專利名稱：在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法和設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一次可寫記錄介質，尤其涉及在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法和設備。盡管本發(fā)明適用范圍很廣，但是尤其適用于更高效地管理記錄介質和更高效地在記錄介質上記錄數據。
背景技術：
光盤被廣泛用作記錄大容量數據的光學記錄介質。目前，在各種各樣的光盤當中，諸如藍光盤(以下稱為“BD”)等用于寫入和存儲高清晰度的視頻和音頻數據的新的高密度光學記錄介質(以下稱為“HD-DVD”)正在開發(fā)當中。當前，稱為下一代技術的藍光盤(BD)全球標準技術規(guī)范作為所能具有的數據遠超常規(guī)DVD的下一代光學記錄方案正在開發(fā)當中，同樣在開發(fā)當中的還有許多其它數字設備。
由此，與藍光盤(BD)相關的各種類型的標準提案正在準備和開發(fā)當中。并且，在可重寫藍光盤(BD-RE)之后，還有一次可寫藍光盤(BD-WO)的各種各樣的標準提案正在準備當中。具體而言，在一次可寫藍光盤(BD-WO)中存在許多限制，因為數據在光盤的特定區(qū)域上只可被寫入(或記錄)一次。并且，當在這樣一張光盤中出現(xiàn)有缺陷區(qū)時，管理缺陷的方法在一次可寫光盤(或藍光盤)中將被視為是非常關鍵的問題。
因此，由于一次可寫光盤中記錄數據的“僅一次”特性，記錄缺陷管理和盤使用狀態(tài)信息的方法以及管理所記錄的此類信息的方法與可重寫光盤的對應方法相比要復雜得多。因為可滿足上述要求的統(tǒng)一標準還有待完成，所以亟需解決此類困難的有效方案。

發(fā)明內容
由此，本發(fā)明針對一種基本上能避免由于相關技術的局限和缺點造成的一個或多個問題的在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法和設備。
本發(fā)明的一個目的是通過將在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法分類為實時記錄和非實時記錄，來提供一種有效的記錄數據的方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種通過使用上述記錄方法來記錄數據的數據記錄設備。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征一部分將在以下描述中闡述，一部分可在本領域普通技術人員細讀以下內容后明確，或可從對本發(fā)明的實施中學習。本發(fā)明的目的及其它優(yōu)點可由在說明書與所附權利要求書以及附圖中特別指出的結構實現(xiàn)和獲得。
為實現(xiàn)這些目的及其它優(yōu)點，并根據本發(fā)明的目的，如本文中所體現(xiàn)并寬泛地描述的，在一次可寫記錄介質中，一種在一次可寫記錄介質中記錄數據的方法包括當在記錄介質中檢測到有缺陷區(qū)時，決定用于替換該有缺陷區(qū)的替換記錄方法；當有缺陷區(qū)被替換記錄在備用區(qū)中時，將有缺陷區(qū)的位置信息和備用區(qū)的位置信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中；以及當所檢測到的有缺陷區(qū)被跳過并且數據被替換記錄在下一個連續(xù)的區(qū)中時，將指示所跳過的區(qū)是有缺陷區(qū)的信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中。
