專利名稱：可變電阻器件、包括可變電阻器件的半導體器件及操作方法
技術領域：
本公開涉及半導體器件，更具體地，涉及可變電阻器件、包括可變電阻器件的半導體器件以及操作半導體器件的方法。
背景技術：
隨著對具有高存儲容量和較少功耗的存儲器件的需求的增加，已經進行了對不僅是非易失性的而且不需要刷新的下一代存儲器件的研究。這樣的下一代存儲器件需要具有動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的高集成特性、閃存的非易失性特性、靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的高速操作特性等。最近，諸如相變RAM(PRAM)、納米浮柵存儲器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁性RAM(MRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、和電阻性RAM(RRAM)的下一代存儲器件備受關注。上述下一代存儲器件當中，RRAM基于這樣的現(xiàn)象當將足夠高的電流施加到非導體材料時，產生電流在其中流動的路徑從而降低電阻。該情況下，一旦產生路徑，可以通過將合適的電壓施加到非導體材料來消除或重新產生該路徑。

發(fā)明內容
提供一種可變電阻器件、半導體器件、以及操作該半導體器件的方法，改善可變電阻器件的電流的散布以使得包括該可變電阻器件的半導體器件的可靠性提高。另外的方面部分地將在接下來的描述中闡明，并且部分地從描述中變得清楚，或可以通過提供的實施例的實踐習得。根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種操作具有可變電阻器件的半導體器件的方法包括向可變電阻器件施加第一電壓使得可變電阻器件的電阻值從第一電阻值改變?yōu)椴煌诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?；感測流過施加了第一電壓的可變電阻器件的第一電流；確定第一電流是否屬于第一電流范圍；以及如果第一電流不屬于第一電流范圍，則將等于第一電壓的附加第一電壓施加到可變電阻器件。第一電阻值可以是置位電阻值，第二電阻值可以是重置電阻值，并且第二電阻值可以大于第一電阻值。感測第一電流可以包括通過施加量值低于第一電壓的讀取電壓來感測流過可變電阻器件的第一電流。在施加第一電壓期間，可以施加第一電壓大約1 μ s到大約Ins。所述附加第一電壓可以具有與第一電壓相同的脈沖寬度?？梢杂眠@樣的方式預設第一電流范圍以使得，在可變電阻器件具有第一電阻值時流過可變電阻器件的‘導通’電流與可變電阻器件具有第二電阻值時流過可變電阻器件的‘截止’電流之間確保預定的感測裕度?？梢杂眠@樣的方式預設第一電流范圍以使得，在可變電阻器件具有第二電阻值時流過可變電阻器件的第一 ‘截止’電流與可變電阻器件具有大于第二電阻值的第三電阻值時流過可變電阻器件的第二 ‘截止’電流之間確保預定的感測裕度。所述方法還可以包括對于施加了附加第一電壓的可變電阻器件重復地執(zhí)行感測第一電流以及確定第一電流是否屬于第一電流范圍。可以重復地執(zhí)行以下操作直到第一電流屬于第一電流范圍為止向可變電阻器件施加附加第一電壓、感測第一電流、以及確定第一電流是否屬于第一電流范圍。在確定第一電流是否屬于第一電流范圍之前，所述方法還可以包括確定第一電流是否屬于第二電流范圍，第二電流范圍是與第二電阻值對應的數(shù)據(jù)的電流的范圍。第一電流范圍包括在第二電流范圍中。如果第一電流大于第二電流范圍中的最大值，則所述方法還可以包括改變第一電壓?？梢詫勺冸娮杵骷貜偷貓?zhí)行施加改變的第一電壓以及感測第一電流。如果第一電流小于第二電流范圍中的最小值，則所述方法還可以包括向可變電阻器件施加第二電壓以使得可變電阻器件的電阻值從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚?。可以對施加了第二電壓的可變電阻器件重復地?zhí)行施加第一電壓以及感測第一電流。確定第一電流是否屬于第一電流范圍可以包括以下中的至少一個確定第一電流是否小于第一電流范圍中的最大值，以及確定第一電流是否大于第一電流范圍中的最小值。確定第一電流是否屬于第一電流范圍可以包括可變電阻器件具有第一電阻值時流過可變電阻器件的‘導通’電流與第一電流之間的差異大于預定級別。所述方法還可以包括向可變電阻器件施加第二電壓以使得可變電阻器件的電阻值從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚?；以及感測流過施加了第二電壓的可變電阻器件的第二電流。感測第二電流可以包括通過施加量值小于第一電壓和第二電壓的讀取電壓來感測流過施加了第二電壓的可變電阻器件的第二電流。施加第二電壓大約1 μ s到大約Ins?？梢栽趫?zhí)行感測第二電壓之后執(zhí)行向可變電阻器件施加第一電壓。所述方法還可以包括確定第二電流是否屬于第三電流范圍；以及如果第二電流不屬于第三電流范圍，則向可變電阻器件施加等于第二電壓的附加第二電壓。如果第二電流屬于第三電流范圍，則所述方法還可以包括向可變電阻器件施加第
一電壓?？梢詫τ谑┘恿烁郊拥诙妷旱目勺冸娮杵骷貜偷貓?zhí)行感測第二電流以及確定第二電流是否屬于第三電流范圍。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種可變電阻器件包括第一電極和第二電極；以及可變電阻材料層置于第一電極與第二電極之間，該可變電阻材料層的電阻值當在第一電極和第二電極之間施加第一電壓時從第一電阻值改變?yōu)榇笥诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?，并且當在第一電極和第二電極之間施加第二電壓時從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚?。如果可變電阻材料層具有第二電阻值，則將第一電壓重復地施加到可變電阻材料層直到流過該可變電阻材料層的電流屬于第一電流范圍。
可變電阻材料層的電阻值當大于第一電壓的第三電壓被施加到可變電阻材料層時可以從第二電阻值改變?yōu)榇笥诘诙娮柚档牡谌娮柚?。如果可變電阻材料層具有第三電阻值，則可以將第三電壓重復地施加到可變電阻材料層直到流過該可變電阻材料層的電流屬于第二電流范圍。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種半導體器件包括可變電阻器件，其電阻值當?shù)谝浑妷罕皇┘拥娇勺冸娮杵骷r從第一電阻值改變?yōu)榇笥诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?，并且當?shù)诙妷罕皇┘拥娇勺冸娮杵骷r從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚担灰约斑x擇器件，串聯(lián)連接到可變電阻器件。如果可變電阻材料層具有第二電阻值，則將第一電壓重復地施加到可變電阻器件直到流過該可變電阻器件的電流屬于第一電流范圍?？勺冸娮杵骷碾娮柚诞敻哂诘谝浑妷旱牡谌妷罕皇┘拥娇勺冸娮杵骷r可以從第二電阻值改變?yōu)榇笥诘诙娮柚档牡谌娮柚怠Ｈ绻勺冸娮杵骷哂械谌娮柚?，則可以將第三電壓重復地施加到可變電阻器件直到流過該可變電阻器件的電流屬于第二電流范圍。


通過下面結合附圖進行的對示例實施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面將會變得清楚和更加容易理解，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的可變電阻器件的示意性截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的可變電阻器件的示意性截面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的可變電阻器件被包括在單比特存儲器件中時可變電阻器件的電阻值的分布的曲線圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的可變電阻器件被包括在多比特存儲器件中時可變電阻器件的電阻值的分布的曲線圖；圖5是示出施加到圖1的可變電阻器件10的操作電壓的示例的曲線圖；圖6是示出向其施加圖5的操作電壓時流過圖1的可變電阻器件的電流的量的變化的曲線圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖；圖8是示出根據(jù)圖7的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的示出流過可變電阻器件的電流以便解釋圖7的方法中包括的操作140的曲線圖；圖10是示出當根據(jù)圖9的曲線圖確定重置電流的量是否屬于預定電流范圍時數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量的曲線圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示出流過可變電阻器件的電流以便解釋圖7的方法中包括的操作140的曲線圖；圖12是示出當根據(jù)圖11的曲線圖確定重置電流的量是否屬于預定電流范圍時數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量的曲線圖；圖13是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖14是示出根據(jù)圖13的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖；圖16是示出根據(jù)圖15的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖；圖17是示出根據(jù)圖15的方法向半導體器件施加的操作電壓的另一示例的曲線圖；圖18是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖；圖19是示出根據(jù)圖18的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖；圖20是示出當根據(jù)常規(guī)方法操作半導體器件時流過包括在半導體器件中的可變電阻器件的電流的量的分布的曲線圖；圖21是示出當根據(jù)本發(fā)明的實施例操作半導體器件時流過包括在半導體器件中的可變電阻器件的電流的量的分布的曲線圖；圖22是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的包括可變電阻器件的半導體器件的電路圖；圖23是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括可變電阻器件的半導體器件的電路圖；圖M是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖23的半導體器件的截面圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件的示意性框圖；圖沈是根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲卡的示意性框圖；以及圖27是根據(jù)本發(fā)明實施例的電子控制系統(tǒng)的示意性框圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細參照其示例在附圖中示出的實施例，其中相似的引用數(shù)字始終指示相似的元件。為此，實施例可以具有不同的形式并且不應當被解讀為限于這里闡述的描述。因此，通過參照附圖僅如下闡述實施例以解釋本說明的各方面。附圖中，為了清楚可以夸大每個構成元件的尺寸。本發(fā)明的以下實施例中使用的術語可以被理解為本發(fā)明所屬的技術領域中一般公知的。如這里使用的，‘至少一個’意指一個或多個并且從而可以包括單獨的組件及其混
合/組合。圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的可變電阻器件10的示意性截面圖。參照圖1，可變電阻器件10可以包括下電極11、可變電阻材料層12、和上電極13?？勺冸娮璨牧蠈?2可以形成在下電極11與上電極13之間。本發(fā)明的另一實施例中，可變電阻器件10還可以在下電極11上、或者在可變電阻材料層12上包括緩沖層(未示出)。下電極11和上電極13可以由導電材料形成，例如，抗氧化金屬層或多晶硅層。 例如，抗氧化金屬層可以由從由銥(Ir)、鉬(Pt)、氧化銥(IrO)、氮化鈦(TiN)、氮化鈦鋁 (TiAlN)、鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)、和氧化釕(RuO)組成的組中選擇的至少一個形成?？梢栽谛纬删彌_層之后形成抗氧化金屬層。當前實施例中，下電極11和上電極13分別位于可變電阻材料層12上面和下面，但是本發(fā)明不限于此。本發(fā)明的另一實施例中，下電極11和上電極13可以分別位于可變電阻材料層12的左側和右側。
可變電阻材料層12可以包括基于鈣鈦礦的氧化物或過渡金屬氧化物?；阝}鈦礦的氧化物的示例包括 PiVxCEixMnOy La1^xCaxMnO3> SrZr03/SrTi03> CrTiO3> Pb (Zr, Ti) O3/ SVxCdxS等。過渡金屬氧化物的示例包括鎳、鈮、鈦、鋯、鉿、鈷、鐵、銅、錳、鋅、鉻等。可變電阻材料層12的電阻值可以根據(jù)施加到下電極11和上電極13的電壓之間的差而改變。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的可變電阻器件10'的示意性截面圖。參照圖2， 可變電阻器件10'可以包括下電極11、可變電阻材料層12'、和上電極13?？勺冸娮璨牧蠈?2'可以形成在下電極11于上電極13之間。當前實施例中，可變電阻材料層12'可以包括基薄膜1 和氧交換層12b。例如，基薄膜1 可以包括TaOx層，而氧交換層12b可以包括Tii2O5層。根據(jù)當前實施例的可變電阻器件10'是圖1中示出的可變電阻器件10的修改示例，并且如上參照圖1所述的實施例也可以應用于當前實施例。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的可變電阻器件被包括在單比特存儲器件中時可變電阻器件的電阻值的分布的曲線圖。圖3中，X軸表示包括可變電阻器件的單比特存儲器件的電阻值，而Y軸表示單比特存儲單元(cell)的總數(shù)。圖1的可變電阻器件10或圖 2的可變電阻器件10'可以用于諸如單比特非易失性存儲器件的半導體器件中，其根據(jù)可變電阻材料層12或可變電阻材料層12'的電阻狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)‘0’或‘1’。當前實施例中，數(shù)據(jù)‘0’和數(shù)據(jù)‘1’可以表示高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)。向可變電阻器件寫入數(shù)據(jù)‘1’可被稱為置位(set)操作，而向可變電阻器件寫入數(shù)據(jù)‘0’可被稱為重置(reset)操作。然而，本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，數(shù)據(jù)‘1’和數(shù)據(jù)‘0’可以對應于高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)。單比特非易失性存儲器件當被寫入數(shù)據(jù)‘1’時可以‘導通(on)’，而且當被寫入數(shù)據(jù)‘0’時可以‘截止(off)’。該情況下，為了提高單比特非易失性存儲器件的可靠性， 應當在單比特非易失性存儲器件的‘導通’狀態(tài)與‘截止’狀態(tài)之間確保充分的感測裕度 (sensing margin)SM0圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的可變電阻器件被包括在多比特存儲器件中時可變電阻器件的電阻值的分布的曲線圖。圖4中，X軸表示包括可變電阻器件的多比特存儲器件的電阻值，并且Y軸表示多比特存儲單元的總數(shù)。圖1的可變電阻器件10或圖2 的可變電阻器件10'可以用于諸如多比特非易失性存儲器件的半導體器件，其根據(jù)可變電阻材料層12或可變電阻材料層12'的電阻狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)‘00，、‘01，、‘10，、或‘11，。當前實施例中，數(shù)據(jù)‘11’可以表示可變電阻材料層12或可變電阻材料層12'的低電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’可以表示可變電阻材料層12或可變電阻材料層 12'的高電阻狀態(tài)。向可變電阻器件寫入數(shù)據(jù)‘11’可被稱為置位操作，而向可變電阻器件寫入數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’可被稱為重置操作。然而，本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)本發(fā)明的另一該實施例，數(shù)據(jù)‘11’可以對應于高電阻狀態(tài)，而數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’可以對應于低電阻狀態(tài)。多比特非易失性存儲器件當被寫入數(shù)據(jù)‘11’時可以導通’，而且當被寫入數(shù)據(jù) ‘01’、‘10’、或‘00’時可以‘截止’。該情況下，為了提高多比特非易失性存儲器件的可靠性，應當在多比特非易失性存儲器件的‘導通’狀態(tài)與‘截止’狀態(tài)之間確保充分的感測裕度SM1。此外，三種類型的數(shù)據(jù)可以對應于多比特非易失性存儲器件的‘截止’狀態(tài)，因此， 應當在對應于‘截止’狀態(tài)的三種數(shù)據(jù)之間確保充分的感測裕度SM2和感測裕度SM3。
