專利名稱：光學(xué)記錄介質(zhì)以及用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)記錄介質(zhì)。具體而言，本發(fā)明涉及具有由可UV固化的樹脂制 成的光透射層的光學(xué)記錄介質(zhì)，并還涉及用于制造該光學(xué)記錄介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
密度提高的光學(xué)記錄介質(zhì)已經(jīng)得到了發(fā)展，并且例如比通常的CD(緊致盤)和 DVD(數(shù)字萬用盤)具有顯著更大容量的高密度光盤是公知的。
在高密度光盤中，用于記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)的信息信號(hào)部分被形成在盤基 底的一個(gè)主表面上，并且反射膜被形成在信息信號(hào)部分上。此外，通過例如旋轉(zhuǎn)涂布在 其上形成光透射層和保護(hù)層。在記錄/再現(xiàn)時(shí)，激光束通過光透射層施加至信息信號(hào)部 分，從而執(zhí)行記錄或再現(xiàn)。
這樣的高密度光盤僅在其一側(cè)(激光束入射的信息輸出側(cè))具有由可通過激發(fā)能 量光束固化的樹脂制成的光透射層，并因此在盤厚度方向上是不對(duì)稱的。由于此結(jié)構(gòu)， 與DVD等相比，高密度盤更易于翹曲。
為了解決高密度光盤的翹曲問題，已經(jīng)提出了各種技術(shù)。例如， JP-A_2009-009638(專利文獻(xiàn)1)提出了一種具有光透射層的光學(xué)記錄介質(zhì)，在_20°C與 25°C之間該光透射層具有的拉伸彈性模量的差別為1400MPa以下。發(fā)明內(nèi)容
在專利文獻(xiàn)1的權(quán)利要求1中界定的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在_20°C與25°C之間該光 透射層的拉伸彈性模量的差別為1400MRI以下。但是，專利文獻(xiàn)1的權(quán)利要求1的這種 光學(xué)記錄介質(zhì)在約_5°C的低溫情況下未能實(shí)現(xiàn)對(duì)翹曲的充分抑制。
此外，在專利文獻(xiàn)1的權(quán)利要求2的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在25°C情況下光透射層的 拉伸彈性模量是IOOMRi以上且SOOMPa以下。但是，在專利文獻(xiàn)1的權(quán)利要求2中界定 的這種光學(xué)記錄介質(zhì)在約_5°C的低溫情況下未能實(shí)現(xiàn)對(duì)翹曲的充分抑制。
因此，期望提供一種在低溫情況下抵抗翹曲的光學(xué)記錄介質(zhì)以及一種用于制造 這種光學(xué)記錄介質(zhì)的方法。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括基底；信息記錄層， 其形成在所述基底上，并用于通過用光照射來記錄和再現(xiàn)信息信號(hào)；以及光透射層，其 形成在所述信息記錄層上并使所述光透射。所述光透射層在-5°情況下的回復(fù)彈性模量 在1500MPa以下的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括以下步 驟在基底上形成信息記錄層，所述信息記錄層用于用光照射來記錄和再現(xiàn)信息信號(hào)； 以及將可UV固化樹脂組成物涂布到所述信息記錄層上，并接著使所述可UV固化樹脂組 成物固化以在所述信息記錄層上形成光透射層。所述光透射層在-5°情況下的回復(fù)彈性 模量在1500MRI以下的范圍內(nèi)。3
根據(jù)這些實(shí)施例，光透射層在-5°情況下的回復(fù)彈性模量在1500MPa以下的范 圍內(nèi)。這使得抑制光學(xué)記錄介質(zhì)在約例如-5°的低溫情況下的翹曲。
這些實(shí)施例使得可以抑制光學(xué)記錄介質(zhì)在低溫情況下的翹曲。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例的剖視圖。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例的剖視圖。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例的剖視圖。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的信息記錄層的構(gòu)造示例 的剖視圖。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的信息記錄層的構(gòu)造示例 的剖視圖。
圖6是示出樣本1至7的回復(fù)彈性模量的測(cè)量結(jié)果的圖形。
圖7是繪制出AR-skew與-5°C情況下回復(fù)彈性模量的圖形。
具體實(shí)施方式
以下將參照附圖描述本發(fā)明的一些實(shí)施方式(以下稱為實(shí)施例)。以下實(shí)施例是 本發(fā)明的具體示例，并且在各種技術(shù)優(yōu)選的方式加以限制。但是，除非以下說明特別指 出對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制，否則本發(fā)明的范圍不限于這些實(shí)施例。將按照以下述順序進(jìn)行描 述。
1.第一實(shí)施例(光學(xué)記錄介質(zhì)的第一示例)
2.第二實(shí)施例(光學(xué)記錄介質(zhì)的第二示例)
3.第三實(shí)施例(光學(xué)記錄介質(zhì)的第三示例)
4.第四實(shí)施例(光學(xué)記錄介質(zhì)的第四示例)
5.其他實(shí)施例(變化方案)
1.第一實(shí)施例
[1-1.光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造]
以下將描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。圖1是示意性地 示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例的剖視圖。可記錄光學(xué) 記錄介質(zhì)10被配置為包括按順序?qū)盈B在基底1上的反射層2、第一保護(hù)層3、信息記錄層 4、第二保護(hù)層5和光透射層6。
