專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別是涉及一種具有網(wǎng)狀歐姆接觸層的高亮度發(fā)光二極管。
現(xiàn)今的發(fā)光二極管制作漸趨成熟，故可以做成具有高可靠性的大型顯示屏。由于大型的顯示屏所采用的發(fā)光二極管必須具備高亮度的特性，以使其大型的顯示屏不僅是大而清晰，更能夠在遠(yuǎn)距離觀看其顯示的內(nèi)容。因此發(fā)光二極管的發(fā)展始終朝著高亮度、低耗電率的方向前進(jìn)。
發(fā)光二極管的主要材質(zhì)磷化鋁鎵銦(AlGaInP)為一直接能隙材料，在與砷化鎵(GaAs)晶格匹配的條件下，適當(dāng)調(diào)整鋁與鎵的比例可調(diào)變發(fā)光的波長(zhǎng)介于550nm-680nm之間，約為綠光至紅光的波長(zhǎng)范圍。由于增加鋁的含量可以增大材料的能隙，故一般會(huì)以鋁含量高的磷化鋁鎵銦作為局限層(Confining Layer)夾住中心的載子發(fā)光層或稱活性層(Active Layer)，以提高載子的注入效率，進(jìn)而形成高發(fā)光效率的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(Double Hetero-structure)發(fā)光二極管。其中，由于局限層的能隙較所發(fā)出的光子的能量大，故局限層并不會(huì)吸收由活性層所發(fā)出的光。
首先請(qǐng)先參照

圖1，一般磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管是以有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)的方式于n型砷化鎵基板100上依序成長(zhǎng)一n型磷化鋁鎵銦局限層102、一磷化鋁鎵銦活性層104、一p型磷化鋁鎵銦局限層106，最后再蒸鍍上一正面電極108及背面電極110即完成一發(fā)光二極管元件的制作。而為了提高正面整體的發(fā)光強(qiáng)度，通常會(huì)再加上布拉格反射鏡層112(Distributed Bragg Reflector)于n型磷化鋁鎵銦局限層102的下方，如此便可以將射往n型砷化鎵基板100的光子反射回正面輸出。由于p型磷化鋁鎵銦材料在磊晶上有移動(dòng)率過低及摻雜高濃度不易的問題，會(huì)使得其電阻系數(shù)偏高(約0.5Ω-cm)以致于橫向電流無(wú)法有效地分散到整個(gè)晶粒上，由于載子大部分僅注入于正面電極108的正下方，故其他位置的活性層104便無(wú)法獲得足夠載子進(jìn)行復(fù)合發(fā)光。再者，此種電流擁擠現(xiàn)象(Current Crowding)也會(huì)造成大部分產(chǎn)生的光被不透光的正面電極108擋住而反射回半導(dǎo)體本體(Bulk)或被吸光的基板100所吸收，造成元件的發(fā)光效率大幅降低。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D2，為了解決上述的缺點(diǎn)而在圖1結(jié)構(gòu)中的p型磷化鋁鎵銦局限層106及正面電極108之間加入一電流分散層114(Current-Spreading Layer)，此電流分散層114除了對(duì)活性層104所發(fā)出的光具極佳的穿透性外，更重要的是它比磷化鋁鎵銦可摻雜較高的濃度且具較高的移動(dòng)率，故電流分散層114具有較低的電阻系數(shù)，可使整個(gè)晶粒獲得較均勻的電流，目前電流分散層114采用的材料以砷化鋁鎵(AlGaAs)及磷化鎵(GaP)為主。然而上述所提到的電流分散層114一般都需要數(shù)十微米厚才能達(dá)到足夠大的電流分散能力，但賴以成長(zhǎng)電流分散層114的有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)其成長(zhǎng)速率相當(dāng)?shù)木徛?，使得元件的制造成本提高及制造時(shí)間增長(zhǎng)。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D3，為了解決電流分散層114成長(zhǎng)速率太慢的問題，因此以一透光導(dǎo)電氧化物層116作為發(fā)光二極管的電流分散層，此導(dǎo)電氧化物不但具有良好的光穿透性，且具有極低的電阻系數(shù)(約3×10-4Ω-cm)，故可有效的將電流分散于整個(gè)晶粒，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率，一般當(dāng)作此透光導(dǎo)電層的適當(dāng)材料有氧化銦、氧化錫及氧化銦錫。為了使此透光導(dǎo)電氧化物與半導(dǎo)體間形成良好的歐姆接觸并增加此透光導(dǎo)電氧化物于半導(dǎo)體上的附著力，通常會(huì)在形成此透光導(dǎo)電氧化物之前，先成長(zhǎng)一層高摻雜的P型歐姆接觸層118。其中，歐姆接觸層118厚度一般需大于500A，且濃度需大于1018cm-3，而歐姆接觸層118的材料有砷化鎵、磷化鎵，或是磷砷化鎵(GaAsP)等晶格常數(shù)相差不大且具有窄能隙的材料。而在形成導(dǎo)電氧化層作為電流分散層116前，成長(zhǎng)p型歐姆接觸層118的確有其必要性，但由于歐姆接觸層118的能隙較活性層104者小，會(huì)對(duì)二極管發(fā)光的光進(jìn)行再吸收而使得整體亮度大大降低。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示為不同材料在不同波長(zhǎng)時(shí)的光吸收系數(shù)分布圖。由圖4中可以得知不同化合物如砷化磷鎵銦(GaInAsP)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、鍺(Ge)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)等材質(zhì)在絕對(duì)溫度300K時(shí)的光吸收系數(shù)α對(duì)應(yīng)于光波長(zhǎng)λ的分布圖。