在本發(fā)明的另一個方面，在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法中，一種一次可寫記錄介質的數據記錄方法包括當在記錄介質上記錄數據時檢測到有缺陷區(qū)，并且當數據不是被實時記錄時，通過使用備用區(qū)中的線性替換方法和跳過有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄；當數據是被實時記錄時，通過使用流記錄方法和跳過有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄，并在記錄介質內的臨時管理區(qū)中記錄根據每種記錄方法的缺陷管理信息。
在本發(fā)明的另一個方面，在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法中，一種一次可寫記錄介質的數據記錄方法包括在第一開放式順序記錄范圍(SRR)上記錄數據；以及當在記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，跳過該有缺陷區(qū)以使用跳過替換方法在下一個連續(xù)的區(qū)中執(zhí)行記錄；以及當該下一個連續(xù)的區(qū)是第二開放式順序記錄范圍(SRR)時，將第一開放式SRR改為封閉式SRR。
在本發(fā)明的另一個方面，一種用于在一次可寫記錄介質上記錄數據的設備包括存儲器，用于在一次可寫記錄介質上讀取和記錄管理信息；以及微機，用于控制操作以使數據通過存儲在存儲器中的管理信息而被記錄在非記錄完成區(qū)和非缺陷區(qū)中，并使當在記錄介質上記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)，并當數據不是被實時記錄時，通過使用備用區(qū)中的線性替換方法和跳過有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄，而當數據是被實時記錄時，通過使用流記錄方法和跳過有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄。
應當理解，本發(fā)明以上的一般描述和以下的詳細描述是示例性和說明性的，并旨在為如權利要求所述的本發(fā)明提供進一步的解釋。
附圖簡要說明包括附圖是為提供對本發(fā)明進一步的理解，它們被收錄并構成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與本說明書一起起到解釋本發(fā)明原理的作用。
附圖中

圖1示出根據本發(fā)明的一次可寫記錄介質的單層光盤的結構；圖2示出根據本發(fā)明的一次可寫記錄介質的雙層光盤的結構；圖3A和3B示出根據本發(fā)明的一個實施例的管理一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的示例；圖4A和4B示出根據本發(fā)明的另一個實施例的管理一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的示例；圖5示出根據本發(fā)明的一種跳過一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的數據記錄方法；圖6示出根據本發(fā)明的另一種跳過一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的數據記錄方法；以及圖7示出根據本發(fā)明的光學記錄和再現(xiàn)設備。
