專利名稱：低電力應(yīng)用中擦除儲存于非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法和系統(tǒng)的制作方法
低電力應(yīng)用中擦除儲存于非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法和系統(tǒng)相關(guān)申請的交叉參考本申請要求2011年3月8日提出的、名稱為“低電力應(yīng)用中使用的非易失性存儲器”的美國臨時專利申請案第61/450，516的優(yōu)先權(quán)，該案的全部內(nèi)容以引用方式并入本申請中。
背景技術(shù)：
非易失性存儲器(NVM)為許多應(yīng)用，諸如個人音樂裝置設(shè)備、數(shù)碼相機和電腦硬盤驅(qū)動器，提供了靈活和低成本的數(shù)據(jù)存儲。這些存儲器中的許多存儲器在領(lǐng)域中既是可寫的又是可擦除的，以允許數(shù)據(jù)在后期制作中被改變。
這些存儲器的寫入和擦除通常具有不同的電流設(shè)定檔(current profiles),在電流設(shè)定檔下，一操作需要的電流基本上大于其他操作需要的電流。此外，兩個操作中的一個操作通常比另一個操作基本上需要較長的時間。如示范例，來自德州儀器(TexasInstruments)的MSP430F543XA微控制器包括192kB的配置成頁的快閃存儲器。根據(jù)MSP430F543XA數(shù)據(jù)表(SLAS655B-2010年I月-2010年10月修訂)，擦除512B的頁需要I. 8V下高達2mA電流，耗時32ms，總共需要約115. 2uJ的能量。然而，寫入存儲器的一字節(jié)可用很小的能量完成1. 8V下5mA，耗時85us，總共需要O. 77uJ的能量。一般地，在NVM中存儲新值需要寫入和擦除兩操作；因而，改變所述值所需的最小能量由寫入能量或擦除能量中的任一較大者設(shè)定。在可用能量受限的應(yīng)用(例如，殘骸電源(scavenged power supply))中，使用現(xiàn)有技術(shù)通常不可能同時滿足寫入和擦除能量需求。


在下面的詳細說明和附圖中揭示本發(fā)明的各種實施例。圖I示出了具有非易失性存儲器的系統(tǒng)的一實施例的框圖。圖2示出了部分快閃擦除操作的一實施例的時序圖。圖3示出了用于控制遠程光的系統(tǒng)的一實施例的框圖。圖4示出了非易失性存儲器配置的一實施例的框圖。圖5示出了寫入非易失性存儲器的過程的流程圖。圖6示出了保留一次性使用的數(shù)(NONCE)于非易失性存儲器中的過程的流程7示出了在快閃擦除操作期間信號的相對時序的時序圖。圖8是示范性存儲器晶體管的截面圖，所述示范性存儲器晶體管可用作非易失性存儲器的一部分。
具體實施例方式本發(fā)明能以許多方式實施,包括作為過程、設(shè)備、系統(tǒng)、組成物(composition ofmatter)、計算機可讀介質(zhì)，所述計算機可讀介質(zhì)諸如計算機可讀存儲介質(zhì)或計算機網(wǎng)絡(luò)，在所述計算機網(wǎng)絡(luò)中程序指令通過光纖或通信鏈路發(fā)送。在本說明書中，這些實施方式或本發(fā)明可采取的任何其他形式可被稱為技術(shù)。諸如處理器或存儲器的被描述為配置成執(zhí)行任務(wù)的組件，包括臨時配置成在給定時間執(zhí)行任務(wù)的通用組件，或被制成用以執(zhí)行任務(wù)的特定組件。被描述為具有配置處理器執(zhí)行功能的程序設(shè)計的處理器，包括配置成基于存儲在機器可讀介質(zhì)(諸如非過渡介質(zhì)(non-transitory medium))上的機器可讀指令而執(zhí)行功能的處理器，以及存儲指令于有限狀態(tài)機(FSM)中的處理器。一般地，在本發(fā)明范圍內(nèi)可改變所揭示過程的步驟順序。下面隨圖示本發(fā)明原理的附圖提供對本發(fā)明一或多個實施例的詳細說明。本發(fā)明結(jié)合這些實施例描述，但本發(fā)明不限于任何實施例。本發(fā)明的范圍僅受權(quán)利要求限制，且本發(fā)明包含許多替換方式、修改和等效方式。為了提供對本發(fā)明的徹底理解，在下面的說明中提出許多特定細節(jié)。提供這些細節(jié)是為了示范目的，且本發(fā)明可在沒有一些或所有這些特定細節(jié)的情況下根據(jù)權(quán)利要求實施。為了清楚的目的，在技術(shù)領(lǐng)域中涉及本發(fā)明的已知技術(shù)材料未作詳細描述，以使本發(fā)明不被不必要的模糊?！?br> 揭示了改變非易失性存儲器中的值。在一些實施例中，非易失性存儲器是由殘骸電源、另一類型的受限電源或類似電源供電的較大系統(tǒng)的一部分。在一些實施例中，非易失性存儲器是包括用于傳達信息至遠程位置的收音機(radio)的系統(tǒng)的一部分。圖I是示出了具有非易失性存儲器的系統(tǒng)的一實施例的框圖。在所示范例中，系統(tǒng)100包括非易失性存儲器110、收音機102、處理器104和能量源106。收音機102連接至天線103,天線103在各實施例中包含偶極天線(dipole antenna)、芯片天線(chipantenna)、通過對印刷電路板上的走線圖樣化制成的天線或任何其他適合發(fā)射或接收電磁波的結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，非易失性存儲器110包含NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器或基于電荷捕獲的存儲器(例如，基于硅氧化氮氧化硅(SONOS)的快閃存儲器)。在各種實施例中，非易失性存儲器110包括電氣可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、鐵電RAM(FRAM)、相位改變存儲器(PRAM)或任何其他適合的非易失性存儲器。收音機102包括用于發(fā)射系統(tǒng)100的數(shù)據(jù)至遠程位置的收音機122的發(fā)射機。