專利名稱：制造磁疇數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施例可涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，例如，涉及這樣的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，所述數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)裝置可通過移動(dòng)磁性材料中的磁疇壁來記錄、存儲(chǔ)和/或擦除數(shù)據(jù)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的具有高速和/或緊湊尺寸的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置已經(jīng)被開發(fā)出來。通常，可 用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)可包括讀/寫頭和/或一個(gè)或多個(gè)可記錄數(shù)據(jù)的盤 片?，F(xiàn)有技術(shù)的HDD可存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)(100千兆字節(jié)(GB)或更多)。由于磨損，現(xiàn)有技術(shù)的 HDD的性能可被降低，并可能因此發(fā)生故障。因此，現(xiàn)有技術(shù)的HDD的可靠性可被降低?，F(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可利用磁性材料中的磁疇壁的移動(dòng)來增加可靠性。圖IA和圖IB是示出現(xiàn)有技術(shù)的裝置中的磁疇壁的移動(dòng)原理的示意圖。如圖IA 所示，磁線可包括第一磁疇11、第二磁疇12和/或作為第一磁疇11與第二磁疇12之間 的邊界的磁疇壁13。通常，磁體內(nèi)的微磁區(qū)域被稱為磁疇。在磁疇中，電子的運(yùn)動(dòng)(即磁矩的方向)可 大體一致?？赏ㄟ^磁性材料的形狀和/或大小和/或施加到磁性材料上的外部能量來控制 磁疇的大小和磁化方向。磁疇壁可以是具有不同磁化方向的磁疇的邊界?？赏ㄟ^施加到磁 性材料的磁場(chǎng)和/或電流來移動(dòng)磁疇壁。如圖IA所示，在具有可確定的寬度和厚度的第一磁層中形成具有磁矩的多個(gè)磁 疇之后，可通過從外部施加適當(dāng)?shù)拇艌?chǎng)和/或電流來移動(dòng)磁疇壁。如圖IB所示，如果外部電流沿從第一磁疇11到第二磁疇12的方向被施加到第一 磁層，則磁疇壁13可向第一磁疇11移動(dòng)。如果施加相反的電流，則電子可沿相反方向流動(dòng)， 磁疇壁13可沿與電子相同的方向移動(dòng)。這就是說，磁疇壁13可沿與施加外部電流的方向 相反的方向移動(dòng)。如果施加從第二磁疇12到第一磁疇11的電流，則磁疇壁13可從第一磁 疇11向第二磁疇12移動(dòng)。因此，通過施加外部磁場(chǎng)或電流，磁疇壁13可移動(dòng)，從而移動(dòng)磁 疇11和磁疇12。磁疇壁的移動(dòng)原理可應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，例如HDD或非易失性RAM?？梢岳?這樣的原理，即在具有沿特定方向磁化的磁疇和位于磁疇之間的磁疇壁的材料中，線性磁 性材料的電壓可根據(jù)磁疇壁的移動(dòng)而變化，來創(chuàng)建可寫入和/或讀取數(shù)據(jù)(如“0”或“1”) 的非易失性存儲(chǔ)裝置。可通過將電流施加到線性磁性材料來改變磁疇壁的位置以寫入和/ 或讀取數(shù)據(jù)，從而可制造具有較簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的較高集成的裝置。通過使用磁疇壁的移動(dòng)原理， 可以制造具有比現(xiàn)有技術(shù)的FRAM、MRAM和/或PRAM的存儲(chǔ)容量更大的存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)裝 置。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實(shí)施例可提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置及制造數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的方法，其中，所述數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)裝置使用磁疇壁的移動(dòng)，且/或具有可減少或防止由用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)磁道的第一磁層的 邊緣區(qū)導(dǎo)致的釘扎效應(yīng)(pinning effect)的結(jié)構(gòu)。示例性實(shí)施例可提供一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括具有至少兩個(gè)磁疇 的第一磁層和第一磁層下表面上的第二軟磁層，其中，所述至少兩個(gè)磁疇具有磁化方向。第二軟磁層也可位于第一磁層的側(cè)面上。第二軟磁層也可位于第一磁層的上表面上。第一磁層可由具有105J/m3至107J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。第一磁層可由例如CoPt、CoCrPt、FePt、SmCo、TbCoFe和/或這些材料任何一種的 合金形成。第二磁層可由具有10J/m3至103J/m3的磁各向異性常數(shù)的材料形成。