在可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10中，用激光束從光透射層6側(cè)向信息記錄層4照射， 以記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。例如，具有在400nm以上且410nm以下的范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的激光 束通過具有在0.84以上且0.86以下的范圍內(nèi)的數(shù)字孔徑的物鏡集中，并從光透射層6側(cè) 施加至信息記錄層4，從而信息記錄層4記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。這樣的可記錄光學(xué)記錄介 質(zhì)10的示例是BD-R(可記錄藍(lán)光盤)。
以下按順序說明形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10的基底1、反射層2、第一保護(hù)層 3、信息記錄層4、第二保護(hù)層5和光透射層6。
(基底)
基底1例如具有圓形形狀，并具有形成在其中心的開口(此后稱為中心孔)?；?底1的一個(gè)主表面是例如其上要形成信息記錄層4的凹凸表面8。此后將凹凸表面8中的 凸部和凹部分別稱為上槽Gon和內(nèi)槽Gte。
內(nèi)槽Gte和上槽Gon例如螺旋地或同心地形成。此外，內(nèi)槽Gte和/或上槽Gon 蜿蜒(蛇形)以例如用于添加地址信息。
基底1的直徑是例如120mm?；?的厚度在考慮到剛度的情況下確定，并優(yōu) 選地為0.3mm至1.3mm，并更優(yōu)選地為0.6_至1.3mm。厚度是例如1.1mm。中心孔 的直徑是例如15mm。
用于基底1的材料可以是例如塑料材料或玻璃。考慮到成本，塑料材料是優(yōu)選 的?？捎玫乃芰喜牧系氖纠ɑ诰厶妓狨サ臉渲⒒诰巯N的樹脂、以及丙烯酸 樹脂。
(反射層)
作為用于反射層2的材料，可以根據(jù)反射層2所期望的特性，來適當(dāng)?shù)剡x擇通常 可用于公知的光盤的金屬、半金屬等中任一種，例如Ag合金和Al合金。此外，作為用 于反射層2的材料，具有熱耗散(散熱)能力以及光反射性的材料是優(yōu)選使用的。這使 得反射層2還用作散熱層。
(第一保護(hù)層和第二保護(hù)層)
第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5用于包括信息記錄層4并控制記錄/再現(xiàn)時(shí)的光學(xué) 特性和熱特性。用于第一保護(hù)層3和第二保護(hù)層5的材料可以是通?？捎糜诠墓獗P 的電介質(zhì)，例如SiN、ZnS-SiO2>和Ta2O5。
可以使至少第一保護(hù)層3或第二保護(hù)層5包含氧化銦錫(此后稱為ITO)作為主 要成分。此構(gòu)造使得同時(shí)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)可靠性和高生產(chǎn)率。尤其優(yōu)選的是，第一保護(hù)層3和 第二保護(hù)層5兩者均包含ITO作為主要成分，這是因?yàn)檫@進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)可靠性。
為了獲得合適的反射性，第一保護(hù)層3的厚度優(yōu)選地為IOnm至40nm，并優(yōu)選 地為20nm至30nm。為了增大記錄功率余量，第二保護(hù)層5的厚度優(yōu)選地為Ilnm至 34nm,并更優(yōu)選地為16nm至30nm。
(信息記錄層)
信息記錄層4是可記錄信息記錄層。信息記錄層4包含例如Zns、SiO2>和Sb 作為主要成分，并可選地還包括從Zn、Ga、Te> V、Si、Ta、Ge、In> Cr、Sn、和Tb組成的群組中選擇的至少一種元素。信息記錄層4優(yōu)選地具有由以下表達(dá)式(1)表示的 組成。
[ (ZnS) x (SiO2) ^Jy (SbzX1^z) (1)
其中0<x《1.0，0.3<y<0.7, 0.8 < z<1.0,并且 X 是從 Ga、Te> V、Si、Zn、 Ta> Ge、In, Cr、Sn、和Tb組成的群組中選擇的至少一種元素。
為了獲得優(yōu)良的記錄/再現(xiàn)性能，信息記錄層4的厚度優(yōu)選地為3nm至40nm。
在包含ZnS、SiO2>和Sb作為主要成分的信息記錄層4中，這樣的ZnS、SiO2>和Sb在記錄之前處于無定形狀態(tài)。當(dāng)處于這種狀態(tài)的信息記錄層4受到激光束照射時(shí)， 在信息記錄層4的中心部分形成Sb晶體，而其他原子聚集在界面附近。結(jié)果，光學(xué)常數(shù) (η折射率，k:阻尼系數(shù))改變，從而記錄信息信號(hào)。這樣的在其中心部分具有Sb晶體的信息記錄層4難以返回至記錄前無定形狀態(tài)。信息記錄層因而被用作可記錄信息記 錄層。
因此，當(dāng)信息記錄層4包含ZnS、SiO2>和Sb作為主要成分并優(yōu)選地還具有由以 上表達(dá)式(1)表示的組成時(shí)，處于其初始狀態(tài)的記錄信息被穩(wěn)定地保存較長(zhǎng)的時(shí)段。此 外，在信息再現(xiàn)時(shí)，由于再現(xiàn)激光束引起的信號(hào)損失得到抑制，并在普通的長(zhǎng)期保存期 間，以較少劣化維持了寫入特性。此外，可以實(shí)現(xiàn)相對(duì)于記錄和/或再現(xiàn)激光束足夠的 敏感度和反應(yīng)速率。結(jié)果，可以在較寬的線速度和記錄功率的范圍上獲得優(yōu)良的記錄/ 再現(xiàn)特性。
可用于信息記錄層4的材料不限于上述的那些，還可以使用通常可用于公知的 可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的無機(jī)記錄材料。
例如，信息記錄層4可以是包含U、Pd和0(氧)作為主要成分的相變信息記 錄層。信息記錄層具有例如由以下表達(dá)式( 表示的組成。
(TexPd1JyO1^y (2)
其中0.7《x《0.9，并且0.3《y《0.7。
信息記錄層4還可以是包括硅膜和銅(Cu)合金膜的層疊的合金式信息記錄 層或可選地包含Ge、Bi和N作為主要成分的信息記錄層。
(光透射層)
光透射層6通過固化可UV固化樹脂組成物而形成。光透射層6在_5°C情況下 的回復(fù)彈性模量在1500MRI以下的范圍內(nèi)，并更優(yōu)選地在20MPa以上且1500MRi以下的 范圍內(nèi)。由此，可以顯著減小可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10在例如約_5°C的低溫情況下的翹 曲ο
(可UV固化樹脂組成物)
可UV固化樹脂組成物至少包括低聚物成分和光聚合引發(fā)劑成分?？蒛V固化 樹脂組成物可以還包括至少雙功能或更多功能單體成分、或者單功能單體成分。
例如，可UV固化樹脂組成物包括低聚物成分，其在未固化液體狀態(tài)時(shí)在 25°C具有300mPa · s至3000mPa · s的粘度，并在單體固化物質(zhì)狀態(tài)時(shí)具有_50°C至 15°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度；以及光聚合引發(fā)劑成分。可UV固化樹脂組成物可以還至少包括 每個(gè)在單體固化物質(zhì)狀態(tài)時(shí)具有-40°C至90°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的雙功能或更多功能單體 成分、或者單功能單體成分。