圖1的可變電阻器件10或圖2的可變電阻器件10'可以用于諸如3比特非易失性存儲器件的半導體器件，其根據(jù)可變電阻材料層12或可變電阻材料層12'的電阻狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù) ‘000，、‘001，、‘010，、‘011，、‘100，、‘101，、‘110，、或 ‘111，。此外，根據(jù)可變電阻材料層12或可變電阻材料層12'的電阻狀態(tài)，圖1的可變電阻器件10或圖2的可變電阻器件10'可以用作諸如四比特或更多比特非易失性存儲器件的半導體器件。圖5是示出施加到圖1的可變電阻器件10的操作電壓的示例的曲線圖。圖5中， X軸表示時間(秒)，而Y軸表示施加到可變電阻器件10的電壓(V)。施加到可變電阻器件10的電壓(V)表示施加到可變電阻器件10的下電極11和上電極13的電壓之間的差， 更具體地，其表示通過從施加到下電極11的電壓減去施加到上電極13的電壓而獲得的值。首先，可以將置位電壓Vset施加到可變電阻器件10，并且可以將讀取電壓Vkead施加到可變電阻器件10以感測流過可變電阻器件10的電流?？梢詫⑵渲袑⒅梦浑妷篤set和讀取電壓Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10的循環(huán)(cycle)稱為置位循環(huán)。當向其施加置位電壓Vset時，可變電阻器件10可以從高電阻狀態(tài)切換為低電阻狀態(tài)。該情況下，電流可以流過可變電阻器件10。接下來，可以將重置電壓Vkeset施加到可變電阻器件10，并且可以將讀取電壓Vkead 施加到可變電阻器件10以感測流過可變電阻器件10的電流?？梢詫⑵渲袑⒅刂秒妷篤keset 和讀取電壓Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10的循環(huán)稱為重置循環(huán)。當向其施加重置電壓Vkeset時，可變電阻器件10可以從低電阻狀態(tài)切換為高電阻狀態(tài)。該情況下，幾乎沒有電流可以流過可變電阻器件10。這里，重置電壓Vkeset和置位電壓Vset的極性可以彼此相反。如果可變電阻器件10 具有極性彼此相反的重置電壓Vkeset和置位電壓Vset，則可變電阻器件10被稱為‘雙極可變電阻器件’。圖5的曲線圖中，施加到可變電阻器件10的置位電壓Vset和重置電壓Vkeset分別具有負值和正值。然而，本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)形成可變電阻器件10的可變電阻材料層12的材料的類型，置位電壓Vset可以具有正值而重置電壓Vkeset可以具有負值。置位電壓Vset和重置電壓Vkeset中的每一個可以被施加到可變電阻10大約1 μ s到大約1ns，并且可以具有各種脈沖形狀(例如，矩形、鋸齒形、或梯形)中的一種。雖然未示出，但是如果可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件，則可以將彼此不同的第一重置電壓到第三重置電壓施加到可變電阻器件10，以使得將與多比特非易失性存儲器件的‘截止’狀態(tài)對應的不同類型的數(shù)據(jù)分別寫入到該多比特非易失性存儲器件。例如，用于向可變電阻器件10寫入數(shù)據(jù)‘00’的第三重置電壓可以高于用于向可變電阻器件10寫入數(shù)據(jù)‘10’的第二重置電壓，并且第二重置電壓可以高于用于向可變電阻器件10寫入數(shù)據(jù)‘01，的第一重置電壓。圖6是示出向其施加圖5的操作電壓時流過圖1的可變電阻器件10的電流的量的變化的曲線圖。圖6中，X軸表示執(zhí)行置位循環(huán)或者重置循環(huán)的次數(shù)，并且Y軸表示電流 (A)的量。在置位循環(huán)之后流過可變電阻器件10的電流，S卩，當置位電壓Vset和讀取電壓 Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10時感測的電流，被稱為置位電流ISET。而且，在重置循環(huán)之后流過可變電阻器件10的電流，即，當重置電壓Vkeset和讀取電壓Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10時感測的電流，被稱為重置電流IKESET。圖6中，置位電流Iset保持在大約1. 00E-5A的恒定電流電平。即，不管置位循環(huán)執(zhí)行的次數(shù)怎樣置位電流Iset都保持在恒定電流電平。然而，重置電流Ikeset具有相對較大的散布并且保持在大約1. 00E-9到大約1. 00E-7的電流電平。該情況下，不管重置循環(huán)執(zhí)行的次數(shù)怎樣重置電流Ikeset都表現(xiàn)出非線性的分布。如上所述，在可變電阻器件10中，置位電流Iset具有相對較小的散布，并且重置電流Ikeset具有相對較大的散布。從而，當不能充分保證可變電阻器件10的‘導通’狀態(tài)與‘截止’狀態(tài)之間的感測裕度時，可變電阻器件10很難被用作存儲器件。特別地，當可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件時，與可變電阻器件10的‘截止’狀態(tài)對應的多個數(shù)據(jù)片應當彼此區(qū)別。該情況下，當不能充分地保證多個數(shù)據(jù)片之間的感測裕度時，多比特非易失性存儲器件10的可靠性大大降低。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖。圖8是示出根據(jù)圖7的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖。參照圖7和圖8，在根據(jù)當前實施例的方法中，可以操作包括圖1的可變電阻器件 10的半導體器件?，F(xiàn)在將描述根據(jù)當前實施例的方法，例如，針對圖1的可變電阻器件10。 在當前實施例中，假定可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件。圖8中，X軸表示時間(秒)，并且Y軸表示施加到半導體器件的操作電壓(V)。在操作110中，向可變電阻器件10施加置位電壓VSET。置位電壓Vset可以對應于圖8中示出的置位電壓VSET。圖8中示出的置位電壓Vset可以是負電壓，例如，大約-3. 0V。在操作120中，向可變電阻器件10施加重置電壓VKESET。重置電壓Vkeset可以對應于圖8中示出的重置電壓VKESET。圖8中示出的重置電壓Vkeset可以是正電壓并且可以比讀取電壓Vkead高。當可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件時，可以施加第一重置電壓到第三重置電壓以分別寫入與‘截止’狀態(tài)對應的不同的數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’。例如，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘01’的第一重置電壓可以是大約3. 2V，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘10’的第二重置電壓可以是大約3. 3V，并且用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘00’的第三重置電壓可以是大約3. 4V。在操作130中，感測流過施加了重置電壓Vkeset的可變電阻器件10的重置電流 IKESET。具體地，可以將讀取電壓Vkead施加到施加了重置電壓Vkeset的可變電阻器件10，然后可以感測流過可變電阻器件10的重置電流IKESET。讀取電壓Vkead可以對應于圖8的讀取電壓VKEAD。圖8中示出的讀取電壓Vkead可以是正電壓，例如，大約0.5V。在操作140中，確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第一電流范圍I。可以對第一電流范圍I1進行預設以改善流過可變電阻器件10的重置電流IKESET(即，‘截止’電流)的散布。詳細地，可以預設第一電流范圍I1以在可變電阻器件10的‘導通’電流與1止’電流之間確保充分的感測裕度。稍后將參照圖9詳細描述操作140。當在操作140中確定感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1時，該方法結束。 當感測的重置電流Ikeset不屬于第一電流范圍I1時執(zhí)行操作120。如果感測的重置電流Ikeset 不屬于第一電流范圍I1，則可以執(zhí)行操作120以向可變電阻器件10附加地施加重置電壓 Veeset。附加地施加的重置電壓Vkeset可以對應于圖8中示出的重置電壓Vkeset。從而，附加地施加的重置電壓Vkeset可以等于重置電壓Vkeset并且具有與其相同的脈沖寬度。圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的示出流過可變電阻器件10的電流以便解釋圖7的方法中包括的操作140的曲線圖。圖9中，X軸表示置位循環(huán)或者重置循環(huán)執(zhí)行的次數(shù)，并且 Y軸表示電流的量(A)。在置位循環(huán)之后流過可變電阻器件10的電流，即，當置位電壓Vset 和讀取電壓Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10時感測的電流，被稱為置位電流ISET。而且， 在重置循環(huán)之后流過可變電阻器件10的電流，即，當重置電壓Vkeset和讀取電壓Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10時感測的電流，被稱為重置電流IKESET。例如，電壓Vset可以是大約-5V并且可以施加大約1 μ s，并且重置電壓Vkeset是大約7V并且可以施加大約1 μ S。當前實施例中，當確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第一電流范圍I1時，在操作 140中，可以確定感測的重置電流Ikeset是否小于或等于第一電流范圍I1中的最大值I1 _。 例如，第一電流范圍I1中的最大值I1 _可以是大約5Ε-8Α。如果感測的重置電流Ikeset小于或等于最大值I1 _，則確定感測的重置電流Ikeset 屬于第一電流范圍Ip圖9中，使用‘□’指示感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1 的情況。如果感測的重置電流Ikeset大于最大值Iljiax，則可以確定感測的重置電流Ikeset不屬于第一電流范圍Ii。圖9中，使用‘·’指示感測的重置電流Ikeset不屬于第一電流范圍 I1的情況。根據(jù)當前實施例，當確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第一電流范圍I1時，在操作140中，可以確定感測的重置電流Ikeset是否等于或大于第一電流范圍I1中的最小值I1 min。