專利名稱：：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種通過藍(lán)色或者藍(lán)紫色的激光照射使記錄層發(fā)生光學(xué)變化從而記錄數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：作為信息記錄介質(zhì)，CD(CompactDisc光盤)，DVD(DigitalVersatileDisc數(shù)字通用光盤)等光記錄介質(zhì)被廣泛應(yīng)用。而且，近幾年，通過采用波長為(380～450nm的范圍的)405nm的藍(lán)色或藍(lán)紫色激光作為照射光，而能夠以更高密度來記錄大容量的信息的光記錄介質(zhì)在普及中。另外，光記錄介質(zhì)大體分為不可增加和改寫數(shù)據(jù)的ROM(ReadOnlyMemory)型、只能增加記錄一次數(shù)據(jù)的R(Recordable)型，可以改寫數(shù)據(jù)的RW(Rewritable)型。對于R型的光記錄介質(zhì)的記錄層，重要的是在通過照射激光而使其光學(xué)特性發(fā)生變化的基礎(chǔ)上，長期保存也不易變質(zhì)而耐久性優(yōu)越，以往，有機色素作為R型光記錄介質(zhì)的記錄層的材料而被廣泛利用。這種以往的有機色素為不易吸收易促進化學(xué)反應(yīng)的紫外線或藍(lán)色、藍(lán)紫色的短波長的可視光線的材料，此性質(zhì)有助于抑制記錄層的變質(zhì)。然而，因現(xiàn)有的有機色素不易吸收藍(lán)色、藍(lán)紫色的短波長的可視光線，所以使用藍(lán)色或者藍(lán)紫色的激光作為照射光時不能獲得充分的光學(xué)特性變化，而無法記錄數(shù)據(jù)。另外，在采用藍(lán)色或者藍(lán)紫色的激光作為照射光時，獲得充分的光學(xué)特性變化的有機色素的開發(fā)也很困難。另外，作為記錄層的材料，如采用Bi、Mo、Cu、Ag、Pd的氧化物等的無機材料的R型光記錄介質(zhì)也廣為人知(例如，參照J(rèn)P特開2003-48375號公報、JP特開平10-334507號公報)。這些無機材料的一部分雖然在采用藍(lán)色或藍(lán)紫色的激光作為照射光時也能獲得光學(xué)特性的變化，但是難以可靠地得到用于記錄數(shù)據(jù)的充分的光學(xué)特性的變化。對此，通過在記錄層的兩側(cè)形成電介質(zhì)層，可以改善記錄層的光學(xué)特性。然而，形成電介質(zhì)層等，僅此光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)相應(yīng)地變復(fù)雜，同時制造工序增多，就會導(dǎo)致出現(xiàn)生產(chǎn)率降低、光記錄介質(zhì)的成本增加的問題。另外，當(dāng)形成無機材料的記錄層或電介質(zhì)層等時，要使用例如濺射裝置等高價的真空成膜裝置，但為了形成材料不同的記錄層、電介質(zhì)層等，需要具備與材料的種類數(shù)目相對應(yīng)的多臺真空成膜裝置，就從這方面來看，光記錄介質(zhì)的成本也會增加。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而研制的，其目的在于提供一種在使用藍(lán)色或藍(lán)紫色的激光作為照射光時也能夠可靠地進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的生產(chǎn)率高的光記錄介質(zhì)。本發(fā)明通過這樣一種光記錄介質(zhì)來實現(xiàn)上述目的，即該記錄介質(zhì)的記錄層包含記錄部和覆蓋該記錄部厚度方向上的至少一側(cè)的覆蓋部，這些記錄部和覆蓋部實質(zhì)上都由Bi和O構(gòu)成，覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率比記錄部中的小，記錄部中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62～77％，覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60～70％。本發(fā)明人在研制本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，如圖7中標(biāo)有附圖標(biāo)記E的曲線所示那樣，當(dāng)實質(zhì)上由Bi和O構(gòu)成的記錄層中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62％以上時，8TC/N值顯著增大，利用藍(lán)色或者藍(lán)紫色激光作為照射光時也能夠得到較大的8TC/N值。