實施本發(fā)明的最佳方式現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其示例在附圖中示出。在任何可能的情況下，在所有附圖中將使用相同的標記來表示相同或相似的部分。此外，盡管本發(fā)明中所使用的術語是從公知公用的術語中選擇的，但是本發(fā)明說明書中所提及的一些術語可能是申請人按他或她的判斷來選擇的，其詳細含義在本文的描述的相關部分中說明。此外，要求不僅僅通過所使用的實際術語，而是還要通過每個術語所蘊含的意義來理解本發(fā)明。
在此詳細描述中，“記錄介質”是指可記錄數據的所有類型的介質，并廣義地包括諸如光盤、磁帶等所有類型的介質而無論其記錄方法為何。以下，為簡化本發(fā)明的描述，將給出光盤，更具體而言是“藍光盤(BD)”作為本文中所提議的記錄介質的示例。但是，顯然本發(fā)明的精神或范圍可被等效地應用于其它類型的記錄介質。
圖1示出根據本發(fā)明的一次可寫記錄介質的單層光盤的結構。參見圖1，具有單層結構的一次可寫高密度光盤從內圈到外圈被分段并指定為引入區(qū)、數據區(qū)和引出區(qū)。如需要，可在引入區(qū)中包括臨時盤管理區(qū)(TDMA)，用于更新缺陷區(qū)管理和記錄管理信息。在此，存在于引入區(qū)內的TDMA被稱為“TDMA0”，它由固定大小的2048個物理簇構成。
此外，從盤的內圈開始，數據區(qū)被分段為內備用區(qū)(以下稱為“ISA”)、用戶數據區(qū)和外備用區(qū)(以下稱為“OSA”)。在此，實際的用戶數據被記錄在用戶數據區(qū)內。備用區(qū)(ISA和OSA)是在盤的初始化期間為缺陷簇的重新分配和附加TDMA而分配的區(qū)。內備用區(qū)(ISA)有2048個物理簇的固定大小，而外備用區(qū)(OSA)有N*256個物理簇的可變大小。更具體地，“TDMA1”可作為附加TDMA存在于外備用區(qū)(OSA)內，用于更新有缺陷區(qū)管理和記錄管理信息。在管理信息的頻繁更新(諸如很短的記錄之后的頻繁彈出)期間，此類附加TDMA和TDMA0被有效使用。
同時，圖2示出根據本發(fā)明的一次可寫記錄介質的雙層光盤的結構。參見圖2，具有雙層結構的一次可寫高密度光盤包括2個層(層0和層1)，并從光盤的內圈到外圈被分段并分配為引入區(qū)、引出區(qū)、數據區(qū)和外部區(qū)0和1。在引入/引出區(qū)中，與層0對應的區(qū)是引入區(qū)，而與層1對應的區(qū)是引出區(qū)。在具有上述結構的雙層盤中，層0的引入區(qū)具有TDMA0，這于上述單層光盤相類似，而層1的引出區(qū)有第二TDMA作為TDMA1。TDMA0和TDMA1都具有2048個物理簇的固定大小。數據區(qū)的層0從盤的內圈起被分段并指定為內備用區(qū)0(ISA0)、用戶數據區(qū)和外備用區(qū)0(OSA0)。內備用區(qū)0(ISA0)具有2048個物理簇的固定大小，而外備用區(qū)0(OSA0)具有N*256個物理簇的可變大小。此時，TDMA2可作為附加TDMA存在于外備用區(qū)0(OSA0)內。在此，優(yōu)選的是TDMA2的大小等于外備用區(qū)0(OSA0)的1/4，即等于N*64個物理簇的大小。此外，數據區(qū)的層1從盤的內圈起被分段并指定為內備用區(qū)1(ISA1)、用戶數據區(qū)和外備用區(qū)1(OSA1)。內備用區(qū)1(ISA1)具有L*256個物理簇的可變大小，而外備用區(qū)1(OSA1)具有N*256個物理簇的可變大小。此時，TDMA3可作為附加TDMA存在于外備用區(qū)1(OSA1)中，而TDMA4可作為附加TDMA存在于內備用區(qū)1(ISA1)中。TDMA3和TDMA4中的每一個的大小都等于每個備用區(qū)的1/4，即分別等于N*64個物理簇和L*64個物理簇的大小。在雙層盤中，按TDMA0→TDMA1→TDMA2→TDMA3→TDMA4的次序來使用TDMA。并且，在管理信息頻繁更新(諸如很短的記錄之后的頻繁彈出)期間，附加TDMA以及TDMA0和1被有效使用。
