專利名稱：半導體器件及其工作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括具有有機化合物層的存儲區(qū)域的半導體器件及其動作方法。
背景技術(shù)：
具有無線通信功能的半導體器件，具體地說，無線芯片被期待得到廣闊的市場。根據(jù)其用途，這種無線芯片可稱為ID標簽、IC標簽、IC芯片、RF(射頻)標簽、無線標簽、電子標簽、RFID (射頻識別)。無線芯片的結(jié)構(gòu)包括接口、存儲器、控制部等。作為存儲器，使用能夠?qū)懭爰白x出的隨機存取存儲器(以下記為RAM)、讀出專用的只讀存儲器(以下記為ROM)，并根據(jù)目的分別使用。具體地說，每個特定的應(yīng)用軟件分別具備存儲區(qū)域，并且每個應(yīng)用軟件及每個目錄分別管理存取權(quán)。為了管理存取權(quán)，無線芯片具有核對單元和控制單元，其中，核對單元按照應(yīng)用軟件的密碼進行比較核對，而控制單元根據(jù)核對單元所進行的比較核對的結(jié)果給用戶賦予對于密碼一致的應(yīng)用軟件的存取權(quán)(參照專利文件1)。這種無線芯片是使用硅片而形成的，并且，在半導體襯底的電路一面形成有存儲電路、運算電路等的集成電路(參照專利文件2)。對安裝有這種無線芯片的卡(所謂的IC卡)和磁卡進行比較，IC卡具有如下優(yōu)點大存儲容量；可以具備運算功能；高認證性；竄改極為困難。因此，地方政府等也采用IC 卡，其對管理個人信息很合適。專利文件1日本專利申請?zhí)亻_2003-16418號公報專利文件2日本專利申請?zhí)亻_2000-111 號公報像微處理器或半導體存儲器那樣，無線芯片是使用昂貴的硅片而制造的。因此， 對芯片單價的降低自然就有一定的限制。特別是，無線芯片所需要的存儲區(qū)域在芯片中占有很大的面積，因此，為了降低芯片單價，需要縮小存儲區(qū)域所占有的面積而不改變存儲容量。另外，即使實現(xiàn)小片化，現(xiàn)有的無線芯片也使用硅作為結(jié)構(gòu)體。因此，例如當用作 IC標簽時，不適合貼在具有曲面形狀的商品的基體上。雖然也有對硅片本身進行研磨拋光來實現(xiàn)薄片化的方法，但是為了進行這種處理而增加了步驟數(shù)，因此對低成本化存在著矛盾。即使實現(xiàn)薄片化，也有如下憂慮在采用附著于商品來使用的IC標簽的情況下，如果將無線芯片貼在薄紙片上，就在商品的表面上產(chǎn)生起因于無線芯片的突起，因此會影響到美觀，或者，會強調(diào)成為竄改的對象的芯片的存在。再者，在現(xiàn)有技術(shù)中，需要在無線芯片內(nèi)的ROM中存儲識別信息，以識別各個無線芯片，因此，增加了布線連接步驟，導致了產(chǎn)率的降低。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明旨在謀求具有無線通信功能的半導體器件的薄型化或小型化的同時，還謀求成本的降低。鑒于上述問題，本發(fā)明的特征在于，使由薄膜構(gòu)成的無線芯片所具有的有機存儲器基于無線信號動作。利用基于無線信號而產(chǎn)生的指定地址的信號(以下記為地址信號) 選擇構(gòu)成有機存儲器的各位線及字線，并且對被選擇的部分的存儲元件施加電壓。像這樣， 進行寫入。讀出是利用產(chǎn)生的時鐘信號等來進行的。此外，在有機存儲器中形成有多個存儲元件，該存儲元件具備夾在一對電極之間的有機化合物層。在存儲元件所具有的電極中分別設(shè)置有開關(guān)元件，根據(jù)本發(fā)明的無線芯片具有所謂的有源型有機存儲器。有機化合物層是指包含有機材料的層，并可以是層疊了具有不同功能的層的結(jié)構(gòu)或單層結(jié)構(gòu)。這種存儲器和構(gòu)成無線芯片的電路等可以形成在同一襯底上。因此，可以將存儲器設(shè)置在無線芯片中而不增加制造步驟或制造成本。以下表示本發(fā)明的具體例子。本發(fā)明的一個方式是一種半導體器件的動作方法，其特征在于，該半導體器件包括具有有機存儲器的存儲區(qū)域；與有機存儲器連接且輸入讀出信號的布線；與有機存儲器連接且輸入寫入信號的布線；以及，與有機存儲器連接且輸入時鐘信號的布線，其中，從無線信號輸入部輸入讀出信號，從外部信號輸入部輸入寫入信號，在復(fù)位期間中使讀出信號及寫入信號成為HIGH的信號(以下記為HIGH)。此外，一般，HIGH的信號會記為HIGH、 HIGH電平、H電平等。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件的動作方法，其特征在于，該半導體器件包括具有有機存儲器的存儲區(qū)域；與有機存儲器連接且輸入讀出信號的布線；與有機存儲器連接且輸入寫入信號的布線；以及，與有機存儲器連接且輸入時鐘信號的布線，其中， 從無線信號輸入部輸入讀出信號，從外部信號輸入部輸入寫入信號，在寫入期間中使讀出信號成為HIGH并使寫入信號成為LOW的信號(以下記為LOW)，以在有機存儲器中進行數(shù)據(jù)寫入。此外，一般，LOff的信號會記為LOW、LOW電平、L電平等。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件的動作方法，其特征在于，該半導體器件包括具有有機存儲器的存儲區(qū)域；與有機存儲器連接且輸入讀出信號的布線；與有機存儲器連接且輸入寫入信號的布線；以及，與有機存儲器連接且輸入時鐘信號的布線，其中， 在讀出信號成為LOW時從有機存儲器中讀出數(shù)據(jù)，而與寫入信號的狀態(tài)無關(guān)。在本發(fā)明中，復(fù)位期間是指地址信號的產(chǎn)生被復(fù)位的期間。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件的動作方法，其特征在于，該半導體器件包括無線信號輸入部(以下記為RF(Radic) Frequency)輸入部)；具有有機存儲器的存儲區(qū)域；與有機存儲器連接且輸入讀出信號的布線；與有機存儲器連接且輸入寫入信號的布線；與有機存儲器連接且輸入時鐘信號的布線；以及，與有機存儲器連接的二極管，其中， 使用二極管遮斷外部信號來向有機存儲器中寫入數(shù)據(jù)，在將有機存儲器的寫入電源電位固定于從RF輸入部供給的兩種電源電位中的高電位側(cè)電源電位的同時讀出有機存儲器的數(shù)據(jù)。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件的動作方法，其特征在于，該半導體器件包括RF輸入部；具有有機存儲器的存儲區(qū)域；與有機存儲器連接且輸入讀出信號的布線； 與有機存儲器連接且輸入寫入信號的布線；與有機存儲器連接且輸入時鐘信號的布線；以及，與有機存儲器連接的電阻器，其中，使用電阻器遮斷外部信號來向有機存儲器中寫入數(shù)據(jù)，在將有機存儲器的寫入電源電位固定于從RF輸入部供給的高電位側(cè)電源電位的同時讀出有機存儲器的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，電阻器被包括在上拉電路中。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件，其特征在于，包括RF輸入部；邏輯電路部；外部信號輸入部；以及，具有有機存儲器的存儲區(qū)域，其中，RF輸入部具有對從天線接收的電波進行整流來產(chǎn)生電源電位的功能、以及對從天線接收的電波進行分頻來產(chǎn)生時鐘信號的功能，存儲區(qū)域包括具有二極管的調(diào)整電路部，邏輯電路部所具有的高電位側(cè)電源電位用端子和存儲區(qū)域所具有的寫入電源電位(也記為VDDH)用端子通過二極管連接。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件，其特征在于，包括RF輸入部；邏輯電路部；外部信號輸入部；以及，具有有機存儲器的存儲區(qū)域，其中，RF輸入部具有對從天線接收的電波進行整流來產(chǎn)生電源電位的功能、以及對從天線接收的電波進行分頻來產(chǎn)生時鐘信號的功能，存儲區(qū)域包括具有多個電阻器的調(diào)整電路部，邏輯電路部所具有的時鐘信號用端子和邏輯電路部通過任何一個電阻器連接。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件，其特征在于，包括RF輸入部；邏輯電路部；外部信號輸入部；以及，具有有機存儲器的存儲區(qū)域，其中，RF輸入部具有對從天線接收的電波進行整流來產(chǎn)生電源電位的功能、以及對從天線接收的電波進行分頻來產(chǎn)生時鐘信號的功能，存儲區(qū)域包括具有多個電阻器或二極管的調(diào)整電路部，邏輯電路部所具有的時鐘信號用端子和邏輯電路部通過任何一個電阻器連接，邏輯電路部所具有的高電位側(cè)電源電位用端子和存儲區(qū)域所具有的VDDH用端子通過二極管連接。本發(fā)明的另一個方式是一種半導體器件，其特征在于，包括RF輸入部；邏輯電路部；外部信號輸入部；以及，具有有機存儲器的存儲區(qū)域，其中，RF輸入部具有對從天線接收的電波進行整流來產(chǎn)生電源電位的功能、以及對從天線接收的電波進行分頻來產(chǎn)生時鐘信號的功能，邏輯電路部具有高電位側(cè)電源電位用端子、低電位側(cè)電源電位用端子、時鐘信號用端子，外部信號輸入部具有信號輸出用焊盤、寫入信號輸入用焊盤、讀出信號輸入用焊盤、時鐘信號用焊盤、接地電位用焊盤、高電位側(cè)電源電位用焊盤、寫入電源電位用焊盤，有機存儲器具有有機化合物層，存儲區(qū)域包括具有多個電阻器或二極管的調(diào)整電路部，時鐘信號用端子和邏輯電路部通過任何一個電阻器連接，高電位側(cè)電源電位用端子和存儲區(qū)域所具有的VDDH用端子通過二極管連接。