此外，8TC/N值在O原子數(shù)的比率約為70％時為最大。另外，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如圖7中標(biāo)有附圖標(biāo)記F的曲線所示，實質(zhì)上由Bi和O構(gòu)成的記錄層中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率在60％以上的范圍中時，對于反射率也能夠得到大的值。此外，在O原子數(shù)的比率(比8TC/N值最大時的O原子數(shù)的比率、即約70％小)約為67％時反射率最大。為了可靠的實現(xiàn)良好的光學(xué)特性，重要的是在8TC/N值以及反射率的值較大的基礎(chǔ)上，即使記錄層的構(gòu)成元素的組成比率稍稍變化也可將8TC/N值以及反射率的值的變化抑制得較小，且品質(zhì)穩(wěn)定。但是，如圖7所示，實質(zhì)上由Bi和O構(gòu)成的記錄層中相對于O原子數(shù)的比率的反射率的變化較大，例如O原子數(shù)的比率在67％以上的范圍時，若O原子數(shù)的比率增加則反射率急劇減少。此外，8TC/N值為最大時的O原子數(shù)的比率大于反射率為最大時的O原子數(shù)的比率，并且該差較大。因此，很難使良好的8TC/N值和良好的反射率并存。因此，發(fā)明人進一步反復(fù)努力研究發(fā)現(xiàn)，通過將記錄層做成包含實質(zhì)上都由Bi和O構(gòu)成的記錄部和覆蓋部的結(jié)構(gòu)，使覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率比記錄部中的小，使記錄部的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62％～77％，使覆蓋部的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60～70％，從而，對于8TC/N值以及反射率的任意一方都能夠得到較大的值，進而能夠?qū)⑴c記錄層的構(gòu)成元素的組成比率的變化相伴的反射率的值的變化抑制得較小。能夠得到這種效果的原因不一定要清楚，但是由于O原子數(shù)的比率相對較小的覆蓋部主要有助于反射率，O原子數(shù)的比率相對較大的記錄部主要有助于8TC/N值，因此認(rèn)為良好的8TC/N值和良好的反射率能夠并存。進而，由于該光記錄介質(zhì)中記錄部和覆蓋部實質(zhì)上都由Bi以及O構(gòu)成，所以能夠通過調(diào)節(jié)成膜條件而利用共通的真空成膜裝置來對記錄部和覆蓋部進行成膜，從而有助于抑制生產(chǎn)成本。即，通過如下所述的發(fā)明可以實現(xiàn)上述目的。(1)一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板和形成在該基板上的記錄層，該記錄層包含記錄部和覆蓋該記錄部厚度方向上的至少一側(cè)的覆蓋部，這些記錄部以及覆蓋部實質(zhì)上都由Bi及O構(gòu)成，上述覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi以及O的原子數(shù)的合計值的比率比上述記錄部中的小，上述記錄部中O原子數(shù)相對于Bi及O的原子數(shù)的合計值的比率為62～77％，上述覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi以及O的原子數(shù)的合計值的比率為60～70％。(2)如(1)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi及O的原子數(shù)的合計值的比率為62～68％。(3)如(1)或(2)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的結(jié)構(gòu)為，上述覆蓋部被設(shè)置在上述記錄部的厚度方向的兩側(cè)。(4)如(1)～(3)中任一項所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，為了信息的記錄/再現(xiàn)而照射波長為380～450nm的激光。根據(jù)本發(fā)明，例如即使在使用藍(lán)色或藍(lán)紫色的激光作為照射光時，也可以實現(xiàn)可靠地進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的生產(chǎn)率高的光記錄介質(zhì)。圖1為示意地表示本發(fā)明第一實施方式的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。圖2為表示該光記錄介質(zhì)的制造工序的概要的流程圖。