第二軟磁層可由例如NiFe、CoFe、CoFeNi、Co&Nb、CoTa&和/或這些材料任何一 種的合金形成。第一磁層可具有Inm至IOOnm的厚度。第二軟磁層可具有Inm至50nm的厚度。制造使用磁疇壁的移動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的示例性方法可包括將第一聚合物涂在 基底上；使用圖案化的主模壓制所述第一聚合物；和/或硬化第一聚合物。然后可從第一聚 合物分離主模；可將第二軟磁層和第一磁層涂在所述第一聚合物上?？墒褂盟鲋髂嚎s 所述第二聚合物；可在所述第一磁層和所述第二聚合物上形成覆蓋層。然后可通過蝕刻去 除所述覆蓋層和第一磁層的上部。所述第一聚合物和第二聚合物可由例如2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、丙烯 酸四氫糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物和/或丙烯酸酯化的環(huán)氧預(yù)聚物形成。


通過參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，示例性實(shí)施例的上述和其他特征和 /或優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更清楚，其中圖IA和圖IB是示出現(xiàn)有技術(shù)的裝置中的磁疇壁的移動(dòng)原理的示意圖；圖IC是示出在現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中移動(dòng)的磁疇壁的示意圖；圖2A是示出使用磁疇移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的剖面圖；圖2B是示出使用磁疇移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的平面圖；圖3是使用磁疇壁移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的等距視圖；圖4A至圖41示出用于制造使用磁疇壁移動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的示例性方法；圖5是對(duì)兩種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的磁疇壁的移動(dòng)速度進(jìn)行比較的曲線圖，其一是具有 FePt單層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其二是具有包括FePt第一磁層和/或Co&Nb 第二軟磁層的多層結(jié)構(gòu)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中，兩種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置均具有 約400nm的長(zhǎng)度。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖更全面地描述示例性實(shí)施例。然而，示例性實(shí)施例可以以多種不 同的形式來實(shí)施，而不應(yīng)理解為限于這里闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí) 施例以使本公開是徹底的和完全的，并將示例性實(shí)施例的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人 員。在附圖中，為了清晰起見，放大了層和區(qū)域的厚度。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件被稱作在另一組件“上”、“連接到”、“電連接到”或“結(jié)合到” 另一組件時(shí)，該元件可以直接在另一組件上，直接連接、電連接或結(jié)合到另一組件，或者可 以存在中間組件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接”在另一組件“上”、“直接連接到”、“直接電連 接到，，或“直接結(jié)合到，，另一組件時(shí)，不存在中間組件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包 括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組 件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限 制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、 層和/或部分區(qū)分開來。例如，在不脫離示例性實(shí)施例的教導(dǎo)的情況下，第一元件、組件、區(qū) 域、層和/或部分可被稱作第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。為了便于描述，在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語，如“在...之下”、“在...下方”、“下 面的”、“在.· ·上方”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)組件和/或特征與其它組 件和/或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對(duì)術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之 外的裝置在使用或操作中的不同方位。這里所使用的術(shù)語僅為了描述特定的示例性實(shí)施例，并不意圖限制示例性實(shí)施 例。