在本發(fā)明中，電阻器被包括在上拉電路中。在本發(fā)明中，有機存儲器具有多個存儲單元，該存儲單元分別具有有機化合物層和連接于有機化合物層的開關(guān)元件。在本發(fā)明中，在設(shè)置到外部信號輸入部的寫入信號輸入用焊盤、讀出信號輸入用焊盤、以及時鐘信號用焊盤和設(shè)置到存儲區(qū)域中的寫入信號輸入用端子、讀出信號輸入用端子、以及時鐘信號用端子之間具有保護電路。根據(jù)本發(fā)明的動作方法，對于使用通過焊盤以有線連接從外部輸入的寫入信號進行了寫入的有機存儲器，可以使用基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的信號進行讀出。另外，當使用所述以有線連接從外部輸入的寫入信號進行動作時，不會受到邏輯電路所產(chǎn)生的信號的影響，而當使用基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的讀出信號進行動作時，不會受到外部輸入所帶來的影響。


圖IA和IB是表示本發(fā)明的無線芯片的電路圖；圖2A和2B是表示本發(fā)明的無線芯片的電路圖；圖3A和3B是本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的時序圖；圖4是本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的時序圖；圖5是本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的時序圖；圖6A和6B是本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的時序圖；圖7是本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的時序圖；圖8是本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的時序圖；圖9A和9B是表示本發(fā)明的無線芯片的俯視圖；圖10是表示本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲器的電路圖；圖11是表示本發(fā)明的無線芯片所具有的有機存儲單元的電路圖；圖12A至12D是表示本發(fā)明的無線芯片的制造步驟的圖；圖13A至13C是表示本發(fā)明的無線芯片的制造步驟的圖；圖14A和14B是表示本發(fā)明的無線芯片的制造步驟的圖；圖15A至15C是表示安裝在本發(fā)明的無線芯片中的天線的圖；圖16A和16B是表示安裝有本發(fā)明的天線的無線芯片的圖。
具體實施例方式以下參照

本發(fā)明的實施方式。注意，本發(fā)明可以變換為各種不同的方式來實施，本領(lǐng)域人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式，而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實施方式所記載的內(nèi)容中。此外，在用于說明實施方式的所有附圖中，使用同一符號表示同一部分或具有同樣功能的部分，省略其重復(fù)說明。實施方式1在本實施方式中，說明無線芯片的結(jié)構(gòu)。如圖IA所示，無線芯片具有RF輸入部401、邏輯電路部402、外部信號輸入部 403、具有有機存儲器的存儲區(qū)域404、調(diào)整電路部405。從RF輸入部401供給兩種電源電位。RF輸入部401具有在該兩種電源電位中的高電位側(cè)電源電位(VDD)用端子、以及低電位側(cè)電源電位用端子。另外，RF輸入部401還具有時鐘信號(CLK)用端子。在本實施方式中，使用接地電位(GND)作為低電位側(cè)電源電位。RF輸入部401對從天線(未圖示)接收的電波進行整流來產(chǎn)生VDD，并對接收的電波進行分頻來產(chǎn)生CLK。除了上述以外，RF輸入部401可以具有電源電路、時鐘產(chǎn)生器、 解調(diào)電路、調(diào)制電路。電源電路具有整流電路和保持電容器，并可以產(chǎn)生電源電壓。解調(diào)電路具有LPF(低通濾波器)，并可以從無線信號中抽出數(shù)據(jù)。調(diào)制電路可以以曼徹斯特方式將數(shù)據(jù)重疊于無線信號。邏輯電路部402連接于上述高電位側(cè)電源電位(VDD)及接地電位(GND)，并且輸入上述時鐘信號。除了上述以外，邏輯電路部402可以具有控制器或CPU。控制器具有無線通信用接口、時鐘控制電路、控制寄存器、接收數(shù)據(jù)用寄存器、發(fā)送數(shù)據(jù)用寄存器、或CPU用接口等。解調(diào)電路及調(diào)制電路可以通過無線通信用接口與控制寄存器、接收數(shù)據(jù)寄存器、發(fā)送數(shù)據(jù)寄存器交換信號。時鐘產(chǎn)生器被時鐘控制電路控制，而時鐘控制電路基于控制寄存器動作?？刂萍拇嫫鳌⒔邮諗?shù)據(jù)寄存器及發(fā)送數(shù)據(jù)寄存器可以通過CPU用接口與CPU交換信號。

外部信號輸入部403設(shè)置有多個焊盤，例如，具有信號輸出(DATA0UT)用焊盤、寫入信號(WEB)輸入用焊盤、讀出信號(REB)輸入用焊盤、時鐘信號(CLK)用焊盤、接地電位 (GND)用焊盤、高電位側(cè)電源電位(VDD)用焊盤、寫入電源電位(VDDH)用焊盤。具有有機存儲器的存儲區(qū)域404設(shè)置有通過VDDH用焊盤輸入電位的VDDH用端子、通過VDD用焊盤輸入電位的VDD用端子、通過GND用焊盤輸入電位的GND用端子、通過 CLK用焊盤輸入信號的CLK用端子、通過REB用焊盤輸入信號的REB用端子、以及通過TOB 用焊盤輸入信號的WEB用端子。存儲區(qū)域404還形成有ROM或RAM作為存儲元件。并且， ROM或RAM可以通過CPU用接口與控制寄存器、接收數(shù)據(jù)寄存器、發(fā)送數(shù)據(jù)寄存器交換數(shù)據(jù)。存儲區(qū)域404設(shè)置有用于調(diào)整ROM或RAM的調(diào)整電路部405。調(diào)整電路部405具有多個電阻器。存儲區(qū)域404的CLK用端子通過所述電阻器中的任何一個連接于邏輯電路部402。另外，存儲區(qū)域404的REB用端子通過所述電阻器中的任何另一個連接于邏輯電路部402。這種調(diào)整電路部405在使用通過外部信號輸入部403輸入的外部信號在存儲區(qū)域404中寫入數(shù)據(jù)或讀出數(shù)據(jù)時進行調(diào)整，以不使不需要的控制信號從邏輯電路部402輸入到存儲區(qū)域404。在本發(fā)明的無線芯片的結(jié)構(gòu)中，設(shè)置在外部信號輸入部403中的多個焊盤(以下記為焊盤區(qū)域)和存儲區(qū)域404之間的距離為500μπι至Imm(包括500μπι和Imm)，優(yōu)選為750 μ m至Imm (包括750 μ m和Imm)。如果設(shè)置焊盤區(qū)域和存儲區(qū)域404并使它們以所述距離彼此離開，就得到在焊盤區(qū)域的下方?jīng)]有存儲區(qū)域404的結(jié)構(gòu)。結(jié)果，可以進行數(shù)據(jù)寫入，而不受到當壓接天線時的應(yīng)力的影響。更優(yōu)選地，在焊盤區(qū)域的下方?jīng)]設(shè)有電路等。 這是因為電路等不受到當壓接天線時的應(yīng)力的影響的緣故。此外，由于使用硅片而形成的現(xiàn)有無線芯片具有一定程度的硬度，所以即使在朝下狀態(tài)下將壓力施加到形成有元件的地方，也可以與天線連接。但是，在本發(fā)明中，使用薄膜來形成，因此如果采用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，就有因壓接天線時的應(yīng)力而損壞存儲器等的元件的憂慮。因此，本發(fā)明采用了如下結(jié)構(gòu)在焊盤區(qū)域的下方不形成存儲區(qū)域或電路，以可以壓接天線而不損壞存儲區(qū)域或電路。電阻器407被包括在上拉電路中，并用作調(diào)整電路。調(diào)整電路部405在存儲區(qū)域 404中寫入數(shù)據(jù)時進行調(diào)整，以不使不需要的控制信號從邏輯電路部402輸入到存儲區(qū)域 404。與此同樣，電阻器407也在存儲區(qū)域404中寫入數(shù)據(jù)時進行調(diào)整，以不使信號從邏輯電路部402輸入到存儲區(qū)域404。當將數(shù)據(jù)寫入到存儲區(qū)域404時，輸入到外部信號輸入部 403的VDDH用焊盤的電位高于輸入到外部信號輸入部403的VDD用焊盤的電位，因此二極管406成為截止狀態(tài)，而當從存儲區(qū)域404讀出數(shù)據(jù)時，將輸入到存儲區(qū)域404的VDDH用端子的電位固定于從RF輸入部401施加的VDD，并使它穩(wěn)定。可以使用進行二極管連接的薄膜晶體管來形成二極管406。