在固化之后，可UV固化樹脂組成物在_5°C情況下的回復(fù)彈性模量在1500MPa 以下的范圍內(nèi)，并更優(yōu)選地在20MPa以上且1500MRI以下的范圍內(nèi)。此外，固化的可 UV固化樹脂組成物的玻璃轉(zhuǎn)變溫度是-20°C以上且20°C以下。
(低聚物成分)
作為低聚物，可以使用例如(甲基)丙烯酸酯((methUcrylate)低聚物。這里，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸酯低聚物的示例包括在 單體固化物質(zhì)狀態(tài)時(shí)具有-50°C至15°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、環(huán) 氧(甲基)丙烯酸酯等?？缮虡I(yè)獲得的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯的示例是UV_6100B(由 NIPPON GOHSEI 制造)、EB230 和 EB8405 (由 DAICEL-CYTEC 制造)、以及 CN9004(由 SARTOMERJAPAN制造)?？缮虡I(yè)獲得的環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯的示例是EB3500 (由6DAICEL-CYTEC制造)。(甲基)丙烯酸酯低聚物例如在分子(重復(fù)單位)中具有二至 四個(gè)(甲基)丙烯?；鶊F(tuán)。這里的(甲基)丙烯?；鶊F(tuán)表示丙烯?；鶊F(tuán)或甲基丙烯?；?團(tuán)。(甲基)丙烯酸酯低聚物的平均分子量?jī)?yōu)選地為500至10000?？梢允褂靡环N(甲 基)丙烯酸酯低聚物，或者可選地，可以組合使用兩種或更多種(甲基)丙烯酸酯低聚 物。
(光聚合引發(fā)劑成分)
光聚合引發(fā)劑成分的優(yōu)選示例是如下所述的光聚合引發(fā)劑其使得0.01%乙腈 溶液的UV-可視吸收光譜的長(zhǎng)波長(zhǎng)吸收邊緣小于405nm。這種光聚合引發(fā)劑的示例包括 1-羥基-環(huán)己基-苯基酮、2-羥基-2甲基-1-苯基-丙-1-酮、以及2-甲基-1[4-甲硫基] 苯基-2-嗎啉基丙-1-酮?？缮虡I(yè)獲得的1-羥基-環(huán)己基-苯基酮的示例是IRGACURE 184(由CIBA JAPAN制造)?？缮虡I(yè)獲得的2-羥基-2甲基苯基-丙酮的示 例是DAROCUR 1173 (由CIBA JAPAN制造)?？缮虡I(yè)獲得的2-甲基_1[4_甲硫基]苯 基-2-嗎啉基丙-1-酮的示例是IRGACURE 907 (由CIBA JAPAN制造)。
(雙功能或更多功能單體成分)
作為雙功能或更多功能單體成分，可以使用雙功能或更多功能(甲基)丙烯酸酯 單體。雙功能或更多功能(甲基)丙烯酸酯單體在單體固化物質(zhì)狀態(tài)時(shí)具有-40°C至90°C 的玻璃轉(zhuǎn)變溫度，并在主鏈結(jié)構(gòu)和/或側(cè)鏈結(jié)構(gòu)中具有脂肪族殘基、脂環(huán)族殘基或芳香 族殘基。
雙功能或更多功能(甲基)丙烯酸酯單體的示例包括乙氧基己二醇二丙烯酸酯、 己內(nèi)酯修飾的二甲基丙二醇羥基三甲基乙酸酯二丙烯酸酯、乙氧基三羥甲基丙烷三丙烯 酸酯、丙氧基三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、以及己內(nèi)酯修飾的二季戊四醇六丙烯酸酯?？?以組合使用這些雙功能或更多功能(甲基)丙烯酸酯單體中的兩種或更多種。
可商業(yè)獲得的己內(nèi)酯修飾的二甲基丙二醇羥基三甲基乙酸酯二丙烯酸酯的示例 是HX-620 (由NIPPON KAYAKU制造)?？缮虡I(yè)獲得的乙氧基三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 的示例是CD561和SR9035 (兩者均由SARTOMER JAPAN制造)?？缮虡I(yè)獲得的丙氧基 三羥甲基丙烷三丙烯酸酯的示例是SR492 (由SARTOMER JAPAN制造)。可商業(yè)獲得的 己內(nèi)酯修飾的二季戊四醇六丙烯酸酯的示例是DPCA-120 (由NIPPON KAYAKU制造)。
(單功能單體成分)
作為單功能單體成分，可以使用單功能(甲基)丙烯酸酯單體。單功能(甲基) 丙烯酸酯單體在單體固化物質(zhì)狀態(tài)時(shí)具有-50°C至50°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度，并在主鏈結(jié)構(gòu) 或側(cè)鏈結(jié)構(gòu)中具有脂肪族殘基、脂環(huán)族殘基或芳香族殘基。單功能(甲基)丙烯酸酯單 體的示例包括2-苯氧基丙烯酸酯和四氫化糠基丙烯酸酯?？梢允褂靡环N單功能(甲基) 丙烯酸酯單體，或者可選地，可以組合使用兩種或更多種單功能(甲基)丙烯酸酯單體。
可商業(yè)獲得的2-苯氧基丙烯酸酯的示例是輕丙烯酸酯PO_A(由KYOEI KAGAKU制造)?？缮虡I(yè)獲得的四氫化糠基丙烯酸酯的示例是SR285 (由SARTOMER JAPAN 制造)。
基于將可UV固化組成物的總量分為100個(gè)質(zhì)量部分，低聚物成分的量例如是10 質(zhì)量部分至80質(zhì)量部分。光聚合引發(fā)劑成分的量是例如0.5質(zhì)量部分至10質(zhì)量部分。 在使用雙功能或更多功能單體成分和單功能單體成分的情況下，其量如下雙功能或更多功能單體成分的量是20質(zhì)量部分，單功能單體成分的量是30質(zhì)量部分。
光透射層6的厚度優(yōu)選地從ΙΟμιη至177μιη的范圍中選擇，并且例如是 ΙΟΟμιη。這樣薄的光透射層6與具有約0.85的高NA(數(shù)字孔徑)的物鏡組合。從而能 夠?qū)崿F(xiàn)高密度記錄。
[用于制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法]
以下描述用于制造以上可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10的方法的示例。
(形成基底的步驟)
首先，形成基底1?；?具有形成在其一個(gè)主表面上的凹凸表面8。例如， 可以通過注射模制方法(注模)、光致聚合方法(2Ρ法^otoPolymerization)等來形成基 底1。
(形成反射層的步驟)
接著，將基底1傳送到具有如下所述的靶的真空室內(nèi)，該靶例如包含用于形成 反射層2的材料。接著將真空室抽吸到預(yù)定壓力。隨后，在將諸如Ar氣體之類的處理 氣體引入真空室的同時(shí)，靶被濺射以在基底1上形成反射層2。
