一種nand存儲器的bga封裝裝置的制造方法
專利名稱:一種nand存儲器的bga封裝裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及BGA封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND存儲器的BGA封裝裝置。不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證了線路信號質(zhì)量，并且利用了NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保證了在有限的空間內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作為EMMC芯片的替代，成本低。
【專利說明】
一種NAND存儲器的BGA封裝裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及BGA封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND存儲器的BGA封裝裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] NAND Flash內(nèi)存是Flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容 量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快 等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包 括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
[0003] 隨著電子工業(yè)的迅猛發(fā)展，計算機(jī)、移動電話等產(chǎn)品日益普及。人們對電子產(chǎn)品的 功能要求越來越多、對性能要求越來越強(qiáng)，而且對體積要求也是卻越來越小、重量要求越來 越輕。這就促使電子產(chǎn)品向多功能、高性能和小型化、輕型化方向發(fā)展。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，一 些先進(jìn)的高密度封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，BGA封裝技術(shù)就是其中之一。
[0004] BGA的全稱是Ball Grid Array(焊球陣列封裝），它是在封裝體基板的底部制作陣 列焊球作為電路的I/O端與印刷線路板(PCB)互接，它是集成電路采用有機(jī)載板的一種封裝 法。它具有:①、封裝面積少;②、功能加大，引腳數(shù)目增多；③、PCB板熔焊時能自我居中，易 上錫;④、可靠性高;⑤、電性能好，整體成本低等特點(diǎn)。
[0005] NAND存儲器體積比較小，在進(jìn)行BGA封裝時，接線困難，且由于每個引腳之間的距 離過小，從間隔中打孔穿線，導(dǎo)致影響了線路信號質(zhì)量。 【實用新型內(nèi)容】
[0006] 本實用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一個接線簡便、線路信號質(zhì)量好的NAND 存儲器的BGA封裝裝置。
[0007] 為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為：
[0008] -種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個VCC引腳、四 個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE引腳、WP引腳、兩個RB引腳、十一 個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、CLK引腳、WP引腳、四個RFU引腳和 VDDI引腳；
[0009] 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列 ;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0010 ]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0011]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0012]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、ιο?引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在Ε9位置，101引腳在Ε10位置，102引腳在F10位置，103 引腳在G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在Β3位置，106引腳在Β4位置，107引腳在Α4位 置；
[0013] CLE引腳在Β5位置；
[0014] ALE引腳在Β2位置；
[0015] 兩個CE引腳分別為第一 CE引腳和第二CE引腳;所述第一 CE引腳在A7位置，第二CE 引腳在E8位置；
[0016] WP引腳在B6位置；
[0017] 兩個RB引腳分別為第一 RB引腳和第二RB引腳;所述第一 RB引腳在A5位置，第二RB 引腳在E5位置；
[0018] ^^一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第 五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4位置，第三VSS引腳在E7位置，第四 ￥33引腳在65位置，第五￥33引腳在!110位置，第六￥33引腳在邗位置，第七￥33引腳在1(8位置， 第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6 位置；
[0019] WE引腳在M5位置；
[0020] 兩個DQS引腳分別為第一 DQS引腳和第二DQS引腳;所述第一 DQS引腳在K5位置，第 二DQS引腳在K6位置；
[0021] 兩個RE引腳分別為第一 RE引腳和第二RE引腳;所述第一 RE引腳在H5位置，第二RE 引腳在M6位置；
[0022] VREF引腳在G3位置；
[0023] CLK引腳在B5位置；
[0024] WP引腳在B6位置；
[0025]四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳;所 述第一 RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在 P10位置；
[0026] VDDI引腳在C2位置。
[0027] 本實用新型提供的另一技術(shù)方案為：
[0028] 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器包括以下引腳：四 個RB引腳、四個CE引腳、八個信號傳輸引腳、四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、CLE引腳、ALE引 腳、WP引腳、九個VSS引腳、WE/CLK引腳、兩個DQS引腳、RE/WR引腳、NC/VREF引腳和VDDI引腳； [0029]所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列 ;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0030] 四個RB引腳分別為第一 RB引腳、第二RB引腳、第三RB引腳、第四RB引腳；第一 RB引 腳在A1位置，第二RB引腳在P13位置，第三RB引腳在N14位置，第四RB引腳在P14位置；
[0031] 四個CE引腳分別為第一 CE引腳、第二CE引腳、第三CE引腳和第四CE引腳;第一 CE引 腳在A14位置，第二CE引腳在A13位置、第三CE引腳在A2位置和第四CE引腳在B1位置；