收音機122耦合至天線123。在各實施例中，收音機102也包括接收來自收音機122的數(shù)據(jù)的接收機。在各種實施例中，收音機122發(fā)送已接收來自收音機102的封包的確認、諸如在進一步通信中使用的信道標識的配置數(shù)據(jù)、設(shè)置數(shù)據(jù)(provisioning data)或任何其他適當?shù)臄?shù)據(jù)。在一些實施例中，收音機102根據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)標準802. 15.4(2003)或IEEE 802. 15.4(2006)建立的技術(shù)傳輸數(shù)據(jù)包。在各種實施例中，收音機102使用以下中任意一個來傳輸數(shù)據(jù)包各種IEEE 802. 11協(xié)議、超寬頻通信(UWB)、藍牙、藍牙低能量、使用頻率、振幅和相位調(diào)制或它們的組合的專屬協(xié)議或任何其他適合的無線電通信方法。在一些實施例中，在無線電發(fā)射機的基準振蕩器中使用石英晶體，以確保收音機在期望的信道中心頻率發(fā)射或接收。在一些實施例中，系統(tǒng)100用作燈開關(guān)，發(fā)射數(shù)據(jù)包至遠程位置，以指示燈應(yīng)被開啟、被關(guān)閉或亮度應(yīng)調(diào)整。在一些實施例中，系統(tǒng)100用作紫蜂草案標準(ZigBee DraftStandard):草案紫峰綠色電力規(guī)范(ZigBee Green Power Specification)(紫蜂文件號095499)規(guī)定的系統(tǒng)的一部分。
在一些實施例中，能量源106包含輸出電能的能量收集機108?？蛇x的，能量源106可包括諸如電池、電容器或類似物的能量存儲單元，所述能量存儲單元可存儲能量收集機108收集的能量。能量收集機108通過換能器從外部源獲取其能量。換能器是將一種類型的能量轉(zhuǎn)換成另一種類型的能量的裝置。所述轉(zhuǎn)換可以是在電氣的、機械的、磁的、光子的、光伏的、或任何其他形式的能量之間。在一些實施例中，能量收集機108通過改變耦合至線圈的磁場(例如，電動能量轉(zhuǎn)換器可從恩諾迅(EnOcean)ECO 100運動轉(zhuǎn)換器中找出)從機械能(例如，按按鈕、開閉開關(guān)或旋轉(zhuǎn)刻度盤)獲取其能量。在一些實施例中，能量收集機108通過壓電換能元件(例如，諸如PZT或石英晶體的壓電陶瓷)從機械能獲取其能量。在一些實施例中，使用磁鐵接近線圈將震蕩能量(例如，來自電動機的失衡)轉(zhuǎn)換成電能，所述震蕩能量引起磁鐵和線圈的相對運動。在一些實施例中，熱能通過帕爾帖(Peltier)裝置(例如，恩諾迅(EnOcean)的ECT 310熱轉(zhuǎn)換器)或使用塞貝克(Seebeck)效應(yīng)的裝置(諸如，熱電偶)被轉(zhuǎn)換成電能。在各種實施例中，能量收集機108從風能、鹽度梯度(salinitygradients)、動能、電容換能器、磁換能器、壓電換能器、熱電換能器、光伏換能器、射頻換能器(例如，耦合至整流器的天線，和用來將天線或線圈的入射RF能量轉(zhuǎn)換成集成電路可使 用的電能的電容器)、電化換能器、或任何其他適合的換能器。在一些實施例中，電容器或電化電池耦合至換能器以存儲供后面使用的能量。在一些實施例中，能量源106包含能量收集機，所述能量收集機通過將能量從4-20mA電流回路中移除來獲取其能量。雖然4-20mA電流回路可認為是線路供電的，但在通信完整性受不利影響之前，僅可從回路中的任意點提取一定量的能量。在一些實施例中，處理器104通過連接三分離組件的印刷電路板而耦合至非易失性存儲器Iio且耦合至收音機102。在一些實施例中，處理器104、收音機(radio) 102和非易失性存儲器110中的一或多個集成于單件硅上，以提供較低的功率消耗和較小的系統(tǒng)尺寸。在一些實施例中，處理器、收音機和非易失性存儲器中的一或多個利用諸如系統(tǒng)級封裝(SIP)的封裝技術(shù)或借助于低溫共燒陶瓷技術(shù)(LTCC)封裝到一起。在一些實施例中，結(jié)合作為諸如RFC2617的安全協(xié)議的一部分，非易失性存儲器用來加密存儲或保留一次性使用的數(shù)(NONCE)。NONCE用于防止重復攻擊。在一些實施例中，非易失性存儲器用來結(jié)合加密來保留N0NCE，其中加密作為諸如在紫峰綠色電力規(guī)范(紫蜂文件號095499) A. I. 5. 4. I構(gòu)建AESN0NCE中描述的安全協(xié)議的一部分。安全協(xié)議在防止未經(jīng)授權(quán)的用戶進行通信或竊聽通信上是有用的。保留有效的NONCE依賴于先前NONCE知識，因而依賴于存儲先前NONCE值于存儲器中。非易失性存儲器剛好特別適用于系統(tǒng)電力間歇情況下的NONCE存儲。在一些實施例中，非易失性存儲器110是快閃存儲器?？扉W存儲器使用熱電子注入來寫入且通過注入電子至記憶存儲單元(memory storage cell)(諸如，晶體管)的電荷存儲層(例如，浮置柵極)上存儲數(shù)據(jù)。圖8顯示可用作非易失性存儲器的一部分的示范記憶存儲晶體管800的截面視圖。記憶存儲晶體管(memory storage transistor) 800可形成于半導體基板809中，且可分別包括形成于基板809內(nèi)的源極和漏極區(qū)域805和807。電荷存儲層803 (諸如，浮置柵極)形成于半導體基板809的、在將源極和漏極區(qū)域分隔開的區(qū)域之上的表面上?？刂茤艠O801形成于電荷存儲層803之上。在一些實施例中，電荷存儲層803是與控制柵極801電氣隔離的浮置柵極，而在其他范例中，電荷存儲層803是電荷講(charge trap),所述電荷講由與控制柵極801接觸或緊密接近的絕緣層(諸如,氮化娃)形成。在一實施例中，非易失性存儲器的字線(word line)電氣稱合至控制柵極801,而非易失性存儲器的源線和位線分別耦合至源極和漏極區(qū)域。