專(zhuān)利名稱(chēng)：非易失性存儲(chǔ)器件的存取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。具體而言，示例實(shí)施例涉及一種非易失性存儲(chǔ) 器件及其存取方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以被分成易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器 件可以以相對(duì)高的速度執(zhí)行讀和寫(xiě)操作，并且可在電源關(guān)閉時(shí)丟失數(shù)據(jù)。相反，非易失性存 儲(chǔ)器件可以在電源關(guān)閉之后保持?jǐn)?shù)據(jù)。因此，非易失性存儲(chǔ)器件可優(yōu)選用于存儲(chǔ)無(wú)論電源 是否接通都必須保持的內(nèi)容。在非易失性存儲(chǔ)器件中，快閃存儲(chǔ)器可以被廣泛地與例如計(jì)算機(jī)、存儲(chǔ)卡等一起 使用。根據(jù)單元和位線的互連狀態(tài)，快閃存儲(chǔ)器可以被分成NOR類(lèi)型和NAND類(lèi)型。NOR類(lèi) 型的快閃存儲(chǔ)器可以具有下述陣列結(jié)構(gòu)其中，兩個(gè)或更多個(gè)單元晶體管與一條位線并聯(lián) 連接。NOR類(lèi)型的快閃存儲(chǔ)器可以利用溝道熱電子(CHE)方法來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且可以利用 Fowler-Nordheim(FN)隧道方法來(lái)擦除數(shù)據(jù)。NAND類(lèi)型的快閃存儲(chǔ)器可以具有下述陣列結(jié) 構(gòu)其中，兩個(gè)或更多個(gè)單元晶體管與一條位線串聯(lián)連接。NAND類(lèi)型的快閃存儲(chǔ)器可以利 用FN隧道方法存儲(chǔ)和擦除數(shù)據(jù)?？扉W存儲(chǔ)器的每一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)或多位數(shù)據(jù)。在一個(gè)存儲(chǔ)單元存 儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的情況下，所述存儲(chǔ)單元可以具有對(duì)應(yīng)于兩個(gè)閾值電壓狀態(tài)(例如數(shù)據(jù)“1”或 數(shù)據(jù)“0”)中的任意一個(gè)的閾值電壓。如果一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)，則存儲(chǔ)單元可以具 有對(duì)應(yīng)于四個(gè)閾值電壓狀態(tài)中的任意一個(gè)的閾值電壓。如果一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)， 則存儲(chǔ)單元可以具有對(duì)應(yīng)于八個(gè)閾值電壓狀態(tài)中的任意一個(gè)的閾值電壓。近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā) 了用于在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)4位或更多位數(shù)據(jù)的各種技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
示例實(shí)施例提供一種能夠提供高可靠性的讀數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器件及存取方 法。示例實(shí)施例提供一種非易失性存儲(chǔ)器件的存取方法，該存取方法可以包括檢測(cè) 第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化，所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化能夠物理地影響第二存 儲(chǔ)單元；并且根據(jù)所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化的間距，將所述第二存儲(chǔ)單元分配到 從多個(gè)子分布當(dāng)中選擇的一個(gè)子分布，所述多個(gè)子分布對(duì)應(yīng)于所述第二存儲(chǔ)單元的目標(biāo)分布。示例實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，該存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包括非易失性存儲(chǔ)器件；和存儲(chǔ)器控制器，所述存儲(chǔ)器控制器可被配置來(lái)控制所述非易失性存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器控制 器可以根據(jù)下述存取方法來(lái)存取所述非易失性存儲(chǔ)器件，所述存取方法可以包括檢測(cè)第 一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化，所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化能夠物理地影響第二存儲(chǔ) 單元；并且根據(jù)所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化的間距，將所述第二存儲(chǔ)單元分配到從 多個(gè)子分布當(dāng)中選擇的一個(gè)子分布，所述多個(gè)子分布對(duì)應(yīng)于所述第二存儲(chǔ)單元的目標(biāo)分 布。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例實(shí)施例，示例實(shí)施例的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得 更加清楚。附圖意欲描述示例實(shí)施例，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制權(quán)利要求所期望的范圍。附 圖不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是按比例來(lái)繪制的，除非明確地標(biāo)明。圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的單元陣列的圖。圖2A到2C是用于描述由于侵略單元而導(dǎo)致的受害單元的閾值電壓上偏移的圖。圖3A到3C是圖解由于侵略單元而導(dǎo)致的受害單元的閾值電壓下偏移的示例的 圖。圖4是用于描述橫向電荷擴(kuò)散的圖。圖5A和5B是示出圖4中的存儲(chǔ)單元的閾值電壓狀態(tài)的圖。圖6A到6D是用于描述分析圖5中的存儲(chǔ)單元的方法的圖。圖7A和7B是用于描述利用驗(yàn)證電壓解決橫向電荷擴(kuò)散和編程干擾的方法的圖。圖8是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法的圖。圖9是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法的流程圖。圖10是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的編程方法的圖。圖11是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的編程方法的流程圖。圖12A是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的方法的另一圖。圖12B是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的方法的再一圖。圖13A和13B是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的初始讀取的圖。圖14A和14B是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的另一讀方法的圖。
圖15到18是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的用于重疊子分布的讀方法的圖。圖19是描述用于解決在圖17中所示的讀方法中的問(wèn)題的讀方法的圖。圖20是描述用于解決在圖18中所示的讀方法中的問(wèn)題的讀方法的圖。圖21是圖解侵略單元的各種類(lèi)型的圖。圖22是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的劃分侵略單元的物理影響的方法的圖。圖23A和23B是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的精細(xì)劃分侵略單元的物理影響的其他方法 的圖。圖24是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方塊圖。圖25是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的方框圖。
具體實(shí)施例方式在此公開(kāi)詳細(xì)的示例實(shí)施例。然而，在此公開(kāi)的特定結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)僅僅是典型地用于描述示例實(shí)施例的目的。然而，示例實(shí)施例可以以多種替代形式來(lái)體現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng) 被曲解為僅僅限于在此提出的實(shí)施例。相應(yīng)地，雖然示例實(shí)施例能夠進(jìn)行各種修改并且存在替換形式，但是在此將在細(xì) 節(jié)上描述在附圖中通過(guò)舉例方式示出的其實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)理解不期望限制示例實(shí)施例 為所公開(kāi)的特定形式，而是相反，示例實(shí)施例將覆蓋落在示例實(shí)施例的范圍之內(nèi)的所有修 改、等效內(nèi)容和替代。貫穿對(duì)附圖的描述，相似的數(shù)字指代相似的元件。應(yīng)當(dāng)理解雖然在此可用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件，但是這些元件應(yīng)當(dāng)不 受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用于區(qū)分一個(gè)元件與另一元件。例如，第一元件可被稱(chēng) 為第二元件，并且，類(lèi)似地，第二元件也被稱(chēng)為第一元件，而不會(huì)脫離示例實(shí)施例的范圍。如 在此所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意和所有組合。應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)為與另一元件“連接”或“耦合”時(shí)，其可以是直接連接 或耦合到其他元件，或者也可以出現(xiàn)居間的元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱(chēng)為“直接連接”或 “直接耦合”到另一元件時(shí)，不存在居間元件。使用來(lái)描述元件之間的關(guān)系的其他詞匯(例 如“在...之間”對(duì)“直接在...之間”，“相鄰”對(duì)“直接相鄰”等等)應(yīng)當(dāng)以同樣的方式來(lái) 解釋。在此使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是描述特定實(shí)施例的目的，而不是期望限制示例實(shí)施例。如在此使用的，單數(shù)形式意欲同樣包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地示出除外。應(yīng)進(jìn)一步理 解當(dāng)在此使用術(shù)語(yǔ)“包括”、“正包括”、“包含”和/或“正包含”時(shí)，說(shuō)明所陳述的特征、整 數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、 元件、組件、和/或它們的組的存在或添加。應(yīng)當(dāng)注意到在一些替代實(shí)施中，所標(biāo)注的功能/動(dòng)作可以不按附圖中標(biāo)注的順 序發(fā)生。例如，依賴(lài)于所涉及的功能/動(dòng)作，連續(xù)示出的兩幅圖可以實(shí)際上幾乎同時(shí)執(zhí)行或 可能有時(shí)候以相反順序執(zhí)行。下面，將參照非易失性NAND類(lèi)型的快閃存儲(chǔ)器件來(lái)描述示例實(shí)施例的特性和功 能。然而，很好理解本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到除了非易失性NAND類(lèi)型的快閃存儲(chǔ)器件之 外的示例實(shí)施例的應(yīng)用。而且，在本公開(kāi)中使用的術(shù)語(yǔ)“分布”可以指代與特定單位(例如 頁(yè)、塊、芯片等)中的存儲(chǔ)單元的不同閾值電壓的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元的數(shù)目。下面，將 參照附圖更全面描述示例實(shí)施例。圖1是示出非易失性存儲(chǔ)器的單元陣列100的圖。