(形成第一保護(hù)層的步驟)
接著，將基底1傳送到具有如下所述的靶的真空室內(nèi)，該靶例如包含用于形成 第一保護(hù)層3的材料。接著將真空室抽吸到預(yù)定壓力。隨后，在將諸如Ar氣體或O2氣 體之類的處理氣體引入真空室的同時(shí)，靶被濺射以在反射層2上形成第一保護(hù)層3。用于 此的濺射技術(shù)可以是例如射頻(RF)濺射或直流(DC)濺射。具體而言，DC濺射是優(yōu)選 的。這是因?yàn)镈C濺射實(shí)現(xiàn)了比RF濺射更高的膜形成速度，使得生產(chǎn)率提高。
(形成信息記錄層的步驟)
接著，將基底1傳送到具有如下所述的靶的真空室內(nèi)，該靶例如包含用于形成 信息記錄層4的材料。接著將真空室抽吸到預(yù)定壓力。隨后，在將諸如Ar氣體之類的 處理氣體引入真空室的同時(shí)，靶被濺射以在第一保護(hù)層3上形成信息記錄層4。
(形成第二保護(hù)層的步驟)
接著，將基底1傳送到具有如下所述的靶的真空室內(nèi)，該靶例如包含用于形成 第二保護(hù)層5的材料。接著將真空室抽吸到預(yù)定壓力。隨后，在將諸如Ar氣體或O2氣 體之類的處理氣體引入真空室的同時(shí)，靶被濺射以在信息記錄層4上形成第二保護(hù)層5。 用于此的濺射技術(shù)可以是例如射頻(RF)濺射或直流(DC)濺射。具體而言，DC濺射是 優(yōu)選的。這是因?yàn)镈C濺射實(shí)現(xiàn)了比RF濺射更高的膜形成速度，使得生產(chǎn)率提高。
(形成光透射層的步驟)
接著，在第二保護(hù)層5上形成光透射層6。例如，通過借助旋轉(zhuǎn)涂布將上述可 UV固化樹脂組成物涂布到第二保護(hù)層5上，然后借助UV照射來使所涂布的可UV固化 樹脂組成物固化，來形成光透射層6。
通過這些步驟，獲得如圖1所示的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10。
< 優(yōu)點(diǎn) >
在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)中，光透射層6在_5°C情況下的回 復(fù)彈性模量在1500MPa以下的范圍內(nèi)，并更優(yōu)選地在20MPa以上且1500MPa以下的范圍 內(nèi)。由此，可以顯著減小可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10在約_5°C的低溫情況下的翹曲。
2.第二實(shí)施例
[光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造]
以下將描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)。圖2是示意性地 示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造示例的剖視圖?？捎涗浌鈱W(xué) 記錄介質(zhì)20被配置為包括按順序?qū)盈B在基底1上的信息記錄層66、電介質(zhì)層64和光透射層6。
在根據(jù)第二實(shí)施例的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)20中，用激光束從光透射層6側(cè)向信 息記錄層66照射，以記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。例如，具有在400nm以上且410nm以下的范 圍內(nèi)的波長(zhǎng)的激光束通過具有在0.84以上且0.86以下的范圍內(nèi)的數(shù)字孔徑的物鏡集中， 并從光透射層6側(cè)施加至信息記錄層66，從而信息記錄層66記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。這樣 的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)20的示例是BD-R(可記錄藍(lán)光盤)。
以下按順序說明形成可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10的基底1、信息記錄層66、電介質(zhì) 層64和光透射層6。
(基底)
基底具有與第一實(shí)施例中相同的構(gòu)造。
(信息記錄層)
信息記錄層66包括按順序?qū)盈B在基底1的凹凸表面8上的金屬層62和氧化物層 63。金屬層62是與氧化物層63相鄰的層，并基本由鈦(Ti)制成。通常，當(dāng)Ti被用作 主要材料時(shí)，可以獲得優(yōu)良的記錄特性。
為了提高光學(xué)特性、耐久度、記錄敏感度等，金屬層62可以包含添加劑。例 如，可以使用從由鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、硅Bi)、錫6η)、 鎳(Ni)、鐵(Fe)、鎂(Mg)、釩(V)、碳(C)、鈣(Ca)、硼(B)、鉻(Cr)、鈮(Nb)、鋯 (Zr)、硫(S)、硒(Se)、錳(Mn)、鎵(Ga)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、釓 (Gd)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鉭(Ta)和鍶(Sr)組成的群組選擇至少一種添加劑。
用于金屬層62的材料可以被氧化。這種氧化物的示例是TiSiO。氧化提高了抖 晃表現(xiàn)(jitter performance)。
用于金屬層62的材料可以可選地被氮化。這種氮化物的示例是TiSi-N。氮化提高了功率余量。
氧化物層63基本由鍺(Ge)的氧化物GeO制成。氧化物層63的吸收系數(shù)k優(yōu) 選地在0.15以上且0.90以下的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在0.20以上且0.70以下的范圍內(nèi)，并還 優(yōu)選地在0.25以上0.60以下的范圍內(nèi)。氧化物層63的厚度優(yōu)選地在IOnm以上且35nm 以下的范圍內(nèi)。例如，當(dāng)滿足所述0.15以上且0.90以下的范圍時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的調(diào)制 程度和優(yōu)良的載噪比(此后稱為C/N比)。例如，當(dāng)滿足所述0.20以上且0.70以下的范 圍時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)良的調(diào)制程度和更優(yōu)良的C/N比。例如，當(dāng)滿足所述0.25以上且 0.60以下的范圍時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更進(jìn)一步優(yōu)良的調(diào)制程度和更進(jìn)一步優(yōu)良的C/N比。
