專利名稱：磁記錄介質(zhì)、記錄重放裝置及壓印模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在伺服圖形區(qū)域中利用凹凸圖形、形成伺服圖形的磁記錄介質(zhì)，具有該磁記錄介質(zhì)的記錄重放裝置，以及制造該磁記錄介質(zhì)用的壓印模。
背景技術(shù)：
作為具有這種磁記錄介質(zhì)的記錄重放裝置，有特開平9-97419號公報揭示的具有不連續(xù)磁道型的磁盤而構(gòu)成的磁記錄裝置。在這種情況下，該磁記錄裝置中安裝的磁盤的構(gòu)成為在玻璃盤基板(基材)的一面，用記錄磁性構(gòu)件(磁性材料)形成同心圓狀的記錄道(帶狀的凸起部分)，能夠進行各種記錄數(shù)據(jù)的記錄及重放。另外，在各記錄道之間的凹下部分埋入保護間距構(gòu)件(非磁性材料)，以提高磁盤的表面平滑性，同時將相鄰磁道進行磁隔離，這樣形成保護間距部分。
在制造這種磁盤時，首先將磁性材料濺射在基材的一面，形成記錄磁性層。然后，為了覆蓋記錄磁性層，將正型抗蝕劑進行旋涂，進行預(yù)烘烤后，使用母盤刻錄裝置，描述與保護間距部分的圖形相同的圖形，然后進行顯影處理。通過這樣，在記錄磁性層上形成抗蝕劑圖形(凹凸圖形)。接著，使用抗蝕劑圖形作為掩膜，對記錄磁性層進行刻蝕處理后，利用去膠裝置除去磁記錄層上的殘留掩膜。通過這樣，在基材上形成由磁性材料構(gòu)成的記錄道和伺服圖形(用磁性材料形成凸起部分的凹凸圖形)。接著，對該狀態(tài)的基材濺射非磁性材料。這時，構(gòu)成伺服圖形的凹下部分的各記錄道之間的凹下部分完全用非磁性材料填埋，而且濺射非磁性材料達到足夠的厚度，一直到用非磁性材料覆蓋構(gòu)成伺服圖形的凸起部分及各記錄道。接著，對濺射的非磁性材料的表面進行干法刻蝕處理，通過這樣使構(gòu)成伺服圖形的凸起部分及記錄道等突出端面(磁性材料的表面)從非磁性材料露出。從而完成磁盤。
特開平9-97419號公報(第6-12頁，圖1-19)但是，以往的磁盤存在以下的問題。即，以往的磁盤在濺射非磁性材料以覆蓋基材的全部區(qū)域之后，對非磁性材料進行干法刻蝕處理，一直到構(gòu)成伺服圖形的凸起部分及記錄道等的突出端面(上表面)露出，對表面進行平滑處理。但是，在按照這種制造方法制造磁盤的情況下，在進行干法刻蝕處理時，若在其突出端面較寬的凸起部分(例如沿磁盤旋轉(zhuǎn)方向的長度及沿半徑方向的長度這兩個長度均較長的凸起部分)上大量殘留非磁性材料(以下將在凸起部分上殘留的非磁性材料稱為“殘渣”)，則有時形成凸起部分被厚的殘渣覆蓋的狀態(tài)。
具體來說，例如圖32所示，按照上述的制造方法制造的磁盤10z是按照下述規(guī)定制造的，即沿磁盤10z的旋轉(zhuǎn)方向(該圖中所示的箭頭R的方向)交替排列由同心圓狀多個數(shù)據(jù)記錄道構(gòu)成的形成數(shù)據(jù)道圖形50tz的數(shù)據(jù)記錄區(qū)Atz、和形成跟蹤伺服用的伺服圖形40sz的伺服圖形區(qū)Asz。在這種情況下，如圖33所示，磁盤10z的伺服圖形區(qū)Asz作為一個例子，具有形成前同步(preamble)圖形的前同步圖形區(qū)Apz、形成地址圖形的地址圖形區(qū)Aaz、以及在脈沖串(burst)區(qū)Ab1z～Ab4z的各區(qū)域中形成脈沖串圖形的脈沖串圖形Abz。另外，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)Atz與前同步圖形區(qū)Apz之間、前同步圖形區(qū)Apz與地址圖形區(qū)Aaz之間、地址圖形區(qū)Aaz與脈沖串圖形區(qū)Abz之間、以及脈沖串圖形區(qū)Abz與數(shù)據(jù)記錄區(qū)Atz之間的各區(qū)域中，形成由磁性材料(磁性層)14形成的凸起部分構(gòu)成的非伺服信號區(qū)Axz。再有，在脈沖串圖形區(qū)Abz中的各脈沖串區(qū)Ab1z～Ab4z的各區(qū)域之間，形成由磁性材料(磁性層14)形成的凸起部分構(gòu)成的非伺服信號區(qū)Axbz。在這種情況下，非伺服信號區(qū)Axz及Axbz中不記錄跟蹤伺服控制用的控制信號，成為非伺服信號區(qū)Axz及Axbz的整個區(qū)域由上述凸起部分構(gòu)成而不存在凹下部分的狀態(tài)。另外，在該圖中用斜線涂滿的區(qū)域表示伺服圖形40sz及數(shù)據(jù)道圖形50tz中的凸起部分(圖34中的凸起部分40az)的形成區(qū)。
在這種情況下，申請人發(fā)現(xiàn)了下述的現(xiàn)象，即在對為了覆蓋伺服圖形40sz而形成的非磁性材料層15(參照圖34，在凸起部分40az、40az…等之間形成保護間距部分用的材料層)進行干法刻蝕、使各凸起部分40az、40az…露出時，在其下方存在的凸起部分40az的突出端面越寬(例如，凸起部分40az的突出端的沿磁盤10z的旋轉(zhuǎn)方向的長度及沿半徑方向的長度都越長)，對非磁性材料15的刻蝕進行越慢。因而，在形成突出端面寬的凸起部分的非伺服信號區(qū)Axz、Axbz…等中，在對非磁性材料15的一層進行干法刻蝕處理時，產(chǎn)生較厚的殘渣。具體來說，如圖34所示，例如在突出端面的沿旋轉(zhuǎn)方向的長度L11較短的凸起部分40az、40az…上，利用干法刻蝕處理對非磁性材料15進行充分刻蝕，凸起部分40az的突出端面從非磁性材料15露出。與此不同的是，在突出端面過寬的凸起部分40az、40az…上，由對非磁性材料15的刻蝕進行較慢，因此在長度L11較短的凸起部分40az的突出端面從非磁性材料15露出的時刻結(jié)束干法刻蝕處理時，形成產(chǎn)生厚度T的殘渣的狀態(tài)(凸起部分40az被非磁性材料15覆蓋的狀態(tài))。其結(jié)果，在產(chǎn)生殘查的部位(非伺服信號區(qū)Axz、Axbz等)中，伺服圖形區(qū)Asz內(nèi)的表面平滑性惡化。
另外，在繼續(xù)進行干法刻蝕處理、一直到突出端面過寬的凸起部分40az上的殘渣完全取除的情況下，在突出端面的沿旋轉(zhuǎn)方向的長度L11較短的凸起部分40az的部位，不僅非磁性材料15被刻蝕，連磁性層14(凸起部分40az)也被刻蝕。因而，在繼續(xù)進行干法刻蝕處理、一直到包含非伺服信號區(qū)Axz、Axbz的伺服圖形區(qū)Asz的整個區(qū)域完全取除凸起部分40az上的殘渣的情況下，突出端面的沿旋轉(zhuǎn)方向的長度或沿半徑方向的長度比較短的前同步圖形區(qū)Apz內(nèi)的凹凸圖形及地址圖形區(qū)Aaz內(nèi)的凹凸圖形等中的凸起部分40az、40az…被過度刻蝕，恐怕很難確實讀取磁信號。
本發(fā)明正是鑒于有關(guān)的問題，其主要目的在于提供能夠確實讀取磁信號而且具有表面平滑性好的伺服圖形的磁記錄介質(zhì)及記錄重放裝置、以及能夠制造這樣的磁記錄介質(zhì)的壓印模。

發(fā)明內(nèi)容
為了達到上述目的，本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，在基材的至少一面的伺服圖形區(qū)，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的多個凸起部分及凹下部分的凹凸圖形、形成伺服圖形，同時該伺服圖形區(qū)的構(gòu)成為具有地址圖形區(qū)及脈沖串圖形區(qū)，在該伺服圖形區(qū)形成所述凹下部分，使得所述地址圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓(凸起部分的突出端面的平面形狀的內(nèi)接圓)中的最大直徑的內(nèi)接圓、與所述脈沖串圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的較大一方的內(nèi)接圓，成為所述伺服圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。
另外，本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，在所述基材的至少所述一面的數(shù)據(jù)記錄區(qū)，利用至少突出端部由所述磁性材料形成的凸起部分、形成多個數(shù)據(jù)記錄道，該各數(shù)據(jù)記錄道形成為沿所述半徑方向的長度成為小于等于所述較大一方的內(nèi)接圓的直徑。
另外，本發(fā)明有關(guān)的記錄重放裝置，具有所述某一種磁記錄介質(zhì)、以及根據(jù)從該磁記錄介質(zhì)的所述伺服圖形區(qū)讀取的規(guī)定信號、進行跟蹤伺服控制處理的控制單元。
另外，本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，在基材的至少一面的伺服圖形區(qū)，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的多個凸起部分及凹下部分的凹凸圖形、形成伺服圖形，所述伺服圖形區(qū)的構(gòu)成為具有制造時利用所述凹凸圖形來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)、以及形成與該各第1功能區(qū)的所述凹凸圖形不同種類的凹凸圖形的第2功能區(qū)。
再有，本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，所述伺服圖形區(qū)的構(gòu)成為具有作為所述多種第1功能區(qū)的一種的地址圖形區(qū)及脈沖串圖形區(qū)，在該第2功能區(qū)形成所述凹下部分，使得所述第2功能區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑，成為小于等于所述地址圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓、與所述脈沖串圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的較大一方的直徑。
另外，本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，在基材的至少一面的伺服圖形區(qū)，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的多個凸起部分及凹下部分的凹凸圖形、形成伺服圖形，所述伺服圖形區(qū)的構(gòu)成為具有制造時利用所述凹凸圖形來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)、以及遍及其整個區(qū)域形成所述凹下部分的第2功能區(qū)。
