專利名稱：濾波電路和層疊濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在高頻區(qū)域使用的濾波電路和層疊濾波器，特別是涉及在低頻側(cè)和高頻側(cè)的兩者中具有衰減區(qū)的濾波電路和層疊濾波器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的帶狀線式濾波器的原理是將帶狀線配置在電介質(zhì)層上，而且，使該帶狀線的一端短路，另一端開放。在這樣的帶狀線式濾波器中，通過配置諧振器或附加電容耦合電極等，而成為電場(chǎng)耦合表現(xiàn)強(qiáng)的電場(chǎng)耦合型、或磁場(chǎng)耦合表現(xiàn)強(qiáng)的磁場(chǎng)耦合型的一種，在上述電場(chǎng)耦合強(qiáng)的濾波器的情況下成為低頻衰減型傾向，另外，在磁場(chǎng)耦合強(qiáng)的濾波器的情況下成為高頻衰減型傾向。
另外，作為現(xiàn)有例，有日本特開平8-23205號(hào)公報(bào)(公知例1)、日本特開2002-26607號(hào)公報(bào)(公知例2)、以及日本特開2002-76705號(hào)公報(bào)(公知例3)中公開的技術(shù)。
在上述現(xiàn)有例中的公知例1所公開的基本實(shí)施例，如其說明書中的圖1所示，是一種由形成了共振電極12a、12b的第1電介質(zhì)基板2，形成了內(nèi)部接地電極22的第2電介質(zhì)基板4，形成了外部接地電極16的第3電介質(zhì)基板6，以及形成了電容耦合電極140的第4電介質(zhì)基板8構(gòu)成的濾波器，用作為上述內(nèi)部接地電極22的M耦合電極，提高耦合度，調(diào)整頻率特性，用電容耦合電極形成衰減極。而且，在該公知例1中，如圖7所公開的那樣，衰減極只在低頻段形成。
上述現(xiàn)有例中的公知例2所公開的基本實(shí)施例，其特征在于如其說明書中的圖3所示，在表示層疊了電介質(zhì)基板1c和1d的示意透視狀態(tài)的附圖即圖3中，使諧振器電極11a、11b的中心間隔和開口電容電極4a、4b的中心間隔一致，在控制電磁場(chǎng)耦合量時(shí)，不變更該間隔，而通過變更電極共有部12的長(zhǎng)度，就能控制電磁場(chǎng)耦合量。即，由開口電容電極4a、4b，形成公知例2的圖8所示的衰減極，通過變更電極共有部12的長(zhǎng)度，進(jìn)行截止頻帶控制，但在該公知例2中，衰減極只在高頻段形成。
上述現(xiàn)有例中的公知例3所公開的基本實(shí)施例，如其說明書中的圖2所示，將電介質(zhì)層4a～4d層疊起來，在電介質(zhì)層4a的表面形成上面電極5b，在電介質(zhì)層4d的背面形成端面電極5c，在電介質(zhì)層4c的表面形成帶狀線1a、1b，同時(shí)在上述端面電極5c的大致全部區(qū)域上形成連接該帶狀線1a、1b的一端的短路電極10，另外，在電介質(zhì)層4b的表面與上述帶狀線1a、1b正交地形成雜散電容電極9。而且，用雜散電容電極9進(jìn)行衰減區(qū)的調(diào)整，用作為M耦合的短路電極5c，調(diào)整高頻帶寬，但在該公知例3中，衰減區(qū)也只在高頻段形成。
上述的現(xiàn)有例中的任何一例，雖然都通過設(shè)置C耦合圖形和M耦合圖形兩者，進(jìn)行衰減區(qū)的控制，但在這些公知例中，衰減區(qū)只能控制低頻側(cè)(公知例1)、或只能控制高頻側(cè)(公知例2、3)。
(1)日本特開平8-23205(2)日本特開2002-26607(3)日本特開2002-76705發(fā)明內(nèi)容可是，在要求便攜式電話等通信裝置多樣化的情況下，作為層疊濾波器，也要求低頻側(cè)和高頻側(cè)的兩者都有陡峭的衰減區(qū)的特性，但如上所述，在現(xiàn)有的層疊濾波器中，存在只在低頻側(cè)或者只在高頻側(cè)形成衰減區(qū)的問題。
