專利名稱：安全的非易失性存儲(chǔ)器件及對(duì)其中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器件。本發(fā)明還涉及一種對(duì)非易 失性存儲(chǔ)器件中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的方法。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器件(ROM、 PROM、 EPROM、 EEPROM等)是
眾所周知的。而且它們已經(jīng)被廣泛地用于其中需要對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的 應(yīng)用中，例如家庭應(yīng)用、移動(dòng)應(yīng)用，以及機(jī)頂盒(付費(fèi)電視、衛(wèi)星電 視等)。在過(guò)去數(shù)十年里，已經(jīng)發(fā)展了對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件上的數(shù)據(jù) 進(jìn)行攻擊的各種方法
與光學(xué)成像結(jié)合的正面逆向處理； 與電壓襯度成像結(jié)合的背面逆向處理； 微探測(cè)分析； UV處理；
軟件攻擊；
FIB (切割和感測(cè))； 等等。
通常，已經(jīng)認(rèn)為像基于浮柵的存儲(chǔ)器和基于ONO的存儲(chǔ)器的非 易失性存儲(chǔ)器對(duì)于這些攻擊是非常安全的。然而，最近，C. "eTVaW/ 等人在她，/e"訓(xùn)/" i "油7"乂 K。/." ,戶7別-""中，己經(jīng) 公布了一種能從EEPROM存儲(chǔ)器件獲取數(shù)據(jù)的方法。該出版物公布 了一種測(cè)量EEPROM器件中的"現(xiàn)場(chǎng)"程控電荷的方法。使用基于 電子AFM的技術(shù)(電力顯微鏡(EFM)和掃描凱爾文探針顯微鏡 (SKPM))來(lái)直接探測(cè)浮柵電勢(shì)。不僅討論了準(zhǔn)備方法也討論了探 測(cè)方法。在從背面幾個(gè)納米處進(jìn)入浮柵/氧化物界面而不會(huì)將數(shù)據(jù)放 電的樣品準(zhǔn)備比探測(cè)技術(shù)本身更關(guān)鍵。該方法也被稱為背面電壓襯度成像。
因此，已知的非易失性存儲(chǔ)器件的缺點(diǎn)是存儲(chǔ)在其上的數(shù)據(jù)對(duì) 于外部攻擊不再是足夠安全的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種對(duì)于外部攻擊來(lái)說(shuō)更安全的非易失性 存儲(chǔ)器件。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種防止非易失性存儲(chǔ)器件中
的數(shù)據(jù)受到外部攻擊的方法。
本發(fā)明是由獨(dú)立權(quán)利要求限定的。從屬權(quán)利要求限定了有利實(shí) 施例。
提供一種非易失性存儲(chǔ)器件來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，所述非易失
性存儲(chǔ)器件包括
輸入端，用于提供要被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件中的外部數(shù)據(jù)； 第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊，第一非易失
性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊被設(shè)在單個(gè)裸片上，其中第一非 易失性存儲(chǔ)模塊和第二非失易性存儲(chǔ)模塊為不同的類型，從而為了從 第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊獲取數(shù)據(jù)，需要不兼 容的外部攻擊技術(shù)，外部數(shù)據(jù)以一種分布的方式存儲(chǔ)在第二非易失性 存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊兩個(gè)模塊中。
本發(fā)明的基本要素是非易失性存儲(chǔ)器件至少包括兩個(gè)存儲(chǔ)有外 部數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)模塊。該措施的結(jié)果是，為了能獲取最初存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器 件上的外部數(shù)據(jù)，必須從第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ) 模塊兩個(gè)模塊中獲取該數(shù)據(jù)。
非易失性存儲(chǔ)單元通常包括具有電荷存儲(chǔ)區(qū)(浮柵、氧化硅-氮 化硅-氧化硅器件中的電荷捕獲層等)的晶體管。每個(gè)外部攻擊技術(shù) 可以包括逆向處理(反向工程)步驟，以便能夠訪問(wèn)存儲(chǔ)模塊的電荷 存儲(chǔ)區(qū)以及以便確定存儲(chǔ)單元是如何連接的(或者從正面或者從背 面)；還包括用于確定電荷存儲(chǔ)區(qū)上電荷的研究/探測(cè)/觀察步驟。本 發(fā)明的基本特征是第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊 要求用不同的不兼容的外部攻擊技術(shù)。由于根據(jù)本發(fā)明的非易失性器
6件的上述特征，很難獲取最初存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件上的數(shù)據(jù)。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的有利實(shí)施l列中，外部數(shù)據(jù) 的一個(gè)字的第一部分被存入第一非易失性存儲(chǔ)模塊中，外部數(shù)據(jù)的該 字的第二部分被存入第二非易失性存儲(chǔ)模塊中。在根據(jù)本發(fā)明的非易