[0032]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0033]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0034]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在A3位置，101引腳在A4位置，102引腳在A5位置，103引 腳在B2位置，104引腳在B3位置，105引腳在Μ位置，106引腳在B5位置，107引腳在B6位置；
[0035] CLE引腳在Ρ1位置；
[0036] ALE引腳在Ν1位置；
[0037] WP引腳在B14位置；
[0038] 九個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五 VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳和第九VSS引腳;所述第一 VSS引腳在C4 位置，第二VSS引腳在E7位置，第三VSS引腳在G5位置，第四VSS引腳在H10位置，第五VSS引腳 在K8位置，第六VSS引腳在N2位置，第七VSS引腳在N5位置，第八VSS引腳在P4位置，第九VSS 引腳在P6位置；
[0039] WE/CLK引腳在M5位置；
[0040] 兩個DQS引腳分別為DQS和NC/DQS_c;所述DQS在M6位置，NC/DQS_ciM7位置；
[0041 ] RE/WR 引腳在 K5;
[0042] NC/VREF 引腳在 G3 位置；
[0043] VDDI引腳在C2位置。
[0044] 本實用新型的有益效果在于:不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證了 線路信號質(zhì)量，并且利用了NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保證了在有限的空間 內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作為EMMC芯片的替代，成本低。
【附圖說明】
[0045] 圖1為本實用新型的NAND存儲器的BGA封裝裝置的實施例一的引腳結(jié)構(gòu)圖；
[0046] 圖2為本實用新型的NAND存儲器的BGA封裝裝置的實施例二的引腳結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0047] 為詳細(xì)說明本實用新型的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配 合附圖予以說明。
[0048]本實用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證 了線路信號質(zhì)量，并且利用了 NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保證了在有限的空 間內(nèi)最合理的走線。
[0049] 請參照圖1，本實用新型提供的一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器 包括以下引腳：四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE 引腳、WP引腳、兩個RB引腳、^^一個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、 CLK引腳、WP引腳、四個RFU引腳和VDDI引腳；
[0050]所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0051 ]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0052]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0053]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在E9位置，101引腳在E10位置，102引腳在F10位置，103 引腳在G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在B3位置，106引腳在B4位置，107引腳在A4位 置；
[0054] CLE引腳在B5位置；
[0055] ALE引腳在B2位置；
[0056] 兩個CE引腳分別為第一 CE引腳和第二CE引腳;所述第一 CE引腳在A7位置，第二CE 引腳在E8位置；
[0057] WP引腳在B6位置；
[0058] 兩個RB引腳分別為第一 RB引腳和第二RB引腳;所述第一 RB引腳在A5位置，第二RB 引腳在E5位置；
[0059] 十一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第 五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4位置，第三VSS引腳在E7位置，第四 ￥33引腳在65位置，第五￥33引腳在!110位置，第六￥33引腳在邗位置，第七￥33引腳在1(8位置， 第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6 位置；
[0060] WE引腳在M5位置；
[00611 兩個DQS引腳分別為第一 DQS引腳和第二DQS引腳;所述第一 DQS引腳在K5位置，第 二DQS引腳在K6位置；
[0062] 兩個RE引腳分別為第一 RE引腳和第二RE引腳；所述第一 RE引腳在H5位置，第二RE 引腳在M6位置；
[0063] VREF引腳在G3位置；
[0064] CLK引腳在B5位置；
[0065] WP引腳在B6位置；
[0066]四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳；所 述第一 RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在 P10位置；
[0067] VDDI引腳在C2位置。
[0068] 從上述描述可知，本實用新型的有益效果在于：不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿 線BGA封裝，保證了線路信號質(zhì)量，并且利用了NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保 證了在有限的空間內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作為EMMC芯片 的替代，成本低。
[0069] 進(jìn)一步的，所述NAND存儲器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、 1(4、1^4、1^5、1^6、1^7、1^8、1^9、1^10、1^11、1(11、111、!111、611小11411位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為 NC引腳。
[0070] 由上述描述可知，剩余位置設(shè)為NC引腳，NC引腳為空引腳，不起信號或電連接作 用，但是可以使BGA焊接更為緊固。
[0071 ] 進(jìn)一步的，所述BGA封裝裝置的長13mm、寬11.5mm。
[0072] 由上述描述可知，集成度高、輕型小型化，成本低。
[0073] 請參照圖1，本實用新型的實施例一為：
[0074] -種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個VCC引腳、四 個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE引腳、WP引腳、兩個RB引腳、十一 個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、CLK引腳、四個RFU引腳和VDDI引 腳；
