專利名稱：電的多層結(jié)構(gòu)元件和具有該結(jié)構(gòu)元件的抗干擾電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電的多層結(jié)構(gòu)元件，該部件包括一個基體，該基體具有相互疊堆的第一種和第二種電極層。這些電極層通過電介質(zhì)層相互分開并構(gòu)成至少一個電容。在基體的側(cè)面設(shè)置兩個外接觸點副。分別從屬于一個觸點副的外接觸點的直接連接相互交叉。第一外接觸點副與第一種電極層接通，第二外接觸點副與第二種電極層接通。
由文獻(xiàn)US 5,889,445已知文首所述類的結(jié)構(gòu)元件，其中在兩個端面上并在兩個縱向側(cè)面上分別設(shè)置外接觸點。這些結(jié)構(gòu)元件以“饋通結(jié)構(gòu)元件”的名字為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知。通過將基體浸漬在導(dǎo)電膏中涂覆設(shè)置在端面上的外接觸點并因此帽狀地位于基體端面上。已知的結(jié)構(gòu)元件由于外接觸點的布置和其加工方法而存在缺陷，即，尺寸不可能不超過長度2.0mm和寬度1.25mm。因為外接觸點相互間必需具有一個最小距離，以防止由于表面電流產(chǎn)生短路。
移動電話的實際設(shè)計要求小于上述結(jié)構(gòu)尺寸，因此已知的結(jié)構(gòu)元件不能被考慮用于這種類型。
已知結(jié)構(gòu)元件的相當(dāng)大的尺寸還存在缺陷，即，由此引起較大的寄生電感，它對于結(jié)構(gòu)元件的衰減特性起到副作用，這種結(jié)構(gòu)元件在移動電話中作為濾掉干擾頻率的干擾保護(hù)元件。
已知的結(jié)構(gòu)元件可以在電介質(zhì)層中采用壓敏陶瓷作為壓敏電阻。在這種情況下結(jié)構(gòu)元件較大的尺寸也存在缺陷，尤其是在寄生電感以及對于陡降脈沖時的相對較高端電壓方面。
已知結(jié)構(gòu)元件還存在缺陷，即，為了安置外接觸點必需在四個不同的基體側(cè)面覆層，這意味著相當(dāng)高的費用、例如為了使結(jié)構(gòu)元件轉(zhuǎn)動。
因此本發(fā)明的目的是，給出文首所述類的結(jié)構(gòu)元件，該部件可以微型化并容易制造。
按照本發(fā)明這個目的通過權(quán)利要求1所述的電的多層結(jié)構(gòu)元件而實現(xiàn)。本發(fā)明的其它改進(jìn)結(jié)構(gòu)以及具有按照本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)元件的抗干擾電路在其它權(quán)利要求中給出。
本發(fā)明提供一種電的多層結(jié)構(gòu)元件，它包括一個基體，該基體包括相互疊堆的第一種和第二種電極層。此外基體具有使電極層相互分開的電介質(zhì)層，由此構(gòu)成至少一個電容。在基體的相對置的側(cè)面上設(shè)置兩個外接觸點副。在此每一個觸點副中的一個外接觸點分別位于每個側(cè)面上。此外這樣設(shè)置外接觸點，使從屬于一個觸點副的外接觸點的直接連接相互交叉。對于本發(fā)明例如可以采用六面體形基體，通過將外接觸點布置在靠近六面體拐角處可以實現(xiàn)近乎對角的導(dǎo)通路徑。
第一外接觸點副與第一種電極層接通。第二外接觸點副相應(yīng)地與第二種電極層接通。在第一種電極層中含有導(dǎo)電層，它使兩個外接觸點相互連接。此外在第二種電極層中含有一個導(dǎo)電層，它與外接觸點中的一個觸點連接。
按照本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)元件具有優(yōu)點，即，外接觸點只設(shè)置在基體的兩個側(cè)面上。由此使它們特別容易加工，因為為了安置外接觸點結(jié)構(gòu)元件只需轉(zhuǎn)動一次。按照本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)元件還具有優(yōu)點，即，通過將外接觸點布置在基體的兩個相對置的側(cè)面上能夠?qū)崿F(xiàn)更小的結(jié)構(gòu)形狀。這一點尤其可以使沒有外接觸點的其它側(cè)面用來作為外接觸點之間的距離間隔。因此使外接觸點相互間很好地絕緣。