這里的吸收系數(shù)是410nm波長(zhǎng)情況下的吸收系數(shù)。其測(cè)量值是利用橢率計(jì)(由 RUDOLF制造，商品名AutoEL_462P17)測(cè)量得到的值。
此外，氧化物層63可以包含添加劑。作為這種添加劑，例如可以使用從由碲 (Te)、鉻(Cr)、鈀(Pd)、鉛(Pt)、銅(Cu)、鋅(Zn)，金(Au)、銀(Ag)、硅(Si)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、錫(Sn)和銻(Sb)構(gòu)成的群組中選擇的至少一種添加劑。這種 添加劑可以提高耐久度和/或反應(yīng)性(記錄敏感度)。為了提高耐久度，特別優(yōu)選地添加 Pd、Pt、Si、Sb 和 Cr。
(電介質(zhì)層)
電介質(zhì)層64包括按順序?qū)盈B在信息記錄層66上的第一電介質(zhì)層6 和第二電介 質(zhì)層64b。第一電介質(zhì)層64a和第二電介質(zhì)層64b用于光學(xué)地和機(jī)械地保護(hù)信息記錄層 66。S卩，它們提高耐久度并抑制信息記錄層66在記錄期間諸如膨突之類的變形。
第一電介質(zhì)層64a由例如ZnS-SiO2制成。第一電介質(zhì)層64a的厚度優(yōu)選地在 IOnm以上且58nm以下的范圍內(nèi)，并更優(yōu)選地在23nm以上且53nm以下的范圍內(nèi)。IOnm 以上的厚度導(dǎo)致優(yōu)良的抖晃表現(xiàn)，而58nm以下的厚度帶來了優(yōu)良的反射性。
第二電介質(zhì)層64b由例如ZrO2和Cr2O3制成。Cr2O3含量?jī)?yōu)選地在40at%以上 且90at%以下的范圍內(nèi)。這是因?yàn)楫?dāng)含量小于40at%時(shí)，導(dǎo)致耐久度的降低，而當(dāng)含量 大于90at%時(shí)，導(dǎo)致耐久度的降低還導(dǎo)致初始記錄特性的劣化。第二電介質(zhì)層64b還包 括SiO2是優(yōu)選的。當(dāng)?shù)诙娊橘|(zhì)層64b包括幻02時(shí)，可以調(diào)節(jié)包括記錄敏感度、功率余 量、光策略等在內(nèi)的記錄特性。第二電介質(zhì)層64b的厚度優(yōu)選地在2nm以上且20nm以 下的范圍內(nèi)。小于2nm的厚度降低第二電介質(zhì)層64b的均一性，而大于20nm的厚度需 要更久的用于形成層的時(shí)間，導(dǎo)致生產(chǎn)率的降低。
(光透射層)
光透射層6具有與第一實(shí)施例中相同的構(gòu)造。
[用于制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法]
以下描述用于制造具有以上構(gòu)造的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)20的方法的示例。
首先，例如，通過注射模制方法(注模)、光聚合方法QP法Hioto Polymerization)等來形成基底1。接著，例如，在基底11上按順序?qū)盈B金屬層62、氧化 物層63、第一電介質(zhì)層64a和第二電介質(zhì)層64b?？梢岳缤ㄟ^真空膜形成技術(shù)(例如 濺射、真空沉積等)來形成這些薄膜。
接著，在第二電介質(zhì)層64b上形成光透射層6。例如，通過借助旋轉(zhuǎn)涂布將上述 可UV固化樹脂組成物涂布到第二電介質(zhì)層64b上，然后借助UV照射來使所述組成物固 化，來形成光透射層6。
通過這些步驟，獲得如圖2所示的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)20。
< 優(yōu)點(diǎn) >
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)提供了與第一實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。
3.第三實(shí)施例
[光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造]
以下將描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)。該光學(xué)記錄介質(zhì)是其數(shù) 據(jù)可以被抹去并重寫的可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)30。如圖3所示，光學(xué)記錄介質(zhì)30被配置為 包括按順序?qū)盈B在基底11上的信息記錄層14和光透射層16。
在光學(xué)記錄介質(zhì)30中，用激光束從光透射層16側(cè)向信息記錄層14照射，以記 錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。例如，具有400nm至410nm的波長(zhǎng)的激光束通過具有0.84至0.86 的數(shù)字孔徑的物鏡集中，并從光透射層16側(cè)施加至信息記錄層14，從而信息記錄層14記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)。這樣的光學(xué)記錄介質(zhì)30的示例是BD_RE(可重寫藍(lán)光盤)。
以下按順序說明形成光學(xué)記錄介質(zhì)30的基底11、信息記錄層14和光透射層 16。
(基底)
基底11具有與第一實(shí)施例中的基底1相同的構(gòu)造。
(信息記錄層)
圖4示出了信息記錄層14的構(gòu)造示例。如圖4所示，信息記錄層14是具有層 疊結(jié)構(gòu)的膜，包括按順序?qū)盈B在基底11上的反射層22、第二電介質(zhì)層23、第一電介質(zhì)層 24,記錄層25、第一電介質(zhì)層沈、第二電介質(zhì)層27和第三電介質(zhì)層觀。
(反射層)
反射層22是用于反射入射激光束以提高光學(xué)特性并使由記錄層25吸收的熱迅速 耗散的層。用于反射層22的材料可以是諸如Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、 Ta, W、Mo、或Ge之類的單體物質(zhì)，或者也可以是例如包含其合金作為主要成分的材 料。其中，考慮到實(shí)際使用，基于Al的材料、基于Ag的材料、基于Au的材料、基于 Si的材料和基于Ge的材料是尤其優(yōu)選的。合金的優(yōu)選示例包括Al-Ti、Al-Cr, Al_Cu、 Al-Mg-Si> Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti和力-B?？紤]到光學(xué)特性和熱特性而優(yōu)選地從這些材 料選擇材料。例如，在考慮到它們即使在短波長(zhǎng)范圍內(nèi)也具有高反射性的情況下，基于 Al的材料或基于Ag的材料是優(yōu)選的。