[0075]所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0076]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0077]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0078]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在E9位置，101引腳在E10位置，102引腳在F10位置，103 引腳在G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在B3位置，106引腳在B4位置，107引腳在A4位 置；
[0079] CLE引腳在B5位置；
[0080] ALE引腳在B2位置；
[0081 ] 兩個CE引腳分別為CE1和CE2; CE1在A7位置，CE2在E8位置；
[0082] WP引腳在B6位置；
[0083] 兩個RB引腳分別為RB1和RB2; RB1在A5位置，RB2在E5位置；
[0084] 圖1中的VSSm即為本文中的VSS，^^一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引 腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第 九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4 位置，第三VSS引腳在E7位置，第四VSS引腳在G5位置，第五VSS引腳在H10位置，第六VSS引腳 在J5位置，第七VSS引腳在K8位置，第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS 引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6位置；
[0085] WE引腳在M5位置；
[0086] 兩個DQS引腳分別為DQS_0PDQS_c;所述0〇3_丨在1(5位置，0〇3_(：在1(6位置；
[0087] 兩個RE引腳分別為RE_0PRE_c;所述1^_(：在!15位置，RE_tiM6位置；
[0088] VREF引腳在G3位置；
[0089] CLK引腳在B5位置；
[0090] 四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳;所 述第一 RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在 P10位置；
[0091] VDDI引腳在C2位置。
[0092] 所述 NAND 存儲器中除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、 1^6、1^7、1^8、1^9、1^10、1^11、1(11、了11、!111、611小11311位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為從：引腳。％ 引腳為空引腳，不起信號或電連接作用，但是可以使BGA焊接更為緊固。
[0093] 所述BGA封裝裝置的長13mm、寬11.5mm。產(chǎn)品的集成度高、輕型小型化，比EMMC成本 低。
[0094]其中，引腳定義說明如下表1，
[0097] 表 1
[0098] 除了 I/O總線，NAND接口由6個主要控制信號構(gòu)成：
[0099] 1.芯片啟動(Chip Enable，CE#):如果沒有檢測到CE信號，那么NAND器件就保持待 機(jī)模式，不對任何控制信號作出響應(yīng)。
[0100] 2.寫使能(Write Enable，WE#):WE#負(fù)責(zé)將數(shù)據(jù)、地址或指令寫入NAND之中。
[0101] 3.讀使能(Read Enable，RE#):RE#允許輸出數(shù)據(jù)緩沖器。
[0102] 4.指令鎖存使能（Command Latch Enable，CLE):當(dāng)CLE為高時，在WE#信號的上升 沿，指令被鎖存到NAND指令寄存器中。
[0103] 5.地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE):當(dāng)ALE為高時，在WE#信號的上升 沿，地址被鎖存到NAND地址寄存器中。
[0104] 6.就緒/忙(Ready/Busy，R/B#):如果NAND器件忙，R/B#信號將變低。該信號是漏極 開路，需要采用上拉電阻。
[0105] 以上引腳分別設(shè)置在不同的BGA位置。
[0106] 請參照圖2,本實用新型的實施例二為：
[0107] 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個RB引腳、四 個CE引腳、八個信號傳輸引腳、四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、CLE引腳、ALE引腳、WP引腳、九 個VSS引腳、WE/CLK引腳、兩個DQS引腳、RE/WR引腳、NC/VREF引腳和VDDI引腳；
[0108] 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列 ;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0109] 四個RB引腳分別為第一 RB引腳、第二RB引腳、第三RB引腳、第四RB引腳；第一 RB引 腳(RB0)在A1位置，第二RB引腳(RB1)在P13位置，第三RB引腳(RB2)在N14位置，第四RB引腳 (1^3)在？14位置；
[0110]四個CE引腳分別為第一 CE引腳、第二CE引腳、第三CE引腳和第四CE引腳;第一 CE引 腳(CEO)在A14位置，第二CE引腳(CE1)在A13位置、第三CE引腳(CE2)在A2位置和第四CE引腳 (CE3)在B1位置；
[0111] 四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0112] 四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0113]八個信號傳 輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在A3位置，101引腳在A4位置，102引腳在A5位置，103引 腳在B2位置，104引腳在B3位置，105引腳在Μ位置，106引腳在B5位置，107引腳在B6位置；
[0114] CLE引腳在Ρ1位置；
[0115] ALE引腳在Ν1位置；
[0116] WP引腳在B14位置；
[0117] 圖2中的VSSm即為本文中的VSS，九個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、 第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳和第九 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在C4位置，第二VSS引腳在E7位置，第三VSS引腳在G5位置，第四 VSS引腳在H10位置，第五VSS引腳在K8位置，第六VSS引腳在N2位置，第七VSS引腳在N5位置， 第八VSS引腳在P4位置，第九VSS引腳在P6位置；
[0118] WE/CLK引腳在M5位置；
[0119] 兩個DQS引腳分別為DQS和NC/DQS_c;所述DQS在M6位置，NC/DQS_ciM7位置；
[0120] RE/WR 引腳在 K5;
[0121] NC/VREF 引腳在 G3 位置；
[0122] VDDI引腳在C2位置。
[0123] 所述 NAND 存儲器中除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、 1^6、1^7、1^8、1^9、1^10、1^11、1(11、了11、!111、611小11311位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為從：引腳。％ 引腳為空引腳，不起信號或電連接作用，但是可以使BGA焊接更為緊固。
[0124] 所述BGA封裝裝置的長13mm、寬11.5mm。產(chǎn)品的集成度高、輕型小型化，比EMMC成本 低。