更小的結(jié)構(gòu)形狀具有更小的寄生電感的優(yōu)點，由此按照本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)元件作為抗干擾元件具有更好的衰減特性。
此外，如果電介質(zhì)層由壓敏電阻層構(gòu)成，由于降低結(jié)構(gòu)元件電感而得到更小端電壓的優(yōu)點。
在本發(fā)明的一個特別有利的實施例中，外接觸點設(shè)置在基體的平的側(cè)面上。在這種情況下外接觸點能夠特別容易地通過一種膏印刷或也可以通過其它適當(dāng)?shù)拇胧┩扛驳交w上。尤其是在這種情況下外接觸點可以通過覆有導(dǎo)電材料層的輥在平的側(cè)面上的滾動簡單而經(jīng)濟(jì)地制成。這種簡單的外接觸點加工方法具有可在空間上實現(xiàn)精確界定結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點，由此可使結(jié)構(gòu)元件進(jìn)一步微型化。
當(dāng)所采用的基體具有一個基礎(chǔ)面和一個覆蓋面時，其中這些表面中的一個表面用于裝配到電路板上，則外接觸點可以特別有利地設(shè)置在基體的那些相互間具有最小的距離的側(cè)面上。如果采用六面體形式的基體，則可以是六面體載有外接觸點的寬度面。這種結(jié)構(gòu)元件具有電感更加微小的優(yōu)點，因為通過由于側(cè)面相互間微小的距離可以實現(xiàn)短的電流路徑。
按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件的這種結(jié)構(gòu)還具有其它優(yōu)點，通過基體的變窄和基體的同時延長而可以在保持高電容的情況下實現(xiàn)更加微小的寄生電感。
電介質(zhì)層中的至少一個電介質(zhì)層可以由具有與電壓有關(guān)的電阻的壓敏電阻層構(gòu)成。這種結(jié)構(gòu)元件具有優(yōu)點，即一個或兩個電容和一個與電壓有關(guān)的電阻(VDR)一起集成在一個單一的結(jié)構(gòu)元件里面。因此為了抗干擾功能也可以附加地實現(xiàn)相對于ESD(靜電釋放)的保護(hù)功能。
作為電介質(zhì)層例如可以采用一個所謂的“C0G”陶瓷。一種這樣的材料例如是一種(Sm，Ba)NdTiO3陶瓷。但是也可以考慮“X7R”陶瓷，例如摻雜鈦酸鋇。例如一種必要時摻雜鐠或氧化鉍的氧化鋅陶瓷適合作為具有與電壓有關(guān)的電阻的壓敏電阻層。
在本發(fā)明的一個實施例中，其中在多層結(jié)構(gòu)元件中含有唯一的電容，這樣構(gòu)成第二種電極層，使它含有使兩個外接觸點相互連接的導(dǎo)電層。
在另一實施例中按照本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)元件也可以包含兩個電容，其中在一個第二種電極層中含有兩個相互間隔一定距離的導(dǎo)電層，它們分別與一個外接觸點連接并且它們屬于兩個相互分開的電容。
對于按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件含有兩個電容的情況，如果在一個第一種電極層中含有兩個相互間隔一定距離的導(dǎo)電層，它們分別與一個外接觸點導(dǎo)電連接，則是特別有利的。此外相互間隔一定距離的導(dǎo)電層彼此通過一個電阻層連接。由此可以實現(xiàn)一個π電路，其中兩個電容通過一個由電阻層代表的電阻相互連接。這樣一種π電路具有一種更好的衰減特性，其中在兩個由電容所確定的衰減頻率之間變化的整個頻帶可以被衰減。
在這個實施例的一個變體中，第一種電極層也可以完全由使兩個外接觸點相互連接的電阻層構(gòu)成。
在這個實施例的另一個變體中，在基體的表面上設(shè)置一個電阻層，它使第一外接觸點副相互連接。