另外，本發(fā)明有關(guān)的記錄重放裝置，具有所述某一種磁記錄介質(zhì)、以及根據(jù)從該磁記錄介質(zhì)的所述第1功能區(qū)讀取的規(guī)定信號、進行跟蹤伺服控制處理的控制單元。
另外，本發(fā)明有關(guān)的壓印模，是磁記錄介質(zhì)制造用的壓印模，形成具有與所述某一種磁記錄介質(zhì)的所述凹凸圖形的凹下部分相對應(yīng)而形成的凸起部分、以及與所述磁記錄介質(zhì)的所述凹凸圖形的凸起部分相對應(yīng)而形成的凹下部分的凸凹圖形。
根據(jù)本發(fā)明的有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，由于在伺服圖形區(qū)形成凹下部分，使得地址圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓與脈沖串圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的較大一方的內(nèi)接圓，成為伺服圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓，通過這樣在伺服圖形區(qū)內(nèi)不存在具有能夠存在直徑超過較大一方的內(nèi)接圓直徑的內(nèi)接圓的、寬的突出端面的凸起部分，因此在對覆蓋伺服圖形區(qū)內(nèi)的凹凸圖形而形成的非磁性材料層進行刻蝕處理時，能夠避免在各凸起部分上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。通過這樣，能夠提供伺服圖形區(qū)內(nèi)的平坦性好、而且能夠確實讀取伺服數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)。
另外，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，通過在數(shù)據(jù)記錄區(qū)形成各數(shù)據(jù)記錄道，使得沿半徑方向的長度為小于等于伺服圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑，從而能夠避免在數(shù)據(jù)記錄區(qū)內(nèi)的各凸起部分上生成厚的殘渣的情況。因而，能夠提供有伺服圖形區(qū)及數(shù)據(jù)圖形區(qū)這兩個區(qū)域(磁記錄介質(zhì)的整個區(qū)域)中平坦性好、而且能夠進行穩(wěn)定的記錄重放的磁記錄介質(zhì)。
另外，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的記錄重放裝置，通過具有所述某一種磁記錄介質(zhì)、以及根據(jù)從該磁記錄介質(zhì)的伺服圖形區(qū)讀取的規(guī)定信號、進行跟蹤伺服控制處理的控制單元，從而不受除了記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的區(qū)域的區(qū)域中形成的凹凸圖形(空圖形)存在的影響，能夠?qū)τ跀?shù)據(jù)記錄區(qū)內(nèi)的各凸起部分(數(shù)據(jù)記錄道)通過在道上的磁頭進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放。
另外，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，通過具有制造時利用凹凸圖形來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)、以及形成與各第1功能區(qū)的凹凸圖形不同種類的凹凸圖形的第2功能區(qū)，構(gòu)成伺服圖形區(qū)，從而與非伺服信號區(qū)Axz及Axbz的整個區(qū)域由凸起部分構(gòu)成的以往的磁盤10z不同，能夠避免在第2功能區(qū)內(nèi)產(chǎn)生殘渣的情況，即使產(chǎn)生殘渣，也能夠使該殘渣足夠薄。
再有，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，通過在第2功能區(qū)形成凹下部分，使第2功能區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑，為小于等于地址圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓、與脈沖串圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的較大一方的直徑，從而能夠避免在第2功能區(qū)內(nèi)產(chǎn)生厚的殘渣的情況。
另外，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)，由于通過具有制造時利用凹凸圖形來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)、以及遍及其整個區(qū)域形成凹下部分的第2功能區(qū)，構(gòu)成伺服圖形區(qū)，從而在第2功能區(qū)內(nèi)不存在有可能產(chǎn)生殘渣的凸起部分，而且對于除第2功能區(qū)的部位也不存在突出端面過寬的凸起部分(對規(guī)定范圍內(nèi)不存在凹下部分的凸起部分)，因此在對覆蓋伺服圖形區(qū)內(nèi)的凹凸圖形而形成的非磁性材料層進行刻蝕處理時，能夠在包含第2功能區(qū)的伺服圖形區(qū)的整個區(qū)域中避免各凸起部分上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。通過這樣，能夠提供伺服圖形區(qū)的平坦性好、而且能夠確實讀取伺服數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)。
另外，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的記錄重放裝置，通過具有所述某一種磁記錄介質(zhì)、以及根據(jù)從該磁記錄介質(zhì)的第1功能區(qū)讀取的規(guī)定信號、進行跟蹤伺服控制處理的控制單元，從而不受第2記錄區(qū)中形成的凹凸圖形(空圖形)存在的影響，能夠?qū)τ跀?shù)據(jù)記錄區(qū)內(nèi)的各凸起部分(數(shù)據(jù)記錄道)通過在道上的磁頭進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放。
另外，根據(jù)本發(fā)明有關(guān)的壓印模，通過形成具有與所述某一種磁記錄介質(zhì)的凹凸圖形的凹下部分相對應(yīng)而形成的凸起部分、以及與磁記錄介質(zhì)的凹凸圖形的凸起部分相對應(yīng)形成的凹下部分的凸凹圖形，從而例如在對制造磁記錄介質(zhì)用的中間體進行壓印處理時，能夠避免在伺服圖形區(qū)內(nèi)形成具有能夠存在直徑超過地址圖形區(qū)域脈沖串圖形區(qū)中形成的各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑的內(nèi)接圓的、寬的突出端面的凸起部分的情況。因此，通過將該凹凸圖形作為掩膜對中間體進行刻蝕處理，能夠避免在伺服圖形區(qū)內(nèi)形成具有能夠存在直徑超過所述最大直徑的內(nèi)接圓的直徑的內(nèi)接圓的、寬的突出端面的凸起部分的情況。因而，在對覆蓋該凹凸圖形而形成的非磁性材料層進行刻蝕處理時，能夠避免在伺服圖形區(qū)內(nèi)的各凸起部分上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。通過這樣，能夠制造平坦性好、而且能夠確實讀取伺服數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)。另外，由于與磁記錄介質(zhì)的各凸起部分的突出端面相對應(yīng)，壓印模不存在過寬的凹下部分，因此在對中間體的樹脂層(利用壓印處理而形成凹凸圖形的層)壓入壓印模的凹凸圖形時，能夠避免產(chǎn)生因樹脂材料(樹脂層)向壓印模的凹下部分內(nèi)的移動量不足而引起的凸起部分高度不足(樹脂掩膜的厚度不足)的情況。因而，在將中間體形成的凹凸圖形作為掩膜對中間體進行刻蝕時，能夠避免在對中間體的刻蝕結(jié)束之前作為掩膜的凸起部分消失的情況，其結(jié)果能夠在中間體形成具有足夠深度的凹下部分的凹凸圖形。


圖1為硬盤驅(qū)動器1的構(gòu)成圖。
圖2為磁盤10的平面圖。
圖3所示為外圓周區(qū)域Ao的數(shù)據(jù)記錄區(qū)At及伺服圖形區(qū)As中形成的各種圖形一個例子的磁盤10的平面圖。
圖4所示為磁盤10的層結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖5所示為數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成的數(shù)據(jù)道圖形40t一個例子的磁盤10的平面圖。
圖6所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的前同步圖形區(qū)Ap中形成的前同步圖形一個例子的磁盤10的平面圖。
圖7所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的地址圖形區(qū)Aa中形成的地址圖形一個例子的磁盤10的平面圖。
圖8所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的脈沖串圖形區(qū)Ab的第1脈沖串區(qū)Ab1及第2脈沖串區(qū)Ab2中形成的脈沖串圖形一個例子的磁盤10的平面圖。
圖9所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的脈沖串圖形區(qū)Ab的第3脈沖串區(qū)Ab3及第4脈沖串區(qū)Ab4中形成的脈沖串圖形一個例子的磁盤10的平面圖。
圖10所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的非伺服信號區(qū)Ax中形成的凹凸圖形40一個例子的磁盤10的平面圖。
圖11所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的非伺服信號區(qū)Axb中形成的凹凸圖形40一個例子的磁盤10的平面圖。
圖12所示為中間體20的層結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖13為壓印模30的剖視圖。