失性存儲(chǔ)器件的可替代的有利實(shí)施例中，外部數(shù)據(jù)的第一個(gè)字被存入 第一非易失性存儲(chǔ)模塊中，外部數(shù)據(jù)的第二個(gè)字被存入第二非易失性 存儲(chǔ)模塊中。兩個(gè)實(shí)施例都確保了為了獲得最初存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ) 器件中的數(shù)據(jù)，不僅需要知道來(lái)自第一非易失性存儲(chǔ)模塊的數(shù)據(jù)，還 需要知道來(lái)自第二非易失性存儲(chǔ)模塊的數(shù)據(jù)。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的一個(gè)特定實(shí)施例中，第一 非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊的布局方式是交錯(cuò)的。第 一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊的交錯(cuò)布局使得更難 對(duì)同一裸片上的兩個(gè)模塊進(jìn)行反向工程。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的另一實(shí)施例中，第一非易 失性存儲(chǔ)模塊是多晶硅熔絲(polyfuse)存儲(chǔ)器，第二非易失性存儲(chǔ) 模塊是浮柵(floating gate)存儲(chǔ)器。單個(gè)裸片上的存儲(chǔ)器類型的這 種結(jié)合使得能夠非常好地抵抗外部攻擊，這是因?yàn)槎嗑Ч枞劢z存儲(chǔ)器 需要從器件的正面進(jìn)行反向工程，而浮柵存儲(chǔ)器需,從背面進(jìn)行反向 工程，以便能訪問(wèn)浮柵。重要的是，注意在反向工程步驟期間，分別 從正面和背面去除材料，這使得幾乎不可能同時(shí)對(duì)同一裸片上的兩個(gè) 存儲(chǔ)模塊進(jìn)行反向工程。
優(yōu)選地，多晶硅熔絲存儲(chǔ)器與浮柵存儲(chǔ)器在物理上使用同一個(gè) 多晶硅層，這使得更難同時(shí)對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)模塊進(jìn)行反向工程。當(dāng)黑客試 圖從第一存儲(chǔ)模塊(多晶硅溶絲存儲(chǔ)器)中獲得數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)光學(xué)成 像獲取第二存儲(chǔ)模塊(浮柵存儲(chǔ)器)上的數(shù)據(jù)被阻止。這是由于多晶 硅熔絲存儲(chǔ)器的光學(xué)成像需要對(duì)裸片進(jìn)行正面去層，而非易失性存儲(chǔ) 器的背面電壓襯度成像需要對(duì)裸片進(jìn)行背面去層。而且，從兩面對(duì)裸 片進(jìn)行去層至少是極端困難的，甚至是不可能的。類似地，當(dāng)黑客試 圖通過(guò)背面去層來(lái)從浮柵存儲(chǔ)器獲取數(shù)據(jù)吋，實(shí)際上不可能繼續(xù)從同 一裸片的多晶硅熔絲存儲(chǔ)器上獲取存儲(chǔ)器信息。在根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的另一改進(jìn)實(shí)施例中，第一 非易失性存f諸模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊中的至少一個(gè)的位線己 被置亂。將位線置亂意味著以某種類型的"類似多層交錯(cuò)"的方式布 置位線。利用這一措施，使通過(guò)光學(xué)觀測(cè)互連結(jié)構(gòu)而迸行的反向工程 由此變得非常困難。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的 一 個(gè)特定實(shí)施例中， 一 卜二易 失性存儲(chǔ)器還包括
第三非易失性存儲(chǔ)模塊，第三非易失性存儲(chǔ)模塊被設(shè)在與第一 非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊相同的裸片上，其中第三 非易失性存儲(chǔ)模塊與第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模 塊屬于不同的類型，從而為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊、第二非易失 性存儲(chǔ)模塊和第三非易失性存儲(chǔ)模塊中獲取數(shù)據(jù)需要不兼容的外部 攻擊技術(shù)，以分布方式將外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊、第 二非易失性存儲(chǔ)模塊和第三非易失性存儲(chǔ)模塊中。提供更多的存儲(chǔ)模 塊以及在更多的存儲(chǔ)模塊上分布外部數(shù)據(jù)增加了黑客需要確定的反 向工程參數(shù)的數(shù)目，從而使得對(duì)該器件的外部攻擊變得更困難。
本發(fā)明還涉及一種保護(hù)非易失性存儲(chǔ)器件中的數(shù)據(jù)的方法，該 方法包括以下步驟 。
提供要被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件中的外部數(shù)據(jù)，所述非易失 性存儲(chǔ)器件包括第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊，第 一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊被設(shè)在單個(gè)裸片上，其 中第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊屬于不同的類型， 從而為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊中獲取 數(shù)據(jù)，需要不兼容的多個(gè)外部攻擊技術(shù)；