此外，如果對于結(jié)構(gòu)元件的一個導(dǎo)電層和/或一個電阻層配有至少一個狹窄位置，則是特別有利的。通過插入一個或多個狹窄位置實現(xiàn)有目的地調(diào)整結(jié)構(gòu)元件電特性。這種可以通過引入狹窄位置進(jìn)行調(diào)整的電特性例如是電感、電阻或電容。由此可以使結(jié)構(gòu)元件用于衰減所必需的諧振曲線具有一個適當(dāng)?shù)男螤睢?br> 必要時，在按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件中含有的電阻層可以有利地由含有釕的膏制成。通常為了制造導(dǎo)電層而采用銀膏。通過對銀膏添加釕提高了電阻，此外釕對于銀在膏中的有利特性不會有其它損害。
按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件可以有利地通過上下疊加的陶瓷生膜疊堆燒結(jié)而成。由此產(chǎn)生一個單片的、緊湊的結(jié)構(gòu)元件，它可以非?？焖俣唵蔚卮笈恐圃臁?br> 在本發(fā)明的另一有利的實施例中，相同的第一種電極層交替地與相同的第二種電極層疊堆。這種結(jié)構(gòu)元件的簡化設(shè)計具有容易實現(xiàn)的優(yōu)點。通過交替地疊堆電極層產(chǎn)生梳狀相互插入的結(jié)構(gòu)，它們構(gòu)成并聯(lián)的電容。由此可以對于非常小的結(jié)構(gòu)元件外形尺寸時達(dá)到最大的電容。
第一種電極層與第二種電極層的導(dǎo)電層面積相互間的偏差可以小于10％，由此可以實現(xiàn)一個具有兩個接近相同電容的多層結(jié)構(gòu)元件。
但是通過與第一種電極層中的導(dǎo)電層面積相互間偏差大于20％，也可以實現(xiàn)一個具有不同電容的結(jié)構(gòu)元件。這一點由此實現(xiàn)，即，電容的大小主要由電容電極的面積給定。
按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件尤其可以以一個微型形狀實現(xiàn)，其中基體的基面小于2.5mm2。這種基面例如可以通過基體的結(jié)構(gòu)形狀實現(xiàn)，其中長度為1.25mm，寬度為1.0mm。已知這種結(jié)構(gòu)形狀的名稱為“0405”。
此外本發(fā)明提出一種具有按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件的抗干擾電路，其中所述結(jié)構(gòu)元件與另一相同的結(jié)構(gòu)元件一起設(shè)置在電路板上。結(jié)構(gòu)元件基體的配有外接觸點的外表面相對于電路板的印制導(dǎo)線垂直地豎立，印制導(dǎo)線本身沿著三條平行的直線延伸。兩個外接觸點沿著兩條外邊的直線設(shè)置而四個外接觸點沿著內(nèi)部的直線設(shè)置。由此得到一個非常緊湊的布置，它可以由兩個具有極其微小空間需求的導(dǎo)線實現(xiàn)。
在按照本發(fā)明的抗干擾電路的另一有利改進(jìn)結(jié)構(gòu)中，印制導(dǎo)線包括一個接地線，它分別在三個印制導(dǎo)線外邊緣上延伸并且它與結(jié)構(gòu)元件中的另兩個印制導(dǎo)線交叉。這種電路具有優(yōu)點，即，接地從一個外側(cè)引到另一個外側(cè)，由此可以容易且非常節(jié)省空間地例如連接在屏蔽插頭的接地接點上。
下面借助于實施例和附圖詳細(xì)描述本發(fā)明

圖1以簡化縱剖面圖示例性地示出按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件，圖2示出圖1中的D-D剖面圖，
圖3示出圖1中的F-F剖面圖，圖4示出按照圖1的結(jié)構(gòu)元件的另一實施例的F-F剖面圖，圖5示出按照圖1的結(jié)構(gòu)元件的另一實施例的F-F剖面圖，圖6簡示出圖1所示結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖，圖7以簡化縱剖面圖示例性地示出另一種按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件，圖8示出圖7的E-E剖面圖，圖9示出圖7中另一實施例的E-E剖面圖，圖10簡示出圖7所示結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖，圖11示出圖7中的D-D剖面圖，圖12示出圖7中另一實施例的D-D剖面圖，圖13簡示出圖7和圖11所示結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖，圖14簡示出圖7和圖11所示另一結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖，圖15簡示出圖4所示結(jié)構(gòu)元件的衰減特性，圖16以俯視圖示例性地示出按照本發(fā)明的抗干擾電路。