例如，第一電流范圍I1中的最小值Iljlin可以是大約8E-9A。如果感測的重置電流Ikeset等于或大于最小值I1 min，則可以確定感測的重置電流 Ikeset屬于第一電流范圍Ii。圖9中，使用‘□’指示感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1的情況。如果感測的重置電流Ikeset小于最小值Iljlin，則可以確定感測的重置電流Ikeset 不屬于第一電流范圍Ip圖10是示出當根據(jù)圖9的曲線圖確定重置電流的量是否屬于預定電流范圍時數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量的曲線圖。圖10中，X軸以對數(shù)標度表示流過可變電阻器件的電流的量(A)，并且Y軸表示與電流的量對應的數(shù)據(jù)片的總數(shù)。圖10的曲線圖中，陰影區(qū)域表示根據(jù)常規(guī)方法的、數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量，而虛線區(qū)域表示根據(jù)本發(fā)明實施例的、數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量。當前實施例中，當施加置位電壓Vset時，不對置位電壓Vset是否屬于預定電流范圍進行確定，因而數(shù)據(jù)的散布與常規(guī)方法中的沒有很大不同。當前實施例中，當施加重置電壓 Vkeset時，確定重置電壓Vkeset是否屬于預定電流范圍，并且當確定重置電壓Vkeset不屬于預定電流范圍時附加地施加重置電壓VKESET。該情況下，根據(jù)當前實施例的數(shù)據(jù)的散布比常規(guī)方法中的好。圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示出流過圖1的可變電阻器件10的電流以便解釋圖7的方法中包括的操作140的曲線圖。圖11中，X軸表示置位循環(huán)或者重置循環(huán)執(zhí)行的次數(shù)，并且Y軸表示電流的量(A)。在置位循環(huán)之后流過可變電阻器件10的電流，S卩，當置位電壓Vset和讀取電壓Vkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10時感測的電流，被稱為置位電流ISET。而且，在重置循環(huán)之后流過可變電阻器件10的電流，即，當重置電壓Vkeset和讀取電 SVkead連續(xù)地施加到可變電阻器件10時感測的電流，被稱為重置電流IKESET。例如，置位電壓Vset可以是大約-5V并且可以施加大約1 μ s,并且重置電壓Vkeset可以是大約7V并且可以施加大約1 μ S。
當前實施例中，當確定重置電流Ikeset是否屬于第一電流范圍I1時，在操作140中， 可以確定可變電阻器件10處于‘導通’時流過可變電阻器件10的‘導通’電流與感測的重置電流Ikeset之間的差異(即，感測裕度)是否等于或大于預定級別。例如，預定級別可以是大約1000倍。如果流過可變電阻器件10的‘導通’電流與感測的重置電流Ikeset之間的差異等于或大于預定級別，則確定感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I。圖11中，使用‘□’ 指示感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1的情況。如果流過可變電阻器件10的‘導通’電流與感測的重置電流Ikeset之間的差異小于預定級別，則確定感測的重置電流Ikeset不屬于第一電流范圍I。圖11中，使用‘·’指示感測的重置電流Ikeset不屬于第一電流范圍 I1的情況。圖12是示出當根據(jù)圖11的曲線圖確定重置電流的量是否屬于預定電流范圍時數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量的曲線圖。圖12中，X軸以對數(shù)標度表示流過可變電阻器件10的電流的量(A)，并且Y軸表示與電流的量對應的數(shù)據(jù)片的總數(shù)。圖12的曲線圖中，陰影區(qū)域表示根據(jù)常規(guī)方法的、數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量， 而虛線區(qū)域表示根據(jù)本發(fā)明實施例的、數(shù)據(jù)的散布相對流過可變電阻器件的電流的量。當前實施例中，當施加置位電壓Vset時，不對置位電壓Vset是否屬于預定電流范圍進行確定，因而數(shù)據(jù)的散布與常規(guī)方法中的沒有很大不同。當前實施例中，當施加重置電壓 Vkeset時，確定重置電壓Vkeset是否屬于預定電流范圍，并且當確定重置電壓Vkeset不屬于預定電流范圍時附加地施加重置電壓VKESET。該情況下，根據(jù)當前實施例的數(shù)據(jù)的散布比常規(guī)方法中的好。因此，應當在置位電流Iset(即，‘導通’電流)與重置電流Ikeset(即，‘截止’電流)之間確保充分的感測裕度。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖。圖14是示出根據(jù)圖13的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖。參照圖13和圖14，在根據(jù)當前實施例的方法中，可以操作包括圖1的可變電阻器件10的半導體器件。例如，可以針對圖1的可變電阻器件10來描述根據(jù)當前實施例的方法。當前實施例中，假定可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件。圖14中，X軸表示時間(秒)，并且Y軸表示施加到半導體器件的操作電壓(V)。在操作210中，向可變電阻器件10施加置位電壓VSET。置位電壓Vset可以對應于圖 10中示出的置位電壓VSET。圖14中示出的置位電壓Vset可以是負電壓，例如，大約-3. 0V。在操作220中，感測流過施加了置位電壓Vset的可變電阻器件10的重置電流IKESET。 具體地，可以將讀取電壓％_施加到施加了置位電壓Vset的可變電阻器件10，然后可以感測流過可變電阻器件10的置位電流ISET。讀取電壓Vkead可以對應于圖14的讀取電壓VKEAD。 圖14中示出的讀取電壓Vkead可以是正電壓，例如，大約0. 5V。在操作230中，確定感測的置位電流Iset是否屬于第一電流范圍Ip可以對第一電流范圍I1進行預設以改善流過可變電阻器件10的置位電流ISET( S卩，‘導通’電流)的散布。詳細地，可以預設第一電流范圍I1以在可變電阻器件10的‘導通’電流與1止’電流之間確保充分的感測裕度。如果在操作230中確定感測的置位電流Iset屬于第一電流范圍I1，則執(zhí)行操作 2400如果在操作230中確定感測的置位電流Iset不屬于第一電流范圍I1，則執(zhí)行操作210。如果感測的置位電流Iset不屬于第一電流范圍I1，則可以執(zhí)行操作210以向可變電阻器件 10附加地施加置位電壓VSET。附加地施加的置位電壓Vset可以對應于圖14中示出的置位電壓VSET。從而，附加地施加的置位電壓Vset可以等于置位電壓Vset并且具有與其相同的脈沖寬度。在操作240中，向可變電阻器件10施加重置電壓VKESET。重置電壓Vkeset可以對應于圖14中示出的重置電壓VKESET。圖14中示出的重置電壓Vkeset可以是正電壓并且可以比讀取電壓Vkead高。當可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件時，可以施加第一重置電壓到第三重置電壓以分別寫入與‘截止’狀態(tài)對應的不同的數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’。例如，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘01’的第一重置電壓可以是大約3. 2V，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘10’的第二重置電壓可以是大約3. 3V，并且用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘00’的第三重置電壓可以是大約3. 4V。在操作250中，感測流過施加了重置電流Vkeset的可變電阻器件10的重置電流 IKESET。具體地，可以將讀取電壓Vkead施加到施加了重置電壓Vkeset的可變電阻器件10，然后可以感測流過可變電阻器件10的重置電流IKESET。讀取電壓Vkead可以對應于圖14的讀取電壓VKEAD。圖14中示出的讀取電壓Vkead可以是正電壓，例如，大約0.5V。在操作260中，確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第二電流范圍12?？梢詫Φ诙娏鞣秶鶬2進行預設以改善流過可變電阻器件10的重置電流Ikeset(即，1止’電流)的散布。詳細地，可以預設第二電流范圍I2以在可變電阻器件10的‘導通’電流與1止’電流之間確保充分的感測裕度。在操作260中，可以執(zhí)行如上參照圖9到圖12所述的實施例。當在操作260中確定感測的重置電流Ikeset屬于第二電流范圍I2時該方法結束。當感測的重置電流Ikeset不屬于第二電流范圍I2時執(zhí)行操作對0。如果感測的重置電流Ikeset 不屬于第二電流范圍I2，則可以執(zhí)行操作MO以向可變電阻器件10附加地施加重置電壓 Veeseto附加地施加的重置電壓Vkeset可以對應于圖14中示出的重置電壓Vkeset。從而，附加地施加的重置電壓Vkeset可以等于重置電壓Vkeset并且具有與其相同的脈沖寬度。