專利名稱：光學(xué)信息記錄介質(zhì)、記錄和再生方法及裝置以及記錄粒子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)信息記錄介質(zhì)、記錄粒子、光學(xué)信息再生方法、 光學(xué)信息再生裝置、光學(xué)信息記錄方法以及光學(xué)信息記錄裝置。例 如，本發(fā)明有利地應(yīng)用于具有大存儲(chǔ)容量的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
以前，光學(xué)信息記錄和再生裝置(其中，通過向光盤照射光束 來(lái)在作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)的光盤上記錄信息以及從光盤再生信 息)已經(jīng)得到了廣泛地使用。對(duì)于光盤，通常使用壓縮盤(CD)、 ^t字通用盤(DVD)、藍(lán)光盤(注冊(cè)商標(biāo)，下文稱作BD)等。
在光盤設(shè)備中，在光盤上記錄諸如各種內(nèi)容(例如，音樂內(nèi)容 和圖像內(nèi)容)以及用于計(jì)算機(jī)的各種數(shù)據(jù)的各種信息。尤其是近年 來(lái)，信息量隨著更高清晰度的圖像、更高聲音質(zhì)量的音樂等而增加， 并且必須增加記錄在一張光盤上的內(nèi)容量。因此，必須增加光盤的容量。對(duì)于這種光盤設(shè)備，通過減小所使用光束的波長(zhǎng)以及增加物鏡
的數(shù)值孔徑(NA),已經(jīng)減小了光束的光點(diǎn)大小，并且同時(shí)，還減 小了記錄標(biāo)記的大小，^使得實(shí)現(xiàn)更高容量的光盤。
通常，認(rèn)為由于光的4汙射限制而難以將光點(diǎn)大小的直徑減小得 小于光束波長(zhǎng)。因此，已提出了近場(chǎng)光學(xué)透鏡(例如，固體浸沒透 鏡)，其中，使用了高折射率材料，并且與光學(xué)信息記錄介質(zhì)的距 離被減小為在1/4波長(zhǎng)X的范圍之內(nèi)(例如，參考日本未審查專利 申^青7>開第2005-182895號(hào))。
然而，即侵:使用該固體浸沒透鏡，仍然i人為100 nm是光點(diǎn)大 小的直徑減小的界限。從而，已提出了用于通過局部地引起等離振 子共振現(xiàn)象的等離振子天線來(lái)形成具有較小光點(diǎn)大小的光點(diǎn)的方 法(例如，參考T. Matsumoto、 T. Shimano、 H. Saga和H. Sukeda J., Appl. Phys.， Vol.95, No. 8， 2004年4月15日)。
以此方式，可以使光學(xué)信息記錄介質(zhì)上的記錄標(biāo)記的大小更精 細(xì)，并且期待光學(xué)信息記錄介質(zhì)可以具有更高的容量。

發(fā)明內(nèi)容
順便，對(duì)于具有上述構(gòu)造的光盤設(shè)備，存在隨著記錄標(biāo)記的微 少化而使從記錄標(biāo)記返回的光減少的問題。
本發(fā)明致力于解決上面考慮的問題以及與現(xiàn)有方法和裝置相 關(guān)聯(lián)的其他問題。期望提供能夠增加返回光量的光學(xué)信息記錄介 質(zhì)、用于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息記錄粒子以及使用光學(xué)信息記錄 介質(zhì)的光學(xué)信息再生方法、光學(xué)信息再生裝置、光學(xué)信息記錄方法 和光學(xué)信息記錄裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光學(xué)信息記錄裝置包括記錄層，其
中，具有100 nm以下直徑的納米粒子在#皮具有#4居光的照射而改 變的復(fù)數(shù)介電常數(shù)的介質(zhì)包圍的情況下被設(shè)置，并且由納米粒子產(chǎn) 生的局部等離振子共振的程度隨介質(zhì)的復(fù)數(shù)介電常凄t的改變而改
因此，對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)，可以接收通過局部等離振子共 振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息記錄介質(zhì)包括記錄層，其中，具 有100 nm以下直徑的金屬粒子^皮隨光的照射而轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)或非晶 態(tài)的相變材并+所包圍。
因此，對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)，可以接收通過局部等離振子共 振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
此外，4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息記錄介質(zhì)包括記錄層，其 由具有100 nm以下直徑的納米粒子和介質(zhì)形成，在其上通過才艮據(jù) 記錄光的照射改變介質(zhì)的復(fù)數(shù)介電常數(shù)而記錄信息，并基于隨讀取 光的照射由納米粒子產(chǎn)生的局部等離才展子共才展的禾呈度的改變而乂人 其再生信息。
因此，對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)，可以接收通過局部等離振子共 振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄粒子中，具有100 nm以下直徑的 納米粒子被具有隨具有預(yù)定等級(jí)以上強(qiáng)度的光的照射而改變的復(fù) 凄史介電常凄t的介質(zhì)所包圍。因此，對(duì)于記錄粒子，可以4妄收通過局部等離振子共振產(chǎn)生并 具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
此夕卜，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄粒子由具有100 nm以下直徑 的納米粒子和包圍納米粒子的介質(zhì)形成，其中，記錄粒子和介質(zhì)中 的任一個(gè)的復(fù)數(shù)介電常數(shù)隨具有預(yù)定等級(jí)以上強(qiáng)度的光的照射而 改變。
因此，對(duì)于記錄并立子，可以4妄收通過局部等離l展子共凈展產(chǎn)生并 具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
此外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息再生方法和光學(xué)信息再 生裝置中，光被聚集并照射向光學(xué)信息記錄介質(zhì)，然后檢測(cè)在光學(xué) 信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生的局部等離振子共振的程度。
因此，對(duì)于光學(xué)信息再生方法和光學(xué)信息再生裝置，可以*接收 通過局部等離振子共振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息記錄方法包括通過改變當(dāng) 對(duì)光學(xué)信息記錄介質(zhì)照射光時(shí)在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生的局部 等離振子共振的程度來(lái)記錄信息的步驟。
因此，對(duì)于光學(xué)信息i己錄方法，可以4妄收隨再生光的照射而由 局部等離振子的共振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息記錄裝置包括光照射部， 使從光源發(fā)射的光聚集，并使光照射向光學(xué)信息記錄介質(zhì)；以及光 強(qiáng)度控制部，以改變?cè)诠鈱W(xué)信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生的局部等離振子共 振的程度的方式來(lái)改變光的強(qiáng)度。
9因此，對(duì)于光學(xué)信息記錄裝置，可以*接收隨再生光的照射而由 局部等離振子共振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，可以接收通過局部等離振子共振產(chǎn)生并具 有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光，乂人而可以實(shí)現(xiàn)能夠增加返回光量 的光學(xué)信息記錄介質(zhì)、用于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息記錄粒子以及 使用光學(xué)信息記錄介質(zhì)的光學(xué)信息再生方法、光學(xué)信息再生裝置、 光學(xué)信息記錄方法和光學(xué)信息記錄裝置。


