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種電流控制電路，包括第一電流控制元件，其控制提供給負載的電流；第二電流控制元件，其控制端子與上述第一電流控制元件的控制端子相連；以及運算放大器，其具有同相輸入端子、輸出端子以及反相輸入端子，上述同相輸入端子與上述第二電流控制元件的一個電極相連，上述輸出端子與上述第一電流控制元件和第二電流控制元件的各自的控制端子相連，上述反相輸入端子連接控制信號，其中，利用控制信號調(diào)整提供給上述負載的電流強度。
為了達到本發(fā)明的第一目的，根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種電流控制電路，包括第一串聯(lián)連接體，其具有負載和第一電流控制元件；第二串聯(lián)連接體，其具有阻抗元件和第二電流控制元件，該第二串聯(lián)連接體與上述第一串聯(lián)連接體并聯(lián)連接；以及運算放大器，其具有同相輸入端子、反相輸入端子以及輸出端，上述同相輸入端子與上述第二串聯(lián)連接體的上述阻抗元件和上述第二電流控制元件的連接點相連，上述反相輸入端子與控制信號的輸出端相連，上述輸出端與上述第一電流控制元件和上述第二控制元件的各自的控制端子的共同連接點相連。
在根據(jù)本發(fā)明的第一到第三方面的任意一項的電流控制電路中，根據(jù)本發(fā)明的第四方面，上述電流控制元件是NMOS。
在根據(jù)本發(fā)明的第一方面的電流控制電路中，根據(jù)本發(fā)明的第五方面，上述各第一電流控制元件和第二電流控制元件是NMOS，上述各第一電流控制元件和第二電流控制元件的控制端子是NMOS的柵極，上述第二電流控制元件的電源側(cè)的端子是NMOS的漏極；上述阻抗元件是電阻，上述第一電流控制元件具有連接到上述負載的NMOS的漏極。
在根據(jù)本發(fā)明的第一到第五方面的任意一項的電流控制電路中，根據(jù)本發(fā)明的第六方面，上述負載是霍爾元件。
在根據(jù)本發(fā)明的第一到第六方面的任意一項的電流控制電路中，根據(jù)本發(fā)明的第七方面，將來自DAC的輸出電壓輸入到上述運算放大器的反相輸入端子。
為了達到本發(fā)明的第二目的，根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供一種半導體器件，其包括根據(jù)本發(fā)明的第一到第七方面的任意一項的電流控制電路。
為了達到本發(fā)明的第三目的，根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供一種攝像器件，其包括根據(jù)本發(fā)明的第八方面的半導體器件；和與上述半導體器件連接的霍爾元件。
可以實現(xiàn)如下的低電壓工作不必對來自攝像器件的CPU的輸出信號進行分壓，即使在降低電功率時也能正確控制流經(jīng)霍爾元件的電流強度，并且連接在霍爾元件上的電源電壓不必比現(xiàn)有技術(shù)的電源電壓大。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路；圖2中的(1)是圖1的現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路的縮小圖；(2)是表示DAC 7的輸出電壓中可以使用的電壓的輸出范圍的曲線圖；(3)是表示輸入給運算放大器4的輸入電壓和運算放大器4的偏移之間的關(guān)系的曲線圖；(4)是表示在電源電壓8(AVDD)到接地(GND)之間所產(chǎn)生的電壓的曲線圖；。
圖3是本發(fā)明的電流控制電路；圖4中的(1)是圖3所示的本發(fā)明的電流控制電路的縮小圖；(2)是表示DAC 7的輸出電壓中可以使用的電壓的輸出范圍的曲線圖；(3)是表示從電源電壓AVDD到接地GND的串聯(lián)連接體所產(chǎn)生的電壓的曲線圖；(4)是從電源電壓AVDD經(jīng)由負載到接地GND之間所產(chǎn)生的電壓的曲線圖；圖5是本發(fā)明的攝像器件。
符號說明R11電阻；12、13NOMS；14運算放大器；15DAC(數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器)；16、H1、H2、H3霍爾元件；17電源電壓(AVDD)。
具體實施例方式