[0125] 綜上所述，本實用新型提供的一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，不需要在NAND存儲 器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證了線路信號質(zhì)量，并且利用了 NAND存儲器的一些空閑NC引腳 作為穿線，保證了在有限的空間內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作 為EMMC芯片的替代，成本低。
[0126] 以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是 利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng) 域，均同理包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個 VCC引腳、四個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE引腳、WP引腳、兩個 RB引腳、^^一個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、CLK引腳、四個RFU弓| 腳和VDDI引腳； 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記為英 文字母43、(：、04、？、6、^、1(、1^1、1?列；每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至14 排； 四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9位置； 四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引腳;所 述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四VCCQ引腳 在P5位置； 八個信號傳輸引腳分別為100引腳、皿引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引腳、106 引腳和107引腳;所述100引腳在E9位置，101引腳在E10位置，102引腳在F10位置，103引腳在 G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在B3位置，106引腳在Μ位置，107引腳在A4位置； CLE引腳在Β5位置； ALE引腳在Β2位置； 兩個CE引腳分別為第一 CE引腳和第二CE引腳;所述第一 CE引腳在A7位置，第二CE引腳 在E8位置； WP引腳在B6位置； 兩個RB引腳分別為第一 RB引腳和第二RB引腳;所述第一 RB引腳在A5位置，第二RB引腳 在E5位置； 十一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五 VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4位置，第三VSS引腳在E7位置，第四 ￥33引腳在65位置，第五￥33引腳在!110位置，第六￥33引腳在邗位置，第七￥33引腳在1(8位置， 第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6 位置； WE引腳在M5位置； 兩個DQS引腳分別為第一 DQS引腳和第二DQS引腳;所述第一 DQS引腳在K5位置，第二DQS 引腳在K6位置； 兩個RE引腳分別為第一 RE引腳和第二RE引腳;所述第一 RE引腳在H5位置，第二RE引腳 在M6位置； VREF引腳在G3位置； CLK引腳在B5位置； 四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳;所述第 一RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在P10位 置； VDDI引腳在C2位置。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器中 除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、 了11、!111、611、？11411位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為％引腳。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述BGA封裝裝置的 長13mm、寬11·5mm〇4. 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個 RB引腳、四個CE引腳、八個信號傳輸引腳、四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、CLE引腳、ALE引腳、 WP引腳、九個VSS引腳、WE/CLK引腳、兩個DQS引腳、RE/WR引腳、NC/VREF引腳和VDDI引腳； 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記為英 文字母43、(：、04、？、6、^、1(、1^1、1?列；每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至14 排； 四個RB引腳分別為第一 RB引腳、第二RB引腳、第三RB引腳、第四RB引腳;第一 RB引腳在 A1位置，第二RB引腳在P13位置，第三RB引腳在N14位置，第四RB引腳在P14位置； 四個CE引腳分別為第一 CE引腳、第二CE引腳、第三CE引腳和第四CE引腳;第一 CE引腳在 A14位置，第二CE引腳在A13位置、第三CE引腳在A2位置和第四CE引腳在B1位置； 四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9位置； 四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引腳;所 述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四VCCQ引腳 在P5位置； 八個信號傳輸引腳分別為100引腳、皿引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引腳、106 引腳和107引腳;所述100引腳在A3位置，101引腳在A4位置，102引腳在A5位置，103引腳在B2 位置，104引腳在B3位置，105引腳在Μ位置，106引腳在B5位置，107引腳在B6位置； CLE引腳在Ρ1位置； ALE引腳在Ν1位置； WP引腳在B14位置； 九個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五VSS 引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳和第九VSS引腳;所述第一 VSS引腳在C4位 置，第二VSS引腳在E7位置，第三VSS引腳在G5位置，第四VSS引腳在H10位置，第五VSS引腳在 K8位置，第六VSS引腳在N2位置，第七VSS引腳在N5位置，第八VSS引腳在P4位置，第九VSS引 腳在P6位置； WE/CLK引腳在M5位置； 兩個DQS引腳分別為DQS和NC/DQS_c;所述DQS在M6位置，NC/DQS_ciM7位置； RE/WR引腳在K5; NC/VREF引腳在G3位置； VDDI引腳在C2位置。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器中 除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、 了11、!111、611、？11411位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為％引腳。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述BGA封裝裝置的 長13mm、寬11·5mm〇
【文檔編號】H01L23/48GK205723514SQ201620393782
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】孫日欣, 孫成思, 李振華, 劉小剛