圖1是示出每種材料的折射率和極化之間的關(guān)系的示意圖； 圖2A ~圖2C是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的記錄原理的示意圖；圖3A和圖3B是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的再生原理的示 意圖；圖4A和圖4B是示出記錄材料的構(gòu)造的示意圖；圖5A和圖5B是示出近場(chǎng)光強(qiáng)度的介電常數(shù)依賴性的示意圖；圖6A和圖6B是示出樣品構(gòu)造的示意圖；圖7是示出晶態(tài)和非晶態(tài)下的散射光強(qiáng)度的示意圖；圖8是示出當(dāng)改變Ag中心核的直徑時(shí)電場(chǎng)增強(qiáng)因子的示意圖；圖9是示出當(dāng)改變GeSbTe殼的厚度時(shí)電場(chǎng)增強(qiáng)因子的示意圖；圖IO是示出400nm銀粒子的共振條件的示意圖；圖IIA和圖IIB是示出光學(xué)信息記錄介質(zhì)的構(gòu)造的示意圖；圖12A和圖12B是示出記錄層的構(gòu)造的示意圖；圖13A 圖13D是示出i己錄層的構(gòu)造的示意圖；圖14A和圖14B是示出記錄層的構(gòu)造的示意圖；圖15是示出記錄層的構(gòu)造的示意圖；圖16是示出光學(xué)信息記錄和再生裝置的構(gòu)造的示意圖；圖17是示出光學(xué)拾取器的構(gòu)造的示意圖；圖18A和圖18B是示出光點(diǎn)形成部的配置的示意圖；圖19A和圖19B是示出光點(diǎn)形成部的構(gòu)造的示意圖；圖20是用于說(shuō)明信息的記錄的示意圖；圖21A和圖21B是用于i兌明信息的再生的示意圖；圖22是示出才艮據(jù)另 一 實(shí)施例的光點(diǎn)形成部的配置的示意圖；圖23是示出根據(jù)另一實(shí)施例的光點(diǎn)形成部的構(gòu)造的示意圖；以及圖24A和圖24B是示出根據(jù)另一實(shí)施例的記錄材料的構(gòu)造的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖詳細(xì)描述才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。 (1 )本發(fā)明的原理通常，在普通領(lǐng)域中，處于納米大小(100nm以下)的細(xì)并立(下 文一夸其稱為納米并立子)；)犬態(tài)的金屬(例如，Au、 Ag、 Al、 Pt和Cu) 在滿足特定條件時(shí)與光發(fā)生反應(yīng)，從而產(chǎn)生局部等離振子共振。局部等離振子共振是指對(duì)于納米粒子，電》茲場(chǎng)振動(dòng)和電荷振動(dòng) 被結(jié)合并產(chǎn)生共振的狀態(tài)。這時(shí)，在納米粒子附近局部發(fā)生強(qiáng)電磁 場(chǎng)。i亥強(qiáng)電石茲場(chǎng)^^爾為近場(chǎng)。當(dāng)々支設(shè)納米粒子的直徑是a而入射在納米粒子上的光的波長(zhǎng)是 X時(shí)，認(rèn)為如果直徑a充分小于波長(zhǎng)X (a AJ，則對(duì)納米粒子施加 的是均勻的電磁場(chǎng)。這被稱作長(zhǎng)波長(zhǎng)近似，并且此時(shí)納米粒子的極 化率a由以下7>式來(lái)表示。a = 4加…(1)其中，S,(CO)-粒子的復(fù)數(shù)介電常數(shù)，￡2 =介質(zhì)的復(fù)數(shù)介電常數(shù)從公式(1)可以看出，當(dāng)右側(cè)的介電常數(shù)項(xiàng)的分母接近"0"時(shí)，4及化程度明顯增加。這時(shí)，對(duì)于納米并立子，才艮據(jù)入射光所固有 的電f茲場(chǎng)而發(fā)生電》茲場(chǎng)和電荷的共振振動(dòng)，即，局部等離振子共振。由于介質(zhì)的復(fù)數(shù)介電常數(shù)S2在空氣中為1，所以當(dāng)粒子的復(fù)數(shù) 介電常數(shù)^(CO)滿足下列公式時(shí)發(fā)生局部等離振子共振。Rele,(co)l + 2s2 0 (2)<formula>formula see original document page 13</formula>從公式(2)和公式(3)可以看出，當(dāng)Re (即，復(fù)數(shù)介電常 數(shù)s"co)的實(shí)部)為-2而Im (即，復(fù)數(shù)介電常數(shù)s"co)的虛部)接 近為"0"時(shí)，納米粒子產(chǎn)生等離振子共振。在入射光在可見光區(qū)域內(nèi)的情況下，由于所謂的貴金屬(諸如 Au或Ag)滿足由7>式(1)、 />式(2)和7>式(3)表示的條4牛， 所以才艮據(jù)可見光區(qū)域內(nèi)的入射光產(chǎn)生局部等離振子共才展。納米粒子基于該局部等離振子共振形成近場(chǎng)，并產(chǎn)生非常強(qiáng)烈 的近場(chǎng)光和散射光。近場(chǎng)光幾乎不能傳播，并具有在納米粒子附近 局部化的特性。另一方面，散射光具有傳播較長(zhǎng)距離的特性。此外，對(duì)于BD (藍(lán)光盤，注冊(cè)商標(biāo))-RE (可重寫)、DVD (數(shù) 字通用盤)± RE (可重寫)以及DVD-RAM (隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)， 采用相變方式。在相變方式下，對(duì)由相變材并+形成的相變膜照射光 束，/人而改變晶態(tài)和非晶態(tài)(它們統(tǒng)稱為相態(tài))，以在相變力莫上形 ^^己^:才示"i己。對(duì)于這種相變材沖+，復(fù)凄t介電常凄t隨相態(tài)的改變而改變。因此， 認(rèn)為如果可以在相變材料中產(chǎn)生局部等離振子共振，則當(dāng)照射具有 單個(gè)波長(zhǎng)的光束時(shí)，可以隨相變而改變局部等離振子共振的程度， 從而可以顯著改變散射光的強(qiáng)度(下文稱為散射光強(qiáng)度)。這里，通過下列公式示出了復(fù)數(shù)介電常數(shù)s,(co)和復(fù)數(shù)折射率 (n, k)之間的關(guān)系。即，為了滿足上述空氣中由公式(1)、 (2)和(3)表示的關(guān) 系，基本上滿足n: 1.414和k-O就足夠了。對(duì)于4種常用相變材料和Ag，圖1示出了作為入射光的波長(zhǎng)X 和復(fù)邀:折射率N (實(shí)部-n，虛部-k)之間的關(guān)系的、晶態(tài)(Cry: 結(jié)晶)和非晶態(tài)(Amo:非結(jié)晶)中的極化a的狀態(tài)。在圖1中， 通過顏色的濃淡來(lái)表示極化a，較暗的部分表示極化較大。對(duì)于相 變才才泮牛，示出了 Ge8Sb33Te59 、 Ge22Sb22Te56 、 AgGeSbTe和 Ag8In14Sb55Te23。從圖1中明顯看出，相變材料的極化a在所有波長(zhǎng)X上都非常 小，因此，不產(chǎn)生局部等離l展子共4展。另一方面，Ag的4及化a在 大約350 nm的波長(zhǎng)X處非常大，因此，當(dāng)入射光具有大約350 nm 的波長(zhǎng)人時(shí)明顯產(chǎn)生局部等離振子共振。此外，對(duì)于相變材料，顯然處于晶態(tài)和非晶態(tài)的復(fù)數(shù)折射率N (n和k)的值明顯不同。即，明顯地相變材料的復(fù)數(shù)介電常數(shù)的 值在晶態(tài)和非晶態(tài)之間發(fā)生顯著變化。順便，如公式(l)所示，用于產(chǎn)生局部等離振子共振的條件 根據(jù)介質(zhì)(即，在納米粒子周圍存在的材料)的復(fù)數(shù)介電常數(shù)s2 而發(fā)生改變。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，例如如圖2A所示，在納米粒子 NP周圍設(shè)置作為介質(zhì)SH的材料(例如，相變材料)，其狀態(tài)隨入 射光的照射而從第 一狀態(tài)改變?yōu)榈诙顟B(tài)，并且復(fù)數(shù)介電常數(shù)隨狀 態(tài)的改變而改變，并且這用作記錄材料MT。此時(shí)，在本發(fā)明的實(shí) 施例中，以局部等離振子共振發(fā)生的程度在第 一狀態(tài)中較大而局部 等離振子共振發(fā)生的程度在第二狀態(tài)中變小的方式來(lái)選擇介質(zhì) SH。如圖2B所示，例如，當(dāng)對(duì)處于第一狀態(tài)的介質(zhì)SH (下文稱為 介質(zhì)SH1 )照射用于記錄信息的記錄光束LW時(shí)，在納米粒子NP 和介質(zhì)SH1之間的界面處產(chǎn)生局部等離振子共振。這時(shí)，記錄材料MT在納米粒子NP外側(cè)附近產(chǎn)生非常強(qiáng)烈的 近場(chǎng)光LN。因此，如圖2C所示，例如，^己錄材沖牛MT可以將介質(zhì) SH變?yōu)榈诙顟B(tài)(下文稱為介質(zhì)SH2)，其中，復(fù)數(shù)介電常數(shù)s2 在非常短的時(shí)間內(nèi)不同于第 一 狀態(tài)中的復(fù)數(shù)介電常數(shù)。即，對(duì)于記錄材泮牛MT，可以通過改變介質(zhì)SH的狀態(tài)根據(jù)記 錄光束LW來(lái)記錄信息。此夕卜，可以通過局部等離振子共振以相對(duì) 較小的光能來(lái)記錄信息。此外，如圖3A所示，對(duì)于介質(zhì)SH處于第一狀態(tài)的記錄材料 MT,當(dāng)照射用于讀取信息的讀取光束LR時(shí)，基于與復(fù)數(shù)介電常數(shù) S2的關(guān)系在納米粒子NP和介質(zhì)SH1之間的界面處產(chǎn)生很大程度的 局部等離振子共振。此時(shí)，記錄材料MT在納米粒子NP外側(cè)附近 產(chǎn)生非常強(qiáng)烈的近場(chǎng)光LN,此外，還產(chǎn)生高強(qiáng)度的散射光LS。由于散射光LS傳播了較長(zhǎng)距離，所以可以接收部分散射光LS 作為返回光。