圖3A和3B及圖4A和4B示出當在具有上述結構的光盤中出現(xiàn)有缺陷區(qū)時管理這些有缺陷區(qū)的示例。圖3A和3B示出根據本發(fā)明的一個實施例的管理一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的示例。更具體地，將要被記錄在有缺陷區(qū)上的數據替換到備用區(qū)的示例。當使用實際的一次可寫光盤時，在要記錄實際的盤的光盤的數據區(qū)內的特定區(qū)域中可能會出現(xiàn)有缺陷區(qū)。此時，由于光盤表面的損壞或污染，在有缺陷區(qū)可能會物理地出現(xiàn)在一個或多個簇中。圖3A示出有缺陷區(qū)出現(xiàn)在一個簇中的示例，而圖3B示出有缺陷區(qū)出現(xiàn)在在多個連續(xù)簇中的示例。
參見圖3A，當在單個簇中出現(xiàn)缺陷時，要被記錄在該有缺陷區(qū)中的數據被替換記錄在備用區(qū)(ISA或OSA)中。更具體地，在圖3A中給出的示例中，在外備用區(qū)(OSA)中執(zhí)行替換記錄。從備用區(qū)的內部向引出區(qū)的方向執(zhí)行記錄。如上所述，當要被記錄在有缺陷區(qū)中的數據被替換記錄在外備用區(qū)(OSA)中時，被替換記錄的數據的管理信息作為臨時缺陷列表(TDFL)信息被記錄在光盤內的TDMA中，由此完成數據的記錄(或寫入)。因此，在記錄完成的光盤中，當主機根據用戶請求(或命令)想要再現(xiàn)(或讀取)有缺陷區(qū)時，光盤驅動器參考所記錄的管理信息，以再現(xiàn)替換記錄的數據，由此來執(zhí)行再現(xiàn)(或讀取)命令。上述可能出現(xiàn)在單個簇中、并被替換記錄在備用區(qū)中的缺陷被稱為可重分配的缺陷(RAD)。
同時，參見圖3B，在描述出現(xiàn)在多個連續(xù)簇中的缺陷的示例中，該示例包括物理地出現(xiàn)的有缺陷區(qū)。此外，當單個缺陷簇的多個相鄰簇由于光盤驅動器上的設置的原因易被損壞或污染時，該示例還包括在這些相鄰簇被實際損壞或污染的情形中為安全計同時將這多個相鄰簇作為一個有缺陷區(qū)來對待。如上所述，當數據區(qū)內的多個連續(xù)簇是有缺陷區(qū)時，要被記錄在對應區(qū)中的數據被替換記錄在備用區(qū)(ISA或OSA)中，如圖3A中所描述。更具體地，在圖3B中給出的示例中，數據被替換記錄在外備用區(qū)(OSA)的區(qū)域c-d中。此時，數據的記錄(或寫入)是從備用區(qū)的內部起向引出區(qū)的方向執(zhí)行的。
如上所述，當數據被替換記錄在外備用區(qū)中時，對應的管理信息作為TDFL信息被記錄在盤的TDMA中。此后，在再現(xiàn)(或讀取)時，區(qū)域c-d代替區(qū)域a-b被再現(xiàn)，由此來執(zhí)行再現(xiàn)(或讀取)命令。在本發(fā)明中，在連續(xù)的多個簇中出現(xiàn)并被替換記錄在備用區(qū)中的缺陷被稱為連續(xù)可重分配缺陷(CRD)。
同時，當有缺陷區(qū)出現(xiàn)在光盤的數據區(qū)內時，要被記錄在該有缺陷區(qū)中的數據可被記錄在替換區(qū)中，如在圖3A和3B中所示的實施例中所描述的。但是，還可能會有數據因各種因素而不能被替換記錄的情況。(此類因素將在稍后的過程中詳細描述)?，F(xiàn)在將參考圖4A和4B來描述數據不能被記錄在替換區(qū)中的情況，圖4A和4B示出了根據本發(fā)明的另一個實施例的管理一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的示例。