參照?qǐng)D1，在編程操作時(shí)，存儲(chǔ) 單元(例如MC0)可能受到相鄰或周?chē)拇鎯?chǔ)單元(例如MCl到MC8)的物理影響。雖然存 儲(chǔ)單元MCO未被編程，但是，由于物理地影響單元MCO的存儲(chǔ)單元MCl到MC8，存儲(chǔ)單元MCO 的閾值電壓可能被偏移。下文中，施加影響的存儲(chǔ)單元MCl到MC8被稱(chēng)為侵略單元，而受到 影響的存儲(chǔ)單元MCO被稱(chēng)為受害單元。耦合效應(yīng)是與閾值電壓的偏移相關(guān)的代表性現(xiàn)象。由于耦合效應(yīng)，存儲(chǔ)單元 MCO(受害單元)的閾值電壓可能從原來(lái)的被編程閾值電壓偏移。耦合效應(yīng)將被描述成閾 值電壓偏移的例子。然而，除了耦合效應(yīng)之外，存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能由于各種原因而被 偏移。例如，由于隨時(shí)間流逝而出現(xiàn)氧化膜的劣化、熱溫度應(yīng)力(HTS)、編程/擦除循環(huán)等， 存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能變化。可替換地，由于外圍單元的編程導(dǎo)致的編程干擾，存儲(chǔ)單元 MCO的閾值電壓可能向上偏移。由于侵略單元MCl到MC8的電荷損失引起的存儲(chǔ)單元MCO的閾值電壓變化可被認(rèn)為是侵略單元對(duì)受害單元造成的物理影響。此外，橫向電荷擴(kuò)散可 能惡化分布，其中，由于元件(例如電荷擷取快閃(CTF)存儲(chǔ)器的浮置柵極(電荷擷取層)) 的特性，通過(guò)橫向電荷擴(kuò)散，電荷被偏移到周?chē)鷨卧??？梢愿鶕?jù)各種編程方式來(lái)改變導(dǎo)致 物理影響的相鄰單元。存儲(chǔ)單元MCO的閾值電壓的偏移不限于特定操作。根據(jù)存儲(chǔ)單元 MCO是否與存儲(chǔ)單元MC3和MC6相同的位線BLl連接或者其是否與存儲(chǔ)單元MCl和MC2相 同的字線WLl連接，存儲(chǔ)單元MCO的閾值電壓可能受到存儲(chǔ)單元MC1、MC2、MC3和MC6影響。
由于上述原因，存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能會(huì)被偏移。相應(yīng)地，由于電壓閾值偏移 可能導(dǎo)致讀裕量減小，所以相鄰的閾值電壓分布可能彼此重疊。當(dāng)相鄰的閾值電壓分布重 疊時(shí)，讀數(shù)據(jù)可能包括多個(gè)錯(cuò)誤位。然而，利用根據(jù)示例實(shí)施例的讀電壓設(shè)置方法，能夠解 決由于閾值電壓偏移導(dǎo)致的問(wèn)題。特別是，能夠劃分由周?chē)鎯?chǔ)單元導(dǎo)致的耦合或保持 (retention)影響以及估計(jì)對(duì)于每一所劃分出的分布的特性(例如，分布的下限電壓、分布 的上限電壓、誤碼率等)。而且，利用根據(jù)示例實(shí)施例的分析方法，每一重疊的分布可根據(jù)耦 合影響而被劃分成多個(gè)子分布?？梢酝ㄟ^(guò)根據(jù)所劃分出的分布而相同地或類(lèi)似地選擇經(jīng)受周?chē)鷨卧獙?dǎo)致的耦合 影響的存儲(chǔ)單元來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)器的存取。根據(jù)該分析方法，能夠提供對(duì)應(yīng)于各種要求的讀電 壓。根據(jù)示例實(shí)施例，能夠設(shè)置具有特定可靠性的讀電壓以及根據(jù)讀取單元所經(jīng)受的耦合 的間距來(lái)提供非易失性存儲(chǔ)器件的DC參數(shù)。圖2A到2C是用于描述由于侵略單元而導(dǎo)致的受害單元的閾值電壓上偏移的圖。 將參照?qǐng)D2A到2C來(lái)描述由于侵略單元(例如在MC3位置的單元)的閾值電壓的變化而導(dǎo) 致的受害單元(例如在MCO位置的單元)的閾值電壓的變化。由于侵略單元MC3導(dǎo)致的耦 合可以被認(rèn)為是周?chē)鷨卧挠绊懙暮?jiǎn)單模型。圖2A和2B示出了根據(jù)侵略單元的編程的閾值電壓變化。圖2A示出了被從分布 PO分別編程至分布Pl和P2的侵略單元的閾值電壓的變化。下文中，值“i”被用于指示編 程時(shí)間。在編程前，侵略單元的分布Pl可以具有驗(yàn)證電壓Vfy (i-Ι)和分布寬度AVwi+如 果被編程至兩個(gè)不同的狀態(tài)，則侵略單元可以具有分布Pl和分布P2，其中分布Pl具有驗(yàn) 證電壓Vfy(i，l)和分布寬度Δ Vwi，分布P2具有驗(yàn)證電壓Vfy (i，0)和分布寬度Δν 。在 圖2Α中，箭頭①指示最大閾值電壓變化。箭頭①指示了其中具有分布PO中的最低閾值電 壓的侵略單元被編程至分布Ρ2中的最高閾值電壓的情形的示例。在圖2Α中，箭頭②指示 了被編程至分布Ρ2的侵略單元的最小閾值電壓變化。箭頭③指示了被編程至分布Pl的侵 略單元的最大閾值電壓變化。箭頭④指示所有閾值電壓變化中的最小值。圖2Β示出了被從分布PO編程至分布Pl和Ρ2的侵略單元的閾值電壓的變化的寬 度的分布。由△分布DSTl來(lái)圖示被從PO編程至Pl的侵略單元的閾值電壓的變化的寬度 (VTH, i-VTH, i-Ι)。由Δ分布DST2來(lái)圖示被從PO編程至Ρ2的侵略單元的閾值電壓的變化 的寬度(VTH，i_VTH，i-1)。Δ分布DSTl和DST2可以具有重疊的區(qū)域。Δ分布DSTl可以指示相對(duì)小的閾值電 壓變化并且可以具有作為閾值電壓變化的平均值的dl。Δ分布DSTl的最大值可以對(duì)應(yīng)于 由箭頭③圖示的情形并且由Max(AVTHl)來(lái)標(biāo)記。Δ分布DSTl的最小值可以對(duì)應(yīng)于由箭頭 ④圖示的情形并且由Min(AVTHl)來(lái)標(biāo)記。然而，當(dāng)電壓Vfy (i，1)小于(Vfy (i-Ι) + Δ VffiJ 時(shí)，電壓Vfy(i，l)可被設(shè)置為0。為了說(shuō)明方便，將在該條件下描述示例實(shí)施例。相應(yīng)地，如果上述條件被改變，則可以稍微調(diào)整公式?！鞣植糄ST2可以指示相對(duì)大的閾值電壓變化 并且可以具有作為閾值電壓變化的平均值的d2。Δ分布DST2的最大值可以對(duì)應(yīng)于由箭頭 ①圖示的情形并且由Max(AVTHO)來(lái)標(biāo)記。Δ分布DST2的最小值可以對(duì)應(yīng)于由箭頭②圖 示的情形并且由Min(AVTHO)來(lái)標(biāo)記。Δ分布DSTl和DST2可以代表根據(jù)上述計(jì)算方式提 取的分布的示例。然而，可以由Δ分布DST1’和DST2’來(lái)圖示實(shí)際產(chǎn)生的侵略單元的閾值 電壓變化。圖2C示出了由于侵略單元的閾值電壓變化引起的對(duì)受害單元的物理影響。分布 STl和ST2圖解了受害單元的不同的編程狀態(tài)。根據(jù)與侵略單元的閾值電壓變化DSTl和 DST2中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的耦合影響，分布STl可被劃分成子分布SSTl和SST1’。分布STl 可被劃分成存儲(chǔ)單元的子分布SST1，其沒(méi)有受到耦合影響或受到相對(duì)小的耦合影響；存 儲(chǔ)單元的子分布SST1，，其受到相對(duì)大的耦合影響。此外，根據(jù)與侵略單元的閾值電壓變化 DSTl和DST2中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的耦合影響，分布ST2可被劃分成子分布SST2和SST2，。分 布ST2可被劃分成存儲(chǔ)單元的子分布SST2，其沒(méi)有受到耦合影響或受到相對(duì)小的耦合影 響；存儲(chǔ)單元的子分布SST2，其受到相對(duì)大的耦合影響。參照?qǐng)D2C，描述其中根據(jù)耦合影響 每一分布被劃分成兩個(gè)子分布(例如SST1、SSTl'；和SST2、SST2’ )的例子。為了說(shuō)明方 便，提供上述的劃分標(biāo)準(zhǔn)的示例。按照示例實(shí)施例，每一分布根據(jù)耦合影響可被劃分成三個(gè) 或更多個(gè)子分布。如果已知侵略單元的閾值電壓變化的間距，則可以通過(guò)估計(jì)、計(jì)算或測(cè)試 值來(lái)充分地測(cè)量和校正受害單元的分布的邊界值。可以通過(guò)下列公式來(lái)計(jì)算分布寬度A和B。分布寬度A可以指示經(jīng)受相對(duì)小的耦 合影響的子分布SSTl和SST2中的每一個(gè)的寬度，而分布寬度B可以指示經(jīng)受相對(duì)大的耦 合影響的子分布SST1’和SST2’中的每一個(gè)的寬度。
在公式中，Cy可以代表指示耦合比率的常量?？梢酝ㄟ^(guò)下列公式來(lái)計(jì)算指示分布STl的寬度的分布寬度C。
可以由下列公式來(lái)表達(dá)用于定義各子分布的上閾值電壓和下閾值電壓之間的差 的閾值電壓寬度D和E。
可以通過(guò)考慮上述公式來(lái)估計(jì)由于侵略單元導(dǎo)致的對(duì)受害單元的物理影響(例 如耦合)。圖3A到3C是示出由于侵略單元而導(dǎo)致的受害單元的閾值電壓下偏移的圖。圖3A 到3C圖解了其中可能由于侵略單元在一段時(shí)間上導(dǎo)致的電荷損失迫使受害單元的閾值電 壓偏移的現(xiàn)象?？梢詢H僅根據(jù)比受害單元晚編程的侵略單元來(lái)確定由侵略單元的編程導(dǎo)致 的耦合。然而，可考慮在受害單元周?chē)乃星致詥卧獊?lái)對(duì)由于電荷損失引起的侵略單元 的物理影響進(jìn)行建模。參照?qǐng)D3A，由于 例如時(shí)間流逝的原因，侵略單元的閾值電壓分布Pl和P2可能被下偏移至閾值電壓分布ΡΓ和Ρ2’。然而，侵略單元的閾值電壓的降低可與耦合效應(yīng)區(qū)分開(kāi) 來(lái)。在一給定時(shí)間段上，具有較高閾值電壓的存儲(chǔ)單元可能經(jīng)受比具有較低閾值電壓的存 儲(chǔ)單元大的電壓下降。在分布Ρ2偏移到分布Ρ2’時(shí)導(dǎo)致的閾值電壓減小寬度可能大于在 分布Pl偏移到分布ΡΓ時(shí)導(dǎo)致的閾值電壓減小寬度。相應(yīng)地，由箭頭①標(biāo)記的分布Ρ2的 最大閾值電壓位移寬度大于由箭頭②標(biāo)記的分布Pl的最大閾值電壓位移寬度。箭頭③和 ④可以指示其閾值電壓位移寬度相對(duì)地小于由箭頭①和②標(biāo)記的最大閾值電壓位移寬度 的存儲(chǔ)單元。圖3Β是圖解侵略單元的分布Pl和Ρ2分別下偏移至分布ΡΓ和Ρ2’的分布圖。 具有平均值-d2的△分布DST2可以指示其閾值電壓被從分布P2改變至分布P2’的存儲(chǔ) 單元的位移寬度。具有平均值-dl的△分布DSTl可以指示其閾值電壓被從分布Pl改變 至分布ΡΓ的存儲(chǔ)單元的位移寬度。和耦合不同，由于侵略單元的閾值電壓被降低，所以閾 值電壓位移寬度可以具有負(fù)值。在具有相同閾值電壓的存儲(chǔ)單元經(jīng)受相似速率的電荷損失 的情況下，可以由分布DST1’和DST2’來(lái)圖解閾值電壓位移分布，其中，所述分布DST1’和 DST2’可以具有比模型DSTl和DST2更窄的范圍并且可以展示出電荷損失的特性。Δ分布 DSTl和DST2可以被認(rèn)為是上和下邊界條件。
圖3C圖解了由于侵略單元的閾值電壓變化導(dǎo)致的受害單元的閾值電壓變化。分 布STl和ST2可以分別指示受害單元的不同的編程狀態(tài)。根據(jù)與侵略單元的閾值電壓變化 DSTl和DST2的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的耦合影響，分布STl可以被劃分成子分布SSTl和SST1，。分 布STl可被劃分成存儲(chǔ)單元的子分布SST1，其可能受到侵略單元的電荷損失的相對(duì)小的 影響；存儲(chǔ)單元的子分布SST1’，其可能受到侵略單元的電荷損失的相對(duì)大的影響。此外， 根據(jù)與侵略單元的閾值電壓變化DSTl和DST2的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的耦合影響，分布ST2可以被 劃分成子分布SST2和SST2’。分布ST2可被劃分成存儲(chǔ)單元的子分布SST2，其可能受到 侵略單元的電荷損失的相對(duì)小的影響；存儲(chǔ)單元的子分布SST2’，其可能受到侵略單元的 電荷損失的相對(duì)大的影響。參照?qǐng)D3C，描述其中每個(gè)分布可根據(jù)耦合影響而被劃分成兩個(gè) 子分布(例如SST1、SST1’ ；和SST2、SST2’ )的例子。為了說(shuō)明方便，提供上述的劃分標(biāo)準(zhǔn) 的示例。按照示例實(shí)施例，每一分布根據(jù)耦合影響可被劃分成例如三個(gè)或更多個(gè)子分布。如 果已知侵略單元的閾值電壓變化的間距，則可以通過(guò)估計(jì)、計(jì)算或測(cè)試值來(lái)充分地測(cè)量和 校正受害單元的分布的邊界值。圖4是用于描述橫向電荷擴(kuò)散的圖。參照?qǐng)D4，在與同一字線連接的相鄰單元之間 可能產(chǎn)生編程干擾。此外，可以利用橫向電荷擴(kuò)散來(lái)描述物理影響，其中所述橫向電荷擴(kuò)散 可以是在電荷擷取快閃(CTF)存儲(chǔ)器的單元處產(chǎn)生。CTF存儲(chǔ)器的單元可以具有非導(dǎo)電的 浮置柵極。在制造時(shí)，可以通過(guò)電荷擷取層來(lái)形成浮置柵極，其中，電荷擷取層在相鄰存儲(chǔ) 單元MCO和MCl之間可以是連續(xù)的。當(dāng)存儲(chǔ)單元減小(scale down)時(shí)，由于注入電荷的濃 度差，可能需要考慮橫向電荷擴(kuò)散?？