即，在記錄材泮牛MT的介質(zhì)SH處于第一狀態(tài)的情況 下，可以接收由于很大程度的局部等離振子共振而產(chǎn)生的相對(duì)較高 強(qiáng)度的散射光LS作為返回光。另一方面，如圖3B所示，對(duì)于介質(zhì)SH處于第二狀態(tài)的記錄 材料MT，當(dāng)照射讀取光束LR時(shí)，基于與復(fù)數(shù)介電常數(shù)￡2的關(guān)系 在納米粒子NP和介質(zhì)SH2之間的界面處產(chǎn)生很小程度的局部等離 振子共振，僅產(chǎn)生較低強(qiáng)度的散射光LS。因此，在記錄材料MT 的介質(zhì)SH處于第二狀態(tài)的情況下，可以接收由于很小程度的局部 等離振子共振而產(chǎn)生的相對(duì)較低強(qiáng)度的散射光LS作為返回光。即，對(duì)于記錄材料MT，可基于所接收的散射光束LSa的光量 來(lái)檢測(cè)記錄材料MT中介質(zhì)SH的狀態(tài)(即，處于第一狀態(tài)還是第 二狀態(tài))。如上所述，對(duì)于記錄材沖+MT,通過以介質(zhì)SH包圍納米粒子 NP并改變介質(zhì)SH的狀態(tài)以改變局部等離振子共"^展的程度，可以在 記錄材詳+ MT上"i己錄信息以及乂人"i己錄材泮牛MT再生4言息。(2)記錄材料的構(gòu)造如圖4A和圖4B所示，記錄材并牛1具有各個(gè)納米粒子2 #皮介 質(zhì)3包圍的構(gòu)造。對(duì)于記錄材料l,例如，如圖4A所示，納米粒 子2可以嵌入介質(zhì)3中。可選地，如圖4B所示，^己錄材并+ 1可以形成為納米粒子2用 作中心核而介質(zhì)3用為外殼的粒子形狀。下文中，形成為粒子形狀 的記錄材料1 一皮稱為記錄粒子1S。納米粒子2的材料沒有具體限制。然而，期望該材料在很大程 度上易于發(fā)生極化。特別地，金屬是更優(yōu)選的。此外，對(duì)于納米粒 子2, Pt、 Ag、 Au、 Al或Cu是優(yōu)選的。在公共領(lǐng)域中，它們根據(jù) 可見光區(qū)域內(nèi)的光產(chǎn)生局部等離才展子共才展。特別地，Ag或Au是更 優(yōu)選的，因?yàn)檎J(rèn)為能夠產(chǎn)生很大程度的局部等離振子共振。優(yōu)選地，納米粒子2的直徑D2為1 nm以上。如果納米粒子2 的直徑D2小于lnm，則難以獲得作為粒子的穩(wěn)定性。此外，優(yōu)選 地，納米粒子2的直徑為50以下。如果直徑D2超過50nm，則局 部等離振子共振的程度減小。優(yōu)選地，納米粒子2的直徑D2為20 nm 以下，此外，從存4諸密度的^L點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選地為15 nm以下。此外，由根據(jù)具有預(yù)定強(qiáng)度以上的光改變其狀態(tài)和的復(fù)數(shù)介電 常數(shù)￡2的材料形成介質(zhì)3。狀態(tài)改變的實(shí)例包括改變晶態(tài)和非晶態(tài)的相變和根據(jù)光而導(dǎo)致氧化的氧化。即，優(yōu)選地，用于介質(zhì)3的材 料是氧化材料或相變材料，相變材料尤其優(yōu)選。這是因?yàn)檫@些材料 已用于BD-RE等。此外，在使用導(dǎo)致可逆狀態(tài)改變的相變材料的情況下，信息可 以被多次重寫。在這種情況下，記錄材料l中的介質(zhì)3可以被加熱 至第 一溫度以達(dá)到晶態(tài)，以及介質(zhì)3可以被加熱至低于第 一溫度的 第二溫度以達(dá)到非晶態(tài)。此外，優(yōu)選地，以在非晶態(tài)中減小局部等離振子共振的程度的 方式來(lái)選擇介質(zhì)3。這是因?yàn)閷?duì)于相變材料，其在非晶態(tài)下的自由 能高于晶態(tài)下的自由能，并且與晶態(tài)相比狀態(tài)是不穩(wěn)定的，但是在 信息的再生中，可以抑制非晶態(tài)下的記錄材并牛l的溫度增加，以增 力口再生時(shí)間。用于介質(zhì)3的材料沒有具體限制。然而，發(fā)生極化的無(wú)機(jī)材料 (例如，絕緣材料、半導(dǎo)體材料、半金屬材料和金屬材料)是更優(yōu) 選的。此外，優(yōu)選地，包含半導(dǎo)體材并+作為其至少一部分。介質(zhì)3 是多種無(wú)機(jī)材料的組合是尤其優(yōu)選的。這是因?yàn)橥ㄟ^改變組成而容 易地調(diào)節(jié)復(fù)數(shù)介電常數(shù)￡2的改變量等。對(duì)于這種無(wú)機(jī)材料，例如， 優(yōu)選地，適當(dāng)組合半導(dǎo)體材泮牛和半金屬材泮牛(例如，Ge、 Sb和Te) 以及金屬才才泮牛(例i口， Ag)。優(yōu)選地，介質(zhì)3到表面的厚度丁3為1 nm以上。如果厚度T3 小于1 nm，則難以充分相對(duì)于納米粒子2發(fā)纟軍介質(zhì)3的特性。優(yōu)選 地，介質(zhì)3的厚度T3小于50 nm。如果厚度T3為50 nm以上，則 近場(chǎng)光不能充分到達(dá)介質(zhì)3的表面。更優(yōu)選地，介質(zhì)3的厚度T3為20nm以下，以及更優(yōu)選為10nm以下。這是因?yàn)樯⑸涔釲Sa的 吸收被最小化。此外，對(duì)于納米粒子2和處于一種狀態(tài)的介質(zhì)3在7>式(2) 左側(cè)的值不同于對(duì)于納米粒子2和處于另 一 種狀態(tài)的介質(zhì)3在公式(2)左側(cè)的值。這是為了改變局部等離振子共振的目的。此外， 優(yōu)選地，納米粒子2和處于一種狀態(tài)的介質(zhì)3滿足7>式(2 )。圖5A 和圖5B是示出介質(zhì)3的介電常凄t (實(shí)部和虛部)對(duì)具有60 nm直 徑的Ag粒子的局部等離振子共振的影響的曲線圖。如圖5A所示 實(shí)部的曲線圖所表明，當(dāng)左側(cè)^直的實(shí)部為1以下時(shí)，電場(chǎng)強(qiáng)度變?yōu)?20V/m以上，以及當(dāng)實(shí)部為0.5以下時(shí)，電場(chǎng)強(qiáng)度變?yōu)?00 V/m以 上。因此，左側(cè)值的實(shí)部為1以下是優(yōu)選的，并且0.5以下是更優(yōu) 選的。此外，如圖5B所示虛部的曲線圖所表明，左側(cè)4直的虛部為 0.6以下是優(yōu)選的，0.4以下更優(yōu)選，以及0.05以下更加優(yōu)選。另一 方面，優(yōu)選地，納米粒子2和處于另一狀態(tài)的介質(zhì)3不滿足公式(2 )(即，公式(2)左側(cè)值的實(shí)部大于1且公式(2)左側(cè)值的虛部大 于0.4)。此外，公式(3)左側(cè)的值為0.5以下是優(yōu)選的，0.3以下 更優(yōu)選，4又通過納米粒子2來(lái)確定該值。這是因?yàn)榫植康入x振子共 振的程度被影響。因此，當(dāng)記錄材料l處于一種狀態(tài)時(shí)，產(chǎn)生很大程度的等離振 子共振，而在另一種狀態(tài)下，很難產(chǎn)生局部等離振子共振。因此， 可以根據(jù)記錄材料1中的介質(zhì)3的狀態(tài)在很大程度上改變返回的散 射光束LS的光量。此外，在記錄材料是如圖4B所示的記錄粒子1S的情況下，優(yōu) 選地，記錄粒子1S的直徑Dt是3 nm以上。這是因?yàn)楸Ａ袅俗鳛?記錄粒子1S的特性。優(yōu)選地，記錄粒子1S的直徑D！為52 nm以 下，此外，從存儲(chǔ)密度的觀點(diǎn)來(lái)看，20nm以下更優(yōu)選。具體地，例如，如下所述，制造該記錄粒子1S。例如，在Ag 被用作納米粒子2的情況下，制備硝酸銀(AgN03)的乙醇溶液或 水溶液，添加烷基石克醇衍生物和NaBH4作為還原劑，并進(jìn)行攪拌以 <吏銀粒子凝固為預(yù)定大小。例如，在GeSbTe用作介質(zhì)3的情況下，包含Ge、 Sb和Te的 乙醇溶液或水溶液與包含4艮粒子的乙醇溶液或水溶液混合，并且例 如在0°C下以預(yù)定時(shí)間進(jìn)行攪拌?？蛇x地，可以直接向硝酸銀溶液 添力口包含Ge、 Sb和Te的混合物，或者向包含Ge、 Sb和Te的乙 醇溶液或水溶液添加凝固的銀粒子。此后，蒸發(fā)水或乙醇，從而獲 4尋^己錄^i子1S。在這點(diǎn)上，可通過改變Ge、 Sb和Te的濃度來(lái)適當(dāng)?shù)馗淖僄e、 Sb和Te的比例。此外，可通過改變攪拌時(shí)間來(lái)適當(dāng)改變用作納米 粒子的銀粒子的直徑和用作介質(zhì)3的GeSbTe的厚度。此外，可通 過除此之外的各種方法來(lái)制造記錄粒子1S。(3)實(shí)例下面將描述實(shí)例。在本實(shí)例中，對(duì)如圖6A和圖6B所示i己錄 粒子1S的散射光強(qiáng)度進(jìn)行才莫擬。對(duì)于記錄粒子1S，用碌艮作為納米 粒子2,以及由相變材料形成的GeSbTe (組成比例2:2:5)被用作 介質(zhì)3。在本實(shí)施例中，記錄粒子1S被稱為樣品SS1，以及樣品 SS1中的納米粒子2和介質(zhì)3被分別稱為Ag中心核2S和GeSbTe 殼3S。圖7示出了波長(zhǎng)和散射光強(qiáng)度之間的關(guān)系。圖7示出了通過有 限差分時(shí)域法計(jì)算的結(jié)果。順便，對(duì)于用于與圖7相關(guān)的計(jì)算的樣 品SS1, Ag中心核2S的直徑D2為15 nm， GeSbTe殼3S的厚度 丁3是2.5 nm,以及樣品SS1的直徑D！為20 nm。曲線Cl表示Ag單質(zhì)的具有20 nm直徑的納米粒子的散射光 強(qiáng)度。