專利名稱：多層記錄型光盤、其記錄方法及其記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多層記錄型光盤，特別是涉及求出在多層記錄型光盤上記錄的激光功 率的最佳值的方法。
背景技術(shù)：
在進(jìn)行具有可追記或改寫的多層結(jié)構(gòu)的光盤上記錄信息的情況下，已知日本專利 特開2000-311346號公報的方法作為將在寫入信息層的數(shù)據(jù)區(qū)域上記錄時的激光輸出調(diào) 整為最佳記錄功率值(最佳功率控制以下稱為“0PC”)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
當(dāng)通過將激光照射在多層記錄型光盤上記錄信息時，由于接近激光的入射面的上 位層記錄完或未記錄完，使上位層的透過率有差別，即使在射出相同功率的激光的情況下， 給與離入射面遠(yuǎn)的下位層的激光功率不同。另外，也有從記錄在其他記錄層上的信息的串 擾的影響，使最佳的記錄功率變動的情況。在特開2000-311346號公報中，利用通過隨機(jī)圖案記錄完的“上位層的試寫區(qū)域” 的激光進(jìn)行“下位層的試寫區(qū)域”中的0PC。但是，在利用通過未記錄的“上位層的數(shù)據(jù)區(qū) 域”的激光進(jìn)行向“下位層的數(shù)據(jù)區(qū)域”的記錄時，上述求出的“最佳的記錄功率值”并不適
I=I O近年來，出現(xiàn)了可在多層記錄型光盤的任意層上記錄數(shù)據(jù)的光盤。在這種光盤的 上位層的數(shù)據(jù)區(qū)域中有記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域和不記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域混合存在的情況。由于這樣， 當(dāng)在下位層上記錄數(shù)據(jù)時，存在利用通過未記錄的“上位層的數(shù)據(jù)區(qū)域”的激光在“下位層 的數(shù)據(jù)區(qū)域”中記錄的情況，和利用通過記錄完的“上位層的數(shù)據(jù)區(qū)域”的激光，在“下位層 的數(shù)據(jù)區(qū)域”中記錄的情況。但是，由于利用特許文獻(xiàn)1的OPC求出的“最佳的記錄功率值” 為針對一者的最佳值，因此存在對另一個無效，在任何一種狀況下，對提高數(shù)據(jù)的記錄品質(zhì) 沒有幫助的問題。上述問題，可以用權(quán)利要求范圍中所述的發(fā)明解決。根據(jù)本發(fā)明，即使隨機(jī)地在多層光盤上進(jìn)行記錄，各層的記錄完的地方和未記錄 的地方隨機(jī)地分布，透過率零零散散，也可以良好的功率進(jìn)行寫入，可以提高數(shù)據(jù)的記錄品 質(zhì)。


圖1為表示作為本發(fā)明的多層記錄型光盤的第1實施例的圖；圖2為作為表示本發(fā)明的多層記錄型光盤的制造方法的第2實施例的圖3為作為表示本發(fā)明的多層記錄型光盤的制造方法的第3實施例的圖；圖4為作為表示本發(fā)明的多層記錄型光盤的制造方法的第4實施例的圖；圖5為作為表示本發(fā)明的多層記錄型光盤的制造方法的第5實施例的具體實施例方式利用圖1，以4層結(jié)構(gòu)的記錄型光盤為例，說明作為本發(fā)明的第1實施例的多層記 錄型光盤。圖1為可從單面記錄或再現(xiàn)的多層記錄型光盤的截面圖，右側(cè)為光盤的內(nèi)周側(cè)， 左側(cè)為光盤的外周側(cè)。用于該光盤各層記錄或再現(xiàn)的激光從上方向入射。以下，按照離激 光入射面近的順序稱為第1層，第2層，第3層，第4層。各層作為可記錄的區(qū)域，具有用于進(jìn)行OPC而求最佳的功率的試寫區(qū)域PCA (功率 標(biāo)定區(qū)域Power Calibration Area)和寫入用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄區(qū)域。即在圖1中存在 第1層用PCA，第2層用PCA，第3層用PCA，第4層用PCA四個PCA。各層的PCA在半徑方 向再細(xì)分為多個小區(qū)域，使得從內(nèi)周依次為a，b，c, d，e, f，g，h...。在本實施例中，說明各 層的PCA按螺旋狀設(shè)置，但也可以按同心園狀設(shè)置PCA。如圖1所示，第4層用PCA的區(qū)域a h全部為未記錄的狀態(tài)，在第1層用PCA，第 2層用PCA，第3層用PCA中，如表1那樣，記錄隨機(jī)圖案。表 權(quán)利要求