在圖3，4，5，8，9，11和12中未配有標(biāo)記符號的元件對應(yīng)于圖2中的元件。
圖1以簡化縱剖面圖示出按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件，它包括基體1和第一種電極層2和第二種電極層3。第一種電極層2與第二種電極層3交替地疊堆。在電極層2，3之間設(shè)置電介質(zhì)層4。通過在結(jié)構(gòu)元件邊緣上的適當(dāng)連接，能夠?qū)崿F(xiàn)分電容的并聯(lián)電路，由此使電容器產(chǎn)生相對較大的電容量。
圖2示出圖1的D-D剖面圖。第一種電極層2包括一個導(dǎo)電層9，它使外接觸點7的第一觸點副5相互間導(dǎo)電連接。在基體的兩個相對置的側(cè)面8上設(shè)置外接觸點7。四個外接觸點組成觸點副5，6，其中每個觸點副5，6中的一個外接觸點7分別設(shè)置在每個側(cè)面8上。
圖3示出圖1的F-F剖面圖。在圖2中所示的第二種電極層3包括一個導(dǎo)電層10，它使第二外接觸點副6相互連接。在圖3中所示的其它元件對應(yīng)于在圖2中所示的元件。
圖4示出圖1中變體的F-F剖面圖。在圖4中所示的第二種電極層3具有導(dǎo)電層10，它具有大致設(shè)置在中間的狹窄位置14。
圖5示出圖1中變體的F-F剖面圖。在圖5中所示的第二種電極層3具有一個導(dǎo)電層10，它具有兩個狹窄位置14。
圖6簡示出按照圖1，圖2和圖3構(gòu)成的結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖。電極層可以通過借助于外接觸點實現(xiàn)的并聯(lián)電路組成一個電容器C1。圖6中的接點A1至A4可以如下從屬于圖2中的外接觸點7A1對應(yīng)于左上外接觸點7。A2對應(yīng)于左下外接觸點7。A3對應(yīng)于右上外接觸點7而A4對應(yīng)于右下外接觸點7。
圖7示例性地以縱剖面圖示出另一種按照本發(fā)明的具有兩個電容的結(jié)構(gòu)元件。所示元件對應(yīng)于圖1中的元件。與圖1的不同在于，電極層2，3的導(dǎo)電層具有不同的形狀。
例如可以這樣構(gòu)成第一種電極層2，如同圖2中D-D剖面圖所示的那樣。在圖2中所示的導(dǎo)電層9也可以是由電阻漿料制成的層。
圖8示出圖7中的E-E剖面圖。在圖8中所示的第二種電極層3包括一個導(dǎo)電層10和一個導(dǎo)電層101，它們分別與外接觸點7的第二觸點副5的一個外接觸點7導(dǎo)電連接。通過圖8所示的第二種電極層3的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)使一個結(jié)構(gòu)元件具有兩個電容。在此導(dǎo)電層10和101屬于不同的電容。導(dǎo)電層10和101具有大致相同的面積，由此兩個電容也具有基本相同的大小。
圖9示出圖7變體的E-E剖面圖。在圖9中所示的第二種電極層3包括兩個導(dǎo)電層10，101，它們與外接觸點的第一觸點副5連接。導(dǎo)電層10，101具有明顯不同的面積，由此可以實現(xiàn)具有兩個不同電容的多層結(jié)構(gòu)元件。
圖10示例性地簡示出圖7結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖。兩個電容C1和C2相互并聯(lián)連接。以與在圖6中所述方式類似的方式給出接點A1至A4的配置。
圖11示出圖7變體的D-D剖面圖。在圖11中所述的第一種電極層2具有導(dǎo)電層9，它與外接觸點7的第一觸點副5的一個外接觸點7連接。此外第二種電極層3具有一個導(dǎo)電層11，它與第一觸點副5的另一外接觸點7連接。導(dǎo)電層9，11彼此通過電阻層12相互連接。通過電阻層12可以實現(xiàn)一個π電路，如同在圖13中所示的那樣，其中兩個電容C1和C2通過電阻R相互連接。