在快閃存儲器的范例中，數(shù)據(jù)通過在晶體管的控制柵極801和漏極807之間施加大的電壓差以引起量子隧道、由此從電荷存儲層803移除電荷(例如，電子)而擦除。一般地，擦除快閃存儲器中的存儲位置(存儲器頁)需要在控制柵極801和漏極807之間施加預(yù)定時間量的大的電壓差。預(yù)定時間量可由快閃存儲器的制造商或供應(yīng)商規(guī)定，且可對應(yīng)于擦除操作的最小持續(xù)時間以確保存儲位置被可靠擦除?？扉W存儲器被組織成存儲頁或區(qū)塊，頁的大小是體系結(jié)構(gòu)特定的，且通常范圍在128字節(jié)與4096字節(jié)之間，但可遇到比這些值更大或更小的大小?？扉W存儲器能以與I位一樣小的數(shù)據(jù)量寫入；然而快閃存儲器通常通過擦除整頁來擦除。擦除快閃頁通常設(shè)定所有位為I (例如，通過移除存儲于記憶存儲晶體管的電荷存儲層上的所有或大體上所有電荷)，且寫入快閃位設(shè)定為0(例如，通過使電荷存儲于記憶存儲晶體管的電荷存儲層上，以使存儲于電荷存儲層上的電荷超過電荷閾值)。如果一位已被編程為O (或其他適當?shù)倪壿?狀態(tài))，則整頁可需要擦除以重新設(shè)定該位為I (或其他適當?shù)倪壿嫚顟B(tài))。在一些實施例中，擦除快閃頁設(shè)定所有位為0，而寫入快閃位設(shè)定位為I。在一些實施例中，基于電荷存儲層的電壓幅值或電位和/或基于流經(jīng)記憶存儲晶體管的電流的電流強度來測量電荷的閾值(或確定存儲器單元的邏輯狀態(tài)的其他閾值)。雖然寫入快閃位消耗少量能量，但擦除整頁消耗大量能量。例如，擦除特定快閃存儲器的2kB快閃頁可需要3. 6V下6. 5mA電流20ms或468uJ;寫入32位字可需要1.8V下IOmA 20us或0.36uJ。在許多應(yīng)用中，擦除操作所需的大量能量不可用。在一些實施例中，存在足夠的能量來執(zhí)行頁擦除操作，但這樣做會使留下執(zhí)行額外期望任務(wù)(諸如與遠程節(jié)點通信、存儲數(shù)據(jù)于存儲器中等)的能量不夠。在一些實施例中，可用來執(zhí)行快閃擦除的能量數(shù)量少于需要執(zhí)行擦除操作的能量。圖2是示出了兩不同的快閃擦除操作的實施例的時序圖上面的圖顯示完全快閃擦除操作200，而下面的圖顯示部分快閃擦除操作202。在所示范例中，完全快閃擦除操作200具有等于220的時長，結(jié)果造成快閃存儲器的一頁在具有時長220的時段結(jié)束時完全擦除。快閃擦除操作200可分成多個部分擦除操作202 ;部分擦除操作202被多個間隔204隔開，使得后續(xù)部分擦除操作202彼此之間間隔間隔204，因而對應(yīng)于非鄰接(和非重疊)的時段。在部分擦除操作202中，快閃存儲器置于擦除模式中一時段，該時段具有時長206的時長。相比于快閃擦除操作200，快閃處于擦除模式的時間量被減小，使得時長206小于時長220。在部分擦除期間，通過從存儲器單元移除電荷(例如，電子)，量子隧道在具有時長206的每一時段開始擦除快閃存儲器單元，但是每一部分擦除操作并不完全地擦除數(shù)據(jù)(即，一些電荷，不必要是所有電荷從存儲器單元移除)。重復多個周期的部分擦除可提供足夠的累積時間供量子隧道通過移除足量電荷而完全擦除存儲器單元，以確保存儲器單元可靠停留在擦除狀態(tài)，所述累積時間測量為執(zhí)行部分擦除操作的時段的時長206的總和。完全快閃擦除200操作一般通過在時長220期間在存儲器單元的控制柵極和漏極之間同時的施加第一電壓或第一電流而執(zhí)行。第一電壓可具有第一電壓幅值，及第一電流可具有第一電流強度。部分快閃擦除操作220 —般通過在一系列的多個時長206期間，在存儲器單元的控制柵極和漏極間施加第二電壓或第二電流而執(zhí)行。在一些范例中，第二電壓具有與第一電壓相同的幅值，或第二電流具有與完全快閃擦除操作200中使用的第一電流強度相同的電流強度。然而，在其他范例中，第二電壓可具有比第一電壓更大或更小的幅值，及第二電流可具有比第一電流更大或更小的電流強度。一般地，第二電壓的幅值在作為部分快閃擦除操作202的一部分的所有時長206內(nèi)都是相同的，及第二電流的強度在為部分快閃擦除操作202的一部分的所有時長206都是相同的。然而,在一些實施例中，第二電壓的幅值和/或第二電流的強度在部分快閃擦除操作202的不同時長206間是可變化的。在一些實施例中，當按下燈開關(guān)時，進行部分擦除操作，由此激活能量收集機；間隔204可表示燈開關(guān)按壓的時間。在一些實施例中，當光伏能量收集機接收到足夠的外界光以給部分擦除操作供電時，進行部分擦除操作；間隔204可表示曝光時間。在其他實施例中，當光能量收集機的電容器中存儲有足夠的能量(或電荷)以給部分擦除操作供電時，進行部分擦除操作；間隔204可表示充電時間間隔，電容器在此充電時間間隔內(nèi)積累能量。通過將快閃擦除操作分解成多個部分擦除操作202，一旦已執(zhí)行且完成預(yù)定數(shù)目的部分擦除操作(或可選的，一旦已執(zhí)行且完成擦除操作的總預(yù)定時長)，快閃可被可靠地擦除。由于每一部分擦除操作具有比完全快閃擦除操作的時長220較短的時長206，執(zhí)行每 一部分擦除所需的能量數(shù)量小于執(zhí)行完全快閃擦除操作所需的能量數(shù)量。在一些實施例中，作為NONCE認證的一部分，快閃存儲器可用作存儲數(shù)的緩沖器?？扉W存儲器一般具有固定的大小，使得預(yù)定數(shù)目的最近NONCE值被存儲于緩沖器中。存儲較舊的NONCE值的緩沖器的一部分(超過預(yù)定數(shù)量)可被擦除以建立新的NONCE值的存儲空間。在范例中，快閃存儲器可包括至少兩個存儲器頁，每一頁包括預(yù)定數(shù)目的存儲位置(例如，存儲器字)。快閃存儲器可存儲新的NONCE值于第一存儲頁中，而存儲舊的NONCE值的第二存儲頁被擦除。第一存儲頁可通過若干存儲器寫入操作或周期而填充，而第二存儲頁可通過若干部分擦除操作或周期而擦除。為了使第二存儲頁在與填充第一存儲頁所需周期數(shù)目相同的周期數(shù)目內(nèi)被完全擦除，完全擦除第二頁所需的部分擦除操作的數(shù)目可需要等于(或小于)填充第一存儲頁的周期數(shù)目。