專利名稱：分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種分離柵極快閃內(nèi)存單元(Split Gate Flash Memory Cell)的字符線(Word Line)及其制造方法，特別涉及一種利用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)技術(shù)來制造分離柵極快閃內(nèi)存單元的方型(Box-shape)字符線的方法。
背景技術(shù)：
在閃存元件中，分離柵極閃存元件與堆棧柵極閃存元件相比之下，不僅體積較微小，而且更省電。因此，目前分離柵極閃存已成為相當(dāng)受歡迎的存儲(chǔ)元件。在分離柵極閃存中，通常利用多晶硅間隙壁來做為字符線，來降低分離柵極閃存的尺寸。
請(qǐng)參照

圖1至圖7，圖1至圖7為現(xiàn)有分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的工藝剖面圖。首先，在半導(dǎo)體的基材100上形成依序堆棧的氧化層102、多晶硅層104以及氮化層106。其中，氧化層102以及多晶硅層104用來制作浮置柵極(Floating Gate)的材料層。再利用微影與蝕刻工藝定義氮化層106與多晶硅層104，移除部分的氮化層106以及部分的多晶硅層104，借以形成開口108，從而提供制作部分的內(nèi)存柵極元件的區(qū)域。其中，此開口108并未暴露出氧化層102，而且開口108在多晶硅層104的區(qū)域的側(cè)壁成傾斜狀，形成凹槽狀結(jié)構(gòu)，如圖1所示。
開口108形成后，先利用沉積與回蝕刻的方式在開口108的側(cè)壁上形成氮化硅間隙壁109。再同樣利用沉積與回蝕刻的方式在開口108中的氮化硅間隙壁109上形成氧化硅間隙壁110，所形成的結(jié)構(gòu)如圖2所示。完成氧化硅間隙壁110后，利用微影及蝕刻工藝去除開口108中所暴露的多晶硅層104，從而暴露出部分的氧化層102。接著，形成氧化硅間隙壁114，而同時(shí)移除了開口中暴露的氧化層102，進(jìn)而暴露出部分的基材100。此時(shí)，進(jìn)行對(duì)開口108中暴露出的基材100的離子布植步驟，借以在基材100中形成源極112，如圖3所示。
源極112形成后，利用沉積的方式在開口108中填入多晶硅層116，其中此多晶硅層116覆蓋在所暴露的基材100、氧化硅間隙壁114以及部分的氧化硅間隙壁110上，并與源極112接觸。接著，再次利用回蝕刻的方式去除多余的多晶硅層116，而僅留下開口108內(nèi)的多晶硅層116，且暴露出部分的氧化硅間隙壁110。此時(shí)，已完成了閃存的源極112的內(nèi)部連線布植。之后，利用熱氧化方式進(jìn)行多晶硅層116表面的氧化，借以在多晶硅層116的表面形成氧化層118。待氧化層118形成后，去除其余的氮化層106、部分的多晶硅層104、部分的氧化層102以及氮化硅間隙壁109，從而形成分離柵極快閃內(nèi)存單元的柵極結(jié)構(gòu)120，如圖4所示。
然后，先利用沉積方式形成氧化層122覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)120以及基材100上，再利用沉積方式形成多晶硅層124覆蓋在氧化層122上，從而形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)。接著，在多晶硅層124上覆蓋一層氧化層126，其中氧化層126用來作為后續(xù)的間隙壁蝕刻的犧牲罩幕，所形成的結(jié)構(gòu)如圖6所示。
此時(shí)，可開始制作分離柵極閃存元件的字符線，先進(jìn)行穿透性(BreakThrough)蝕刻步驟，將部分的氧化層126移除，但仍有部分的氧化層126殘留在多晶硅層124的側(cè)壁旁。再進(jìn)行回蝕刻步驟，從而將部分的氧化層126以及部分的多晶硅層124去除，借以在柵極結(jié)構(gòu)120旁形成多晶硅間隙壁128。其中，所形成的多晶硅間隙壁128即為分離柵極快閃內(nèi)存單元130的字符線。由于柵極結(jié)構(gòu)120及氧化層126的結(jié)構(gòu)和回蝕刻的交互作用，而導(dǎo)致在所形成的多晶硅間隙壁128的表面上產(chǎn)生凹陷區(qū)132，進(jìn)而在多晶硅間隙壁128上形成柵欄狀結(jié)構(gòu)134。
