專利名稱：用于8-位存儲(chǔ)器設(shè)備的差錯(cuò)校正機(jī)制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方式涉及對(duì)存儲(chǔ)器設(shè)備的差錯(cuò)校正。更具體地講，本發(fā)明的各 個(gè)實(shí)施方式涉及提供對(duì)存儲(chǔ)器設(shè)備的差錯(cuò)校正的技術(shù)，這些技術(shù)與常規(guī)的差錯(cuò)校正技術(shù)相 比可以改善性能并減小功耗。
背景技術(shù)：
存儲(chǔ)器設(shè)備故障導(dǎo)致了系統(tǒng)不能工作的時(shí)段和/或不正確的結(jié)果。為此，已經(jīng)開 發(fā)了各種檢錯(cuò)和/或差錯(cuò)校正機(jī)制?；镜臋C(jī)制涉及奇偶校驗(yàn)。針對(duì)差錯(cuò)校正，還有更先 進(jìn)的技術(shù)。例如，存儲(chǔ)器模塊可以包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)8-位存儲(chǔ)器集成電路(IC)封 裝以及用于存儲(chǔ)差錯(cuò)校正碼(ECC)位的附加8-位IC存儲(chǔ)器封裝，這些差錯(cuò)校正碼(ECC) 位對(duì)應(yīng)于其它IC中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。最常見的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器使用4-位或8-位寬的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)芯片， 這些芯片被焊接到單面印刷電路板(PCB)直列式存儲(chǔ)器模塊(被稱為單直列式存儲(chǔ)器模 塊(SIMM))上，或者被焊接到雙面印刷電路板直列式存儲(chǔ)器模塊(即雙直列式存儲(chǔ)器模塊 (DIMM))上。這些SIMM和DIMM被插入到計(jì)算機(jī)上的插口中以構(gòu)建存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。服務(wù)器級(jí)別的計(jì)算機(jī)具有32到1 個(gè)存儲(chǔ)器DI匪且這些DI匪具有觀8到9216 個(gè)DRAM這樣一種情況并非是不常見的，并且這種數(shù)目很大且以高信令頻率運(yùn)行的集成電 路和連接插口中的故障可能會(huì)產(chǎn)生一些差錯(cuò)，這些差錯(cuò)在檢測到不可校正的故障時(shí)可能會(huì) 靜默地破壞重要的數(shù)據(jù)或迫使應(yīng)用程序終止。差錯(cuò)類別可以被劃分成永久差錯(cuò)、持久差錯(cuò) 和瞬時(shí)差錯(cuò)。瞬時(shí)差錯(cuò)被進(jìn)一步劃分成事件差錯(cuò)和邊緣差錯(cuò)。輻射導(dǎo)致的DRAM軟差錯(cuò)是 事件差錯(cuò)的一種形式。信令導(dǎo)致的故障是邊緣差錯(cuò)的一種形式。已經(jīng)開發(fā)了各種策略來解決差錯(cuò)。例如，可以添加冗余存儲(chǔ)器以支持差錯(cuò)檢測與 校正編碼。在計(jì)算機(jī)行業(yè)中，具有64個(gè)數(shù)據(jù)位和8個(gè)冗余校正位的DRAM存儲(chǔ)器已變?yōu)楦?容量標(biāo)準(zhǔn)。一種有效的ECC機(jī)制被稱為x4單數(shù)據(jù)設(shè)備校正(SDDC)，該機(jī)制被設(shè)計(jì)成從4_位 存儲(chǔ)器設(shè)備的單DRAM芯片故障中恢復(fù)。相似的是，xSSDDC被設(shè)計(jì)成從8-位存儲(chǔ)器設(shè)備的 DRAM芯片故障中恢復(fù)。目前的存儲(chǔ)器SDDC —般需要18或36個(gè)DRAM芯片，以便為完全確 定性邏輯門解決方案提供充足的冗余。存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)和校驗(yàn)位是組合邏輯塊的輸入，該組合 邏輯塊產(chǎn)生用以標(biāo)識(shí)出故障的DRAM差錯(cuò)定位器矢量。該組合邏輯塊也可以輸出位校正矢 量，該位校正矢量可被用于校正(比如翻轉(zhuǎn)-位)出故障的DRAM芯片中的數(shù)據(jù)。性能/瓦特建模已證明對(duì)于每一次讀取和寫入操作，轉(zhuǎn)移64字節(jié)存儲(chǔ)塊可提供 最優(yōu)化的效率。為了傳遞64個(gè)字節(jié)，一些SDDC差錯(cuò)代碼將一個(gè)完全一樣的地址發(fā)送給前 后緊接信道中的兩個(gè)X4DIMM，從而在每一個(gè)I/O時(shí)鐘內(nèi)傳遞144個(gè)信息位。三十二個(gè)x4數(shù) 據(jù)DRAM加上四個(gè)x4校正位DRAM這樣的安排為x4SDDC提供了足夠的冗余，同時(shí)在4個(gè)I/ 0時(shí)鐘內(nèi)傳遞了一 64字節(jié)存儲(chǔ)塊。一些SDDC差錯(cuò)代碼將唯一的地址發(fā)送給每個(gè)獨(dú)立信道 X4DIMM,從而在每一個(gè)I/O時(shí)鐘內(nèi)傳遞72個(gè)信息位。十六個(gè)x4數(shù)據(jù)DRAM加上兩個(gè)x4校正位DRAM這樣的安排為X4SDDC提供了足夠的冗余，同時(shí)在更省功率的8個(gè)I/O時(shí)鐘內(nèi)傳 遞了一 64字節(jié)存儲(chǔ)塊。差錯(cuò)校正理論已經(jīng)證明盡管對(duì)于8個(gè)I/O脈沖串啟用剛好九個(gè)X8DRAM以傳遞一 64字節(jié)存儲(chǔ)塊具有一定的功率效率，但是不可能在獨(dú)立信道X8ECCDIMM上構(gòu)建出用于完美 的X8SDDC的完全確定性硬件。


在附圖中，本發(fā)明的各實(shí)施方式是作為示例而示出的，而非作為限制，其中，相同 的標(biāo)號(hào)指代相似的元件。圖1是電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的框圖。圖2示出了差錯(cuò)矢量表格的一個(gè)實(shí)施方式，該差錯(cuò)矢量表格可以與CRC多項(xiàng)式 P(χ) = χ8+χ5+χ3+χ2+χ+1 一起使用以檢測并校正在72-位代碼字中的單個(gè)位差錯(cuò)。圖3示出了差錯(cuò)矢量表格的一個(gè)實(shí)施方式，該差錯(cuò)矢量表格可以與CRC多項(xiàng)式 P(χ) =χ8+χ2+1—起使用以檢測并校正在72-位代碼字中的單個(gè)位差錯(cuò)。圖4是針對(duì)64-位數(shù)據(jù)塊計(jì)算8-位校驗(yàn)和的概念圖。圖5是要被寫入到存儲(chǔ)器的72-位塊的概念圖，該72-位塊包括64-位數(shù)據(jù)塊以 及8-位校驗(yàn)和。