圖14為在玻璃基材31上形成抗蝕劑層32的狀態(tài)的剖視圖。
圖15為對抗蝕劑層32照射電子束32a而形成潛像32b、32b…的狀態(tài)的剖視圖。
圖16為對形成潛像32b、32b…的抗蝕劑層32進行顯影處理而形成凹凸圖形33的狀態(tài)的剖視圖。
圖17為覆蓋凹凸圖形33而形成鎳層34的狀態(tài)的剖視圖。
圖18為利用鍍層處理而形成鎳層35的狀態(tài)的剖視圖。
圖19為將鎳層34及35的層疊體從玻璃基材31剝離形成的壓印模37的剖視圖。
圖20為在壓印模37的凹凸圖形36的形成面形成鎳層38的狀態(tài)(將凹凸圖形36向鎳層38轉(zhuǎn)印的狀態(tài))的剖視圖。
圖21為向中間體20的樹脂層18壓入壓印模30的凹凸圖形39的狀態(tài)的剖視圖。
圖22為從圖21所示的狀態(tài)的樹脂層18剝離壓印模30后在掩膜層17上形成凹凸圖形41(樹脂掩膜)的狀態(tài)的剖視圖。
圖23為將凹凸圖形41作為掩膜對掩膜層17進行刻蝕處理后在磁性層14上形成凹凸圖形42(掩膜)的狀態(tài)的剖視圖。
圖24為將凹凸圖形42作為掩膜對磁性層14進行刻蝕處理后在中間層13上形成凹凸圖形40的狀態(tài)的剖視圖。
圖25為覆蓋凹凸圖形40而形成非磁性材料層15的狀態(tài)的中間體20的剖視圖。
圖26所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的數(shù)據(jù)記錄區(qū)At及伺服圖形區(qū)As中形成的各種圖形其它一個例子的磁盤10a的平面圖。
圖27所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的伺服圖形區(qū)As的脈沖串圖形區(qū)Ab中形成的脈沖串圖形一個例子的磁盤10a的平面圖。
圖28所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的伺服圖形區(qū)As的地址圖形區(qū)Aa中形成的地址圖形一個例子的磁盤10a的平面圖。
圖29所示為磁盤10b的層結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖30所示為磁盤10c的層結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖31所示為外周側(cè)區(qū)域Ao的數(shù)據(jù)記錄區(qū)At及伺服圖形區(qū)As是的各種圖形一個例子的磁盤10d的平面圖。
圖32為以往的磁盤10z的平面圖。
圖33所示為數(shù)據(jù)記錄區(qū)Atz及伺服圖形區(qū)Asz中形成的各種圖形一個例子的磁盤10z的平面圖。
圖34所示為磁盤10z的層結(jié)構(gòu)的剖視圖。
標(biāo)號說明1 硬盤驅(qū)動器6 控制單元10、10a～10d 磁盤11 玻璃基材
14 磁性層15 非磁性材料30 壓印模39、40凹凸圖形39a、40a 凸起部分39b、40b 凹下部分40s 伺服圖形40t 數(shù)據(jù)道圖形Aa 地址圖形區(qū)Ab 脈沖串圖形區(qū)Ab1～Ab4 第1～第4脈沖串區(qū)An、Ax、Axb 非伺服信號區(qū)Ap 前同步圖形區(qū)As 伺服圖形區(qū)At 數(shù)據(jù)記錄區(qū)L1、L2、L1a、L2a、L5 直徑L3、L4 長度Qa1、Qb1、Qp1、Qx1、Qa2、Qb2、Qp2、Qx2 內(nèi)接圓具體實施方式
以下參照

本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)、記錄重放裝置以及壓印模的最佳形態(tài)。
圖1所示的硬盤驅(qū)動器1是本發(fā)明有關(guān)的記錄重放裝置的一個例子，具有電動機2、磁頭3、檢測單元4、驅(qū)動單元5、控制單元6、存儲單元7及磁盤10，構(gòu)成能夠進行各種數(shù)據(jù)的記錄重放。電動機2按照控制單元6的控制，使磁盤10作為一個例子以4200rpm的轉(zhuǎn)速恒速旋轉(zhuǎn)。磁頭3通過搖臂3a安裝在執(zhí)行機構(gòu)3b上，在對磁盤10進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時，利用執(zhí)行機構(gòu)3b使磁頭3在磁盤10上移動。另外，磁頭3從磁盤10的伺服圖形區(qū)As(參照圖2)進行伺服數(shù)據(jù)的讀出，對數(shù)據(jù)記錄區(qū)At(參照圖2)進行記錄數(shù)據(jù)的磁寫入，以及對數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中磁寫入的記錄數(shù)據(jù)進行讀出。另外，磁頭3實際上形成在使磁頭3相對于磁盤10浮起用的滑塊的底面(空氣軸承面)，關(guān)于該滑塊的說明及圖示則省略。執(zhí)行機構(gòu)3b在控制單元6的控制下，利用驅(qū)動單元5供給的驅(qū)動電流，使搖臂3a進行搖動，從而使磁頭3移動至磁盤10上的任意的記錄重放位置。
檢測單元4從磁頭3輸出的輸出信號(模擬信號)取得(檢測)伺服數(shù)據(jù)，向控制單元6輸出。驅(qū)動單元5按照控制單元6輸出的控制信號，控制執(zhí)行機構(gòu)3b，使磁頭3位于所希望的數(shù)據(jù)記錄道上?？刂茊卧?對硬盤驅(qū)動器1進行統(tǒng)一集中控制。另外，控制單元6是本發(fā)明有關(guān)的控制單元的一個例子，根據(jù)檢測單元4輸出的伺服數(shù)據(jù)(“從伺服圖形區(qū)讀出的規(guī)定信號”的一個例子)，對驅(qū)動單元5進行控制(進行跟蹤伺服控制處理)。存儲單元7存儲控制單元6的動作程序等。
另外，磁盤10是本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)的一個例子，與前述的電動機2及磁頭3等一起設(shè)置在硬盤驅(qū)動器1的殼體內(nèi)。該磁盤10是利用垂直記錄方式的能夠?qū)τ涗洈?shù)據(jù)進行記錄的不連續(xù)磁道型磁盤(圖形介質(zhì))，如圖4所示，它在玻璃基材上依次形成軟磁性層12、中間層13及磁性層14。在這種情況下，磁性層14形成從突出端部(該圖中的上端部)到根端部(該圖中的下端部)全部由磁性材料形成的凸起部分40a、40a…以及在凸起部分40a、40a…之間的凹下部分40b、40b…，構(gòu)成凹凸圖形40。另外，在凹下部分40b、40b…中埋入SiO2等非磁性材料15，使磁盤10的表面平坦。再有，在埋入凹下部分40b、40b…的非磁性材料15和磁性層14(凸起部分40a)的表面，利用類金剛石碳(DLC)等，形成厚度為2nm左右的保護層16(DLC膜)。另外，在保護層16的表面涂布避免磁頭3與磁盤10的雙方劃傷用的潤滑劑(作為一個例子，是フオンブリン系潤滑劑)。
玻璃基板11相當(dāng)于本發(fā)明中的基材，將玻璃板進行表面研磨，形成厚度為0.6mm左右的圓片狀。另外，本發(fā)明中的基材不限定于玻璃，可以使用鋁或陶瓷等各種非磁性材料形成為圓片狀的基材。軟磁性層12是將CoZrNb合金等軟磁性材料通過濺射形成厚度為100nm～200nm左右的薄膜狀。中間層13是起到作為形成磁性層14用的襯底層功能的薄層，是將cr或CoCr非磁性合金等中間層形成用材料通過濺射形成厚度為40nm左右的薄膜狀。磁性層14是構(gòu)成凹凸圖形40(圖3所示的數(shù)據(jù)道圖形40t及伺服圖形40s)的薄層，如后所述，是對例如濺射CoCrPt合金形成的薄層進行刻蝕處理，從而形成凹下部分40b、40b…。
在這種情況下，如圖2所示，在該磁盤10中是這樣規(guī)定的，即在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At、At…之間設(shè)置伺服圖形區(qū)As、As…，數(shù)據(jù)記錄區(qū)At與伺服圖形區(qū)As沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)交替排列。另外，在本說明書中，將沿旋轉(zhuǎn)方向排列的兩個數(shù)據(jù)記錄區(qū)At與At之間夾著的區(qū)域(從一個數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中的旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的端部到另一個數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中的旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的端部之間的區(qū)域)設(shè)為伺服圖形區(qū)As。另外，設(shè)數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中的旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的端部與將該數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成的多個數(shù)據(jù)記錄道(后述的凸起部分40a、40a…)在旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的各端部連接的假想線段(沿磁盤10的半徑方向的直線狀或圓弧段的線段)一致。
另外，在裝有該磁盤10的硬盤驅(qū)動器1中，如前所述是這樣構(gòu)成的，即電動機2按照控制單元6的控制，使磁盤10以恒角速度旋轉(zhuǎn)。因而，在該磁盤10中是這樣規(guī)定的，即沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向的數(shù)據(jù)記錄區(qū)At的長度及沿旋轉(zhuǎn)方向的伺服圖形區(qū)As的長度與單元時間磁頭3的下方通過的磁盤10上的長度成正比，越是遠離中心0，長度越長(數(shù)據(jù)記錄區(qū)At及伺服圖形區(qū)As的外周側(cè)區(qū)域Ao的寬度比內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai要寬)。其結(jié)果，數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)形成的數(shù)據(jù)記錄道(凸起部分40a)的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度、以及伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成的伺服圖形40s用的各凸起部分40a、40a…的突出端面及各凹下部分40b、40b…的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的基準(zhǔn)長度(例如對應(yīng)于1位(bit)信號長的長度)在磁盤10的外周側(cè)區(qū)域Ao比內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai要長。