上述現(xiàn)有技術(shù)利用蝕刻方式制造分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線時(shí)，不僅難以有效控制內(nèi)存單元的關(guān)鍵尺寸，而且作為字符線的間隙壁無法形成較佳的方型結(jié)構(gòu)，反而常在間隙壁上形成柵欄狀結(jié)構(gòu)，嚴(yán)重影響內(nèi)存單元的電性品質(zhì)與工藝可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是提供一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其為在字符線材料層形成后，在此字符線材料層上形成覆蓋層，再利用化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)平坦化字符線材料層，進(jìn)而可獲得方型結(jié)構(gòu)的字符線。
本發(fā)明的另一目的是提供一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的制造方法，借由調(diào)整化學(xué)機(jī)械研磨工藝的參數(shù)，來提升化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力，并輔以字符線材料層上的覆蓋層，這樣一來，不僅可順利平坦化覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)的字符線材料層，還有利于去除多余的字符線材料層，從而制造出方型結(jié)構(gòu)的字符線。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法。
依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例，本發(fā)明的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法至少包括下列步驟首先，提供一基材，其中此分離柵極快閃內(nèi)存單元的一柵極結(jié)構(gòu)已形成于部分的基材上，而且上述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁至少包括一間隙壁，其中此間隙壁的材料可為氧化硅。再形成一介電層位于上述的柵極結(jié)構(gòu)與基材上，而此介電層的材料可為氧化硅。接著，形成一導(dǎo)電層位于上述的介電層上，此導(dǎo)電層的材料較佳為多晶硅。待此導(dǎo)電層形成后，形成一覆蓋層位于此導(dǎo)電層上，其中覆蓋層的材料較佳為氮化硅。然后，利用化學(xué)機(jī)械研磨的方式進(jìn)行一平坦化步驟直至暴露出上述的間隙壁為止。此時(shí)，去除平坦化步驟后剩余的覆蓋層及覆蓋層下方的導(dǎo)電層，即完成分離柵極快閃內(nèi)存單元的方型結(jié)構(gòu)字符線。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線結(jié)構(gòu)，至少包括分離柵極快閃內(nèi)存單元的一柵極結(jié)構(gòu)位于一基材上；以及一方型間隙壁位于上述的柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)壁上。
借由增加化學(xué)機(jī)械研磨工藝的機(jī)械應(yīng)力，以及適當(dāng)調(diào)整覆蓋層的厚度，相當(dāng)容易就可獲得具垂直側(cè)壁的字符線結(jié)構(gòu)，而且存儲(chǔ)元件的關(guān)鍵尺寸也可獲得有效控制。再者，由于字符線材料層經(jīng)平坦化步驟后，剩余的字符線材料層具有平坦表面，因此不會(huì)在字符線上形成柵欄狀結(jié)構(gòu)。這樣一來，不僅可大幅改善存儲(chǔ)元件的電性品質(zhì)，還可提升工藝合格率。
本發(fā)明所揭露的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線及其制造方法，除了可有效控制內(nèi)存單元的關(guān)鍵尺寸外，還可順利形成方型結(jié)構(gòu)的字符線。
附圖簡(jiǎn)要說明下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
附圖中，圖1至圖7為現(xiàn)有分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的工藝剖面圖；圖8至圖15為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的工藝剖面圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備請(qǐng)參照?qǐng)D8至圖15，圖8至圖15為依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的工藝剖面圖。首先，利用例如熱氧化的方式在半導(dǎo)體的基材200上形成柵極介電層202，其中柵極介電層202的材料可例如為氧化硅等。再利用例如化學(xué)氣相沉積(CVD)的方式形成導(dǎo)電層204，其中導(dǎo)電層204的材料較佳為多晶硅。上述的柵極介電層202與導(dǎo)電層204為提供制作浮置柵極的材料層。接著，利用例如化學(xué)氣相沉積的方式形成氮化層206覆蓋在導(dǎo)電層204上。待氮化層206形成后，利用例如微影以及蝕刻工藝進(jìn)行定義步驟，以去除部分的氮化層206以及部分的導(dǎo)電層204，但并不暴露出柵極介電層202，從而在氮化層206與導(dǎo)電層204中形成開口208。其中，開口208用來提供制作部分的內(nèi)存柵極元件的區(qū)域，而且開口208在導(dǎo)電層204區(qū)域內(nèi)的側(cè)壁成傾斜狀，如圖8所示。