圖6是從存儲(chǔ)器中讀取的72-位塊的概念圖，該72-位塊包括64-位數(shù)據(jù)塊以及 用于檢查有沒有差錯(cuò)的8-位校驗(yàn)和。圖7是利用校驗(yàn)和值的差錯(cuò)校正技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式在下面的描述中，闡明了大量的具體細(xì)節(jié)。然而，本發(fā)明的實(shí)施方式可以在沒有這 些具體細(xì)節(jié)的情況下得到實(shí)施。在其它情況下，公知的電路、結(jié)構(gòu)和技術(shù)未被詳細(xì)示出，為 的是在理解本發(fā)明時(shí)不會(huì)產(chǎn)生混淆。在DRAM控制邏輯中，瞬時(shí)故障是信令邊緣故障和中子故障。本文所描述的技術(shù)提 供了針對(duì)瞬時(shí)故障的很強(qiáng)的檢測和校正。通常，通過重新讀取存儲(chǔ)位置來除去這些瞬時(shí)故障。本文所描述的技術(shù)檢測并校正DRAM陣列中的1-位持久故障，比如中子1_位差 錯(cuò)。中子撞擊到DRAM陣列而可能產(chǎn)生的多-位持久故障是很不常見的，本文所描述的技術(shù) 檢測這種多-位持久故障但并不校正這種多-位持久故障。永久故障也被稱為硬差錯(cuò)，是因DRAM故障或插口故障而導(dǎo)致的。本文所描述的技 術(shù)可用于檢測并校正1-位或8-位碼元永久故障。在一個(gè)實(shí)施方式中，可以維持一表格或日 志，以減少校正永久故障所需要的時(shí)間，在該表格或日志中DRAM具有重復(fù)的先前的差錯(cuò)。中子撞擊到DRAM控制邏輯而導(dǎo)致的瞬時(shí)存儲(chǔ)器差錯(cuò)以及信令故障都很少發(fā)生， 并且它們的校正等待時(shí)間對(duì)性能的影響很小。在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)檢測到差錯(cuò)時(shí)，存儲(chǔ)器 控制器重新讀取數(shù)據(jù)，以嘗試標(biāo)識(shí)并除去任何差的邊緣瞬時(shí)信令故障。如果在這種第二次 讀取之后存儲(chǔ)器故障仍然存在，則存儲(chǔ)器控制器使該數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)并且將這種經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)寫 回到存儲(chǔ)器，然后讀取經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)以標(biāo)識(shí)卡在1處的和卡在0處的永久故障。這種信息被用于定位含來自DRAM或插口引腳的有故障的數(shù)據(jù)的8-位碼元。如果在第二次讀取之后沒有檢測到永久故障，則將校驗(yàn)和與圖3所描述的8-位差 錯(cuò)標(biāo)識(shí)符的72條目表格進(jìn)行比較，并且如果找到匹配，則通過使代碼字中經(jīng)標(biāo)識(shí)的位反轉(zhuǎn) 就可以校正相應(yīng)的1-位持久差錯(cuò)。如果在第二次讀取之后沒有檢測到永久故障，并且在72 條目8-位差錯(cuò)標(biāo)識(shí)符表格中沒有找到匹配，則存在多個(gè)位持久故障但無法校正，并且存儲(chǔ) 器控制器表示不可校正的差錯(cuò)狀態(tài)。與常規(guī)的SDDC機(jī)制相比，本文所描述的SDDC機(jī)制需要更少的存儲(chǔ)器芯片，因此提 供了減小的系統(tǒng)復(fù)雜度和減小的系統(tǒng)功耗。在一個(gè)實(shí)施方式中，僅僅將九個(gè)8-位寬存儲(chǔ)器 芯片(比如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器即DRAM)用于xSSDDC。這種技術(shù)依賴于測試固定的一組可 能的解決方案以便校正故障。這種差錯(cuò)代碼提供了非常高的差錯(cuò)檢測速率，但需要一組差 錯(cuò)嘗試來校正檢測到的故障?？紤]到其發(fā)生頻率很低，針對(duì)不頻繁的差錯(cuò)(比如中子軟差 錯(cuò))的額外的校正等待時(shí)間可能是可接受的。對(duì)于重復(fù)的校正(比如發(fā)生永久性故障的位 置或芯片)，可以維持一日志以簡化差錯(cuò)校正，在該日志中DRAM包含永久故障。在一個(gè)實(shí)施方式中，可用于唯一地標(biāo)識(shí)1-位故障的8-位循環(huán)冗余校驗(yàn)(CRC)多 項(xiàng)式可以被用于產(chǎn)生72-條目8-位校驗(yàn)和差錯(cuò)矢量表格，以校正大多數(shù)常見的瞬時(shí)故障。 這種多項(xiàng)式也提供了用于永久故障SDDC的三位差錯(cuò)檢測加上單個(gè)8-位碼元檢測。差錯(cuò)保護(hù)理論指出完全確定性組合邏輯X8SDDC機(jī)制需要至少16個(gè)校驗(yàn)位。本 文所描述的技術(shù)提供了所有永久故障的單個(gè)位差錯(cuò)校正加上X8SDDC，但是不頻繁的多位中 子數(shù)據(jù)陣列寫入故障僅僅是被檢測而無法被校正。本文所描述的技術(shù)可以通過下列操作為 xSSDDC提供剛好8個(gè)校驗(yàn)位使用查詢表格來校正1-位瞬時(shí)故障；再加上數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)測試 以標(biāo)識(shí)哪一個(gè)存儲(chǔ)器芯片具有可經(jīng)過一系列嘗試而得到校正的永久故障。由此，與常規(guī)的 xSSDDC相比，本文所描述的技術(shù)需要較少的資源。在一個(gè)實(shí)施方式中，本文所描述的差錯(cuò)檢測和校正技術(shù)可以被實(shí)現(xiàn)成集成電路、 一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)部件(比如存儲(chǔ)器控制器、處理器)中所存儲(chǔ)的指令、或它們的組合。在一 個(gè)實(shí)施方式中，用于提供差錯(cuò)檢測和校正的機(jī)制是在不同于存儲(chǔ)器模塊的部件中，這允許 使用標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器部件(比如DI匪S)。圖1是電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的框圖。圖1所示的電子系統(tǒng)旨在代表一系列 電子系統(tǒng)(有線的或無線的)，例如，包括臺(tái)式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、膝上型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器系統(tǒng) 等。備選的電子系統(tǒng)可以包括更多的、更少的和/或不同的部件。