專利名稱：相位改變光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種相位改變光盤；且更具體地，涉及一種包括一雙分層的反射層且具有優(yōu)良的耐腐蝕性、循環(huán)性和信號(hào)重現(xiàn)精度的可重寫相位改變光盤。
光盤通常具有

圖1中所示的結(jié)構(gòu)，且在信息記錄區(qū)(1)中，在一基底(10)的跡道上形成數(shù)字信息形成坑(11)。然后在其上順序地形成一反射層(12)和一保護(hù)層(13)，如圖2所示。
隨著CD-ROM的改進(jìn)，對(duì)可有效地容納例如視頻圖象、靜止圖象和動(dòng)畫的有關(guān)多媒體的軟件的可重寫記錄介質(zhì)的需求日益增多。結(jié)果，開發(fā)出可被重復(fù)地記錄和擦除的CD-RW(可重寫緊致盤)。該CD-RW包括磁光型盤、相位改變型光盤和諸如此類。相位改變光盤利用可經(jīng)受響應(yīng)于例如激光束的光在晶相和非晶相之間的相位改變的記錄材料，且該種光盤和與常規(guī)的CD結(jié)合使用的信息記錄機(jī)構(gòu)相兼容。
在相位改變盤中，通過用一受控的激光束輻射在晶相/非晶相之間互相轉(zhuǎn)換記錄坑的相位，信息可被記錄在一記錄層上或從該記錄層上擦除。如圖3所示，一常規(guī)的相位改變盤具有一第一介電層(21)、一記錄層(22)、一第二介電層(23)、一反射層(24)和一保護(hù)層(25)，這些層被順序地形成在一透明基底(20)上。當(dāng)一激光束進(jìn)行輻射以使將記錄層的一特定區(qū)的相位從晶態(tài)轉(zhuǎn)換成非晶態(tài)時(shí)，記錄層中這些跡道包含形成在其上的記錄信號(hào)，或反之亦然。
這種相位改變光盤(對(duì)于其短波長(zhǎng)激光束和一單光學(xué)系統(tǒng)可被采用)可應(yīng)用于下一代高密度可重寫光盤，例如DVD-RAM(數(shù)字視頻盤一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
在常規(guī)的相位改變光盤中，使用一Al合金或Ag以形成一具有有限的性能特性的相對(duì)厚的反射層。然而，使用由薄A1合金膜制成的一反射層可導(dǎo)致具有不令人滿意的記錄特性的盤，而由薄Ag膜制成的一反射層傾向于呈現(xiàn)較差的耐腐蝕性。
因此，存在有對(duì)開發(fā)一種包括一耐腐蝕且擁有改進(jìn)的記錄特性的薄反射層的相位改變光盤的需求。
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種具有優(yōu)良的記錄特性以及耐腐蝕性的相位改變光盤。
根據(jù)本發(fā)明，提供有一種相位改變光盤，具有一第一介電層、一記錄層、一第二介電層、一反射層和一保護(hù)層，其特征在于該反射層包括由具有1.9至3.0的負(fù)電性的一金屬或其合金制成的一第一反射層和一由Cu、Ag或其合金制成的一第二反射層，該第一反射層與第二介電層緊密接觸，且該第二反射層與第一反射層和該保護(hù)層緊密接觸。
通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的這些和其他的優(yōu)點(diǎn)將變得顯然。
圖1示出了一常規(guī)的光盤的概略性視圖；圖2給出了沿A-A’截取的圖1的放大的截面視圖；圖3示出了說明一常規(guī)的相位改變光盤的分層結(jié)構(gòu)的概略性視圖；圖4給出了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的相位改變光盤的概略性視圖；圖5提供了一相位改變光盤中的重寫過程的概略性視圖；圖6例示了在本發(fā)明的例子中使用的激光束的多相位構(gòu)成；圖7給出了在一加速老化試驗(yàn)中生成的一Ag反射層的腐蝕表面的SEM相片；圖8用圖表示了在比較例10中制備的相位改變盤的播放信號(hào)的波型，其中采用具有750埃厚度的一單個(gè)Al-Ti反射層；