參見圖4A和4B，如上所述，有缺陷區(qū)可能因諸如光盤表面的損壞或污染等各種因素而出現(xiàn)在一個或多個簇中。由此，當出現(xiàn)這樣的有缺陷區(qū)時，要被記錄在該有缺陷區(qū)中的數據可被替換記錄在備用區(qū)中。但是，在一些情形中，這樣的替換記錄不能被執(zhí)行。此類情況可能包括例如諸如廣播節(jié)目記錄等實時記錄，替換記錄備用區(qū)不足，或是由于光盤驅動器上的設置而禁止替換記錄等。
因此，當確定一個簇有缺陷(如圖4A中所示)時，以及當確定多個連續(xù)簇(或多個簇)有缺陷時，要被記錄在有缺陷區(qū)中的數據不被替換記錄在備用區(qū)中。作為代替，有缺陷區(qū)的位置信息作為包括在TDMA中的TDFL信息被記錄。如上所述，一旦有缺陷區(qū)的位置信息被記錄，當在稍后的過程中主機根據用戶的請求想要再現(xiàn)有缺陷區(qū)時，光盤驅動器就可跳過與所記錄的有缺陷區(qū)的位置信息相對應的有缺陷區(qū)，并繼續(xù)進行再現(xiàn)(或讀取)操作。在本發(fā)明中，當沒有為簇分配替換地址時，該缺陷被稱為“不可重分配缺陷(NRD)”，并且當沒有為連續(xù)多個簇分配替換地址時，該缺陷被稱為“連續(xù)不可重分配缺陷(CND)”。這樣一個有缺陷區(qū)的數據記錄方法包括非實時記錄方法和實時記錄方法。
當非實時地在光盤上記錄數據時，在盤上出現(xiàn)的有缺陷區(qū)就可被管理。此外，可根據主機的命令使用“寫入并驗證”的方法來記錄數據。更具體地，當在光盤上記錄了數據之后，將執(zhí)行驗證是否以簇為單位適當地記錄了數據的過程，由此允許應用上述有缺陷區(qū)的可重分配類型(RAD或CRD)。此外，當非實時地在光盤上記錄數據時，也可應用跳過有缺陷區(qū)的跳過替換寫入方法。在此情形中，因為不必對備用區(qū)進行替換，所以缺陷管理信息用NRD類型或CND類型來配置。更具體地，當所有備用區(qū)都已被使用或是當沒有任何備用區(qū)被分配時，也可應用跳過替換寫入方法。
同時，當實時記錄數據時，將使用流寫入方法或跳過寫入方法。流寫入方法是指即使是在記錄系統(tǒng)檢測到缺陷簇時也忽略缺陷簇(或省略檢測缺陷簇的過程)并在對應的缺陷簇上連續(xù)記錄數據的方法。另一方面，跳過寫入方法是指當記錄系統(tǒng)檢測到缺陷簇時跳過缺陷簇、并將數據替換記錄在對應缺陷簇接下來的簇上的方法。
此時，當使用實時記錄方法中的跳過寫入方法時，因為光學記錄系統(tǒng)沒有充足的時間來檢查有缺陷區(qū)的范圍，所以優(yōu)選的是跳過相對較寬區(qū)域的范圍以便于找到安全的可記錄區(qū)域。但是，跳過有缺陷區(qū)之后的記錄開始位置的信息是由文件系統(tǒng)管理的。同時，現(xiàn)在將詳細參考附圖來描述在作為一次可寫高密度光盤的記錄方法之一的順序記錄模式(SRM)中，在非實時或實時記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時的一種根據本發(fā)明的一個實施例的通過跳過有缺陷區(qū)來記錄數據的跳過寫入(或跳過替換)方法。
圖5示出根據本發(fā)明的跳過一次可寫記錄介質(即，一次可寫高密度光盤)中的有缺陷區(qū)的數據記錄方法。參見圖5，在使用一次可寫高密度光盤時，為便于在預定區(qū)域上記錄特定的一組數據，光盤被分段為多個連續(xù)的區(qū)域，數據的記錄將在這些區(qū)域中進行。上述方法被稱為順序記錄模式(SRM)，并且用于執(zhí)行順序記錄的每個分段的區(qū)域被稱為順序記錄范圍(SRR)。在順序記錄范圍(SRR)中，在地址增大(或升冪)的方向上順序地執(zhí)行數據的順序記錄。在諸SRR當中，能夠創(chuàng)建下一個可寫地址(以下稱為“NWA”)的可記錄區(qū)域被特別稱為開放式SRR。