例如，可以使用對ρ溝道型薄膜晶體管進行了二極管連接的元件。 另外，RF輸入部401的高電位側(cè)電源電位(VDD)用端子通過二極管406連接于存儲區(qū)域404的VDDH用端子。像這樣，通過二極管進行連接，由此可以防止當在存儲區(qū)域404 中進行寫入時與高電位側(cè)電源電位(VDD)用焊盤連接的外部電源電路和連接于VDDH用焊盤的外部電源電路形成短路。 在這種無線芯片中，連接有天線，并且諧振電路由所述天線和諧振電容器構(gòu)成。并且，可以通過天線以無線通信獲得信號或電力。另外，在如上所述的能夠非接觸數(shù)據(jù)輸入及輸出的無線芯片中的信號傳輸方式可以采用電磁耦合方式、電磁感應(yīng)方式或微波方式等。只要實施者根據(jù)使用用途適當?shù)剡x擇傳輸方式，并根據(jù)傳輸方式設(shè)置最合適的天線，即可。并且，從外部信號輸入部403輸入的電壓及信號輸入到存儲區(qū)域404，數(shù)據(jù)(信息)寫入到存儲區(qū)域404。RF輸入部401利用天線接收交流信號，并將信號及電壓輸入到邏輯電路部402。信號通過邏輯電路部402成為控制信號，將控制信號輸入到存儲區(qū)域404， 來從存儲區(qū)域404讀出被寫入的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明的無線芯片的結(jié)構(gòu)中，當將數(shù)據(jù)寫入到存儲區(qū)域404時，將來自外部信號輸入部403的VDDH用焊盤的電位提供給存儲區(qū)域404的VDDH用端子，而當根據(jù)來自天線的信號從存儲區(qū)域404讀出數(shù)據(jù)時，可以使用二極管406將輸入到存儲區(qū)域404的VDDH 用端子的電位固定于從RF輸入部401供給的VDD，并使它穩(wěn)定。另外，如圖IB所示，也可以設(shè)置保護電路410。優(yōu)選將保護電路410設(shè)置在外部信號輸入部403附近。這是因為在很多情況下在外部信號輸入部403中產(chǎn)生靜電的緣故。在本實施方式中，在WEB用焊盤、REB用焊盤、以及CLK用焊盤和TOB用端子、REB用端子、以及 CLK用端子之間設(shè)置保護電路410。保護電路410在各焊盤和各端子之間具有至少一個薄膜晶體管。此外，隨著薄膜晶體管的溝道長度的增加，可以改善對靜電等的耐壓，因此是優(yōu)選的。根據(jù)本實施方式的電路及其動作方法，對于根據(jù)通過焊盤以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行了寫入的有機存儲器，可以根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的信號進行讀出。另外，在所述根據(jù)以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行的動作中，不會受到邏輯電路所產(chǎn)生的信號的影響。本發(fā)明的無線芯片是使用薄膜而形成的，因此，例如，即使將本發(fā)明的無線芯片貼到薄紙片上，也可以幾乎沒有凹凸地貼在紙片表面上，并不影響到美觀。另外，因為本發(fā)明的無線芯片是使用薄膜而形成的，因此也可以貼在具有曲面形狀的物品的表面上。實施方式2在本實施方式中，說明上述實施方式所示的有機存儲器的動作。圖3A是當進行寫入時的時序圖，并表示REB、TOB、CLK的波形。此時，將CLK的周期設(shè)定為Ims左右。將Rm及TOB為HIGH狀態(tài)的時間記為復(fù)位期間。然后，在TOB成為 LOW狀態(tài)時，HIGH(I)就寫入到有機存儲器。其次，當在REB成為LOW狀態(tài)的同時TOB成為 HIGH狀態(tài)時，在有機存儲器中不進行寫入。通過使這種期間連續(xù)重復(fù)，來向有機存儲器中進行寫入。圖:3B是當進行讀出時的時序圖，并表示REB、TOB、CLK的波形。此時，將CLK的周期設(shè)定為10μ s左右。將Rra及TOB為HIGH狀態(tài)的時間記為復(fù)位期間。然后，REB成為LOW 狀態(tài)，成為讀出期間。像這樣，當I^B及TOB都成為HIGH狀態(tài)時，電路不動作，并且地址被復(fù)位。換言之， 在REB和TOB中的一方為LOW狀態(tài)的情況下，每次CLK下降，地址就一個一個地移動。另外，當REB為HIGH狀態(tài)且TOB為LOW狀態(tài)時，在對應(yīng)于此時的地址的存儲單元中進行寫入。另外，當REB為LOW狀態(tài)時，不管TOB的狀態(tài)如何讀出對應(yīng)于此時的地址的存儲單元的數(shù)據(jù)，并且從有機存儲器的輸出布線輸出結(jié)果。在寫入期間中，當不進行對某個存儲單元的寫入時，改變REB的值來進行讀出。這是因為如下緣故在地址信號產(chǎn)生電路的結(jié)構(gòu)上，不可跳過不進行寫入的地址來進行寫入。 此外，在讀出期間中的WEB可以為HIGH狀態(tài)或LOW狀態(tài)。其次，參照圖4說明用于以有線連接進行寫入動作的時序圖。在圖4中，從上面起順序表示作為外部輸入的VDDH、VDD、CLK、REB、TOB的波形。各電壓值例示為如下VDDH為 10V ； VDD 為 3V ； CLK 為 OV 禾口 3V。具體地說，將VDD、VDDH、GND、CLK、TOB = 0，REB = 1輸入到外部輸入引腳，以進行外部輸入。VDD用作譯碼器的電源電位。VDDH用作寫入電源電位。CLK用于產(chǎn)生地址信號。地址信號由AO至A5和各反相信號AOB至A5B構(gòu)成，起始值為如下A0 = Al = A2 =A3 = A4 = A5 = Ο,ΑΟΒ = AlB = A2B = A3B = A4B = A5B = 1。每次 CLK 下降，其值就變化。換言之，如果以信號組為(A0, Al，A2，A3，A4，A5)，則起始值為(0，0，0，0，0，0)。并且，每次 CLK 下降，就如下反復(fù)(1，0，0，0，0，0)、(0，1，0，0，0，0)、(1，1，0，0，0，0)、. . . (1,1, 1，1，1，1)、(0，0，0，0，0，0)。在譯碼器中，根據(jù)這種地址信號AO至A5、A0B至A5B選擇一個位線及一個字線，被選擇的位線和字線的電位被電平轉(zhuǎn)換器從VDD升壓到VDDH。由于存儲單元的每一個為具有開關(guān)元件的有源型，所以被字線選擇的行的單元內(nèi)部的TFT導通。并且，在被位線選擇的列中，通過位線施加寫入電壓。如果施加寫入電壓， 有機元件就形成短路，之后一直成為寫入完狀態(tài)。此外，指定地址的順序是固定的，而不能變更。因此，當在存儲區(qū)域內(nèi)想要寫入的元件和不想要寫入的元件混在一起時，對不想要寫入的元件調(diào)整REB的值并使它進行讀出動作，以防止在該元件中進行寫入。另外，在邏輯電路內(nèi)分別產(chǎn)生地址信號并使它輸向存儲區(qū)域的方式也可以適用于本發(fā)明的動作方法。在這種情況下，需要當寫入時也輸入地址信號。另外，也可以應(yīng)用如下方法當讀出時，按照固定的順序產(chǎn)生地址信號，而當進行寫入時，直接指定地址。其次，參照圖5說明用于以有線連接進行讀出動作的時序圖。在圖5中，從上面起順序表示VDDH、VDD、CLK、REB、WEB的波形。各電壓值例示為如下VDDH為10V ；VDD為3V ； CLK 為 OV 和 3V。具體地說，將VDD、VDDH、GND、CLK、TOB = 0，REB = 0輸入到外部輸入引腳，以進行
外部輸入。此外，地址信號的產(chǎn)生方法與寫入時的情況相同。因此，在被字線選擇的行中的存儲單元的TFT導通。另外，通過電阻器對所有位線施加參考電壓。在參考電壓和位線之間設(shè)置有電阻器，并進行存儲元件的電位的上拉。換言之，進行了寫入的存儲單元成為短路狀態(tài)。因此，當選擇進行了寫入的存儲單元時，位線的電壓因接地電位而成為幾乎0。作為這種電阻器，使用進行了二極管連接的薄膜晶體管。另一方面，沒有進行寫入的存儲單元為絕緣狀態(tài)。因此，當選擇沒有進行寫入的存儲單元時，位線的電壓直接反映了參考電壓。的根據(jù)這種位線的電壓輸出被讀出的數(shù)據(jù)。此外，在讀出動作中，通過電阻器對所有位線施加參考電壓。但是，柵極設(shè)置為只經(jīng)過對應(yīng)于中途的被選擇的列的位線并被輸出的形式，因此，沒有選擇的位線的數(shù)據(jù)不會混在一起。這里，說明根據(jù)來自天線的信號的讀出。如果來自天線的信號被輸入，就在邏輯電路內(nèi)產(chǎn)生時鐘信號或讀出信號。并且，根據(jù)產(chǎn)生的信號進行讀出動作。此外，地址信號的產(chǎn)生或數(shù)據(jù)讀出的方法與上述以有線連接進行讀出的方法相同。在根據(jù)來自天線的信號進行讀出的情況下，當不進行利用有線連接的外部輸入時，當然不進行VDDH的輸入。因此，優(yōu)選通過二極管輸入VDD，以防止存儲元件的VDDH的輸入端子成為浮置(float)。另外，在圖5中，表示輸入到構(gòu)成有機存儲器的字線中的信號WORDl至W0RD4、輸入到位線中的信號BITl至BIT4的波形。電壓例示為如下W0RD的最高電位為10V，而最低電位為0V。此外，在圖5中未圖示的W0RD5至W0RD8及BIT5至BIT8的波形分別與WORDl至 W0RD4及BITl至BIjM相同，因此省略它們。實際上，在很多情況下設(shè)置有四個或更多的字線及位線。