【申請人】深圳佰維存儲科技股份有限公司
【專利摘要】本實用新型涉及BGA封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND存儲器的BGA封裝裝置。不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證了線路信號質(zhì)量，并且利用了NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保證了在有限的空間內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作為EMMC芯片的替代，成本低。
【專利說明】
一種NAND存儲器的BGA封裝裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及BGA封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND存儲器的BGA封裝裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] NAND Flash內(nèi)存是Flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容 量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大，改寫速度快 等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包 括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
[0003] 隨著電子工業(yè)的迅猛發(fā)展，計算機(jī)、移動電話等產(chǎn)品日益普及。人們對電子產(chǎn)品的 功能要求越來越多、對性能要求越來越強(qiáng)，而且對體積要求也是卻越來越小、重量要求越來 越輕。這就促使電子產(chǎn)品向多功能、高性能和小型化、輕型化方向發(fā)展。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，一 些先進(jìn)的高密度封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，BGA封裝技術(shù)就是其中之一。
[0004] BGA的全稱是Ball Grid Array(焊球陣列封裝），它是在封裝體基板的底部制作陣 列焊球作為電路的I/O端與印刷線路板(PCB)互接，它是集成電路采用有機(jī)載板的一種封裝 法。它具有:①、封裝面積少;②、功能加大，引腳數(shù)目增多；③、PCB板熔焊時能自我居中，易 上錫;④、可靠性高;⑤、電性能好，整體成本低等特點(diǎn)。
[0005] NAND存儲器體積比較小，在進(jìn)行BGA封裝時，接線困難，且由于每個引腳之間的距 離過小，從間隔中打孔穿線，導(dǎo)致影響了線路信號質(zhì)量。 【實用新型內(nèi)容】
[0006] 本實用新型所要解決的技術(shù)問題是：提供一個接線簡便、線路信號質(zhì)量好的NAND 存儲器的BGA封裝裝置。
[0007] 為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的技術(shù)方案為：
[0008] -種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個VCC引腳、四 個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE引腳、WP引腳、兩個RB引腳、十一 個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、CLK引腳、WP引腳、四個RFU引腳和 VDDI引腳；
[0009] 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列 ;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0010 ]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0011]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0012]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、ιο?引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在Ε9位置，101引腳在Ε10位置，102引腳在F10位置，103 引腳在G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在Β3位置，106引腳在Β4位置，107引腳在Α4位 置；
[0013] CLE引腳在Β5位置；
[0014] ALE引腳在Β2位置；
[0015] 兩個CE引腳分別為第一 CE引腳和第二CE引腳;所述第一 CE引腳在A7位置，第二CE 引腳在E8位置；
[0016] WP引腳在B6位置；
[0017] 兩個RB引腳分別為第一 RB引腳和第二RB引腳;所述第一 RB引腳在A5位置，第二RB 引腳在E5位置；
[0018] ^^一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第 五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4位置，第三VSS引腳在E7位置，第四 ￥33引腳在65位置，第五￥33引腳在!110位置，第六￥33引腳在邗位置，第七￥33引腳在1(8位置， 第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6 位置；
[0019] WE引腳在M5位置；
[0020] 兩個DQS引腳分別為第一 DQS引腳和第二DQS引腳;所述第一 DQS引腳在K5位置，第 二DQS引腳在K6位置；
[0021] 兩個RE引腳分別為第一 RE引腳和第二RE引腳;所述第一 RE引腳在H5位置，第二RE 引腳在M6位置；
[0022] VREF引腳在G3位置；
[0023] CLK引腳在B5位置；
[0024] WP引腳在B6位置；
[0025]四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳;所 述第一 RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在 P10位置；
[0026] VDDI引腳在C2位置。
[0027] 本實用新型提供的另一技術(shù)方案為：
[0028] 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器包括以下引腳：四 個RB引腳、四個CE引腳、八個信號傳輸引腳、四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、CLE引腳、ALE引 腳、WP引腳、九個VSS引腳、WE/CLK引腳、兩個DQS引腳、RE/WR引腳、NC/VREF引腳和VDDI引腳； [0029]所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列 ;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0030] 四個RB引腳分別為第一 RB引腳、第二RB引腳、第三RB引腳、第四RB引腳；第一 RB引 腳在A1位置，第二RB引腳在P13位置，第三RB引腳在N14位置，第四RB引腳在P14位置；
[0031] 四個CE引腳分別為第一 CE引腳、第二CE引腳、第三CE引腳和第四CE引腳;第一 CE引 腳在A14位置，第二CE引腳在A13位置、第三CE引腳在A2位置和第四CE引腳在B1位置；