圖12示出圖7中按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件變體的D-D剖面圖。在圖12中所示的第一種電極層2具有一個電阻層13，它使第一觸點副5的外接觸點7相互連接。與圖11所示第一種電極層2結(jié)構(gòu)相比完全舍棄了導(dǎo)電層。按照圖12也可以實現(xiàn)具有電阻的π濾波器，該電阻使兩個電容相互連接。
圖12以俯視圖示出圖7中的結(jié)構(gòu)元件。在基體1表面設(shè)置一個電阻層13，它使外接觸點7的第一觸點副5相互連接。在圖12中所示的相對于圖11的變體也可以采用與涂覆到結(jié)構(gòu)元件內(nèi)部電阻漿料相同的電阻漿料，實現(xiàn)圖13所示的π濾波器。
圖14簡示出一個按照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)元件的等效電路圖，該結(jié)構(gòu)元件按照圖7，圖11和圖9構(gòu)成。此外一個電介質(zhì)層構(gòu)成壓敏電阻層。通過相應(yīng)的結(jié)構(gòu)元件的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)，C1＝60pF，C2＝25pF。此外電阻R選擇為10Ω。
圖15示出圖14所示結(jié)構(gòu)元件的介入損耗。介入損耗S描繪在頻率f上。由兩個電容C1，C2確定的諧振頻率f1，f2顯示出增大的衰減。由于實現(xiàn)π電路的電阻，結(jié)構(gòu)元件在兩個諧振頻率f1，f2之間也具有非常好的衰減，由此使結(jié)構(gòu)元件適用于一個頻帶的抗干擾，該頻帶位于諧振頻率f1(從屬于C1)與諧振頻率f2(從屬于C2)之間。
電容C1和C2分別確定在圖15中所示的諧振頻率f1和f2。
圖16以俯視圖示出按照本發(fā)明的抗干擾電路。在一個電路板17上設(shè)置按照本發(fā)明的第一結(jié)構(gòu)元件15和按照本發(fā)明的第二結(jié)構(gòu)元件16。結(jié)構(gòu)元件15，16的外接觸點7沿著三條平行延伸的直線設(shè)置。兩個外接觸點7分別沿著外邊的直線設(shè)置。四個外接觸點7沿著內(nèi)部的直線設(shè)置。印制導(dǎo)線18在電路板17上沿著直線延伸。在左側(cè)下部的印制導(dǎo)線18和在右側(cè)上部的印制導(dǎo)線18構(gòu)成接地線19。在結(jié)構(gòu)元件15，16中接地線19使另兩個印制導(dǎo)線18交叉。在圖16所示的布置中具有非常緊湊的優(yōu)點，并且接地線19可以分別在印制導(dǎo)線18組的邊緣上導(dǎo)引。
本發(fā)明不局限于所示實施例，而是通過權(quán)利要求1在其一般形式中確定。
權(quán)利要求
1.電的多層結(jié)構(gòu)元件—包括基體(1)，其具有相互疊堆的第一種和第二種電極層(2，3)，它們通過電介質(zhì)層(4)相互分開并構(gòu)成至少一個電容(C1，C2)，—其中所述基體(1)具有外接觸點(7)的兩個接觸副(5，6)，它們這樣設(shè)置在所述基體(1)的相對置的側(cè)面(8)上，使每一個觸點副(5，6)的一個外接觸點(7)分別位于每個側(cè)面(8)上并且使屬于一個觸點副(5，6)的外接觸點(7)的直接連接相互交叉，—其中所述外接觸點(7)的第一觸點副(5)與第一種電極層(2)接通而外接觸點(7)的第二觸點副(6)與第二種電極層(3)接通，—其中在一個第一種電極層(2)中含有一個導(dǎo)電層(9)，它使兩個外接觸點(7)相互連接，—其中在一個第二種電極層(3)中含有一個導(dǎo)電層(10)，它與一個外接觸點(7)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述外接觸點(7)設(shè)置在一個平的側(cè)面(8)上。
3.如權(quán)利要求1至2所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述外接觸點(7)設(shè)置在基體(1)的不平行于電極層(3)延伸的側(cè)面(8)上，這些側(cè)面相互間具有最小距離。