電子系統(tǒng)100包括總線105或用于傳送信息的其它通信設(shè)備；以及耦合到總線 105的處理器110，可以用于處理信息。電子系統(tǒng)100還可以包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)或 其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備120(被稱為存儲(chǔ)器)，存儲(chǔ)器120耦合到總線105并且可以存儲(chǔ)信息以 及可由處理器110執(zhí)行的指令。存儲(chǔ)器120也可以被用于存儲(chǔ)在處理器110執(zhí)行指令期間 的臨時(shí)變量或其它中間信息。在一個(gè)實(shí)施方式中，在對(duì)存儲(chǔ)器120進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取和寫入時(shí)，可以使用本文所描 述的差錯(cuò)檢測和校正機(jī)制。存儲(chǔ)器控制器可以被包括在一個(gè)或多個(gè)處理器110中或者可以 與總線105相耦合。存儲(chǔ)器控制器提供了到用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的物理存儲(chǔ)器設(shè)備(比如具有多 個(gè)DRAM芯片的SI匪或DI匪)的接口。電子系統(tǒng)100也可以包括耦合到總線105的只讀存儲(chǔ)器(ROM)和/或其它靜態(tài)存
6儲(chǔ)設(shè)備130，可存儲(chǔ)用于處理器110的靜態(tài)信息和指令。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備140可以耦合到總 線105以存儲(chǔ)信息和指令。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備140(比如磁盤或光盤)以及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器可以 耦合到電子系統(tǒng)100。電子系統(tǒng)100也可以通過總線105耦合到比如陰極射線管(CRT)或液晶顯示器 (IXD)的顯示設(shè)備150，用于向用戶顯示信息。字母數(shù)字式輸入設(shè)備160(包括字母數(shù)字按 鍵和其它按鍵)可以耦合到總線105，用于將信息和命令選擇傳遞給處理器110。另一類用 戶輸入設(shè)備是光標(biāo)控件170(比如鼠標(biāo)、跟蹤球或方向鍵)，用于將方向信息和命令選擇傳 遞給處理器110并控制顯示器150上的光標(biāo)移動(dòng)。電子系統(tǒng)100可以還包括網(wǎng)絡(luò)接口 180，用于提供到網(wǎng)絡(luò)(比如局域網(wǎng))的接入。 例如，網(wǎng)絡(luò)接口 180可以包括具有天線185的無線網(wǎng)絡(luò)接口，天線185可以代表一個(gè)或多個(gè) 天線。例如，網(wǎng)絡(luò)接口 180也可以包括有線網(wǎng)絡(luò)接口，用于通過網(wǎng)絡(luò)纜線187與遠(yuǎn)程設(shè)備 進(jìn)行通信，例如，網(wǎng)絡(luò)纜線187可以是以太網(wǎng)纜線、同軸電纜、光纖纜線、串行纜線或并行纜 線。在一個(gè)實(shí)施方式中，例如，通過符合IEEE 802. Ilb和/或IEEE 802. Ilg標(biāo)準(zhǔn)，網(wǎng) 絡(luò)接口 180可以提供到局域網(wǎng)的接入；和/或，例如，通過符合藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)，無線網(wǎng)絡(luò)接口可以 提供到個(gè)域網(wǎng)的接入。也可以支持其它無線網(wǎng)絡(luò)接口和/或協(xié)議。IEEE 802. Ilb 對(duì)應(yīng)于 1999 年 9 月 16 日經(jīng)審定的題為"Local and Metropolitan Area Networks, Part 11 :ffireless LAN Medium Access Control(MAC)and Physical Layer(PHY)Specifications :Higher_Speed Physical Layer Extension in the 2. 4 GHz Band” 的 IEEE Md. 802. llb-1999 以及有關(guān)的文件。IEEE 802. Ilg 對(duì)應(yīng)于 2003 年 6 月 27 HΙ Φ^^11 "Local and Metropolitan Area Networks, Part 11 :ffireless LAN Medium Access Control(MAC)and Physical Layer(PHY)Specifications, Amendment 4 Further Higher Rate Extension in the 2. 4 GHz Band，，的 IEEE Std. 802. llg-2003 \)JsR 有關(guān)的文件。在Bluetooth Special Interest Group有限公司于2001年2月22日公布 的"Specification of the Bluetooth System :Core, Version 1. 1” 中描述了藍(lán)牙協(xié)議。 也可以支持藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)聯(lián)的以及先前或后續(xù)的版本。除了通過無線LAN標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行通信以外或者替代這種通信，網(wǎng)絡(luò)接口 180可以提供 使用下列協(xié)議的無線通信例如，時(shí)分多址(TDMA)協(xié)議，全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)協(xié)議，碼 分多址(CDMA)協(xié)議，和/或任何其它類型的無線通信協(xié)議。在各個(gè)實(shí)施方式中，可以使用不同的多項(xiàng)式方程來產(chǎn)生校驗(yàn)和值。下面的描述是 基于使用兩個(gè)多項(xiàng)式的兩個(gè)實(shí)施方式。在使用其它多項(xiàng)式的同時(shí)使用相同的概念就可以實(shí) 現(xiàn)替換的實(shí)施方式。所描述的兩個(gè)多項(xiàng)式分別提供了最大的差錯(cuò)檢測和最少的門數(shù)。在一個(gè)實(shí)施方式中，8次多項(xiàng)式P (χ) = χ8+χ5+χ3+χ2+χ+1被用于產(chǎn)生循環(huán)冗余校驗(yàn)和，該循環(huán)冗余校驗(yàn)和提供了每72-位傳輸期間的三位 差錯(cuò)檢測加上每X8DRAM數(shù)據(jù)傳輸期間的8-位碼元差錯(cuò)檢測。在一個(gè)實(shí)施方式中，CRC硬 件是由334個(gè)2-輸入M)R門按照深度為6的樹構(gòu)造成的。在替換的實(shí)施方式中，可以使用 其它樹結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，可以使用下列的方程(其中，表示XOR函數(shù))