圖3為示意地表示本發(fā)明的第二實施方式的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。圖4為示意地表示本發(fā)明的第三實施方式的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。圖5為表示本發(fā)明的實施例1以及比較例2的一部分的樣品的記錄層的覆蓋部中O原子數(shù)的比率與反射率、8TC/N值的關(guān)系的圖。圖6為表示本發(fā)明的實施例3以及比較例2的一部分的樣品的記錄層的覆蓋部中O原子數(shù)的比率與反射率、8TC/N值的關(guān)系的圖。圖7為表示比較例1的樣品的記錄層中O原子數(shù)的比率與反射率、8TC/N值的關(guān)系的圖。具體實施例方式下面，參考附圖，針對用于實施本發(fā)明的最佳方式進行詳細(xì)說明。如圖1所示，本發(fā)明的第一實施方式的光記錄介質(zhì)10為R型光盤，該R型光盤在基板12的單側(cè)面上依次形成記錄層14及保護層16，通過照射激光而使記錄層14的光學(xué)特性發(fā)生變化，記錄層14的結(jié)構(gòu)為特征點。而且，光記錄介質(zhì)10是外徑約為120mm、厚度約為1.2mm的圓板形狀?；?2的厚度約為1.1mm、其在記錄層14側(cè)的面上形成有循軌用的溝槽。另外，作為基板12的材料可以使用聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅樹脂、氟類樹脂、ABS樹脂、氨酯樹脂等。記錄層14包括記錄部18、覆蓋在該記錄部18的厚度方向上的基板12一側(cè)的第一覆蓋部20、覆蓋保護層16一側(cè)的第二覆蓋部22，并按照基板12的凹凸圖案而形成有凹凸圖案。這些記錄部18、第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22實質(zhì)上都是由Bi和O構(gòu)成，第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率小于記錄部18的該比率。記錄部18中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62～77％。另一方面，第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60～70％。而且，所謂“實質(zhì)上由Bi和O構(gòu)成”是指Bi及O的原子數(shù)的合計值相對于構(gòu)成記錄部18的全體原子的原子數(shù)的比率為80％以上，但優(yōu)選Bi及O的原子數(shù)的合計值相對于構(gòu)成記錄部18的全體原子的原子數(shù)的比率為90％以上。還有，為獲得良好的光學(xué)特性，記錄部18的厚度優(yōu)選厚于第一覆蓋部20、第二覆蓋部22，但只要通過記錄用激光的照射而可以獲得充分的光學(xué)特性變化即可，第一覆蓋部20、第二覆蓋部22中的一方或兩方厚于記錄部18也無妨。保護層16的厚度約為100μm。作為保護層16的材料，可以采用具有透光性的丙烯酸類紫外線固化性樹脂、環(huán)氧類紫外線固化性樹脂等的能量射線固化性樹脂。在此，所謂“能量射線”，是具有使流動狀態(tài)的特定的樹脂固化的性質(zhì)的、例如紫外線、電子射線等電磁波、粒子射線的總稱。另外，作為保護層16的材料，也可以使用具有透光性的薄膜。下面，對光記錄介質(zhì)10的作用進行說明。在光記錄介質(zhì)10中，記錄層14由Bi和O構(gòu)成，在第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中，O原子數(shù)相對于Bi及O原子數(shù)的合計值的比率小于記錄部18中的該比率，記錄部18中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62～77％以上，第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60～70％，因此利用藍(lán)色或者藍(lán)紫色激光作為照射光時也可得到充分的光學(xué)特性的變化，從而能夠進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)。具體地說，如圖5以及圖6所示，在光記錄介質(zhì)10中，對于以標(biāo)有附圖標(biāo)記A以及C的曲線所示的8TC/N值以及標(biāo)有附圖標(biāo)記B以及D的曲線所示的反射率的任意一方，都可以充分得到較大的值。并且，因光記錄介質(zhì)10中伴隨記錄層14的構(gòu)成元素的組成比率的變化的8TC/N值以及反射率的值的變化被抑制為較小，從而有助于品質(zhì)的穩(wěn)定化。