第一電介質(zhì)層對(duì)、第二電介質(zhì)層23、第一電介質(zhì)層沈、第二電介質(zhì)層27和第 三電介質(zhì)層觀是用于保護(hù)記錄層25并控制光學(xué)特性、熱特性等的層。用于這種電介質(zhì) 層的材料可以是例如幻、In> Zr、Cr、Sn、Ta> Al、Nb等的氧化物，Si、Al等的氮化 物，Zn等的硫化物，或者這些電介質(zhì)材料中的兩種或更多種的混合物。其具體示例包括 SiN、ZnS-SiO2 > A1N、Al2O3> SiO2 > Cr2O3 > In2O3 > ZrO2 > SCZ > SIZ > TiO2 > Nb2O5 等。第一電介質(zhì)層M和第二電介層26可以由不同的材料制成?？蛇x地，第二電介質(zhì)層 23和第二電介質(zhì)層27可以由不同的材料制成。
與反射層22相鄰的第二電介質(zhì)層23的導(dǎo)熱性優(yōu)選地高于與記錄層25相鄰的第 一電介質(zhì)層M的導(dǎo)熱性。由此，通過激光束照射而加熱的記錄層25的熱可以迅速地向 Ag合金耗散，并且可以使第二信息記錄層4具有對(duì)抗重復(fù)記錄的提高的耐久度。在第一 電介質(zhì)層M和第二電介質(zhì)層23包含幻02、In2O3和ZrO2作為主要成分時(shí)，優(yōu)選地每個(gè)電 介質(zhì)層中In2O3的比例滿足以下關(guān)系。即，將與記錄層25相鄰的第一電介質(zhì)層M中In2O3 的比例定義為“a” (mol% ),并將與反射層22相鄰的第二電介質(zhì)層23中In2O3的比例 定義為“b” (mol% ),則優(yōu)選地滿足關(guān)系a <b。通過滿足這樣的關(guān)系，第二電介質(zhì)層 23的導(dǎo)熱性可以高于第一電介質(zhì)層M的導(dǎo)熱性。所述比例是基于將第一電介質(zhì)層M或 第二電介質(zhì)層23中&02、In2O3和ZrO2的總量取為IOOmol%。這里的導(dǎo)熱性是每個(gè)薄 膜在厚度方向上的導(dǎo)熱性。
具體而言，當(dāng)?shù)谝浑娊橘|(zhì)層對(duì)和第二電介質(zhì)層23包含Si02、In2O3和ZrO2作為 主要成分時(shí)，優(yōu)選地，第一電介質(zhì)層M具有由以下表達(dá)式(1)表示的組成
(SiO2) xl (In2O3) yl (ZrO2) zl (1)
其中xl+yl+zl = 100，5<xl<20, 40<yl<60,且 30《zl《50，并且第二電介質(zhì)層23具有由以下表達(dá)式( 表示的組成
(SiO2)x2(In2O3)y2(ZrO2)z2 (2)
其中 x2+y2+z2 = 100，5<x2<20, 60<y2<90 且 5殳2<20。
信息記錄層25是例如能夠通過用激光束照射來重復(fù)地記錄信息信號(hào)的記錄層。 具體而言，信息記錄層25是例如通過用激光束照射而經(jīng)歷在無定形相與晶體相之間的可 逆相變從而記錄和重寫信息信號(hào)的相變記錄層。用于相變記錄層的材料可以是例如共晶 相變材料或復(fù)合相變材料。相變材料的具體示例包括包含GeSbB、SbTe> BiGeTe> BiGeSbTe> AgInSbTe> GeSi^KTe等作為主要成分的那些相變材料材料。如果需要，可 以向這種包含所述材料作為主要成分的相變材料添加諸如Ag、In, Cr和Mn之類的金屬 材料中的一種或多種。
基于BiGeB的材料(一種復(fù)合相變材料)的優(yōu)選示例是一種具有由以下表達(dá)式 (3)表示的組成的材料。
BixGeyTez (3)
其中x+y+z=100、2<x<10, 35<y<45,且 45達(dá)55。
在信息記錄層14中，與反射層22相鄰的第二電介質(zhì)層23的導(dǎo)熱性高于與記錄 層25相鄰的第一電介質(zhì)層M的導(dǎo)熱性。由此，受到激光束照射而加熱的記錄層25的熱 可以被迅速地耗散至反射層22，并且因此可以使信息記錄層14具有對(duì)抗反復(fù)記錄的提高 的耐久度。即，在可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)中，可以提高對(duì)抗反復(fù)記錄的耐久度。
此外，即使當(dāng)反射層22具有減小的厚度以控制激光束通過信息記錄層14的透射 率時(shí)，受到激光束照射而加熱的記錄層25的熱仍可以被迅速地耗散至反射層22。因此， 在這樣的可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)中，可以提高對(duì)抗反復(fù)記錄的耐久度。
此外，在第一電介質(zhì)層M和第二電介質(zhì)層23每一者均包含&02、In2O3和ZrO2 作為主要成分的情況下，通過控制這兩個(gè)電介質(zhì)層每一者中In2O3的比例，可以容易地控 制每個(gè)電介質(zhì)層的導(dǎo)熱性。具體而言，電介質(zhì)層中的比例優(yōu)選地被設(shè)定為使得將與信 息記錄層25相鄰的第一電介質(zhì)層M中In2O3的比例定義為“a” (mol%),并將與反射 層22相鄰的第二電介質(zhì)層23中In2O3的比例定義為“b” (mol% ),則滿足a < b。這 是因?yàn)?，由于此?gòu)造，與反射層22相鄰的第二電介質(zhì)層23的導(dǎo)熱性可以高于與信息記錄 層25相鄰的第一電介質(zhì)層M的導(dǎo)熱性。
還優(yōu)選地，第一電介質(zhì)層M和第二電介質(zhì)層23每一者均包含&02、In2O3和 ZrOJt為主要成分，并且信息記錄層25包含Bi、Ge和U作為主要成分。這抑制了信 息記錄層25中晶體的形成，提供了更優(yōu)良的信號(hào)特性。
(光透射層)
光透射層16具有與根據(jù)第一實(shí)施例的可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)10的光透射層6相同 的構(gòu)造。
[用于制造可記錄光學(xué)記錄介質(zhì)的方法]
以下描述用于制造具有以上構(gòu)造的記錄介質(zhì)30的方法的示例。
首先，例如，通過注射模制方法(注模)、光聚合方法0卩法Ph0to Polymerization)等來形成基底11。接著，例如，在基底11上按順序?qū)盈B反射層22、第 二電介質(zhì)層23、第一電介質(zhì)層M、記錄層25、第一電介質(zhì)層沈、第二電介質(zhì)層27、以及第三電介質(zhì)層觀。這在基底11上形成了信息記錄層14?？梢岳缤ㄟ^真空膜形成技術(shù) (例如濺射、真空沉積等)來形成這些薄膜。
接著，在信息記錄層14上形成光透射層16。例如，通過借助旋轉(zhuǎn)涂布將上述可 UV固化樹脂組成物涂布到信息記錄層14上，然后借助UV照射來使所述組成物固化，來 形成光透射層16。