校驗(yàn)和位0 = (D[70] "D[69] "D[67] "D[64] "D[63] "D[61] "D[59] "D[58] "D[54] "D[ 53] "D[51] "D[50] "D[49] "D[46] "D[45] "D[44] "D[42] "D[38] "D[37] "D[36] "D[35] "D[33] "D [32] "D[31] "D[30] "D[27] "D[25] "D[24] "D[23] "D[22] "D[21] "D[15] "D[12] "D[11] "D[10]“ D[9]"D[8]"D[7]"D[5]"D[3]"D
)校驗(yàn)和位1 = (D [71] "D [69] "D [68] "D [67] "D [65] "D [63] "D [62] "D [61] "D [60] "D [ 58] "D[55] "D[53] "D[52] "D[49] "D[47] "D[44] "D[43] "D[42] "D[39] "D[35] "D[34] "D[30] "D"D[27] "D[26] "D[21] "D[16] "D[15] "D[13] "D[7] "D[6] "D[5] "D[4] "D[3] "D[1] "D
)校驗(yàn)和位2 = (D [68] "D [67] "D [66] "D [62] "D [58] "D [56] "D [51] "D [49] "D [48] "D [ 46] "D[43] "D[42] "D[40] "D[38] "D[37] "D[33] "D[32] "D[30] "D[29] "D[28] "D[25] "D[24] "D [23]"D[21]"D[17]"D[16]"D[15]"D[14]"D[12]"D[11]"D[10]"D[9]"D[6]"D[4]"D[3]"D[2] "D[1]"D
)校驗(yàn)和位3 = (D [70] "D [68] "D [64] "D [61] "D [58] "D [57] "D [54] "D [53] "D [52] "D [
51]"D[47] "D[46] "D[45] "D[43] "D[42] "D[41] "D[39] "D[37] "D[36] "D[35] "D[34] "D[32] "D"D[27] "D[26] "D[23] "D[21] "D[18] "D[17] "D[16] "D[13] "D[9] "D[8] "D[4] "D[2] "D[1] "D
)校驗(yàn)和位4 = (D [71] "D [69] "D [65] "D [62] "D [59] "D [58] "D [55] "D [54] "D [53] "D [
52]"D [48] "D [47] "D [46] "D [44] "D [43] "D [42] "D [40] "D [38] "D [37] "D [36] "D [35] "D [33] "D"D[28] "D[27] "D[24] "D[22] "D[19] "D[18] "D[17] "D[14] "D[10] "D[9] "D[5] "D[3] "D[2 ]"D[1])校驗(yàn)和位5 = (D [69] "D [67] "D [66] "D [64] "D [61] "D [60] "D [58] "D [56] "D [55] "D [
51]"D[50] "D[48] "D[47] "D[46] "D[43] "D[42] "D[41] "D[39] "D[35] "D[34] "D[33] "D[32] "D"D[29] "D[28] "D[27] "D[24] "D[22] "D[21] "D[20] "D[19] "D[18] "D[12] "D[9] "D[8] "D[ 7]"D[6]"D[5]"D[4]"D[2]"D
)校驗(yàn)和位6 = (D [70] "D [68] "D [67] "D [65] "D [62] "D [61] "D [59] "D [57] "D [56] "D [
52]"D[51] "D[49] "D[48] "D[47] "D[44] "D[43] "D[42] "D[40] "D[36] "D[35] "D[34] "D[33] "D"D[30] "D[29] "D[28] "D[25] "D[23] "D[22] "D[21] "D[20] "D[19] "D[13] "D[10] "D[9] "D [8]"D[7]"D[6]"D[5]"D[3]"D[1])校驗(yàn)和位7 = (D [71] "D [69] "D [68] "D [66] "D [63] "D [62] "D [60] "D [58] "D [57] "D [
53]"D[52] "D[50] "D[49] "D[48] "D[45] "D[44] "D[43] "D[41] "D[37] "D[36] "D[35] "D[34] "D"D[31] "D[30] "D[29] "D[26] "D[24] "D[23] "D[22] "D[21] "D[20] "D[14] "D[11] "D[10]“ D[9]"D[8]"D[7]"D[6]"D[4]"D[2])圖2示出了可以與CRC多項(xiàng)式P(x) = x8+x5+x3+x2+x+l 一起使用的差錯(cuò)矢量表格 的一個(gè)實(shí)施方式。當(dāng)使用該CRC多項(xiàng)式來檢索并評(píng)估經(jīng)檢索的數(shù)據(jù)和校驗(yàn)和位時(shí)，零結(jié)果 表示沒有差錯(cuò)。非零結(jié)果表示有差錯(cuò)，并且在許多情況下提供關(guān)于該差錯(cuò)和校正的信息。在一個(gè)實(shí)施方式中，如果標(biāo)識(shí)了永久故障，則發(fā)生故障的DRAM或插口引腳碼元的 位置被記錄在存儲(chǔ)器控制器中，并且對(duì)發(fā)生故障的8-位碼元數(shù)據(jù)執(zhí)行多達(dá)256次位翻轉(zhuǎn)嘗 試，直到校驗(yàn)和等于零。當(dāng)這些嘗試使校驗(yàn)和是零時(shí)，該數(shù)據(jù)已被校正。多個(gè)CRC邏輯塊可 以被構(gòu)造并被流水線化，以使這些嘗試的等待時(shí)間達(dá)到最小。存儲(chǔ)器控制器存儲(chǔ)了每個(gè)存 儲(chǔ)器行列中哪一個(gè)DRAM具有永久故障，并且這種信息可以在該發(fā)生故障的DRAM被頻繁地讀取時(shí)被用于減少校正等待時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施方式中，如果沒有標(biāo)識(shí)出永久故障，則存儲(chǔ)器控制器對(duì)照1-位故障標(biāo) 識(shí)符的72條目表格來比較8-位校驗(yàn)和差錯(cuò)矢量。