梢岳米⑷氲角致詥卧褪芎卧拿恳粋€(gè)的浮置 柵極中的電荷差來(lái)對(duì)上述現(xiàn)象建模。在與同一位線BLO或BLl連接的存儲(chǔ)單元之間可能引 起橫向電荷擴(kuò)散現(xiàn)象。圖5A和5B是示出圖4中的存儲(chǔ)單元的閾值電壓狀態(tài)的圖。圖5A圖解了存儲(chǔ)單 元MCO的編程狀態(tài)STO和存儲(chǔ)單元MCl的編程狀態(tài)STl。假定存儲(chǔ)單元MCO可以對(duì)應(yīng)于編 程狀態(tài)ST0，而存儲(chǔ)單元MCl可以對(duì)應(yīng)于編程狀態(tài)STl。在相鄰存儲(chǔ)單元MCO和MCl之間可能存在閾值電壓差ΔντΗ。閾值電壓差八、可以具有最大值111￡0^1和最小值1^11八、。 假定編程狀態(tài)STO可以具有分布寬度AVwtl，而編程狀態(tài)STl可以具有分布寬度Mmo圖5Β圖解了對(duì)于上述閾值電壓差A(yù)Vth的存儲(chǔ)單元的分布DST。可以通過(guò)下列公 式來(lái)對(duì)各分布的值進(jìn)行建模 分布DST可以指示從上述公式提取的閾值電壓差的理論值。因而，在實(shí)際的存儲(chǔ) 單元的情況下，分布DST可以具有小于分布DST’的閾值電壓差。結(jié)果，由于相鄰存儲(chǔ)單元的閾值電壓之間的差，一個(gè)存儲(chǔ)單元可能成為侵略單元， 而另一存儲(chǔ)單元可能成為受害單元。圖6Α到6D是用于描述分析圖5中的存儲(chǔ)單元的方法的圖。圖6Α示出了 2位的 多電平單元的編程結(jié)果，其可以具有擦除狀態(tài)EO和三個(gè)編程狀態(tài)Pl、Ρ2和Ρ3中的任意一 個(gè)。圖6Β示出了根據(jù)存儲(chǔ)單元MCO和MCl的閾值電壓差Δ Vth的存儲(chǔ)單元的分布DSTO 到DST4。分布DSTO圖解了其中根據(jù)兩個(gè)存儲(chǔ)單元MCO和MCl之間的閾值電壓差A(yù)Vth而 存儲(chǔ)單元MCO和MCl分別具有編程狀態(tài)Pl和Ρ2以及存儲(chǔ)單元MCO和MCl分別具有編程狀 態(tài)Ρ2和Ρ3的例子。分布DSTO可以代表與在具有不同狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓差當(dāng)中 的最小值對(duì)應(yīng)的示例分布。分布DSTl圖解了其中根據(jù)兩個(gè)單元MCO和MCl之間的閾值電 壓差Δ Vth而存儲(chǔ)單元MCO和MCl分別具有編程狀態(tài)Pl和Ρ3的例子。分布DST2圖解了其 中根據(jù)兩個(gè)單元MCO和MCl之間的閾值電壓差Δ Vth而存儲(chǔ)單元MCO和MCl分別具有擦除 狀態(tài)EO和編程狀態(tài)Pl的例子。分布DST3圖解了其中根據(jù)兩個(gè)單元MCO和MCl之間的閾 值電壓差Δ Vth而存儲(chǔ)單元MCO和MCl分別具有擦除狀態(tài)EO和編程狀態(tài)Ρ2的例子。分布 DST4圖解了其中根據(jù)兩個(gè)單元MCO和MCl之間的閾值電壓差ΔντΗ(其可被稱(chēng)為兩個(gè)單元 MCO和MCl之間的間距)而存儲(chǔ)單元MCO和MCl分別具有擦除狀態(tài)EO和編程狀態(tài)Ρ3的例 子。分布DST4可以代表與在具有不同狀態(tài)的存儲(chǔ)單元的閾值電壓差當(dāng)中的最大值對(duì)應(yīng)的 示例分布。在給定時(shí)間之后經(jīng)受橫向電荷擴(kuò)散的存儲(chǔ)單元的分布可以根據(jù)相鄰存儲(chǔ)單元的 狀態(tài)而被如圖6C中所示劃分。雖然兩個(gè)單元可以相互影響，但是為了說(shuō)明方便，存儲(chǔ)單元 MCO將被稱(chēng)為侵略單元，而存儲(chǔ)單元MCl將被稱(chēng)為受害單元。存儲(chǔ)單元MCl (受害單元)的 分布可隨時(shí)間流逝而被擴(kuò)展。如果最初受害單元MCl具有對(duì)應(yīng)于擦除狀態(tài)EO的閾值電壓 分布ST0，則由于在一段時(shí)間流逝之后侵略單元的影響，受害單元MCl可能具有擴(kuò)展的分布 ST0’。根據(jù)侵略單元的閾值電壓，擴(kuò)展的分布ST0’可以被劃分成子分布SSTOJK SST0_1、 SST0_2和SST0_3，如圖6B中所示。子分布SST0_0可以指示當(dāng)侵略單元的編程狀態(tài)是擦除 狀態(tài)EO時(shí)的受害單元的分布。子分布SST0_1可以指示當(dāng)侵略單元的編程狀態(tài)是編程狀態(tài) Pl時(shí)的受害單元的分布。子分布SST0_2可以指示當(dāng)侵略單元的編程狀態(tài)是編程狀態(tài)P2時(shí) 的受害單元的分布。子分布SST0_3可以指示當(dāng)侵略單元的編程狀態(tài)是編程狀態(tài)P3時(shí)的受 害單元的分布。如果受害單元MCl初始具有對(duì)應(yīng)于編程狀態(tài)Pl的閾值電壓分布ST1，則由于在一 段時(shí)間流逝之后侵略單元的影響，受害單元MCl可能具有擴(kuò)展的分布ST1’。根據(jù)侵略單元的閾值電壓，擴(kuò)展的分布ST1，可以被劃分成子分布SSTlJK SST1_1、SST1_2和SST1_3，如 圖6B中所示。子分布SST1_0可以指示當(dāng)侵略單元處于編程狀態(tài)Pl時(shí)的受害單元的分布。 子分布SST1_1可以指示當(dāng)侵略單元處于編程狀態(tài)P2時(shí)的受害單元的分布。子分布SST1_2 可以指示當(dāng)侵略單元的編程狀態(tài)是編程狀態(tài)P3時(shí)的受害單元的分布。子分布SST1_3可以 指示當(dāng)侵略單元的狀態(tài)是擦除狀態(tài)EO時(shí)的受害單元的分布。如果受害單元MCl初始具有對(duì)應(yīng)于編程狀態(tài)P2的閾值電壓分布ST2，則由于在一 段時(shí)間流逝之后侵略單元的影響，受害單元MCl可能具有擴(kuò)展的分布ST2’。根據(jù)侵略單元 的閾值電壓，擴(kuò)展的分布ST2’可以被劃分成子分布SST2_0、SST2_1、SST2_2和SST2_3，如 圖6B中所示。子分布SST2_0可以指示當(dāng)侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P2時(shí)的受害單元的 分布。子分布SST2_1和SST2_2可以指示當(dāng)侵略單元的狀態(tài)處于編程狀態(tài)Pl或編程狀態(tài) P3時(shí)的受害單元的分布。雖然子分布SST2_1* SST2_2被示出為分開(kāi)的，但是，如果編程狀 態(tài)之間的間距(P1&P2 )和(P2eP3 )彼此相同，則子分布SST2_1和SST2_2可以匯成 一個(gè)分布。子分布SST2_3可以指示當(dāng)侵略單元的狀態(tài)處于擦除狀態(tài)EO時(shí)的受害單元的分 布。上述分布劃分可以應(yīng)用于其中受害單元被編程至編程狀態(tài)P3的情形。參照?qǐng)D6B，可以 根據(jù)每個(gè)侵略單元的編程狀態(tài)來(lái)分開(kāi)受害單元的子分布。圖6D圖解了示出能夠補(bǔ)償橫向電荷擴(kuò)散或編程干擾的影響的讀方法的圖。如圖6D所示，根據(jù)相鄰侵略單元的狀態(tài)，受害單元的讀電平可以被劃分成四個(gè)電平。根據(jù)示例實(shí) 施例，可不需要設(shè)置擦除狀態(tài)ST0’的讀電平，并且省略對(duì)其的描述。作為一個(gè)示例，可以假定正好在編程要讀的受害單元之后的閾值電壓對(duì)應(yīng)于編程 狀態(tài)STl，并且由編程干擾或橫向電荷擴(kuò)散形成的分布是狀態(tài)ST1’。根據(jù)該假設(shè)，如果侵略 單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)、擦除狀態(tài)E0，則可以提供讀電壓RlO來(lái)區(qū)分子分布SST1_0。在其中 侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)Pl的情況下，可以提供讀電壓Rll來(lái)區(qū)分子分布SST1_1。在其 中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P2的情況下，可以提供讀電壓R12來(lái)區(qū)分子分布SST1_2。在 其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P3的情況下，可以提供讀電壓R13來(lái)區(qū)分子分布SST1_3。作為另一個(gè)示例，可以假定正好在編程要讀的受害單元之后的閾值電壓對(duì)應(yīng)于編 程狀態(tài)ST2，并且由編程干擾或橫向電荷擴(kuò)散形成的分布是狀態(tài)ST2’。根據(jù)該假設(shè)，如果侵 略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)、擦除狀態(tài)E0，則可以提供讀電壓R20來(lái)區(qū)分子分布SST2_0。在 其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)Pl的情況下，可以提供讀電壓R21來(lái)區(qū)分子分布SST2_1。 在其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P2的情況下，可以提供讀電壓R22來(lái)區(qū)分子分布 SST2_2。在其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P3的情況下，可以提供讀電壓R23來(lái)區(qū)分子分 布 SST2_3。作為另一個(gè)示例，可以假定正好在編程要讀的受害單元之后的閾值電壓對(duì)應(yīng)于編 程狀態(tài)ST3，并且由編程干擾或橫向電荷擴(kuò)散形成的分布是狀態(tài)ST3’。根據(jù)該假設(shè)，如果侵 略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)、擦除狀態(tài)E0，則可以提供讀電壓R30來(lái)區(qū)分子分布SST3_0。在 其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)Pl的情況下，可以提供讀電壓R31來(lái)區(qū)分子分布SST3_1。 在其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P2的情況下，可以提供讀電壓R32來(lái)區(qū)分子分布 SST3_2。在其中侵略單元的狀態(tài)是編程狀態(tài)P3的情況下，可以提供讀電壓R33來(lái)區(qū)分子分 布 SST3_3。根據(jù)參照?qǐng)D6D描述的讀方法，可以很好地理解根據(jù)侵略單元的不同類(lèi)型，讀電壓可以在電平方面不同地變化。和耦合不同，通過(guò)兩個(gè)單元的編程位移差，可以非線性地施 加關(guān)于圖6A-6D討論的影響?？梢詢?yōu)選的是，不利用位移差來(lái)劃分影響，而通過(guò)對(duì)影響的分 析結(jié)果來(lái)劃分影響。例如，在與其他情形相比受害單元與在分別具有擦除狀態(tài)EO和編程狀 態(tài)P3的兩個(gè)侵略單元之間相鄰時(shí)物理影響顯著的情況下，可以優(yōu)選的，僅僅添加與之對(duì)應(yīng) 的讀電壓R13和R30。而且，受害單元的讀電壓可能受到時(shí)間參數(shù)的影響。時(shí)間參數(shù)例如 可以包括讀操作開(kāi)始時(shí)的時(shí)間點(diǎn)、編程受害單元的時(shí)間點(diǎn)、編程侵略單元的時(shí)間點(diǎn)等等。因 此，可以進(jìn)一步根據(jù)在編程之后的時(shí)間流逝來(lái)調(diào)整用于讀受害單元的電壓。圖7A和7B是用于描述利用驗(yàn)證電壓解決橫向電荷擴(kuò)散和編程干擾的方法的圖。 參照?qǐng)D7A和7B，根據(jù)相鄰侵略單元的狀態(tài)，受害單元的讀電平可以被劃分成四個(gè)電平。根 據(jù)示例實(shí)施例，可不需要設(shè)置擦除狀態(tài)ST0’的讀電平，并且省略對(duì)其的描述。