在一些實施例中，完全擦除快閃存儲器的一頁所需的部分擦除周期數(shù)目N小于或等于按字P計的頁的大小，所述頁的大小由在每一供電周期寫入的字數(shù)M劃分。在一些實施例中，第一和第二快閃頁被分配用于數(shù)據(jù)存儲。數(shù)據(jù)寫入第一頁且第二頁通過多個部分擦除周期被擦除。在一些實施例中，每次在第一頁被寫入時在第二頁上執(zhí)行部分擦除周期，直至第一頁寫滿，此時第二頁完全擦除。接著，第二頁被寫入且第一頁通過多個快閃擦除周期被擦除，直至第二頁寫滿。一般地，計數(shù)器可用來追蹤第二頁已經(jīng)過的部分擦除周期數(shù)目(和/或第二頁已經(jīng)過的部分擦除操作的總時長)，以便確定第二頁是否已經(jīng)歷了完全擦除存儲于其上的數(shù)據(jù)所需的預(yù)定數(shù)目的部分擦除周期(或完全擦除存儲于其上的數(shù)據(jù)所需的部分擦除操作的預(yù)定總時長)。然而，如果完全擦除存儲于第二頁中的數(shù)據(jù)所需的部分擦除周期數(shù)目等于用于填充第一存儲頁的寫入周期數(shù)目，且如果對于在第一頁上執(zhí)行的每個寫入周期在第二頁上執(zhí)行部分擦除周期，則不需要計數(shù)器。取而代之的是，當存儲器的第一頁寫滿時，第二頁可被隱含地確定為已經(jīng)經(jīng)歷預(yù)定數(shù)目的部分擦除周期。在一些實施例中，擦除非易失性存儲器依賴于電荷泵的啟動以獲得比芯片可用最大正常電壓更大的電壓。由于電荷泵通常會花一些時間來到達期望電壓，擦除存儲頁所需的部分擦除時長206的總和可能需要比為了立即擦除存儲頁而執(zhí)行的快閃擦除操作的時長220更長。

需要適當擦除快閃存儲器以確保存儲的數(shù)據(jù)仍有效和可靠?？扉W存儲器單元的不充分擦除可造成存儲器損壞。過度的擦除可損壞快閃存儲器或造成可允許的寫入/擦除周期數(shù)目減少。在一些實施例中，快閃存儲器設(shè)計具有最小和最大擦除時間的規(guī)格。在一些實施例中，快閃存儲器設(shè)計具有典型擦除時間的規(guī)格。在一些實施例中，部分擦除操作的時長連同設(shè)計規(guī)格被用來計算適當操作和擦除快閃存儲器的頁(或其他部分)所需的部分擦除周期的數(shù)目。電荷泵的開啟時間和關(guān)閉時間以及在擦除操作中涉及的其他電路組件也可被包括在總的部分擦除時長(即，對應(yīng)于部分擦除時長206的總和的總時長)和/或完全擦除快閃存儲器的頁所需的部分擦除周期的數(shù)目的計算中。在一些實施例中，部分擦除操作202是固定時長206，使得在部分擦除操作202中的所有部分擦除時長206具有相同的固定時長。在一些實施例中，部分擦除操作是變化的時長，使得在部分擦除操作202中的不同部分擦除時長206具有不同的時長。在能量收集機(energy harvester)輸出的能量數(shù)量可變化的應(yīng)用中，部分擦除操作具有變化的時長是有用的。在一實施例中，能量收集機具有公知尺寸的電容器存儲元件，所述電容器存儲元件耦合至能量收集機輸出。具有基準的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)用來使用電壓分割器測量電源電壓(例如，能量收集機的電容器存儲元件兩端的電壓)，所述電壓分割器的端部耦合至電源和地，所述電壓分割器的中間部耦合至ADC輸入?？捎媚芰康臄?shù)量可通過1/2*CV2確定，其中C是電容器存儲元件的電容，及V是ADC測量的電源電壓。在所存儲的能量數(shù)量較大的情況下，可分配給部分擦除操作較長的時長206。如果電容器或能量收集機中存儲的、提供擦除操作的能量不足，擦除時長206可減少或甚至消除。當使用可變擦除時間時，在每一部分擦除操作期間執(zhí)行的部分擦除時間的數(shù)量可寫入至非易失性存儲器。一旦總的累積部分擦除時間(依據(jù)非易失性存儲器中的寫入)足夠，存儲器視為擦除。圖3示出了用于控制遠程燈的系統(tǒng)的實施例的框圖。在所示出的例子中，系統(tǒng)300作為紫峰(ZigBee)綠色電力設(shè)備使用。系統(tǒng)300包括處理器304、非易失性存儲器310、無線電(radio)收發(fā)器302和能量收集機308。能量收集機308在按鈕320按下時使用電動能量轉(zhuǎn)換來提供能量脈沖。該能量來源于施加在按鈕320上的機械力。在按鈕320按下時，處理器被初始化，讀取非易失性存儲器以確定一 N0NCE，并經(jīng)由收發(fā)器302通過電磁波傳輸使用該NONCE編碼的數(shù)據(jù)包到達遠程節(jié)點322。此時，NONCE被增大并被存儲到存儲器。通過控制器332控制燈330的遠程節(jié)點322，接收來自收發(fā)器302的數(shù)據(jù)包。在多個實施例中，控制器332調(diào)節(jié)到燈330的線路功率的流量來調(diào)整亮度；控制器332轉(zhuǎn)換到燈330的線路功率的開或關(guān)。圖4示出了非易失性存儲器配置的實施例的框圖。在示出的例子中，非易失性儲存器(該非易失性儲存器對應(yīng)于圖3中的非易失性存儲器310)包括三個存儲頁如圖4所示的410A、410B和410C ;頁410A、410B、410C構(gòu)成循環(huán)(circular)緩沖器。如圖4所示，每個頁被分解為6432-字節(jié)的區(qū)域420。每個32-字節(jié)區(qū)域420包括NONCE值422 ;靜態(tài)安全密鑰424 ;屬性字段426 ;網(wǎng)絡(luò)ID 428 (例如個人局域網(wǎng)ID);循環(huán)冗余驗證(CRC) 430 ;數(shù)據(jù)序列號(DSN)字段432，此處該DSN字段用來過濾重復的數(shù)據(jù)包；和標記字段434。在多個實施例中，某些上述字段并不是區(qū)域420的部分，區(qū)域420包括另外的參數(shù)，區(qū)域420在大小上大于32字節(jié)，區(qū)域420在大小上小于32字節(jié)。