本發(fā)明如圖3所示，DAC 15的輸出被輸入到運算放大器14的反相輸入端子，由因從電源電壓17流經(jīng)電阻R11的電流而降低的電壓所決定的點B的電位，被輸入到運算放大器14的同相輸入端子。因此，利用輸入到運算放大器14的兩端子的輸入信號對運算放大器14的輸出電壓進行控制。運算放大器14的輸出電壓與NMOS(N型MOS晶體管)12的柵極相連接。流經(jīng)電阻R11的電流強度由運算放大器14的輸出電壓、即NMOS12的柵極電壓所決定。運算放大器14的同相輸入端子的電位由電源電壓(AVDD)17、流經(jīng)電阻R11的電流所產(chǎn)生的電壓(VR2)、以及NMOS 12的漏極和源極間的電位所決定。由于NMOS 13和NMOS 12的柵極是共用的，所以，流經(jīng)霍爾元件16的電流強度由DAC 15的輸出電壓、即來自攝像器件的CPU的數(shù)字信號所決定。
例如，當用于使霍爾元件16的電流強度減少的數(shù)字信號從攝像器件的CPU經(jīng)由DAC 15輸入到運算放大器14的反相輸入端子時，與后述的從攝像器件的CPU發(fā)送用于使霍爾元件16的電流強度增大的數(shù)字信號的情況相比，運算放大器14的輸出電壓低，NMOS 12和NMOS 13的柵極電壓增加的幅度小。所以，與后述的從攝像器件的CPU發(fā)送用于使霍爾元件16的電流強度增大的數(shù)字信號的情況相比，流經(jīng)霍爾元件16的電流強度小。另外，此時流經(jīng)電阻R11的電流變小，由電阻R11產(chǎn)生的電壓(VR2)與來自攝像器件的CPU的信號輸入變化之前相比變小。向運算放大器14的同相輸入端子輸入(AVDD17-VR2-Vds)的電壓。因此，對運算放大器14進行反饋控制并使其穩(wěn)定地工作。為了使霍爾元件16的電流強度增大，將大電壓的數(shù)字信號從攝像器件的CPU經(jīng)由DAC 15輸入到運算放大器14的反相輸入端子。隨后，運算放大器14的輸出電壓大幅度增加?；蛘?，與上述的輸入用于使霍爾元件16的電流強度減小的數(shù)字信號的情況相比，從運算放大器14輸出大電壓，并且NMOS 12和NMOS 13的柵極電壓增加。所以，與上述的從攝像器件的CPU發(fā)送用于使霍爾元件16的電流強度減小的數(shù)字信號的情況相比，流經(jīng)霍爾元件16的電流大。另外，此時流經(jīng)電阻R11的電流也增大，由電阻R11產(chǎn)生的電壓(VR2)增大。向運算放大器14的同相輸入端子輸入(AVDD17-VR2-Vds)的電壓，對運算放大器14進行反饋控制并使其穩(wěn)定地工作。
接著，將本發(fā)明的電流控制電路與現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路進行比較，并敘述怎樣解決上述問題“a”、“b”。
在圖3所示的本發(fā)明的電流控制電路中，通過把圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路的用于調(diào)整霍爾元件6的電流強度的電阻R3，作為電阻R11設(shè)置在NMOS 12的漏極側(cè)(解決問題“a”的方法1)。即使大電流流經(jīng)電阻R11并且在電阻R11上產(chǎn)生大電壓時，在設(shè)置了作為負載的霍爾元件16的串聯(lián)連接體中，如圖4中的曲線圖(3)所示，與作為現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路的電壓特性的圖2的曲線圖(3)相比，不產(chǎn)生使與霍爾元件相連接的NMOS的漏極與源極間的電壓Vds減小的電壓(相當于圖2的曲線圖(4)所示的VR)。因此，可以擴展如圖4的曲線圖(4)所示的余量(margin)(效果1)。其中，圖4中的(1)是圖3所示的本發(fā)明的電流控制電路的縮小圖，(2)是表示DAC 7的輸出電壓中可以使用的電壓的輸出范圍的曲線圖，(3)是表示從電源電壓AVDD到接地GND的串聯(lián)連接體所產(chǎn)生的電壓的曲線圖，(4)是從電源電壓AVDD經(jīng)由負載到接地(GND)之間所產(chǎn)生的電壓的曲線圖。另外，由用于調(diào)整圖2的霍爾元件6的電流強度的電阻R3所產(chǎn)生的電壓VR相當于用于調(diào)整本發(fā)明的圖4的曲線圖(3)的霍爾元件16的電流強度的電阻R11所產(chǎn)生的電壓VR2。