例如，像圖4那樣，在設(shè)置有八個字線及位線的情況下，每次CLK下降，從BITl起順序被選擇。并且，以BIT選擇的 8倍的周期，從WORDl起順序被選擇。具體地說，基于CLK的定時，REB及TOB成為LOW狀態(tài)時，WORDl就成為HIGH狀態(tài)。 此時，從BITl起順序被選擇。如果所有BIT被選擇，WORDl就成為LOW狀態(tài)，而W0RD2成為 HIGH狀態(tài)。W0RD3和W0RD4也像這樣動作。結(jié)果，可以從有機存儲器進行讀出。其次，在圖4中，表示在如下情況下的輸入到字線中的信號WORDl至W0RD4、輸入到位線中的信號BITl至BIT4的波形將11101110...這樣的數(shù)據(jù)輸入到配置為8 X 8的矩陣形狀的有機存儲單元中。此外，在圖4中，表示BITl至BIT4作為在BITl至BIT8中的典型波形。在圖4中，作為未圖示的信號的BIT5至BIT8的波形是BITl至BIT4的重復(fù)，因此省略它們。另外，W0RD5至W0RD8的波形與WORDl至W0RD4相同，因此省略它們。電壓例示為如下W0RD的最高電位為10V，而最低電位為0V，并采用3V作為中間電位。例如，在分別設(shè)置有八個字線及位線的情況下，每次CLK下降，從BITl起順序被選擇。并且，以BIT選擇的8倍的周期，從WORDl起順序被選擇。通過順序反復(fù)這樣做，在有機存儲器中進行寫入。具體地說，在圖4中，如果TOB成為LOW狀態(tài)并且復(fù)位期間結(jié)束，BITl及WORDl就成為HIGH狀態(tài)。這種狀態(tài)一直持續(xù)到CLK下降，如果CLK下降，則BIT2成為HIGH狀態(tài)。之后，順序這樣做一直到BIT8成為HIGH狀態(tài)，如果BIT8為HIGH狀態(tài)且CLK下降，WORDl就成為LOW狀態(tài)，并且W0RD2及BITl成為HIGH狀態(tài)。之后，像這樣一直到W0RD3、W0RD4...，一直到W0RD8上升，才返回到W0RD1。像這樣，對配置為矩陣形狀的存儲單元進行存取。這種動作反復(fù)進行直到WEB及REB成為HIGH并被復(fù)位。在寫入狀態(tài)下，作為HIGH狀態(tài)的電位，最高電位施加到BIT線及WORD線，而在讀出狀態(tài)下，作為HIGH狀態(tài)的電位，中間電位施加到BIT線及WORD線。以下，稱施加了最高電位的狀態(tài)為第一 HIGH狀態(tài)，而稱施加了中間電位的狀態(tài)為第二 HIGH狀態(tài)。在這個例子中，輸入11101110...的數(shù)據(jù)，因此，在數(shù)據(jù)1被輸入的BIT1、BIT2、BIT3的選擇期間中成為第一 HIGH狀態(tài)。另外，在數(shù)據(jù)0被輸入的BIT4 的選擇期間中進行讀出，因此，REB成為LOW，并成為第二 HIGH狀態(tài)。此時，在被選擇的行的單元中，沒有進行寫入的所有BIT線的電位成為第二 HIGH狀態(tài)。與此同樣，在數(shù)據(jù)1被輸入的期間，WORDl成為第一 HIGH狀態(tài)，而在數(shù)據(jù)0被輸入的期間，WORDl成為第二 HIGH狀態(tài)。與成為第一 HIGH狀態(tài)的WORD線所指定的地址信號對應(yīng)的存儲單元內(nèi)的TFT導通，并且成為第一 HIGH狀態(tài)的BIT線使有機元件形成短路，以進行寫入。另外，W0RD2至W0RD4也像這樣動作。結(jié)果，在有機存儲器中進行寫入。根據(jù)本實施方式的電路的動作方法，對于根據(jù)通過焊盤以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行了寫入的有機存儲器，可以根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的信號進行讀出。另外，在所述根據(jù)以有線連接從外部輸入的寫入信號進行的動作中，不會受到邏輯電路所產(chǎn)生的信號的影響，而當根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的讀出信號進行動作時，不會受到外部輸入所帶來的影響。另外，在根據(jù)本發(fā)明的芯片中，只有以利用有線連接的外部輸入進行寫入，才能追記數(shù)據(jù)。因此，如果密封包括外部輸入部的區(qū)域，就沒有數(shù)據(jù)竄改的憂慮，除非損壞密封。實施方式3在本實施方式中，說明與上述實施方式1不同的無線芯片的結(jié)構(gòu)。圖2A表示無線芯片的結(jié)構(gòu)，其中調(diào)整電路部的結(jié)構(gòu)與圖IA不同。圖2A所示的無線芯片具有RF輸入部411、邏輯電路部412、外部信號輸入部413、具有有機存儲器的存儲區(qū)域414、調(diào)整電路部415、二極管416、電阻器417、開關(guān)元件418。在本實施方式的無線芯片中的調(diào)整電路部415由開關(guān)構(gòu)成?？梢允褂媚M開關(guān)等作為開關(guān)。在本實施方式中，使用了反相器或模擬開關(guān)，在邏輯電路部412和存儲區(qū)域的CLK用端子之間、以及在邏輯電路部412和存儲區(qū)域的REB用端子之間設(shè)置有摸擬開關(guān)，在電阻器417和TOB用端子之間連接有反相器的輸入端子及模擬開關(guān)的第一控制端子，并且反相器的輸出端子及模擬開關(guān)的第二控制端子彼此連接。再者，可以使用反相器或模擬開關(guān)作為開關(guān)元件418。在本實施方式中，在讀出信號(REB)輸入用焊盤和REB用端子之間設(shè)置有模擬開關(guān)，而在CLK用焊盤和CLK用端子之間設(shè)置有模擬開關(guān)。設(shè)置電阻器417的目的在于當TOB沒有通過外部信號輸入端子413的外部輸入時，VDD被輸?shù)絋OB，相反，當具有外部輸入時，優(yōu)先進行該輸入。當LOW信號以外部輸入被輸?shù)絋OB，即，通過外部信號輸入端子413進行外部輸入時，調(diào)整電路部415遮斷來自邏輯電路部412的不需要的信號。相反，當HIGH信號被輸?shù)絋OB，或者，沒有對外部信號輸入端子 413進行外部輸入時，調(diào)整電路部415遮斷來自外部信號輸入端子413的REB、CLK的信號， 來將穩(wěn)定的信號提供給存儲區(qū)域414。當然，在無線芯片中，使焊盤區(qū)域和存儲區(qū)域之間的距離為500 μ m至lmm(包括
13500 μ m和Imm)，優(yōu)選為750 μ m至Imm (包括750 μ m和Imm)。優(yōu)選地，不僅在焊盤區(qū)域的下
方不設(shè)置存儲區(qū)域，而且還不設(shè)置電路等。結(jié)果，可以進行數(shù)據(jù)寫入，而不受到當壓接天線時的應(yīng)力的影響。此外，由于使用硅片而形成的現(xiàn)有無線芯片具有一定程度的硬度，所以即使在朝下狀態(tài)下將壓力施加到形成有元件的地方，也可以與天線連接。但是，在本發(fā)明中的無線芯片是使用薄膜而形成的，因此如果采用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，就有因壓接天線時的應(yīng)力而損壞存儲器等的元件的憂慮。因此，本發(fā)明采用了如下結(jié)構(gòu)焊盤區(qū)域的下方不形成存儲區(qū)域或電路，以可以壓接天線而不損壞存儲器或電路。本實施方式的無線芯片也可以與上述實施方式同樣地動作。另外，如圖2B所示，可以設(shè)置保護電路419。優(yōu)選將保護電路419設(shè)置在外部信號輸入部413附近。這是因為在很多情況下在外部信號輸入部413中產(chǎn)生靜電的緣故。在本實施方式中，在WEB用焊盤、REB用焊盤、以及CLK用焊盤和TOB用端子、REB用端子、以及 CLK用端子之間設(shè)置保護電路419。保護電路419在各焊盤和各端子之間具有至少一個薄膜晶體管。此外，隨著薄膜晶體管的溝道長度的增加，可以改善對靜電等的耐壓，因此是優(yōu)選的。根據(jù)本實施方式的電路及其動作方法，對于根據(jù)通過焊盤以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行了寫入的有機存儲器，可以根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的信號進行讀出。另外，在所述根據(jù)以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行的動作中，不會受到邏輯電路所產(chǎn)生的信號的影響，而在根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的讀出信號進行的動作中，不會受到外部輸入所帶來的影響。實施方式4在本實施方式中，說明上述實施方式3所示的無線芯片的動作。參照圖7說明用于進行寫入動作的時序圖。在圖7中，從上面起順序表示VDDH、 VDD、CLK、REB、WEB的波形。各電壓值例示為如下VDDH為IOV ；VDD為3V ；CLK為OV和3V。另外，表示輸入到構(gòu)成有機存儲器的字線中的信號WORDl至W0RD4、輸入到位線中的信號BITl至BIT4的波形。電壓例示為如下W0RD的最高電位為10V，而最低電位為0V， 并采用3V作為中間電位。