以分布方式將外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非 易失性存儲(chǔ)模塊中。
根據(jù)本發(fā)明的方法提供了一種保護(hù)非易失性存儲(chǔ)器件中的數(shù)據(jù) 的方便方法。


8可將任何附加特征結(jié)合在一起，并且可以將任何附加特征與任 何方面進(jìn)行組合。其它優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯然的?？梢?在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍的情況下，做出各種變型和修改。 因此，應(yīng)該清楚地理解到，本說(shuō)明書是示例性的而不是要限制本發(fā)明 的范圍。
現(xiàn)在將通過(guò)參考附圖以示例的方式描述如何實(shí)施本發(fā)明。其中 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的第一實(shí)施例； 圖2示出了將數(shù)據(jù)分布到兩個(gè)存儲(chǔ)模塊上的第一種方式； 圖3示出了將數(shù)據(jù)分布到兩個(gè)存儲(chǔ)模塊上的第二種方式； 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的第二實(shí)施例； 圖5至圖8示出了對(duì)存儲(chǔ)模塊進(jìn)行交錯(cuò)的四種不同的方式。
具體實(shí)施例方式
在圖1中，示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的非易失性
存儲(chǔ)器件。在這個(gè)實(shí)施例中，經(jīng)由輸入端(未示出)將外部數(shù)據(jù)D 提供給非易失性存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件包括第一非易失性存儲(chǔ) 模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊200,第一非易失性存儲(chǔ)器塊100 和第二非易失性存儲(chǔ)器塊200屬于不^]類型，從而為了從它們中獲取 數(shù)據(jù)，需要不兼容的多種外部攻擊技術(shù)。
以分布方式將外部數(shù)據(jù)D1存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊100和 第二非易失性存儲(chǔ)模塊200 二者中，第一部分Dl'被存儲(chǔ)在第一非易 失性存儲(chǔ)模塊100上，第二部分Dl"被存儲(chǔ)在第二非易失性存儲(chǔ)模 塊200上。第一非易失性存儲(chǔ)模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊200 位于同一裸片10上，這是本發(fā)明的基本特征。兩個(gè)非易失性存儲(chǔ)模 塊IOO， 200所需的外部攻擊技術(shù)是不兼容的，該特征提供了兩個(gè)非 易失性存儲(chǔ)模塊IOO、 200之間的所謂的互鎖LCK。因此，很難同時(shí) 從第一非易失性存儲(chǔ)模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊200中獲取數(shù)據(jù)。
圖2示出了將外部數(shù)據(jù)D1分布到兩個(gè)存儲(chǔ)模塊100、 200上的 第一種方式。在這個(gè)方法中，來(lái)自外部數(shù)據(jù)D1的字Wn、 Wn+,被分
9成兩個(gè)部分Dl'、 Dl"。原始字W 、 Wn+1的第一部分Wln、 WlllH
被存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊ioo中原始字Wn、 wn—,的第二部
分W2n、 W2n+1被存儲(chǔ)到第二非易失性存儲(chǔ)模塊200中。在該示例中， 原始字包括8位，然而在實(shí)際設(shè)計(jì)中，任何數(shù)量的位都是可行的。而 且，在該示例中，原始字被平均地分布到兩個(gè)存儲(chǔ)模塊100、 200上， 這意味著在每個(gè)存儲(chǔ)模塊中分布4位。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，其他分布比例 也是可行的，例如在第一存儲(chǔ)模塊100中分布6位，在第二存儲(chǔ)模塊 中分布2位，或者其他任何的分布比例。
圖3示出了將外部數(shù)據(jù)Dl分布到兩個(gè)存儲(chǔ)模塊100、 200上的 第二種方式。在這個(gè)方法中，沒(méi)有將來(lái)自外部數(shù)據(jù)D1的字Wn、 Wn+1 進(jìn)行分割。而是將原始字Wn、 Wn+1以交替方式分別存儲(chǔ)到第一非易 失性存儲(chǔ)模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊200中。原始字W,，(作 為字W1J被存儲(chǔ)在第一非易失性存儲(chǔ)模塊100中，原始字W +1 (作 為字W2n)被存儲(chǔ)在第二非易失性存儲(chǔ)模塊200中。在該示例中，原 始字包括8位，然而實(shí)際設(shè)計(jì)中任何數(shù)量的位都是可行的。而且，在 該示例中，原始字被平均地分布到兩個(gè)存儲(chǔ)模塊100、 200上，這意 味著在每個(gè)存儲(chǔ)模塊中的字的數(shù)量相同。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，其他分布比 例也是可行的，例如在第一存f模塊100中分布3個(gè)字而在第二存儲(chǔ) 模塊200中分布l個(gè)字的比例，或者其他任何分布比例。