另外，在圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的電流控制電路中，由于與霍爾元件6相連接，使調(diào)整流經(jīng)霍爾元件6的電流強度用的電阻R3中產(chǎn)生電壓的NMOS 5的漏極側(cè)的電位，只能低于NMOS 13的漏極側(cè)上的電源電壓17。在圖3所示的本發(fā)明的電流控制電路中，在其柵極電壓與連接到作為負載的霍爾元件16的NMOS 13的柵極電壓相同、并構(gòu)成電流鏡像結(jié)構(gòu)的NMOS12的漏極側(cè)上，另外設(shè)置了不必固定為低于電源電壓的新的電源電壓(AVDD)17(解決問題“a”的方法2)。由此，用于調(diào)整電流的NMOS 12的柵極和源極間的電壓Vds(參照圖4的曲線圖(3))可以得到比圖2的曲線圖(4)所示的現(xiàn)有技術(shù)的的電流控制電路的NMOS 5的Vds大的電壓。所以，與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的電流調(diào)整用的NMOS 5相比，圖3所示的本發(fā)明的電流調(diào)整用的NMOS 12在非飽和區(qū)域中工作之前其具有大的可變幅度VA2。即，可以用低電壓設(shè)計與霍爾元件相連接的電源電壓(效果2)。
在本發(fā)明的電流控制電路中，根據(jù)上述兩個效果1和2，與圖2中所示的電流控制電路相比，如圖4所示，可以擴大作為用于調(diào)整霍爾元件的電流的控制電壓的點A2的電位VA2的可變幅度進行利用。另外，在圖3所示的本發(fā)明的電流控制電路中，由于在包含了作為負載的霍爾元件16的串聯(lián)連接體中，Vds沒有減小，因此，如圖4的曲線圖(3)的余量部分所示，即使電源電壓(AVDD)17被設(shè)定為低電壓也能工作，所以可實現(xiàn)低電壓工作。
另外，在圖3所示的本發(fā)明的電流控制電路中，不對來自DAC 15的輸出電壓進行分壓(解決問題“b”的方法2)。所以如圖4的曲線圖(2)所示，幾乎可以使用DAC 15的輸出范圍的整個范圍并將其輸入給運算放大器14。由此，可以將來自攝像器件的CPU的數(shù)字信號正確地轉(zhuǎn)換為電壓并輸入給運算放大器14(根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的情況有可能產(chǎn)生錯碼)。結(jié)果，可以在大保證范圍內(nèi)正確地控制NMOS 13的柵極電壓(效果3)。即，可以增大圖3所示的點A2的電位VA2的可變范圍。因此，可以擴大正確地調(diào)整流經(jīng)霍爾元件16的電流強度的保證范圍。該效果在降低電功率時效果尤其顯著。
另外，本發(fā)明的電流控制電路的NMOS 13和NMOS 12的柵極面積比為5∶1，但不限于此，可以根據(jù)流經(jīng)霍爾元件16的電流強度等適當?shù)馗淖僋MOS 13和NMOS 12的柵極面積比。
將本發(fā)明的電流控制電路單獨封裝或者與具備其他功能的電路一起封裝，成為半導體器件。
圖5示出了使用封裝本發(fā)明的電流控制電路的半導體器件的攝像器件。在圖5中，攝像器件100包括變焦鏡頭101、聚焦鏡頭102、光圈103、CCD104、ADC105、圖像處理部106、顯示部108、存儲部110、霍爾元件H1、H2、H3以及其他未圖示的部件。外部存儲介質(zhì)112用于擴展存儲部110的存儲區(qū)域。
在圖5中，被攝體經(jīng)過變焦鏡頭101、聚焦鏡頭102、光圈103，由CCD104和ADC105轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)。由此轉(zhuǎn)換的數(shù)字數(shù)據(jù)由圖像處理部106加工之后，由顯示部108進行顯示。存儲部110或者外部存儲介質(zhì)112存儲由圖像處理部106加工后的圖像。具備本發(fā)明的電流控制電路的半導體器件設(shè)置在鏡頭驅(qū)動器部上，從霍爾元件H1、H2、H3分別發(fā)出表示變焦鏡頭101、聚焦鏡頭102、光圈103的狀態(tài)的信號。當鏡頭驅(qū)動器接收這些信號時，對變焦鏡頭101、聚焦鏡頭102、光圈103進行控制。
在本攝像器件中，可以降低霍爾元件使用的電源電壓。所以可以降低功耗。