另外，關(guān)于伺服圖形區(qū)as內(nèi)的各凸起部分40a、40a…的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的基準(zhǔn)長度，為在磁盤10的半徑方向相鄰的幾十道的范圍內(nèi)近似相等的長度。因此，在本說明書中，該幾十道的范圍內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向的基準(zhǔn)長度是作為相等進行說明的。具體來說，例如設(shè)內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai中所包含的幾十道的范圍內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向的基準(zhǔn)長度互相相等，外周側(cè)區(qū)域Ao中包含的幾十道的范圍內(nèi)沿旋轉(zhuǎn)方向的基準(zhǔn)長度互相相等。另外，在說明各伺服圖形區(qū)As中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度時，只要不特別限定，則假設(shè)將相距磁盤10的中心的距離相等的同一半徑位置(同一半徑的區(qū)域內(nèi))相對應(yīng)的長度作為基準(zhǔn)進行說明。
另外，如圖3所示，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成數(shù)據(jù)道圖形40t。另外，在該圖及后面參照的圖5～11、26～28、31中用斜線涂滿的區(qū)域表示凹凸圖形40的凸起部分40a的形成區(qū)域。在這種情況下，如圖5所示，數(shù)據(jù)道圖形40t由以中心0(參照圖2)為中心的同心圓狀的多個凸起部分40a、40a…之間的凹下部分40b、40b…(道間凹下部分，以往的磁盤中的保持間距部分)所構(gòu)成。另外，最好磁盤10的旋轉(zhuǎn)中心與數(shù)據(jù)道圖形40t的中心0一致，但在磁盤10的旋轉(zhuǎn)中心與數(shù)據(jù)道圖形40t的中心0之間有時產(chǎn)生因制造誤差而引起的30～50μm左右的極小的偏移。但是由于即使是這樣程度的偏移量，也是以能夠?qū)Υ蓬^3進行跟蹤伺服控制，因此可以說旋轉(zhuǎn)中心與中心O實際上相同。
另外，如圖5所示，在該磁盤10的數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中，作為一個例子是凸起部分40a(數(shù)據(jù)記錄道)的突出端面沿磁盤10的半徑方向的長度L3、與凹下部分40b(保護間距部分)的底面沿磁盤10的半徑方向的長度L4為互相相等的長度(長度比為1∶1)。另外，在該磁盤10中，數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成的凸起部分40a沿半徑方向的長度L3、和凹下部分40b沿半徑方向的長度L4規(guī)定為從磁盤10的內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai到外周側(cè)區(qū)域Ao相等的長度。再有，將非磁性材料15埋入數(shù)據(jù)道圖形40t的凹下部分40b、40b…，使數(shù)據(jù)記錄區(qū)at的表面平滑。
另外，如圖3所示，在伺服圖形區(qū)As中形成伺服圖形40s，該伺服圖形具有在前同步圖形區(qū)Ap形成的前同步圖形、在地址圖形區(qū)Aa形成的地址圖形、在脈沖串圖形區(qū)Ab形成的脈沖串圖形、以及在非伺服信號區(qū)Ax形成的空圖形。在這種情況下，前同步圖形區(qū)Ap、地址圖形區(qū)Aa及脈沖串圖形區(qū)Ab相當(dāng)于本發(fā)明的第1功能區(qū)，這些區(qū)域中形成的伺服圖形40s相當(dāng)于與本發(fā)明的“跟蹤伺服控制用的控制信號”相對應(yīng)的圖形。另外，伺服圖形40s中，前同步圖形、地址圖形及脈沖串圖形(即除了空圖形以外的圖形)的凸起部分40a、40a…及凹下部分40b、40b…的形成位置及各自的大小(沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向的長度等)與本發(fā)明的“跟蹤伺服控制用的控制信號”相對應(yīng)來規(guī)定。
具體來說，前同步圖形區(qū)Ap中形成的前同步圖形是對從地址圖形區(qū)Aa等讀取各種控制信號用的基準(zhǔn)時鐘根據(jù)磁盤10的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)(轉(zhuǎn)速)進行修正用的伺服圖形，如圖6所示，沿磁盤10的半徑方向(該圖中的上下方向)長條狀的凸起部分40a、40a…沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)當(dāng)中夾著凹下部分40b、40b…而形成。在這種情況下是這樣規(guī)定的，使得前同步圖形區(qū)Ap中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度、以及凹下部分40b、40b…的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度是在相距中心0的距離相等的同一半徑處互相相等的長度，而且外周側(cè)區(qū)域Ao一側(cè)比內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai要長。
在這種情況下，前同步圖形區(qū)Ap中形成的凸起部分40a在外周側(cè)區(qū)域Ao的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度，作為一個例如，規(guī)定為相對于數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成的凸起部分40a(數(shù)據(jù)記錄道)的突出端面沿半徑方向的長度L3的一半的長度。另外，前同步圖形的凸起部分40a及凹下部分40b沿旋轉(zhuǎn)方向的長度不限定于上述的例子，另外也可以將凸起部分40a的長度與凹下部分40b的長度規(guī)定為互相不同的長度。另外，由于前同步圖形區(qū)Ap中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度在同一半徑位置互相相等，因此與凸起部分40a、40a…的突出端面在旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的兩端部以兩端相接的各內(nèi)接圓的直徑在同一半徑位置互相相等。再有，在該磁盤10中，在前同步圖形區(qū)Ap中的從內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai到外周側(cè)區(qū)域Ao的整個區(qū)域形成的凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中，外周側(cè)區(qū)域Ao中形成的凸起部分40a的突出端面的內(nèi)接圓Qp1的直徑L5為最大直徑。
另外，地址圖形區(qū)Aa中形成的地址圖形是與表示磁頭3在道上的道的道編號等的地址數(shù)據(jù)等相對應(yīng)而形成的伺服圖形，如圖7所示，凸起部分40a、40a…的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的各長度、以及凹下部分40b、40b…的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的各長度與上述地址數(shù)據(jù)相對應(yīng)來規(guī)定。在這種情況下是這樣規(guī)定的，使得地址圖形區(qū)Aa中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面沿半徑方向的各長度中的最小長度，作為一個例子，與數(shù)據(jù)道圖形40t的凸起部分40a的突出端面沿半徑方向的長度L3及凹下部分40b的底面沿半徑方向的長度L3及凹下部分40b的底面沿半徑方向的長度L4之和(即道間距)相等。另外，在該磁盤10中，在伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成凹下部分40b、40b…，使得地址圖形區(qū)Aa中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qa1(圖7所示直徑L1的內(nèi)接圓)成為伺服圖形區(qū)As內(nèi)的所有凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。
另外，如圖3所示，脈沖串圖形區(qū)Ab具有第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4的各脈沖串區(qū)、以及非伺服信號區(qū)Axb、Axb…。在這種情況下，第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4中形成的脈沖串圖形是使磁頭3在所希望的道上用的位置檢測用的伺服圖形，如圖8及圖9所示，沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向形成多個凹下部分40b、40b…，通過這樣形成凸起部分40a與凹下部分40b沿旋轉(zhuǎn)方向交替排列的區(qū)域、以及凸起部分40a在旋轉(zhuǎn)方向連續(xù)的區(qū)域。在這種情況下，在該磁盤10中，脈沖串圖形區(qū)Ab的脈沖串信號單位部分(在脈沖串圖形區(qū)Ab中沿旋轉(zhuǎn)方向排列的多個矩形區(qū))由凹下部分40b、40b…構(gòu)成。因而，與利用凸起部分40a、40a…構(gòu)成脈沖串信號單位部分的磁盤相比，脈沖串圖形區(qū)Ab內(nèi)的磁性層14的表面積足夠大。其結(jié)果，在脈沖串圖形區(qū)Ab通過磁頭3的下方時，從磁頭3輸出的輸出信號的信號電平能夠足夠強。