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng) 理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，說明存在所述特征、整體、步 驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元 件和/或組件。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與示 例性實(shí)施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還應(yīng)理解的是，除非 這里明確定義，否則術(shù)語(諸如在通用字典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域 的語境中它們的意思一致的意思，而不應(yīng)該以理想的或者過于正式的含義來解釋它們。在使用磁疇壁的移動(dòng)原理的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中，具有較高磁各向異性 (Ku較高)的材料可以以線的形式被用作第一磁層，且/或可被用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)磁道。如圖 IC所示，可通過使用現(xiàn)有技術(shù)的沉積工藝形成的第一磁層可在其表面上有彎曲。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)， 如果彎曲密集，則可形成邊緣區(qū)E。因此，在邊緣區(qū)E中可產(chǎn)生可造成磁疇壁的移動(dòng)速度顯 著下降的釘扎效應(yīng)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，如果磁疇壁的移動(dòng)速度下降，則數(shù)據(jù)的記錄和/或擦除的速 度可被降低?，F(xiàn)在將描述示例性實(shí)施例，所述示例性實(shí)施例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號(hào)可 始終表示相同的組件。圖2A是示出使用磁疇移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的剖面圖。如圖2A所 示，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可包括具有至少兩個(gè)磁疇的用于記錄數(shù)據(jù)的第一磁層21和/或位于第一 磁層21的至少一個(gè)表面上的第二軟磁層22。
圖2B是示出圖2A的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的平面圖。如圖2B所示，第二 軟磁層22可位于第一磁層21的側(cè)面上，磁疇壁DW可位于磁疇Dl和D2之間。在圖2A和 圖2B中，第二軟磁層22可位于第一磁層21的三個(gè)側(cè)面上；然而，第二軟磁層22也可形成 于第一磁層21的一個(gè)側(cè)面上。舉例來說，第二磁層22可只位于第一磁層21的下表面上， 或可位于第一磁層21的下表面和上表面上，或可包圍第一磁層21。第一磁層21可由具有較高磁各向異性常數(shù)(例如，在大約105J/m3至大約107J/m3 的范圍內(nèi))的材料形成，并由具有可提高磁記錄密度的垂直磁化的材料制成。例如，第一磁 層21可由CoPt、CoCrPt、FePt、SmCo、TbCoFe和/或其他合適的材料形成。第一磁層21可 具有大約Inm至大約IOOnm的厚度。第二軟磁層22可由具有比第一磁層21的磁各向異性常數(shù)小的磁各向異性常數(shù) 的材料形成。第二軟磁層22可由具有小于103J/m3(例如，大約10J/m3至大約103J/m3)的 磁各向異性常數(shù)的材料形成。舉例來說，第二軟磁層22可由NiFe、CoFe, CoFeNi, CoZrNb, CoTaZr和/或其他合適的材料形成。第二軟磁層22可具有大約Inm至大約50nm的厚度。圖3是包括使用磁疇壁移動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的 示意圖。如圖3所示，示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可包括寫磁道31、存儲(chǔ)和緩沖磁道32 和/或存儲(chǔ)磁道33。第一連接層34a可位于寫磁道31以及存儲(chǔ)和緩沖磁道32之間，第二 連接層34b可位于存儲(chǔ)和緩沖磁道32以及存儲(chǔ)磁道33之間。寫磁道31可包括用于記錄數(shù)據(jù)的具有不同磁化方向的至少兩個(gè)磁疇。可位于存 儲(chǔ)和緩沖磁道32左側(cè)的緩沖磁道32a可存取和/或讀取記錄的數(shù)據(jù)。為了讀取數(shù)據(jù)，磁疇 的磁化方向可被確定，緩沖磁道32a中的磁電阻裝置35可完成此任務(wù)。磁電阻裝置35可 以是例如巨磁電阻(GMR)裝置或隧道磁電阻(TMR)裝置，所述GMR裝置和TMR裝置可具有 鐵磁材料的釘扎層(Pinned layer)、非磁性材料(如CiuAl2O3等)的非磁性層和/或鐵磁 材料的自由層?？晌挥诖鎯?chǔ)和緩沖磁道32的右側(cè)的存儲(chǔ)磁道32b可存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。整個(gè)存儲(chǔ) 磁道33可以是存儲(chǔ)磁道(33a、33b)。在圖3中，緩沖磁道32a可與第一磁層(寫磁道)31 分離；然而，如果寫磁道31具有大約與存儲(chǔ)和緩沖磁道32的長(zhǎng)度相同或比存儲(chǔ)和緩沖磁道 32長(zhǎng)的長(zhǎng)度，則寫磁道31也可以是緩沖磁道。