[0032]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0033]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0034]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在A3位置，101引腳在A4位置，102引腳在A5位置，103引 腳在B2位置，104引腳在B3位置，105引腳在Μ位置，106引腳在B5位置，107引腳在B6位置；
[0035] CLE引腳在Ρ1位置；
[0036] ALE引腳在Ν1位置；
[0037] WP引腳在B14位置；
[0038] 九個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五 VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳和第九VSS引腳;所述第一 VSS引腳在C4 位置，第二VSS引腳在E7位置，第三VSS引腳在G5位置，第四VSS引腳在H10位置，第五VSS引腳 在K8位置，第六VSS引腳在N2位置，第七VSS引腳在N5位置，第八VSS引腳在P4位置，第九VSS 引腳在P6位置；
[0039] WE/CLK引腳在M5位置；
[0040] 兩個DQS引腳分別為DQS和NC/DQS_c;所述DQS在M6位置，NC/DQS_ciM7位置；
[0041 ] RE/WR 引腳在 K5;
[0042] NC/VREF 引腳在 G3 位置；
[0043] VDDI引腳在C2位置。
[0044] 本實用新型的有益效果在于:不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證了 線路信號質(zhì)量，并且利用了NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保證了在有限的空間 內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作為EMMC芯片的替代，成本低。
【附圖說明】
[0045] 圖1為本實用新型的NAND存儲器的BGA封裝裝置的實施例一的引腳結(jié)構(gòu)圖；
[0046] 圖2為本實用新型的NAND存儲器的BGA封裝裝置的實施例二的引腳結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0047] 為詳細(xì)說明本實用新型的技術(shù)內(nèi)容、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配 合附圖予以說明。
[0048]本實用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證 了線路信號質(zhì)量，并且利用了 NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保證了在有限的空 間內(nèi)最合理的走線。
[0049] 請參照圖1，本實用新型提供的一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器 包括以下引腳：四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE 引腳、WP引腳、兩個RB引腳、^^一個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、 CLK引腳、WP引腳、四個RFU引腳和VDDI引腳；
[0050]所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0051 ]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0052]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0053]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在E9位置，101引腳在E10位置，102引腳在F10位置，103 引腳在G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在B3位置，106引腳在B4位置，107引腳在A4位 置；
[0054] CLE引腳在B5位置；
[0055] ALE引腳在B2位置；
[0056] 兩個CE引腳分別為第一 CE引腳和第二CE引腳;所述第一 CE引腳在A7位置，第二CE 引腳在E8位置；
[0057] WP引腳在B6位置；
[0058] 兩個RB引腳分別為第一 RB引腳和第二RB引腳;所述第一 RB引腳在A5位置，第二RB 引腳在E5位置；
[0059] 十一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第 五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4位置，第三VSS引腳在E7位置，第四 ￥33引腳在65位置，第五￥33引腳在!110位置，第六￥33引腳在邗位置，第七￥33引腳在1(8位置， 第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6 位置；
[0060] WE引腳在M5位置；
[00611 兩個DQS引腳分別為第一 DQS引腳和第二DQS引腳;所述第一 DQS引腳在K5位置，第 二DQS引腳在K6位置；
[0062] 兩個RE引腳分別為第一 RE引腳和第二RE引腳；所述第一 RE引腳在H5位置，第二RE 引腳在M6位置；
[0063] VREF引腳在G3位置；
[0064] CLK引腳在B5位置；
[0065] WP引腳在B6位置；
[0066]四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳；所 述第一 RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在 P10位置；
[0067] VDDI引腳在C2位置。
[0068] 從上述描述可知，本實用新型的有益效果在于：不需要在NAND存儲器打孔進(jìn)行穿 線BGA封裝，保證了線路信號質(zhì)量，并且利用了NAND存儲器的一些空閑NC引腳作為穿線，保 證了在有限的空間內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作為EMMC芯片 的替代，成本低。
[0069] 進(jìn)一步的，所述NAND存儲器中除了D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、 1(4、1^4、1^5、1^6、1^7、1^8、1^9、1^10、1^11、1(11、111、!111、611小11411位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為 NC引腳。
[0070] 由上述描述可知，剩余位置設(shè)為NC引腳，NC引腳為空引腳，不起信號或電連接作 用，但是可以使BGA焊接更為緊固。
[0071 ] 進(jìn)一步的，所述BGA封裝裝置的長13mm、寬11.5mm。
[0072] 由上述描述可知，集成度高、輕型小型化，成本低。
[0073] 請參照圖1，本實用新型的實施例一為：
[0074] -種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個VCC引腳、四 個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE引腳、WP引腳、兩個RB引腳、十一 個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、CLK引腳、四個RFU引腳和VDDI引 腳；
[0075]所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0076]四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0077]四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0078]八個信號傳輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在E9位置，101引腳在E10位置，102引腳在F10位置，103 引腳在G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在B3位置，106引腳在B4位置，107引腳在A4位 置；