現(xiàn)在將描述要被編程到目標(biāo)狀態(tài)STl的存儲(chǔ)單元。如果侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是 擦除狀態(tài)E0，則受害單元可被編程至子分布SST1_3。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfyl_3 來(lái)編程受害單元。如果侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)P1，則受害單元可被編程至子分布 SST1_2。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfyl_2來(lái)編程受害單元。如果侵略單元的目標(biāo)狀態(tài) 是編程狀態(tài)P2，則受害單元可被編程至子分布SST1_1。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfyl_l 來(lái)編程受害單元。如果侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)P3，則受害單元可被編程至子分布 SST1_0。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfyl_0來(lái)編程受害單元?，F(xiàn)在將關(guān)于要被編程到目標(biāo)狀態(tài)ST2的存儲(chǔ)單元描述編程方法。在侵略單元的目 標(biāo)狀態(tài)是擦除狀態(tài)EO的情況下，則受害單元可被編程至子分布SST2_3。相應(yīng)地，可以通過(guò) 驗(yàn)證電壓Vfy2_3來(lái)編程受害單元。在侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)Pl的情況下，則受 害單元可被編程至子分布SST2_2。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfy2_2來(lái)編程受害單元。在 侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)P2的情況下，則受害單元可被編程至子分布SST2_1。相應(yīng) 地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfy2_l來(lái)編程受害單元。在侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)P3的 情況下，則受害單元可被編程至子分布SST2_0。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfy2_0來(lái)編程 受害單元。現(xiàn)在將關(guān)于要被編程到目標(biāo)狀態(tài)ST3的存儲(chǔ)單元描述編程方法。在侵略單元的目 標(biāo)狀態(tài)是擦除狀態(tài)EO的情況下，則受害單元可被編程至子分布SST3_3。相應(yīng)地，可以通過(guò) 驗(yàn)證電壓Vfy3_3來(lái)編程受害單元。在侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)Pl的情況下，則受 害單元可被編程至子分布SST3_2。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfy3_2來(lái)編程受害單元。在 侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)P2的情況下，則受害單元可被編程至子分布SST3_1。相應(yīng) 地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfy3_l來(lái)編程受害單元。在侵略單元的目標(biāo)狀態(tài)是編程狀態(tài)P3的 情況下，則受害單元可被編程至子分布SST3_0。相應(yīng)地，可以通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfy3_0來(lái)編程 受害單元。圖7B圖解了在一段時(shí)間流逝之后或在存儲(chǔ)單元經(jīng)受高溫度應(yīng)力(HTS)之后根據(jù) 上述編程條件編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化。由于對(duì)于擦除狀態(tài)STO可能不進(jìn)行對(duì)驗(yàn)證 電壓的設(shè)置，所以根據(jù)橫向電荷擴(kuò)散或編程干擾，分布可能被擴(kuò)展。另一方面，隨著時(shí)間流 逝，通過(guò)驗(yàn)證電壓Vfyl_0到Vfy 1_3被編程為具有目標(biāo)狀態(tài)STl的受害單元的分布SST1_0 到SST1_3可以形成分布SST1J)’到SST1_3’(它們優(yōu)選地可以重疊)。因此，可以和分布 STl，類(lèi)似地圖解整個(gè)分布形狀。
上面參照?qǐng)D4到7討論了關(guān)于橫向電荷擴(kuò)散和編程干擾的物理影響以及相應(yīng)的解 決方法。然而，通過(guò)編程干擾，后來(lái)要編程的存儲(chǔ)單元可以充當(dāng)侵略單元，而先前被編程的 受害單元的閾值電壓分布可能被偏移。和耦合不同，可通過(guò)兩個(gè)單元的編程位移差而非線 性地施加該影響?？梢詢?yōu)先地不是利用位移差來(lái)劃分影響，而是通過(guò)對(duì)影響的分析結(jié)果來(lái) 劃分該影響。例如，在與其他情況相比其中當(dāng)受害單元與在分別具有擦除狀態(tài)EO和編程狀 態(tài)P3的兩個(gè)侵略單元之間相鄰時(shí)而物理影響顯著的情況下，可優(yōu)先地僅僅加入對(duì)應(yīng)于此 的驗(yàn)證電壓Vfy3_3。圖8是示出根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法的圖。
圖8圖解了用于描述在從受害單元讀取數(shù)據(jù)之前獲取侵略單元的數(shù)據(jù)并且根據(jù) 所獲取的結(jié)果來(lái)確定受害單元的讀電壓的方法的圖。如果受害單元的閾值電壓由分布STi 和ST2形成，可以參照侵略單元的數(shù)據(jù)，通過(guò)對(duì)于分布寬度A到E的上述公式的計(jì)算算法來(lái) 確定子分布SSTl和SST2的讀電壓Vrdl和Vrd2。可以將讀電壓(Vrdl+D)和(Vrd2+D)確 定為用于讀取可能經(jīng)受相對(duì)大的耦合影響的子分布SST1’和SST2’的電壓。因子D可以具 有與在上述公式0 = (#^1(八冗!10)中的值相同的值?？商鎿Q地，因子D可以具有可以被 測(cè)量或可以通過(guò)測(cè)試值校正的值?？梢詤⒄兆x電壓Vrdl和Vrd2將裕量設(shè)置為在其他分布 之間的間隔。因此，可以參照由侵略單元導(dǎo)致的耦合影響來(lái)改變受害單元的讀電壓。因此， 可以提高讀數(shù)據(jù)的可靠性。圖9是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法的流程圖。參照?qǐng)D9，如果對(duì)受害單元的讀操作開(kāi)始，則在步驟S10，可以獲取侵略單元的編 程狀態(tài)信息來(lái)確定讀電壓。用于獲取侵略單元的編程狀態(tài)信息的通常方法可以是讀在侵略 單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。如果完成了獲取侵略單元的編程狀態(tài)信息，則可以參照侵略單元的數(shù) 據(jù)狀態(tài)來(lái)計(jì)算對(duì)受害單元施加的物理影響的程度(或間距)。例如，在要讀取的頁(yè)中包含 的所有單元(受害單元)可根據(jù)由侵略單元導(dǎo)致的物理影響來(lái)劃分。在根據(jù)物理影響而 要讀取的受害單元可被劃分成多個(gè)子分布后，在步驟S20中，可以分別確定用于讀子分布 的讀電壓 VrdU (Vrdl+D)、Vrd2 和(Vrd2+D)。如果確定了 讀電壓 VrdU (Vrdl+D)、Vrd2 禾口 (Vrd2+D)，則在步驟S30，可以分別利用所確定的能夠區(qū)分子分布的讀電壓來(lái)讀取受害單 元。在一個(gè)分布被劃分成兩個(gè)子分布的情況下，可需要至少兩個(gè)或更多個(gè)讀操作。如果受 害單元被劃分成更多個(gè)子分布，則讀次數(shù)可以與更多的子分布成比例地增加。在步驟S40， 通過(guò)組合和重新處理過(guò)程，通過(guò)各被劃分成的子分布的讀電壓讀取的受害單元的數(shù)據(jù)可被 重新構(gòu)成一個(gè)數(shù)據(jù)單元(例如，頁(yè))。下面，將描述根據(jù)示例實(shí)施例的方法，其中，在對(duì)受害單元編程之前不從侵略單元 讀取數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)以與編程相逆的順序存取侵略單元來(lái)減少對(duì)于侵略 單元的讀操作的開(kāi)銷(xiāo)。圖10是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的方法的圖。參照?qǐng)D10，可以通過(guò)低于目標(biāo)狀態(tài) STl和ST2的電壓的驗(yàn)證電壓來(lái)編程經(jīng)受較多耦合影響的存儲(chǔ)單元。如果完成了對(duì)侵略單 元的編程，則根據(jù)由于侵略單元的閾值電壓偏移而導(dǎo)致的影響，受害單元可以具有對(duì)應(yīng)于 目標(biāo)狀態(tài)STl和ST2的閾值電壓。下面更詳細(xì)地說(shuō)明。在編程受害單元之前，可能需要用于劃分由侵略單元對(duì)受害單元所施加的耦合影 響的操作。相應(yīng)地，在編程受害單元之前，可以獲取被編程到侵略單元中的數(shù)據(jù)(下文中，稱(chēng)為掩碼數(shù)據(jù))。參照該掩碼數(shù)據(jù)，對(duì)受害單元施加的耦合影響可以被分配給每一受害單 元。將描述其中耦合影響被劃分成dl和d2的例子?？梢酝ㄟ^(guò)與目標(biāo)分布相同的驗(yàn)證電壓 Vfyl和VfyO來(lái)編程經(jīng)受較少耦合影響的存儲(chǔ)單元(例如對(duì)應(yīng)于分布SSTl和SST2的存儲(chǔ) 單元)。分配用于經(jīng)受較多耦合影響的受害單元的驗(yàn)證電壓以被編程至比目標(biāo)分布STl和 ST2低的狀態(tài)。雖然完成了對(duì)受害單元的編程，但是一部分受害單元可能具有低于目標(biāo)狀態(tài) STl和ST2的閾值電壓。然而，如果侵略單元的編程開(kāi)始，則可以通過(guò)耦合以具有對(duì)應(yīng)于目 標(biāo)狀態(tài)STl和ST2的閾值電壓來(lái)編程具有低于目標(biāo)狀態(tài)的閾值電壓狀態(tài)的存儲(chǔ)單元SST1’ 和SST2’。因而，在完成對(duì)侵略單元的編程之后，受害單元可被編程為具有對(duì)應(yīng)于目標(biāo)狀態(tài) 的閾值電壓。在經(jīng)受較多耦合影響的存儲(chǔ)單元當(dāng)中，要編程至目標(biāo)狀態(tài)STl的存儲(chǔ)單元SST1’ 的驗(yàn)證電壓可以是低于目標(biāo)分布STl的驗(yàn)證電壓Vfyl的電壓(Vfyl-D)。經(jīng)受較多耦合影響 的存儲(chǔ)單元SST2’的驗(yàn)證電壓可以是低于目標(biāo)分布ST2的驗(yàn)證電壓VfyO的電壓(VfyO-D)。 在完成侵略單元的編程之后，被分配分布SST1’的存儲(chǔ)單元的閾值電壓全部可以增加到電 壓Vfyl之上。因此，可以通過(guò)與經(jīng)受較少耦合影響的存儲(chǔ)單元的分布SSTl組合來(lái)形成目 標(biāo)分布ST1。如果完成了侵略單元的編程，則被分配分布SST2’的存儲(chǔ)單元的閾值電壓全部 可以增加到電壓VfyO之上。因此，當(dāng)完成侵略單元的編程時(shí)，對(duì)應(yīng)于分布SST2’的存儲(chǔ)單 元可以通過(guò)與被施加較少耦合影響的存儲(chǔ)單元的分布SST2組合來(lái)形成目標(biāo)分布ST2。圖11是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的方法的流程圖。將參照?qǐng)D11描述根據(jù)示例實(shí) 施例的方法，通過(guò)該方法，在完成對(duì)受害單元的編程以及對(duì)侵略單元的編程時(shí)受害單元的 閾值電壓分布形成目標(biāo)分布。在編程受害單元之前，在步驟Sl 10，可獲取要編程到侵略單元中的掩碼數(shù)據(jù)。該掩 碼數(shù)據(jù)可以是比受害單元遲編程的存儲(chǔ)單元的編程數(shù)據(jù)?？梢詤⒄账@取的掩碼數(shù)據(jù)來(lái)分 析施加到每一受害單元上的耦合影響。在步驟S120，可以確定經(jīng)受較少耦合影響的存儲(chǔ)單 元的驗(yàn)證電壓Vfyn，以及可以確定經(jīng)受較多耦合影響的存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證電壓(Vfyn-D)。在 確定受害單元的驗(yàn)證電壓之后，在步驟S130，可以通過(guò)使用所確定的驗(yàn)證電壓來(lái)編程受害 單元。在后續(xù)步驟S140，可以編程侵略單元。如果完成對(duì)侵略單元的編程，則受害單元的閾 值電壓可被編程至目標(biāo)狀態(tài)。圖12A是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的方法的圖，而圖12B是用于描述根據(jù)示例實(shí) 施例的另一方法的圖。參照?qǐng)D12A，可以與上述實(shí)施例并行地存取非易失性存儲(chǔ)器件。根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)一起使用讀方法和編程方法來(lái)提高從存儲(chǔ)單元讀取的數(shù)據(jù)的可靠性。該讀方法可 以包括施加根據(jù)由侵略單元導(dǎo)致的物理影響的程度而變化的讀電壓。該編程方法可以包 括施加根據(jù)由侵略單元導(dǎo)致的物理影響的程度而變化的驗(yàn)證電壓。在存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)的多 位單元的情況下，可以根據(jù)要編程的頁(yè)來(lái)確定是否使用編程方法和讀方法中的任意一個(gè)。圖12A圖解了根據(jù)頁(yè)的單元特性而被選擇性使用的根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法和 編程方法?？梢岳眠@樣的編程方法來(lái)編程在LSB頁(yè)或MSB頁(yè)之前編程的頁(yè)該編程方法 包括改變驗(yàn)證電壓?？梢岳闷渲懈鶕?jù)侵略單元的影響而改變驗(yàn)證電壓的編程方法來(lái)編程 第一頁(yè)(其可以是LSB頁(yè))和第二頁(yè)。例如，在第一頁(yè)的編程操作時(shí)，可以參照要被編程到 侵略單元中的掩碼數(shù)據(jù)向要被編程至目標(biāo)狀態(tài)STl的存儲(chǔ)單元提供對(duì)應(yīng)于子分布SSTl或SST1’的驗(yàn)證電壓。如果完成對(duì)侵略單元的編程，則可以增加對(duì)應(yīng)于該子分布SST1’的受害 單元的閾值電壓。相應(yīng)地，受害單元可被編程至目標(biāo)狀態(tài)STl。在第二頁(yè)的編程操作時(shí)，可 以參照要被編程到侵略單元中的掩碼數(shù)據(jù)向要被編程至目標(biāo)狀態(tài)ST2、ST3和ST4的存儲(chǔ)單 元提供對(duì)應(yīng)于子分布(SST2，SST2，)、(SST3，SST3，)和(SST4，SST4，)的驗(yàn)證電壓。如果 完成對(duì)侵略單元的編程，則可以增加與子分布SST2’、SST3’和SST4’對(duì)應(yīng)的受害單元的閾 值電壓。相應(yīng)地，受害單元可被編程至目標(biāo)狀態(tài)ST2、ST3和ST4。而且，可以利用其中改變讀電壓的方法來(lái)編程第三頁(yè)(或MSB頁(yè))。對(duì)于多個(gè)頁(yè) 中的最后的MSB頁(yè)，可以通過(guò)利用其中通過(guò)分析侵略單元而控制讀電壓的讀方法來(lái)減少開(kāi) 銷(xiāo)。以上面參照?qǐng)D9描述的方式，參照在讀操作時(shí)的侵略單元的數(shù)據(jù)，可以通過(guò)將分布Pi 分成子分布SPi和子分布SPi’(1 < i < 7)來(lái)提供讀電壓。