在按下按鈕時，頁410A、410B、410C中的一個的一個區(qū)域420被寫入，并且在頁410A、410B、410C中的另一個上執(zhí)行部分擦除。在任何給定時間，頁410A、410B、410C中的一個頁被寫入，一個頁正在被擦除，并且一個之前被擦除過的頁是“清空的”并準備被寫入。在本實施例中，該部分擦除的時長設(shè)定為等于總的快閃(flash)擦除時間20ms的1/64的常數(shù)值312. 5us。在本實施例中，每頁需要64次部分擦除循環(huán)以被擦除，并且每次按下按鈕導致快閃存儲器中32字節(jié)的區(qū)域的寫入，使得每次一個頁被寫滿時，快閃存儲器中的一個新頁被擦除。部分快閃擦除被應(yīng)用到一個正確(proper)的頁，直到當前被寫入的頁寫滿為止，因而確保在正在擦除的頁上執(zhí)行正確數(shù)量的部分快閃擦除循環(huán)。通過結(jié)合諸如數(shù)據(jù)寬度和頁的大小的因素選擇部分擦除歷，當目前正在被寫入的頁被寫滿時，擦除狀態(tài)可以隱含(implicitly)的確定為完成。通過開始快閃擦除操作、開啟計時器(例如對應(yīng)于時長206)、及在計時器期滿時停止快閃擦除操作來執(zhí)行每次的部分擦除。在一些實施例中，計時器是處理器302的部分并且控制由處理器302執(zhí)行。在應(yīng)用電能時，處理器在頁410A、410B、410C中確定哪個快閃頁被寫入、哪個快閃 頁被擦除、哪個快閃頁被清空。在一些實施例中，使用從頁的起始偏移已知距離的標簽(或存儲在存儲器中的其他標志)來快速的確定(identify)哪個頁被寫入、哪個頁被擦除、哪個頁被清空。根據(jù)需要對部分快閃擦除的時長進行調(diào)整以確保在使用標簽時存儲器能夠被正確的擦除。在一些實施例中，頁的第一位預(yù)留做為標簽標記物并在該頁是正在被寫入的頁時被設(shè)置(被寫入O)。圖5是示出了寫入到非易失性存儲器的過程的流程圖。在示出的例子中，在502中，讀取每頁的第一位。在504中，確定應(yīng)被寫入的頁和應(yīng)被擦除的頁。如果所有三個位都被擦除，則在頁A中標簽被設(shè)置為0，并且數(shù)據(jù)被寫入到頁A而部分擦除應(yīng)用到頁C。如果在頁A中標簽被設(shè)置為O且在頁B中標簽被擦除，則數(shù)據(jù)被寫入到頁A且部分擦除應(yīng)用到頁C。如果在頁B中標簽被設(shè)置為O且在頁C中標簽被擦除，則數(shù)據(jù)被寫入到頁B且部分擦除應(yīng)用到頁A。如果在頁C中標簽被設(shè)置為O且在頁A中標簽被擦除，則數(shù)據(jù)被寫入到頁C且部分擦除應(yīng)用到頁B。在正確的頁被選出用于寫入后，通過搜索選出頁找到最后寫入的字，在選出的頁上確定數(shù)據(jù)被寫入的位置，如步驟506中示出的。在多個實施例中，使用順序檢索或?qū)Π霗z索(binary search)在選出頁上找到下一個可用的空閑空間。在步驟508中，數(shù)據(jù)被寫入到適當?shù)奈恢?。在步驟510中，確定頁是否寫滿。如果頁寫滿(例如，由于該頁的最后一個字剛剛被寫入)，那么在步驟512中，下一頁的標簽被設(shè)置以使下一次的數(shù)據(jù)被寫入，處理器可以基于標簽確定將被寫入的新頁，就此避免不必要的搜索整個頁以找到可用的空閑存儲空間。在一些實施例中，快閃從不被擦除,而NONCE通過溫度計碼(thermometer code)保存。使用溫度計碼允許處理器基于在非易失性存儲器中寫入的最后一個位的地址/位置確定NONCE值。特別的，每當使用NONCE傳輸數(shù)據(jù)包或消息時，在非易失性存儲器中的位按照地址/位置順序(order)被寫入。因此，當?shù)谝粋€數(shù)據(jù)包或消息使用NONCE傳輸時，非易失性存儲器中的第一個字節(jié)(例如，具有地址O)被寫入，并且當?shù)诙€數(shù)據(jù)包或消息被傳輸時，第二個字節(jié)(例如，具有地址I)被寫入，等等。每當數(shù)據(jù)包被傳輸也會增加的NONCE值可以因此基于最后寫入的位的地址被確定。例如，如果第三個位(例如，具有地址2)是在非易失性存儲器中寫入的最后一個位，NONCE值可以從地址確定(例如，NONCE = 2)。在一些實施例中，使用溫度計碼可以避免需要計數(shù)器來記錄NONCE值，和/或記錄大量完成的部分擦除操作的數(shù)目。更普遍的，圖6示出了在非易失性存儲器中保存NONCE的過程的流程圖。在示出的例子中，在步驟602中，為NONCE計數(shù)器分配的存儲器的一部分在諸如最后檢測或者晶片探測的生產(chǎn)時間中被擦除。在步驟604中，流程是停止的，直到需要NONCE為止，例如，使用需要使用NONCE的安全協(xié)議的數(shù)據(jù)包將要傳輸。在步驟606中，通過順序檢索或二進位檢索找出在分配的存儲器中寫入的最后一個位，NONCE值被讀取。當前字是包括寫入的最后一個位的字。NONCE的值是這樣確定的自當前字的所分配的存儲器的起始的地址偏置乘以該字(words)的寬度，所述寬度以位為單位，然后將當前字中寫入的最后一個位的位號加到這個值上。例如，如果在分配的存儲器中寫入的最后一個位是存儲器中第零個字(也就是說，第一個字編號為O)的第三個位，且存儲器存儲32-位的字，那么NONCE的值等于0*32+3 = 3。在另一個實施例中，如果寫入的最后一個位是在存儲器中第七個字的第30個位，且存儲器存儲32-位的字，那么NONCE的值等于7*32+30 = 254。在步驟608中，NONCE通過在當前字中寫入下一個位增加。如果當前字已經(jīng)被寫滿，下一個字的第一個位被寫入。 在NONCE增加后，流程回到步驟604。圖7示出了在快閃擦除操作過程中的信號的相對時序(timing)的時序圖。在示出的例子中，快閃存儲器IP塊與微處理器一起集成在硅集成電路上。X-地址行選擇信號702連同地址啟動信號704選出哪個頁將被部分擦除。擦除啟動信號706連同非-易失性存儲啟動信號708導致擦除操作開始。為了確?？扉W存儲器沒有損壞并且為了確保僅僅想要的頁被擦除，附圖標記752、756和758指示的建立和保持時間(times)相適應(yīng)(met)。