此外認(rèn)為，在記錄層14中，主要是記錄部18有助于8TC/N值，承擔(dān)數(shù)據(jù)的記錄，但是根據(jù)Bi、O的組成比率，第一覆蓋部20、第二覆蓋部22也能夠承擔(dān)數(shù)據(jù)的記錄。并且，在光記錄介質(zhì)10中，由于構(gòu)成記錄層14的記錄部18、第一覆蓋部20、第二覆蓋部22的構(gòu)成元素是相同的，所以，如后所述，記錄層14的成膜容易且生產(chǎn)效率高。另外，從生產(chǎn)效率上看來，第一覆蓋部20、第二覆蓋部22都優(yōu)選厚度分別為30nm以下，若為15nm以下則更為優(yōu)選。下面，參照圖2所示的流程圖來針對光記錄介質(zhì)10的制造方法的一個例子進行說明。首先，通過注塑成型，形成外徑約為120mm、厚度約為1.1mm的圓板形狀的基板12(S102)。此時，在基板12的單側(cè)形成溝槽的凹凸圖案。接著，在基板12中形成溝槽的面上，形成第一覆蓋部20(S104)。具體來說，將基板12設(shè)置在配設(shè)了Bi靶的陰極濺射裝置的容器內(nèi)，向容器內(nèi)供給O2氣體以及Ar或Xe等的濺射氣體，當(dāng)撞到Bi靶時，Bi粒子飛濺而出，與容器中的O2反應(yīng)而氧化并堆積在基板12上。由此，按照溝槽的凹凸圖案來形成厚度大致均勻的第一覆蓋部20。通過調(diào)節(jié)O2氣體的供給流量或成膜功率等濺射條件(成膜條件)，可以調(diào)整第一覆蓋部20中的Bi、O的比率。此外，記錄層14雖然優(yōu)選主要由Bi和O構(gòu)成，但如果是為少量的話，也可混入其他的原子、化合物。這樣的其他原子、化合物的比率，優(yōu)選為構(gòu)成記錄層14的全體原子的原子數(shù)的20at％以下。當(dāng)?shù)谝桓采w部20的膜厚達(dá)到規(guī)定膜厚時，暫時停止濺射。接著，在第一覆蓋部20上形成記錄部18(S106)。具體來說，利用上述第一覆蓋部20成膜時所用的濺射裝置，變更O2氣體的供給流量或成膜功率等的濺射條件來形成記錄層14的記錄部18。為了獲得良好的信號特性，記錄部18的厚度優(yōu)選為15～80nm。當(dāng)記錄部18的膜厚達(dá)到規(guī)定膜厚時，暫時停止濺射。接著，在記錄部18上形成第二覆蓋部22(S108)。具體來說，利用第一覆蓋部20、記錄部18成膜時所用的濺射裝置，變更O2氣體的供給流量或成膜功率等的濺射條件來形成第二覆蓋部22。當(dāng)?shù)诙采w部22的膜厚達(dá)到規(guī)定膜厚時，停止濺射。由此，記錄層14的成膜結(jié)束。此外，記錄層14的厚度(記錄部18、第一覆蓋部20、第二覆蓋部22的合計厚度)優(yōu)選為16～120nm，更優(yōu)選為40～80nm。最后，利用旋涂法，在記錄層14之上將保護層16延展為約100μm的厚度，并照射紫外線等能量射線使其固化(S110)。并且，也可以粘著預(yù)先制造的薄膜而形成保護層16。由此，完成了光記錄介質(zhì)10。這樣，由于第一覆蓋部20、記錄部18以及第二覆蓋部22的構(gòu)成元素相同，都為Bi以及O，從而可通過調(diào)節(jié)濺射條件而用相同的濺射裝置(真空成膜裝置)進行成膜，從而有助于提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。另外，在該第一實施方式中，記錄層14的記錄部18的兩側(cè)被第一覆蓋部20、第二覆蓋部22所覆蓋，但如圖3所示的本發(fā)明的第二實施方式的光記錄介質(zhì)50那樣僅在記錄部18的基板12一側(cè)被第一覆蓋部20覆蓋，或如圖4所示的本發(fā)明的第三實施方式的光記錄介質(zhì)60那樣僅在記錄部18的保護層16一側(cè)被第二覆蓋部22覆蓋，也能夠使良好的8TC/N值和良好的反射率并存，而獲得謀求品質(zhì)的穩(wěn)定化的一定的效果。另外，在上述第一～第三實施方式中，雖然在基板12和保護層16之間只具備構(gòu)成元素相同的第一覆蓋部20、記錄部18以及第二覆蓋部22，但也可以在這些構(gòu)成元素的基礎(chǔ)上具備與這些構(gòu)成元素不同的反射層、電介質(zhì)層等。電介質(zhì)層可以僅在記錄層18的單側(cè)成膜，也可以在兩側(cè)成膜。另外，在上述第一實施方式中，成膜記錄層14時，每當(dāng)?shù)谝桓采w部20、記錄部18的成膜結(jié)束就暫時停止濺射，而間歇地進行第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜，但也可將成膜條件調(diào)節(jié)為連續(xù)，從而連續(xù)地進行這些第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜。這樣一來會有如下優(yōu)點，即，在第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的邊界附近，Bi及O的組成比率會連續(xù)變化，而在第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的邊界不易發(fā)生剝離。另一方面，如果如上述第一實施方式那樣間歇地進行第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜，則有這樣的優(yōu)點，即，可獲得具有高精度的構(gòu)成元素的組成比率的第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22?？梢愿鶕?jù)所要求的性能等來適當(dāng)決定采用哪種成膜方法。另外，在上述第一實施方式中，利用Bi靶并供給O2，從而進行第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜，但也可以利用BiOx靶并供給O2氣體，從而進行第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜。另外，在上述第一實施方式中，為了進行第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜而采用了濺射法，但只要能夠?qū)⑦@些構(gòu)成元素的組成比率調(diào)節(jié)到希望值，則也可以采用例如化學(xué)氣相沉積法等的其他氣相沉積法來進行第一覆蓋部20、記錄部18、第二覆蓋部22的成膜另外，在上述第一～第三實施方式中，光記錄介質(zhì)10、50、60為只形成有一層記錄層14的單層記錄方式，但本發(fā)明也能夠適用隔著隔離層而交替形成多個記錄層的多層記錄方式的光記錄介質(zhì)。另外，在上述第一～第三實施方式中，光記錄介質(zhì)10、50、60為只可以在單面記錄信息的單面記錄方式，但本發(fā)明也能夠適用于在兩側(cè)面具有記錄層的雙面記錄方式的光記錄介質(zhì)。另外，在上述第一～第三實施方式中，光記錄介質(zhì)10的保護層16比基板12薄，但本發(fā)明也能夠適用于如同DVD那樣的、基板與保護層具有相等的厚度的光記錄介質(zhì)。(實施例1)按照上述第一實施方式，制作了5種光記錄介質(zhì)10的樣品W1～W5，它們的記錄部18的兩側(cè)面被第一覆蓋部20、第二覆蓋部22所覆蓋，第一覆蓋部20、記錄部18以及第二覆蓋部22都由Bi以及O構(gòu)成，第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中的Bi、O的組成比率相異。此外，相同樣品中的第一覆蓋部20的Bi、O的組成比率與第二覆蓋部22的Bi、O的組成比率相等。當(dāng)對制造方法進行詳細(xì)說明時，首先，通過注塑成型制作出5片厚度為1.1mm、直徑為120mm的聚碳酸酯樹脂的基板12。接著，將這些基板12依次設(shè)定在濺射裝置中，并將第一覆蓋部20成膜為約15nm的厚度，將記錄部18成膜為約20nm的厚度，將第二覆蓋部22成膜為約10nm的厚度，從而形成了厚度約為45nm的記錄層14。此時，如表1所示，設(shè)定Ar氣體、O2氣體的流量，從而調(diào)整構(gòu)成第一覆蓋部20、記錄部18、以及第二覆蓋部22的Bi、O的比率。此外，將Bi靶的成膜功率設(shè)定為一定、即150W。具體來說，對于第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22，在O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60％～70％的范圍內(nèi)調(diào)整為5種比率，使5種樣品的組成比率各不相同。另一方面，將記錄部18調(diào)整為在總樣品中O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率約為(62％～77％的范圍的)72％。表1最后，利用旋涂法在第二覆蓋部22上涂敷紫外線固化性丙烯酸樹脂，并將其延展成100μm的厚度，再照射紫外線使它固化。對于這樣得到的5種光記錄介質(zhì)10的樣品W1～W5，測定反射率以及8TC/N值。具體地說，將這些樣品依次設(shè)置在光記錄介質(zhì)評估裝置DDU1000(帕路斯(pulstecパルステツク)工業(yè)株式會社制造)上，在記錄層14形成8T長度的記錄標(biāo)記而記錄數(shù)據(jù)。此外，其他的條件設(shè)定如下激光波長405nm；物鏡的數(shù)值孔徑NA0.85；調(diào)制方式(1、7)RLL；記錄線速度4.9m/sec；信道信號位長度0.12μm；信道時鐘頻率66MHz；記錄方式分組記錄；再現(xiàn)功率0.7mW；中間功率2.0mW；基礎(chǔ)功率1.0mW。