如果該校驗(yàn)和匹配于該表格中的一條 目，則那一個(gè)數(shù)據(jù)位就被反轉(zhuǎn)并且再次計(jì)算校驗(yàn)和。全零校驗(yàn)和表示經(jīng)標(biāo)識(shí)的位置處的單 個(gè)位中子差錯(cuò)曾被校正。任何非零校驗(yàn)和表示檢測到的不可校正的多-位中子故障。在經(jīng) 標(biāo)記的DRAM SDDC校正期間也查看這種72條目單個(gè)位故障表格，以捕獲在經(jīng)標(biāo)記的SDDC DRAM行列中不存在永久故障的地址處所發(fā)生的隨機(jī)1-位中子故障。在一個(gè)實(shí)施方式中，8次多項(xiàng)式P(χ) = χ8+χ2+1被用于產(chǎn)生循環(huán)冗余校驗(yàn)和，該循環(huán)冗余校驗(yàn)和提供了每72-位傳輸期間的三位 差錯(cuò)檢測加上每X8DRAM數(shù)據(jù)傳輸期間的8-位碼元差錯(cuò)檢測。在一個(gè)實(shí)施方式中，CRC硬 件是由272個(gè)2-輸入M)R門按照深度為6的樹構(gòu)造成的。在替換的實(shí)施方式中，可以使用 其它樹結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，可以使用下列的方程(其中，表示XOR函數(shù))校驗(yàn)和位0 = [69] "D [68] "D [67] "D [66] "D [64] "D [63] "D [60] "D [56] "D [54] "D [53 ]"D[52] "D[50] "D[49] "D[48] "D[45] "D[43] "D[40] "D[39] "D[35] "D[34] "D[31] "D[30] "D[2
8]"D[23] "D[21] "D[19] "D[18] "D[16] "D[14] "D[12] "D[8] "D[7] "D[6] "D
)校驗(yàn)和位1 = [70] "D [66] "D [65] "D [63] "D [61] "D [60] "D [57] "D [56] "D [55] "D [52 ]"D[51] "D[48] "D[46] "D[45] "D[44] "D[43] "D[41] "D[39] "D[36] "D[34] "D[32] "D[30] "D[2
9]"D[28] "D[24] "D[23] "D[22] "D[21] "D[20] "D[18] "D[17] "D[16] "D[15] "D[14] "D[13] "D[ 12]"D[9]"D[6]"D[1]"D
)校驗(yàn)和位2 = [71] "D [69] "D [68] "D [63] "D [62] "D [61] "D [60] "D [58] "D [57] "D [54 ]"D[50]"D[48]"D[47]"D[46]"D[44]"D[43]"D[42]"D[39]"D[37]"D[34]"D[33]"D[29]"D[2 8] "D[25] "D[24] "D[22] "D[17] "D[15] "D[13] "D[12] "D[10] "D[8] "D[6] "D[2] "D[1] "D
)校驗(yàn)和位3 = [70] "D [69] "D [64] "D [63] "D [62] "D [61] "D [59] "D [58] "D [55] "D [51 ]"D[49]"D[48]"D[47]"D[45]"D[44]"D[43]"D[40]"D[38]"D[35]"D[34]"D[30]"D[29]"D[2
6]"D[25]"D[23]"D[18]"D[16]"D[14]"D[13]"D[11]"D[9]"D[7]"D[3]"D[2]"D[1])校驗(yàn)和位4 = [71] "D [70] "D [65] "D [64] "D [63] "D [62] "D [60] "D [59] "D [56] "D [52 ]"D[50] "D[49] "D[48] "D[46] "D[45] "D[44] "D[41] "D[39] "D[36] "D[35] "D[31] "D[30] "D[2
7]"D[26] "D[24] "D[19] "D[17] "D[15] "D[14] "D[12] "D[10] "D[8] "D[4] "D[3] "D[2])校驗(yàn)和位5 = [71] "D[66] "D[65] "D[64] "D[63] "D[61] "D[60] "D[57] "D[53] "D[51 ]"D[50] "D[49] "D[47] "D[46] "D[45] "D[42] "D[40] "D[37] "D[36] "D[32] "D[31] "D[28] "D[2 7] "D[25] "D[20] "D[18] "D[16] "D[15] "D[13] "D[11] "D[9] "D[5] "D[4] "D[3])校驗(yàn)和位6 = [67] "D [66] "D [65] "D [64] "D [62] "D [61] "D [58] "D [54] "D [52] "D [51 ]"D[50] "D[48] "D[47] "D[46] "D[43] "D[41] "D[38] "D[37] "D[33] "D[32] "D[29] "D[28] "D[2
6]"D[21]"D[19]"D[17]"D[16]"D[14]"D[12]"D[10]"D[6]"D[5]"D[4])校驗(yàn)和位7 = [68] "D [67] "D [66] "D [65] "D [63] "D [62] "D [59] "D [55] "D [53] "D [52 ]"D[51] "D[49] "D[48] "D[47] "D[44] "D[42] "D[39] "D[38] "D[34] "D[33] "D[30] "D[29] "D[2
7]"D[22]"D[20]"D[18]"D[17]"D[15]"D[13]"D[11]"D[7]"D[6]"D[5])