并且，在光盤中可包括最多為16個開放式SRR。因此，如圖5中所示，數據(文件流或文件)被順序地記錄在所分配的開放式SRR中，并且在某些情形中，此類記錄部分可在單個SRR中執(zhí)行。更具體地，在單個SRR中，數據的記錄是從前一個記錄區(qū)的最后一個所記錄的用戶數據地址(以下稱為“LRA”)接下來的區(qū)域開始連續(xù)執(zhí)行的。當在使用上述方法和非實時記錄方法記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，首先由“寫入并驗證”方法來驗證有缺陷區(qū)的位置。此后，在文件系統(tǒng)區(qū)域中決定下一個記錄開始位置(N)，由此光盤驅動器在跳過有缺陷區(qū)之后從該下一個記錄開始位置(N)開始執(zhí)行記錄。在單個簇的情形中，關于有缺陷區(qū)的信息作為NRD類型的TDFL信息被記錄在TDMA中，而在多個連續(xù)簇的情形中，關于有缺陷區(qū)的信息作為CND類型的TDFL信息被記錄在TDMA中。但是，當不使用CND類型時，可通過使用多個NRD類型來執(zhí)行記錄。
另一方面，當在使用實時記錄方法記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，光盤驅動器任意地決定下一個記錄開始位置(N)并將數據記錄在該位置上。更具體地，當使用實時記錄方法時，因為光學記錄系統(tǒng)沒有充足的時間來檢查有缺陷區(qū)的范圍，所以優(yōu)選的是以光盤驅動器上的設置的形式來決定所要跳過的區(qū)域的寬度，由此來執(zhí)行數據記錄。因此，相對較寬的區(qū)域范圍被跳過以便于找到安全的可記錄區(qū)域，并且向文件系統(tǒng)區(qū)報告下一個記錄開始位置(N)。
在實時記錄方法中，關于有缺陷區(qū)的信息被注冊為NRD類型或CND類型，如在非實時記錄方法中所描述的。但是，因為相對較寬的區(qū)域范圍被跳過，所以信息一般被注冊(或記錄)為CND類型。(顯然，信息也可如上所述地被注冊(或記錄)為多個NRD類型)。此外，因為在實時記錄期間很難在有缺陷區(qū)上記錄信息，所以信息被暫時記錄在記錄系統(tǒng)的存儲器中。然后，在數據的記錄完成之后，臨時記錄的信息被記錄到TDMA中。同時，在使用作為一次可寫高密度光盤的記錄方法之一的順序記錄模式(SRM)時，通過在單個光盤內分配多個順序記錄范圍(SRR)來記錄數據。因此，當使用跳過記錄方法來記錄數據時，數據的記錄可能會被其它具有連續(xù)簇的SRR干擾。這將參考圖6來詳細描述。
圖6示出了根據本發(fā)明的另一種跳過一次可寫記錄介質中的有缺陷區(qū)的數據記錄方法。首先，將詳細描述SRM記錄方法，以說明在通過跳過寫入方法在單個SRR中記錄數據時記錄過程被另一SRR干擾的情況。參見圖6，在單張盤中可分配多個順序記錄范圍(SRR)。為了區(qū)別這多個SRR中的每一個，用從開始地址開始的升序對每個SRR進行編號。因此，當存在總計N個SRR時，編號從SRR#1開始順序到SRR#N。由此，在多個SRR當中，一組連續(xù)的SRR被稱為一個會話，而每個會話也用升序來編號。此時，如上所述，可記錄的SRR被稱為“開放式SRR”，而記錄完成或是數據不能再被執(zhí)行的SRR被稱為“封閉式SRR”。由此，為了將開放式SRR改為封閉式SRR，與想要改為封閉式SRR的開放式SRR對應的編號從來自記錄了SRM信息的順序記錄范圍信息(SRRI)的“開放式SRR編號列表”中所包括的多個開放式SRR編號中被刪除。