通過這些步驟，獲得如圖3所示的光學(xué)記錄介質(zhì)30。
〈優(yōu)點(diǎn)>
在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)30中，光透射層16在_5°C情況下的 回復(fù)彈性模量在1500Mpa以下的范圍內(nèi)，并更優(yōu)選地在20MPa以上且1500MPa以下的范 圍內(nèi)。由此，可以顯著減小可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)30在例如約-5°C的低溫情況下的翹曲。
4.第四實(shí)施例
以下將描述根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)。圖5示出了根據(jù)本發(fā)明 第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的信息記錄層的構(gòu)造示例。與第三實(shí)施例相同的部件由相同 的附圖標(biāo)記表示，并將不再進(jìn)行描述。
除了信息記錄層14的構(gòu)造以外，根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)與根 據(jù)第三實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)相同。因此，以下詳細(xì)描述信息記錄層14的構(gòu)造。因?yàn)?其他部件與根據(jù)第三實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)相同，所以將不再對(duì)它們進(jìn)行詳細(xì)描述。
[信息記錄層]
如圖5所示，在第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)中，信息記錄層14具有位于反射層 22與記錄層25之間的單層電介質(zhì)層51。第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)在這方面與第三實(shí) 施例的光學(xué)記錄介質(zhì)不同。
電介質(zhì)層51包含SiO2、In2O3和ZrO2作為主要成分。在電介質(zhì)層51中In2O3的 比例優(yōu)選地是40mol%以上且60mol%以下。此處的比例是基于將電介質(zhì)層51中&02、 In2O3和ZrO2的總量取為IOOmol%。更具體而言，優(yōu)選地，電介質(zhì)層51具有由以下表達(dá) 式⑷表示的組成物。
(SiO2) xl (In2O3) yl (ZrO2) zl (4)
其中xl+yl+zl = 100，5<xl<20, 40《yl《60 且 30《zl《50。
< 優(yōu)點(diǎn) >
根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的光學(xué)記錄介質(zhì)提供了與第三實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。
示例
<樣本1>
經(jīng)過適當(dāng)調(diào)節(jié)的以下成分的量用于制備具有如圖6中的線L1所示的回復(fù)彈性模 量的樣本1的可UV固化樹脂組成物。
低聚物成分
聚氨酯(甲基)丙烯酸酯(由NIPPON GOHSEI制造，商品名UV6100B)
光聚合引發(fā)劑成分
(由 CIBA JAPAN 制造，商品名IRGACURE 184)
雙功能或更多功能單體成分
丙氧基三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(由SARTOMER JAPAN制造的，商品名13SR9035)
己內(nèi)酯修飾的二季戊四醇六丙烯酸酯(由NIPPON KAYAKU制造，商品名 DPCA-120)。
如下測(cè)量如圖6所示的回復(fù)彈性模量(這也適用于以下的樣本2至7)。首先， 將可UV固化樹脂組成物涂布在PET膜之間以實(shí)現(xiàn)固化后100 μ m的厚度，接著利用金屬 鹵素?zé)?由USHIO制造，UVL-4000M3-N1，燈輸出120W/cm)以500mJ/cm2進(jìn)行固 化。利用粘彈性光譜儀(由SEIKO INSTRUMENTS制造，DMS6100)測(cè)量在溫度_20°C 至120°C的環(huán)境中固化膜的回復(fù)彈性模量。
<樣本2>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或多功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L2表示的回復(fù)彈性模量的樣本2的可UV固化樹脂組成物。
<樣本3>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L3表示的回復(fù)彈性模量的樣本3的可UV固化樹脂組成物。
<樣本4>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L4表示的回復(fù)彈性模量的樣本4的可UV固化樹脂組成物。
<樣本5>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L5表示的回復(fù)彈性模量的樣本5的可UV固化樹脂組成物。
<樣本6>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L6表示的回復(fù)彈性模量的樣本6的可UV固化樹脂組成物。
<樣本7>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L7表示的回復(fù)彈性模量的樣本7的可UV固化樹脂組成物。
<樣本8>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體 成分，制備具有由圖6中的線L8表示的回復(fù)彈性模量的樣本8的可UV固化樹脂組成物。
<樣本9>
樣本1中作為低聚物成分、光聚合引發(fā)劑成分和雙功能或單功能單體成分使用 的各材料的種類及其量被適當(dāng)?shù)馗淖?。利用這種成分以及可選地如上所述的單功能單體成分，制備具有由圖6中的線L9表示的回復(fù)彈性模量的樣本9的可UV固化樹脂組成物。
對(duì)樣本1至9的可UV固化樹脂組成物執(zhí)行以下測(cè)量。
(光盤的翹曲的測(cè)量)
如下所述利用樣本1至9的可UV固化組成物形成各個(gè)光透射層來制備評(píng)測(cè)用光盤。
首先，通過注射模制形成在其一個(gè)主表面中具有內(nèi)槽和上槽的基底。該基底是 具有Umm厚度、0.32 μ m軌道間距和20nm槽深度的BD基底。
接著，通過濺射將如下所述構(gòu)造的膜相繼形成在基底上。
以下示出了每個(gè)膜的材料和厚度。
金屬膜
材料AgNdCu，厚度123nm
第一電介質(zhì)膜