明顯地，在大約350nm的波長(zhǎng)X處產(chǎn)生局部等離振子共振， 并產(chǎn)生高強(qiáng)度散射光。曲線C2表示處于晶態(tài)的GeSbTe單質(zhì)的具有20 nm直徑的納 米粒子的散射光強(qiáng)度。散射光強(qiáng)度大約在280 nm處最大，但強(qiáng)度 沒有那么高。曲線C3表示處于非晶態(tài)的GeSbTe單質(zhì)的具有20 nm直徑的 納米粒子的散射光強(qiáng)度。散射光強(qiáng)度大約在280 nm處最大，但強(qiáng)度非常低。如通過曲線C2和C3所表示的，對(duì)于GeSbTe單質(zhì)的納米粒子， 即使在晶態(tài)下的散射光強(qiáng)度最大的情況下，其強(qiáng)度也較低，并且難 以獲得足夠的返回光。此外，晶態(tài)和非晶態(tài)之間的差別較小，并且 難以根據(jù)散射光LS來(lái)檢測(cè)它們之間的差別。曲線C4表示才羊品SS1中的GeSbTe殼3S處于晶態(tài)(下文岸爾為 晶態(tài)樣品SSla)的情況下的散射光強(qiáng)度。晶態(tài)樣品SSla在大約240 nm處示出了非常高的散射光強(qiáng)度，并且顯而易見，在大約240 nm 處產(chǎn)生大的局部等離才展子共振。此外，晶態(tài)樣品SSla在大約220 nm 和大約360 nm之間的波長(zhǎng)X處示出了相對(duì)較高的散射光強(qiáng)度。曲線C5表示樣品SS1中的GeSbTe殼3S處于非晶態(tài)(下文稱 為非晶態(tài)樣品SSlb)的情況下的散射光強(qiáng)度。非晶態(tài)樣品SSlb與 晶態(tài)樣品SSla —樣在大約240 nm處具有峰值，^f旦散射光強(qiáng)度非常 低。因此，明顯地，非晶態(tài)樣品SSlb在大約240nm處產(chǎn)生局部等 離振子共振，但其程度非常小。乂人這些結(jié)果可以明顯看出，通過向樣品SS1照射具有240 nm 的入射光(即，記錄光束LW或讀取光束LR )，才艮據(jù)GeSbTe殼3S 的晶態(tài)可以改變局部等離振子共4展的程度。即，確認(rèn)能夠通過4吏用 樣品SS1以及通過改變GeSbTe殼3S的晶態(tài)以改變局部等離子共4展 的程度來(lái)記錄和再生信息。在這點(diǎn)上，晶態(tài)樣品SSla中的GeSbTe殼3S的復(fù)數(shù)介電常凝: ￡2在240nm波長(zhǎng)X處為1.315-0.5174i,因此，滿足作為局部等離振 子共振條件的公式(2)。另一方面，非晶態(tài)樣品SSlb中的GeSbTe 殼3S的復(fù)數(shù)介電常數(shù)￡2是5.064-1.157i,因此，不滿足公式(2)。 這與圖7中的晶態(tài)樣品SSla的散射光強(qiáng)度中觀測(cè)到大峰值而對(duì)于 非晶態(tài)樣品SSlb沒有觀測(cè)到大峰值的事實(shí)相匹配。接下來(lái)，在GeSbTe殼3S的厚度T3固定為2.5 nm且在改變Ag 中心核的直徑D2的情況下對(duì)樣品SS1照射具有360 nm波長(zhǎng)人的入 射光的情況下，計(jì)算電場(chǎng)增強(qiáng)因子。在圖8中示出了結(jié)果。在這點(diǎn) 上，電場(chǎng)增強(qiáng)因子表示相對(duì)于入射光強(qiáng)度(即，電場(chǎng))粒子表面(即， 樣品SS1的表面)上的電場(chǎng)的增強(qiáng)程度。在圖8中，垂直軸與水平 軸的交點(diǎn)值為零，并簡(jiǎn)單地表示電場(chǎng)增強(qiáng)的程度，即局部等離振子 共振產(chǎn)生的程度。電場(chǎng)增強(qiáng)因子隨著Ag中心核2S的直徑D2從0 nm開始增力口而 增加，并且基本在直徑02為50 nm時(shí)變?yōu)樽畲蟆４送?，由于i己錄 密度可以隨著Ag中心核2S的直徑D2變小而才是高，所以優(yōu)選地， 直徑D2為50 nm以下。從記錄密度的觀點(diǎn)來(lái)看，更小的直徑是更 優(yōu)選的。例如，為了實(shí)現(xiàn)1位/英寸以上的記錄密度，優(yōu)選地，將直 徑D2指定為18nm以下，此外15 nm以下是更優(yōu)選的。接下來(lái)，在Ag中心核2S的直徑D2固定為15nm且在改變Ag 中心核3S的厚度T3的情況下對(duì)樣品SS1照射具有360 nm波長(zhǎng)X 的入射光的情況下，計(jì)算電場(chǎng)增強(qiáng)因子。在圖9中示出了結(jié)果。曲線Cll表示Ag中心核2S和GeSbTe殼3S之間的界面處的 電場(chǎng)增強(qiáng)因子，即，局部等離振子共振的程度。電場(chǎng)增強(qiáng)因子隨著 GeSbTe殼3S的厚度T3的增加而增力口。其原因是認(rèn)為隨著GeSbTe 殼3S的厚度T3的增加，GeSbTe殼3S發(fā)揮作為介質(zhì)的特性。曲線C12表示樣品SS1表面處，即，GeSbTe殼3S和空氣之間 的界面處的電場(chǎng)增強(qiáng)因子。隨著GeSbTe殼3S的厚度T3的增加， 電場(chǎng)增強(qiáng)因子逐漸增加。這是隨著GeSbTe殼3S的厚度T3的增力口 ， 距離Ag中心核2S和GeSbTe殼3S之間產(chǎn)生局部等離振子共4展的 界面的3巨離增加。即，明顯地，隨著GeSbTe殼3S的厚度丁3的增力口，局部等離 振子共振的程度增強(qiáng)，相反，樣品SS1表面上的電場(chǎng)減小，并且不 可以充分改變GeSbTe殼3S的晶態(tài)。通常，認(rèn)為非常強(qiáng)烈的近場(chǎng)光 的范圍約是納米粒子2的半徑。因此，優(yōu)選地，SfGeSbTe殼3S的 厚度丁3控制為幾乎為半徑的2倍，即，幾乎為納米粒子2的直徑。 在圖9中，由于Ag中心核2S的直徑Dz為15 nm，實(shí)際上，當(dāng)GeSbTe 殼3S的厚度T3變?yōu)?5nm以上時(shí)，電場(chǎng)增強(qiáng)因子急劇下降。順便，對(duì)于圖8和圖9，晶態(tài)樣品SSla和非晶態(tài)樣品SSlb的 電場(chǎng)增強(qiáng)因子的值不同，zf旦獲得幾乎相似的曲線。即，上述結(jié)果可 同時(shí)應(yīng)用于晶態(tài)才羊品SSla和非晶態(tài)才羊品SSlb。圖10示出了在入射光的波長(zhǎng)人是400nm的情況下的極化a。 對(duì)于用于圖10的計(jì)算的沖羊品SS1, Ag中心核2S的直徑D2是15 nm， GeSbTe殼3S的厚度T3是2.5 nm，并且樣品SS1的直徑D！是20 nm。此外，在假設(shè)Ag中心核2S的復(fù)數(shù)折射率是n = 0.173和k = 1.95的情況下進(jìn)行計(jì)算。從圖IO中可以明顯看出，相對(duì)于具有400nm波長(zhǎng)X的入射光 產(chǎn)生局部等離振子共振的介質(zhì)3的復(fù)數(shù)折射率是n = 1.5和k- 0。 對(duì)于GeSbTe殼3S,晶態(tài)下的復(fù)數(shù)折射率是n = 2.0和k = 3.0，非晶 態(tài)下的復(fù)數(shù)折射率是n-3.0和k-2.0，因此，它們遠(yuǎn)離上述條^f牛。換句話說(shuō)，明顯地，通過在晶態(tài)和非晶態(tài)的^f壬一個(gè)中選擇采用 值在n = 1.5和k = 0附近的復(fù)數(shù)折射率的相變材料，具有400 nm波 長(zhǎng)X的入射光可以^皮用作記錄光束LW和讀取光束LR。認(rèn)為在圖10中，與非晶態(tài)相比，晶態(tài)下的GeSbTe殼3S4立于 極化a專交高的區(qū)域附近的位置，并且這種差異導(dǎo)致圖7所示散射光 強(qiáng)度的差異。如上所述，確i人通過4吏用Ag中心核2S作為納米斗立子2以及 GeSbTe殼3S作為介質(zhì)3，能夠?qū)⒕植康入x振子共振的程度改變?yōu)?尤其在240 nm附近的較大程度。此外，確認(rèn)通過以介質(zhì)3的復(fù)翁: 折射率在晶態(tài)和非晶態(tài)的任一個(gè)中采用n= 1.5和k = 0附近的l直的 方式來(lái)選4奪材泮+,入射光的波長(zhǎng)X能夠4皮i殳定為400 nm。(4)光學(xué)信息記錄介質(zhì)的構(gòu)造光學(xué)信息記錄介質(zhì)100以類似于現(xiàn)有技術(shù)中的CD、 DVD和 BD的方式被形成為整體上具有大約120 mm直徑的盤狀，并且在 中心部分中設(shè)置孔部IOOH。光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的形狀沒有具 體限制，而是可以是矩形或多邊形。孑L部100H不是必須i殳置的。圖IIA是光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的截面圖。在基板102上設(shè)置 用于記錄信息的記錄層101。在這點(diǎn)上，適當(dāng)?shù)卦?.05 mm ~ 1.20 mm 的范圍內(nèi)選4奪基玲反102的厚度。對(duì)于基板102，為了保持光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的物理強(qiáng)度， 使用至少一種硬質(zhì)材料。例如，由樹脂材料(例如，聚碳酸酯或聚 曱基丙烯酸曱酯)或無(wú)才幾材料(例如，玻璃或陶資)形成基板102。 對(duì)于基板102，可以使用具有低透射率的材料。然而，優(yōu)選地，使 用具有高透射率的材料。這是為了防止除散射光束LSa之外的多余 光被反射并與返回光一 同祐:接收。