實際上，在很多情況下設(shè)置有四個或更多的字線及位線。例如，在分別設(shè)置有八個字線及位線的情況下，每次CLK下降，從BITl起順序被選擇。并且，以BIT選擇的8倍的周期，從WORDl起順序被選擇。通過順序反復(fù)這樣做，在有機存儲器中進行寫入。與上述實施方式2所示的圖4的不同點在于TOB的波形一直為LOW狀態(tài)。其他定時與圖4相同，因此省略其說明。像這樣，可以在有機存儲器中進行寫入。其次，參照圖8說明用于進行讀出動作的時序圖。在圖8中，從上面起順序表示 VDDH、VDD、CLK、REB、WEB的波形。各電壓值例示為如下:VDDH為IOV ；VDD為3V ；CLK為OV 和3V。另外，表示輸入到構(gòu)成有機存儲器的字線中的信號WORDl至W0RD4、輸入到位線中的信號BITl至BIT4的波形。電壓例示為如下W0RD的最高電位為10V，而最低電位為0V。在很多情況下設(shè)置有四個或更多的字線及位線。像圖4那樣，在分別設(shè)置有八個字線及位線的情況下，每次CLK下降，從BITl起順序被選擇。并且，以BIT選擇的8倍的周
14期，從WORDl起順序被選擇。與上述實施方式2所示的圖5的不同點在于REB及TOB的波形一直為LOW狀態(tài)。 其他定時與圖5相同，因此省略其說明。像這樣，可以從有機存儲器中進行讀出。圖6A是進行寫入時的時序圖，并表示REB、TOB、CLK的波形。此時，將CLK的周期設(shè)定為Ims左右。在本實施方式中的有機存儲器中，提供有任何信號都不輸入的等待期間。 在電路的結(jié)構(gòu)上，即使使WEB和REB成為HIGH狀態(tài)，也不會成為復(fù)位狀態(tài)，因此，當不進行寫入或讀出時，提供有不使CLK動作的等待期間。然后，Rm成為HIGH狀態(tài)時，HIGH(I)就寫入到有機存儲器。其次，當在REB成為LOW狀態(tài)時，在有機存儲器中不進行寫入。在本實施方式中，Wra保持LOW狀態(tài)。這是因為如下緣故在圖2A和2B所示的電路結(jié)構(gòu)中，如果 WEB成為HIGH狀態(tài)，外部輸入的CLK、REB的開關(guān)就成為截止狀態(tài)，因此，CLK或REB不輸?shù)接袡C存儲器中。另一方面，當以無線信號進行動作時，只要使WEB為HIGH狀態(tài)以消除外部輸入的影響，即可。通過使這種期間連續(xù)重復(fù)，在有機存儲器中進行寫入。圖6B是進行讀出時的時序圖，并表示REB、TOB、CLK的波形。此時，將CLK的周期設(shè)定為10 μ S左右。當REB為HIGH狀態(tài)且TOB為LOW狀態(tài)時，成為等待期間。然后，Rra成為LOW狀態(tài)，就成為讀出期間。在本實施方式中，不能根據(jù)信號進行復(fù)位。但是，如果所有電源電位被切斷，地址信號返回到起始值。因此，在暫時停止寫入或讀出，即，不移動地址的情況下，CLK需要成為截止狀態(tài)。換言之，以外部輸入進行寫入或讀出時，WEB—直為LOW狀態(tài)。另外，當進行寫入時，使REB成為HIGH狀態(tài)，而當在進行讀出或?qū)懭氲闹型驹谔囟ǖ拇鎯卧胁贿M行寫入時，使REB成為LOW狀態(tài)。根據(jù)本實施方式的電路的動作方法，對于根據(jù)通過焊盤以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行了寫入的有機存儲器，可以根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的信號進行讀出。另外，在所述根據(jù)以有線連接從外部輸入的寫入信號而進行的動作中，不會受到邏輯電路所產(chǎn)生的信號的影響，而在根據(jù)基于無線信號而在邏輯電路中產(chǎn)生的讀出信號進行的動作中，不會受到外部輸入所帶來的影響。另外，在根據(jù)本發(fā)明的無線芯片中，只有以利用有線連接的外部輸入進行寫入，才能追記數(shù)據(jù)。因此，如果密封包括外部輸入部的區(qū)域，就沒有數(shù)據(jù)竄改的憂慮，除非損壞密封。實施方式5在本實施方式中，說明當以有線連接進行外部輸入時防止來自邏輯電路內(nèi)的信號混在一起的情況。當以有線連接進行了外部輸入時，VDD或GND也從外部供給，此時，在電路上，VDD 或GND也被輸?shù)竭壿嬰娐穬?nèi)。因此，提供了解決方法，以防止來自邏輯電路的不需要的信號 (在內(nèi)部產(chǎn)生的時鐘信號或讀出信號等)成為外部輸入信號的噪聲。在圖IA和IB所示的結(jié)構(gòu)中，將電阻器配置于來自邏輯電路的輸出。因此，當沒有來自外部輸入的信號時，反映了來自邏輯電路的信號，當信號從外部輸入被輸入時，優(yōu)先進行其輸入。在圖2A和2B所示的結(jié)構(gòu)中，當利用模擬開關(guān)進行外部輸入時，遮斷來自邏輯電路的信號。根據(jù)作為外部輸入信號之一的TOB控制模擬開關(guān)。因此，當TOB為HIGH狀態(tài)時， 遮斷來自外部的REB、CLK。另外，在圖IA和IB及圖2A和2B所示的結(jié)構(gòu)中，VDD通過電阻器連接于TOB，并進行上拉。因此，當沒有外部輸入時，WEB可以一直為HIGH狀態(tài)。實施方式6在本實施方式中，說明無線芯片的掩模布局例子。圖9A表示無線芯片的掩模布局例子，而圖9B以框圖表示在無線芯片100中的RF 輸入部401、邏輯電路部402、外部信號輸入部403、具有有機存儲器的存儲區(qū)域404、調(diào)整電路部405、二極管406、以及電阻器407的配置。在無線芯片100中，設(shè)置有占有最大面積的邏輯電路部402、與它鄰接地設(shè)置RF輸入部401、具有有機存儲器的存儲區(qū)域404。在存儲區(qū)域404中的一個區(qū)域中設(shè)置有調(diào)整電路部405和電阻器407，并且相互鄰接地設(shè)置調(diào)整電路部405和電阻器407。與RF輸入部 401相鄰接地設(shè)置外部信號輸入部403。由于外部信號輸入部403具有焊盤，所以優(yōu)選設(shè)置在與無線芯片100的一邊接觸的區(qū)域。這是因為當連接天線時可以以無線芯片的一邊為基準地貼合的緣故。焊盤區(qū)域和存儲區(qū)域404之間的距離為500 μ m至Imm (包括500 μ m和Imm)，優(yōu)選為750 μ m至Imm(包括750 μ m和Imm)。換言之，形成為焊盤區(qū)域不重疊于存儲區(qū)域的形式。 優(yōu)選形成為從焊盤引導的布線(引導布線)和存儲區(qū)域彼此不重疊。這是因為可以防止當壓接天線時的應(yīng)力經(jīng)過引導布線施加到存儲區(qū)域404的緣故。此外，由于使用硅片而形成的現(xiàn)有無線芯片具有一定程度的硬度，所以即使在朝下狀態(tài)下將壓力施加到形成有元件的地方，也可以與天線連接。但是，在本發(fā)明中，使用薄膜形成，因此如果采用現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，就有因壓接天線時的應(yīng)力而損壞元件的憂慮。因此，在本發(fā)明中的無線芯片的特征在于如上所述在焊盤區(qū)域及引導布線的下方不形成存儲區(qū)域或電路。更優(yōu)選地，采用如下結(jié)構(gòu)除了存儲區(qū)域以外的具有特定功能的電路也不重疊于焊盤。換言之，在焊盤的下方不形成有具有特定功能的電路的元件。結(jié)果，可以進行數(shù)據(jù)處理，而不受到由天線的壓接引起的應(yīng)力的影響。此外，當采用上述實施方式所示的結(jié)構(gòu)時，可以應(yīng)用本實施方式的掩模布局。實施方式7在本實施方式中，說明設(shè)置在存儲區(qū)域中的存儲器(也記為存儲器件)的結(jié)構(gòu)及其動作。圖10表示存儲器441的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的存儲器具有將存儲單元409設(shè)置為矩陣形狀的存儲單元陣列442、譯碼器443及444、選擇器445、以及讀出/寫入電路446。存儲單元409具有存儲元件448及開關(guān)元件447，這被記為有源型存儲器。作為其他存儲器的結(jié)構(gòu)，可以舉出不設(shè)置有開關(guān)元件的無源型存儲器。本發(fā)明還可以適用于無源型存儲器。存儲單元409設(shè)置在位線Bx(l彡χ彡m)和字線Wy(l彡y彡η)交叉的區(qū)域。并且，存儲元件448具有如下結(jié)構(gòu)在構(gòu)成位線的第一導電層和構(gòu)成字線的第二導電層之間具有有機化合物層。開關(guān)元件447的柵電極連接于字線Wy (1彡y彡η)，而源電極及漏電極中的一方連接于位線Βχ(1 < χ彡m)，而源電極及漏電極中的另一方連接于存儲元件448的一方電極。