為了提高記錄密度，可在存儲(chǔ)磁道33上形成 另外的第一磁層。下面，將對(duì)在如圖3所示的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中記錄和/或讀取數(shù)據(jù) 的示例性方法進(jìn)行描述。首先，將描述記錄數(shù)據(jù)的方法。如果具有向上磁化方向的磁疇中的數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)于 “1”，則具有向下磁化方向的磁疇中的數(shù)據(jù)值對(duì)應(yīng)于“O”。具有不同磁化方向的多個(gè)磁疇可 在磁層31(寫磁道)中形成，并且磁疇壁可位于磁疇之間。數(shù)據(jù)值“1”可以以下面的方式 被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)磁道32b中。如果施加電流使得電子從寫磁道31的右端流向左端，則磁疇壁 可沿電子流動(dòng)的方向移動(dòng)，具有向上磁化方向的磁疇可向第一連接層34a移動(dòng)?？墒┘与?流使得電子從寫磁道31的右端向存儲(chǔ)磁道32b移動(dòng)。第一連接層34a下部的磁疇可通過 第一連接層34a移動(dòng)到存儲(chǔ)磁道32b。其結(jié)果是，具有數(shù)據(jù)值“1”的磁疇可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)磁 道32b中。其次，將描述讀取數(shù)據(jù)的方法。為了讀取磁疇的磁化方向，磁疇可被移動(dòng)到可附著磁電阻裝置35的緩沖磁道32a。可通過緩沖磁道32a和存儲(chǔ)磁道32b施加電流。為使電子 從存儲(chǔ)磁道32b移動(dòng)到緩沖磁道32a，可沿相反方向(即，從緩沖磁道32a到存儲(chǔ)磁道32b) 施加電流。隨著存儲(chǔ)磁道32b的磁疇經(jīng)過緩沖磁道32a中的磁電阻裝置35，磁電阻裝置35 可讀取存儲(chǔ)磁道32b的每個(gè)區(qū)域的磁疇的磁化方向。因此，可讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)磁道32b中 的數(shù)據(jù)值。將參照?qǐng)D4A至圖41描述用于制造使用磁疇壁移動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的示例 性方法。使用磁疇壁的移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可通過利用納米壓印 (nano-imprinting)方法形成；然而，也可使用其他方法。如圖4A所示，在基底41上涂聚合物42?；?1可以是在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置 的制造工藝中使用的基底。聚合物42可以是例如2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、丙 烯酸四氫糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物、丙烯酸酯化的環(huán)氧預(yù)聚物和/或其 他合適的聚合物。主模43可安裝在聚合物42上。主模43可具有不平坦的表面圖案。如圖4B所示，主模43可接觸聚合物42，可對(duì)主模43施加壓力以將主模43的圖案 傳送到聚合物42。因此，聚合物42可具有按照與主模43的圖案的反向形成的圖案。通過 對(duì)聚合物42加熱和/或使用UV射線輻射聚合物42，聚合物42可被硬化。如圖4C所示，在 聚合物42被硬化之后，可從聚合物42上分離主模43。如圖4D所示，利用濺射方法等，可將具有大約Inm到大約50nm的厚度的第二軟磁 性材料(例如，NiFe、CoFe、CoFeNi、Co&Nb和/或CoTaZr)涂在基底41和聚合物42上，以 形成第二軟磁層44。如圖4E所示，可將具有大約Inm到大約IOOnm的厚度的具有較高磁各向異性常數(shù) (Ku較高)的材料(例如，CoPt、CoCrPt、FePt、SmCo、TbCoFe和/或其他合適的材料)涂在 第二軟磁層44上，以形成第一磁層45。如圖4F所示，聚合物46 (可以是例如，2_羥基_2_甲基苯基丙酮、丙烯酸 四氫糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物、丙烯酸酯化的環(huán)氧預(yù)聚物和/或其他合 適的聚合物)可被涂在第一磁層45上，并且主模43可放置成與聚合物46接觸，并可對(duì)聚 合物46施加壓力。如圖4G所示，在去除主模43之后，第一磁層45的上部區(qū)域A中的聚合 物46可被保留，而可通過任何合適的方法去除下部區(qū)域B中的聚合物46，以露出下部區(qū)域 B的表面?？墒褂美缂{米壓印方法硬化聚合物46。如圖4H所示，非磁性材料(如Cu、Ag、Al和/或其他非磁性材料)可形成在第一 磁層45上，并可與聚合物46 —起被電鍍以形成覆蓋層47。如圖41所示，通過蝕刻處理，下 部區(qū)域B的第一磁層45可被暴露。第一磁層45的側(cè)面和/或下部可被第二軟磁層44包 圍。在蝕刻處理期間，非磁性覆蓋層47可保護(hù)下部區(qū)域B的第一磁層45。圖5是對(duì)兩種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的磁疇壁的移動(dòng)速度進(jìn)行比較的曲線圖，其一是具有 FePt單層結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其二是具有包括FePt第一磁層和Co&Nb第 二軟磁層的多層結(jié)構(gòu)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，其中，兩種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置均具有約 400nm的長(zhǎng)度。如圖5所示，與由單一 FePt層(單層)形成的現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置相比，示 例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置(雙層)中磁疇壁在單位時(shí)間(ns)移動(dòng)的距離可以更大。使用磁疇壁的移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可具有以下優(yōu)點(diǎn)。