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖。圖16是示出根據(jù)圖15的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖。 圖17是示出根據(jù)圖15的方法向半導體器件施加的操作電壓的另一示例的曲線圖。參照圖15到圖17，在根據(jù)當前實施例的方法中，可以操作包括圖1的可變電阻器件10的半導體器件。例如，可以針對圖1的可變電阻器件10來描述根據(jù)當前實施例的方法。在當前實施例中，假定可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件。在圖16和圖 17中，X軸表示時間(秒)，并且Y軸表示施加到半導體器件的操作電壓(V)。在操作310中，向可變電阻器件10施加置位電壓VSET。置位電壓Vset可以對應于圖16和圖17中示出的置位電壓VSET。圖16中示出的置位電壓Vset可以是負電壓，例如，大約-3. OV0在操作320中，向可變電阻器件10施加重置電壓VKESET。重置電壓Vkeset可以對應于圖16和圖17中示出的重置電壓VKESET。圖16和圖17中示出的重置電壓Vkeset可以是正電壓并且可以比讀取電壓Vkead高。當可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件時，可以施加第一重置電壓到第三重置電壓以分別寫入與‘截止’狀態(tài)對應的不同的數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’。例如，用
于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘01’的第一重置電壓可以是大約3. 2V，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘10’的第二重置電壓可以是大約3. 3V，并且用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘00’的第三重置電壓可以是大約3. 4V。在操作330中，感測流過施加了重置電流Vkeset的可變電阻器件10的重置電流 IKESET。具體地，可以將讀取電壓Vkead施加到施加了重置電壓Vkeset的可變電阻器件10，然后可以感測流過可變電阻器件10的重置電流IKESET。讀取電壓Vkead可以對應于圖16和圖17 的讀取電壓VKEAD。圖16和圖17中示出的讀取電壓Vkead可以是正電壓，例如，大約0.5V。在操作340中，確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第一電流范圍I115這里，第一電流范圍I1可以是將要被寫入的數(shù)據(jù)的范圍。如果可變電阻器件10用于多比特存儲器件， 則第一電流范圍I1可以是當將要寫入的數(shù)據(jù)是‘01’時流過寫入數(shù)據(jù)‘01’的多比特存儲器件的電流的范圍，可以是當將要寫入的數(shù)據(jù)是‘10’時流過寫入數(shù)據(jù)‘10’的多比特存儲器件的電流的范圍，并且可以是當將要寫入的數(shù)據(jù)是‘00’時流過寫入數(shù)據(jù)‘00’的多比特存儲器件的電流的范圍。如果在操作340中確定感測的重置電流Ikeset大于第一電流范圍I1中的最大值I1 _，則執(zhí)行操作350。如果在操作340中確定感測的重置電流Ikeset小于第一電流范圍I1中的最小值Iljlin，則執(zhí)行操作360。如果在操作340中確定感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1，則執(zhí)行操作370。在操作350中，改變將要施加到可變電阻器件10的重置電壓VKESET。改變的重置電 SVkeset'可以對應于圖16中示出的重置電壓Vkese/。具體地，如果在操作；340中確定感測的重置電流Ikeset大于最大值Iljiax，則可以理解為，施加的重置電壓Vkeset不足以對將要向可變電阻器件10寫入的數(shù)據(jù)進行編程。該情況下，可以將改變?yōu)楦哂谥刂秒妷篤keset的改變的重置電壓Vkeset'施加到可變電阻器件10。在操作360中，向可變電阻器件10施加置位電壓VSET。置位電壓Vset可以對應于圖17中示出的置位電壓VSET。具體地，如果在操作340中確定感測的重置電流Ikeset小于最小值Iljlin，則可以將置位電壓Vset附加地施加到可變電阻器件10。置位電壓Vset可以對應于圖17中示出的置位電壓VSET。在操作370中，確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第二電流范圍12?？梢詫Φ诙娏鞣秶鶬2進行預設以改善流過可變電阻器件10的重置電流Ikeset(即，1止’電流)的散布。詳細地，可以預設第二電流范圍I2以在可變電阻器件10的‘導通’電流與1止’電流之間確保充分的感測裕度。在操作370中，可以執(zhí)行如上參照圖9到圖12所述的實施例。當在操作370中確定感測的重置電流Ikeset屬于第二電流范圍I2時該方法結束。當感測的重置電流Ikeset不屬于第二電流范圍I2時執(zhí)行操作320。如果感測的重置電流Ikeset 不屬于第二電流范圍I2，則可以執(zhí)行操作320以向可變電阻器件10附加地施加重置電壓 VKESET。附加地施加的重置電SVkekeset可以對應于圖16和圖17中示出的重置電壓VKESET。從而，附加地施加的重置電壓Vkeset可以等于重置電壓Vkeset并且具有與其相同的脈沖寬度。圖18是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法的流程圖。圖19是示出根據(jù)圖18的方法向半導體器件施加的操作電壓的示例的曲線圖。參照圖18和圖19，在根據(jù)當前實施例的方法中，可以操作包括圖1的可變電阻器件10的半導體器件。例如，現(xiàn)在將針對圖1的可變電阻器件10來描述根據(jù)當前實施例設計方法。當前實施例中，假定可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件。在圖19中， X軸表示時間(秒)，并且Y軸表示施加到半導體器件的操作電壓(V)。在操作410中，向可變電阻器件10施加置位電壓VSET。置位電壓Vset可以對應于圖 19中示出的置位電壓VSET。圖19中示出的置位電壓Vset可以是負電壓，例如，大約-3. 0V。 在操作420中，向可變電阻器件10施加重置電壓VKESET。重置電壓Vkeset可以對應于圖19中示出的重置電壓VKESET。圖19中示出的重置電壓Vkeset可以是正電壓并且可以比讀取電壓 ^eead 尚。如果可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件，則可以施加第一重置電壓到第三重置電壓以寫入與‘截止’狀態(tài)對應的不同的數(shù)據(jù)‘01’、‘10’、和‘00’。例如，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘01’的第一重置電壓可以是大約3. 2V，用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘10’的第二重置電壓可以是大約3. 3V，并且用于向多比特非易失性存儲器件寫入數(shù)據(jù)‘00’的第三重置電壓可以是大約3. 4V。在操作430中，感測流過施加了重置電壓Vkeset的可變電阻器件10的重置電流 IKESET。具體地，可以將讀取電壓Vkead施加到施加了重置電壓Vkeset的可變電阻器件10，然后可以感測流過可變電阻器件10的重置電流IKESET。讀取電壓Vkead可以對應于圖19的讀取電壓VKEAD。圖19中示出的讀取電壓Vkead可以是正電壓，例如，大約0.5V。在操作440中，確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第一電流范圍I115這里，第一電流范圍I1可以是將要寫入的數(shù)據(jù)的范圍。如果可變電阻器件10用于多比特存儲器件， 則第一電流范圍I1可以是當將要寫入的數(shù)據(jù)是‘01’時流過寫入數(shù)據(jù)‘01’的多比特存儲器件的電流的范圍，可以是當將要寫入的數(shù)據(jù)是‘10’時流過寫入數(shù)據(jù)‘10’的多比特存儲器件的電流的范圍，并且可以是當將要寫入的數(shù)據(jù)是‘00’時流過寫入數(shù)據(jù)‘00’的多比特存儲器件的電流的范圍。如果在操作440中確定感測的重置電流Ikeset大于第一電流范圍I1中的最大值I1 _，則執(zhí)行操作450。如果在操作440中確定感測的重置電流Ikeset小于第一電流范圍I1中的最小值Iljlin，則執(zhí)行操作410。如果在操作440中確定感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1，則執(zhí)行操作460。在操作450中，改變將要施加到可變電阻器件10的重置電壓VKESET。改變的重置電 SVkeset'可以對應于圖19中示出的重置電壓Vkeset'。具體地，如果在操作440中確定感測的重置電流Ikeset大于最大值Iljiax，則可以理解為，施加的重置電壓Vkeset不足以對將要向可變電阻器件10寫入的數(shù)據(jù)進行編程。該情況下，可以將改變?yōu)楦哂谥刂秒妷篤keset的改變的重置電壓Vkeset'施加到可變電阻器件10。具體地，如果在操作440中確定感測的重置電流Ikeset小于最小值I1 min，則可以將置位電壓Vset附加地施加到可變電阻器件10。置位電壓Vset可以對應于圖19中示出的置位電壓Vset。在操作460中，確定感測的重置電流Ikeset是否屬于第二電流范圍I2?？梢詫Φ诙娏鞣秶鶬2進行預設以改善流過可變電阻器件10的重置電流Ikeset(即，1止’電流)的散布。詳細地，可以預設第二電流范圍I2以在可變電阻器件10的‘導通’電流與1止’電流之間確保充分的感測裕度。在操作460中，可以執(zhí)行如上參照圖9到圖12所述的實施例。