圖9描述了對(duì)應(yīng)于圖8的，評(píng)估的用于播放的信號(hào)的理想的波型；圖10示出了包含各種不同厚度的一單個(gè)Al-Ti反射層的比較例的盤的模擬的加熱-冷卻特性；圖11記錄了對(duì)于具有一Ag單反射層(■)的相位改變盤和在例10中制備的具有Al-Ti第一反射層和一Ag第二反射層(●)的盤的加速的老化試驗(yàn)；圖12說明了作為在比較例15至18的盤中采用的Al-Cr單反射層的厚度的函數(shù)的重寫抖動(dòng)值和循環(huán)性的改變；圖13示出了記錄功率對(duì)在比較例15至18的盤中采用的Al-Cr單反射層的厚度的從屬性；圖14示出了作為在例15至19和比較例19的盤中采用的Cu第二反射層的厚度的函數(shù)的重寫抖動(dòng)值和循環(huán)性的改變；圖15示出了在例20(■)和比較例22(●)及23(▲)中制備的相位改變光盤的抖動(dòng)值對(duì)重寫循環(huán)數(shù)的從屬性。
參見圖4，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中的相位改變光盤包括一第一介電層(31)、一記錄層(32)、一第二介電層(33)、一第一反射層(34)、一第二反射層(35)和一保護(hù)層(36)，它們已此次序被順序地形成在一透明的基底(30)上。
采用一聚碳酸酯樹脂，通過一常規(guī)的注入模制方法制備本發(fā)明中可被使用的該基底。在該基底上形成的槽的寬度和深度的設(shè)計(jì)考慮到影響盤的記錄和播放特性的伺服特性。特別是，當(dāng)在記錄中使用陸和槽兩者時(shí)，這些槽的深度應(yīng)被設(shè)在λ/5n-λ/7n(λ＝記錄/播放光的波長(zhǎng)，n＝一聚碳酸酯基底的折射率)以防止串?dāng)_現(xiàn)象。
光盤的介電層應(yīng)是光學(xué)上透明的且阻熱。在形成本發(fā)明盤的介電層中可使用的介電材料最好具有高熱穩(wěn)定性，光吸收系數(shù)接近于0。它的例子包括有金屬氧化物、金屬碳酸鹽、金屬氮化物或其混合物。在本發(fā)明中可使用的介電材料的特殊例子包括ZnS-SiO2(8∶2)、AlN和GeN。本發(fā)明的第一和第二介電層可通過使用一RF(射頻)濺射方法被形成300至3000埃厚的第一介電層和50至500埃的第二介電層。
在本發(fā)明的記錄層的形成中使用的是可易于經(jīng)受響應(yīng)于激光束輻射在晶相和非晶相之間的相位改變的材料，且其例子包括例如Ge-Sb-Te、In-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Cr-Ge-Sb-Te、和N-Ge-Sb-Te合金的常規(guī)的calcogen復(fù)合物。這些材料可與其他粘合劑一起使用以改善記錄層特性。該記錄層可通過使用例如DC(直流)濺射的一常規(guī)的方法被形成100至1000埃厚度。
為形成一反射層，例如Al、Ag、Au、Cu的常規(guī)金屬可被使用。為了改善記錄和抗氧化特性，可將小量的其他金屬，例如Cr、Ni、Ti、Si、Mg加至其以形成一合金，例如Al-Ti(Ti 1.5wt％)、Ai-Cr(Cr2at％)、Ag-Al和Ag-Mg。
在本發(fā)明的光盤中，在形成第一反射層中使用的材料是具有1.9至3.0的負(fù)電性但不與介電層起反應(yīng)的一金屬或其合金。第二反射材料可使用一金屬或一合金，例如Cu、Ag或其合金而被形成，該合金具有比第一反射層更高的熱導(dǎo)率并可包含從由Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mn和它們的組合物組成的一群中選擇的一金屬成分作為次要成分。
例示的用于形成第一反射層的金屬包括Al、Au、W、Mo、Ni、Ge、Si、Pd、Sn、Rh、Pt及其合金，該合金可包含Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mn或其組合物作為一次要成分。