材料Si3N4,厚度8nm
第二電介質(zhì)膜
材料(ZnS)80-(SiO2)20,厚度7nm
相變記錄膜
材料G%.5Sb77.Je16.4，厚度10nm
第三電介質(zhì)膜
材料(ZnS)8tl-MiO2)2(1，厚度8nm
第四電介質(zhì)膜
材料^3N4，厚度50nm
第五電介質(zhì)膜
材料(SiO2)M(Cr2O3)30 (ZrO2)50,厚度5nm
接著，通過旋轉(zhuǎn)涂布將可UV固化樹脂組成物涂布到設(shè)置有以上膜的基底上。接 著通過UV照射來使所涂布的可UV固化樹脂組成物固化，而得到0.1mm厚的光透射層。 光透射層是基于BD標(biāo)準(zhǔn)的，并且其光透射側(cè)用作記錄/再現(xiàn)光入射面。因此制造得到 評(píng)測(cè)用光盤。
將各個(gè)評(píng)測(cè)用光盤均直立放置在_5°C的環(huán)境中至少M(fèi)小時(shí)。測(cè)量在(溫度25°C 的環(huán)境中)直立放置之前光盤的翹曲角(角β)與在直立放置之后光盤的翹曲角(角β) 之間的差。作為光盤的翹曲角，測(cè)量在直立放置之前光盤在徑向上的翹曲角R-skew(度) 與直立放置之后光盤在徑向上的翹曲角R-skew(度)之間的差。測(cè)量結(jié)果如圖7所示。 圖7中所示的圖線以_5°C情況下的回復(fù)彈性模量為橫軸并以AR-skew為縱軸進(jìn)行繪制。
[評(píng)測(cè)]
如圖7所示，確認(rèn)當(dāng)在_5°C情況下的回復(fù)彈性模量為1500MPa以下時(shí)， Δ R-skew保持為小于-0.2(度)。還確認(rèn)，當(dāng)在_5°C情況下的回復(fù)彈性模量大于1500MPa 時(shí)，Δ R-skew超過-0.2。這表明當(dāng)在_5°C情況下的光透射層的回復(fù)彈性模量在1500MRI 以下的范圍(由箭頭ρ所示)時(shí)，可以顯著地減小低溫情況下光盤的翹曲。將-0.2(度) 的AR-skew作為標(biāo)準(zhǔn)的原因是基于以下事實(shí)考慮到BD(藍(lán)光光盤)的信號(hào)特性、可靠 性等，理想地R-skew在-0.35至+0.35度之間。即，隨時(shí)間的偏斜變化、突然變化(由于溫度的突然變化引起的偏斜變化)、對(duì)于環(huán)境變化的偏斜余量、以及制造的偏斜余量應(yīng) 該在從-0.35至+0.35度的0.7度范圍內(nèi)?？紤]到隨時(shí)間的偏斜變化、突然變化、對(duì)于環(huán) 境變化的偏斜余量、以及制造的偏斜余量的分布，對(duì)于環(huán)境變化的偏斜余量(即，在溫 度-5°C的環(huán)境中的偏斜變化)必須最大為0.2度。
本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，可以在不偏離本發(fā)明的主旨的情況下進(jìn)行個(gè)各種修 改和應(yīng)用。例如，可以在光透射層上形成作為保護(hù)層的硬涂覆層。此外，例如，被標(biāo)示 以指明光盤內(nèi)容的印刷表面可以形成在與激光束入射側(cè)相反的一側(cè)(所謂標(biāo)示表面)。
本申請(qǐng)涉及于2009年9月9日向日本專利局遞交的日本在先專利申請(qǐng)JP 2009-208157中揭示的主題，通過引用將其全部?jī)?nèi)容包含在本說明書中。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在所附權(quán)利要求或其等同范圍內(nèi)，取決于設(shè)計(jì)要 求及其他因素，可以進(jìn)行各種改變、組合、子組合及替換。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括 基底； 信息記錄層，其形成在所述基底上，并用于通過用光照射來記錄和再現(xiàn)信息信號(hào)；以及光透射層，其形成在所述信息記錄層上并使所述光透射， 所述光透射層在-5°C情況下的回復(fù)彈性模量在1500MPa以下的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光透射層在_5°C情況下的回復(fù) 彈性模量在20MPa以上且1500MRI以下的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述基底由基于聚碳酸酯的樹脂作為 主要成分制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述光透射層由可UV固化樹脂組成 物作為主要成分制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述可UV固化樹脂組成物包括 低聚物成分，其在未固化液體狀態(tài)時(shí)在25°C具有300mPa · s以上且3000mPa · s以下的粘度，并在單體固化物質(zhì)狀態(tài)時(shí)具有-50°C以上且15°C以下的玻璃轉(zhuǎn)變溫度；以及 光聚合引發(fā)劑成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述可UV固化樹脂組成物還包括從 由雙功能或更多功能單體成分和單功能單體成分組成的群組中選擇的至少一種成分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄層是能夠通過用光照射 反復(fù)地記錄信息信號(hào)的記錄層。
8.—種制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法，包括以下步驟在基底上形成信息記錄層，所述信息記錄層用于用光照射來記錄和再現(xiàn)信息信號(hào)；以及將可UV固化樹脂組成物涂布到所述信息記錄層上，并接著使所述可UV固化樹脂組 成物固化以在所述信息記錄層上形成光透射層，所述光透射層在_5°C情況下的回復(fù)彈性模量在1500MRI以下的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及光學(xué)記錄介質(zhì)以及用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的方法。該光學(xué)記錄介質(zhì)包括基底；信息記錄層，其形成在所述基底上，并用于通過用光照射來記錄和再現(xiàn)信息；以及光透射層，其形成在所述信息記錄層上并使所述光透射，所述光透射層在-5℃情況下的回復(fù)彈性模量在1500MPa以下的范圍內(nèi)。
文檔編號(hào)G11B7/26GK102024476SQ20101028033
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月9日
發(fā)明者中田芳昭, 大木隆, 川崎弘幸, 菊地稔 申請(qǐng)人:索尼公司, 索尼化工和信息產(chǎn)品公司