1.一種多層記錄型光盤，其特征在于是包括m層的具有試寫區(qū)域和數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的記錄層的多層記錄型光盤，其中m為2 以上的整數(shù)，設(shè)置為螺旋形的各層的試寫區(qū)域，從光盤的內(nèi)周向著外周被分割為從第1小區(qū)域至第 η小區(qū)域，其中η為2以上的整數(shù)；相對于規(guī)定的記錄層的未記錄小區(qū)域，其它記錄層的相同半徑位置的m-1個小區(qū)域中 的數(shù)據(jù)記錄完/未記錄的組合，與其它半徑位置的m-1個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)記錄完/未記錄 的組合不同。
2.如權(quán)利要求1所述的多層記錄型光盤，其特征在于 各試寫區(qū)域被分割為mX〗"1—1個小區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的多層記錄型光盤，其特征在于作為所述組合，包括全部小區(qū)域為數(shù)據(jù)記錄完的組合，和全部小區(qū)域為數(shù)據(jù)未記錄的組合。
4.一種多層記錄型光盤，其特征在于是包括m層的具有試寫區(qū)域和數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的記錄層的多層記錄型光盤，其中m為2 以上的整數(shù)，設(shè)置為螺旋形的各層的試寫區(qū)域，從光盤的內(nèi)周向著外周被分割為從第1小區(qū)域至第 η小區(qū)域，其中η為2以上的整數(shù)；相對于第a記錄層的未記錄小區(qū)域，比第a記錄層更接近激光入射面的其它a-Ι層的 相同半徑位置的a-Ι個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)記錄完/未記錄的組合，與其它半徑位置的a-Ι個 小區(qū)域中的數(shù)據(jù)記錄完/未記錄的組合不同，其中a為m以下的整數(shù)。
5.如權(quán)利要求4所述的多層記錄光盤，其特征在于 各試寫區(qū)域至少被分割為2-^+21^2+. . . +f+21個小區(qū)域。
6.如權(quán)利要求4所述的多層記錄光盤，其特征在于作為所述組合，包括全部小區(qū)域為數(shù)據(jù)記錄完的組合，和全部小區(qū)域為數(shù)據(jù)未記錄的組合。
7.一種多層記錄型光盤的記錄方法，其特征在于 是對于如下光盤的多層記錄型光盤的記錄方法，該光盤，包括m層的具有試寫區(qū)域和數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的記錄層；并且設(shè)置為螺旋形的各 層的試寫區(qū)域從光盤的內(nèi)周向著外周被分割為從第1小區(qū)域至第η小區(qū)域；并具有，相對于 規(guī)定的記錄層的未記錄的小區(qū)域，其它記錄層的相同半徑位置的m-1個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)記 錄完/未記錄的組合，與其它半徑位置的m-1個小區(qū)域的數(shù)據(jù)記錄完/未記錄的組合不同 的試寫區(qū)域，其中m為2以上的整數(shù)，η為2以上的整數(shù)， 并且進(jìn)行如下處理在規(guī)定的記錄層的試寫區(qū)域上進(jìn)行試寫，求出該試寫區(qū)域內(nèi)的各小區(qū)域上的各個最佳 記錄功率的處理；和由求出的各小區(qū)域上的最佳記錄功率，求出該層的最佳記錄功率的處理。
8.如權(quán)利要求7所述的多層記錄型光盤的記錄方法，其特征在于所述求出該層的最佳記錄功率的處理，是求出各小區(qū)域的最佳記錄功率的平均值的處理。
9.如權(quán)利要求7所述的多層記錄型光盤的記錄方法，其特征在于所述求出該層的最佳記錄功率的處理，是求出各小區(qū)域的最佳記錄功率的偏差的中心 值的處理。