開口208形成后，先共形(Conformally)沉積一層介電薄膜(僅繪示其中的間隙壁210)覆蓋在氮化層206與開口208所暴露的導(dǎo)電層204上，其中此介電薄膜的材料可例如為氮化硅。再利用例如回蝕刻的方式去除部分的介電薄膜，從而在開口208的側(cè)壁上形成間隙壁210。接著，利用例如化學(xué)氣相沉積的方式，并使用例如四乙基氧硅烷(TEOS)為原料，共形沉積另一介電薄膜(僅繪示其中的間隙壁212)覆蓋在氮化層206、間隙壁210以及所暴露出的導(dǎo)電層204上。其中，此另一介電薄膜的材料可例如為氧化硅。再利用例如回蝕刻的方式去除此另一介電薄膜的一部分，從而在開口208中的間隙壁210上形成間隙壁212，如圖9所示。
間隙壁212形成后，利用例如微影以及蝕刻工藝去除開口208中暴露的導(dǎo)電層204，而暴露出底下的柵極介電層202。接下來，先利用例如化學(xué)氣相沉積的方式共形沉積介電薄膜(僅繪示其中的間隙壁214)覆蓋在氮化層206、間隙壁212以及開口208中暴露出的柵極介電層202上。其中，此介電薄膜的材料較佳為氧化硅。再利用回蝕刻的方式移除部分的介電薄膜，并同時(shí)去除開口208中暴露的柵極介電層202，從而在間隙壁212的部分側(cè)壁上形成間隙壁214，而且暴露出部分的基材200。此時(shí)，對(duì)開口208中暴露的基材200進(jìn)行離子布植步驟，從而在基材200中形成源極216，所形成的結(jié)構(gòu)如圖10所示。
然后，利用例如化學(xué)氣相沉積的方式形成導(dǎo)電材料層(僅繪示其中的導(dǎo)電層218)覆蓋在部分的間隙壁212、間隙壁214以及開口208中暴露出的基材200上。其中，此導(dǎo)電材料層的材料較佳為多晶硅。再利用例如回蝕刻技術(shù)，移除部分的導(dǎo)電層21 8，并僅保留位于開口208內(nèi)的導(dǎo)電材料層，從而在開口208中形成與源極216接觸的導(dǎo)電層218，借以布植出閃存的源極216的內(nèi)部連線。其中，導(dǎo)電層218覆蓋暴露出的基材200、間隙壁214以及部分的間隙壁212。導(dǎo)電層218形成后，利用例如熱氧化法使導(dǎo)電層218的表面產(chǎn)生氧化，從而在導(dǎo)電層218的表面上形成氧化層220。在導(dǎo)電層218表面上形成氧化層220后，去除剩余的氮化層206、部分的導(dǎo)電層204、部分的柵極介電層202以及間隙壁210，從而形成如圖11所示的柵極結(jié)構(gòu)222。
完成柵極結(jié)構(gòu)222后，利用例如化學(xué)氣相沉積的方式形成一層薄薄的介電層224覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)222以及基材200上，其中介電層224的材料較佳為氧化硅。再利用例如化學(xué)氣相沉積法形成厚厚的一層導(dǎo)電層226覆蓋在介電層224上，其中此導(dǎo)電層226的材料較佳為多晶硅。接著，利用例如化學(xué)氣相沉積技術(shù)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)技術(shù)，在導(dǎo)電層226上形成覆蓋層228，以利于后續(xù)平坦化步驟的進(jìn)行，所形成的結(jié)構(gòu)如圖12所示。其中，覆蓋層228的材料較佳為氮化硅，而且覆蓋層228的厚度較佳是控制在介于600至1800之間。
覆蓋層228形成后，利用例如化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化圖12的結(jié)構(gòu)，直至暴露出間隙壁212為止。在上述的平坦化步驟中，去除部分的覆蓋層228、部分的導(dǎo)電層226、部分的介電層224以及些許的間隙壁212，從而形成如圖13所示的結(jié)構(gòu)。其中，可能尚有部分的介電層224殘留在氧化層220上。進(jìn)行上述的化學(xué)機(jī)械研磨工藝時(shí)，較佳是使用硬研磨墊，而且較佳是將下壓力(Down Force)控制在介于2磅/平方英吋(psi)至5磅/平方英吋(psi)之間，并將研磨平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速率控制在介于50轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)至100轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)之間，并且將研磨頭的旋轉(zhuǎn)速率控制在介于50rpm至100rpm之間。