在圖4中，示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的非易失性 存儲(chǔ)器件。根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的這個(gè)實(shí)施例與第一實(shí)施 例的不同點(diǎn)在于非易失性存儲(chǔ)器件還包括第三非易失性存儲(chǔ)模塊 300?，F(xiàn)在，外部數(shù)據(jù)Dl包括存儲(chǔ)在第一非易失性存儲(chǔ)模塊100上 的第一部分Dl'、存儲(chǔ)在第二非易失性存儲(chǔ)模塊200上的第二部分 Dl，'，以及存儲(chǔ)在第三非易失性存儲(chǔ)模塊300上的第三部分Dl'"。 將外部數(shù)據(jù)D1分布在多個(gè)非易失性存儲(chǔ)模塊100、 200、 300上提供 了更強(qiáng)大的互鎖LCK，從而提供了附加的安全性。
在上述實(shí)施例中，在某些示例中，字可以包括16位、32位、64 位、128位。但是，理論上，在所有實(shí)施例中，字可以具有任意長(zhǎng)度。
很重要的是應(yīng)該注意，外部數(shù)據(jù)可能也是加密后的數(shù)據(jù)。當(dāng)該非易失性存儲(chǔ)器件被應(yīng)用時(shí)，該措施對(duì)抗了類似ic引腳探測(cè)之類的
攻擊技術(shù)。 '
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器件的第 一 實(shí)施例的具體示例
中，產(chǎn)品關(guān)注90nm技術(shù)中制造的單芯片安全的"產(chǎn)品X"。該技術(shù) 以要用作非易失性存儲(chǔ)器的硅化多晶硅熔絲為特征。在"產(chǎn)品X"中， 該存儲(chǔ)器類型被用于第一非易失性存儲(chǔ)模塊100。該技術(shù)還以作為非 易失性存儲(chǔ)器的浮柵存儲(chǔ)器為特征。在"產(chǎn)品X"中，該存儲(chǔ)器類型 被用于第二非易失性存儲(chǔ)模塊。第二非易失性存儲(chǔ)模塊200中的浮柵 的物理層被制造在與第一非易失性存儲(chǔ)模塊100中的硅化多晶硅熔 絲相同的物理層上。這確保了第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性 存儲(chǔ)模塊之間的牢固互鎖LCK。在對(duì)多晶硅熔絲存儲(chǔ)模塊100的內(nèi) 容進(jìn)行攻擊時(shí)，另一浮柵存儲(chǔ)模塊200的內(nèi)容被損壞；反之亦然。在 "產(chǎn)品X"中，第一非易失性存儲(chǔ)模塊100包含DielD碼的一部分， 第二非易失性存儲(chǔ)模塊200包含其他部分。"產(chǎn)品X"還可包含可能 來(lái)自UPC或KPN之類的公司的供應(yīng)商ID，其中供應(yīng)商ID被分布在 第一非易失性存儲(chǔ)模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊200這兩個(gè)存儲(chǔ) 模塊上。而且在第一非易失性存儲(chǔ)模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊 200上都提供客戶ID、有時(shí)，需要同樣被分布到第一非易失性存儲(chǔ) 模塊100和第二非易失性存儲(chǔ)模塊200上的公共密鑰。有時(shí)，該公共 密鑰是臨時(shí)的。
進(jìn)一步改進(jìn)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件上的數(shù)據(jù)的保護(hù)的另一種方式 是將存儲(chǔ)模塊的布局進(jìn)行交錯(cuò)。圖5至圖8示出了對(duì)兩個(gè)存儲(chǔ)模塊進(jìn) 行交錯(cuò)的不同方案。圖5示出了第一非易失性存儲(chǔ)模塊IOO和第二非 易失性存儲(chǔ)模塊200，其中第一非易失性存儲(chǔ)模塊IOO被布置在第二 非易失性存儲(chǔ)模塊200內(nèi)。圖6示出了另一種方案，其中第一非易失 性存儲(chǔ)模塊100的存儲(chǔ)單元100'被分散或者分布在第二非易失性存 儲(chǔ)模塊200的布局中。圖7示出了第三種方案，其中在列方向上交替 布置了第一非易失性存儲(chǔ)模塊100的存儲(chǔ)單元100'和第二非易失性 存儲(chǔ)模塊200的存儲(chǔ)單元200'。當(dāng)存儲(chǔ)模塊100、 200具有類似的大 小時(shí)，該方案是讓人感興趣的。圖8示出了第四種方案，其中在行方
11向和列方向上均交替布置第一非易失性存儲(chǔ)模塊100的存儲(chǔ)單元 IOO'和第二非易失性存鍺模塊200的存儲(chǔ)單元200'。該方案旨在提f^
最(i互鎖。但是，在第一非易失性存儲(chǔ)模塊ioo的存儲(chǔ)單元io()'和
第二非易失性存儲(chǔ)模塊200的存儲(chǔ)單元200'具有類似的大小時(shí)，該 方案才最有效。
進(jìn)一步改進(jìn)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件上的數(shù)據(jù)的保護(hù)的可選方式是 實(shí)施位線置亂(bit-line scrambling)。位線置亂是一種局部的"加 密"，從而邏輯位和物理位被置亂。 一個(gè)示例是通過(guò)"類似多層交錯(cuò)" 的方式利用技術(shù)中的多層布線，從而使得每個(gè)字節(jié)(或字)列的位線 均與其它字節(jié)/字的完全不同。以此方式，物理上置亂了邏輯位，從 而對(duì)其尋蹤變得很難。例如，3位位移后的字節(jié)可能變成位3、位 4、位5、位6、位7、位0、位1、位2 (而不是位0、位1…位7), 而鏡像字節(jié)可能具有位7、位6、位5、位4、位3、位2、位1、位0 的位順序。在實(shí)際的實(shí)施中，置亂是移位、鏡像、交換(swapping) 等的組合。位線置亂使得借助于光學(xué)檢測(cè)的反向工程變得非常困難。 位線置亂可與存儲(chǔ)器交錯(cuò)相結(jié)合。