可以利用電氣或光學作用對這種存儲元件448進行寫入或讀出。當利用光學作用進行寫入或讀出時，第一導電層和第二導電層中的單方或雙方需要具有透光性。使用銦錫氧化物(ITO)等的透明導電材料形成具有透光性的導電層，或者，以透過光的厚度形成具有透光性的導電層，而不使用透明導電材料。圖11表示存儲單元409的結(jié)構(gòu)例子。如圖11所示，存儲單元409具有開關(guān)元件447和存儲元件448。薄膜晶體管可以適用于開關(guān)元件447。在使用薄膜晶體管的情況下，可以同時形成譯碼器443或選擇器445 等的電路和開關(guān)元件447，因此是優(yōu)選的。存儲元件448具有第一導電層、有機化合物層、第二導電層，并可以由存儲單元陣列442內(nèi)的存儲單元共用第二導電層。這被記為公共電極449。當進行存儲器件的讀出及寫入時，公共電極將公共電位提供給所有存儲單元?？梢允褂镁哂猩鲜鼋Y(jié)構(gòu)的存儲器件作為易失存儲器，典型的為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)。這種存儲區(qū)域，具體地說，從形成有存儲元件的區(qū)域到焊盤區(qū)域的距離設(shè)置為 500 μ m至Imm (包括500 μ m禾口 Imm)，優(yōu)選為750 μ m至Imm (包括750 μ m禾口 Imm)。特別是， 存儲器具有有機化合物層，因此容易受到當壓接天線時的應(yīng)力的很大的影響，但是，通過設(shè)定預(yù)定的距離，可以進行數(shù)據(jù)寫入，而不受到當壓接天線時的應(yīng)力的影響，等等，是如上所述的。實施方式8在本實施方式中，說明無線芯片的制造方法。在圖12A中，在具有絕緣表面的襯底(以下記為絕緣襯底)600上順序形成剝離層 601、絕緣層602、半導體膜603。玻璃襯底、石英襯底、由硅構(gòu)成的襯底、金屬襯底、塑料襯底等可以用于絕緣襯底600。另外，也可以通過拋光使絕緣襯底600薄型化。通過使用被薄型化的絕緣襯底，可以使完成品輕量化、薄型化。剝離層601可以是使用如下材料而形成的選自鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、 鈮(Nb)、釹(Nd)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯⑶、鋅(Si)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥 (Ir)、以及硅(Si)的元素，或者，以所述元素為主要成分的合金材料或化合物材料。剝離層 601可以采用所述元素等的單層結(jié)構(gòu)或所述元素等的疊層結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^CVD法、濺射法或電子束等形成這種剝離層601。在本實施方式中，使用W作為材料通過CVD法形成剝離層601。此時，優(yōu)選使用O2A2或隊0進行等離子體處理。因此，可以容易進行作為之后步驟的剝離步驟。另外，剝離層601不需要形成在整個絕緣襯底上，也可以選擇性地形成剝離層 601。換言之，只要剝離層601可以之后剝離絕緣襯底600，即可，對形成剝離層的區(qū)域沒有限制?？梢詫⒀趸?、氮化硅等的無機材料用于絕緣層602。絕緣層602可以使用單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。通過使用氮化硅，可以防止從絕緣襯底600侵入雜質(zhì)元素。在絕緣層602 具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下，如果任何一層具有這種氮化硅，就發(fā)揮效果?？梢詫⒕哂泄璧牟牧嫌糜诎雽w膜603。半導體膜可以是通過CVD法或濺射法而形成的。半導體膜603的結(jié)晶結(jié)構(gòu)可以是非晶、結(jié)晶、微晶中的任何一個。結(jié)晶性越高，越可以提高薄膜晶體管的遷移率，因此是優(yōu)選的。另外，對于微晶或非晶，不存在鄰接的半導體膜之間的結(jié)晶狀態(tài)的不均勻性，因此是優(yōu)選的。為了形成結(jié)晶半導體膜603，可以直接形成在絕緣層602上，但是，也可以通過加熱形成在絕緣層602上的非晶半導體膜制造結(jié)晶半導體膜。例如，利用加熱爐對非晶半導體膜進行處理，或者，進行激光照射，來加熱。結(jié)果，可以形成高結(jié)晶性的半導體膜。此時， 也可以使用促進結(jié)晶化的金屬元素，以降低加熱溫度。例如，將鎳(Ni)添加在非晶半導體膜表面上并進行加熱處理，由此可以降低結(jié)晶化所需要的溫度。結(jié)果，可以將結(jié)晶半導體膜形成在耐熱性差的絕緣襯底600上。此外，在采用激光照射的情況下，可以選擇性地加熱半導體膜，因此不被所使用的絕緣襯底600的耐熱性限制。如圖12B所示，將半導體膜603加工為預(yù)定的形狀。在加工中，可以采用使用了通過光刻法而形成的掩模的蝕刻。干蝕刻法或濕蝕刻法可以用于蝕刻。形成用作柵極絕緣膜604的絕緣層以覆蓋加工后的半導體膜。柵極絕緣膜604可以是使用無機材料而形成的，例如，可以使用氮化硅、氧化硅形成柵極絕緣膜604。也可以在形成柵極絕緣膜604之前或之后，進行等離子體處理。在等離子體處理中，可以使用氧等離子體或氫等離子體。通過進行這種等離子體處理，可以除去在柵極絕緣膜被形成的一面或在柵極絕緣膜表面的雜質(zhì)。然后，隔著柵極絕緣膜604將用作柵電極605的導電層形成在半導體膜603上。 柵電極605可以具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。如下材料可以用于柵電極605:選自鈦(Ti)、鎢 (W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、釹(Nd)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(1 )、鈀(Pd)、鋨(Os)、 銥(Ir)、鉬(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、以及銦(In)中的元素、或以所述元素為主要成分的合金材料或化合物材料。如圖12C所示，將用作側(cè)壁607的絕緣物形成在柵電極605的側(cè)面。側(cè)壁607可以是使用無機材料或有機材料而形成的。作為無機材料，可以舉出氧化硅、氮化硅。例如， 如果形成氧化硅以覆蓋柵電極605并進行各向同性蝕刻，就只殘留在柵電極605的側(cè)面，這可以用作側(cè)壁607。干蝕刻法或濕蝕刻法可以用于各向同性蝕刻。當加工側(cè)壁607時，柵極絕緣膜604也被蝕刻并被除去。結(jié)果，暴露了半導體膜的一部分。使用側(cè)壁607及柵電極605以自對準方式將雜質(zhì)元素添加到半導體膜603中。結(jié)果，在半導體膜603中形成有濃度不同的雜質(zhì)區(qū)域。與形成在被暴露的半導體膜中的雜質(zhì)區(qū)域608相比，設(shè)置在側(cè)壁607下方的雜質(zhì)區(qū)域609具有低濃度。像這樣，通過使雜質(zhì)區(qū)域的濃度不同，可以防止短溝道效應(yīng)。如圖12D所示，以覆蓋半導體膜603、柵電極605等的方式形成絕緣層611及612。 覆蓋半導體膜603、柵電極605等的絕緣層可以使用單層結(jié)構(gòu)，但是，優(yōu)選如本實施方式所示采用疊層結(jié)構(gòu)。這是因為通過使用無機材料形成絕緣層611，可以防止雜質(zhì)的侵入，并且， 通過應(yīng)用使用了 CVD法的無機材料，可以使用絕緣層611中的氫來終結(jié)在半導體膜中的懸掛鍵的緣故。然后，通過使用有機材料形成絕緣層612，可以提高平整性。有機材料可以使用聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯、硅氧烷、聚硅氮烷。此外， 對于硅氧烷，其骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機基(例如烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟基?；蛘?，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機基和氟基。聚硅氮烷是以具有硅(Si)和氮(N)的鍵的聚合物材料作為起始材料而形成的。
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然后，形成布線613，該布線613穿過絕緣層611及612、柵極絕緣膜604并連接于雜質(zhì)區(qū)域608。布線613可以采用單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)，并可以是使用如下材料而形成的 選自鈦(Ti)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、釹(Nd)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、 鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉬(Pt)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、以及銦(In)中的元素、或以所述元素為主要成分的合金材料。在形成布線613的同時，也可以在絕緣層612上形成其它布線。其它布線相當于引導布線等。如上所述，可以形成薄膜晶體管(TFT) 615、以及TFT群616。TFT群616是指構(gòu)成具有一定功能的電路的TFT的集合。然后，如圖13A所示，在絕緣層612上形成絕緣層620。像絕緣層611及612那樣， 可以使用無機材料或有機材料形成絕緣層620。形成布線621以穿過絕緣層620?？梢韵癫季€613那樣形成布線621。布線621通過形成在絕緣層620中的開口部在區(qū)域622電連接于布線613。