附圖標記754指出了有效擦除時間，在該有效擦除時間中，X-地址行選擇信號702、地址啟動信號704、擦除啟動信號706、非-易失性存儲啟動信號708都設(shè)置為邏輯高值。在一些實施例中，部分擦除操作的建立和保持時間等于快閃擦除操作的建立和保持時間；也就是，執(zhí)行快閃IP完全擦除操作需要的最小的建立和保持時間(時段752、756、758)可能需要滿足執(zhí)行部分擦除操作。這提供了可靠的快閃操作的益處。在時序發(fā)生器中通過調(diào)整時間長度(length time)控制有效擦除時間的時長754，從該時長，非-易失性存儲啟動信號708變高直到當擦除啟動信號706變低時。在一些實施例中，微處理器寫入寄存器，該寄存器控制負責計錄754的時間長度的計數(shù)器。在調(diào)整有效擦除時間至小于快閃擦除操作的時間時，保持和快閃擦除操作關(guān)聯(lián)的建立和保持時間導致了有效和可靠的快閃行為。在一些實施例中，不包括用于與遠程節(jié)點的通信的收音機(radio)。在一些實施例中，使用諸如紅外光發(fā)光二極管的光學傳感器或諸如壓電式傳感器的聲傳感器執(zhí)行與遠程節(jié)點的通信。在一些實施例中，不與遠程節(jié)點進行通信。在一些實施例中，非易失性存儲器被包括在處理器和能量收集機中，被配置了一段時間，并稍后為分析數(shù)據(jù)而被收集(collected)。例如，在一些實施例中，溫度傳感器、處理器、非易失性存儲器、和太陽能收集機被配置在船運集裝箱內(nèi)；處理器開啟周期的溫度測量并在非易失性存儲器中記錄溫度以確保集裝箱的內(nèi)容沒有被損壞。雖然前面的實施例出于清楚理解的目的已經(jīng)在一些細節(jié)中進行了描繪，但是本發(fā)明不受這些提供的細節(jié)的限制。有很多可供選擇的實施本發(fā)明的方式。公開的實施例是說明性的而不限制性的。
權(quán)利要求
1.一種擦除存儲于非易失性存儲器的存儲位置中的數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，所述方法包括 在第一時段期間在所述非易失性存儲器的所述存儲位置執(zhí)行第一擦除操作；及 在至少一個第二時段期間在所述非易失性存儲器的所述存儲位置執(zhí)行第二擦除操作， 其中，所述第一時段和所述至少一個第二時段為非相鄰的時段， 其中，所述第一擦除操作的時長短于可靠擦除存儲于所述存儲位置的數(shù)據(jù)所需的時長，及 其中，所述第一時段和所述至少一個第二時段的時長的總和等于或長于擦除存儲于所述存儲位置的數(shù)據(jù)所需的時長。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于 所述非易失性存儲器的存儲位置包括具有電荷存儲層的記憶存儲晶體管； 所述在所述第一時段期間執(zhí)行所述第一擦除操作包括在所述第一時段期間在具有所述電荷存儲層的所述記憶存儲晶體管的控制柵極端和漏極端之間施加電壓；及 所述在所述至少一個第二時段期間執(zhí)行所述第二擦除操作包括在所述至少一個第二時段期間在具有所述電荷存儲層的所述記憶存儲晶體管的所述控制柵極端和所述漏極端之間施加電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括 在所述第一時段和所述至少一個第二時段之前，通過使所述存儲位置的記憶存儲單元從第一邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)變成第二邏輯狀態(tài)，將數(shù)據(jù)存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置， 其中，通過使所述記憶存儲單元從所述第二邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)變成所述第一邏輯狀態(tài)，擦除存儲于所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括 在所述第一時段和所述至少一個第二時段之前，通過使電荷存儲于所述存儲位置的記憶存儲晶體管的電荷存儲層，將數(shù)據(jù)存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置， 其中 所述執(zhí)行所述第一擦除操作和所述第二擦除操作包括使電荷從所述記憶存儲晶體管的所述電荷存儲層移除； 當存儲于所述電荷存儲層上的所述電荷超過閥值時，所述記憶存儲晶體管處于第一邏輯狀態(tài)； 在執(zhí)行具有所述第一時段的時長的所述第一擦除操作后，存儲于所述電荷存儲層上的所述電荷超過所述閥值 '及 在執(zhí)行具有所述第一時段的時長和所述至少一個第二時段的時長總和的時長的擦除操作后，存儲于所述電荷存儲層上的所述電荷低于所述閥值。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括 保留總時長的記錄，在所述總時長期間擦除操作已被執(zhí)行；及 當所述總時長超過預(yù)定時長時，確定存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)被可靠擦除。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括保留多個時段的記錄，在所述多個時段期間擦除操作已被執(zhí)行；及當所記錄的時段數(shù)目超過預(yù)定時段數(shù)目時，確定存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)被可靠擦除。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括 利用具有能量輸出的能量源向所述非易失性存儲器供電； 其中，從所述能量源可得到的最大能量輸出小于執(zhí)行擦除操作所需的能量輸出，所述擦除操作具有可靠擦除存儲于所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)所需的時長。