因此，本發(fā)明提供了一種對(duì)于外部攻擊技術(shù)來(lái)說(shuō)更加安全的非 易失性存儲(chǔ)器件本發(fā)明的一個(gè)重要方面在于兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)模塊 的互鎖。本領(lǐng)域技術(shù)人員已知用于實(shí)施例中的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。 本領(lǐng)域技術(shù)人員還了解非易失性存儲(chǔ)器的操作和集成。發(fā)明人的思想 在于在單個(gè)裸片上的一個(gè)以上的存儲(chǔ)器的巧妙結(jié)合和集成提供了對(duì) 數(shù)據(jù)的良好互鎖，因此提供了防止外部攻擊的良好保障。本發(fā)明可被 用在各種應(yīng)用中，例如識(shí)別應(yīng)用、家庭應(yīng)用、移動(dòng)應(yīng)用、以及機(jī)頂 盒(付費(fèi)電視、衛(wèi)星電視等)。
本發(fā)明還提供了一種對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的
方法，所述方法包括如下步驟
提供要被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件中的外部數(shù)據(jù)，非易失性存 儲(chǔ)器件包括第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊，第一非 易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊被設(shè)在單個(gè)裸片上，其中第 一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊屬于不同的類型，從而
12為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非易失性存儲(chǔ)模塊中獲取數(shù)據(jù) 需要不兼容的多種外部攻擊技術(shù)；
以分布方式將外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊和第二非 易失性存儲(chǔ)模塊中。
該方法的優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)與上述存儲(chǔ)器件的優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)相同。 己經(jīng)參考特定實(shí)施例以及相關(guān)附圖描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明 并不限于這些特定實(shí)施例，而是僅由權(quán)利要求限定。權(quán)利要求中的任 何參考標(biāo)號(hào)均不應(yīng)被解釋為對(duì)保護(hù)范圍的限制。所述附圖僅為示意性 的，而不是限制性的。附圖中，出于說(shuō)明的目的， 一些元件的尺寸可 能被放大，或者未按比例繪制。本說(shuō)明書和權(quán)利要求中所使用的術(shù)語(yǔ)
"包括"并不排除其它元件或步驟的存在。除非特定申明，否則在指 示單個(gè)名詞時(shí)使用的定冠詞或者不定冠詞(例如"一個(gè)"或"一種")
包括復(fù)數(shù)名詞。
并且，說(shuō)明書和權(quán)利要求中的術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等被用來(lái) 對(duì)類似元件進(jìn)行區(qū)分，而非用于描述順序或時(shí)序。應(yīng)該理解的是，這 樣使用的術(shù)語(yǔ)在適當(dāng)?shù)那闆r下可以互換，并且此處所述的本發(fā)明的實(shí) 施例可以按照除了此處所述的順序之外的其它順序操作。
每當(dāng)使用"列"和"行"時(shí)，可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情 況下，對(duì)所使用的詞"列"和"行"進(jìn)行互換。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)器件，其包括輸入端，用于提供要被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件上的外部數(shù)據(jù)(D1)；第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)，第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)被設(shè)在單個(gè)裸片(10)上，其中第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)屬于不同的類型，從而為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)中獲取數(shù)據(jù)，需要不兼容的多個(gè)外部攻擊技術(shù)，外部數(shù)據(jù)(D1)以分布的方式(D1’，D1”)存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中外部數(shù)據(jù) (Dl)的字(Wn,Wn+1)的第一部分(Dl')被存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)中，而外部數(shù)據(jù)(Dl)的字(Wn，W,1+1)的第二部 分(Dl")被存儲(chǔ)到第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中外部數(shù) 據(jù)(Dl)的第一個(gè)字(W )被存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100) 中，而外部數(shù)據(jù)(Dl)的第二個(gè)字(Wn+1)被存儲(chǔ)到第二非易失性 存儲(chǔ)模塊(200)中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一權(quán)利要求所述的非易失性存儲(chǔ) 器件，其中第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)的布局方式是交錯(cuò)的。