10.一種多層記錄型光盤的記錄方法，其特征在于是包括m層的具有試寫區(qū)域和數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的記錄層，并且設(shè)置為螺旋形的各層的試 寫區(qū)域從光盤的內(nèi)周向著外周被分割為從第1小區(qū)域至第η小區(qū)域的多層記錄型光盤的記 錄方法，其中m為2以上的整數(shù)，η為2以上的整數(shù)， 且包括如下處理相對于規(guī)定的記錄層的未記錄小區(qū)域，其它記錄層的相同半徑位置的m-1個小區(qū)域中 的數(shù)據(jù)的記錄完/未記錄的組合，與其它半徑位置的m-1個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)的記錄完/未 記錄的組合不同地，在試寫區(qū)域進(jìn)行記錄的處理；在規(guī)定的記錄層的試寫區(qū)域上進(jìn)行試寫，求出該試寫區(qū)域內(nèi)的各小區(qū)域上的各個求最 佳記錄功率的處理；和由求出的各小區(qū)域上的最佳記錄功率，求出該層的最佳記錄功率的處理。
11.一種多層記錄型光盤的記錄裝置，其特征在于是包括m層的具有試寫區(qū)域和數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的記錄層；并且設(shè)置為螺旋形的各層的試 寫區(qū)域從光盤的內(nèi)周向著外周被分割為從第1小區(qū)域至第η小區(qū)域；并且相對于規(guī)定的記 錄層的未記錄的小區(qū)域，其它記錄層的相同半徑位置的m-1個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)記錄完/未 記錄的組合，與其它半徑位置的m-1個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)記錄完/未記錄的組合不同的多層 記錄型光盤的記錄裝置，其中，m為2以上的整數(shù)，η為2以上的整數(shù)， 并且具有，向所述光盤照射激光束的激光器； 控制所述激光器的激光束控制電路；在規(guī)定的記錄層的試寫區(qū)域上進(jìn)行試寫，求出該試寫區(qū)域內(nèi)的各小區(qū)域上的各個最佳 記錄功率的試寫處理電路；和根據(jù)求出的各最佳記錄功率，求出該層的最佳記錄功率的最佳記錄功率計算單元。
12.—種多層記錄型光盤的記錄裝置，其特征在于是包括m層的具有試寫區(qū)域和數(shù)據(jù)記錄區(qū)域的記錄層，并且設(shè)置為螺旋形的各層的試 寫區(qū)域從光盤的內(nèi)周向著外周被分割為從第1小區(qū)域至第η小區(qū)域；相對于第a記錄層的 未記錄的小區(qū)域，比第a記錄層更接近激光的入射面的其它a-Ι層的相同半徑位置的a-1 個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)的記錄完/未記錄的組合，與其它半徑位置的a-Ι個小區(qū)域中的數(shù)據(jù)的 記錄完/未記錄的組合不同的多層記錄型光盤的記錄裝置，其中m為2以上的整數(shù)，η為2 以上的整數(shù)，a為m以下的整數(shù)； 并且具有，向所述光盤照射激光束的激光器； 控制所述激光器的激光束控制電路；在規(guī)定的記錄層的試寫區(qū)域上進(jìn)行試寫，求出該試寫區(qū)域內(nèi)的各小區(qū)域上的各個最佳 記錄功率的試寫處理電路；和根據(jù)求出的各最佳記錄功率，求出該層的最佳記錄功率的最佳記錄功率計算單元。
全文摘要
本發(fā)明涉及多層記錄型光盤、其記錄方法及其記錄裝置。在各層中具有數(shù)據(jù)記錄區(qū)域和分割分為多個小區(qū)域的試寫區(qū)域，對試寫區(qū)域的小區(qū)域進(jìn)行記錄，使得對于進(jìn)行OPC的層的OPC小區(qū)域，其他各層構(gòu)成預(yù)先記錄完和未記錄的組合。另外，對與其他各層的記錄和未記錄的組合不同的各小區(qū)域，進(jìn)行OPC，求各OPC的結(jié)果的平均值或偏差的中心值作為最佳功率。
文檔編號G11B7/0045GK102110448SQ20111007674
公開日2011年6月29日 申請日期2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月27日
發(fā)明者永井裕, 西村孝一郎 申請人:株式會社日立制作所