本發(fā)明就是解決上述問題的發(fā)明，其目的在于提供一種通過在低頻側(cè)和高頻側(cè)的兩者中形成衰減區(qū)，能適應(yīng)多樣化的通信裝置的濾波電路和層疊濾波器。
本發(fā)明的濾波電路是要達(dá)到上述目的的濾波電路，其第1方案的特征在于在具有第1～第3諧振元件、第1和第3諧振元件與輸入輸出線連接的濾波電路中，具有在上述第1諧振元件和第2諧振元件之間形成的電容性并聯(lián)諧振電路；以及在上述第2諧振元件和第3諧振元件之間形成的電感性并聯(lián)諧振電路。
第2方案的特征在于在上述第1方案中，在上述電容性并聯(lián)諧振電路和上述電感性并聯(lián)諧振電路之間連接了電容性或電感性的多路徑。
另外，本發(fā)明層疊濾波器的第3方案，具有配置在電介質(zhì)層上的作為第1、第2和第3諧振元件的帶狀線圖形；配置在上述第1、第2帶狀線圖形之間的電容性耦合(C耦合)圖形；以及配置在上述第2、第3帶狀線圖形之間的電感性耦合(M耦合)圖形。
第4方案的特征在于在上述第3方案中，在上述電容性耦合圖形上形成了向上述第3帶狀線圖形側(cè)突出的突出部。
第5方案，具有配置在電介質(zhì)層上的作為第1～第4諧振元件的帶狀線圖形；配置在上述第1、第2帶狀線圖形之間的第1電容性耦合(C耦合)圖形；配置在上述第3、第4帶狀線圖形之間的第2電容性耦合(C耦合)圖形；以及配置在上述第2、第3帶狀線圖形之間的電感性耦合(M耦合)圖形。
第6方案是這樣的方案，在上述第5方案中，具有配置在上述第2和第3帶狀線圖形之間的電容性耦合(C耦合)圖形；以連接在上述第1和第2帶狀線圖形之間的狀態(tài)配置的第1電感性耦合(M耦合)圖形；以及配置在上述第3和第4帶狀線圖形之間的第2電感性耦合(M耦合)圖形。
第7方案的特征在于在上述第6方案中，在上述電容性耦合(C耦合)圖形上形成了向上述第1帶狀線圖形側(cè)和第4帶狀線圖形側(cè)突出的突出部。
第8方案是這樣的方案，在具有在第1電介質(zhì)層上形成的成為第1～第3諧振元件的帶狀線圖形和在第2電介質(zhì)層上形成的成為第4～第6諧振元件的帶狀線圖形、該各帶狀線圖形夾著上述第1或者第2電介質(zhì)層地相對(duì)配置的層疊濾波器中，具有在配置在上述各帶狀線圖形之間的第3電介質(zhì)層上，與上述第1、第2、第4和第6諧振元件相對(duì)地形成的電容性耦合(C耦合)圖形；以及分別配置在上述第2和第3、以及第5和第6之間的電感性耦合(M耦合)圖形。
第9方案的特征在于在上述第8方案中，還具有夾著上述第1～第3帶狀線圖形和第2電容性耦合(C耦合)圖形配置的作為第7～第9諧振元件的帶狀線圖形，而且具有配置在該第8和第9之間的第3電感性耦合(M耦合)圖形。
第10方案具有配置在電介質(zhì)層上的作為第1、第2和第3諧振元件的微帶狀線圖形；配置在上述第1、第2微帶狀線圖形之間的電容性耦合(C耦合)圖形；以及配置在上述第2、第3微帶狀線圖形之間的電感性耦合(M耦合)圖形。


圖1是本發(fā)明的層疊濾波器的外觀立體圖。
圖2是表示上述層疊濾波器的層疊結(jié)構(gòu)的說明性立體圖。
圖3是圖1的A-A線剖面圖。
圖4A～圖4B是表示圖2中各圖形的位置關(guān)系的透視圖。
圖5表示等效電路圖。
圖6是本發(fā)明的等效電路的頻率特性圖。
圖7表示等效電路圖。
圖8是表示第2實(shí)施方式的圖形的位置關(guān)系的透視圖。
圖9是表示第3實(shí)施方式的圖形的位置關(guān)系的透視圖。
圖10是表示第4實(shí)施方式的圖形的位置關(guān)系的透視圖。