在上述SRM記錄方法中，如圖6中所示，當在作為當前正被記錄的區(qū)域的開放式SRR#3中檢測到有缺陷區(qū)，并且當在使用跳過寫入方法執(zhí)行數據記錄時，一旦有缺陷區(qū)被跳過，由于記錄了數據的下一個封閉式SRR#4的原因，數據記錄可能無法容易地執(zhí)行。(但是，數據并非必須被記錄在其中)。在此情形中，文件系統(tǒng)或驅動器關閉當前的開放式SRR#3，并執(zhí)行于下一個開放式SRR#5對應的數據的記錄。當執(zhí)行這樣的數據記錄時，如上所述，文件系統(tǒng)應知悉(或被通知)所跳過的區(qū)域的記錄開始位置(N)。
圖7示出根據本發(fā)明的光學記錄和/再現(xiàn)設備的框圖。參見圖7，該光學記錄和再現(xiàn)設備包括記錄/再現(xiàn)裝置10，用于在光盤上執(zhí)行記錄和從光盤執(zhí)行再現(xiàn)；以及主機(或控制器)20，用于控制記錄/再現(xiàn)裝置10。(在此，記錄/再現(xiàn)裝置10也稱為“光盤驅動器”，并且兩個術語在本發(fā)明的描述中可被等效地使用)。更具體地，主機20向記錄/再現(xiàn)裝置10發(fā)送請求(或命令)以向特定區(qū)域記錄或從特定區(qū)域再現(xiàn)。接著，記錄/再現(xiàn)裝置10進行操作，以根據主機20的命令來向特定區(qū)域執(zhí)行記錄和/或從特定區(qū)域執(zhí)行再現(xiàn)。在此，光學記錄和/或再現(xiàn)設備10基本包括接口單元12，用于與主機20執(zhí)行通信操作，諸如發(fā)送和接收數據及命令；拾取單元11，用于直接在光盤上記錄數據或直接從光盤讀取數據；數據處理器13，用于接收從拾取單元11讀取的信號并將其轉換為所需的信號值，或將要被記錄在光盤上的信號調制成光盤可記錄的信號，并發(fā)送經調制的信號；伺服14，用于控制拾取單元11的操作，以準確地從光盤讀取信號，或準確地將信號記錄在光盤上；存儲器15，用于臨時存儲包括管理信息和數據在內的各種不同信息；以及微機16，用于控制記錄/再現(xiàn)裝置10中所包括的諸組件的操作。
現(xiàn)在將詳細描述根據本發(fā)明的通過使用上述光學記錄和/或再現(xiàn)設備在一次可寫高密度光盤上記錄數據的過程。當光盤首先被插入光學記錄和/或再現(xiàn)設備中時，光盤內的所有管理信息被讀取并記錄到記錄/再現(xiàn)裝置10的存儲器中。此后，在記錄和/或再現(xiàn)光盤時使用這些管理信息。此時，當用戶想要通過使用SRM記錄方法在光盤的特定區(qū)域中記錄數據時，主機20將這樣的用戶需要作為記錄(或寫入)命令與數據一起發(fā)送給記錄/再現(xiàn)裝置10，其中記錄了用戶想要記錄數據的位置的信息。
當記錄命令想要非實時地記錄數據時，記錄/再現(xiàn)裝置10內的微機16接收記錄(或寫入)命令。然后，微機16從存儲在存儲器15中的管理信息確定控制器20想要記錄數據的區(qū)域是否是有缺陷區(qū)，以及數據記錄是否已完成。然后，微機16根據從控制器20接收的記錄命令，通過在既不是有缺陷區(qū)也不是記錄已完成區(qū)的區(qū)域中使用“寫入并驗證”方法來執(zhí)行記錄。
在這樣的數據記錄過程中，當檢測到新的有缺陷區(qū)時，要被記錄在該新的有缺陷區(qū)上的數據可被替換記錄在備用區(qū)中?；蛘撸攤溆脜^(qū)不足時，或當備用區(qū)未被分配時，或當替換記錄由于對記錄/再現(xiàn)裝置10的設定的原因而被禁止時，通過使用跳過有缺陷區(qū)的跳過寫入方法來執(zhí)行數據記錄。在執(zhí)行了替換記錄或跳過寫入之后，相關信息作為TDFL信息被記錄在光盤的TDMA中。此時，微機16向伺服14或數據處理器13發(fā)送替換記錄的區(qū)域或有缺陷區(qū)的位置信息及數據，以通過拾取單元11來完成光盤的所需位置上的記錄或替換記錄。