本發(fā)明不限于上述實施方式，在權(quán)利要求所述的各項范圍內(nèi)進行的所有的技術(shù)變更均包括在本發(fā)明范圍中。例如，也可以將MOS型晶體管置換為雙極晶體管。輸入到運算放大器的輸入信號不必限定為作為DAC的輸出的控制電壓，負載不限定為霍爾元件。也可以采用以下結(jié)構(gòu)將運算放大器的反相輸入端子和同相輸入端子彼此反轉(zhuǎn)，并將其輸出與反相器連接。當然，使用本發(fā)明的半導體器件的不限于應用于攝像器件，還可以應用于通過電控制進行工作的視頻攝像器件、汽車等。
權(quán)利要求
1.一種電流控制電路，包括第一電流控制元件，其控制提供給負載的電流；第二電流控制元件，其控制端子與上述第一電流控制元件的控制端子相連；阻抗元件，其連接在電源和上述第二電流控制元件的電源側(cè)的端子之間；以及運算放大器，其具有第一輸入端子、第二輸入端子以及輸出，上述第一輸入端子連接在上述第二電流控制元件的電源側(cè)的端子和上述阻抗元件之間，向上述第二輸入端子輸入用于調(diào)整提供給上述負載的電流強度的控制信號，上述輸出連接在上述第一電流控制元件和上述第二電流控制元件的共同連接點上。
2.一種電流控制電路，包括第一電流控制元件，其控制提供給負載的電流；第二電流控制元件，其控制端子與上述第一電流控制元件的控制端子相連；以及運算放大器，其具有同相輸入端子、輸出端子以及反相輸入端子，上述同相輸入端子與上述第二電流控制元件的一個電極相連，上述輸出端子與上述第一電流控制元件和第二電流控制元件的各自的控制端子相連，上述反相輸入端子連接控制信號，其中，利用上述控制信號調(diào)整提供給上述負載的電流強度。
3.一種電流控制電路，包括第一串聯(lián)連接體，其具有負載和第一電流控制元件；第二串聯(lián)連接體，其具有阻抗元件和第二電流控制元件，該第二串聯(lián)連接體與上述第一串聯(lián)連接體并聯(lián)連接，以及運算放大器，其具有同相輸入端子、反相輸入端子以及輸出端，上述同相輸入端子與上述第二串聯(lián)連接體的上述阻抗元件和上述第二電流控制元件的連接點相連，上述反相輸入端子與上述控制信號的輸出端相連，上述輸出端與上述第一電流控制元件和上述第二控制元件的各自的控制端子的共同連接點相連。
4.權(quán)利要求1～3的任意一項所述的電流控制電路，其特征在于，上述電流控制元件是NMOS。
5.權(quán)利要求1所述的電流控制電路，其特征在于，上述各第一電流控制元件和第二電流控制元件是NMOS，上述各第一電流控制元件和第二電流控制元件的控制端子是NMOS的柵極，上述第二電流控制元件的電源側(cè)的端子是NMOS的漏極，上述阻抗元件是電阻，并且上述第一電流控制元件具有連接到上述負載的NMOS的漏極。
6.權(quán)利要求1～3的任意一項所述的電流控制電路，其特征在于，上述負載是霍爾元件。
7.權(quán)利要求1～3的任意一項所述的電流控制電路，其特征在于，將來自DAC的輸出電壓輸入到上述運算放大器的反相輸入端子。
8.一種半導體器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1～3中的任意一項所述的電流控制電路。
9.一種攝像器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的半導體器件；和與上述半導體器件連接的霍爾元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電流控制電路、半導體器件以及攝像器件，該電流控制電路包括第一NMOS，其用于控制提供給連接到漏極的負載的電流；第二NMOS，其柵極連接到上述第一NMOS的柵極；電阻，其連接在上述第二NMOS的漏極和電源之間；以及運算放大器，該運算放大器的第一輸入端子連接在上述第二NMOS的漏極和上述電阻之間，該運算放大器的第二輸入端子被輸入用于調(diào)整提供給負載的電流強度的控制信號，該運算放大器的輸出連接到上述第一NMOS和上述第二NMOS的柵極的公共連接點上。
文檔編號H01L21/70GK1592078SQ20041005729
公開日2005年3月9日 申請日期2004年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月28日
發(fā)明者宮村真, 竹正公則 申請人:羅姆股份有限公司