圖11是表示第5實(shí)施方式的層疊結(jié)構(gòu)的說明平面圖。
圖12是表示第6實(shí)施方式的層疊結(jié)構(gòu)的說明平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照?qǐng)D1～圖5說明本發(fā)明層疊濾波器的第1實(shí)施方式。圖1是外觀立體圖，圖2是表示上述層疊濾波器的層疊結(jié)構(gòu)的說明性立體圖，圖3是圖1的A-A線剖面圖，圖4A～圖4B是表示各圖形的位置關(guān)系的透視圖，圖5表示等效電路圖，圖6表示由本發(fā)明的層疊濾波器獲得的頻率特性。
如圖1所示，1是將形成了預(yù)定的導(dǎo)體圖形的多個(gè)電介質(zhì)層11～16層疊起來構(gòu)成了一體結(jié)構(gòu)的層疊濾波器，各電介質(zhì)層11～16由例如BaTiO3類的具有介電性的陶瓷燒結(jié)體構(gòu)成。在各電介質(zhì)層12～16上形成有以下所述的圖形。
如圖2所示，11是兼作保護(hù)層的第1電介質(zhì)層；12是幾乎在整個(gè)面積上形成了接地圖形12a的第2電介質(zhì)層；13是形成了一端從長(zhǎng)邊露出的三個(gè)內(nèi)部接地圖形13a、以及在離開了該內(nèi)部接地圖形13a的位置與長(zhǎng)邊平行的C耦合圖形13b的第3電介質(zhì)層；14是形成了一端從與上述長(zhǎng)邊相對(duì)的長(zhǎng)邊側(cè)露出的兼作諧振器的3個(gè)平行的帶狀線圖形14a，一端與該帶狀線圖形14a的第1帶狀線圖形14a1和第3帶狀線圖形14a3連接、另一端從左右短邊露出的輸入輸出圖形14b，以及連接在上述帶狀線圖形14a2、14a3之間的M耦合圖形14c的第4電介質(zhì)層；15是與上述第3電介質(zhì)層13一樣地形成了內(nèi)部接地圖形15a的第5電介質(zhì)層；16是與上述的第2電介質(zhì)層12一樣地形成了內(nèi)部接地圖形16a的第6電介質(zhì)層。
另外，如圖1所示，這些電介質(zhì)層11～16用公知的方法層疊起來而形成一體。另外，第2電介質(zhì)層12的接地圖形12a、第3電介質(zhì)層13的接地圖形13a、第5電介質(zhì)層15的接地圖形15a、以及第6電介質(zhì)層16的接地圖形16a在層疊后的狀態(tài)下，在長(zhǎng)邊方向的側(cè)面，成為外部接地導(dǎo)體層16。
另外，第2電介質(zhì)層12的接地圖形12a、第4電介質(zhì)層14的帶狀線圖形14a、以及第6電介質(zhì)層16的接地圖形16a在層疊后的狀態(tài)下，在長(zhǎng)邊方向的側(cè)面成為外部接地導(dǎo)體層18，另外，第4電介質(zhì)層14的輸入輸出圖形14b在層疊后的狀態(tài)下，在短邊方向的側(cè)面成為輸入輸出導(dǎo)體層19。
透視層疊上述圖2的電介質(zhì)層11～16后的狀態(tài)下的各圖形的位置關(guān)系，如圖4所示。在該圖中C耦合圖形13b成為與帶狀線圖形14a1、14a2重疊的狀態(tài)，而且，C耦合圖形13b的長(zhǎng)度是稍微從帶狀線圖形14a1、14a2伸出一些的長(zhǎng)度。特別是C耦合圖形13b形成了從帶狀線圖形14a2向帶狀線圖形14a3側(cè)突出的突出部13b1，該突出部13b1成為后面所述的等效電路的多路徑并聯(lián)諧振元件(電容成分C3)。
其次，圖5中示出了圖4A的等效電路。M耦合圖形14c成為等效電路中的電感L1，圖4A～圖4B中左側(cè)的輸入輸出圖形14b成為電感L2，同樣右側(cè)的輸入輸出圖形14b成為電感L3，由C耦合圖形13b和帶狀線圖形14a1、142產(chǎn)生的電容為C1、C2，另外，因C耦合圖形13b的突出部和帶狀線圖形14a3夾著電介質(zhì)層相對(duì)置而產(chǎn)生的電容成分成為多路徑C3。由帶狀線圖形14a1、14a2形成由電容和電感構(gòu)成的Q12，另外，由帶狀線圖形14a2、14a3形成由電容和電感構(gòu)成的Q23。