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中第一 非易失性存儲(chǔ)模塊(100)是多晶硅熔絲存儲(chǔ)器，而第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)是浮柵存儲(chǔ)器。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中多晶硅熔絲 存儲(chǔ)器(100)在物理上使用與浮柵存儲(chǔ)器(200)相同的多晶硅層。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中對(duì)第 一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)中的至 少一個(gè)存儲(chǔ)模塊的位線進(jìn)行置亂。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述 非易失性存儲(chǔ)器件還包括第三非易失性存儲(chǔ)模塊(300)，所述第三非易失性存儲(chǔ)模塊 (300)被設(shè)在與第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ) 模塊(200)相同的單個(gè)裸片(10)上，其中第三非易失性存儲(chǔ)模塊 (300)與第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊 (200)屬于不同的類型，從而為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)、 第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)和第三非易失性存儲(chǔ)模塊(300)中獲 取數(shù)據(jù)，需要不兼容的多種外部攻擊技術(shù)，以分布的方式(D1'， Dl"， Dl'")將外部數(shù)據(jù)(Dl)存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)、第 二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)和第三非易失性存儲(chǔ)模塊(300)中。
9. 一種對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的方法，該方法 包括如下步驟提供要被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件中的外部數(shù)據(jù)(Dl)，所述 非易失性存儲(chǔ)器件包括第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失 性存儲(chǔ)模塊(200)，第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性 存儲(chǔ)模塊(200)被設(shè)在單個(gè)裸片(10)上，其中第一非易失性存儲(chǔ) 模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)屬于不同的類型，從而 為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200) 中獲取數(shù)據(jù)，需要不兼容的多種外部攻擊技術(shù)；以分布的方式(Dl'， Dl")將外部數(shù)據(jù)(Dl)存儲(chǔ)到第一非易 失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存緒模塊(200)中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非易失性存儲(chǔ)器件，其包括輸入端，用于提供要被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件上的外部數(shù)據(jù)(D1)；第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)，第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)被設(shè)在單個(gè)裸片(10)上，其中第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)屬于不同的類型，從而為了從第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)中獲取數(shù)據(jù)，需要不兼容的多個(gè)外部攻擊技術(shù)，外部數(shù)據(jù)(D1)以分布的方式(D1’，D1”)存儲(chǔ)到第一非易失性存儲(chǔ)模塊(100)和第二非易失性存儲(chǔ)模塊(200)中。本發(fā)明還涉及一種對(duì)非易失性存儲(chǔ)器器件中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的方法。
文檔編號(hào)G11C16/06GK101517655SQ200780035773
公開(kāi)日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者史蒂文·V·E·S·范戴克, 陶國(guó)橋 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司