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括 利用具有能量輸出的能量源向所述非易失性存儲器供電； 其中，從所述能量源可得到的所述能量輸出大于執(zhí)行具有所述第一時段的時長的所述第一擦除操作或具有所述至少一個第二時段中的任一者的時長的所述第二擦除操作所需的能量輸出，且小于執(zhí)行具有可靠擦除存儲于所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)所需的時長的擦除操作所需的能量輸出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，從所述能量源可得到的所述能量輸出用來給無線電裝置供電，所述無線電裝置用來與位于遠離所述非易失性存儲器處的裝置通 目。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，進一步包括 在所述第一時段和所述至少一個第二時段之前，存儲數(shù)據(jù)值于所述非易失性存儲器的所述存儲位置 '及 使用所存儲的數(shù)據(jù)值產(chǎn)生數(shù)據(jù)包以通過電磁波傳輸至遠程裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述非易失性存儲器選自于包括以下內(nèi)容的組 快閃存儲器、NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、基于SONOS的快閃存儲器、基于電荷捕獲的存儲器技術(shù)、電氣可擦除可編程只讀存儲器、磁阻隨機存取存儲器、鐵電RAM、以及相位改變存儲器。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述非易失性存儲器的所述存儲位置包括存儲頁。
13.一種擦除存儲于非易失性存儲器的存儲位置中的數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包括 非易失性存儲器，其包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲位置； 處理器，其耦合至所述非易失性存儲器；以及 用于在所述處理器內(nèi)執(zhí)行的一組指令，其中所述處理器對所述指令的執(zhí)行配置所述系統(tǒng)成執(zhí)行包含以下功能的功能 在第一時段期間在所述非易失性存儲器的所述存儲位置執(zhí)行第一擦除操作；及 在至少一個第二時段期間在所述非易失性存儲器的所述存儲位置執(zhí)行第二擦除操作， 其中，所述第一時段和所述至少一個第二時段為非相鄰的時段， 其中，所述第一擦除操作的時長短于可靠擦除存儲于所述存儲位置的數(shù)據(jù)所需的時長，及 其中，所述第一時段和所述至少一個第二時段的時長的總和等于或長于擦除存儲于所述存儲位置的數(shù)據(jù)所需的時長。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括 用于給所述非易失性存儲器和所述處理器供電的能量源，其中 所述非易失性存儲器的所述存儲位置包括具有電荷存儲層的記憶存儲晶體管；及在所述第一時段期間執(zhí)行所述第一擦除操作的功能包括在所述第一時段期間在具有所述電荷存儲層的所述記憶存儲晶體管的控制柵極端和漏極端之間施加來自于所述能量源的電壓的功能；及 在所述至少一個第二時段期間執(zhí)行所述第二擦除操作的功能包括在所述至少一個第二時段期間在具有所述電荷存儲層的所述記憶存儲晶體管的所述控制柵極和所述漏極端之間施加來自于所述能量源的電壓的功能。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述處理器中的編程進一步配置所述系統(tǒng)執(zhí)行包括以下功能的功能 在所述第一時段和所述至少一個第二時段之前，通過使所述存儲位置的記憶存儲單元從第一邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)變成第二邏輯狀態(tài)，將數(shù)據(jù)存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置， 其中，通過使所述記憶存儲單元從所述第二邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)變成所述第一邏輯狀態(tài)，擦除存儲于所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述處理器中的編程進一步配置所述系統(tǒng)執(zhí)行包括以下功能的功能 在所述第一時段和所述至少一個第二時段之前，通過使電荷存儲于所述存儲位置的記憶存儲晶體管的電荷存儲層，將數(shù)據(jù)存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置， 其中 執(zhí)行所述第一擦除操作和所述第二擦除操作的功能包括使電荷從所述記憶存儲晶體管的所述電荷存儲層移除的功能； 當存儲于所述電荷存儲層上的所述電荷超過閥值時，所述記憶存儲晶體管處于第一邏輯狀態(tài)； 在執(zhí)行具有所述第一時段的時長的所述第一擦除操作后，存儲于所述電荷存儲層上的所述電荷超過所述閥值；及 在執(zhí)行具有所述第一時段和所述至少一個第二時段的時長總和的時長的擦除操作后，存儲于所述電荷存儲層上的所述電荷低于所述閥值。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述處理器中的編程進一步配置所述系統(tǒng)執(zhí)行包括以下功能的功能 保留總時長的記錄，在所述總時長期間擦除操作已被執(zhí)行；及當所述總時長超過預(yù)定時長時，確定存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)被可靠擦除。