因此，本發(fā)明的目的在提出一種發(fā)光二極管，藉由網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層以減小光被吸收的損失，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
為達(dá)到本發(fā)明的上述目的，提出一種發(fā)光二極管，主要包括一基板，基板的一面上具有一布拉格反射鏡層、一n型摻雜局限層、一活性層、一p型摻雜局限層、一電流分散層、一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層、一透光導(dǎo)電氧化物層與一正面電極，而基板的另一面上則具有一背面電極。由于歐姆接觸層材質(zhì)的能隙較小，故會(huì)將活性層所發(fā)出的光吸收，因此藉由網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)將歐姆接觸層吸收光的面積減低，以有效避免活性層所發(fā)出的光被歐姆接觸層大量的吸收，進(jìn)而使發(fā)光二極管具有高亮度。
為使本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明。附圖中圖1至圖3分別繪示現(xiàn)有技術(shù)中不同發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4繪示不同材料在不同波長(zhǎng)時(shí)的光吸收系數(shù)分布圖；圖5繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6繪示用以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層216的光掩模圖形；圖7繪示圖6中光掩模的放大示意圖；圖8A繪示固定電流分散層厚度為6μm時(shí)，對(duì)不同的砷化鎵線寬時(shí)所得到的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度對(duì)孔徑大小w的關(guān)系圖；圖8B繪示固定砷化鎵線寬為1μm時(shí)，針對(duì)不同電流分散層厚度所得到相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度對(duì)孔徑大小w的關(guān)系圖；以及圖9繪示本發(fā)明的二極管在每一單位方格內(nèi)的電流分布模擬結(jié)果。
附圖的標(biāo)示說明100基板102、106局限層104活性層108正面電極110背面電極112布拉格反射鏡層114電流分散層116透光導(dǎo)電氧化物層118歐姆接觸層200基板202、206局限層204活性層
208電流分散層210正面電極212背面電極214布拉格反射鏡層216歐姆接觸層218透光導(dǎo)電氧化物層600光掩模602方形實(shí)心部分604斜線部分優(yōu)選實(shí)施例由于現(xiàn)有圖1中的結(jié)構(gòu)會(huì)有電流擁擠的現(xiàn)象存在，如此也會(huì)造成大部分產(chǎn)生的光被不透光的正面電極108擋住而反射回半導(dǎo)體本體(Bulk)或被吸光的基板100所吸收，造成元件的發(fā)光效率大幅降低。而圖2中加入電流分散層114以改善電流擁擠的現(xiàn)象，但是電流分散層114的厚度必須約為數(shù)十微米才能達(dá)到足夠大的電流分散能力，但賴以成長(zhǎng)電流分散層114的有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)其成長(zhǎng)速率相當(dāng)?shù)木徛?，使得元件的制造成本提高及制造時(shí)間增長(zhǎng)。故于圖3中形成透光導(dǎo)電氧化物層116作為電流分散層，并在形成透光導(dǎo)電氧化物層116之前成長(zhǎng)p型歐姆接觸層118，以增加透光導(dǎo)電氧化物層116于半導(dǎo)體上的附著力。但由于歐姆接觸層118的能隙較活性層104者小，會(huì)對(duì)二極管發(fā)出的光進(jìn)行再吸收而使得發(fā)光二極管整體亮度大大降低。因此本發(fā)明藉由一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層取代現(xiàn)有的歐姆接觸層118以減小光被吸收的損失，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
首先請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。首先提供一基板200?；?00的材質(zhì)例如為n型砷化鎵基板。于基板200的一面上形成一布拉格反射鏡層214，以將射往基板200方向的光子反射回正面輸出。接著形成局限層202、活性層204及局限層206，其中，局限層202的材質(zhì)例如為n型摻雜的磷化鋁鎵銦，活性層204的材質(zhì)例如為未摻雜的磷化鋁鎵銦，而局限層206的材質(zhì)例如為p型摻雜的磷化鋁鎵銦。上述的局限層202與局限層206用以?shī)A住活性層204以增進(jìn)載子的注入效率。接著在局限層206上形成電流分散層208。