在這種情況下是這樣規(guī)定的，使得脈沖串圖形區(qū)Ab的第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4中沿旋轉(zhuǎn)方向排列的凹下部分40b、40b之間的凸起部分40a的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度，作為一個例子，與同一半徑位置的前同步圖形區(qū)Ap中形成的凸起部分40a的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度相等。另外是這樣規(guī)定的，使得脈沖串圖形區(qū)Ab中形成的凹下部分40b、40b…的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度，作為一個例子，與同一半徑位置的前同步圖形區(qū)Ap中形成的凹下部分40b的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度相等。再有是這樣規(guī)定的，使得脈沖圖形區(qū)Ab的第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4中沿半徑方向排列的凹下部分40b、40b之間的凸起部分40a的突出端面沿半徑方向的最小長度，與地址圖形區(qū)Aa中形成的凸起部分40a的突出端面沿半徑方向的最小長度相等，而且與數(shù)據(jù)道圖形40t的凸起部分40a的突出端面沿半徑方向的長度L3及凹下部分40b的底面沿半徑方向的長度L4之和(即道間距)相等。
另外，如圖3所示，脈沖串圖形區(qū)Ab中形成的凹下部分40b、40b…的排列(沿旋轉(zhuǎn)方向的排列)，在第1脈沖串區(qū)Ab1與第2脈沖串區(qū)Ab2之間沿半徑方向錯開一個道間距，同時在第3脈沖串區(qū)Ab3與第3脈沖串區(qū)Ab4之間沿半徑方向錯開一個道間距。再有，第1脈沖串區(qū)Ab1內(nèi)的凹凸圖形40和第2脈沖串區(qū)Ab2內(nèi)的凹凸圖形40成為一對而構(gòu)成的脈沖串圖形、與第3脈沖串區(qū)Ab3內(nèi)的凹凸圖形40和第4脈沖串區(qū)Ab4內(nèi)的凹凸圖形40成為一對而構(gòu)成的脈沖串圖形，沿半徑方向相互錯開1/2道間距。在這種情況下，如圖8及9的兩個圖所示，在脈沖串圖形區(qū)Ab的第1脈沖串區(qū)Ab 1～第4脈沖串區(qū)Ab4內(nèi)形成的凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb1，在沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向排列的凹下部分40b、40b的排列之間對四個凹下部分40b、40b…以四點進行點接。另外，該內(nèi)接圓Qb1的直徑L2小于前述的地址圖形區(qū)Aa內(nèi)的內(nèi)接圓Qa1的直徑L1。
再有，如圖3所示，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)at與前同步圖形區(qū)Ap之間、前同步圖形區(qū)Ap與地址圖形區(qū)Aa之間、地址圖形區(qū)Aa與脈沖串圖形區(qū)Ab之間、以及脈沖串圖形區(qū)Ab與數(shù)據(jù)記錄區(qū)At之間，分別規(guī)定本發(fā)明的第2功能區(qū)的一個例子即非伺服信號區(qū)Ax。在該非伺服信號區(qū)ax中形成與上述的前同步圖形區(qū)Ap、地址圖形區(qū)Aa及脈沖串圖形區(qū)Ab(第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4)中形成的各種圖形不同的圖形(“與第1功能區(qū)的凹凸圖形的種類不同的凹凸圖形”的一個例子)。具體來說，如圖10所示，在非伺服信號區(qū)Ax中形成沿磁盤10的半徑方向(該圖中的上下方向)長條狀的凸起部分40a、40a…，并沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭R的方向)當(dāng)中夾著凹下部分40b、40b。
在這種情況下是這樣規(guī)定的，即非伺服信號區(qū)Ax中形成的凸起部分40a的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度、以及凹下部分40b的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度，作為一個例子，是在相距中心O的距離相等的同一半徑位置互相相等的長度，而且外周側(cè)區(qū)域Ao一側(cè)的長度比內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai要長。而且外周側(cè)區(qū)域Ao一側(cè)的長度比內(nèi)周側(cè)區(qū)域Ai要長。因而，非伺服信號區(qū)Ax中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面在旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的兩端部從兩點相接的各內(nèi)接圓的直徑在同一半徑位置互相相等，而且凸起部分40a的突出端面在外周側(cè)區(qū)域Ao的內(nèi)接圓Qx1(直徑L6)為非伺服信號區(qū)Ax內(nèi)的凸起部分40a、40a…的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。另外，在該磁盤10中是這樣規(guī)定的，即非伺服信號區(qū)Ax在外周側(cè)區(qū)域Ao形成的凸起部分40a的突出端面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度、以及凹下部分40b的底面沿旋轉(zhuǎn)方向的長度與數(shù)據(jù)記錄區(qū)At的凸起部分40a的突出端面的長度L3及凹下部分40b的底面的長度l相等。另外，非伺服信號區(qū)Ax的凸起部分40a及凹下部分40b沿旋轉(zhuǎn)方向的長度不限定于上述的例子，也可以將凸起部分40a的長度與凹下部分40b的長度規(guī)定為互相不同的長度。另外，也可以規(guī)定為與數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成的凸起部分40a的長度L3或凹下部分40b的長度L4不同的長度。
該非伺服信號區(qū)ax中形成的凹凸圖形40是避免制造時磁盤10的表面平滑性惡化用的空圖形，在對該磁盤10進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時，雖然利用磁頭3進行磁信號的讀取及利用檢測單元4進行伺服數(shù)據(jù)的檢測處理，但與該非伺服信號區(qū)Ax中形成的凹凸圖形40相對應(yīng)的數(shù)據(jù)被控制單元6判別為與跟蹤伺服用的伺服數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)。因而，關(guān)于非伺服信號區(qū)Ax內(nèi)形成的凸起部分40a及凹下部分40b的長度，對其它圖形的長度沒有影響，在能夠使磁盤10的表面平滑性好的范圍內(nèi)可以任意規(guī)定。另外，關(guān)于凸起部分40a及凹下部分40b的形狀，也可以任意規(guī)定。
再有，如圖3所示，在脈沖串圖形區(qū)Ab的第1脈沖串區(qū)Ab1與第2脈沖串區(qū)Ab2之間、第2脈沖串區(qū)Ab2與第3脈沖串區(qū)Ab3之間、以及第3脈沖串區(qū)Ab3與第4脈沖串區(qū)Ab4之間，分別形成非伺服信號區(qū)Axb。該非伺服信號區(qū)Axb與上述的非伺服信號區(qū)Ax相同，是形成避免制造時磁盤10的表面平滑性惡化用的空圖形的區(qū)域，如圖11所示，形成與第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4的各區(qū)域中形成的脈沖串圖形相同種類(相同形狀)的圖形作為空圖形。具體來說，在第1脈沖串區(qū)Ab1與第2脈沖串區(qū)Ab2之間的非伺服信號Axb(圖中左側(cè)的非伺服信號區(qū)Axb)中，在旋轉(zhuǎn)方向的第1脈沖串區(qū)Ab1一側(cè)形成與第1脈沖串區(qū)Ab1相同種類的脈沖串圖形(凸起部分40a、40a…及凹下部分40b、40b)，在旋轉(zhuǎn)方向的第2脈沖串區(qū)Ab2一側(cè)形成與第2脈沖串區(qū)Ab2相同種類的脈沖串圖形(凸起部分40a及凹下部分40b、40b)。
另外，在第2脈沖串區(qū)Ab2與第3脈沖串區(qū)Ab3之間的非伺服信號區(qū)Axb(圖11的中間的非伺服信號區(qū)Axb)中，在旋轉(zhuǎn)方向的第2脈沖串區(qū)Ab2一側(cè)形成與第2脈沖串區(qū)Ab2相同種類的脈沖串圖形，在旋轉(zhuǎn)方向的第3脈沖串區(qū)Ab3一側(cè)形成與第3脈沖串區(qū)Ab3相同種類的脈沖串圖形。再有，在第3脈沖串區(qū)Ab3與第4脈沖串區(qū)Ab4之間的非伺服信號區(qū)Axb(圖11右側(cè)的非伺服信號區(qū)Axb)中，在旋轉(zhuǎn)方向的第3脈沖串區(qū)Ab3一側(cè)形成與第3脈沖串區(qū)Ab3相同種類的脈沖串圖形，在旋轉(zhuǎn)方向的第4脈沖串區(qū)Ab4一側(cè)形成與第4脈沖串區(qū)Ab4相同種類的脈沖串圖形。因而，脈沖串圖形區(qū)Ab看起來就像不存在非伺服信號區(qū)Axb那樣，而是第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4互相連接、連續(xù)的狀態(tài)。但是，在對該磁盤10進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時，雖然從非伺服信號區(qū)Axb利用磁頭3進行磁信號的讀取等，但與該非伺服信號區(qū)Axb中形成的凹凸圖形40相對應(yīng)的數(shù)據(jù)被控制單元6判別為與跟蹤伺服用的伺服數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)。