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述處理器中的所述編程進一步配置所述系統(tǒng)執(zhí)行包括以下功能的功能 保留多個時段的記錄，在所述多個時段期間擦除操作已被執(zhí)行；及 當所記錄的時段數(shù)目超過預(yù)定時段數(shù)目時，確定存儲于所述非易失性存儲器的所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)被可靠擦除。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括 能量源，用于輸出能量輸出以向所述非易失性存儲器和所述處理器供電， 其中，從所述能量源可得到的最大能量輸出小于執(zhí)行擦除操作所需的能量輸出，所述擦除操作具有可靠擦除存儲于所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)所需的時長。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，進一步包括 能量源，用于輸出能量輸出以向所述非易失性存儲器和所述處理器供電， 其中，從所述能量源可得到的所述能量輸出大于執(zhí)行具有所述第一時段的時長或的所述第一擦除操作或具有所述至少一個第二時段中的任一者的時長的所述第二擦除操作所需的能量輸出，且小于執(zhí)行具有可靠擦除存儲于所述存儲位置的所述數(shù)據(jù)所需的時長的擦除操作所需的能量輸出。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其特征在于，從所述能量源可得到的所述能量輸出用來給無線電裝置供電，所述無線電裝置用來與位于遠離所述系統(tǒng)的裝置通信。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述處理器中的編程進一步配置所述系統(tǒng)執(zhí)行包括以下功能的功能 在所述第一時段和所述至少一個第二時段之前，存儲數(shù)據(jù)值于所述非易失性存儲器的所述存儲位置 '及 使用所述存儲的數(shù)據(jù)值產(chǎn)生數(shù)據(jù)包以通過電磁波傳輸至遠程裝置。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述非易失性存儲器選自于包括以下內(nèi)容的組 快閃存儲器、NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、基于SONOS的快閃存儲器、基于電荷捕獲的存儲器技術(shù)、電氣可擦除可編程只讀存儲器、磁阻隨機存取存儲器、鐵電RAM、以及相位改變存儲器。
24.一種改變非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，所述方法包括 執(zhí)行寫入操作以寫入數(shù)據(jù)至所述非易失性存儲器；及 執(zhí)行擦除操作以從所述非易失性存儲器擦除所寫入的數(shù)據(jù)， 其中所述執(zhí)行所述擦除操作包括執(zhí)行多個部分擦除操作，及 其中各所述部分擦除操作在多個非相鄰的時間間隔之間執(zhí)行。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其特征在于，進一步包括 保留已經(jīng)有多少個部分擦除操作完成的記錄。
26.一種用于擦除非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，所述方法包括 在所述非易失性存儲器的存儲位置執(zhí)行擦除操作，其中執(zhí)行所述擦除操作包括執(zhí)行多個部分擦除操作，并且其中各所述部分擦除操作在多個非相鄰的時間間隔之間執(zhí)行，及監(jiān)測所述非易失性存儲器的所述存儲位置的擦除狀態(tài)以確定所述存儲位置是否被可靠擦除， 其中，所述執(zhí)行所述多個部分擦除操作包括執(zhí)行部分擦除操作直至確定所述存儲位置被可靠擦除。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，進一步包括 在所述非易失性存儲器的其他存儲位置執(zhí)行至少一次寫入操作；及在執(zhí)行所述至少一次寫入操作之后，確定所述其他存儲位置為寫滿， 其中，對在所述其他存儲位置執(zhí)行的每一次寫入操作，在所述存儲位置執(zhí)行部分擦除操作，及 其中，所述監(jiān)測所述存儲位置的擦除狀態(tài)包括當所述其他存儲位置被確定為寫滿時，確定所述存儲位置被可靠擦除。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，使用溫度計碼執(zhí)行對所述存儲位置的擦除狀態(tài)的監(jiān)測。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，使用計數(shù)器執(zhí)行對所述存儲位置的擦除狀態(tài)的監(jiān)測。
全文摘要
使用多個部分擦除操作執(zhí)行對存儲于非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的擦除。每一部分擦除操作具有短于可靠擦除存儲于存儲位置的數(shù)據(jù)所需的擦除操作的最小時長的時長。然而，所述多個部分擦除操作的時長的總和足以可靠擦除存儲于存儲位置的數(shù)據(jù)。在一范例中，在部分擦除操作期間，施加電壓于所述記憶存儲晶體管以移除存儲于晶體管的電荷存儲層上的一些但不一定所有的電荷。在多個部分擦除操作之后，足夠的電荷從所述電荷存儲層移除以確?？煽坎脸龜?shù)據(jù)。
文檔編號G11C16/14GK102890966SQ20121006042
公開日2013年1月23日 申請日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月8日
發(fā)明者戈登·亞歷山大·查爾斯, 馬克西姆·莫伊謝耶夫, 喬納森·西蒙 申請人:塵埃網(wǎng)絡(luò)股份有限公司