4.如權(quán)利要求1至3所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述電介質(zhì)層(4)中的至少一個層是壓敏電阻層，它具有與電壓有關(guān)的電阻。
5.如權(quán)利要求1至4所述的結(jié)構(gòu)元件，其中在第二種電極層(3)中含有一個導(dǎo)電層(10)，它將兩個外接觸點(7)相互連接。
6.如權(quán)利要求1至4所述的結(jié)構(gòu)元件，其中在第二種電極層(3)中含有兩個相互間隔一定距離的導(dǎo)電層(10)，它們分別與外接觸點(7)連接并且它們屬于兩個相互分開的電容(C1，C2)。
7.如權(quán)利要求1至6所述的結(jié)構(gòu)元件，其中在第一種電極層(2)中含有兩個相互間隔一定距離的導(dǎo)電層(9，11)，它們分別與一個外接觸點(7)連接并且它們彼此通過一個電阻層(12)相互連接。
8.如權(quán)利要求1至7所述的結(jié)構(gòu)元件，其中在第一種電極層(2)中含有一個電阻層，它使兩個外接觸點(7)相互連接。
9.如權(quán)利要求1至8所述的結(jié)構(gòu)元件，其中在所述基體(1)的表面上設(shè)置一個電阻層(13)，它使外接觸點(7)的第一觸點副(5)相互連接。
10.如權(quán)利要求1至9所述的結(jié)構(gòu)元件，其中一個導(dǎo)電層(9，10)和/或一個電阻層(12)具有一個狹窄位置(14)。
11.如權(quán)利要求1至10所述的結(jié)構(gòu)元件，其中一個電阻層(12)由一種含有釕的膏制成。
12.如權(quán)利要求1至11所述的結(jié)構(gòu)元件，所述結(jié)構(gòu)元件通過燒結(jié)上下疊加的陶瓷生膜疊堆制成。
13.如權(quán)利要求1至12所述的結(jié)構(gòu)元件，其中相同的第一種電極層(2)與相同的第二種電極層(3)相互疊堆。
14.如權(quán)利要求1至13所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述外接觸點(7)通過覆有導(dǎo)電材料層的輥在側(cè)面(8)上的滾動而制成。
15.如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述導(dǎo)電層(10，101)面積相互間的偏差小于10％。
16.如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述導(dǎo)電層(10，101)面積相互間的偏差大于20％。
17.如權(quán)利要求1至16所述的結(jié)構(gòu)元件，其中所述基體(1)的基面小于2.5mm2。
18.具有如權(quán)利要求1至17所述的結(jié)構(gòu)元件的抗干擾電路，—其中所述結(jié)構(gòu)元件(15)與另一相同的結(jié)構(gòu)元件(16)設(shè)置在一個電路板(17)上，—其中基體(1)和配有外接觸點(7)的外表面(8)相對于印制導(dǎo)線(18)垂直地豎立，所述印制導(dǎo)線沿著三條平行直線延伸，—其中兩個外接觸點(7)分別沿著兩條外邊的直線設(shè)置而四個外接觸點(7)沿著內(nèi)部的直線設(shè)置。
19.如權(quán)利要求18所述的電路，其中所述印制導(dǎo)線(18)包括一條接地線(19)，它在三條印制導(dǎo)線(18)的外邊緣上延伸并且它使另兩條印制導(dǎo)線(18)在結(jié)構(gòu)元件(16，17)中交叉。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電的多層結(jié)構(gòu)元件，它包括基體(1)，該基體具有相互疊堆的第一種和第二種電極層(2，3)。所述電極層(2，3)通過電介質(zhì)層(4)相互分開并構(gòu)成至少一個電容(C
文檔編號H01G4/30GK1481564SQ01820989
公開日2004年3月10日 申請日期2001年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月22日
發(fā)明者G·恩格爾, G·格雷爾, W·維特默, G 恩格爾, 嗇, 錐 申請人:埃普科斯股份有限公司