當確定感測的重置電流Ikeset屬于第二電流范圍I2時該方法結束。當感測的重置電流Ikeset不屬于第二電流范圍I2時執(zhí)行操作420。如果感測的重置電流Ikeset不屬于第二電流范圍I2，則可以執(zhí)行操作420以向可變電阻器件10施加附加的重置電壓VKESET。附加的重置電壓Vkeset可以對應于圖19中示出的重置電壓Vkeset或者改變的重置電壓Vkeset'。具體地，如果在操作440中確定感測的重置電流Ikeset屬于第一電流范圍I1，則附加的重置電壓Vkeset可以對應于圖19中示出的重置電壓VKESET。從而，附加的重置電壓Vkeset可以等于重置電壓Vkeset并且具有與其相同的脈沖寬度。當由于感測的重置電流IkesetF屬于第一電流范圍I1而執(zhí)行操作450時，附加的重置電壓Vkeset可以對應于圖19中示出的改變的重置電 SVkeset'。從而，附加的重置電壓Vkeset可以等于改變的重置電壓Vkeset'并且具有與其相同的脈沖寬度。上面已經詳細地描述了當圖1的可變電阻器件10用于多比特非易失性存儲器件時、根據(jù)本發(fā)明各種實施例操作半導體存儲器件的方法。然而，當圖1的可變電阻器件10 用于單比特非易失性存儲器件時也可以執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明各種實施例來操作半導體存儲器件的方法。如果可變電阻器件10用于單比特非易失性存儲器件，則重置電壓Vkeset可以是， 例如，大約3. OV。圖20是示出當根據(jù)常規(guī)方法操作半導體器件時流過包括在半導體器件中的可變電阻器件的電流的量的分布的曲線圖。圖20中，X軸表示置位循環(huán)或者重設循環(huán)執(zhí)行的次數(shù)，并且Y軸表示電流的量的分布(A)。圖20中，置位電流Iset表示當置位電壓Vset施加到可變電阻器件時流過可變電阻器件的電流。例如，置位電壓Vset可以是大約-3. 0V,并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘11’。圖20中，使用‘□’指示第一重置電流Ikeseiu，其表示當向可變電阻器件施加第一重置電壓Vkeset」時流過可變電阻器件的電流。例如，第一重置電壓Vkeset i可以是大約3. 2V，并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘01’。圖20 中，使用‘〇’指示第二重置電流IKESET—2，其表示當向可變電阻器件施加第二重置電壓Vkeset 2 時流過可變電阻器件的電流。例如，第二重置電壓Vkeset 2可以是大約3. 3V，并且該情況下， 可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘10’。圖20中，使用‘Δ’指示第三重置電流Ikeset 3，其表示當向可變電阻器件施加第三重置電壓Vkeset 3時流過可變電阻器件的電流。例如，第三重置電壓Vkeset 3可以是大約3. 4V，并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘00’。參照圖20，置位電流Iset保持在恒定電平，但是第一重置電流Ikeset i，第二重置電流IKESET—2、和第三重置電流IKESET—3具有非常大的散布。因此，可能不能在第一重置電流Ikeseiu 與第二重置電流Ikeset 2之間確保充分的感測裕度，從而阻礙將數(shù)據(jù)‘01’或數(shù)據(jù)‘10’高效地寫入半導體器件。而且，可能不能在第二重置電流IKESET—2與第三重置電流IKESET—3之間確保充分的感測裕度，從而阻礙將數(shù)據(jù)‘10’或數(shù)據(jù)‘00’高效地寫入半導體器件。圖21是示出當根據(jù)本發(fā)明的實施例操作半導體器件時流過包括在半導體器件中的可變電阻器件的電流的量的分布的曲線圖。圖21中，X軸表示置位循環(huán)或者重設循環(huán)執(zhí)行的次數(shù)，并且Y軸表示電流的量的分布(A)。圖20中，置位電流Iset表示當置位電壓Vset 施加到可變電阻器件時流過可變電阻器件的電流。例如，置位電壓Vset可以是大約-3. 0V, 并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘11’。圖21中，使用‘□’指示第一重置電流 IkeseU，其表示當向可變電阻器件施加第一重置電壓VkesetJ時流過可變電阻器件的電流。 例如，第一重置電壓Vkeset i可以是大約3. 2V，并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘01’。使用‘〇’指示第二重置電流IKESET—2，其表示當向可變電阻器件施加第二重置電壓 VKESET—2時流過可變電阻器件的電流。例如，第二重置電壓Vkeset 2可以是大約3. 3V，并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘10’。使用‘Δ’指示第三重置電流Ikeset 3，其表示當向可變電阻器件施加第三重置電壓Vkeset 3時流過可變電阻器件的電流。例如，第三重置電壓 VKESET—3可以是大約3. 4V，并且該情況下，可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘00’。參照圖21，置位電流Iset保持在恒定電平，而第一重置電流Ikeset i、第二重置電流 IKESET—2、和第三重置電流IKESET—3與圖20中示出的常規(guī)方法相比散布降低。因此，可以在第一重置電流Ikeseiu與第二重置電流IKESET—2之間確保充分的感測裕度，從而允許將數(shù)據(jù)‘01’或數(shù)據(jù)‘ 10’高效地寫入半導體器件。而且，可以在第二重置電流Ikeset 2與第三重置電流Ikeset 3 之間確保充分的感測裕度，從而允許將數(shù)據(jù)‘10’或數(shù)據(jù)‘00’高效地寫入半導體器件。因此根據(jù)當前的實施例，可以改善可變電阻器件的‘截止’電流的散布，從而大大地提高包括可變電阻器件的半導體器件的可靠性。圖22是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的包括可變電阻器件R的半導體器件的電路圖。 圖22中，半導體器件可以是例如非易失性存儲器件，并且其單元元件MCl可以包括可變電阻器件R和二極管D?？勺冸娮杵骷可以基本上與圖1的可變電阻器件10相同?？勺冸娮杵骷的第一端連接到位線BL，并且其第二端連接到二極管D。二極管D可以雙向操作， 并且可以根據(jù)施加到字線WL的電壓選擇單元元件MCl。如果半導體器件是單比特非易失性存儲器件，則當重置電壓施加到可變電阻器件 R時，可變電阻器件R可以從低電阻狀態(tài)轉換到高電阻狀態(tài)，并且可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘0’，而當置位電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件R可以從高電阻狀態(tài)轉換到低電阻狀態(tài)，并且可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘1’。該情況下，當向半導體器件寫入數(shù)據(jù) ‘0’時，可以向可變電阻器件R重復地施加重置電壓直到流過可變電阻器件R的電流的量屬于預定電流范圍。如果半導體器件是多比特非易失性存儲器件，則當?shù)谝恢刂秒妷菏┘拥娇勺冸娮杵骷時，可變電阻器件R可以從低電阻狀態(tài)轉換到第一高電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘01’被寫入半導體器件，當高于第一重置電壓的第二重置電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件R可以轉換到第二高電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘10’被寫入半導體器件，當高于第二重置電壓的第三重置電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件R可以轉換到第三高電阻狀態(tài)， 并且數(shù)據(jù)‘00’被寫入半導體器件，而當置位電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件 R可以轉換到低電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘11’被寫入半導體器件。當向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘01’時，可以向可變電阻器件R重復地施加第一重置電壓直到流過施加了重置電壓的可變電阻器件R的電流的量屬于第一電流范圍。而且，當向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘10’時，可以向可變電阻器件R重復地施加第二重置電壓直到流過施加了第二重置電壓的可變電阻器件R的電流的量屬于第一電流范圍。