通常，要求該反射層能夠快速地冷卻一熔化的標(biāo)記，該熔化的標(biāo)記是在通過激光束加熱到一高于記錄材料的熔點(diǎn)的溫度，以使在其上形成一非晶態(tài)記錄標(biāo)記時(shí)在記錄層中生成的，且在同時(shí)，能夠在一擦除循環(huán)期間通過將該標(biāo)記保持在一預(yù)定的恒定的溫度到一足以使其晶化的時(shí)間而晶化一非晶態(tài)記錄標(biāo)記。當(dāng)在該反射層中使用一Al合金時(shí)，由于在該反射層積累過熱負(fù)載，信號(hào)特性隨著重復(fù)的記錄/擦除循環(huán)傾向于劣化。為了克服這一問題，已建議使用Ag和Cu，但由于其過高的熱導(dǎo)率且還由于其傾向于與第二介電層發(fā)生反應(yīng)，由Ag或Cu制成的反射層呈現(xiàn)出差的擦除特性。
在本發(fā)明中，與第二介電層緊密接觸的第一反射層起到在晶化循環(huán)期間將該記錄層的溫度保持在一期望的范圍內(nèi)的作用及扮演防止第二反射層和該介電層之間發(fā)生反應(yīng)的角色。而且，被定位在第一反射層和保護(hù)層之間的第二反射層具有更高的熱導(dǎo)率并減輕在第一反射層上積累一過熱負(fù)載。
第一和第二反射層的厚度可根據(jù)其形成使用的材料、記錄層的組分、記錄速度和介電層的組分和厚度而被適當(dāng)?shù)卮_定。例如，當(dāng)?shù)谝环瓷鋵佑蒞、Si、或一Al合金制成，且第二反射層由Cu、Ag或一Ag合金形成時(shí)，第一反射層最好具有10?；蚋螅训?00?；蚋蟮暮穸龋诙瓷鋵幼詈镁哂?50?；蚋螅训?50?；蚋蟮暮穸?。
為了獲得適宜的信號(hào)調(diào)制特性，最好該盤被制備以使記錄層的非晶相和晶相之間的反射率的差大于10％。而且，當(dāng)該盤的陸和槽區(qū)兩者在記錄中被使用時(shí)，由于由記錄的非晶態(tài)標(biāo)記和擦除的晶態(tài)標(biāo)記之間的折射率的差所生成的信號(hào)相差導(dǎo)致的干擾，信號(hào)幅度傾向于減小。為了防止這一問題，，期望使非晶相的反射率接近于0?；蛟O(shè)計(jì)各層的厚度以使槽和陸之間的信號(hào)幅度差最小。
而且，為了降低制做成本，最好將各層的厚度保持在一可允許的低限。
一常規(guī)的UV-可愈合(curable)的樹脂可在本發(fā)明的盤的保護(hù)層中被使用。
圖5示出了本發(fā)明的相位改變光盤的重寫過程。當(dāng)一高功率激光束被輻射在記錄層的一區(qū)域上時(shí)，該被輻射區(qū)熔化且該熔化區(qū)被快速冷卻以形成一非晶態(tài)區(qū)，即一記錄標(biāo)記。該記錄標(biāo)記可通過用具有對(duì)應(yīng)于記錄功率的1/3至1/2的一功率的一激光束輻射該記錄區(qū)來重晶化該記錄區(qū)而被擦除。具有由多個(gè)連續(xù)短脈沖組成的一多脈沖構(gòu)成的一激光束是較佳的。
在以下的例子中對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述和說明，但并不期望限制本發(fā)明的范圍。
CD-RW在例1至14和比較例1至14中制備的CD雙速相位改變光盤的特性根據(jù)以下方法被評(píng)估。
(1)耐腐蝕性(加速的老化試驗(yàn))一樣本盤被在25-85℃、50-95％的相對(duì)濕度下保持達(dá)100小時(shí)，且其記錄和播放特性被評(píng)估(良好O，差X)。
(2)記錄特性盤的記錄特性被用用于CD-RW的動(dòng)態(tài)特性評(píng)估設(shè)備(APEX Co.，模塊媒體測(cè)試儀(MMT))進(jìn)行評(píng)估。使用具有圖6中所示的多脈沖構(gòu)成的一激光束。記錄功率和擦除功率各自為12.5mw和6.25mw。光源的波長(zhǎng)是780nm且物鏡的NA為0.55。
初始的記錄特性由一初始記錄后的抖動(dòng)值表示。當(dāng)該抖動(dòng)值超過20ns時(shí)，該記錄信號(hào)特性被認(rèn)為是差的。
由第10次重寫之后的抖動(dòng)值代表的重寫記錄特性當(dāng)該抖動(dòng)值超過20ns時(shí)被認(rèn)為是差的(良好O，差X)。
重寫循環(huán)性意指直至抖動(dòng)值達(dá)到比第10次重寫之后的抖動(dòng)值大50％時(shí)可實(shí)現(xiàn)的重寫循環(huán)數(shù)。
例1
根據(jù)一注入模制方法使用一模子制備具有500埃深的螺旋槽的一1.2mm厚聚碳酸酯盤基底。