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D5與圖6，于電流分散層208上形成一具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐接觸層216，此網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層216的形成方式例如先于電流分散層208上形成一層歐姆接觸層(未繪示)，歐姆接觸層的材質(zhì)例如為高摻雜p型的砷化鎵、磷化鎵或磷砷化鎵等晶格的常數(shù)相差不大且窄能隙的材質(zhì)。接著旋涂上一層光致抗蝕劑(未繪示)。再以圖6中的光掩模(Mask)600進(jìn)行曝光的步驟，之后再以顯影劑將曝光的光致抗蝕劑溶解，最后以此圖案化(Pattern)后的光致抗蝕劑為掩模，將未受光致抗蝕劑覆蓋的歐姆接觸層蝕刻至暴露出電流分散層208為止，如此即可形成一具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層216。上述圖6中繪示為用以形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層216的光掩模圖形，其中方形實(shí)心的部分602表示欲蝕刻的區(qū)域，而斜線部分604則為經(jīng)蝕刻后所留下的網(wǎng)狀歐姆接觸層216位置。
以圖6中的光掩模600形成具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層216之后，形成一透光導(dǎo)電氧化物層218覆蓋于電流分散層208與歐姆接觸層216之上，透光導(dǎo)電氧化物層218的材質(zhì)例如為氧化銦、氧化錫或氧化銦錫等具有良好透光性的材質(zhì)。之后，再形成一正面電極210于透光導(dǎo)電氧化物層上的部分區(qū)域，而于基板的另一面上則具有一背面電極212，其中，正面電極210與背面電極212的材質(zhì)例如為導(dǎo)電性良好的金屬。由于歐姆接觸層216材質(zhì)的能隙較小，故會(huì)將活性層204所發(fā)出的光吸收，因此藉由網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)將歐姆接觸層216吸收光的面積減低，以有效避免活性層204所發(fā)出的光被歐姆接觸層216大量的吸收，進(jìn)而使發(fā)光二極管具有較高的亮度。
為確保本發(fā)明的元件在經(jīng)減少歐姆接觸層面積下還能均勻地分布在整個(gè)晶粒，在此特別將現(xiàn)有一維的電流分布關(guān)系式推廣成二維，并以電腦模擬電流在9mil×9mil的晶粒大小下的分布狀態(tài)，現(xiàn)有的一維電流階布關(guān)系式如下J(x)=2J0(x/ls+2)2]]>ls=(gtnkTJ0e)1/2]]>
其中，J0為金屬下方的電流密度，而J(x)為距金屬x處的電流密度，ls為橫向分布長(zhǎng)度(Spreading Length)。
g電流分散層電導(dǎo)率(Conductivity)t電流分散層的厚度n二極管的理想因子k波爾茲曼常數(shù)(Boltzmann Constant)1.38×10-23J/KT絕對(duì)溫度(°K)e單位電荷值(Elementary Charge)1.60218×10-19C接著請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示為圖6中光掩模的放大示意圖。其中，w為欲蝕刻矩形的邊長(zhǎng)，s為網(wǎng)狀層(Meshed Layer)的線寬即所形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)歐姆接觸層的線寬，t為電流分散層的厚度，而J(x)為w、s及t的函數(shù)，只要w、s及t這三者之一有任何變動(dòng)，將會(huì)影響活性層中任一點(diǎn)的電流密度大小。以上以磷化鎵為電流分散層，以砷化鎵當(dāng)網(wǎng)狀層模擬本發(fā)明結(jié)構(gòu)的電流分散概況及整體發(fā)光強(qiáng)度并與現(xiàn)有無(wú)挖孔洞歐姆接觸層的發(fā)光二極管作一比較。
請(qǐng)參照?qǐng)D8A，其繪示為固定電流分散層厚度為6μm時(shí)，對(duì)不同的砷化鎵線寬時(shí)所得到相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度對(duì)孔徑大小w的關(guān)系圖，此處所謂的相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度是對(duì)于傳統(tǒng)非網(wǎng)狀歐姆接觸層者正規(guī)化(Normalized)后的值，w＝0時(shí)的相對(duì)強(qiáng)度即表現(xiàn)有無(wú)挖孔歐姆接觸層者的發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度，可由外插至Y軸得到對(duì)應(yīng)的值(＝1)，表示此程式的結(jié)果相當(dāng)合理。對(duì)同一種網(wǎng)狀層線寬s而言，此圖可分兩個(gè)部分解釋(1)當(dāng)挖空的矩形邊長(zhǎng)w小于5μm時(shí)，隨著w愈大，所形成歐姆接觸層吸光的總區(qū)域愈小，發(fā)光強(qiáng)度將隨之提升。
(2)一旦w大到一定程度時(shí)(＞5～6μm)，因電流分布不均甚至分布區(qū)域減小，會(huì)使得可發(fā)光的區(qū)域減小，雖所形成歐姆接觸層吸光的總面積隨w變大而減小，但整體的發(fā)光強(qiáng)度也會(huì)下降。若固定同一挖空的矩形邊長(zhǎng)w時(shí)，則當(dāng)網(wǎng)狀層線寬s愈大，吸光面積愈大，整體亮度必定減弱。