另外，圖4B是將上述的圖4A中的M耦合圖形14c的形狀從直線狀變?yōu)椤哎场弊譅詈蟮膱D，其它結(jié)構(gòu)完全相同，所以說明從略。另外，由帶狀線圖形14a1～14a3構(gòu)成第1諧振器～第3諧振器。
在這樣構(gòu)成的層疊濾波器中，雖然能獲得圖5所示那樣的等效電路，但由C1、C2和Q12構(gòu)成的電容性并聯(lián)諧振電路是由在第1和第2諧振器之間產(chǎn)生的電容性成分為主導(dǎo)的等效電抗構(gòu)成的電路，由于并聯(lián)諧振電路的諧振頻率f0為f0=1/(2πLC),]]>因此形成圖6所示的頻率特性中的低頻帶的第1陷波點(diǎn)。
另外，由電感器L1和Q23構(gòu)成的電感性并聯(lián)諧振電路形成高頻帶的第3陷波點(diǎn)。并且，通過在上述電容性并聯(lián)諧振電路中加入多路徑并聯(lián)諧振元件C3，因此形成第2陷波點(diǎn)，通過調(diào)整該第2陷波電路的頻率，能使低頻、高頻的弱側(cè)更陡峭。
另外，多路徑并聯(lián)諧振元件可以如上述實(shí)施方式那樣采用C耦合(層間電容耦合)，也可以由L耦合(由圖形連接)構(gòu)成。這樣，在本發(fā)明中，由于在高頻側(cè)和低頻側(cè)2處形成了陷波點(diǎn)，因此在要確保頻帶兩側(cè)的衰減量的情況下，本發(fā)明是有效的。
另外，上述多路徑并聯(lián)諧振元件可以認(rèn)為與圖7所示的電路等效，所以，多路徑并聯(lián)諧振元件是，通過與其它常數(shù)相比、不對(duì)其它常數(shù)產(chǎn)生影響地使其變化，從而能進(jìn)行陷波點(diǎn)位置的調(diào)整的元件。另外，如本發(fā)明所述，在將圖7所示的一邊做成M耦合為主導(dǎo)的M的情況下，在高頻側(cè)出現(xiàn)陷波點(diǎn)，但在將所有邊都做成C的情況下，在低頻側(cè)出現(xiàn)陷波點(diǎn)，所以變成在低頻和高頻的兩者都不出現(xiàn)陷波點(diǎn)的現(xiàn)有的情況。
其次，參照?qǐng)D8說明第2實(shí)施方式。并且，與上述的第1實(shí)施方式相同的圖形標(biāo)以相同的符號(hào)，說明從略。
在圖8所示的實(shí)施方式中，形成作為第4諧振元件的第4帶狀線圖形14a4，橫跨第1和第2帶狀線圖形14a1、14a2地在不同層的電介質(zhì)層上形成第1C耦合圖形13b，另外，橫跨第4和第3帶狀線圖形14a4、14a3地在不同層的電介質(zhì)層上形成第2C耦合圖形13c，并且，還形成了連接第2和第4帶狀線圖形14a2、14a4的M耦合圖形14c。
在這樣構(gòu)成的層疊濾波器中，也與上述圖6所示的頻率特性圖一樣，在低頻和高頻的兩者中產(chǎn)生第1～第3陷波點(diǎn)，在要確保頻帶兩側(cè)的衰減量的情況下是有效。
其次，與圖9一起說明第3實(shí)施方式。并且，與上述第2實(shí)施方式相同的圖形標(biāo)以相同的符號(hào)，說明從略。
在圖9所示的實(shí)施方式中，C耦合圖形橫跨第2和第4帶狀線圖形14a2、14a4地形成在不同層的電介質(zhì)上，另外，還形成了連接在第1和第2帶狀線圖形14a1、14a2之間，以及第4和第3帶狀線圖形14a4、14a3之間的第1M耦合圖形14c和第2M耦合圖形14d。
其次，與圖10一起說明第4實(shí)施方式。并且，與上述第3實(shí)施方式相同的圖形標(biāo)以相同的符號(hào)，說明從略。