使用一RF濺射法在這些槽上形成具有950埃的厚度的一ZnS-SiO2(8∶2)第一介電層。然后，在第一介電層上形成200埃厚的一Ag-In-Sb-Te合金薄層。然后，通過RF濺射在其上形成具有250埃厚度的一ZnS-SiO2(8∶2)第二介電層。
在第二介電層上形成具有50埃厚度的一Al-Ti(Al 98.5wt％，Ti1.5wt％)第一反射層，且然后，在第一反射層上形成具有500埃厚度的一Ag第二反射層。
在第二反射層上旋轉(zhuǎn)-涂覆一UV-可愈合樹脂(SD 17∶DIC)作為一保護(hù)層。
所得到的相位改變光盤通過使用高速初始化設(shè)備(POP-120，Hitachi Co.)以半導(dǎo)體激光束(波長(zhǎng)830nm)輻射記錄層而被初始化。
這樣制備的盤的特性被示出在表I中。
例2至5重復(fù)例1的程序，除了如表I所示，反射層的構(gòu)成和/或厚度被改變外。
這樣制備的盤的特性被示出在表I中。
比較例1至14重復(fù)例1的程序，除了如表I所示，反射層的構(gòu)成和/或厚度被改變外。
這樣制備的盤的特性被示出在表I中。
表I
如表I中所見，在例1-5中制備的本發(fā)明的相位改變光盤呈現(xiàn)良好的重寫記錄特性和耐腐蝕性以及低于15ns的初始記錄抖動(dòng)值。
在比較例1和2中制備的包括一具有750?；蚋蠛穸鹊腁g單反射層的盤呈現(xiàn)良好的耐腐蝕性但使用這樣一厚銀層在經(jīng)濟(jì)上是不可行的。當(dāng)該Ag單反射層的厚度被減少到低于500埃時(shí)，耐腐蝕性變差。在該Ag單反射層的厚度小于200埃(比較例6和7)的情況下，盤除了腐蝕問題以外，還呈現(xiàn)差的記錄特性。
圖7示出了在一加速老化試驗(yàn)中獲得的比較例3的盤的一Ag反射層的腐蝕表面的SEM相片。
關(guān)于包含一單Al-Ti反射層的盤，當(dāng)該Al-Ti反射層的厚度為1000?；蚋?比較例8和9)時(shí)，耐腐蝕性和重寫特性是令人滿意的，但初始抖動(dòng)值高于本發(fā)明盤。而且，用于制造這樣一厚Al-Ti層的過程具有生產(chǎn)率低的問題。
當(dāng)該Al-Ti反射層的厚度被減小到750、500和300埃(比較例10至12)時(shí)，記錄信號(hào)特性劣化。
圖8示出了在采用一單750埃Al-Ti反射層的比較例10中制備的相位改變盤的播放的信號(hào)的波型。由于盤上有缺陷的非晶態(tài)標(biāo)記的存在，圖8中所示的波型不同于呈現(xiàn)一理想的波型的圖9中的波型。
圖10中示出的是采用各種不同厚度的一單個(gè)Al-Ti反射層的比較例8至12的盤的模擬的加熱-冷卻特性。在該模擬中使用的材料的物理特性和光學(xué)常數(shù)被示出在表II中。
表II<
如圖10中所見，當(dāng)Al合金反射層的厚度減小時(shí)，冷卻率降低。
通常通過將記錄層的溫度升至其熔點(diǎn)之上并快速地將該熔化層冷卻至該熔點(diǎn)之下而生成一非晶態(tài)記錄標(biāo)記，且如果該冷卻率不是足夠地高，該熔化層傾向于在被淬滅為一非晶相之前被晶化。具有小于750埃厚度的一單Al合金反射層的盤存在有冷卻率不足的問題，且因此具有差的記錄特性。
這樣，使用常規(guī)的Al-Ti合金單反射層要求它具有1000埃或更大的厚度，而小于500埃厚度的一Ag單反射層又有腐蝕的問題。相反，具有一相對(duì)薄的層的本發(fā)明的薄盤呈現(xiàn)改善的特性。
例6至14重復(fù)例1的程序，除了如表III所示，反射層的構(gòu)成和厚度被改變外。
這樣制備的盤的特性被示出在表III中。
表III
如從表III中所見，在例6-14中制備的本發(fā)明的相位改變光盤呈現(xiàn)良好的記錄信號(hào)特性、耐腐蝕性和優(yōu)良的重寫循環(huán)性。
圖11記錄了對(duì)在比較例3中制備的采用一Ag單反射層(■)的相位改變盤和在例10中制備的具有Al-Ti第一反射層和一Ag第二反射層(●)的盤的加速的老化試驗(yàn)結(jié)果。本發(fā)明的盤呈現(xiàn)一恒定的抖動(dòng)值。而具有一單Ag層的盤的抖動(dòng)值在10小時(shí)后突然增大。
DVD-RAM在例15至20和比較例15至18中制備的DVD-RAM的特性根據(jù)以下方法被評(píng)估。