圖8A中可得知，當(dāng)s＝1μm且w＝5μm時(shí)，所形成的發(fā)光二極管不但具有較均勻的電流分布特性，也能有效地減少歐姆接觸層的吸光面積，故整體的發(fā)光強(qiáng)度為最大值。
接著請(qǐng)參照?qǐng)D8B，其繪示為針對(duì)不同電流分散層厚度所得到相對(duì)發(fā)光強(qiáng)度對(duì)孔徑大小w的關(guān)系圖。由圖8B中可得知，若孔徑開的不大，則電流分散層厚度t幾乎對(duì)整體的發(fā)光強(qiáng)度影響不大。一旦孔徑開得過大(W＞13～14μm)時(shí)，則電流分散(Current Spreading)的效果會(huì)受限，使得發(fā)光區(qū)域變小，發(fā)光強(qiáng)度也隨之變小，整體的發(fā)光效率便會(huì)大大降低。
由上述的討論可知，本發(fā)明所需的電流分散層并不需圖2結(jié)構(gòu)中數(shù)十μm的電流分散層，甚至不需使用電流分散層也可達(dá)到電流分散的目的，且透過網(wǎng)狀歐姆接觸層也能改善圖3中窄能隙吸光的缺點(diǎn)，故此種配合網(wǎng)狀歐姆接觸層及透光導(dǎo)電氧化物層的架構(gòu)可大幅提高發(fā)光二極管的亮度。
本發(fā)明的模擬針對(duì)注入50mA至發(fā)光二極管中所得到的電流及發(fā)光強(qiáng)度比較，希望在均勻的電流分布下能獲得比現(xiàn)有采非網(wǎng)狀歐姆接觸層者還大的發(fā)光強(qiáng)度。傳統(tǒng)者電流均勻分布的大小為50mA/(9mil)2＝95.679A/cm2，而本發(fā)明的二極管在每一單位方格內(nèi)(如圖7所繪示)的電流分布模擬結(jié)果如圖9所示，當(dāng)t＝6μm、s＝1μm且w＝5μm時(shí)具最大值為95.7A/cm2，最小值為95.659A/cm2。可見此結(jié)構(gòu)的電流分布也非常的均勻，其整體的發(fā)光強(qiáng)度約為現(xiàn)有者的1.25倍。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的電流分散層并不需要數(shù)十μm的厚度，甚至可以不需使用電流分散層也可達(dá)到電流分散的目的，與現(xiàn)有相較可以節(jié)省制程的成本與時(shí)間。
2.本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中，透過網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層能改善其窄能隙吸收光的缺點(diǎn)，故此種網(wǎng)狀歐姆接觸層的結(jié)構(gòu)可大幅提高發(fā)光二極管的亮度。
3.本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層下的電流分布非常的均勻，且其整體的發(fā)光強(qiáng)度約為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的1.25倍。
雖然本發(fā)明已結(jié)合一優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作出各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)由后附的權(quán)利要求所界定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，至少包括一基板，該基板的一面上具有一布拉格反射鏡層，且該基板的另一面上具有一背面電極；一第一型摻雜局限層，該第一型摻雜局限層位于該布拉格反射鏡層上；一活性層，該活性層位于該第一型局限層上；一第二型摻雜局限層，該第二型摻雜局限層位于該活性層上；一電流分散層，該電流分散層位于該第二型摻雜局限層上；一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層位于該電流分散層上；一透光導(dǎo)電氧化物層，該透光導(dǎo)電氧化物層位于該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層上；以及一正面電極，該正面電極位于該透光導(dǎo)電氧化物層上。
2.一種發(fā)光二極管，至少包括一基板，該基板的一面上具有一布拉格反射鏡層，且該基板的另一面上具有一背面電極；一第一型摻雜局限層，該第一型摻雜局限層位于該布拉格反射鏡層上；一活性層，該活性層位于該第一型局限層上；一第二型摻雜局限層，該第二型摻雜局限層位于該活性層上；一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層位于該第二型摻雜局限層上；一透光導(dǎo)電氧化物層，該透光導(dǎo)電氧化物層位于該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層上；以及一正面電極，該正面電極位于該透光導(dǎo)電氧化物層上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該基板為砷化鎵基板。
4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該第一型摻雜局限層的材質(zhì)為n型摻雜的磷化鋁銦鎵材質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該第二型摻雜局限層的材質(zhì)為p型摻雜的磷化鋁銦鎵材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該活性層的材質(zhì)選自于未摻雜的磷化鋁銦鎵與此材質(zhì)所形成的量子井結(jié)構(gòu)所組成的子族群。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其中該電流分散層的材質(zhì)選自于砷化鋁鎵與磷化鎵等所組成的族群。