[0079] CLE引腳在B5位置；
[0080] ALE引腳在B2位置；
[0081 ] 兩個CE引腳分別為CE1和CE2; CE1在A7位置，CE2在E8位置；
[0082] WP引腳在B6位置；
[0083] 兩個RB引腳分別為RB1和RB2; RB1在A5位置，RB2在E5位置；
[0084] 圖1中的VSSm即為本文中的VSS，^^一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引 腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第 九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4 位置，第三VSS引腳在E7位置，第四VSS引腳在G5位置，第五VSS引腳在H10位置，第六VSS引腳 在J5位置，第七VSS引腳在K8位置，第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS 引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6位置；
[0085] WE引腳在M5位置；
[0086] 兩個DQS引腳分別為DQS_0PDQS_c;所述0〇3_丨在1(5位置，0〇3_(：在1(6位置；
[0087] 兩個RE引腳分別為RE_0PRE_c;所述1^_(：在!15位置，RE_tiM6位置；
[0088] VREF引腳在G3位置；
[0089] CLK引腳在B5位置；
[0090] 四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳;所 述第一 RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在 P10位置；
[0091] VDDI引腳在C2位置。
[0092] 所述 NAND 存儲器中除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、 1^6、1^7、1^8、1^9、1^10、1^11、1(11、了11、!111、611小11311位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為從：引腳。％ 引腳為空引腳，不起信號或電連接作用，但是可以使BGA焊接更為緊固。
[0093] 所述BGA封裝裝置的長13mm、寬11.5mm。產(chǎn)品的集成度高、輕型小型化，比EMMC成本 低。
[0094]其中，引腳定義說明如下表1，
[0097] 表 1
[0098] 除了 I/O總線，NAND接口由6個主要控制信號構(gòu)成：
[0099] 1.芯片啟動(Chip Enable，CE#):如果沒有檢測到CE信號，那么NAND器件就保持待 機(jī)模式，不對任何控制信號作出響應(yīng)。
[0100] 2.寫使能(Write Enable，WE#):WE#負(fù)責(zé)將數(shù)據(jù)、地址或指令寫入NAND之中。
[0101] 3.讀使能(Read Enable，RE#):RE#允許輸出數(shù)據(jù)緩沖器。
[0102] 4.指令鎖存使能（Command Latch Enable，CLE):當(dāng)CLE為高時，在WE#信號的上升 沿，指令被鎖存到NAND指令寄存器中。
[0103] 5.地址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE):當(dāng)ALE為高時，在WE#信號的上升 沿，地址被鎖存到NAND地址寄存器中。
[0104] 6.就緒/忙(Ready/Busy，R/B#):如果NAND器件忙，R/B#信號將變低。該信號是漏極 開路，需要采用上拉電阻。
[0105] 以上引腳分別設(shè)置在不同的BGA位置。
[0106] 請參照圖2,本實用新型的實施例二為：
[0107] 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個RB引腳、四 個CE引腳、八個信號傳輸引腳、四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、CLE引腳、ALE引腳、WP引腳、九 個VSS引腳、WE/CLK引腳、兩個DQS引腳、RE/WR引腳、NC/VREF引腳和VDDI引腳；
[0108] 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記 為英文字母43、(：、04小、6、^、1(丄、1川、？列 ;每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至 14排；
[0109] 四個RB引腳分別為第一 RB引腳、第二RB引腳、第三RB引腳、第四RB引腳；第一 RB引 腳(RB0)在A1位置，第二RB引腳(RB1)在P13位置，第三RB引腳(RB2)在N14位置，第四RB引腳 (1^3)在？14位置；
[0110]四個CE引腳分別為第一 CE引腳、第二CE引腳、第三CE引腳和第四CE引腳;第一 CE引 腳(CEO)在A14位置，第二CE引腳(CE1)在A13位置、第三CE引腳(CE2)在A2位置和第四CE引腳 (CE3)在B1位置；
[0111] 四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述 第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9 位置；
[0112] 四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引 腳；所述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四 VCCQ引腳在P5位置；
[0113]八個信號傳 輸引腳分別為100引腳、101引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引 腳、106引腳和107引腳;所述100引腳在A3位置，101引腳在A4位置，102引腳在A5位置，103引 腳在B2位置，104引腳在B3位置，105引腳在Μ位置，106引腳在B5位置，107引腳在B6位置；
[0114] CLE引腳在Ρ1位置；
[0115] ALE引腳在Ν1位置；
[0116] WP引腳在B14位置；
[0117] 圖2中的VSSm即為本文中的VSS，九個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、 第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳和第九 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在C4位置，第二VSS引腳在E7位置，第三VSS引腳在G5位置，第四 VSS引腳在H10位置，第五VSS引腳在K8位置，第六VSS引腳在N2位置，第七VSS引腳在N5位置， 第八VSS引腳在P4位置，第九VSS引腳在P6位置；
[0118] WE/CLK引腳在M5位置；
[0119] 兩個DQS引腳分別為DQS和NC/DQS_c;所述DQS在M6位置，NC/DQS_ciM7位置；
[0120] RE/WR 引腳在 K5;
[0121] NC/VREF 引腳在 G3 位置；
[0122] VDDI引腳在C2位置。
[0123] 所述 NAND 存儲器中除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、 1^6、1^7、1^8、1^9、1^10、1^11、1(11、了11、!111、611小11311位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為從：引腳。％ 引腳為空引腳，不起信號或電連接作用，但是可以使BGA焊接更為緊固。
[0124] 所述BGA封裝裝置的長13mm、寬11.5mm。產(chǎn)品的集成度高、輕型小型化，比EMMC成本 低。