圖3示出了可以與CRC多項(xiàng)式P (χ) = χ8+χ2+1 一起使用的差錯(cuò)矢量表格的一個(gè)實(shí) 施方式。當(dāng)使用該CRC多項(xiàng)式來檢索并評(píng)估經(jīng)檢索的數(shù)據(jù)和校驗(yàn)和位時(shí)，零結(jié)果表示沒有 差錯(cuò)。非零結(jié)果表示差錯(cuò)，并且在許多情況下提供關(guān)于該差錯(cuò)和校正的信息。在72-位代碼字中，每個(gè)1位故障具有唯一的校驗(yàn)和。這可被用于校正1-位中子 持久故障。多位故障可能會(huì)與1位故障校驗(yàn)和相混淆。這就是為什么執(zhí)行讀取-反轉(zhuǎn)-寫 入-讀取來標(biāo)識(shí)出哪一個(gè)DRAM具有任何永久的卡在1或0處的故障的原因。圖4是針對(duì)64-位數(shù)據(jù)塊計(jì)算8-位校驗(yàn)和的概念圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過將 要存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器中的64-位數(shù)據(jù)塊與被用于產(chǎn)生8-位校驗(yàn)和值的8-位段組合起來，構(gòu)造 出72-位塊。通過使用上文所描述的多項(xiàng)式，可以產(chǎn)生校驗(yàn)和值。圖5是要被寫入到存儲(chǔ)器的72-位塊的概念圖，該72-位塊包括64-位數(shù)據(jù)塊以 及8-位校驗(yàn)和。在一個(gè)實(shí)施方式中，要被寫入到存儲(chǔ)器的72-位塊包括邏輯地向左邊移位 了 8個(gè)位的64個(gè)數(shù)據(jù)位，同時(shí)串接有8-位校驗(yàn)和值作為后8個(gè)位。S卩，位8到71包含64 個(gè)數(shù)據(jù)位，并且位0到7包含8-位校驗(yàn)和值。若不存在故障，則這一實(shí)施方式在存儲(chǔ)器控 制器讀取操作期間產(chǎn)生全零校驗(yàn)和。也可以使用其它配置。例如，校驗(yàn)和值可以被存儲(chǔ)成 72-位數(shù)據(jù)塊的前8個(gè)位，并且被存儲(chǔ)器控制器邏輯操縱來提供恰當(dāng)?shù)牟铄e(cuò)檢測。圖6是從存儲(chǔ)器中讀取的72-位塊的概念圖，該72-位塊包括64-位數(shù)據(jù)塊以及用 于檢查有沒有差錯(cuò)的8-位校驗(yàn)和。如果沒有出現(xiàn)差錯(cuò)，則圖6的72-位塊與圖5的72-位 塊一模一樣。然而，如果已出現(xiàn)差錯(cuò)，則在圖6的72-位塊與圖5的72-位塊之間有一個(gè)或 多個(gè)位不一樣。為了確定是否已出現(xiàn)差錯(cuò)，針對(duì)從存儲(chǔ)器中檢索的72-位數(shù)據(jù)塊，產(chǎn)生新的8-位 校驗(yàn)和值。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過使用與針對(duì)圖4所示數(shù)據(jù)而產(chǎn)生的校驗(yàn)和值相同的 多項(xiàng)式，來產(chǎn)生從存儲(chǔ)器中讀取的塊的校驗(yàn)和值。如果新的8-位校驗(yàn)和值是全零(即 00000000)，則沒有出現(xiàn)差錯(cuò)并且這64個(gè)數(shù)據(jù)位可以被提取和使用。如果新的8-位校驗(yàn)和 值是非零，則已出現(xiàn)差錯(cuò)并且可以如上文所描述的那樣進(jìn)行校正。圖7是利用從存儲(chǔ)器中讀取的數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和值的差錯(cuò)校正技術(shù)的一個(gè)實(shí)施方式 的流程圖。從存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)塊(700)。在一個(gè)實(shí)施方式中，從存儲(chǔ)器中讀取的數(shù)據(jù)塊是 按圖6所示那樣進(jìn)行配置的。針對(duì)該數(shù)據(jù)塊，確定校驗(yàn)和值，并且如果沒有差錯(cuò)(70 ，就使 用該數(shù)據(jù)(710)。如果校驗(yàn)和值指示有差錯(cuò)(705)，則啟動(dòng)差錯(cuò)校正(715)。在一個(gè)實(shí)施方式中，第 一個(gè)差錯(cuò)校正動(dòng)作是從存儲(chǔ)器中重新讀取該數(shù)據(jù)，以除去瞬時(shí)故障(720)。針對(duì)該重新讀取 的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生校驗(yàn)和值，并且檢查有沒有差錯(cuò)(725)。如果沒有差錯(cuò)(725)，則瞬時(shí)信令差錯(cuò) 已被除去(730)，并且可以使用該數(shù)據(jù)。如果已檢測到差錯(cuò)(725)，則存儲(chǔ)器控制器可以確定正在讀取的行列中的存儲(chǔ)器 設(shè)備(比如DRAM)是否已被標(biāo)記為具有永久差錯(cuò)(735)。如果存儲(chǔ)器設(shè)備已被標(biāo)記(735)， 則可以將所產(chǎn)生的校驗(yàn)和值與差錯(cuò)表格進(jìn)行比較(740)。在一個(gè)實(shí)施方式中，該差錯(cuò)表格 存儲(chǔ)了用于上述72個(gè)位中的每一個(gè)位的一個(gè)唯一的8-位校驗(yàn)和差錯(cuò)指示符，以提供所有 1-位持久和永久故障的有效校正。來自該差錯(cuò)表格的信息可以被用于標(biāo)識(shí)發(fā)生故障的存儲(chǔ)器設(shè)備，并且避免可能的 與其它存儲(chǔ)器設(shè)備相混淆的問題。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過使數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)并且將經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)重新寫入到存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器控制器可以測試有沒有永久故障(745)。從存儲(chǔ)器中讀取經(jīng)反 轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)(750)。如果讀取經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)的結(jié)果指示了多個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)備中的永久故障(755)，則不 可校正的永久故障已被發(fā)現(xiàn)(760)，并且無法被校正。如果讀取經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)的結(jié)果指示了 僅僅一個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)備中的永久故障(755)，則對(duì)該數(shù)據(jù)執(zhí)行差錯(cuò)校正嘗試(765)。在一個(gè)實(shí)施方式中，差錯(cuò)校正嘗試可以通過下列操作來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生該數(shù)據(jù)的校驗(yàn) 和值，再加上校驗(yàn)和值的每一次可能的迭代，直到產(chǎn)生了表明沒有差錯(cuò)的所得校驗(yàn)和值。