一盤被裝載在用于DVD-RAM的一動(dòng)態(tài)特性評(píng)估設(shè)備(NakamichiCo)上且其特性在6.0ms/s的旋轉(zhuǎn)速度下被評(píng)估。根據(jù)DVD-RAM標(biāo)準(zhǔn)1.0(DVD論壇)使用一激光束。該光源的波長(zhǎng)是680nm且物鏡的NA的是0.60。
在第十次重寫后的重寫抖動(dòng)被定義為該抖動(dòng)值并當(dāng)該抖動(dòng)值超過4ns時(shí)認(rèn)為是差的。
該重寫循環(huán)性由直至抖動(dòng)值達(dá)到比該重寫抖動(dòng)高50％時(shí)可取得的重寫循環(huán)數(shù)表示。
Pp(mW)代表記錄功率。當(dāng)重寫抖動(dòng)值小于4.0ns且重寫循環(huán)性超過100,000次循環(huán)時(shí)，該盤的整體特性被分類為良好(良好O，差X)。
例15根據(jù)一注入模制方法使用一模子制備具有70nm深的螺旋槽的一0.6mm厚聚碳酸酯盤基底。兩相鄰槽之間的距離是1.48μm且一槽中心與一連接陸中心之間的距離是0.74μm。沿著這些槽的中心線，首部坑被格式化以檢測(cè)各扇區(qū)的地址。而且，在各槽中形成一彎曲以使相同頻數(shù)的擺動(dòng)信號(hào)可被檢測(cè)到。
使用一RF濺射法在這些槽上形成具有950埃的厚度的一ZnS-SiO2(8∶2)第一介電層。然后，在第一介電層上形成200埃厚的一Ge-Sb-Te合金薄層。然后，通過RF濺射在其上形成具有140埃厚度的一ZnS-SiO2(8∶2)第二介電層。
通過濺射在第二介電層上形成具有500埃厚度的一Al-Cr(Al98wt％，Cr 2wt％)第一反射層，最后，通過使用DC濺射法在第一反射層上形成具有400埃厚度的一Cu第二反射層。在第二反射層上旋轉(zhuǎn)-涂覆一UV-可愈合樹脂(SD 17∶DIC)作為一保護(hù)層。
這樣制備的盤的特性被示出在表IV中。
例16至19重復(fù)例15的程序，除了如表IV所示，反射層的構(gòu)成和厚度被改變外。
這樣制備的盤的特性被示出在表IV中。
比較例15至21重復(fù)例15的程序，除了如表IV所示，反射層的構(gòu)成和厚度被改變外。
這樣制備的盤的特性被示出在表IV中。
表IV
注意A＝整體特性如表IV中所見，在例15至19中制備的本發(fā)明的相位改變光盤呈現(xiàn)良好的記錄信號(hào)特性和耐腐蝕性以及低初始記錄抖動(dòng)值。
圖12示出了比較例15至18的盤的重寫抖動(dòng)值和循環(huán)性隨Al-Cr單反射層的厚度的變化。即使Al-Cr層的厚度高達(dá)2000埃，整體循環(huán)性僅達(dá)到70000。
圖13示出了比較例15至18的盤的記錄功率隨Al-Cr單反射層的厚度的變化。如圖13中所示，當(dāng)反射層的厚度增大時(shí)，記錄功率必須被升高到一不期望的水平。而且，當(dāng)在制造盤中使用一過分厚的反射層時(shí)，由于增加的材料成本和低生產(chǎn)率，該過程變?yōu)椴唤?jīng)濟(jì)。而且，當(dāng)Al-Cr和Cu反射層的組合厚度大于一規(guī)定限度1300埃，如在比較例19至21中時(shí)，可獲得具有高抖動(dòng)值和差的重寫循環(huán)性的盤。
圖14示出了重寫抖動(dòng)值和循環(huán)性隨Cu第二反射層的厚度的改變。例20重復(fù)例15的程序，除了記錄層的構(gòu)成是GeSb2Te4外；具有500埃厚度的一Al-Cr合金(Cr 2.0 at％)層和具有100埃厚度的一Cu層被各自地使用作為第一和第二反射層；且在基底上不形成首部坑和擺動(dòng)(wobble)。比較例22重復(fù)例20的程序，除了具有500埃厚度的一Al-Cr合金層被用作為一單反射層外。比較例23重復(fù)例20的程序，除了Cu第二反射層的厚度為200埃外。
在例20和比較例22和23中制備的盤在例12的條件下(除了速度被調(diào)整至8.2m/s外)被進(jìn)行記錄。圖15示出了在例20(■)和比較例22(●)及23(▲)中制備的相位改變光盤的作為重寫循環(huán)數(shù)的函數(shù)的重寫抖動(dòng)值(3Tw)的改變。