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100以類似于DVD和BD的方式被用作 可交換介質(zhì)的情況下，最好使用適于大規(guī)模生產(chǎn)的樹脂材料。另一 方面，在光學(xué)信息記錄介質(zhì)IOO被用作固定于如硬盤等中的驅(qū)動(dòng)器 的介質(zhì)的情況下，最好使用不容易受周圍環(huán)境影響的高精度無(wú)才幾材料?；宸?02和記錄層101之間的界面可以經(jīng)受無(wú)才幾多層(例^口， Nb202/Si02/Nb205/Si02的四層)的抗反射涂覆(AR )處理，以才目只于 于用作入射光的光束的波長(zhǎng)而變得無(wú)反射。這是為了防止除散射光 束LSa之外的光與返回光一 同被接收。此外，如圖IIB所示，可以在記錄層101上設(shè)置用于保護(hù)記錄 層101的卩呆護(hù)層103。對(duì)于該l呆護(hù)層103,例如，通過濺射、蒸鍍、 旋涂等設(shè)置防刮擦的硬涂層等。優(yōu)選地，保護(hù)層103的厚度為10 nm以下，5nm以下更為優(yōu)選。 這是為了允許從等離振子天線(稍后進(jìn)行詳細(xì)描述)入射的近場(chǎng)光 到達(dá)i己錄層101。在這點(diǎn)上，可以替fU呆護(hù)層103或在4呆護(hù)層103之上設(shè)置用于提高滑動(dòng)性能的潤(rùn)滑層。對(duì)于潤(rùn)滑層，使用了硅化合 物、氟化合物等。通過在基4反102上i殳置記錄材并牛1來(lái)形成i己錄層101。即，納 米粒子2被介質(zhì)3包圍就足夠了?？梢栽诮橘|(zhì)3內(nèi)部嵌入納米粒子 2,或者可以-沒置記錄粒子1S。例如，在記錄層101上以同心圓或 螺旋的形狀形成f茲道(track ) TR，并沿著》茲道TR記錄4言息。只于于 萬(wàn)茲道TR,例長(zhǎng)口與DVD和BD才目同，可以形成由凹面和凸面形成的 平臺(tái)和槽，或者其表面可以如石更盤一^f平坦。此夕卜，在記錄層101上，如圖12A所示，可以僅在》茲道TR中 設(shè)置納米粒子2，或者以被鋪滿整個(gè)記錄層101的表面(即，除^茲 道TR之外也進(jìn)行放置)的方式進(jìn)行設(shè)置。如圖12B所示，通過在整個(gè)記錄層101的表面上4甫滿記錄4立子 1S,可以在整個(gè)記錄層101的表面上鋪滿納米粒子2。例如，可以 采用通過使用朗繆爾布洛杰(LangmuirBlodgett， LB )槽的LB法。 即，具有氯仿溶劑的記錄粒子1S滴落在LB槽的水面上。在氯仿被 蒸發(fā)后，通過以恒定速度移動(dòng)的隔板來(lái)壓縮水面上殘留的記錄粒子 1S,并4立起氫終止(hydrogen-terminated)基才反102,以進(jìn)4亍轉(zhuǎn)印。 因此，如圖13A所示，記錄粒子1S被鋪滿基板102。在這種情況下，在記錄層101中，例如，可以相對(duì)于一個(gè)i己錄 粒子1S記錄1位信息，或者可以相對(duì)于多個(gè)記錄粒子1S記錄1位 信息。對(duì)于記錄層101，〗義在例如通過制造時(shí)的初始化寫入地iiM言 息等之后形成其上記錄有信息的磁道TR。可選地，如圖13B所示，可以通過在介質(zhì)3內(nèi)部嵌入納米粒子 2來(lái)形成i己錄層。接下來(lái)，將描述通過僅在》茲道TR上排列記錄粒子1S來(lái)在^茲道 TR上i殳置納米粒子2的情況。例如，通過利用電子束曝光和光刻 的納米印刷方法預(yù)先在基板102上形成凹部，將所得到的基板102 浸入記錄粒子1S在其中分散的水溶液，并緩慢地拉起基板102。因 此，如圖13C所示，在凹部上排列記錄粒子1S。順<更，這項(xiàng)才支術(shù) 在曰本未審查專利申請(qǐng)公開第2005-138011號(hào)中有所描述。在這點(diǎn) 上，當(dāng)然還可以通過使用該方法在整個(gè)記錄層101的表面上鋪滿記 錄粒子1S。在這種情況下，如圖14A所示，可以相對(duì)于一個(gè)》茲道TR排列 一行記錄粒子1S。這時(shí)，可以相對(duì)于一個(gè)記錄粒子1S記錄1位/f言 息，或者可以相對(duì)于多個(gè)記錄粒子1S記錄1位信息?？蛇x地，如 圖14B所示，可以相對(duì)于一個(gè)磁道TR設(shè)置多行記錄粒子1S。如圖15所示，可以將各個(gè)記錄粒子1S排列為彼此分離。這時(shí)， 優(yōu)選地，在與作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的半徑方向的徑向正交的 切線方向(即，v磁道的掃描方向)上以預(yù)定間隔SP分離地排列各 個(gè)記錄粒子1S。因此，可以抑制記錄粒子1S之間的色度亮度干狀》 (crosstalk )。此時(shí)的》茲道間距沒有具體限制。例如，優(yōu)選地，為了有效地防 止色度亮度干擾并避免記錄密度的顯著減小，將磁道間距TP設(shè)定 為記錄粒子1S的1.2倍以上且3.0倍以下。這同樣適合于切線方向 上的》茲道間距SP。此外，將描述用于在磁道TP上設(shè)置納米粒子2的方法。在使 用例如納米印刷法通過蝕刻在基板102上形成凹部之后，通過濺射 形成介質(zhì)3的層。結(jié)果，基板102的表面在具有凹部的同時(shí)被介質(zhì) 3所覆蓋。隨后，通過類似的拉起方法，在凹部上排列納米粒子2， 并再次通過賊射形成介質(zhì)3的層。結(jié)果，如圖13D所示，在納米并立子2處于被介質(zhì)3包圍的狀態(tài)下的同時(shí)，僅在》茲道TR上排列納米 粒子2。對(duì)于這種方法，通過改變凹部的圖案，可以在整個(gè)記錄層 101的表面上鋪滿納米粒子2。此外，用于制造記錄層101的方法并不限于此?？赏ㄟ^4吏用其 他各種方法來(lái)制造記錄層101。如上所述，對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)100,可以在基^反102上形 成納米粒子2處于^皮介質(zhì)3包圍的狀態(tài)的記錄層101。這時(shí)，通過 在基板102上排列納米粒子2預(yù)先被介質(zhì)3包圍的記錄粒子1S，可 以相對(duì)簡(jiǎn)化光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的制造處理。(5)信息的記錄和再生(5-1)光學(xué)信息記錄和再生裝置的構(gòu)造在圖16中，參考數(shù)字20表示整體的光學(xué)信息記錄裝置。盡管 在圖中沒有示出，但光盤驅(qū)動(dòng)器20被由中心處理單元(CPU)、只 讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨才幾存取存儲(chǔ)器(RAM)構(gòu)成的控制部21集中控制。為了便于說(shuō)明，將描述在光學(xué)信息記錄介質(zhì)IOO上記錄信息以 及從其再生信息的情況，其中，通過在基板102上排列記錄粒子1S 來(lái)形成i己錄層101?？刂撇?1擴(kuò)展已存儲(chǔ)在ROM、 RAM中的基本程序、信息記 錄和再生程序等，從而基于上述程序?qū)鈱W(xué)信息記錄介質(zhì)IO(U丸行 再生處理和i己錄處理。在再生處理中，控制部21向驅(qū)動(dòng)控制部22發(fā)出數(shù)據(jù)讀取命令 以及用于識(shí)別將從光學(xué)信息記錄介質(zhì)100讀取的數(shù)據(jù)的地址信息。驅(qū)動(dòng)控制部22根據(jù)來(lái)自控制部21的數(shù)據(jù)讀取命令控制主軸電 機(jī)24，從而以預(yù)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)光學(xué)信息記錄介質(zhì)100，并基于 數(shù)據(jù)讀取命令和地址信息來(lái)控制裝入電機(jī)(thread motor) 25，使得 光學(xué)拾取器30沿光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的半徑方向移動(dòng)。然后，控制部21才艮據(jù)光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的信息記錄層中 的地址信息使光學(xué)拾取器30的記錄和再生光源31向》茲道發(fā)射具有 預(yù)定波長(zhǎng)X的讀取光束LR。通過光點(diǎn)形成部40聚集讀取光束LR, 并照射向光學(xué)信息記錄介質(zhì)100。即，如圖17所示，光學(xué)拾取器30的記錄和再生光源31以根 據(jù)再生處理的光量向準(zhǔn)直透鏡32發(fā)射讀取光束LR。準(zhǔn)直透鏡32 將以發(fā)散光線入射的光束轉(zhuǎn)換為平行光線，并使平行光線進(jìn)入射束 分裂器33。射束分裂器33 4吏大部分的入射光束原樣通過并進(jìn)入光點(diǎn)形成 部40。隨后，光點(diǎn)形成部4(H吏讀取光束LR聚集并照射向光學(xué)信 息記錄介質(zhì)100。光點(diǎn)形成部40接收作為根據(jù)讀取光束LR從光學(xué)信息記錄介質(zhì) 100返回的散射光束LSa，并使光束LSa進(jìn)入射束分裂器33。射束分裂器33反射入射的返回散射光束LSa,將其方向改變 90。，并4吏光束LSa通過聚光透4竟35進(jìn)入光4妾收元件36。然后，光 接收元件36使返回的散射光束LSa經(jīng)受光電轉(zhuǎn)換，以產(chǎn)生光接收 信號(hào)，并將檢測(cè)信號(hào)饋送給信號(hào)處理部23 (圖16)。