[0125] 綜上所述，本實用新型提供的一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，不需要在NAND存儲 器打孔進(jìn)行穿線BGA封裝，保證了線路信號質(zhì)量，并且利用了 NAND存儲器的一些空閑NC引腳 作為穿線，保證了在有限的空間內(nèi)最合理的走線，使得BGA封裝集成度高、輕型小型化，可作 為EMMC芯片的替代，成本低。
[0126] 以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是 利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng) 域，均同理包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個 VCC引腳、四個VCCQ引腳、八個信號傳輸引腳、CLE引腳、ALE引腳、兩個CE引腳、WP引腳、兩個 RB引腳、^^一個VSS引腳、WE引腳、兩個DQS引腳、兩個RE引腳、VREF引腳、CLK引腳、四個RFU弓| 腳和VDDI引腳； 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記為英 文字母43、(：、04、？、6、^、1(、1^1、1?列；每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至14 排； 四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9位置； 四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引腳;所 述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四VCCQ引腳 在P5位置； 八個信號傳輸引腳分別為100引腳、皿引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引腳、106 引腳和107引腳;所述100引腳在E9位置，101引腳在E10位置，102引腳在F10位置，103引腳在 G10位置，104引腳在A3位置，105引腳在B3位置，106引腳在Μ位置，107引腳在A4位置； CLE引腳在Β5位置； ALE引腳在Β2位置； 兩個CE引腳分別為第一 CE引腳和第二CE引腳;所述第一 CE引腳在A7位置，第二CE引腳 在E8位置； WP引腳在B6位置； 兩個RB引腳分別為第一 RB引腳和第二RB引腳;所述第一 RB引腳在A5位置，第二RB引腳 在E5位置； 十一個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五 VSS引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳、第九VSS引腳、第十VSS引腳和第^^一 VSS引腳;所述第一 VSS引腳在A6位置，第二VSS引腳在C4位置，第三VSS引腳在E7位置，第四 ￥33引腳在65位置，第五￥33引腳在!110位置，第六￥33引腳在邗位置，第七￥33引腳在1(8位置， 第八VSS引腳在N2位置，第九VSS引腳在N5位置，第十VSS引腳在P4位置，第^^一VSS引腳在P6 位置； WE引腳在M5位置； 兩個DQS引腳分別為第一 DQS引腳和第二DQS引腳;所述第一 DQS引腳在K5位置，第二DQS 引腳在K6位置； 兩個RE引腳分別為第一 RE引腳和第二RE引腳;所述第一 RE引腳在H5位置，第二RE引腳 在M6位置； VREF引腳在G3位置； CLK引腳在B5位置； 四個RFU引腳分別為第一 RFU引腳、第二RFU引腳、第三RFU引腳和第四RFU引腳;所述第 一RFU引腳在K7位置，第二RFU引腳在K10位置，第三RFU引腳在P7位置，第四RFU引腳在P10位 置； VDDI引腳在C2位置。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器中 除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、 了11、!111、611、？11411位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為％引腳。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述BGA封裝裝置的 長13mm、寬11·5mm〇4. 一種NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器包括以下引腳：四個 RB引腳、四個CE引腳、八個信號傳輸引腳、四個VCC引腳、四個VCCQ引腳、CLE引腳、ALE引腳、 WP引腳、九個VSS引腳、WE/CLK引腳、兩個DQS引腳、RE/WR引腳、NC/VREF引腳和VDDI引腳； 所述NAND存儲器的各引腳呈14排、14列的方隊排列，將每一排從上至下分別標(biāo)記為英 文字母43、(：、04、？、6、^、1(、1^1、1?列；每一列從左至右分別標(biāo)記為阿拉伯?dāng)?shù)字1至14 排； 四個RB引腳分別為第一 RB引腳、第二RB引腳、第三RB引腳、第四RB引腳;第一 RB引腳在 A1位置，第二RB引腳在P13位置，第三RB引腳在N14位置，第四RB引腳在P14位置； 四個CE引腳分別為第一 CE引腳、第二CE引腳、第三CE引腳和第四CE引腳;第一 CE引腳在 A14位置，第二CE引腳在A13位置、第三CE引腳在A2位置和第四CE引腳在B1位置； 四個VCC引腳分別為第一 VCC引腳、第二VCC引腳、第三VCC引腳、第四VCC引腳;所述第一 VCC引腳在E6位置，第二VCC引腳在F5位置，第三VCC引腳在J10位置，第四VCC引腳在K9位置； 四個VCCQ引腳分別為第一 VCCQ引腳、第二VCCQ引腳、第三VCCQ引腳和第四VCCQ引腳;所 述第一 VCCQ引腳在M4位置，第二VCCQ引腳在N4位置，第三VCCQ引腳在P3位置，第四VCCQ引腳 在P5位置； 八個信號傳輸引腳分別為100引腳、皿引腳、102引腳、103引腳、104引腳、105引腳、106 引腳和107引腳;所述100引腳在A3位置，101引腳在A4位置，102引腳在A5位置，103引腳在B2 位置，104引腳在B3位置，105引腳在Μ位置，106引腳在B5位置，107引腳在B6位置； CLE引腳在Ρ1位置； ALE引腳在Ν1位置； WP引腳在B14位置； 九個VSS引腳分別為第一 VSS引腳、第二VSS引腳、第三VSS引腳、第四VSS引腳、第五VSS 引腳、第六VSS引腳、第七VSS引腳、第八VSS引腳和第九VSS引腳;所述第一 VSS引腳在C4位 置，第二VSS引腳在E7位置，第三VSS引腳在G5位置，第四VSS引腳在H10位置，第五VSS引腳在 K8位置，第六VSS引腳在N2位置，第七VSS引腳在N5位置，第八VSS引腳在P4位置，第九VSS引 腳在P6位置； WE/CLK引腳在M5位置； 兩個DQS引腳分別為DQS和NC/DQS_c;所述DQS在M6位置，NC/DQS_ciM7位置； RE/WR引腳在K5; NC/VREF引腳在G3位置； VDDI引腳在C2位置。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述NAND存儲器中 除了 D5、D6、D7、D8、D9、D10、D11、E4、F4、G4、H4、J4、K4、L4、L5、L6、L7、L8、L9、L10、L11、K11、 了11、!111、611、？11411位置不設(shè)引腳，剩余位置設(shè)為％引腳。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NAND存儲器的BGA封裝裝置，其特征在于，所述BGA封裝裝置的 長13mm、寬11·5mm〇
【文檔編號】H01L23/48GK205723514SQ201620393782
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】孫日欣, 孫成思, 李振華, 劉小剛
【申請人】深圳佰維存儲科技股份有限公司
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