接著，利用該光記錄介質(zhì)評估裝置，測定了記錄層14中的空白部分(沒有形成記錄標(biāo)記的部分)的反射率。接著，對形成在記錄層14上的8T長度的記錄標(biāo)記進行再現(xiàn)，并測定了再現(xiàn)信號的C/N值。測定C/N值時，使用了光譜分析儀XK180(愛德萬(advantestアドバンテスト)株式會社制造)。再現(xiàn)時的條件設(shè)定如下激光波長405nm；再現(xiàn)功率Pr0.7mW；物鏡的數(shù)值孔徑NA0.85。表1以及圖5中表示反射率以及8TC/N值的測定結(jié)果。此外，圖5表示第一覆蓋部20、第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率、與8TC/N值、反射率的測定結(jié)果的關(guān)系。在圖5中，標(biāo)有附圖標(biāo)記A的曲線是8TC/N值的測定結(jié)果，標(biāo)有附圖標(biāo)記B的曲線是反射率的測定結(jié)果。在此，對于確認(rèn)記錄部18、第一覆蓋部20、第二覆蓋部22的構(gòu)成元素的組成比率以及厚度的方法進行說明。首先，剝離保護層16，并在記錄層14上涂覆厚度為20nm左右的碳，再根據(jù)FIB(FocusedIonBeam聚焦粒子束)法，在厚度方向切斷記錄層14，使沿著其面方向的寬度為70nm左右，從而制作剖面TEM樣本。制作該樣本時，可以使用如FB2100(日立高新技術(shù)(日立ハイテクノロジ一ズ日立High-Technologies)株式會社制造)等。通過對這樣得到的樣本在(記錄層14的)厚度方向的多個位置上進行TEM(TransmissionElectronMicroscope透射電子顯微鏡)觀察以及EDS(Energy-Dispersivex-raySpectroscopyX射線能譜)分析，從而可以獲得曲線圖(表示樣本中厚度方向的位置與構(gòu)成元素的組成比率關(guān)系的曲線圖)。在該測定中，可以使用例如FE-TEM(JEM-2100F日本電子株式會社制造)或FE-STEM(HD2000日立高新技術(shù)株式會社制造)。在這樣得到的曲線圖中，Bi原子數(shù)相對于Bi以及O的原子數(shù)的合計值的比率與記錄部18、第一覆蓋部20、第二覆蓋部22相對應(yīng)，在其厚度方向的3個區(qū)域的每一個中幾乎一定，而在各區(qū)域的邊界附近Bi原子數(shù)的比率急劇變化。在各區(qū)域的邊界附近，將Bi的組成比率為相鄰區(qū)域中的Bi的組成比率的平均值的部位判定為記錄部18、第一覆蓋部20、第二覆蓋部22的邊界，從而計算出其膜厚。另外，通過FIB法，在厚度方向上切斷記錄層14來制作針狀的樣本，該針狀的樣本的一個面上的寬度(沿著該面的方向)為100nm左右、另一個面上的寬度比該面寬，可通過使用了APFIM(AtomProbeFocusedIonBeamMicroscope原子探針場粒子顯微鏡)的TOF-MS(TimeOfFlightMassSpectrometry飛行時間質(zhì)譜)，來測定在(記錄層14的)厚度方向的多個位置的樣本中的構(gòu)成元素的組成比率。即使在難以分析氧原子數(shù)的組成比率時，通過這樣測定氧以外元素的組成比率也可以算出氧的組成比率。(實施例2)相對于上述實施例1，制作了一種樣品W6，該樣品中的記錄部18的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為約(62％～77％的范圍的下限)62％，并且第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60％。此外，樣品W6的其他結(jié)構(gòu)與上述實施例1的樣品W1～W5相同。對于該樣品W6，與上述實施例1同樣的測定了反射率、8TC/N值。樣品W6的結(jié)構(gòu)、樣品W6的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的成膜條件、反射率、8TC/N值的測定結(jié)果一并記載在表1中。(實施例3)相對于上述實施例1，制作了五種樣品W7～W11，這些樣品中的記錄部18的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為約(62％～77％的范圍的上限)77％，并且第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為60％～70％。此外，樣品W7～W11的其他結(jié)構(gòu)與上述實施例1的樣品W1～W5相同。對于這些樣品W7～W11，與上述實施例1同樣的測定了反射率、8TC/N值。