信號(hào)處理部23基于光接收信號(hào)產(chǎn)生表示返回的散射光束LSa 總量的再生RF信號(hào)，并發(fā)送至外部裝置(圖中未示出)。此時(shí)，通過4吏物4竟37沿跟軌方向(光盤的半徑方向)和聚焦 方向(接近或遠(yuǎn)離光盤的方向)的兩個(gè)方向移動(dòng)，驅(qū)動(dòng)控制部22 讀取光束LR聚焦在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的期望》茲道上。此外，在記錄處理中，控制部21向驅(qū)動(dòng)控制部22發(fā)出數(shù)據(jù)寫 入命令以及用于指定光盤100的信息記錄層中數(shù)據(jù)記錄位置的地址信息。此外，控制部21基于從外部裝置(圖中未示出)輸入的寫入 數(shù)據(jù)控制光學(xué)拾取器30，根據(jù)光盤100的記錄層101中的地址信息 來(lái)使記錄光束LW聚焦在^茲道上并照射被調(diào)節(jié)以具有適合于數(shù)據(jù)記 錄的強(qiáng)度的記錄光束LW，以在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100上記錄寫入數(shù)據(jù)。如上所述，對(duì)于光盤驅(qū)動(dòng)器20，對(duì)光學(xué)信息記錄介質(zhì)100進(jìn)4亍 信息的再生和記錄處理。(5)光點(diǎn)形成部下面爿奪描述光點(diǎn)形成部40。如圖18A所示，光學(xué)4合取器30沿與光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的 入射面平行設(shè)置的導(dǎo)軸25A和25B移動(dòng)。光學(xué)拾取器30以光點(diǎn)形 成部40與光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的入射面相對(duì)的方式設(shè)置有透鏡 保持部45，并將光點(diǎn)形成部40與光學(xué)信息記錄介質(zhì)100之間的間 隙-沒為小于20 nm。如圖18B所示，以平行于與跟軌方向正交的方向的4條支持線 34A將透鏡保持部45附接至光學(xué)拾取器30。將音圏電機(jī)34B附接 至透鏡保持部45的外側(cè)，并且音圏電才幾34B與,茲體34C相對(duì)。才艮據(jù)流過音圏電機(jī)34B的電流，通過在》茲體34C和透4竟保持部45之 間產(chǎn)生的推力在跟軌方向和聚焦方向上驅(qū)動(dòng)透鏡保持部45。如圖19A所示，光點(diǎn)形成部40包括聚光透鏡41、固體浸沒透 鏡42和等離振子天線43。聚光透鏡41由通過模制諸如玻璃或塑料的光學(xué)材料而制造的 非球面鏡頭組成。聚光透鏡41聚集入射光(讀取光束LR和記錄光 束LW),并使所得到的光進(jìn)入固體浸沒透4竟42。固體浸沒透鏡42由通過使高折射率(例如，n=1.92)球面的 一部分平坦化而制造的半J求形或超半J求形透4竟組成。固體浸沒透4竟 42根據(jù)折射率以大于聚光鏡41的數(shù)值孔徑(NA)聚集入射光。聚集的入射光進(jìn)入固體浸沒透4竟42端部的焦點(diǎn)。在焦點(diǎn)處i殳 置等離振子天線43。如圖19B所示，例如，等離振子天線43由兩 個(gè)由Au組成的三角形金屬板43a形成，并在其端部43at處激發(fā)局 部等離振子共振。這里，入射光的光點(diǎn)大小與金屬壽反43a之間的間隙GP成比例。 因此，才艮才居^己錄標(biāo)^己的大小來(lái)確定間隙GP。例力口，在4吏用具有大 約20 nm直徑D,的記錄粒子1S且在一個(gè)粒子表示1位時(shí)i己錄信息 的情況下，將間隙GP設(shè)為約20nm，這幾乎等于直徑D,。等離振子天線43在金屬^反43a的端部43at處增強(qiáng)電場(chǎng)并產(chǎn)生 近場(chǎng)光LWn。例如，如圖20所示，在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100上記錄信息的 情況下，等離振子天線43才艮據(jù)作為入射光的記錄光束LW產(chǎn)生近 場(chǎng)光LWn。順<更，在附圖中，近場(chǎng)光LWn^皮表示為電場(chǎng)。對(duì)于i己錄^立子1S，納米4立子2與近場(chǎng)光LWn結(jié)合以產(chǎn)生局部 等離才展子共振。結(jié)果，記錄粒子1S產(chǎn)生通過進(jìn)一步增強(qiáng)近場(chǎng)光LWn 的電場(chǎng)所產(chǎn)生的增強(qiáng)近場(chǎng)光LNs。因此，記錄^f立子1S可以有效i也 提高介質(zhì)3的溫度，并且可以迅速地改變介質(zhì)3的狀態(tài)。在介質(zhì)3是相變材料的情況下，例如，照射足夠^f吏記錄粒子1S 達(dá)到結(jié)晶溫度的初始光束，然后，隨著逐漸冷卻，4吏所有記錄粒子 1S的介質(zhì)3都結(jié)晶(即，初始化)。此后，在記錄時(shí)，向期望變?yōu)?非晶態(tài)的記錄粒子1S照射記錄光束LW。此時(shí)，記錄光束LW的光 強(qiáng)度被指定為低于初始化光束，使得記錄粒子1S的介質(zhì)3可以保 持在不穩(wěn)定狀態(tài)并變?yōu)榉蔷B(tài)。可以通過 一 系列這樣的#:作來(lái)改變 記錄粒子1S的晶態(tài)/非晶態(tài)，并且可以記錄信息。此外，如圖21所示，在再生i己錄在光學(xué)4言息i己錄介質(zhì)100上 的信息的情況下，等離振子天線43根據(jù)作為入射到記錄粒子1S的 光的再生光束LR而產(chǎn)生近場(chǎng)光LRn。對(duì)于記錄粒子1S，在介質(zhì)3處于局部等離振子共振程度較大的 第 一 狀態(tài)的情況下，納米粒子2與近場(chǎng)光LRn結(jié)合以產(chǎn)生局部等離 才展子共4展。結(jié)果，電場(chǎng)#1進(jìn)一步增強(qiáng)，,人而產(chǎn)生增強(qiáng)的近場(chǎng)光LNs。 此時(shí)，如參照?qǐng)D7所說(shuō)明的，記錄粒子1S產(chǎn)生高強(qiáng)度散射光LS。 由于根據(jù)高強(qiáng)度近場(chǎng)光LRn產(chǎn)生這種散射光LS，所以其光強(qiáng)度變 得非常高。這里，光點(diǎn)形成部40聚集具有1以上的大數(shù)值孔徑的入射光。 因此，在朝向光點(diǎn)形成部40產(chǎn)生的散射光LS中，可以接收根據(jù)數(shù) 值孔徑的廣角部分作為返回的散射光束LSa。結(jié)果，對(duì)于光學(xué)拾取器30 (圖17 ),可通過光接收元件36接 收高強(qiáng)度的返回散射光束LSa。31另一方面，4口圖21B所示，乂于于i己錄并立子1S,在介質(zhì)3處于 局部等離振子共振程度較小的第二狀態(tài)的情況下，盡管納米粒子2 與近場(chǎng)光LRn結(jié)合，但因?yàn)榫植康入x振子共振的程度較小，所以產(chǎn) 生相對(duì)較低強(qiáng)度的散射光LS。結(jié)果，對(duì)于光學(xué)拾取器30，通過光接收元件36接收較低強(qiáng)度 的返回散射光束LSa。這時(shí)，盡管強(qiáng)度與第一狀態(tài)相比較低，但光 學(xué)拾取器30可以接收具有比被記錄粒子1S的表面反射的反射光的 強(qiáng)度更高強(qiáng)度的返回散射光束LSa。通過基于光接收元件36上的返回散射光束LSa產(chǎn)生再生信號(hào)， 光學(xué)信息記錄和再生裝置20可基于高強(qiáng)度返回散射光束LSa來(lái)再生信息。這時(shí)，由于光學(xué)信息記錄和再生裝置20可以基于才艮據(jù)記錄信 息表現(xiàn)出較大強(qiáng)度差異的返回散射光束LSa產(chǎn)生再生信號(hào)，所以可 以以高精度再生所記錄的信息。(6 )操作和效果在上述構(gòu)造中，在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的記錄層101中，在 處于被具有根據(jù)基于作為光的記錄光束LW的近場(chǎng)光的照射而改變 的復(fù)數(shù)介電常數(shù)&的介質(zhì)3包圍的狀態(tài)時(shí)，設(shè)置具有100 nm以下 直徑的納米粒子2。此外，對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)100,改變根據(jù) 介質(zhì)3的復(fù)數(shù)介電常數(shù)s2的改變由納米粒子2產(chǎn)生的局部等離振子 共振的程度。因此，記錄層101可通過利用復(fù)數(shù)介電常數(shù)S2的差異來(lái)記錄信 息，此外，通過利用基于復(fù)數(shù)介電常數(shù)S2的差異而改變的局部等離 振子共振程度來(lái)再生信息。結(jié)果，記錄層101可基于通過局部等離振子共振產(chǎn)生的高強(qiáng)度返回散射光束LSa來(lái)再生信息?？蛇x地，記錄層101具有排列通過在介質(zhì)3中包圍納米粒子2 產(chǎn)生的記錄粒子IS的構(gòu)造。因此，對(duì)于記錄層101，可以使介質(zhì)3 相對(duì)于納米粒子2的厚度變得均勻，并且在相同條件下產(chǎn)生的局部 等離振子共振的程度可基于納米粒子2而均勻。這里，如上面參照?qǐng)D8所述，電場(chǎng)增強(qiáng)因子(即，局部等離振 子共振的程度)在納米粒子2的直徑D2為50 nm時(shí)最大，并且隨 著直徑D2的減小而逐漸減小。