本發(fā)明的一特征就是借由控制化學(xué)機(jī)械研磨工藝的工藝參數(shù)，來增加化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)械應(yīng)力，從而可有效調(diào)整具有不同圖案的研磨結(jié)構(gòu)(如圖12所示的結(jié)構(gòu))的研磨速率。再搭配適當(dāng)厚度的覆蓋層228，可順利在柵極結(jié)構(gòu)222旁形成具有平坦表面的導(dǎo)電層226，以利于后續(xù)方型字符線的制作。
接著，進(jìn)行例如熱處理步驟，借以在導(dǎo)電層226的暴露表面上形成氧化層230，從而形成如圖14所示的結(jié)構(gòu)。其中，氧化層230的厚度較佳是控制在大于200。此外，覆蓋層228材料的選用須使其蝕刻速率不同于氧化層230的蝕刻速率。這樣，等氧化層230形成后，就可利用例如蝕刻方式，并利用氧化層230與覆蓋層228的蝕刻速率的不同，去除殘余的覆蓋層228及此覆蓋層228底下的導(dǎo)電層226。于是，可在柵極結(jié)構(gòu)222的側(cè)壁旁形成具有方型結(jié)構(gòu)的間隙壁232來作為分離柵極快閃內(nèi)存單元234的字符線。其中，去除殘余的覆蓋層228及此覆蓋層228底下的導(dǎo)電層226所采用的蝕刻技術(shù)較佳為非等向性蝕刻法(Anisotropic Etching)。
由上述本發(fā)明較佳實(shí)施例可知，借由調(diào)控平坦化步驟的工藝參數(shù)，并搭配額外加入的覆蓋層，可提供具有平坦表面的字符線結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)用本發(fā)明可避免字符線邊緣上出現(xiàn)柵欄狀結(jié)構(gòu)，從而可防止因字符線邊緣上的柵欄狀結(jié)構(gòu)的倒塌所引發(fā)的電性短路及微粒污染，達(dá)到提升工藝合格率與產(chǎn)品可靠度的目的。
由上述本發(fā)明較佳實(shí)施例可知，與現(xiàn)有利用蝕刻技術(shù)來制作字符線相比之下，應(yīng)用本發(fā)明不僅可輕易獲得具垂直側(cè)壁的字符線結(jié)構(gòu)，還可順利獲得具方型結(jié)構(gòu)的字符線。因此，可輕易控制分離柵極快閃內(nèi)存單元的關(guān)鍵尺寸，工藝可靠度更高。
可以理解的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，至少包括提供一基材，其中部分該基材上至少已形成該分離柵極快閃內(nèi)存單元的一柵極結(jié)構(gòu)，而且該柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁至少包括一間隙壁；形成一介電層位于該柵極結(jié)構(gòu)與該基材上；形成一導(dǎo)電層位于該介電層上；形成一覆蓋層位于該導(dǎo)電層上；進(jìn)行一平坦化步驟直至暴露出該間隙壁為止；以及去除剩余的該覆蓋層及該覆蓋層下方的該導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該間隙壁的材料為氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該介電層的材料為氧化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電層的材料為多晶硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該覆蓋層的厚度介于600至1800之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該覆蓋層的材料為氮化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該平坦化步驟為一化學(xué)機(jī)械研磨步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該化學(xué)機(jī)械研磨步驟至少包括使用一硬研磨墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該化學(xué)機(jī)械研磨步驟至少包括控制一下壓力介于2磅/平方英時(shí)至5磅/平方英時(shí)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該化學(xué)機(jī)械研磨步驟至少包括控制一研磨平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