在圖10所示的實(shí)施方式中，形成有圖9中的C耦合圖形13b的、與第1帶狀線圖形14a1和第3帶狀線圖形14a3相對(duì)地突出的突出部13b1，在該突出部13b1和第1帶狀線圖形14a1及第3帶狀線圖形14a3之間，作為多路徑并聯(lián)諧振元件而發(fā)揮作用。這樣，通過將突出部設(shè)置在兩側(cè)，形成兩個(gè)多路徑，所以能形成和控制更多樣的極。
其次，與圖11一起說明第5實(shí)施方式。并且，與上述第1實(shí)施方式相同的圖形標(biāo)以相同的符號(hào)，說明從略。
在圖11所示的實(shí)施方式中，在上述第1實(shí)施方式中的圖2所示的第3電介質(zhì)層13的上面?zhèn)?，將形成了與第4電介質(zhì)層14相同的圖形的第7電介質(zhì)層17，以與各共振圖形相對(duì)的形式層疊起來。
即，在第7電介質(zhì)層17上形成有作為帶狀線圖形17a的第4～第6帶狀線圖形17a1～17a3，在第4和第6帶狀線圖形17a1和17a3上形成有輸入輸出圖形17b，另外，還形成有連接在第2和第3帶狀線圖形17a2和17a3之間的第1M耦合圖形17c。此外，在第1～第3帶狀線圖形和第4～第6帶狀線圖形之間，設(shè)有形成了C耦合圖形13b的電介質(zhì)層13。
這樣，通過在被夾于相對(duì)置的帶狀線圖形之間的位置設(shè)置C耦合圖形，能得到有效的電容耦合，而且，通過在電介質(zhì)層14和電介質(zhì)層17的兩者上設(shè)置M耦合圖形，在這樣的對(duì)置形式的層疊濾波器中，也能使低頻、高頻的兩者都有效地衰減。另外，在本發(fā)明中，并不否定只在單側(cè)的電介質(zhì)層上設(shè)置M耦合圖形。
其次，與圖12一起說明第6實(shí)施方式。并且，與上述的第5實(shí)施方式相同的圖形標(biāo)以相同的符號(hào)，說明從略。
在圖12所示的實(shí)施方式中，在上述第5實(shí)施方式的第4電介質(zhì)層14的下側(cè)，配置具有在與圖2所示的第3電介質(zhì)層13的C耦合圖形13b相同的位置上形成的第2C耦合圖形18b的第8電介質(zhì)層18，另外，在該第8電介質(zhì)層18的下側(cè)，層疊了第9電介質(zhì)層19，該第9電介質(zhì)層19形成有圖形與第4和第7電介質(zhì)層14、17相同的作為帶狀線圖形19a的第7～第9帶狀線圖形19a1～19a3、以及輸入輸出圖形19b和第3M耦合圖形19c。
而且，在這些第3～第6實(shí)施方式所示的層疊濾波器中，與圖6所示的頻率特性圖一樣，在低頻和高頻的兩者中產(chǎn)生第1～第3陷波點(diǎn)，在要確保頻帶兩側(cè)的衰減量的情況下是有效的。
另外，在上述實(shí)施例中，以層疊濾波器為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也能適用于在印刷基板上構(gòu)成的濾波電路、或通過在多層基板上形成微帶線圖形而構(gòu)成的微帶型濾波器。
本發(fā)明，如上所述，在第1～第3諧振元件與輸入輸出線相連接的濾波電路中，通過由在上述第1諧振元件和第2諧振元件之間形成的電容性并聯(lián)諧振電路、以及在上述第2諧振元件和第3諧振元件之間形成的電感性并聯(lián)諧振電路來構(gòu)成，在低頻側(cè)和高頻側(cè)的兩者中形成衰減區(qū)，所以能適用于要確保頻帶兩側(cè)的衰減量的通信裝置。
權(quán)利要求
1.一種濾波電路，具有第1～第3諧振元件，第1和第3諧振元件與輸入輸出線連接，其特征在于包括在上述第1諧振元件和第2諧振元件之間形成的電容性并聯(lián)諧振電路；以及在上述第2諧振元件和第3諧振元件之間形成的電感性并聯(lián)諧振電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾波電路，其特征在于在上述電容性并聯(lián)諧振電路和上述電感性并聯(lián)諧振電路之間連接了電容性或電感性的多路徑。