在表1以及圖6中表示樣品W7～W11的結(jié)構(gòu)、樣品W7～W11的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的成膜條件、反射率、8TC/N值的測定結(jié)果。在圖6中，標(biāo)有附圖標(biāo)記C的曲線為8TC/N值的測定結(jié)果，標(biāo)有附圖標(biāo)記D的曲線為反射率的測定結(jié)果。(比較例1)針對上述實施例1，制作了五中光記錄介質(zhì)的樣品C1～C5，這些樣品具有Bi及O的組成比率在整個區(qū)域上恒定不變的記錄層。此外，這些樣品C1～C5的其他的結(jié)構(gòu)與上述實施例1的樣品W1～W5相同。這些樣品W1～W5的具體的結(jié)構(gòu)如表2中所示。表2對于這些樣品C1～C5光記錄介質(zhì)，與上述實施例1同樣的測定了反射率、8TC/N值。并將測定結(jié)果表示在表2以及圖7中。此外，圖7也與圖5以及圖6同樣的表示O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率和8TC/N值、反射率的測定結(jié)果的關(guān)系。在圖7中，標(biāo)有附圖標(biāo)記E的曲線為8TC/N值的測定結(jié)果，標(biāo)有附圖標(biāo)記F的曲線為反射率的測定結(jié)果。(比較例2)相對于上述實施例1以及3，制作了兩種樣品C6以及C7，這兩種樣品的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為(小于60％)58％。此外，樣品C6的其他的結(jié)構(gòu)與上述實施例1的樣品W1～W5相同，樣品C7的其他的結(jié)構(gòu)與上述實施例3的樣品W7～W11相同。對于這些樣品C6以及C7，與上述實施例1同樣的測定了反射率、8TC/N值。樣品C6、C7的結(jié)構(gòu)、樣品C6、C7的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的成膜條件、反射率、8TC/N值的測定結(jié)果一并表示在表1中。此外，在圖5中一并表示樣品C6的反射率、8TC/N值的測定結(jié)果，在圖6中一并表示樣品C7的反射率、8TC/N值的測定結(jié)果。為了得到良好且穩(wěn)定的光學(xué)特性，優(yōu)選8TC/N值以及反射率的值較大。具體來說，優(yōu)選8TC/N值在50dB以上。另外，優(yōu)選反射率在12％以上，更優(yōu)選在14％以上。進而，為了得到良好且穩(wěn)定的光學(xué)特性，優(yōu)選將與記錄層的構(gòu)成元素的組成比率的變化相伴的8TC/N值以及反射率的值的變化抑制為較小。但是，如圖7所示，在比較例1中，8TC/N值或反射率的變化相對于O原子數(shù)的比率的變化較大，例如O原子數(shù)的比率在67％以上的范圍時，若O原子數(shù)的比率增加則反射率急劇減少。此外，8TC/N值最大時的O原子數(shù)的比率大于反射率最大時的O原子數(shù)的比率，并且此差較大。并且可得到50dB以上的較大的8TC/N值的O原子數(shù)的比率被限定在70％前后的較窄范圍內(nèi)。此外，比較例2的樣品C6、C7中8TC/N值明顯小于50.0dB，反射率也小于12％。即，對于反射率、8TC/N值的任意一方的光學(xué)特性都不能得到良好的結(jié)果。對此，在實施例1～3的全部的樣品W1～W11中得到了12％以上的反射率、50.0dB以上的8TC/N值。并且，如圖5、6所示，在實施例1、3中，與記錄層14的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的構(gòu)成元素的組成比率的變化相伴的8TC/N值以及反射率的值的變化被抑制為較小。在實施例1中，特別對于第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62～68％的樣品W2～W4，反射率的偏差被抑制在1％以內(nèi)，8TC/N值的偏差也被抑制在1dB以內(nèi)，為良好。此外，在實施例3中，對于第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22中的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62～68％的樣品W8～W10，反射率的偏差被抑制在1％以內(nèi)，8TC/N值的偏差被抑制在3dB以內(nèi)，也為良好。認(rèn)為這是由于，O原子數(shù)的比率相對較小的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22主要有助于反射率，O原子數(shù)的比率較大的記錄部18主要有助于8TC/N值，而良好的8TC/N值和良好的反射率并存。