在區(qū)域622中，可以使之后形成的存儲元件的公共電極接地。另外，由與布線621同一的層構(gòu)成焊盤623。焊盤623通過形成在絕緣層620中的開口部在區(qū)域624電連接于布線613。如圖1 所示，在絕緣層620上形成絕緣層630。像絕緣層611及612那樣，絕緣層630可以是使用無機材料或有機材料而形成的。在絕緣層630中形成有開口部。加工絕緣層630并使該開口部的側(cè)面具有錐度。在形成在TFT615上的開口部中，形成有機化合物層631。有機化合物層631可以通過蒸鍍法或濺射法而形成?？梢允褂靡阎碾娭掳l(fā)光材料形成這種有機化合物層。然后， 覆蓋有機化合物層631、絕緣層630的一部分形成布線632?？梢韵癫季€621那樣形成布線 632。形成有布線632的區(qū)域成為存儲區(qū)域及接觸區(qū)域。布線632成為存儲元件633的公共電極。如圖13C所示，形成天線640。此時，對焊盤623進行熱壓接，來電連接天線640。像這樣，形成無線芯片，該無線芯片包括形成有引導布線等的布線區(qū)域644、形成有存儲元件的存儲區(qū)域642、具有TFT群并形成有具有特定功能的電路的集成電路區(qū)域643、焊盤區(qū)域 645、接觸區(qū)域646。另外，將焊盤區(qū)域和存儲區(qū)域配置為使它們之間的距離為大約500 μ m 或更大，優(yōu)選為750 μ m或更大的形式。結(jié)果，可以進行數(shù)據(jù)寫入，而不受到當壓接天線時的應(yīng)力的影響。另外，優(yōu)選在絕緣襯底600的柔軟性為低的狀態(tài)下壓接天線。因此，在本實施方式中，表示在壓接天線之后被轉(zhuǎn)到膜襯底上的方式。如圖14A所示，通過除去剝離層601來剝離絕緣襯底600?？梢砸晕锢砘蚧瘜W方式除去剝離層601。例如，通過對半導體膜進行加熱處理等，還可以改變剝離層601的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。然后，形成開口部以暴露剝離層601的一部分，并將激光照射到被暴露的剝離層601。 通過將激光照射到剝離層601，可以觸發(fā)剝離。因此，可以以物理方式剝離絕緣襯底600和薄膜晶體管等，再者，會有如下情況因為膜的應(yīng)力，并不特別施力地使薄膜晶體管等從絕緣襯底600自然剝離?；蛘?，可以形成到達剝離層601的開口部，通過開口部引入蝕刻劑， 并利用化學反應(yīng)除去剝離層601。然后，如圖14B所示，貼合被剝離的薄膜晶體管等和膜襯底650。在膜襯底650的表面具有粘合性的情況下，可以直接貼合。相反，在沒有粘合性的情況下，可以通過粘合劑貼合薄膜晶體管等和膜襯底650。如上所述，可以形成薄膜晶體管等轉(zhuǎn)到了膜襯底上的無線芯片。這種無線芯片和有機存儲區(qū)域形成在同一襯底上，并且所述無線芯片具有如下附加價值謀求輕量化、薄型化，并富于柔軟性。實施方式9在本實施方式中，說明形成在天線用襯底上的天線的形狀，它適用于具有本發(fā)明的存儲元件的無線芯片。作為在無線芯片中的信號傳輸方式，可以應(yīng)用電磁耦合方式或電磁感應(yīng)方式(例如，13. 56MHz頻帶)。在采用電磁感應(yīng)方式的情況下，由于利用由磁場密度的變化導致的電磁感應(yīng)，所以將用作天線的導電層形成為環(huán)狀(例如環(huán)形天線)或螺旋狀(例如螺線天線)。當應(yīng)用微波方式(例如UHF頻帶(860至960MHz頻帶)、2. 45GHz頻帶等)作為在無線芯片中的信號傳輸方式時，鑒于用于傳輸信號的電磁波的波長設(shè)定用作天線的導電層的長度等的形狀，例如，可以將用作天線的導電層形成為線狀(例如偶極天線)、平整的形狀(例如貼片天線)、或蝴蝶結(jié)形狀等。另外，用作天線的導電層的形狀不局限于線狀，鑒于電磁波的波長也可以是曲線狀、蜿蜒形狀，或者是組合這些的形狀。圖15A表示使用用作貼片天線的導電層502作為天線的例子。對于用作貼片天線的導電層502，在天線用襯底501上貼有具有存儲區(qū)域等的集成電路503。貼片天線的指向性非常高，另外，根據(jù)天線形狀可以提高一個方向的指向性。作為頻帶，可以使用900至 980MHz的UHF頻帶、2. 45GHz等的微波頻帶。圖15B表示將用作天線的導電層形成為蝴蝶結(jié)形狀(也記為扇形)的例子。這是單極或偶極型天線的一種，并且，像其它天線那樣，可以適用于13. 56MHz等的短波段、950 至956MHz等的UHF頻帶、以2. 45GHz為代表的微波頻帶的通信。在圖15B中，在形成有用作貼片天線的導電層502的天線用襯底501上貼有具有存儲區(qū)域等的集成電路503。圖15C表示單極天線或偶極天線的例子，其中將用作天線的導電層形成為寬度大的線狀，即，直線狀。鑒于天線的指向性或阻抗適當?shù)卦O(shè)定這種天線形狀。在圖15C中，在形成有用作貼片天線的導電層502的天線用襯底501上貼有具有存儲區(qū)域等的集成電路503。 貼片天線的指向性非常高，另外，根據(jù)天線形狀可以提高一個方向的指向性。作為頻帶，可以使用900至980MHz的UHF頻帶、2. 45GHz等的微波頻帶。具備貼片天線的無線芯片具有良好指向性，因此適用于為了保密措施或隱私保護而防止信息泄露的用途。另外，可以適用于商品管理等，因為可以在將無線標簽放在包裝材料中的狀態(tài)下進行通信。通過使用CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴噴出法、分配器法、鍍敷法等并使用導電材料在天線用襯底上形成用作天線的導電層。作為導電材料，使用選自鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、 以及銦(In)中的元素、或者以這些元素為主要成分的合金材料或化合物材料，并且采用單
層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。例如，當使用絲網(wǎng)印刷法形成用作天線的導電層時，可以通過選擇性地印刷如下導電膏形成用作天線的導電層，在該導電膏中，粒徑為幾nm至幾十ym的導體粒子溶解或分散到有機樹脂中。作為導體粒子，可以使用銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、鈀 (Pd)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、和鈦(Ti)等中的任何一個或更多的金屬粒子、鹵化銀的微粒子、或者分散性納米粒子。另外，作為導電膏中包含的有機樹脂，可以使用選自用作金屬粒子的粘結(jié)劑、溶劑、分散劑及覆蓋劑的有機樹脂中的一個或多個。典型地，可以舉出環(huán)氧樹脂、硅樹脂等的有機樹脂。另外，當形成導電層時，優(yōu)選在擠出導電膏之后進行焙燒。例如，當使用以銀為主要成分的微粒子(例如粒徑Inm至IOOnm(包括Inm和IOOnm))作為導電膏的材料時，通過以150至300°C的溫度范圍焙燒來使其硬化，可以獲得導電層。另外，也可以使用以焊料或不包含鉛的焊料為主要成分的微粒子，在這種情況下優(yōu)選使用粒徑20 μ m或更小的微粒子。焊料或不包含鉛的焊料具有一個優(yōu)點就是低成本。另外，除了上述材料以外，也可以將陶瓷或鐵氧體等適用于天線。另外，當應(yīng)用電磁耦合方式或電磁感應(yīng)方式，并且設(shè)置具有天線的無線芯片并使它接觸金屬膜時，優(yōu)選在所述無線芯片和金屬膜之間設(shè)置具有磁導率的磁性材料。這是因為如下緣故如果不在無線芯片和金屬膜之間設(shè)置具有磁導率的材料，渦電流伴隨磁場的變化流過金屬膜，并且，因所述渦電流而產(chǎn)生的反磁場使磁場的變化減弱，導致通信距離的降低，但是，通過在無線芯片和金屬膜之間設(shè)置具有磁導率的材料，可以抑制金屬膜的渦電流和通信距離的降低。此外，作為磁性材料，可以使用磁導率高且高頻損失小的金屬薄膜或鐵氧體。如上所述，可以提供粘合有形成在天線用襯底上的天線的無線芯片。實施方式10在本實施方式中，說明安裝有天線的無線芯片的方式。圖16A表示安裝有線圈天線的無線芯片。無線芯片具有RF輸入部401、邏輯電路部402、外部信號輸入部403、具有有機存儲器的存儲區(qū)域404、調(diào)整電路部405、二極管406、 電阻器407。使用具有導電體及粘合性的ACF (Anisotropic Conductive Film;各向異性導電膜)將線圈天線420連接到RF輸入部401。代替ACF，也可以使用銀膏、銅膏或碳膏等的導電粘合劑、NCP (Non Conductive I^aste ；非導電膏)或焊接等來連接天線。作為線圈天線420，在天線用襯底上形成線狀(寬度小)的導電層并將它卷為從中心到外側(cè)，即，離配置有無線芯片的區(qū)域近的一側(cè)到遠的一側(cè)逐漸變大的形式。在本實施方式中，線圈天線為矩形，因此具有至少四個或更多的角。對于這種線圈天線，應(yīng)用電磁耦合方式或電磁感應(yīng)方式(例如13. 56MHz頻帶)。對于電磁耦合方式或電磁感應(yīng)方式，將天線形成為線圈形狀，以利用由磁場密度的變化導致的電磁感應(yīng)。電磁感應(yīng)方式的優(yōu)點在于天線的指向性為寬、通訊范圍為大。作為頻帶，使用135kHz等的長波段、13. 56MHz等的短波段。通信距離為幾厘米至幾十厘米。圖16B表示安裝有偶極天線或單極天線的無線芯片。