對(duì) 于使用8-位校驗(yàn)和值的系統(tǒng)而言，這可能會(huì)有多達(dá)256次迭代。如果這些迭代之一產(chǎn)生了 無差錯(cuò)校驗(yàn)和值(770)，則相應(yīng)的數(shù)據(jù)值是正確的值并且可以被使用。如果這些迭代都沒有產(chǎn)生無差錯(cuò)校驗(yàn)和值(770)，則存在不可校正的永久故障 (760)。在一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器控制器標(biāo)記了壞的存儲(chǔ)器設(shè)備(775)，使得可以做出后續(xù) 校正，而無需上文所描述的迭代的校正處理。返回到校驗(yàn)和表格的使用(740)，如果校驗(yàn)和并不匹配該表格，則啟動(dòng)迭代的嘗試 處理(765)。校正(770)，或不可校正的永久故障的標(biāo)識(shí)(760)都如上文所描述的那樣繼續(xù) 下去。返回到確定存儲(chǔ)器設(shè)備是否已被標(biāo)記(735)，如果沒有，則存儲(chǔ)器控制器可以通過 使數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)并將數(shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)器來測試有沒有永久故障(780)。重新讀取上述存儲(chǔ)器位 置(785)。如果讀取經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)指示了僅僅一個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)備中的永久故障(790)，則通過 讀取-反轉(zhuǎn)-寫入-讀取這一過程而確定的卡住的位位置可以被用作關(guān)于故障位置的“提 示”。通過首先使用這些位置所對(duì)應(yīng)的差錯(cuò)矢量，可以執(zhí)行校正嘗試迭代，這可以使迭代次 數(shù)更少以找出正確的結(jié)果(765)。如果在多個(gè)存儲(chǔ)器位置中發(fā)現(xiàn)永久故障(800)，則不可校正的永久故障已被發(fā)現(xiàn) (760)。如果有并非永久故障的多個(gè)位差錯(cuò)(785和790)，則有多-位持久軟差錯(cuò)(810)。 如果校驗(yàn)和值與該表格中的1-位故障相匹配(810)，則經(jīng)標(biāo)識(shí)的位可以被翻轉(zhuǎn)(820)，以嘗 試校正該持久軟差錯(cuò)。針對(duì)具有經(jīng)翻轉(zhuǎn)的位的數(shù)據(jù)，產(chǎn)生校驗(yàn)和值，以確定差錯(cuò)是否持續(xù) (825)，這指示了已出現(xiàn)了混淆并且不可校正的多-位差錯(cuò)已被檢測到(830)。如果校驗(yàn)和 與該表格中的條目并不匹配(815)，則已出現(xiàn)了混淆并且不可校正的多-位差錯(cuò)已被檢測 到(830)。在本說明書中，所提到的“一個(gè)實(shí)施方式”或“實(shí)施方式”意味著結(jié)合該實(shí)施方式 所描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式中。本文中多處出 現(xiàn)的表述“在一個(gè)實(shí)施方式中”并不必然地全部指代相同的實(shí)施方式。盡管已結(jié)合若干個(gè)實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到本發(fā) 明并不限于所描述的實(shí)施方式，而是可以在權(quán)利要求書的精神和范圍之內(nèi)做出修改和變化 的情況下實(shí)施本發(fā)明。由此，說明書被視為示出性的，而非限制性的。
1權(quán)利要求
1.一種方法，包括使用多項(xiàng)式方程產(chǎn)生與64-位數(shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的8-位校驗(yàn)和值； 使所述8-位校驗(yàn)和值與所述64-位數(shù)據(jù)值串接起來以形成72-位數(shù)據(jù)塊； 將所述72-位數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器中； 從所述存儲(chǔ)器中讀取所述72-位數(shù)據(jù)塊；針對(duì)從所述存儲(chǔ)器中讀取的所述72-位數(shù)據(jù)塊，使用所述多項(xiàng)式方程產(chǎn)生新的校驗(yàn)和值；如果新的校驗(yàn)和值指示了差錯(cuò)，則對(duì)來自一個(gè)DRAM的1-位持久故障或8-位永久故障 啟用差錯(cuò)校正操作。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述8-位校驗(yàn)和值基于包括帶有8個(gè)前導(dǎo)零位的64-位數(shù)據(jù)值的72-位值產(chǎn)生。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述8-位校驗(yàn)和值是使用下列多項(xiàng)式產(chǎn)生的P(x) = x8+x5+x3+x2+x+l0
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述8-位校驗(yàn)和值是使用下列多項(xiàng)式產(chǎn)生的P(x) = x8+x2+l0
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括九個(gè)8-位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)部件。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若新的校驗(yàn)和值指示了差錯(cuò)則啟用差錯(cuò)校 正操作包括使數(shù)據(jù)位反轉(zhuǎn)；將經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位寫入到存儲(chǔ)器； 從存儲(chǔ)器中讀取經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位；將來自存儲(chǔ)器的經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位與經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位進(jìn)行比較以確定是否已出現(xiàn)位差T曰；對(duì)位差錯(cuò)進(jìn)行校正。