雖然存儲(chǔ)單元處于相同頁(yè)中，但是可以通過(guò)根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法來(lái)存取對(duì)應(yīng) 于相對(duì)高的閾值電壓分布(例如P4到P7)的存儲(chǔ)單元。雖然存儲(chǔ)單元處于相同頁(yè)中，但是 可以通過(guò)根據(jù)示例實(shí)施例的編程方法來(lái)存取對(duì)應(yīng)于相對(duì)低的閾值電壓分布(例如Pl到P3) 的存儲(chǔ)單元。在圖12B中圖解了根據(jù)閾值電壓分布的類(lèi)型采用根據(jù)示例實(shí)施例的讀方法或 編程方法。根據(jù)圖12B中的該方式，可以通過(guò)減少對(duì)處于較低分布的存儲(chǔ)單元的氧化膜的 惡化來(lái)加寬電壓窗口。圖13A和13B是圖解根據(jù)示例實(shí)施例的初始讀操作的圖。參照?qǐng)D13A和13B，當(dāng)編 程多電平單元時(shí)可以通過(guò)劃分耦合影響來(lái)提高編程操作的可靠性。現(xiàn)在將描述用于讀先前 頁(yè)的數(shù)據(jù)以編程一頁(yè)的初始讀操作。為了編程上側(cè)頁(yè)，多位快閃存儲(chǔ)器件可以執(zhí)行讀取在存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的先前頁(yè)的 編程結(jié)果的初始讀操作?？梢酝ㄟ^(guò)初始讀操作來(lái)判定各個(gè)單元的閾值電壓位置，并且可以 根據(jù)該閾值電壓位置來(lái)編程上側(cè)頁(yè)。在每一頁(yè)的編程步驟中，由于相對(duì)高的字線電壓可以 被施加到所選擇的字線，所以由于耦合而可能產(chǎn)生編程干擾。而且，隨著時(shí)間流逝，通過(guò)編 程操作而注入到存儲(chǔ)單元的浮置柵極中的電子可能泄露。因此，存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布 可能被向上或向下偏移。圖13A圖解了第(i-Ι)頁(yè)的編程狀態(tài)。當(dāng)?shù)?i_l)頁(yè)被編程時(shí)，第(i_l)頁(yè)的所 有單元可以成為侵略單元。在被配置以便以陰影編程方案(shadowprogramming scheme) 編程多位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器的情況下，侵略單元可以是位于上側(cè)或下側(cè)的存儲(chǔ)單元。物理上彼 此相鄰并且處于同一字線的不同頁(yè)(奇數(shù)編號(hào)或偶數(shù)編號(hào)的頁(yè))的存儲(chǔ)單元可以作為侵略 單元。在對(duì)第(i_l)頁(yè)的初始讀操作時(shí)，在兩個(gè)分布STl和ST2的重疊區(qū)上可能出現(xiàn)嚴(yán) 重問(wèn)題。通過(guò)初始讀操作可感測(cè)到其中第i頁(yè)被編程為具有分布ST2的存儲(chǔ)單元，如同其 包含在分布STl中一樣。相應(yīng)地，在初始讀操作時(shí)可出現(xiàn)一位錯(cuò)誤。如圖13B所示，由初始 讀操作誤讀的存儲(chǔ)單元可能不能通過(guò)第(i_l)頁(yè)的編程而被從分布ST2編程至目標(biāo)分布， 而是被從分布STl編程至分布tSTl_0或tSTl_l。這可能導(dǎo)致在包括由編程狀態(tài)單元實(shí)現(xiàn) 的讀方法的所有算法操作的失敗。利用根據(jù)示例實(shí)施例的初始讀方法，可以檢測(cè)通過(guò)對(duì)位于受害單元周?chē)那致詥?元中的第(i-Ι)頁(yè)編程而設(shè)置的閾值電壓的電平?？梢砸陨厦鎱⒄?qǐng)D9描述的相同的方式 來(lái)檢測(cè)侵略單元的閾值電壓的電平。分別根據(jù)侵略單元的閾值電壓狀態(tài)，兩個(gè)重疊的分布 STl和ST2可以被分成子分布(SST1、SST2 ；和SSTl\ SST2，)。根據(jù)侵略單元造成的物理影響而劃分的子分布(SST1、SST2 ；和SST1’、SST2’ )可以不彼此重疊。該初始讀操作的結(jié) 果可不包括錯(cuò)誤。如上所述，多位快閃存儲(chǔ)器件的初始讀操作誤讀的數(shù)據(jù)可影響隨后要進(jìn)行的操 作。初始讀操作時(shí)導(dǎo)致的1位錯(cuò)誤可導(dǎo)致可以由編程狀態(tài)單元執(zhí)行的讀和編程算法的性能 的下降?？梢酝ㄟ^(guò)將根據(jù)示例實(shí)施例的分布劃分方式應(yīng)用于初始讀操作來(lái)提供可靠的多位 快閃存儲(chǔ)器件。
具體而言，通過(guò)參照由侵略單元導(dǎo)致的物理影響來(lái)執(zhí)行初始讀操作，可以改善這 樣的可靠性問(wèn)題當(dāng)多電平單元的編程進(jìn)行到上側(cè)頁(yè)時(shí)，耦合效應(yīng)增加。當(dāng)將根據(jù)示例實(shí)施 例的方法應(yīng)用于初始讀操作時(shí)，可以使用相對(duì)高的步長(zhǎng)電壓AVpgrn，以便可以提高編程速 度。而且，可以容易地獲取侵略單元的編程狀態(tài)，以用于測(cè)量它們的影響。在使用利用多個(gè) 鎖存器的頁(yè)緩沖方案來(lái)編程多個(gè)頁(yè)的情況下，第(i_l)頁(yè)可必須被通過(guò)鎖存器保持。在初 始讀操作時(shí)可以使用侵略單元的第(i_l)頁(yè)來(lái)劃分分布。因而，可以在沒(méi)有存儲(chǔ)器件的結(jié) 構(gòu)變化或附加存取的情況下使用上述初始讀方法。圖14A和14B是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的另一讀方法的圖。參照?qǐng)D14A，如果受 害單元的閾值電壓構(gòu)成分布STl和ST2，可以參照侵略單元的數(shù)據(jù)根據(jù)上述公式(與A到E 相關(guān))來(lái)確定子分布SSTl和SST2。而且，可以確定子分布SST1’和SST2’ (其耦合影響可 能較高)。可以考慮其中分布STl和ST2由于閾值電壓偏移而重疊的情形。圖14B中圖解 了重疊的分布。雖然參照侵略單元的影響而將指示受害單元的閾值電壓的分布STl和ST2 的重疊劃分為子分布，但是可能難于應(yīng)付其復(fù)雜性。如圖14B所示，在重疊的閾值電壓區(qū)域 Δ Vol中圖解了用于確定子分布SSTl、SST1，、SST2和SST2，的邊界值的電壓Ra、Ra，、Rb和 Rb’。可以根據(jù)分布STl和ST2的重疊的程度來(lái)確定這些電壓。像圖14Β中所示的那些的 重疊子分布可使得能夠減少控制器的開(kāi)銷(xiāo)的讀方法成為必要。圖15是示出在其中子分布SST1’和SST2’彼此部分重疊的情況下的讀方法的圖。 圖15圖解了可以在子分布SST2的下限電壓Rb’高于子分布SSTl的上限電壓Ra’的情形 下使用的讀方法。如果根據(jù)對(duì)侵略單元的分析結(jié)果，分布被判定為重疊(如圖15中所示)，則可以執(zhí) 行其中使用讀電壓Ra，、Rb、Ra和Rb’的精細(xì)或間隔讀操作。在子分布SSTl和SST2經(jīng)受 來(lái)自侵略單元的較小耦合影響的情況下，可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考值 來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SSTl和SST2中包含的存儲(chǔ)單元的情況下，具有高 于讀電壓Rb的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Ra’的 閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。在通過(guò)子分布SSTl和SST2進(jìn)行的劃分 的情況下，在讀電壓Ra’和讀電壓Rb之間可以不存在存儲(chǔ)單元。該間隔可以不對(duì)應(yīng)于分布 ST1和ST2之間的重疊間隔。相應(yīng)地，可以不產(chǎn)生錯(cuò)誤。在子分布SST1’和SST2’經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較大耦合影響的情況下，可以根據(jù) 對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SST1’和 SST2’中包含的存儲(chǔ)單元的情況下，具有高于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為 對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。 在通過(guò)子分布SST1’和SST2’進(jìn)行的劃分的情況下，在讀電壓Ra和讀電壓Rb’之間可以不 存在存儲(chǔ)單元。該間隔可以不對(duì)應(yīng)于分布STl和ST2之間的重疊間隔。這可以指示沒(méi)有產(chǎn)生錯(cuò)誤。
圖16是示出可在其中子分布SSTlln SST2部分重疊的情況下使用的讀方法。圖 16圖解了可以在子分布SST2的下限電壓Rb等于子分布SST1’的上限電壓Ra’的情形下以 及子分布SST2’的下限電壓Rb’等于子分布SST1’的上限電壓Ra的情形下使用的讀方法。如果根據(jù)對(duì)侵略單元的分析結(jié)果，分布被判定為重疊(如圖16中所示)，則可以執(zhí) 行其中使用讀電壓Ra，= Rb和Ra = Rb，的精細(xì)或間隔讀操作。在子分布SSTl和SST2經(jīng) 受來(lái)自侵略單元的較小耦合影響的情況下，可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考 值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SSTl和SST2中包含的存儲(chǔ)單元的情況下，具有 高于讀電壓Rb = Ra’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電 壓Rb = Ra’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。在子分布SST1’和SST2’經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較大耦合影響的情況下，可以根據(jù) 對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SST1’和 SST2’中包含的存儲(chǔ)單元的情況下，具有高于讀電壓Ra = Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被 判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Ra = Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì) 應(yīng)于邏輯“1”。圖17是示出在其中子分布SSTl和SST2部分重疊的情況下的讀方法的圖。圖17 圖解了可以在子分布SST2的下限電壓Rb低于子分布SSTl的上限電壓Ra’的情形下以及 子分布SST2’的下限電壓Rb’高于子分布SSTl的上限電壓Ra’的情形下使用的讀方法。如果根據(jù)對(duì)侵略單元的分析結(jié)果，分布被判定為重疊(如圖17中所示)，則可以執(zhí) 行其中使用讀電壓Rb、Ra’、Rb’和Ra的精細(xì)或間隔讀操作。在子分布SSTl和SST2經(jīng)受來(lái) 自侵略單元的較小耦合影響的情況下，可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái) 判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SSTl和SST2中包含的存儲(chǔ)單元的情況下，具有高于 讀電壓Ra’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Rb’的閾 值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。