在這種情況下，如圖11所示，非伺服信號區(qū)Axb內(nèi)形成的凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb1，與第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4內(nèi)形成的凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb1相同，在沿旋轉(zhuǎn)方向排列的凹下部分40b、40b的排列之間對四個凹下部分40b、40b…以四點進行點接。另外，該內(nèi)接圓Qb1的直徑L2小于前述的地址圖形區(qū)Aa內(nèi)的內(nèi)接圓Qa1的直徑L1。另外，關(guān)于非伺服信號區(qū)Axb內(nèi)形成的凸起部分40a及凹下部分40b的長度及形狀，對其它圖形的長度沒有影響，在能夠使磁盤10的表面平滑性好的范圍內(nèi)可以任意規(guī)定。
在該磁盤10中，如前所述，地址圖形區(qū)Aa中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qa1(直徑L1)成為伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。換句話說，在該磁盤10中，在伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成凹下部分40b、40…，使得在伺服圖形區(qū)As內(nèi)不存在具有能夠存在直徑超過上述內(nèi)接圓Qa1的直徑L1的內(nèi)接圓的突出端面的凸起部分40a。另外，在該磁盤10中，數(shù)據(jù)記錄區(qū)At中形成的凸起部分40a的突出端面沿半徑方向的長度L3比上述內(nèi)接圓Qa1的直徑L要短很多。換句話說，在該磁盤10中，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)形成凹下部分40b、40b…，使得在數(shù)據(jù)記錄區(qū)內(nèi)At內(nèi)不存在具有能夠存在直徑超過上述內(nèi)接圓Qa1的直徑L1的內(nèi)接圓的突出端面的凸起部分40a。
下面說明磁盤10的制造方法。
在制造上述磁盤10時，使用圖12所示的中間體20及圖13所示的壓印模30。在這種情況下，如圖12所示，中間體20是在玻璃基材11上依次形成軟磁性層12、中間層13及磁性層14，同時在磁性層14上形成掩膜層17以及厚80nm左右的樹脂層(抗蝕劑層)18而構(gòu)成。另外，壓印模30是本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)制造用的壓印模的一個例子，如圖13所示構(gòu)成，它形成能夠形成凹凸圖形41的凹凸圖形39，該凹凸圖形41是用來形成磁盤10的凹凸圖形40(數(shù)據(jù)道圖形40t及伺服圖形40s)的圖形，可利用壓印法來控制磁盤10。在這種情況下，壓印模30的凹凸圖形39的凸起部分39a、39a…與磁盤10的凹凸圖形40的凹下部分40b、40b…相對應(yīng)而形成，凹下部分39b、39b…與凹凸圖形40的凸起部分40a、40a…相對應(yīng)而形成。
在制造該壓印模時，如圖14所示，首先，在玻璃基材31上作為一個例子旋涂正型抗蝕劑后，進行烘烤處理，從而在玻璃基材31上形成厚150nm左右的抗蝕劑層32。然后，如圖15所示，對與壓印模30的凹下部分39b、39b…相對應(yīng)的部位(即，與磁盤10的凸起部分40a、40a…相對應(yīng)的部位)照射電子束32a，在抗蝕劑層32中形成潛像32b(道圖形及伺服圖形)。接著，對抗蝕劑層32進行顯影處理，從而如圖16所示，在玻璃基材31上形成由抗蝕劑層32構(gòu)成的凹凸圖形33(凸起部分33a及凹下部分33b)。接著，如圖17所示，利用濺射法形成厚30nm左右的鎳層34，以覆蓋凹凸圖形33的凸起部分33a、33a…及凹下部分33b、33b…。然后，將該鎳層34用作為電極，進行電鍍處理，從而如圖18所示，在鎳層34上形成鎳層35。這時，利用抗蝕劑層32形成的凹凸圖形33轉(zhuǎn)印至鎳層34與35的層疊體，在凹凸圖形33的凸起部分33a、33a…的部位形成凹下部分36b、36b…，同時在凹下部分33b、33b的部位形成凸起部分36a、36a…，在鎳層34與35的層疊體上形成凹凸圖形36。
接著，將玻璃基材31、抗蝕劑層32及鎳層34與35的層疊體浸入抗蝕劑剝離液，從而除去鎳層34與35的層疊體和玻璃基材31之間的抗蝕劑層32。通過這樣，如圖19所示，鎳層34與35的層疊體從玻璃基材31剝離，完成壓印模37。然后，將壓印模37用作為主壓印模，制成壓印模30(母壓印模)。具體來說，首先對壓印模37進行表面處理，從而在壓印模37的凹凸圖形36的形成面上形成氧化膜。接著，如圖20所示，對形成了氧化膜的壓印模37利用鍍層處理形成鎳層38。這時，壓印模37的凹凸圖形36轉(zhuǎn)印至鎳層38，在凸起部分36a、36a…的部位形成凹下部分39b、39b…，同時在凹下部分36b、36b…的部位形成凸起部分39a、39a…，在鎳層38上形成凹凸圖形39。然后，從鎳層38剝離壓印模37之后，對鎳層38的反面(相對于凹凸圖形39的形成面的反面)進行研磨處理，使其平坦化，通過這樣如圖13所示，完成壓印模30。
另外，在制造中間體20時，首先在玻璃基材11上濺射CoZrNb合金，在玻璃基材11上形成軟磁性層12之后，在軟磁性層12上通過濺射中間層形成材料，形成中間層13。然后，在中間層13上通過濺射CoCrPt合金，形成厚15nm左右的磁性層14。接著，在磁性層14上形成掩膜層17，再在掩膜層17上作為一個例子是旋涂抗蝕劑層，形成厚80nm左右的樹脂層18。通過這樣，完成中間體20。
接著，如圖21所示，對中間體20的樹脂層18利用壓印法轉(zhuǎn)印壓印模30的凹凸圖形39。具體來說，將壓印模30的凹凸圖形39的形成面對中間體20的樹脂層18進行按壓，通過這樣將凹凸圖形39的凸起部分39a、39a壓入中間體的樹脂層18。這時，壓入凸起部分39a、39a…的部位的抗蝕劑(樹脂層18)向凹凸圖形39的凹下部分39b、39b…內(nèi)移動。然后，從中間體20剝離壓印模30，再利用氧等離子體處理，除去底面殘存的樹脂(未圖示)，通過這樣如圖22所示，在中間體20的掩膜層17上形成由樹脂層18構(gòu)成的凹凸圖形41。這時，凹凸圖形41的凸起部分41a、41a…的高度(凹下部分41b、41b…的深度)為130nm左右。
接著，將上述的凹凸圖形41(樹脂層18)用作為掩膜，進行刻蝕處理，通過這樣在凹凸圖形41的凹下部分41b、41b…的底部對從掩膜(凸起部分41a、41a…)露出的掩膜層17進行刻蝕，如圖23所示，在中間體20的掩膜層17形成具有凸起部分42a及凹下部分42b的凹凸圖形42。接著，將凹凸圖形42(掩膜層17)用作為掩膜，進行刻蝕處理，通過這樣在凹凸圖形42的凹下部分42b、42b…的底部對從掩膜(凸起部分42a、42a…)露出的磁性層14進行刻蝕，如圖24所示，在中間體的磁性層14形成具有凸起部分40a及凹下部分40b的凹凸圖形40。通過這樣，在中間層13上形成數(shù)據(jù)道圖形40t及伺服圖形40s(凹凸圖形40)。接著，對凸起部分40a、40a…上殘存的掩膜層17有選擇地進行刻蝕處理，從而完全除去殘存的掩膜層17，使凸起部分40a、40a…的突出端面露出。
接著，如圖25所示，濺射作為非磁性材料15的SiO2。這時，充分濺射非磁性材料15，使得形成利用非磁性材料15完全填埋凹下部分40b、40b…、而且在凸起部分40a、40a…上形成例如厚60nm左右的非磁性材料層15。接著，對磁性層14上(凸起部分40a、40a…上及凹下部分40b、40b…上)的非磁性材料層15進行離子束刻蝕處理。這時繼續(xù)進行離子束刻蝕，一直到在中間體20的外周側(cè)(后面成為磁盤10的外周側(cè)區(qū)域Ao的部位)的地址圖形區(qū)Aa中，各凸出部分40a、40a…的突出端面從非磁性材料15露出。
這時，在該磁盤10(中間體20)中，如前所述，在伺服圖形區(qū)As的整個區(qū)域及數(shù)據(jù)記錄區(qū)At的整個區(qū)域中形成凹下部分40b、40b…，在伺服圖形區(qū)As及數(shù)據(jù)記錄區(qū)At形成凹凸圖形40(伺服圖形40s及數(shù)據(jù)道圖形40t)，使得不存在具有能夠存在直徑超過上述內(nèi)接圓Qa1的直徑L1的內(nèi)接圓的突出端面的凸起部分40a(使得不存在突出端面過寬的凸起部分40a)。因而，與以往的磁盤10z不同，在伺服圖形區(qū)As內(nèi)的凸起部分40a、40a…及數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)的凸起部分40a、40a…上不會產(chǎn)生厚的殘渣，各凸起部分40a、40a…的突出端面(上表面)從非磁性材料15露出。通過這樣，對非磁性材料層15的離子束刻蝕處理結(jié)束后，中間體20的表面實現(xiàn)平坦化。接著，利用CVD法形成類金剛石碳(DLC)的薄膜，覆蓋中間體20的表面，從而形成保護層16，之后在保護層16的表面涂布フオンブリン系潤滑劑，達到平均厚度例如2nm左右。通過這樣，如圖4所示，完成磁盤10。
在裝有該磁盤10的硬盤驅(qū)動器1中，如前所述，在對磁盤10進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放時，與非伺服信號區(qū)Ax、Ax…及非伺服信號區(qū)Axb、Axb…中形成的凹凸圖形40相對應(yīng)的數(shù)據(jù)被控制單元6判別為是與跟蹤伺服用的伺服數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)。具體來說，控制單元6在包含檢測單元4輸出的伺服數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)中，根據(jù)與前同步圖形區(qū)Ap、地址圖形區(qū)Aa及脈沖串圖形區(qū)Ab(除了非伺服信號區(qū)Axb)中形成的凹凸圖形40相對應(yīng)的數(shù)據(jù)，控制驅(qū)動單元5，通過這樣驅(qū)動執(zhí)行機構(gòu)3b，使磁頭3在所希望的道上。其結(jié)果，不受非伺服信號區(qū)Ax及Axb中形成的凹凸圖形40(空圖形)存在的影響，能夠?qū)?shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)的凸起部分40a、40a…(數(shù)據(jù)記錄道)通過在道上的磁頭3進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放。