這里，例如，認(rèn)為為了實(shí)現(xiàn)1 Tb/inch2 的記錄密度，期望將每位的可用面積指定為大約25 nm x 25 nm。此外，對(duì)于記錄層101，記錄粒子1S的一個(gè)4立子表示1位信息。 因此，與多個(gè)記錄粒子1S表示1位信息的情況相比，納米粒子2 的直徑D2可以設(shè)定為最大，使得可以有效地產(chǎn)生局部等離振子共振。此外，對(duì)于記錄層101，僅在其上記錄有信息的磁道上排列記 錄粒子1S。因此，可以將記錄層101的記錄粒子1S的使用數(shù)量控制為最少。此夕卜，在記錄層101中，通過在基于》茲道間3巨TP在徑向以及 基于間隔SP在切線方向上移動(dòng)位置的同時(shí)排列記錄粒子1S，鄰近 的記錄粒子1S以預(yù)定的間隔被彼此分離地排列。因此，記錄粒子1S幾乎可以排除來(lái)自鄰近記錄粒子1S的增強(qiáng) 近場(chǎng)光LWn和LRn的影響，并且可以抑制色度亮度干擾?？蛇x地，對(duì)于記錄層101,在記錄粒子1S被鋪滿整個(gè)記錄層 101的情況下被排列。因此，在基板102上沒有預(yù)先形成,茲道TR 的圖案，從而可以簡(jiǎn)化記錄層101的制造處理。此外，對(duì)于記錄層IOI，由根據(jù)近場(chǎng)光LWn的照射而轉(zhuǎn)換為晶 態(tài)或非晶態(tài)的相變材沖+形成介質(zhì)3。因此，i己錄層101可4艮據(jù)近場(chǎng) 光LWn —次又一次地轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)或非晶態(tài)，并且光學(xué)信息i己錄介 質(zhì)IOO可以;故用作可重寫介質(zhì)。此外，對(duì)于記錄層101， Au、 Ag、 Pt、 Al或Cu被用作納米粒 子2。通常，在普通領(lǐng)域中，這些貴金屬相對(duì)于可見光產(chǎn)生局部等 離振子共振。因此，記錄層101可基于具有可見光區(qū)域內(nèi)的波長(zhǎng)X 并具有用于BD、 DVD和CD的,茲道記錄的光來(lái)產(chǎn)生近場(chǎng)光LWn 和LRn。此外，對(duì)于記錄層101,納米粒子2的直徑D2為1 nm以上且 50nm以下。因此，如圖8所示，當(dāng)納米粒子2處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)， 可以有效地產(chǎn)生局部等離振子共振。jt匕夕卜，^f于i己錄層101，介質(zhì)3 6勺厚度D2為1 nm k乂上且25 nm 以下。因此，如圖9所示，可以有效;也產(chǎn)生局部等離沖展子共才展。此夕卜，記錄粒子1S具有2nm以上且52 nm以下的直徑。因此， 當(dāng)記錄粒子1S處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，可以提高光學(xué)信息記錄介質(zhì)100 的記錄密度。這里，通常，在使用等離振子天線43的情況下，記錄光束LW 乂人金屬纟反43a的周圍泄露并照射向記錄層101。光學(xué)信息記錄介質(zhì) 100包括被設(shè)置為與記錄層101相鄰并使記錄光束LW作為光以高 透射率透過的基板102。因此，光學(xué)信息記錄介質(zhì)IOO使泄露的記 錄光束LW透過，從而光接收元件36不接收光束LW。因此，在返 回的散射光束LSa中不包括引起噪聲的多余光，由此可以提高再生 信號(hào)的信噪(S/N)比。對(duì)于光學(xué)信息記錄介質(zhì)100，在基^反102和記錄層101之間的 界面處設(shè)置抗反射膜，使得可以防止泄漏的記錄光束LW的反射， 并且可以進(jìn)一步^是高再生信號(hào)的S/N比。此外，對(duì)于光學(xué)信息記錄和再生裝置20,聚集從作為光源的記 錄和再生光源31發(fā)射的讀取光束LR并照射向光學(xué)信息^己錄介質(zhì) 100,并檢測(cè)在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100中產(chǎn)生的局部等離振子共振的程度。因此，光學(xué)信息記錄和再生裝置20可以*接收通過局部等離振 子共振產(chǎn)生的高強(qiáng)度的返回散射光束LSa,此外，可以基于散射光 束LSa光量的較大差異來(lái)檢測(cè)局部等離振子共振的程度，使得可以 以高^r度再生〗言息。此外，對(duì)于光學(xué)信息記錄和再生裝置20,向光學(xué)信息記錄介質(zhì) 100照射由等離子天線43產(chǎn)生的近場(chǎng)光LRn。因此，可以照射具有 小光點(diǎn)直徑和大能量的近場(chǎng)光LRn。此外，對(duì)于光學(xué)信息記錄和再生裝置20，由于整體上作為光照 射部的光點(diǎn)形成部40的數(shù)值孔徑是1.0以上，所以由納米粒子2產(chǎn) 生的散射光束LS可以以大角度4妄收，并且返回的散射光束LSa的 光量可以增加。此外，由于光點(diǎn)形成部40直4妻4矣收由納米粒子2 產(chǎn)生的散射光LS,所以散射光LS不衰減，并且可以獲得基于保持 大光量的散射光LS的具有大光量的返回散射光束LSa。此外，對(duì)于光學(xué)信息記錄和再生裝置20，聚集^人記錄和再生光 源31發(fā)射的記錄光束LW并作為近場(chǎng)光LWn照射向光學(xué)信息記錄 介質(zhì)100，并且基于控制部2的控制以改變光學(xué)信息記錄介質(zhì)100 中產(chǎn)生的局部等離振子共振的程度的方式來(lái)改變記錄光束LW的強(qiáng)度。因此，光學(xué)信息記錄和再生裝置20可以在可獲得較大返回散 射光束LSa的狀態(tài)下在光學(xué)信息記錄介質(zhì)100上記錄信息。根據(jù)上述構(gòu)造，光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的記錄層101由具有100 nm以下直徑的納米粒子2和介質(zhì)3形成，通過4艮據(jù)記錄光束LW 的照射改變介質(zhì)3的復(fù)凄t介電常凄t s3來(lái)記錄信息，并才艮據(jù)讀取光 束LR的照射，基于通過納米粒子2改變局部等離振子共振程度來(lái) 再生信息。因此，在再生信息時(shí)，光學(xué)信息記錄介質(zhì)100可以產(chǎn)生具有大 光量光的返回散射光束LSa作為返回光。以這種方式，可以實(shí)現(xiàn)能 夠夠增加返回光量的光學(xué)信息記錄介質(zhì)、用于光學(xué)信息記錄介質(zhì)的 信息記錄粒子以及其中使用光學(xué)信息記錄介質(zhì)的光學(xué)信息再生方 法、光學(xué)信息再生裝置、光學(xué)信息記錄方法和光學(xué)信息記錄裝置。(7)其4也實(shí)施例順便提及，在上述實(shí)施例中，描述了光學(xué)拾取器30沿導(dǎo)軸25A 和25B移動(dòng)的情況。然而，本發(fā)明不限于此。例如，如圖22所示， 可以4吏用通過基礎(chǔ)部分的錄:轉(zhuǎn)而移動(dòng)的懸架150。對(duì)于懸架150, 在其端部i殳置光點(diǎn)形成部140，此外，以通過類4以的懸架(圖中未 示出)移動(dòng)光學(xué)4合耳又器130的方式在光點(diǎn)形成部140上方i殳置光學(xué) 拾取器130。在這種情況下，如圖23所示，光點(diǎn)形成部140 4妄收并聚集乂人 光學(xué)拾取器130入射的入射光L。這時(shí)，在滑塊144中形成光點(diǎn)形 成部140,其中，在保持與光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的預(yù)定浮動(dòng)間隙 GF的同時(shí)，通過空氣壓力來(lái)移動(dòng)滑塊144。自然，可以在滑塊144 中i殳置光學(xué)才合取器130和光點(diǎn)形成部140。在上述實(shí)施例中，描述了金屬粒子^皮用作納米4立子2以及相變 材料凈皮用作介質(zhì)3的情況。然而，本發(fā)明并不限于此。例如，如圖 24A和圖24B所示，相變材料可以被用作納米粒子2而金屬粒子可 以被用作介質(zhì)3。即使在這種情況下，仍可以基于介質(zhì)3的極化而 在納米粒子2和介質(zhì)3之間的界面處產(chǎn)生局部等離振子共振，并且 可以獲得類似于上述實(shí)施例的效果。在上述實(shí)施例中，描述了利用聚光透鏡41、固體浸沒透鏡42 和等離振子天線43聚集入射光L并照射向光學(xué)信息記錄介質(zhì)100 的情況。然而，本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明中，可以利用具有各 種構(gòu)造的光學(xué)部件來(lái)聚集入射光L并照射向光學(xué)信息記錄介質(zhì) 100。在上述實(shí)施例中，描述了向光學(xué)信息記錄介質(zhì)ioo照射由等離振子天線43產(chǎn)生的近場(chǎng)光LRn和LWn的情況。然而，本發(fā)明并不 限于Jt。例如，可以向光學(xué)4言息i己錄介質(zhì)100照射通過單個(gè)聚光透鏡聚集的光束。在上述實(shí)施例中，描述了接收在與再生光束LR的方向相反的 方向上移動(dòng)的散射光LS作為返回的散射光束LSa的情況。然而， 本發(fā)明并不限于此。例如，光沖妄收元件可以設(shè)置在與光學(xué)信息記錄 介質(zhì)100的入射面相對(duì)的一側(cè)，并接收穿過光學(xué)信息記錄介質(zhì)100 的散射光LS。同樣，在這種情況下，可以獲得類似于上述實(shí)施例 的效果。