速率介于50轉(zhuǎn)/分鐘至100轉(zhuǎn)/分鐘之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該化學(xué)機(jī)械研磨步驟至少包括控制一研磨頭的旋轉(zhuǎn)速率介于50轉(zhuǎn)/分鐘至100轉(zhuǎn)/分鐘之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，在該平坦化步驟與去除剩余的該覆蓋層及該覆蓋層下方的該導(dǎo)電層的步驟之間，還至少包括進(jìn)行一熱處理反應(yīng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，去除剩余的該覆蓋層及該覆蓋層下方的該導(dǎo)電層的步驟為利用一非等向性蝕刻法。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該熱處理反應(yīng)在該導(dǎo)電層上形成一氧化層，而且該氧化層的厚度大于200。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該氧化層的蝕刻速率不同于該覆蓋層的蝕刻速率。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，在該平坦化步驟后，至少包括形成一氧化層于暴露出的該導(dǎo)電層上，而且該氧化層的蝕刻速率不同于該覆蓋層的蝕刻速率。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，形成該氧化層的步驟為一熱處理步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線的制造方法，其特征在于，該柵極結(jié)構(gòu)至少包括一源極位于該基材中；二柵極氧化層位于該基材上，而且每一這些柵極氧化層位于部分的該源極上；二第一導(dǎo)電薄膜分別位于部分的這些柵極氧化層上；二第一氧化硅間隙壁分別位于這些第一導(dǎo)電薄膜上；二第二氧化硅間隙壁分別位于另一部分的這些柵極氧化層以及這些第一氧化硅間隙壁的側(cè)壁上；一第二導(dǎo)電薄膜位于另一部分的該源極、這些第一氧化硅間隙壁以及這些第二氧化硅間隙壁上；以及一氧化薄膜位于該第二導(dǎo)電薄膜上。
19.一種分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括該分離柵極快閃內(nèi)存單元的一柵極結(jié)構(gòu)位于一基材上；以及一方型間隙壁位于該柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)壁上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該方型間隙壁的材料為多晶硅。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的分離柵極快閃內(nèi)存單元的字符線結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵極結(jié)構(gòu)至少包括一源極位于該基材中；二柵極氧化層位于該基材上，而且每一這些柵極氧化層位于部分的該源極上；二第一導(dǎo)電薄膜分別位于部分的這些柵極氧化層上；二第一氧化硅間隙壁分別位于這些第一導(dǎo)電薄膜上；二第二氧化硅間隙壁分別位于另一部分的這些柵極氧化層以及這些第一氧化硅間隙壁的側(cè)壁上；一第二導(dǎo)電薄膜位于另一部分的該源極、這些第一氧化硅間隙壁以及這些第二氧化硅間隙壁上；以及一氧化薄膜位于該第二導(dǎo)電薄膜上。
全文摘要
一種分離柵極快閃內(nèi)存單元(Split Gate FlashMemory Cell)的字符線(Word Line)結(jié)構(gòu)及其制造方法。此方法先提供分離柵極快閃內(nèi)存單元的柵極結(jié)構(gòu)，其中此柵極結(jié)構(gòu)上形成有字符線的材料層。再在此字符線材料層上形成覆蓋層。接著，利用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)技術(shù)移除部分的覆蓋層與部分的字符線材料層。在暴露的字符線材料層的表面上形成氧化層后，去除剩下的覆蓋層及其下方的字符線材料層，從而形成分離柵極快閃內(nèi)存單元的方型(Box－shape)字符線。
文檔編號(hào)H01L27/105GK1581463SQ03153009
公開日2005年2月16日 申請(qǐng)日期2003年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月1日
發(fā)明者喻中一, 羅際興, 蔡嘉雄 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司