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若新的校驗(yàn)和值指示了差錯(cuò)則啟用差錯(cuò)校 正操作包括針對(duì)可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值的多次迭代，產(chǎn)生校驗(yàn)和值；評(píng)估針對(duì)可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值而產(chǎn)生的校驗(yàn)和值；選擇與指示沒有差錯(cuò)的校驗(yàn)和值相對(duì)應(yīng)的可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值；將與指示沒有差錯(cuò)的校驗(yàn)和值相對(duì)應(yīng)的可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值指定為正確的數(shù)據(jù)值；返回該正確的數(shù)據(jù)值。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括 維持已知永久差錯(cuò)的表格；以及當(dāng)新的校驗(yàn)和值指示了數(shù)據(jù)差錯(cuò)時(shí)，使用所述表格來校正數(shù)據(jù)差錯(cuò)。
9.一種系統(tǒng)，包括具有多個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)備的存儲(chǔ)器；與所述存儲(chǔ)器相耦合的存儲(chǔ)器控制器，所述存儲(chǔ)器控制器使用多項(xiàng)式方程產(chǎn)生與64-位數(shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的8-位校驗(yàn)和值、使8-位校驗(yàn)和值與64-位數(shù)據(jù)值串接起來以形成 72-位數(shù)據(jù)塊并且將72-位數(shù)據(jù)塊存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器中，所述存儲(chǔ)器控制器還從存儲(chǔ)器中讀取 72-位數(shù)據(jù)塊、針對(duì)從存儲(chǔ)器中讀取的72-位數(shù)據(jù)塊使用多項(xiàng)式方程產(chǎn)生新的校驗(yàn)和值、并 且若新的校驗(yàn)和值指示了差錯(cuò)則啟動(dòng)差錯(cuò)校正操作。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述8-位校驗(yàn)和值基于包括帶有8個(gè)前導(dǎo)零位的64-位數(shù)據(jù)值的72-位值產(chǎn)生。
11.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述8-位校驗(yàn)和值是使用下列多項(xiàng)式產(chǎn)生的P(x) = x8+x5+x3+x2+x+l0
12.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述8-位校驗(yàn)和值是使用下列多項(xiàng)式產(chǎn)生的P(x) = x8+x2+l0
13.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括九個(gè)8-位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)部件。
14.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，若新的校驗(yàn)和值指示了差錯(cuò)則啟用差錯(cuò)校正操作包括所述存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行下列操作使數(shù)據(jù)位反轉(zhuǎn)；將經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位寫入到存儲(chǔ)器； 從存儲(chǔ)器中讀取經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位；將來自存儲(chǔ)器的經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位與經(jīng)反轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)位進(jìn)行比較以確定是否已出現(xiàn)位差位；對(duì)位差錯(cuò)進(jìn)行校正。
15.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，若新的校驗(yàn)和值指示了差錯(cuò)則啟用差錯(cuò)校正操作包括所述存儲(chǔ)器控制器執(zhí)行下列操作針對(duì)可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值的多次迭代，產(chǎn)生校驗(yàn)和值；評(píng)估針對(duì)可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值而產(chǎn)生的校驗(yàn)和值；選擇與指示沒有差錯(cuò)的校驗(yàn)和值相對(duì)應(yīng)的可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值；將與指示沒有差錯(cuò)的校驗(yàn)和值相對(duì)應(yīng)的可能的經(jīng)校正的數(shù)據(jù)值指定為正確的數(shù)據(jù)值；返回該正確的數(shù)據(jù)值。
16.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器控制器還執(zhí)行下列操作 維持具有永久差錯(cuò)的已知存儲(chǔ)器部件的表格；以及當(dāng)新的校驗(yàn)和值指示了數(shù)據(jù)差錯(cuò)時(shí)，使用所述表格來校正數(shù)據(jù)差錯(cuò)。
全文摘要
與常規(guī)的機(jī)制相比，本文所描述的8-位寬數(shù)據(jù)差錯(cuò)檢測和校正機(jī)制需要更少的存儲(chǔ)器芯片，因此提供了減小的系統(tǒng)復(fù)雜度和減小的系統(tǒng)功耗。這種技術(shù)依賴于測試固定的一組可能的解決方案以便校正故障。這種差錯(cuò)代碼提供了非常高的差錯(cuò)檢測速率，但需要一組差錯(cuò)嘗試來校正檢測到的故障?？紤]到其發(fā)生頻率很低，針對(duì)不頻繁差錯(cuò)的額外校正等待時(shí)間可能是可接受的。對(duì)于重復(fù)的校正，可以維持一日志，以簡化差錯(cuò)校正。
文檔編號(hào)G11C29/42GK102117662SQ201010620099
公開日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者D·W·布魯茲辛斯基 申請(qǐng)人:英特爾公司