8.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該歐姆接觸層的材質(zhì)選自于砷化鎵、磷化鎵與磷砷化鎵等所組成的族群。
9.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該歐姆接觸層的材質(zhì)為p型摻雜。
10.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管，其中該透光導(dǎo)電氧化物層的材質(zhì)選自于氧化銦、氧化錫與氧化銦錫所組成的族群。
11.一種發(fā)光二極管，至少包括一基板，該基板的一面上具有一布拉格反射鏡層，且該基板的另一面上具有一背面電極；一第一型摻雜局限層，該第一型摻雜局限層位于該布拉格反射鏡層上；一活性層，該活性層位于該第一型局限層上；一第二型摻雜局限層，該第二型摻雜局限層位于該活性層上；一電流分散層，該電流分散層位于該第二型摻雜局限層上；一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層位于該電流分散層上，其中，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層具有一第一厚度，且該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層包括復(fù)數(shù)個(gè)具有第一寬度的格狀漏空部分，該些格狀漏空部分并以一第二寬度相間隔；一透光導(dǎo)電氧化物層，該透光導(dǎo)電氧化物層位于該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層上；以及一正面電極，該正面電極位于該透光導(dǎo)電氧化物層上。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該基板為砷化鎵基板。
13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該第一型摻雜局限層的材質(zhì)為n型摻雜的磷化鋁銦鎵材質(zhì)。
14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該第二型摻雜局限層的材質(zhì)為p型摻雜的磷化鋁銦鎵材質(zhì)。
15.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該活性層的材質(zhì)選自于未摻雜的磷化鋁銦鎵與此材質(zhì)所形成的量子井結(jié)構(gòu)所組成的子族群。
16.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該電流分散層的材質(zhì)選自于砷化鋁鎵與磷化鎵所組成的族群。
17.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該歐姆接觸層的材質(zhì)選自于砷化鎵、磷化鎵與磷砷化鎵所組成的族群。
18.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該第一厚度為6μm。
19.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該第一寬度為5μm。
20.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該第二寬度為1μm。
21.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該歐姆接觸層的材質(zhì)為p型摻雜。
22.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中該透光導(dǎo)電氧化物層的材質(zhì)選自于氧化銦、氧化錫與氧化銦錫所組成的族群。
23.一種應(yīng)用于發(fā)光二極管的網(wǎng)狀透光導(dǎo)電層，至少包括一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層，該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層包括多個(gè)具有格狀漏空部分；以及一透光導(dǎo)電氧化物層，該透光導(dǎo)電氧化物層位于該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層上。
全文摘要
一種發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)主要包括一基板,基板的一面上具有一布拉格反射鏡層、一n型摻雜局限層、一活性層、一p型摻雜局限層、一電流分散層、一網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的歐姆接觸層、一透光導(dǎo)電氧化物層與一正面電極,而基板的另一面上則具有一背面電極。藉由網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)將歐姆接觸層吸收光的面積減低,以有效避免活性層所發(fā)出的光被歐姆接觸層大量的吸收,進(jìn)而使發(fā)光二極管具有高亮度。
文檔編號(hào)H01L33/00GK1365153SQ01101619
公開日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2001年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年1月12日
發(fā)明者陳錫銘, 李玟良, 陳宏任, 汪信全 申請(qǐng)人:聯(lián)銓科技股份有限公司