示例性實(shí)施例可防止或減少現(xiàn)有技術(shù)的裝置中可存在的磁疇壁經(jīng)過彎曲區(qū)域時(shí) 移動(dòng)速度的下降。與HDD不同，當(dāng)驅(qū)動(dòng)具有第一磁層和第二磁層的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置 時(shí)，數(shù)據(jù)可被存儲(chǔ)和/或復(fù)制，而不需要機(jī)械地移動(dòng)或接觸數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的任何元件。因 此，可提供緊湊尺寸、高密度并且能夠以太比特范圍(Tbit/in2)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。由于示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可具有簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)，因此它們可適合大規(guī)模生產(chǎn)。盡管已經(jīng)參照附圖具體示出和描述了示例性實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)僅以描述性的含 義，而不應(yīng)出于限制的目的考慮這些示例性實(shí)施例。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，使用 磁疇壁的移動(dòng)的示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置可包括形成于第一磁層的一側(cè)或兩側(cè)上的 第二軟磁層，或者第一磁層的外側(cè)可被第二軟磁層包圍。因此，本公開的范圍將由權(quán)利要求 限定，而不是由具體描述來限定。
權(quán)利要求
一種制造磁疇數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的方法，所述方法包括采用第一聚合物涂基底；使用圖案化的主模壓制所述第一聚合物；硬化第一聚合物；從第一聚合物分離主模；采用第二磁層涂所述第一聚合物；采用第一磁層涂所述第二磁層；采用第二聚合物涂所述第一磁層；使用所述圖案化的主模壓制所述第二聚合物；在所述第一磁層和所述第二聚合物上形成覆蓋層；通過蝕刻去除所述覆蓋層和第一磁層的上部。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一聚合物和第二聚合物包括2-羥基-2-甲 基-1-苯基-1-丙酮、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸2-羥乙酯、聚醚丙烯酸酯預(yù)聚物以及丙烯酸 酯化的環(huán)氧預(yù)聚物中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一磁層由具有IO5JAi3至107J/m3的磁各向 異性常數(shù)的材料形成。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一磁層由CoPt、CoCrPt、FePt、SmCo、TbCoFe 及這些材料的合金中的至少一種材料形成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二磁層由具有10J/m3至103J/m3的磁各向異 性常數(shù)的材料形成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二磁層由NiFe、CoFe,CoFeNi, CoZrNb, CoTaZr及這些材料的合金中的至少一種材料形成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一磁層具有Inm至IOOnm的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二磁層具有Inm至50nm的厚度。
全文摘要
示例性實(shí)施例可提供使用磁疇壁移動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的制造方法，該方法包括以下步驟采用第一聚合物涂基底；使用圖案化的主模壓制第一聚合物；硬化第一聚合物；從第一聚合物分離主模；采用第二磁層涂第一聚合物；采用第一磁層涂第二磁層；采用第二聚合物涂第一磁層；使用圖案化的主模壓制第二聚合物；在第一磁層和第二聚合物上形成覆蓋層；通過蝕刻去除覆蓋層和第一磁層的上部。
文檔編號(hào)G11C11/14GK101982894SQ20101028637
公開日2011年3月2日 申請(qǐng)日期2008年1月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月2日
發(fā)明者林志慶 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社