此外，如在圖5中的樣品C6以及圖6中的樣品C7的數(shù)據(jù)所示，當(dāng)?shù)谝桓采w部20以及第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率小于60％時，8TC/N值有顯著降低的趨勢，但只要第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率在60％～70％的范圍內(nèi)，則與記錄層14的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的構(gòu)成元素的組成比率的變化相伴的8TC/N值的變化以及反射率的值的變化都被抑制得較小。特別只要第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率為62％以上，則與記錄層14的第一覆蓋部20以及第二覆蓋部22的構(gòu)成元素的組成比率的變化相伴的8TC/N值的變化以及反射率的值的變化都被顯著地抑制得較小。此外，如圖7中的曲線E所示，當(dāng)O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率小于62％時，實質(zhì)上由Bi以及O構(gòu)成的記錄層的8TC/N值有顯著變小的趨勢。并且，很難制造O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率大于77％的記錄層。因此認(rèn)為，主要被認(rèn)為有助于8TC/N值的記錄部18的O原子數(shù)相對于Bi和O的原子數(shù)的合計值的比率在62～77％即可。本發(fā)明可用于通過照射藍(lán)色或者藍(lán)紫色的激光而使記錄層的光學(xué)特性發(fā)生變化來記錄數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)。權(quán)利要求1.一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，具有基板和形成在該基板上的記錄層，該記錄層包含記錄部和覆蓋該記錄部厚度方向上的至少一側(cè)的覆蓋部，這些記錄部及覆蓋部實質(zhì)上都由Bi及O構(gòu)成，上述覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi及O的原子數(shù)的合計值的比率比上述記錄部中的小，上述記錄部中O原子數(shù)相對于Bi及O的原子數(shù)的合計值的比率為62～77％，上述覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi及O的原子數(shù)的合計值的比率為60～70％。2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi及0的原子數(shù)的合計值的比率為62～68％。3.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的結(jié)構(gòu)為，上述覆蓋部被設(shè)置在上述記錄部厚度方向上的兩側(cè)。4.如權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層的結(jié)構(gòu)為，上述覆蓋部被設(shè)置在上述記錄部厚度方向上的兩側(cè)。5.如權(quán)利要求1～4中任一項所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，為了信息的記錄/再現(xiàn)，照射激光的波長為380～450nm。全文摘要本發(fā)明提供一種在使用藍(lán)色或藍(lán)紫色的激光作為照射光時也能夠可靠地進行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)的生產(chǎn)率高的光記錄介質(zhì)。光記錄介質(zhì)具有基板和形成在基板上的記錄層，記錄層包括記錄部和第一覆蓋部、第二覆蓋部，這些記錄部、第一覆蓋部、第二覆蓋部實質(zhì)上都由Bi和O構(gòu)成，第一覆蓋部、第二覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi以及O的原子數(shù)的合計值的比率比記錄部中的小，記錄部中O原子數(shù)相對于Bi以及O原子數(shù)的合計值的比率為62％～77％，第一覆蓋部以及第二覆蓋部中O原子數(shù)相對于Bi以及O的原子數(shù)的比率為60～70％。文檔編號G11B7/24GK101013585SQ20071000738公開日2007年8月8日申請日期2007年1月31日優(yōu)先權(quán)日2006年1月31日發(fā)明者由德大介,三島康兒,田中和志申請人:Tdk股份有限公司