這樣，根據(jù)該磁盤10及硬盤驅(qū)動器1，由于在伺服圖形區(qū)As形成凹下部分40b、40b…，使得地址圖形區(qū)Aa中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qa1為伺服圖形區(qū)As中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓，從而在伺服圖形區(qū)As內(nèi)不存在具有能夠存在直徑超過上述內(nèi)接圓Qa1的直徑L1的內(nèi)接圓的寬突出端面的凸起部分40a，因此在對覆蓋伺服圖形區(qū)As內(nèi)的凹凸圖形40而形成的非磁性材料層15進行刻蝕處理時，能夠避免在凸起部分40a、40a…上產(chǎn)生厚的線渣的情況。通過這樣，能夠提供伺服圖形區(qū)As內(nèi)的平坦性好、而且能夠確定讀取伺服數(shù)據(jù)的磁盤10、以及具有該磁盤10的硬盤驅(qū)動器1。
另外，根據(jù)該磁盤10及硬盤驅(qū)動器1，通過在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At形成各數(shù)據(jù)記錄道(凸起部分40a、40a)，使得沿半徑方向的長度L3小于等伺服圖形區(qū)As中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑(在該例子中，是地址圖形Aa中形成的凸起部分40a的突出端面的內(nèi)接圓QA1的直徑L1)，從而能夠避免在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)的凸起部分40a、40a…上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。因而，能夠提供在伺服圖形區(qū)As及數(shù)據(jù)記錄區(qū)At的兩個區(qū)域(磁盤10的整個區(qū)域)中平坦性好、而且能夠進行穩(wěn)定的記錄重放的磁盤10、以及具有該磁盤10的硬盤驅(qū)動器1。
再有，根據(jù)該磁盤10及硬盤驅(qū)動器1，通過具有制造時利用凹凸圖形40來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)(在該例中，是前同步圖形區(qū)Ap、地址圖形區(qū)Aa及脈沖串圖形區(qū)Ab)、以及形成與各第1功能區(qū)的凹凸圖形40不同種類的凹凸圖形40的第2功能區(qū)(非伺服信號區(qū)Ax)，構(gòu)成伺服圖形區(qū)As，從而與非伺服信號區(qū)Axz及Axbz的整個區(qū)域由凸起部分構(gòu)成的以往的磁盤10z不同，能夠避免在第2功能區(qū)內(nèi)產(chǎn)生殘渣的情況，即使產(chǎn)生殘渣，也能夠使該殘渣足夠薄。
另外，根據(jù)該磁盤10及硬盤驅(qū)動器1，通過在非伺服信號區(qū)Ax形成凹下部分40b、40b…，使得非伺服信號區(qū)Ax中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑為小于等于地址圖形區(qū)Aa中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qa1的直徑，從而能夠避免在非伺服信號區(qū)Ax內(nèi)產(chǎn)生厚的殘渣的情況。
另外，根據(jù)該硬盤驅(qū)動器1，通過具有根據(jù)從磁盤10的伺服圖形區(qū)As讀取的規(guī)定信號、進行跟蹤伺服控制處理，從而不受非伺服信號區(qū)Ax(第2功能區(qū))中形成的凹凸圖形40(空圖形)存在的影響，能夠?qū)τ跀?shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)的凸起部分40a、40a…(數(shù)據(jù)記錄道)通過在道上的磁頭3進行記錄數(shù)據(jù)的記錄重放。
另外，根據(jù)上述的壓印模30，通過形成具有與磁盤10的凹凸圖形40的凹下部分相對應(yīng)的而形成的凸起部分、以及與前述磁記錄介質(zhì)的前述凹凸圖形的凸起部分相對應(yīng)而形成的凹下部分的凹凸圖形39，從而在對中間體20進行壓印處理時，能夠形成在伺服圖形區(qū)As等中不存在突出端面寬的凸起部分41a(例如，沿旋轉(zhuǎn)方向的長度及沿半徑方向的長度過長的凸起部分41a)的凹凸圖形41。因而，通過使用與該凹凸圖形41的凹凸位置關(guān)系一致的掩膜(在該例如中，是凹凸圖形42)，對中間體20進行刻蝕處理，從而能夠避免在伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成具有能夠存在直徑超過地址圖形區(qū)Aa中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓(在該例中，是內(nèi)接圓Qa1)的直徑L1的內(nèi)接圓的寬突出端面的凸起部分40a的情況。因而，在對覆蓋該凹凸圖形40而形成的非磁性材料層15進行刻蝕處理時，能夠避免在伺服圖形區(qū)As內(nèi)的凸起部分40a上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。通過這樣，能夠制造平坦性好、而且能夠確實讀取伺服數(shù)據(jù)的磁盤10。另外，由于與磁盤10的各凸起部分40a的突出端面相對應(yīng)，壓印模30不存在過寬的凹下部分，因此在對中間體20的樹脂層18壓入凹凸圖形39時，能夠避免產(chǎn)生因樹脂材料(樹脂層18)向凹下部分39b內(nèi)的移動量不足而引起的凸起部分41a的高度不足(樹脂掩膜的厚度不足)的情況。因而，在將凹凸圖形41作為掩膜對掩膜層17進行刻蝕時，能夠避免對掩膜層17的刻蝕結(jié)束之前凸起部分41a消失的情況，其結(jié)果能夠在磁性層14上形成具有足夠深度的凹下部分42b的凹凸圖形42。通過這樣，在將該凹凸圖形42作為掩膜對磁性層14進行刻蝕處理時，能夠在中間層113上，形成具有足夠深度的凹下部分40b的凹凸圖形40。
另外，本發(fā)明不限定于上述的結(jié)構(gòu)。例如，在上述磁盤10中，是在伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成凹下部分40b、40b…，使得地址圖形區(qū)Aa中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑(在該例中，是直徑L1)的內(nèi)接圓Qa1成為伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成的全部凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓，但本發(fā)明不限定于此，例如也可以如圖26所示的磁盤10a那樣，在伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成凹下部分40b、40b…，使得脈沖串圖形區(qū)Ab(第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)域Ab4)中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb2成為伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成的全部凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓(在該例中，是內(nèi)接圓Qx2、Qp2、Qa2)中的最大直徑的內(nèi)接圓。具體來說，在該磁盤10a中，如圖27所示，脈沖串圖形區(qū)Ab中形成的凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb2，在沿磁盤10的旋轉(zhuǎn)方向排列的凹下部分40b、40b…的排列之間對四個凹下部分40b、40b…以四點進行點接。另外，如圖28所示，地址圖形區(qū)Aa中形成的凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qa2，在凸起部分40a的旋轉(zhuǎn)方向一側(cè)的兩端部對凹下部分40b、40b以兩個進行點接，該內(nèi)接圓Qa2的直徑L1a(1)于上述的內(nèi)接圓Qb2的直徑L2a。
在該磁盤10a中，如上所述，脈沖串圖形區(qū)Ab中形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb2(直徑L2a)成為伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成的各凸起部分40a、40a…的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。換句話說，在該磁盤10a中，在伺服圖形區(qū)As內(nèi)形成凹圖形40，使得不存在具有能夠存在直徑超過上述內(nèi)接圓Qb2的直徑L2a的內(nèi)接圓的突出端面的凸起部分40a。另外，在該磁盤10a中，數(shù)據(jù)記錄區(qū)At的凸起部分40a沿半徑方向的長度L3比上述內(nèi)接圓Q62的直徑L2a要短很多。換句話說，在該磁盤10a中，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)形成凹凸圖形40，使得不存在具有能夠存在直徑超過上述內(nèi)接圓Qb2的直徑L2a的內(nèi)接圓的突出端面的凸起部分40a。
因而，根據(jù)該磁盤10a，與前述的磁盤10相同，在對覆蓋伺服圖形區(qū)As及數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)的凹凸圖形40而形成的非磁性材料層15進行刻蝕處理時，能夠避免在凸起部分40a、40a…上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。通過這樣，能夠提供整個區(qū)域的平坦性好、能夠確實讀取伺服數(shù)據(jù)的磁盤10a。