如從上述結(jié)果中所見，當(dāng)在被檢查的條件下，具有100埃厚度(例20)的薄Cu層呈現(xiàn)出比比較例23中采用的200埃厚Cu層更佳的特性。
因此，本發(fā)明的相位改變光盤可被有利地用于CD-ROW，DVD-RAM及諸如此類。
盡管已對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述和示出。顯然在不超出由后附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神的前提下，可作出各種變化和改型。
權(quán)利要求
1.一種相位改變光盤，具有一第一介電層、一記錄層、一第二介電層、一反射層和一保護(hù)層，其特征在于該反射層包括由具有1.9至3.0的負(fù)電性的一金屬或其合金制成的一第一反射層和一由Cu、Ag或其合金制成的一第二反射層，該第一反射層與第二介電層緊密接觸，且該第二反射層與第一反射層和該保護(hù)層緊密接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的相位改變光盤，其中第一反射層的金屬或合金是從由Al、Au、W、Mo、Ni、Ge、Si、Pd、Sn、Rh、Pt及其合金組成的一群中被選擇的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的相位改變光盤，其中該合金包含從由Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mn和它們的組合物組成的一群中選擇的一金屬成分作為次要成分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的相位改變光盤，其中構(gòu)成第二反射層的該合金包含從由Al、Au、Cu、Ag、W、Mo、Ni、Ge、Si、Fe、Cr、Co、Zr、Zn、Ti、Ta、Mg、Pd、V、Nb、Hf、Sn、Sc、Rh、Pt、Mn和它們的組合物組成的群中選擇的一金屬成分作為次要成分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的相位改變光盤，其中該記錄層是一Ag-In-Sb-Te合金，第一反射層是具有10埃或更大厚度的W，Si，或一Al合金且第二反射層是具有250?；蚋蠛穸鹊腁g或Ag合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的相位改變光盤，其中第一反射層是具有100?；蚋蠛穸鹊腁l合金且第二反射層是具有450?；蚋蠛穸鹊腁g或Ag合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的相位改變光盤，其中該記錄層是一Ge-Sb-Te合金，第一反射層是Al或Al合金且第二反射層是Cu或Ag。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的相位改變光盤，其中第一反射層和第二反射層的組合厚度是2000?；蚋?。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的相位改變光盤，其中第一反射層的厚度是1300?；蚋∏业诙瓷鋵拥暮穸仁?0埃或更大。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的相位改變光盤，其中第二反射層的厚度是800?；蚋　?br> 全文摘要
一種相位改變光盤,具有一第一介電層、一記錄層、一第二介電層、一反射層和一保護(hù)層,其特征在于該反射層包括由具有1.9至3.0的負(fù)電性的一金屬或其合金制成的一第一反射層和一由Cu、Ag或其合金制成的一第二反射層,該第一反射層與第二介電層緊密接觸,且該第二反射層與第一反射層和該保護(hù)層緊密接觸。
文檔編號(hào)G11B7/258GK1249506SQ9911975
公開日2000年4月5日 申請(qǐng)日期1999年9月29日 優(yōu)先權(quán)日1998年9月30日
發(fā)明者李宰源, 全廷基 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Skc