然而，在根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl) 的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)的情況下，可能難于確定在讀電壓Rb’和Ra’之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。 可以通過(guò)使用ECC方案或擦除解碼方案來(lái)解決這種情況。如將在后面描述的，可以通過(guò)精 細(xì)讀操作來(lái)確定在不確定區(qū)域的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。在子分布SST1’和SST2’經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較大耦合影響的情況下，可以根據(jù) 對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SST1’和 SST2’中包含存儲(chǔ)單元的情況下，具有高于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì) 應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。 然而，如果根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)，則可能難于確定在讀電 壓Rb’和Ra之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)?？梢酝ㄟ^(guò)使用ECC方案或擦除解碼方案來(lái)解決這種 情況。如將在后面描述的，可以通過(guò)精細(xì)讀操作來(lái)確定在不確定區(qū)域的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。圖18是示出可在其中子分布SSTl和SST2’部分重疊的情況下使用的讀方法的 圖。圖18圖解了在子分布SST2的下限電壓Rb和子分布SST2’的下限電壓Rb’低于子分 布SSTl的上限電壓Ra’的情形下的讀方法。如果根據(jù)對(duì)侵略單元的分析結(jié)果，分布被判定為彼此重疊(如圖18中所示)，則可 以執(zhí)行其中使用讀電壓Rb、Rb’和Ra的精細(xì)或間隔讀操作。在子分布SSTl和SST2經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較小耦合影響的情況下，可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái) 判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，在子分布SSTl和SST2中包含存儲(chǔ)單元的情況下，具有高于讀 電壓Ra’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Rb的閾值 電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“ 1 ”。然而，如果根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)，則可能難于確 定在讀電壓Rb和Rb’之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。進(jìn)一步，可能難于確定在讀電壓Rb’和Ra 之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。由于在讀電壓Rb’和Ra’之間的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能比較接 近于邏輯“0”，所以存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)可能被判定為邏輯“0”?？梢酝ㄟ^(guò)使用ECC方案或擦除 解碼方案來(lái)處理在讀電壓Rb和Rb’之間的存儲(chǔ)單元?？商鎿Q地，可以通過(guò)使用ECC方案或 擦除解碼方案來(lái)處理在讀電壓Rb和Ra’之間的存儲(chǔ)單元。如將在后面描述的，可以通過(guò)精 細(xì)讀操作來(lái)確定在不確定區(qū)域的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。 對(duì)于經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較大耦合影響的子分布SST1’和SST2’，可以根據(jù)對(duì)應(yīng) 于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，對(duì)于在子分布SST1’和 SST2’中包含的存儲(chǔ)單元，具有高于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏 輯“0”，而具有低于讀電壓Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。然而，如果根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)，則可能難于確 定在讀電壓Rb’和Ra之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。進(jìn)一步，可能難于確定在讀電壓Rb’和Ra 之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。由于在讀電壓Rb’和Ra’之間的存儲(chǔ)單元的閾值電壓可能比較接 近于邏輯“1”，所以存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)可能被判定為邏輯“1”。可以通過(guò)使用ECC方案或擦除 解碼方案來(lái)處理在讀電壓Ra’和Ra之間的存儲(chǔ)單元。可替換地，可以通過(guò)使用ECC方案或 擦除解碼方案來(lái)處理在讀電壓Rb和Ra之間的存儲(chǔ)單元。如將在后面描述的，可以通過(guò)精 細(xì)讀操作來(lái)確定在不確定區(qū)域的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。圖19是描述用于解決在圖17中的問(wèn)題的讀方法的圖。圖19圖解了可以在子分 布SST2的下限電壓Rb低于子分布SSTl的上限電壓Ra’以及子分布SST2’的下限電壓Rb’ 高于子分布SSTl的上限電壓Ra’的情形下使用的讀方法。如果根據(jù)對(duì)侵略單元的分析結(jié)果，分布被判定為彼此重疊(如圖19中所示)，則可 以執(zhí)行其中使用讀電壓Rb、RsU Ra’、Rb’、Rs2和Ra的精細(xì)或間隔讀操作。根據(jù)示例實(shí)施 例，讀電壓Rsl和Rs2可以是用于精確判定難于判決數(shù)據(jù)的重疊區(qū)域的電壓。對(duì)于經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較小耦合影響的子分布SSTl和SST2，可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于 耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)，作為精細(xì)讀操作的結(jié)果。根據(jù)示例實(shí)施例，對(duì) 于子分布SSTl和SST2中包含的存儲(chǔ)單元，具有高于讀電壓Ra’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可 被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Rb的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于 邏輯“1”。進(jìn)一步，可以判決讀電壓Rb和Ra’之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。當(dāng)根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合 的間距(da = dl)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)時(shí)，具有高于讀電壓Rb并且低于讀電壓Rsl的閾值 電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”，而具有高于讀電壓Rsl并且低于讀電壓Ra’的 閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”。對(duì)于經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較大耦合影響的子分布SST1’和SST2’，可以根據(jù)對(duì)應(yīng) 于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，對(duì)于子分布SST1’和 SST2’中包含的存儲(chǔ)單元，具有高于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。進(jìn)一步， 可以判決讀電壓Rb’和Ra之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。當(dāng)根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl) 的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)時(shí)，具有高于讀電壓Rb’并且低于讀電壓Rs2的閾值電壓的存儲(chǔ)單元 可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”，而具有高于讀電壓Rs2并且低于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ) 單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”。如上所述，可以在沒(méi)有ECC塊或擦除解碼方案的情況下通過(guò)兩個(gè)附加讀操作來(lái)處理不確定區(qū)域。圖20是描述用于解決在圖18中的問(wèn)題的讀方法的圖。參考圖20，如果根據(jù)對(duì)侵 略單元的分析結(jié)果，分布被判定為重疊(如圖20中所示)，則可以執(zhí)行其中使用讀電壓Rb、 Rsl、Rb，、Ra，、Rs2和Ra的精細(xì)或間隔讀操作。根據(jù)示例實(shí)施例，讀電壓Rsl和Rs2可以是 用于精確判定可能難于判決數(shù)據(jù)的重疊區(qū)域的電壓。對(duì)于經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較小耦合影響的子分布SSTl和SST2，可以根據(jù)對(duì)應(yīng)于 耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)，作為精細(xì)讀操作的結(jié)果。根據(jù)示例實(shí)施例，對(duì) 于子分布SSTl和SST2中包含的存儲(chǔ)單元，具有高于讀電壓Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可 被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”，而具有低于讀電壓Rb的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于 邏輯“1”。進(jìn)一步，可以判決讀電壓Rb和Rb’之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，當(dāng) 根據(jù)對(duì)應(yīng)于耦合的間距(da = dl)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)時(shí)，具有高于讀電壓Rb并且低于讀 電壓Rsl的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”，而具有高于讀電壓Rsl并且低 于讀電壓Rb’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”。對(duì)于經(jīng)受來(lái)自侵略單元的較大耦合影響的子分布SST1’和SST2’，可以根據(jù)對(duì)應(yīng) 于耦合的間距(da = d2)的參考值來(lái)判定數(shù)據(jù)。根據(jù)示例實(shí)施例，對(duì)于子分布SST1’和 SST2’中包含的存儲(chǔ)單元，具有高于讀電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏 輯“0”，而具有低于讀電壓Ra’的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”。進(jìn)一步， 可以判決讀電壓Ra’和Ra之間的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。