另外，在上述的磁盤10中，是從凹凸圖形40的凸起部分40a的突出端部到根端部的整個部分由磁性層14(磁性材料)形成，但構(gòu)成本發(fā)明的凹凸圖形的凸起部分不限定于此。具體來說，例如如圖29所示的磁盤10b那樣，通過形成較薄厚度的磁性層14，以覆蓋玻璃基材11上形成的凹凸圖形(與凹凸圖形的凹凸位置關(guān)系相同的凹凸圖形)，從而能夠利用其表面由磁性材料形成的多個凸起部分40a、40a…及底面由磁性材料形成的多個凹下部分40b、40b…構(gòu)成凹凸圖形40。另外，也可以如圖30所示的磁盤10c那樣，不僅是凸起部分40a，而且包含凹下部分40b的底部也由磁性層14形成，從而構(gòu)成凹凸圖形40。再有，也可以例如僅凹凸圖形40的凸起部分40a的突出部分由磁性層14形成，而根端部一側(cè)由非磁性材料或軟磁性材料形成，具有這樣形成的凸起部分40a、40a…，從而構(gòu)成凹凸圖形40(未圖示)。
另外，在上述磁盤10中，是在非伺服信號區(qū)Ax、Ax…及非伺服信號區(qū)Axb、Axb…中形成空圖形(凹凸圖形40)，但本發(fā)明不限定于此。例如也可以如圖31所示的磁盤10d那樣，在數(shù)據(jù)記錄區(qū)At與前同步圖形區(qū)Ap之間、前同步圖形區(qū)Ap與地址圖形區(qū)Aa之間、地址圖形區(qū)Aa與脈沖串圖形區(qū)Ab之間、以及脈沖串圖形區(qū)Ab與數(shù)據(jù)記錄區(qū)At之間規(guī)定非伺服信號區(qū)An(本發(fā)明的第2功能區(qū)的其它一個例子)，同時在脈沖串圖形區(qū)Ab的第1脈沖串區(qū)Ab1與第2脈沖串區(qū)Ab2之間、第2脈沖串區(qū)Ab2與第3脈沖串區(qū)Ab3之間、以及第3脈沖串區(qū)Ab3與第4脈沖串區(qū)Ab4之間也規(guī)定非伺服信號區(qū)An，由凹下部分40b構(gòu)成非伺服信號區(qū)an的整個區(qū)域。
在該磁盤10d中，與前述的磁盤10及磁盤10a相同，對于除了非伺服信號區(qū)域An的部位形成凹凸圖形40，使得地址圖形區(qū)Aa中形成的凸起部分40a、與脈沖串圖形區(qū)Ab(第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4)中形成的凸起部分40a的任一方的突凸端面的最大直徑的內(nèi)接圓，成為伺服信號區(qū)As內(nèi)的全部凸起部分40a、40a的突出端面的內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。另外，在該磁盤10d中，非伺服信號區(qū)An、An…的整個區(qū)域由凹下部分40b構(gòu)成。因而，根據(jù)該磁盤10d，由于在非伺服信號區(qū)An、An…內(nèi)不存在有可能產(chǎn)生殘渣的凸起部分40a，而且對于除了非伺服信號區(qū)An、An…的部位，也不存在突出端面過寬的凸起部分40a(在規(guī)定范圍內(nèi)不存在凹下部分40b的凸起部分40a)，因此在對覆蓋伺服圖形區(qū)As內(nèi)的凹凸圖形40而形成的非磁性材料層15進行刻蝕處理時，能夠避免在包含非伺服信號區(qū)An、An…的伺服圖形區(qū)As的整個區(qū)域中在凸起部分40a、40a…上產(chǎn)生厚的殘渣的情況。通過這樣，能夠提供伺服圖形區(qū)As內(nèi)的平坦性好、而且能夠確實讀取伺服數(shù)據(jù)的磁盤10d。
另外，在上述磁盤10中，是在非伺服信號區(qū)Ax、Ax…內(nèi)形成具有外周側(cè)區(qū)域Ao中沿旋轉(zhuǎn)方向的長度與數(shù)據(jù)記錄區(qū)At內(nèi)的凸起部分40a沿半徑方向的長度L3(數(shù)據(jù)記錄道的道寬)相等的帶狀凸起部分40a、40a…的凹凸圖形40作為空圖形，但本發(fā)明不限定于此。例如，可以像磁盤10的非伺服信號區(qū)Axb那樣，采用形成與對非伺服信號區(qū)Ax沿旋轉(zhuǎn)方向相鄰的區(qū)域內(nèi)形成的凹凸圖形40相同種類的圖形作為空圖形的結(jié)構(gòu)(伺服圖形區(qū)As內(nèi)不存在本發(fā)明的第2功能區(qū)的結(jié)構(gòu))，或者采用形成形狀與本發(fā)明的第1功能區(qū)內(nèi)的凹凸圖形40不相同的任意形狀的凹凸圖形40作為空圖形的結(jié)構(gòu)。再有，在上述磁盤10中，是在非伺服信號區(qū)Axb內(nèi)形成與第1脈沖串區(qū)Ab1～第4脈沖串區(qū)Ab4內(nèi)的凹凸圖形40相同種類的凹凸圖形40作為空圖形，但本發(fā)明不限定于此。例如，可以采用在非伺服信號區(qū)Axb內(nèi)形成與非伺服信號區(qū)Ax內(nèi)的凹凸圖形40相同種類的凹凸圖形40的結(jié)構(gòu)，或者采用形成形狀與本發(fā)明的第1功能區(qū)內(nèi)的凹凸圖形40不相同的任意形狀的凹凸圖形40作為空圖形的結(jié)構(gòu)。除此以外，在上述磁盤10～10d中，是僅在玻璃基材11的單面形成伺服圖形40s及數(shù)據(jù)道圖形40t，但本發(fā)明有關(guān)的磁記錄介質(zhì)不限定于此，也可以在玻璃基板11的正反兩面形成伺服圖形40s及數(shù)據(jù)道圖形40t。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基材的至少一面的伺服圖形區(qū)，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的多個凸起部分及凹下部分的凹凸圖形，形成伺服圖形，同時該伺服圖形區(qū)構(gòu)成為具有地址圖形區(qū)及脈沖串圖形區(qū)；在該伺服圖形區(qū)形成所述凹下部分，使得所述地址圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓、與所述脈沖串圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的較大一方的內(nèi)接圓，成為所述伺服圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述基材的至少所述一面的數(shù)據(jù)記錄區(qū)，利用至少突出端部由所述磁性材料形成的凸起部分、形成多個數(shù)據(jù)記錄道，該各數(shù)據(jù)記錄道形成為沿所述半徑方向的長度成為小于等于所述較大一方的內(nèi)接圓的直徑。
3.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基材的至少一面的伺服圖形區(qū)，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的多個凸起部分及凹下部分的凹凸圖形形成伺服圖形；所述伺服圖形區(qū)構(gòu)成為具有制造時利用所述凹凸圖形來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)、以及形成與該各第1功能區(qū)的所述凹凸圖形不同種類的凹凸圖形的第2功能區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述折磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述伺服圖形區(qū)的構(gòu)成為具有作為所述多種第1功能區(qū)的一種的地址圖形區(qū)及脈沖串圖形區(qū)；在該第2功能區(qū)形成所述凹下部分，使得所述第2功能區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的直徑，成為小于等于所述地址圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓、與所述脈沖串圖形區(qū)中形成的所述各凸起部分的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓的較大一方的直徑。
5.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在基材的至少一面的伺服圖形區(qū)，利用具有至少突出端部由磁性材料形成的多個凸起部分及凹下部分的凹凸圖形形成伺服圖形；所述伺服圖形區(qū)構(gòu)成為具有制造時利用所述凹所述凹凸圖形來記錄跟蹤伺服控制用的控制信號的多種第1功能區(qū)、以及遍及其整個區(qū)域形成所述凹下部分的第2功能區(qū)。
6.一種記錄重放裝置，其特征在于，具有如權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)、以及根據(jù)從該磁記錄介質(zhì)的所述伺服圖形區(qū)讀取的規(guī)定信號進行跟蹤伺服控制處理的控制單元。
7.一種記錄重放裝置，其特征在于，具有如權(quán)利要求3至5的任一項所述的磁記錄介質(zhì)、以及根據(jù)從該磁記錄介質(zhì)的所述第1功能區(qū)讀取的規(guī)定信號、進行跟蹤伺服控制處理的控制單元。
8.一種磁記錄介質(zhì)制造用的壓印模，其特征在于，形成具有與如權(quán)利要求1至5的任一項所述的磁記錄介質(zhì)的所述凹凸圖形的凹下部分相對應(yīng)而形成的凸起部分、以及與所述磁記錄介質(zhì)的所述凹凸圖形的凸起部分相對應(yīng)而形成的凹下部分的凹凸圖形。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種磁記錄介質(zhì)、記錄重放裝置及壓印模。提供能夠確實讀取磁信號、表面平滑性好的磁記錄介質(zhì)。利用具有多個凸起部分40a及凹下部分40b的凹凸圖形40，在伺服圖形區(qū)As形成伺服圖形，同時伺服圖形區(qū)As的構(gòu)成為具有地址圖形區(qū)Aa及脈沖串圖形區(qū)Ab，在伺服圖形區(qū)As中形成凹下部分40b，使得地址圖形區(qū)Aa中形成的各凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qa1、與脈沖串圖形區(qū)Ab中形成的各凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓中的最大直徑的內(nèi)接圓Qb1的較大一方的內(nèi)接圓，成為伺服圖形區(qū)As中形成的各凸起部分40a的突出端面的各內(nèi)接圓Qx1、Qp1、Qa1、Qb1…中的最大直徑的內(nèi)接圓。
文檔編號G11B5/012GK1815569SQ20061000435
公開日2006年8月9日 申請日期2006年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月4日
發(fā)明者添野佳一, 諏訪孝裕 申請人:Tdk股份有限公司