而且，當向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘00’時，可以向可變電阻器件R重復地施加第三重置電壓直到流過施加了第三重置電壓的可變電阻器件R的電流的量屬于第一電流范圍。圖23是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括可變電阻器件的半導體器件的電路圖。參照圖23中，半導體器件可以是例如非易失性存儲器件，并且其單元元件MC2可以包括可變電阻器件R和存取晶體管T。可變電阻器件R可以基本上與圖1的可變電阻器件10相同?？勺冸娮杵骷的第一端連接到位線BL，并且其第二端連接到存取晶體管T。存取晶體管T包括連接到字線WL的柵極、連接到可變電阻器件R的第二端的漏極、以及連接到源線SL的源極。存取晶體管T可以根據(jù)施加到字線WL的電壓而導通或截止以選擇單元元件 MC2。如果半導體器件是單比特非易失性存儲器件，則當重置電壓施加到可變電阻器件 R時，可變電阻器件R可以從低電阻狀態(tài)轉換到高電阻狀態(tài)，并且可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘0’，而當置位電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件R可以從高電阻狀態(tài)轉換到低電阻狀態(tài)，并且可以向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘1’。該情況下，當向半導體器件寫入數(shù)據(jù) ‘0’時，可以向可變電阻器件R重復地施加重置電壓直到流過可變電阻器件R的電流的量屬于預定電流范圍。如果半導體器件是多比特非易失性存儲器件，則當?shù)谝恢刂秒妷菏┘拥娇勺冸娮杵骷時，可變電阻器件R可以從低電阻狀態(tài)轉換到第一高電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘01’被寫入半導體器件，當高于第一重置電壓的第二重置電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件R可以轉換到第二高電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘10’被寫入半導體器件，當高于第二重置電壓的第三重置電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件R可以轉換到第三高電阻狀態(tài)， 并且數(shù)據(jù)‘00’被寫入半導體器件，而當置位電壓施加到可變電阻器件R時，可變電阻器件 R可以轉換到低電阻狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)‘11’被寫入半導體器件。當向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘01’時，可以向可變電阻器件R重復地施加第一重置電壓直到施加第一重置電壓時流過可變電阻器件R的電流的量屬于第一電流范圍。而且，當向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘10’時，可以向可變電阻器件R重復地施加第二重置電壓直到流過施加了第二重置電壓的可變電阻器件R的電流的量屬于第一電流范圍。而且，當向半導體器件寫入數(shù)據(jù)‘00’時，可以向可變電阻器件R重復地施加第三重置電壓直到流過施加了第三重置電壓的可變電阻器件R的電流的量屬于第一電流范圍。圖M是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖23的半導體器件的截面圖。參照圖24，在半導體基底500的區(qū)域中形成隔離層505以使得限定有源區(qū)域。在有源區(qū)域中形成漏區(qū)510和源區(qū)515，使其彼此分開地布置。柵極絕緣層520布置在漏區(qū)510與源區(qū)515之間的有源區(qū)域上，而且柵電極525布置在柵極絕緣層520上。柵電極525可以延伸以充當字線或可以連接到字線(未示出)。柵電極525、漏區(qū)510、和源區(qū)515 —同形成存取晶體管T。第一層間絕緣層530形成在存取晶體管T上，并且第一接觸插塞CPl和第二接觸插塞CP2形成在第一層間絕緣層530上。源區(qū)515可以經由第一接觸插塞CPl連接到源線 SL,并且漏區(qū)510可以經由第二接觸插塞CP2連接到下電極M0。第二層間絕緣層560形成在第一層間絕緣層530上，并且下電極M0、可變電阻材料層M5、和上電極550可以在第二層間絕緣層560的一區(qū)域中依次形成。上電極550可以經由第三接觸插塞CP3連接到位線570。下電極M0、可變電阻材料層M5、和上電極550 一同形成可變電阻器件R?？勺冸娮杵骷對應于可變電阻器件10。上面已經詳細地描述了根據(jù)本發(fā)明的實施例的可變電阻器件被包括在單比特非易失性存儲器件中或多比特非易失性存儲器件中的情況。然而，根據(jù)本發(fā)明實施例的每個可變電阻器件可以包括在邏輯門中以便用于邏輯電路。該情況下，可以減少邏輯電路的尺寸并且可以提高存儲器件的集成度。具體地，根據(jù)本發(fā)明實施例的可變電阻器件可以應用于憶阻器(memristor)。從而，憶阻器可以按照與如上參照圖7到圖19所述的操作半導體器件的方法中的一個方法基本類似的方式操作。這里，“憶阻器”是指其中例如電流的方向和量被記憶并且電阻值根據(jù)記憶的電流的方向和量而變化的器件。圖25是根據(jù)本發(fā)明實施例的例如非易失性存儲器件100的包括可變電阻器件的半導體器件的示意性框圖，參照圖25，非易失性存儲器件100可以包括存儲單元陣列101、 行譯碼器102、列譯碼器103、讀出放大器104、緩沖器105、比較器106、寫電路108、和控制電路107。存儲單元陣列101包括多個單元元件，諸如圖22的單元元件MCl或圖23的單元元件MC2，其排列成矩陣。行譯碼器102以行為單位順序地激活存儲單元陣列101中包括的多個單元元件。列譯碼器103以列為單位順序地激活存儲單元陣列101中包括的多個單元元件。讀出放大器104放大從列譯碼器103輸出的電流值。緩沖器105存儲參考電流值。 比較器106將讀出放大器104放大的電流值與緩沖器105中存儲的參考電流值進行比較。 寫電路108向分別由行譯碼器102和列譯碼器103激活的單元元件施加置位/重置電壓。 控制電路107控制緩沖器105、比較器106、和寫電路108的操作。例如，當寫電路108向多個單元元件當中的一單元元件中包括的可變電阻器件施加重置電壓時(圖7的操作120)，行譯碼器102激活存儲單元陣列101的其中一行，而且列譯碼器103激活存儲單元陣列101的其中一列，以便感測重置電流(圖7的操作130)。于是，可以感測位于激活的行和列的交叉點處的處于‘截止’狀態(tài)的單元元件的電流值(重置電流)。列譯碼器103感測的電流值可以由讀出放大器104放大并接著提供給比較器106。接著，比較器106可以將感測的電流值與參考電流值進行比較以確定重置電流是否屬于第一電流范圍(圖7的操作140)。參考電流值是用于改善‘截止’電流的彌散 (dispersion)的預定電流值，而且可以存儲在緩沖器105中?？梢允褂弥T如晶體管的無源器件或參考器件(未示出)來存儲參考電流值。比較器106可以將感測的電流值(重置電流)與第一電流范圍進行比較，并向控制電路107提供比較的結果。例如，如果感測的電流值(重置電流)屬于第一電流范圍，則比較器106可以向控制電路107發(fā)送處于第一狀態(tài)的輸出信號。然而，如果感測的電流值 (重置電流)不屬于第一電流范圍，則比較器106可以向控制電路107發(fā)送處于第二狀態(tài)的
輸出信號?？刂齐娐?07操作以執(zhí)行如上所述根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的操作半導體器件的方法的任何一種。例如，如果控制電路107從比較器106接收處于第一狀態(tài)的輸出信號， 則確定重置操作被正常執(zhí)行，而且圖7的方法結束。然而，如果控制電路107從比較器106 接收處于第二狀態(tài)的輸出信號，則控制電路107可以控制例如寫電路108、讀出放大器104、 緩沖器105、和比較器106額外執(zhí)行圖7的操作120至140。于是，可以在例如圖1的可變電阻器件10(或圖2的可變電阻器件10')的‘導通’狀態(tài)與‘截止’狀態(tài)之間確保足夠的感測裕度?？刂齐娐?07可以在緩沖器105中存儲參考電流值。為了在半導體器件中確保高的感測裕度，控制電路107可以設置參考電流值以減少第一電流范圍，并在緩沖器105中存儲參考電流值。然而，為了在半導體器件中確保相對低的高感測裕度，控制電路107可以設置參考電流值以增加第一電流范圍，并在緩沖器105中存儲參考電流值。圖沈是根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲卡600的示意框圖。參照圖26，存儲卡600包括控制器610和存儲器單元620。可以將控制器610和存儲單元620布置為互相交換電信號。例如，如果控制器170向存儲單元620提供命令，則存儲單元620可以向控制器170發(fā)送數(shù)據(jù)。存儲單元620可以包括非易失性存儲器件，該非易失性存儲器件包括根據(jù)上面描述的一個實施例的可變電阻器件?？梢詫⒋鎯?00實現(xiàn)為各種類型的卡(存儲器件)，例如，記憶棒卡、智能媒體 (SM)卡、安全數(shù)碼(SD)卡、迷你SD卡、和多媒體卡(MMC)。圖27是根據(jù)本發(fā)明實施例的電子系統(tǒng)700的示意框圖。參照圖27，電子系統(tǒng)700 可以包括處理器710、存儲器單元720、輸入/輸出(I/O)設備730、和接口單元740。