3.一種層疊濾波器，其特征在于包括配置在電介質(zhì)層上的作為第1、第2和第3諧振元件的帶狀線圖形；配置在上述第1、第2帶狀線圖形之間的電容性耦合圖形；以及配置在上述第2、第3帶狀線圖形之間的電感性耦合圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊濾波器，其特征在于在上述電容性耦合圖形上形成了向上述第3帶狀線圖形側(cè)突出的突出部。
5.一種層疊濾波器，其特征在于包括配置在電介質(zhì)層上的作為第1～第4諧振元件的帶狀線圖形；配置在上述第1、第2帶狀線圖形之間的第1電容性耦合圖形；配置在上述第3、第4帶狀線圖形之間的第2電容性耦合圖形；以及配置在上述第2、第3帶狀線圖形之間的電感性耦合圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊濾波器，其特征在于包括配置在上述第2、第3帶狀線圖形之間的電容性耦合圖形；以連接在上述第1、第2帶狀線圖形之間的狀態(tài)配置的第1電感性耦合圖形；以及配置在上述第3、第4帶狀線圖形之間的第2電感性耦合圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊濾波器，其特征在于在上述電容性耦合圖形上形成了向上述第1帶狀線圖形側(cè)和第4帶狀線圖形側(cè)突出的突出部。
8.一種層疊濾波器，具有在第1電介質(zhì)層上形成的成為第1～第3諧振元件的帶狀線圖形，以及在第2電介質(zhì)層上形成的成為第4～第6諧振元件的帶狀線圖形；上述各帶狀線圖形夾著上述第1或第2電介質(zhì)層相對(duì)配置，其特征在于包括在配置在上述各帶狀線圖形之間的第3電介質(zhì)層上，與上述第1、第2、第4和第6諧振元件相對(duì)地形成的電容性耦合圖形；以及分別配置在上述第2和第3、以及第5和第6之間的電感性耦合圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊濾波器，其特征在于還具有夾著上述第1～第3帶狀線圖形和第2電容性耦合圖形配置的作為第7～第9諧振元件的帶狀線圖形，并且，具有配置在上述第8和第9之間的第3電感性耦合圖形。
10.一種層疊濾波器，其特征在于包括配置在電介質(zhì)層上的作為第1、第2和第3諧振元件的微帶狀線圖形；配置在上述第1、第2微帶狀線圖形之間的電容性耦合圖形；以及配置在上述第2、第3微帶狀線圖形之間的電感性耦合圖形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種濾波電路和層疊濾波器，在人們要求便攜式電話等通信裝置的多樣化的情況下，作為層疊濾波器，也要求低頻側(cè)和高頻側(cè)的兩者都有陡峭的衰減區(qū)的特性，但是，在現(xiàn)有的層疊濾波器中，存在只能在低頻側(cè)或者只能在高頻側(cè)形成衰減區(qū)的問題。本發(fā)明的層疊濾波器具有配置在電介質(zhì)層上的作為第1、第2和第3諧振元件的帶狀線圖形(14a)；配置在上述第1和第2帶狀線圖形(14a1、14a2)之間的電容性耦合圖形(13b)；以及配置在上述第2、第3帶狀線圖形(14a2、14a3)之間的電感性耦合圖形(14c)。
文檔編號(hào)H01P1/205GK1577953SQ200410048178
公開日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月30日
發(fā)明者小坂武史, 安田壽博 申請(qǐng)人:太陽(yáng)誘電株式會(huì)社