具有高于讀電壓Ra’并且低于讀電壓 Rs2的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“1”，而具有高于讀電壓Rs2并且低于讀 電壓Ra的閾值電壓的存儲(chǔ)單元可被判定為對(duì)應(yīng)于邏輯“0”。對(duì)于用于補(bǔ)償上述耦合效應(yīng)的精細(xì)讀操作，可以使用關(guān)于主分布或子分布的似然 比(LR)或?qū)?shù)似然比(LLR)。該LR或LLR可應(yīng)用于根據(jù)讀操作和給定概率使用讀電壓的 ECC塊或?yàn)V波器。上面的對(duì)示例實(shí)施例的討論包括對(duì)能夠通過(guò)利用更多的讀電壓來(lái)采樣而精確地 或者以較高精確度判定存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)的精細(xì)讀操作的描述。為了便于說(shuō)明，所使用的分 布被圖解為假定它們是對(duì)稱(chēng)的。然而，所圖解的分布形狀和分布之間的間隔被提供作為示 例。使用實(shí)際算法可能不會(huì)產(chǎn)生對(duì)稱(chēng)的分布形狀。然而，應(yīng)當(dāng)理解示例實(shí)施例也可以應(yīng)用 于非對(duì)稱(chēng)分布形狀。實(shí)際上，可以確定在精細(xì)讀操作中使用的讀電壓的個(gè)數(shù)以便不降低讀 性能。圖21是示出侵略單元的各種類(lèi)型的圖。在圖1中，考慮相鄰侵略單元來(lái)描述保持 影響(例如，在編程操作時(shí)隨時(shí)間流逝而出現(xiàn)的耦合或電荷損失)。然而，如果考慮將與存 儲(chǔ)單元MCO不相鄰的存儲(chǔ)單元MC6、MC7、MC8、MC_4、MC-5和MC-6作為侵略單元，則可以進(jìn) 行更精細(xì)的判決。在圖21中提供的例子中，不相鄰的侵略單元被圖解為位于不相鄰的字線中。然而，示例實(shí)施例不限于該公開(kāi)。根據(jù)示例實(shí)施例，對(duì)于較高分辨率的分布劃分，非相 鄰的侵略單元也可以處于不相鄰的位線中。圖22是示出根據(jù)示例實(shí)施例的劃分侵略單元的物理影響的方法的圖。圖22圖解 了精細(xì)地分析在閾值電壓分布上的侵略單元的方法。具體而言，圖22圖解了在其中第二頁(yè) 被編程的侵略單元上編程第三頁(yè)。
分布E0、P2’、P4’和P6’可以指示其中第二頁(yè)被編程的侵略單元。然而，根據(jù)第三 頁(yè)的編程，對(duì)應(yīng)于分布EO的侵略單元可被編程至兩個(gè)分布EO和Pl中的任意一個(gè)。在對(duì)應(yīng) 于EO的侵略單元中，被禁止編程的存儲(chǔ)單元可維持在分布E0。維持分布EO的侵略單元的 耦合間距可被劃分到0。在對(duì)應(yīng)于分布EO的侵略單元中，要被編程至分布Pl的存儲(chǔ)單元可 被劃分到耦合間距d3。耦合間距d3可以指示當(dāng)侵略單元被從擦除狀態(tài)EO編程至編程狀態(tài) Pl時(shí)施加到受害單元上的最大影響。然而，根據(jù)劃分策略，可以相同地劃分間距d2和d3。 當(dāng)進(jìn)行耦合間距的劃分時(shí)，可以將耦合間距dl和d2以及耦合間距d3分配到一個(gè)耦合間距 組中?？商鎿Q地，由于耦合間距d3在尺寸上相對(duì)較大，所以可以將耦合間距0、dl和d2以 及耦合間距d3分配到一個(gè)耦合間距組中。根據(jù)第三頁(yè)的編程，對(duì)應(yīng)于分布P2’的侵略單元的閾值電壓可偏移到兩個(gè)分布P2 和P3中的任意一個(gè)中。從分布P2’偏移到分布P2的侵略單元可被劃分到耦合間距dl，而 從分布P2’偏移到分布P3的侵略單元可被劃分到耦合間距d2。根據(jù)第三頁(yè)的編程，對(duì)應(yīng)于 分布P4’的侵略單元的閾值電壓可偏移到兩個(gè)分布P4和P5中的任意一個(gè)中。從分布P4’ 偏移到分布P4的侵略單元可被劃分到耦合間距dl，而從分布P4’偏移到分布P5的侵略單 元可被劃分到耦合間距d2。根據(jù)第三頁(yè)的編程，對(duì)應(yīng)于分布P6’的侵略單元的閾值電壓可 偏移到兩個(gè)分布P6和P7中的任意一個(gè)中。從分布P6’偏移到分布P6的侵略單元可被劃 分到耦合間距dl，而從分布P6’偏移到分布P7的侵略單元可被劃分到耦合間距d2。然而，可以根據(jù)劃分策略來(lái)劃分耦合間距dl和d2。如上所述，可以通過(guò)僅僅使用侵略單元的數(shù)據(jù)來(lái)判定耦合間距。然而，除了侵略單 元的數(shù)據(jù)之外，可以進(jìn)一步執(zhí)行對(duì)侵略單元的精細(xì)讀操作以便以精細(xì)方式來(lái)劃分耦合。例 如，通過(guò)對(duì)于第三頁(yè)被編程的侵略單元的每一分布Pl利用間隔讀電壓rll、rl2、rl3和rl4 來(lái)執(zhí)行精細(xì)讀操作，可以精細(xì)地劃分從侵略單元施加到受害單元的耦合間距?？梢葬槍?duì)剩 下的分布P2到P7中的每一個(gè)，執(zhí)行對(duì)這樣的侵略單元的附加讀操作。圖23A和23B是示出根據(jù)示例實(shí)施例的精細(xì)劃分侵略單元的物理影響的其他方法 的圖。圖23A圖解了根據(jù)侵略單元施加到受害單元上的耦合間距0、dl和d2而劃分的 子分布SST1、SST1’、SST2和SST2’?？梢赃x擇用于區(qū)分根據(jù)由于相應(yīng)侵略單元導(dǎo)致的耦合 間距0和dl或耦合間距d2中的一個(gè)而估計(jì)的受害單元的子分布(SST1、SST2 ；和SST1’、 SST2’ )的電壓?？梢愿鶕?jù)通過(guò)分析侵略單元而提取的子分布的特性來(lái)選擇用于區(qū)分子分布的讀 電壓Rdl和Rd2。該特性由數(shù)字①來(lái)標(biāo)記。可以根據(jù)耦合間距0、dl和d2來(lái)計(jì)算對(duì)應(yīng)于耦 合間距dl的用于區(qū)分子分布SSTl和SST2的讀電壓Rdl。根據(jù)讀電壓Rdl，可以甚至在分 布STl和ST2重疊的區(qū)域上區(qū)分子分布SSTl和SST2。這意味著可以減少錯(cuò)誤。可以根據(jù) 耦合間距0、dl和d2來(lái)計(jì)算對(duì)應(yīng)于耦合間距d2的用于區(qū)分子分布SST1’和SST2’的讀電壓Rd2。根據(jù)讀電壓Rd2，可以甚至在分布STl和ST2彼此重疊的區(qū)域上區(qū)分子分布SST1’ 和SST2’。因此，可以減少錯(cuò)誤。根據(jù)示例實(shí)施例，可以劃分受害單元的子分布并且選擇用 于區(qū)分所劃分的子分布的期望或最佳讀電壓。由數(shù)字②標(biāo)記的讀電壓可以是與由圖17中描述的對(duì)侵略單元的精細(xì)讀操作所細(xì) 分的子分布SST和SST1，對(duì)應(yīng)的讀電壓rl、r2、r3、r4、Rl、R2、R3和R4。對(duì)應(yīng)于一個(gè)分布 STl的子分布SSTl和SST1’可以通過(guò)經(jīng)由細(xì)分耦合影響而得到的精細(xì)邊界值來(lái)定義。經(jīng) 由對(duì)侵略單元的精細(xì)讀操作，子分布SSTl可被判定為具有作為邊界值的讀電壓rl。此外， 經(jīng)由對(duì)侵略單元的精細(xì)讀操作，子分布SSTl可被判定為具有作為邊界值的讀電壓r2、r3和 r4中的一個(gè)。相應(yīng)地，可以通過(guò)對(duì)侵略單元的精細(xì)讀操作來(lái)細(xì)分耦合間距0、dl和d2。對(duì) 耦合間距的細(xì)分可以包括當(dāng)將耦合間距的細(xì)分應(yīng)用于子分布SST1’時(shí)選擇讀電壓Rl、R2、 R3和R4中的一個(gè)作為用于區(qū)分子分布SST1’的電壓。雖然在圖中未示出，但是可以將對(duì)侵 略單元的精細(xì)讀操作應(yīng)用于調(diào)整邊界值。可以對(duì)每一子分布來(lái)執(zhí)行通過(guò)精細(xì)讀操作的對(duì)邊 界值的調(diào)整。 在圖238中圖解了根據(jù)耦合間距0、(11、(12和(13劃分的子分布5511、5511，、5511”、 SST2、SST2’和SST2”，其中通過(guò)所述耦合間距0、dl、d2和d3，侵略單元影響受害單元?？?以選擇用于區(qū)分根據(jù)由于侵略單元引起的耦合間距dl、d2和d3預(yù)測(cè)的受害單元的子分布 (SST1、SST2 ;SST1，、SST2，；和SST1”、SST2”)的電壓?？梢酝ㄟ^(guò)子分布的邊界值來(lái)定義電 壓Ra、Ra，、Ra”、Rb、Rb，和Rb”。圖23B圖解了其中一個(gè)分布STl被分成三個(gè)子分布的情 形。然而，示例實(shí)施例不限于該公開(kāi)。根據(jù)示例實(shí)施例，一個(gè)分布可以根據(jù)侵略單元的耦合 間距dn而被分成四個(gè)或更多個(gè)子分布。在由侵略單元施加的耦合間距可以是0、dl、d2和d3的條件下描述了示例實(shí)施例。 然而，根據(jù)示例實(shí)施例，可以根據(jù)各種編程方法而不同地建立耦合間距。例如，在第(i_l) 頁(yè)的一個(gè)狀態(tài)被編程至第i頁(yè)的四個(gè)狀態(tài)的情況下，耦合間距可以被分成0、dl、d2、d3、d4、 d5、d6和d7。當(dāng)單元被從第(i-Ι)頁(yè)的擦除狀態(tài)編程到第i頁(yè)的包括擦除狀態(tài)的四個(gè)狀態(tài) 時(shí)可以產(chǎn)生耦合間距0、d5、d6和d7。而且，當(dāng)單元被從第(i_l)頁(yè)的除了擦除狀態(tài)之外的 任意一個(gè)編程狀態(tài)編程到第i頁(yè)的四個(gè)狀態(tài)時(shí)可以產(chǎn)生耦合間距dl、d2、d3和d4。可以通 過(guò)將這些耦合間距以兩個(gè)或三個(gè)為單位來(lái)分組而劃分分布。同樣，可以將對(duì)類(lèi)似間距分組 的方式應(yīng)用于由于干擾、電荷損失、橫向電荷擴(kuò)散等造成的變型。圖24是示出根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方塊圖。參照?qǐng)D24，根據(jù)示例實(shí)施例的 存儲(chǔ)系統(tǒng)300可以包括非易失性存儲(chǔ)器件320和存儲(chǔ)器控制器310。非易失性存儲(chǔ)器件320可以由具有如圖1所示的單元陣列100的快閃存儲(chǔ)器件組 成。存儲(chǔ)器控制器310可以被配置成控制該非易失性存儲(chǔ)器件320。非易失性存儲(chǔ)器件320 和存儲(chǔ)器控制器320可以被配置成形成存儲(chǔ)卡或固態(tài)驅(qū)動(dòng)器/盤(pán)(SSD)。SRAM 311可以被 用作處理單元312的工作存儲(chǔ)器。主機(jī)接口 313可以包括與存儲(chǔ)系統(tǒng)300連接的主機(jī)的數(shù) 據(jù)交換協(xié)議。ECC塊314可以被配置成檢測(cè)和糾正從非易失性存儲(chǔ)器件320讀出的數(shù)據(jù)的 錯(cuò)誤。存儲(chǔ)器接口 315可以被配置成與根據(jù)示例實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件320進(jìn)行接口 連接。處理單元312可以執(zhí)行對(duì)于存儲(chǔ)器控制器310的數(shù)據(jù)交換的整體控制操作。雖然在 圖中未示出，但是根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)300還可以包括存儲(chǔ)用于與主機(jī)交互的代碼 數(shù)據(jù)的ROM。非易失性存儲(chǔ)器件320可以由多芯片封裝形成，該多芯片封裝包括多個(gè)快閃存儲(chǔ)器芯片。存儲(chǔ)系統(tǒng)300可以用作具有低出錯(cuò)率和高可靠性的存儲(chǔ)介質(zhì)。特別是，可以將 根據(jù)示例實(shí)施例的快閃存儲(chǔ)器件提供給存儲(chǔ)系統(tǒng)(例如SSD)。相應(yīng)地，存儲(chǔ)器控制器310 可以被配置成通過(guò)下列接口協(xié)議中的一種與外部設(shè)備(例如主機(jī))通信，接口協(xié)議例如包 括并行高級(jí)技術(shù)配置(PATA)、串行高級(jí)技術(shù)配置(SATA)、通用串行總線(USB)、小型計(jì)算 機(jī)系統(tǒng)接口(SCSI)、串行連接SCSI (SAS)、PCI-Express、增強(qiáng)型小盤(pán)接口(ESDI)、和/或集 成電路設(shè)備(IDE)。根據(jù)示例實(shí)施例，存儲(chǔ)器控制器310可以以上述相同的方式存取非易失性存儲(chǔ)器 件320。根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)在編程操作時(shí)獲取侵略單元的數(shù)據(jù)來(lái)選擇受害單元的驗(yàn) 證電壓。在讀操作時(shí)，可以根據(jù)基于侵略單元的數(shù)據(jù)的耦合間隔來(lái)劃分受害單元，并且可以 選擇期望或最佳讀電平以分別區(qū)分所劃分得到的子分布。而且，可以根據(jù)用于減少錯(cuò)誤概 率的精細(xì)讀方法來(lái)確定期望或最佳讀電平。根據(jù)示例實(shí)施例，可以向存儲(chǔ)器控制器310提 供從例如處理參數(shù)、干擾、保持、編程/擦除周期和試驗(yàn)(pilot)單元等提取的特性，以便更 精細(xì)地估計(jì)耦合或保持特性。而且，可以通過(guò)用于在存儲(chǔ)器件320中存儲(chǔ)與侵略單元相關(guān) 的信息的鎖存器或觸發(fā)器來(lái)獲得示例實(shí)施例的目的。如果存儲(chǔ)了與侵略單元相關(guān)的信息， 則可以校正侵略單元的讀信息并且輸出所校正的讀信息?？商鎿Q地，通過(guò)控制位線電壓可 以解決存儲(chǔ)單元的分布劃分現(xiàn)象。根據(jù)示例實(shí)施例，如參照?qǐng)D23A和23B討論的，可以根據(jù) 侵略單元來(lái)劃分受害單元的子分布。如果可以根據(jù)侵略單元來(lái)劃分受害單元的子分布，則 可根據(jù)由存儲(chǔ)器控制器310從侵略單元獲取的數(shù)據(jù)將受害單元的分布劃分成子分布，并且 可以根據(jù)包括受害單元的所劃分的子分布來(lái)進(jìn)行讀方法、編程方法或讀和編程方法。上述 功能被描述為受到存儲(chǔ)器控制器310的控制。然而，示例實(shí)施例不限于此公開(kāi)。例如，非易 失性存儲(chǔ)器件320可以被配置以便執(zhí)行上述功能。根據(jù)示例實(shí)施例，如果根據(jù)侵略單元的 數(shù)據(jù)完成對(duì)包括所選擇存儲(chǔ)單元的子分布的分析，則非易失性存儲(chǔ)器件320可以被配置成 通過(guò)調(diào)整字線電壓或控制位線預(yù)充電電壓來(lái)補(bǔ)償由于耦合或電荷損失而造成的侵略單元 的影響。而且，根據(jù)耦合或電荷損失的物理影響可能不固定到預(yù)定值。根據(jù)編程/擦除周 期數(shù)或編程時(shí)間的流逝，物理影響可能不同。根據(jù)這些影響可以估計(jì)由于侵略單元造成的