電子系統(tǒng)700可以是移動系統(tǒng)或者是能夠發(fā)送和接收信息的系統(tǒng)。移動系統(tǒng)可以是個人數(shù)字助理 (PDA)、便攜計算機、網(wǎng)絡平板電腦、無線電話機、移動電話機、數(shù)字音樂播放器、或存儲卡。處理器710可以運行程序并且控制電子系統(tǒng)700。處理器710可以是例如微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器等。I/O設備730可以用來向電子系統(tǒng)700輸入數(shù)據(jù)或者從電子系統(tǒng)輸出數(shù)據(jù)。電子系統(tǒng)700可以經由I/O設備730連接到諸如個人電腦(PC)或網(wǎng)絡的外部設備(未示出) 以便與外部設備交換數(shù)據(jù)。I/O設備730可以是例如鍵區(qū)、鍵盤、或顯示器。存儲單元720可以存儲用于操作處理器710的代碼和/或數(shù)據(jù)，和/或可以存儲由處理器710處理的數(shù)據(jù)。存儲單元720可以包括包含根據(jù)如上所述的一個實施例的可變電阻器件的非易失性存儲器件。接口單元740可以用作電子系統(tǒng)700與外部設備(未示出)交換數(shù)據(jù)的路徑。處理器710、存儲單元730、I/O設備730、和接口單元740可以經由總線750彼此通信。例如，可以在移動電話機、MP3播放器、導航設備、便攜多媒體播放器(PMP)、固態(tài)驅動器(SSD)、或家用電器中采用電子系統(tǒng)700。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個或多個上述實施例，如果重置電壓施加到包括在半導體器件中的可變電阻器件以使得向半導體器件寫入與‘截止’狀態(tài)對應的數(shù)據(jù)，則可以將重置電壓重復地施加到可變電阻器件直到流過施加了重置電壓的可變電阻器件的重置電流的量屬于預定電流范圍。因此，能夠大大改善可變電阻器件的‘截止’電流的散布，從而提高半導體器件的可靠性。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個上述實施例，將重置電壓施加到包括在半導體器件中的可變電阻器件，感測流過施加了重置電壓的可變電阻器件的重置電流，并且確定感測的重置電流是否屬于預定電流范圍，從而提高半導體器件的耐久度。而且，以簡單構造來制造用于驅動半導體器件的驅動電路，從而提高半導體器件的操作速度并且減少其功耗。應當理解，這里描述的示范性實施例應當被認為僅是描述性的，而非為了限制的目的。每個實施例中的特征或方面的描述應當?shù)湫偷乇徽J為可用于其他實施例中的其他相似特征或方面。
權利要求
1.一種操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法，該方法包括向可變電阻器件施加第一電壓以使得將可變電阻器件的電阻值從第一電阻值改變?yōu)椴煌诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?；感測流過施加了第一電壓的可變電阻器件的第一電流；確定第一電流是否屬于第一電流范圍；以及如果第一電流不屬于第一電流范圍，則向可變電阻器件施加等于第一電壓的附加第一電壓。
2.如權利要求1所述的方法，其中第一電阻值是置位電阻值，第二電阻值是重置電阻值，并且第二電阻值大于第一電阻值。
3.如權利要求1所述的方法，其中感測第一電流包括通過施加量值低于第一電壓的讀取電壓來感測流過可變電阻器件的第一電流。
4.如權利要求ι所述的方法，其中，在施加第一電壓期間，施加第一電壓大約lys到大約 Ins。
5.如權利要求1所述的方法，其中，所述附加第一電壓具有與第一電壓相同的脈沖寬度。
6.如權利要求2所述的方法，其中，用這樣的方式預設第一電流范圍以使得，在可變電阻器件具有第一電阻值時流過可變電阻器件的‘導通’電流與可變電阻器件具有第二電阻值時流過可變電阻器件的‘截止’電流之間確保預定的感測裕度。
7.如權利要求2所述的方法，其中，用這樣的方式預設第一電流范圍以使得，在可變電阻器件具有第二電阻值時流過可變電阻器件的第一 ‘截止’電流與可變電阻器件具有大于第二電阻值的第三電阻值時流過可變電阻器件的第二 ‘截止’電流之間確保預定的感測裕度。
8.如權利要求1所述的方法，進一步包括對于施加了附加第一電壓的可變電阻器件重復地執(zhí)行感測第一電流以及確定第一電流是否屬于第一電流范圍。
9.如權利要求8所述的方法，其中，重復地執(zhí)行以下操作直到第一電流屬于第一電流范圍為止向可變電阻器件施加附加第一電壓、感測第一電流、以及確定第一電流是否屬于第一電流范圍。
10.如權利要求1所述的方法，在確定第一電流是否屬于第一電流范圍之前，進一步包括確定第一電流是否屬于第二電流范圍，第二電流范圍是與第二電阻值對應的數(shù)據(jù)的電流的范圍。
11.如權利要求10所述的方法，其中，第一電流范圍包括在第二電流范圍中。
12.如權利要求10所述的方法，如果第一電流大于第二電流范圍中的最大值，則進一步包括改變第一電壓。
13.如權利要求12所述的方法，其中，對可變電阻器件重復地執(zhí)行施加改變的第一電壓以及感測第一電流。
14.如權利要求10所述的方法，如果第一電流小于第二電流范圍中的最小值，則進一步包括向可變電阻器件施加第二電壓以使得可變電阻器件的電阻值從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚怠?br> 15.如權利要求14所述的方法，其中，對施加了第二電壓的可變電阻器件重復地執(zhí)行施加第一電壓以及感測第一電流。
16.如權利要求1所述的方法，其中，確定第一電流是否屬于第一電流范圍包括以下步驟中的至少一個確定第一電流是否小于第一電流范圍中的最大值；以及確定第一電流是否大于第一電流范圍中的最小值。
17.如權利要求1所述的方法，其中，確定第一電流是否屬于第一電流范圍包括可變電阻器件具有第一電阻值時流過可變電阻器件的‘導通’電流與第一電流之間的差異大于預定級別。
18.如權利要求1所述的方法，進一步包括向可變電阻器件施加第二電壓以使得可變電阻器件的電阻值從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚担灰约案袦y流過施加了第二電壓的可變電阻器件的第二電流。
19.如權利要求18所述的方法，其中，感測第二電流包括通過施加量值小于第一電壓和第二電壓的讀取電壓來感測流過施加了第二電壓的可變電阻器件的第二電流。
20.如權利要求18所述的方法，其中，施加第二電壓大約1μ s到大約Ins。
21.如權利要求18所述的方法，其中，在執(zhí)行感測第二電流之后執(zhí)行向可變電阻器件施加第一電壓。
22.如權利要求18所述的方法，進一步包括確定第二電流是否屬于第三電流范圍；以及如果第二電流不屬于第三電流范圍，則向可變電阻器件施加等于第二電壓的附加第二電壓。
23.如權利要求22所述的方法，如果第二電流屬于第三電流范圍，則進一步包括向可變電阻器件施加第一電壓。
24.如權利要求22所述的方法，其中，對于施加了附加第二電壓的可變電阻器件重復地執(zhí)行感測第二電流以及確定第二電流是否屬于第三電流范圍。
25.—種可變電阻器件，包括第一電極和第二電極；可變電阻材料層，置于第一電極與第二電極之間，可變電阻材料層的電阻值當在第一電極和第二電極之間施加第一電壓時從第一電阻值改變?yōu)榇笥诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?，并且當在第一電極和第二電極之間施加第二電壓時從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚担渲?，如果可變電阻材料層具有第二電阻值，則將第一電壓重復地施加到可變電阻材料層直到流過可變電阻器件的電流屬于第一電流范圍為止。
26.如權利要求25所述的可變電阻器件，其中，所述可變電阻材料層的電阻值當大于第一電壓的第三電壓被施加到可變電阻材料層時從第二電阻值改變?yōu)榇笥诘诙娮柚档牡谌娮柚?，而且如果可變電阻材料層具有第三電阻值，則將第三電壓重復地施加到可變電阻材料層直到流過可變電阻材料層的電流屬于第二電流范圍為止。
27.一種半導體器件，包括可變電阻器件，其電阻值當?shù)谝浑妷罕皇┘拥皆摽勺冸娮杵骷r從第一電阻值改變?yōu)榇笥诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?，并且當?shù)诙妷罕皇┘拥皆摽勺冸娮杵骷r從第二電阻值改變?yōu)榈谝浑娮柚?；以及選擇器件，串聯(lián)連接到可變電阻器件，其中，如果可變電阻器件具有第二電阻值，則將第一電壓重復地施加到可變電阻器件直到流過可變電阻器件的電流屬于第一電流范圍為止。
28.如權利要求27所述的半導體器件，其中，可變電阻器件的電阻值當高于第一電壓的第三電壓被施加到該可變電阻器件時從第二電阻值改變?yōu)榇笥诘诙娮柚档牡谌娮柚担胰绻勺冸娮杵骷哂械谌娮柚?，則將第三電壓重復地施加到可變電阻器件直到流過可變電阻器件的電流屬于第二電流范圍為止。
全文摘要
一種操作包括可變電阻器件的半導體器件的方法，該方法包括向可變電阻器件施加第一電壓以使得將可變電阻器件的電阻值從第一電阻值改變?yōu)椴煌诘谝浑娮柚档牡诙娮柚?；感測流過施加了第一電壓的可變電阻器件的第一電流；確定第一電流是否屬于第一電流范圍；以及如果第一電流不屬于第一電流范圍，則向可變電阻器件施加等于第一電壓的附加第一電壓。
文檔編號G11C16/10GK102568582SQ201110390449
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月30日 優(yōu)先權日2010年12月24日
發(fā)明者張晚, 李東洙, 李承烈, 李昌范, 李明宰, 許智賢, 金昌楨, 金英培 申請人:三星電子株式會社