像圖16A那樣，無線芯片具有RF輸入部401、邏輯電路部402、外部信號輸入部403、具有有機存儲器的存儲區(qū)域404、 調(diào)整電路部405、二極管406、電阻器407。偶極天線也是非指向性的，但是如果使用900MHz 頻帶(例如，950至956MHz)的超高頻(UHF頻帶)，就可以擴大通信距離并使它達到1至6 米左右。另外，如果使用以2. 45GHz為代表的微波頻帶，就可以進行高指向性的通信。如果也可以是短通信距離，就可以使天線小型化，并可以不僅實現(xiàn)高指向性，而且還進行高保密性的無線認證等。無論如何，通過采用這種結(jié)構(gòu)，可以防止當壓接天線時的無線芯片，特別是，存儲區(qū)域的損壞或變形。使用具有導電體及粘合性的ACF (Anisotropic Conductive Film;各向異性導電膜)將偶極天線連接到RF輸入部401。代替ACF，也可以使用銀膏、銅膏或碳膏等的導電粘合劑、NCP(Non Conductive I^aste ；非導電膏)或焊接等來連接天線。作為偶極天線，在天線用襯底上形成直線狀(寬度比線圈天線大)的導電層并使它從無線芯片的兩端延伸。這種偶極天線應(yīng)用微波方式(例如UHF頻帶(860至960MHz頻帶)、2. 45GHz頻帶等)。此外，也可以在設(shè)置偶極天線的區(qū)域形成線狀的導電層，并應(yīng)用電磁耦合方式或電磁感應(yīng)方式。如上所述，完成安裝有天線的無線芯片。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件，包括無線信號輸入部，上述無線信號輸入部包括電源電位輸出端； 存儲區(qū)域，上述存儲區(qū)域包括寫入信號輸入端和與上述電源電位輸出端電連接的電源電位輸入端；二極管，被電連接在上述電源電位輸出端和上述電源電位輸入端之間；以及電阻器，被電連接在上述電源電位輸入端和上述存儲區(qū)域的上述寫入信號輸入端之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括被配置來將上述存儲區(qū)域電連接到外部電路的外部信號輸入端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，上述存儲區(qū)域的上述電源電位輸入端和上述寫入信號輸入端被電連接到上述外部信號輸入部的相應(yīng)的端子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括邏輯電路部，其中，上述存儲區(qū)域的讀出信號輸入端和時鐘信號輸入端被電連接到上述邏輯電路部的相應(yīng)的端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括第二電阻器、第三電阻器和邏輯電路部，其中，上述第二電阻器被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的時鐘信號輸入端之間；并且上述第三電阻器被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的讀出信號輸入端之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括第一開關(guān)和邏輯電路部，其中，上述第一開關(guān)被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的時鐘信號輸入端之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括第二開關(guān)和邏輯電路部，其中，上述第二開關(guān)被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的讀出信號輸入端之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件，還包括被電連接在上述上述存儲區(qū)域和上述外部信號輸入端之間的保護電路。
9.一種半導體器件，包括無線信號輸入部，上述無線信號輸入部包括第一電源電位輸出端、第二電源電位輸出端和第一時鐘信號輸出端；邏輯電路部，電連接到上述無線信號輸入端，上述邏輯電路部包括讀出信號輸出端和第二時鐘信號輸出端；存儲區(qū)域，電連接到上述無線信號輸入端和上述邏輯電路部，上述存儲區(qū)域包括讀出信號輸入端、寫入信號輸入端、時鐘信號輸入端、第一電源電位輸入端、第二電源電位輸入端、以及寫入電源電位輸入端；以及第一電阻器，被電連接在上述第一電源電位輸入端和上述寫入信號輸入端之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，還包括被電連接在上述第一電源電位輸入端與上述存儲區(qū)域的上述寫入信號輸入端之間的二極管。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，其中，上述無線信號輸入部的上述第一電源電位輸出端經(jīng)由二極管被電連接到上述存儲區(qū)域的上述第一電源電位輸入端；并且上述無線信號輸入部的第二電源電位輸出端被電連接到上述存儲區(qū)域的上述第二電源電位輸入端。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，還包括被配置來將上述存儲區(qū)域電連接到外部電路的外部信號輸入端。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，上述存儲區(qū)域的上述讀出信號輸入端、上述寫入信號輸入端、上述時鐘信號輸入端、上述第一電源電位輸入端、上述第二電源電位輸入端、以及上述寫入電源電位輸入端被電連接到上述外部信號輸入部的相應(yīng)的端子。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，其中，上述存儲區(qū)域的上述讀出信號輸入端和上述時鐘信號輸入端被電連接到上述邏輯電路部的相應(yīng)的端子。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，還包括第二電阻器和第三電阻器，其中， 上述第二電阻器被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的上述時鐘信號輸入端之間；并且上述第三電阻器被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的上述讀出信號輸入端之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，還包括第一開關(guān)，其中，上述第一開關(guān)被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的上述時鐘信號輸入端之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體器件，還包括第二開關(guān)，其中，上述第二開關(guān)被電連接在上述邏輯電路部和上述存儲區(qū)域的上述讀出信號輸入端之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導體器件，還包括被電連接在上述上述存儲區(qū)域和上述外部信號輸入端之間的保護電路。
19.一種半導體器件的工作方法，該半導體器件包括 無線信號輸入部；邏輯電路部，被電連接于上述無線信號輸入部；存儲區(qū)域，被電連接于上述無線信號輸入部和上述邏輯電路部；電阻器，被電連接于第一電源電位輸入端和存儲區(qū)域的寫入信號輸入端之間；以及外部信號輸入端，用于將上述存儲區(qū)域電連接到外部電路，上述工作方法包括如下步驟使用通過線路連接方式經(jīng)由上述外部信號輸入部輸入的第一電源電位、第二電源電位、寫入電源電位、寫入信號和第一時鐘信號將數(shù)據(jù)寫入上述存儲區(qū)域；以及在將上述第一電源電位經(jīng)由上述電阻器輸入到上述寫入信號輸入端的同時，使用均從上述無線信號輸入部輸入的上述第一電源電位和上述第二電源電位、以及均從上述邏輯電路部輸入的第二時鐘信號和讀出信號從上述存儲區(qū)域讀出上述數(shù)據(jù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導體器件的工作方法，其中，在將上述第一電源電位從上述無線信號輸入部經(jīng)由二極管輸入到上述存儲區(qū)域的上述第一電源電位輸入端的同時，進行上述數(shù)據(jù)的讀出。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體器件及其工作方法，其目的在于謀求在芯片中占有很大的面積的存儲區(qū)域的成本降低，以抑制整個芯片的制造成本。該半導體器件包括包括電源電位輸出端的無線信號輸入部；包括寫入信號輸入端和與上述電源電位輸出端電連接的電源電位輸入端的存儲區(qū)域；被電連接在上述電源電位輸出端和上述電源電位輸入端之間的二極管；以及被電連接在上述電源電位輸入端和上述存儲區(qū)域的上述寫入信號輸入端之間的電阻器。
文檔編號G11C13/02GK102270317SQ20111020085
公開日2011年12月7日 申請日期2006年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月25日
發(fā)明者加藤清, 齋藤利彥 申請人:株式會社半導體能源研究所