物理影響。圖25是示出根據(jù)示例實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的方框圖。根據(jù)示例實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng) 400可以包括微處理器420、RAM 430、用戶接口 440、調(diào)制解調(diào)器450 (其可以是例如基帶芯 片組)和存儲(chǔ)系統(tǒng)410。存儲(chǔ)系統(tǒng)410可以被配置成以上面參照?qǐng)D19討論的相同的方式運(yùn)行。當(dāng)計(jì)算系 統(tǒng)400是移動(dòng)設(shè)備時(shí)，計(jì)算系統(tǒng)400還可以包括用于供應(yīng)計(jì)算系統(tǒng)400的工作電壓的電池。 雖然圖中未示出，但是計(jì)算系統(tǒng)400還可以包括應(yīng)用芯片組、照相機(jī)圖像處理器、移動(dòng)DRAM寸。存儲(chǔ)系統(tǒng)410例如可以由使用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的SSD形成?？商鎿Q地， 存儲(chǔ)系統(tǒng)410可以由融合快閃存儲(chǔ)器(例如，one_NAND快閃存儲(chǔ)器)形成。根據(jù)示例實(shí)施 例的計(jì)算系統(tǒng)400可以通過(guò)根據(jù)侵略單元的數(shù)據(jù)以及根據(jù)閾值電壓偏移影響(例如耦合) 的間距的分布劃分分析受害單元的分布特性來(lái)向存儲(chǔ)系統(tǒng)410提供可靠的數(shù)據(jù)?？梢栽诖鎯?chǔ)系統(tǒng)410或根據(jù)計(jì)算系統(tǒng)400的微處理器420的控制進(jìn)行對(duì)分布特性和分布劃分的分析?？商鎿Q地，為了有效的資源應(yīng)用，存儲(chǔ)系統(tǒng)410和微處理器420可以共 享對(duì)分布特性和分布劃分的分析。根據(jù)示例實(shí)施例的快閃存儲(chǔ)器件和/或存儲(chǔ)器控制器可以通過(guò)各種封裝來(lái)封裝。 例如，可以通過(guò)從下面的組中選擇的一種來(lái)封裝根據(jù)示例實(shí)施例的快閃存儲(chǔ)器件和/或 存儲(chǔ)器控制器層疊封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、塑料引線芯片載體 (PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、晶片中華夫封裝(die in waffle pack)、晶圓中管 芯形式(die in wafer form)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料四方 扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(S0IC)、收縮型小外形封裝 (SS0P)、薄型小外形封裝(TS0P)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶圓級(jí)制作封裝 (WFP)、晶圓級(jí)堆疊封裝(WSP)等。已如此描述了示例實(shí)施例，顯然的是其可以以多種方式變化。這樣的變型將不被 認(rèn)為是偏離示例實(shí)施例所期望的精神和范圍，并且對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)很明顯，所有 這樣的修改意欲包含在所附權(quán)利要求的范圍中。
2權(quán)利要求
一種非易失性存儲(chǔ)器件的存取方法，包括檢測(cè)第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化，所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化能夠物理地影響第二存儲(chǔ)單元；以及根據(jù)所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化的間距，將所述第二存儲(chǔ)單元分配到從多個(gè)子分布當(dāng)中選擇的一個(gè)子分布，所述多個(gè)子分布對(duì)應(yīng)于所述第二存儲(chǔ)單元的目標(biāo)分布。
2.如權(quán)利要求1所述的存取方法，其中，所述多個(gè)子分布中的至少一個(gè)具有不是整體 都在所述目標(biāo)分布的閾值電壓范圍之內(nèi)的閾值電壓范圍。
3.如權(quán)利要求1所述的存取方法，其中，通過(guò)讀所述第一存儲(chǔ)單元來(lái)檢測(cè)所述第一存 儲(chǔ)單元的閾值電壓變化。
4.如權(quán)利要求3所述的存取方法，其中，通過(guò)利用多個(gè)不同讀電壓來(lái)讀所述第一存儲(chǔ) 單元，所述多個(gè)不同讀電壓的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于一個(gè)閾值電壓分布。
5.如權(quán)利要求1所述的存取方法，其中，所述檢測(cè)步驟包括根據(jù)要編程到所述第一存 儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)來(lái)估計(jì)所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化。
6.如權(quán)利要求1所述的存取方法，還包括從多個(gè)讀電壓中選擇對(duì)應(yīng)于所選擇的子分布的讀電壓；以及利用所選擇的讀電壓來(lái)讀所述第二存儲(chǔ)單元，其中，所選擇的讀電壓將所選擇的子分布與所述多個(gè)子分布中的其余的子分布區(qū)分開(kāi)。
7.如權(quán)利要求6所述的存取方法，其中，所述多個(gè)讀電壓中的每一個(gè)都具有不同值，并 且所述多個(gè)讀電壓中的每一個(gè)分別對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)子分布中的每一個(gè)子分布。
8.如權(quán)利要求1所述的存取方法，還包括對(duì)所述第二存儲(chǔ)單元編程，其中，用于編程所述第二存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證電壓被選擇為等于或低于與所述第二存儲(chǔ)單 元的目標(biāo)分布對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的存取方法，其中，選擇用于編程所述第二存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證電壓 以便所述第二存儲(chǔ)單元在所述第一存儲(chǔ)單元被編程之后具有對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)分布的閾值 電壓。
10.如權(quán)利要求1所述的存取方法，還包括執(zhí)行讀操作和編程操作中的一個(gè)，所述讀操作包括根據(jù)所述多個(gè)子分布和在所述第二 存儲(chǔ)單元中被編程的頁(yè)的數(shù)目來(lái)調(diào)整所述第二存儲(chǔ)單元的讀電壓，所述編程操作包括根據(jù) 所述多個(gè)子分布和在所述第二存儲(chǔ)單元中被編程的頁(yè)的數(shù)目來(lái)調(diào)整所述第二存儲(chǔ)單元的 驗(yàn)證電壓。
11.如權(quán)利要求1所述的存取方法，還包括執(zhí)行讀操作和編程操作中的一個(gè)，所述讀操作包括根據(jù)所述多個(gè)子分布和所述第二存 儲(chǔ)單元的目標(biāo)分布的電平來(lái)調(diào)整所述第二存儲(chǔ)單元的讀電壓，所述編程操作包括根據(jù)所述 多個(gè)子分布和所述第二存儲(chǔ)單元的目標(biāo)分布的電平來(lái)調(diào)整所述第二存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證電壓。
12.如權(quán)利要求1所述的存取方法，還包括提供對(duì)應(yīng)于所選擇的子分布的編程參數(shù)以對(duì)所述第二存儲(chǔ)單元編程，其中，在初始讀操作時(shí)執(zhí)行所述檢測(cè)操作和所述分配操作以用于在所述第二存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)。
13.如權(quán)利要求1所述的存取方法，其中，由于下述之一，所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電 壓變化能夠物理地影響所述第二存儲(chǔ)單元所述第一存儲(chǔ)單元導(dǎo)致的所述第二存儲(chǔ)單元經(jīng) 受的耦合效應(yīng)、根據(jù)所述第一存儲(chǔ)單元的電荷損失的所述第二存儲(chǔ)單元經(jīng)受的閾值電壓變 化、編程干擾和橫向電荷擴(kuò)散。
14.如權(quán)利要求1所述的存取方法，其中，所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化的間距對(duì) 應(yīng)于在編程所述第一存儲(chǔ)單元之前的第一閾值電壓狀態(tài)和在編程所述第一存儲(chǔ)單元之后 的第二閾值電壓狀態(tài)之間的差。
15.如權(quán)利要求14所述的存取方法，其中，所述間距具有多個(gè)間距值中的一個(gè)間距值， 并且，所述多個(gè)子分布中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)間距值中的一個(gè)。
16.如權(quán)利要求14所述的存取方法，其中，所述間距具有多個(gè)間距值中的一個(gè)間距值， 并且，所述多個(gè)子分布中的至少兩個(gè)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)間距值中的每一個(gè)。
17.如權(quán)利要求16所述的存取方法，其中，所述多個(gè)子分布至少包括第一子分布和第 二子分布，所述第一子分布對(duì)應(yīng)于為擦除狀態(tài)的第一閾值電壓狀態(tài)和為編程狀態(tài)的第二閾 值電壓狀態(tài)引起的間距值，而所述第二子分布對(duì)應(yīng)于為編程狀態(tài)的第一閾值電壓狀態(tài)引起 的間距值。
18.一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括非易失性存儲(chǔ)器件；和存儲(chǔ)器控制器，被配置成控制所述非易失性存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器控制器根據(jù)如權(quán)利 要求1所述的存取方法來(lái)存取所述非易失性存儲(chǔ)器件。
全文摘要
公開(kāi)了一種非易失性存儲(chǔ)器件的存取方法，包括檢測(cè)第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化，所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化能夠物理地影響第二存儲(chǔ)單元；以及根據(jù)所述第一存儲(chǔ)單元的閾值電壓變化的間距，向所述第二存儲(chǔ)單元分配從多個(gè)子分布當(dāng)中選擇的一個(gè)子分布，所述多個(gè)子分布對(duì)應(yīng)于所述第二存儲(chǔ)單元的目標(biāo)分布。
文檔編號(hào)G11C16/10GK101847439SQ20091025837
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2009年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月12日
發(fā)明者孫弘樂(lè), 宋承桓, 柳漢雄, 殷熙錫, 趙慶來(lái) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社