在上述實(shí)施例中，描述了將記錄光束LW和讀取光束LR的波 長(zhǎng)指定為局部等離振子共振的程度變?yōu)樽畲蟮墓獾牟ㄩL(zhǎng)的情況。然 而，本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明中，可以適當(dāng)?shù)剡x擇記錄光束LW 和讀耳又光束LR的波長(zhǎng)。例如，具有405 nm波長(zhǎng)的記錄光束LW和 讀耳又光束LR可以用于實(shí)例1中的沖羊品SS1。在上述實(shí)施例中，描述了用作記錄層的記錄層IOI構(gòu)成用作光 學(xué)信息記錄介質(zhì)的光學(xué)信息記錄介質(zhì)100的情況。然而，本發(fā)明不 限于此?？梢杂删哂懈鞣N構(gòu)造的其4也i己錄層101形成光學(xué)信息記錄介質(zhì)。在上述實(shí)施例中，描述了由用作納米粒子的納米粒子2和用作 介質(zhì)的介質(zhì)3形成用作記錄粒子的記錄粒子1S的情況。然而，本 發(fā)明并不限于此。i己錄并立子可以由具有各種構(gòu)造的其4也納米粒子禾口介質(zhì)形成。在上述實(shí)施例中，描述了由用作光照射部的光點(diǎn)形成部40和 用作檢測(cè)部的光接收元件36形成用作光學(xué)信息再生裝置的光學(xué)信 息記錄和再生裝置20的情況。然而，本發(fā)明并不限于此。根據(jù)本 發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息再生裝置可以由具有各種構(gòu)造的其他光照 射部和4企測(cè)部形成。此外，在上述實(shí)施例中，描述了由用作光照射部的光點(diǎn)形成部 40和用作光強(qiáng)度控制部的控制部21形成用作光學(xué)信息記錄裝置的 光學(xué)信息記錄和再生裝置20的情況。然而，本發(fā)明并不限于此。 才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光學(xué)信息記錄裝置可以由具有各種構(gòu)造的其 4也光照射部和光強(qiáng)度控制部形成。本領(lǐng)域的l支術(shù)人員應(yīng)理解，才艮據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以有 多種修改、組合、再組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求或 等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，包括記錄層，其中，具有100nm以下直徑的納米粒子在被具有隨光的照射而改變的復(fù)數(shù)介電常數(shù)的介質(zhì)包圍的情況下被設(shè)置，以及由所述納米粒子產(chǎn)生的局部等離振子共振的程度隨所述介質(zhì)的所述復(fù)數(shù)介電常數(shù)的改變而改變。
2. 4艮據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層包括其中所述納米粒子-皮包圍在所述 介質(zhì)中的被排列的記錄粒子。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄粒子中的1個(gè)粒子表示1 4立^言息。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄粒子僅排列在其上將記錄信息的磁道上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述i己錄粒子與相鄰的i己錄并立子以其間具有預(yù)定 間隔而分離地j非列。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄粒子在被鋪滿整個(gè)所述記錄層上的情況 下#皮排列。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述介質(zhì)包括隨光的照射而轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)或非晶態(tài) 的相變材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述納米粒子包括Au、 Ag、 Pt、 Al或Cu。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄粒子具有3 nm以上且52 nm以下的直徑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述納米并立子具有1 nm以上且50 nm以下的直徑。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述介質(zhì)具有1 nm以上且25 nm以下的厚度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，包括鄰近所述記錄 層設(shè)置的并使光以高透射率通過的基板。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其中，所述基板在與所述記錄層的界面處包括抗反射膜。
14. 一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，包括記錄層，其中，具有100nm以下直徑的金屬粒子被隨光的照 射而轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)或非晶態(tài)的相變材料所包圍。
15. —種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，包括記錄層，由具有100 nm以下直徑的納米沖立子和介質(zhì)形成，其上通過隨i己錄光的照射改變所述介質(zhì)的復(fù)凄t介電 常^t而"i己錄j言息，以及基于隨讀取光的照射由所述納米粒子產(chǎn)生的局部等 離振子共振的程度的改變而從其再生信息。
16. —種i己錄庫(kù)立子，其中，具有100nm以下直徑的納米粒子4皮包圍在具有隨 具有預(yù)定等級(jí)以上強(qiáng)度的光的照射而改變的復(fù)數(shù)介電常凄史的 介質(zhì)中。
17. —種記錄粒子，包括具有100nm以下直徑的納米粒子和包圍 所述納米4立子的介質(zhì)，其中，所述納米粒子或所述介質(zhì)中的4壬一個(gè)的復(fù)凄t介電 常數(shù)隨具有預(yù)定等級(jí)以上強(qiáng)度的光的照射而改變。
18. —種光學(xué)信息再生方法，包^"以下步驟使光聚集并使光照射向光學(xué)信息記錄介質(zhì)；以及檢測(cè)在所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生的局部等離振子共 振的程度。
19. 一種光學(xué)信息再生裝置，包括光照射部，使從光源發(fā)出的光聚集，并使光照射向光學(xué) 信息記錄介質(zhì)；以及沖企測(cè)部，#r測(cè)在所述光學(xué)信息i己錄介質(zhì)中產(chǎn)生的局部等 離振子共振的程度。
20. 才艮據(jù)權(quán)利要求19所述的光學(xué)信息再生裝置，其中，所述光照射部4吏由等離4展子天線產(chǎn)生的近場(chǎng)光照 射向所述光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的光學(xué)信息再生裝置，其中，所述光照射部基于整個(gè)所述光照射部而具有1.0以 上的凄t值孔徑(NA)。
22. —種光學(xué)信息記錄方法，包括以下步驟通過改變當(dāng)向光學(xué)信息記錄介質(zhì)照射光時(shí)在所述光學(xué)信 息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生的局部等離振子共振的程度來(lái)記錄信息。
23. —種光學(xué)信息記錄裝置，包括光照射部，使從光源發(fā)射的光聚集，并使光照射向光學(xué) 信息記錄介質(zhì)； 以及光強(qiáng)度控制部，以改變?cè)谒龉鈱W(xué)信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生 的局部等離4展子共振的程度的方式來(lái)改變光的強(qiáng)度。
全文摘要
本發(fā)明公開了光學(xué)信息記錄介質(zhì)、記錄粒子、光學(xué)信息再生方法、光學(xué)信息再生裝置、光學(xué)信息記錄方法以及光學(xué)信息記錄裝置，其中，該光學(xué)信息記錄裝置包括記錄層，其中，具有100nm以下直徑的納米粒子在被具有根據(jù)光的照射而改變的復(fù)數(shù)介電常數(shù)的介質(zhì)包圍的情況下被設(shè)置，并且由納米粒子產(chǎn)生的局部等離振子共振的程度隨介質(zhì)的復(fù)數(shù)介電常數(shù)的改變而改變。通過本發(fā)明，可以接收通過局部等離振子共振產(chǎn)生并具有高強(qiáng)度的散射光來(lái)作為返回光。
文檔編號(hào)G11B7/24GK101625879SQ20091015896
公開日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2009年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月11日
發(fā)明者小島直人 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社