此外，當用戶想要實時記錄數據(諸如在廣播節(jié)目記錄時)，并且當從主機20發(fā)送的命令請求實時記錄時，記錄/再現(xiàn)裝置10中所包括的微機16接收記錄(或寫入)命令。然后，微機16從存儲在存儲器15中的管理信息確定控制器20想要記錄數據的區(qū)域是否是有缺陷區(qū)，以及數據記錄是否已完成。然后，微機16根據從控制器20接收的記錄命令，在既不是有缺陷區(qū)也不是記錄已完成區(qū)域的區(qū)域中執(zhí)行實時記錄。
在這樣的數據記錄過程期間，當檢測到新的有缺陷區(qū)時，記錄/再現(xiàn)裝置10通過使用跳過有缺陷區(qū)的跳過寫入方法來記錄數據。在執(zhí)行了跳過寫入之后，諸如所跳過的區(qū)域或定位的位置信息等相關信息被臨時存儲在記錄/再現(xiàn)裝置10的存儲器15中，然后臨時存儲的相關數據作為TDFL信息被存儲在光盤的TDMA中。此時，微機16向伺服14和數據處理器13發(fā)送所跳過的區(qū)域的位置信息和數據，以通過拾取單元11在光盤的所需位置上完成記錄或替換記錄。
如上所述，根據本發(fā)明的在一次可寫高密度光盤上記錄數據的方法和設備具有以下優(yōu)點。通過將數據記錄方法分類為實時記錄和非實時記錄，并通過為實時記錄和非實時記錄中的每一個提出有效的數據記錄方法，就可更高效地管理一次可寫光盤，并可更高效地在光盤上記錄數據。
工業(yè)實用性本領域技術人員可顯見，可在本發(fā)明中進行各種修改和變更而不會偏離本發(fā)明的精神或范圍。由此，旨在使本發(fā)明覆蓋落在所附權利要求及其等效技術方案范圍內的對本發(fā)明的修改和變更。
權利要求
1.在一次可寫記錄介質中的一種在所述一次可寫記錄介質中記錄數據的方法，所述方法包括當在所述記錄介質中檢測到有缺陷區(qū)時，決定用于替換所述有缺陷區(qū)的替換記錄方法；當所檢測到的有缺陷區(qū)被替換記錄在備用區(qū)中時，將所述有缺陷區(qū)的位置信息和所述備用區(qū)的位置信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中；以及當所檢測到的有缺陷區(qū)被跳過，并且所述數據被替換記錄在下一個連續(xù)的區(qū)中時，將指示所跳過的區(qū)是有缺陷區(qū)的信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，被記錄在所述記錄介質上的數據是被非實時地記錄的數據。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷管理信息被記錄為配置所述臨時管理區(qū)內的臨時缺陷列表(TDFL)的缺陷條目。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，當所述有缺陷區(qū)被替換記錄在所述備用區(qū)中時，所述缺陷條目將每個簇記錄為可重分配缺陷(RAD)類型。
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，當所述有缺陷區(qū)被替換記錄在所述備用區(qū)中時，所述缺陷條目將多個連續(xù)的簇記錄為連續(xù)可重分配(CRD)類型。
6.如權利要求3所述的方法，其特征在于，當通過跳過所述有缺陷區(qū)將所述有缺陷區(qū)替換記錄到下一個連續(xù)的區(qū)中時，所述缺陷條目將每個簇記錄為不可重分配(NRD)類型。
7.如權利要求3所述的方法，其特征在于，當通過跳過所述有缺陷區(qū)將所述有缺陷區(qū)替換記錄到下一個連續(xù)的區(qū)中時，所述缺陷條目將多個連續(xù)的簇記錄為連續(xù)不可重分配缺陷(CND)類型。
8.在一次可寫記錄介質中的一種在所述記錄介質上記錄數據的方法，所述方法包括當在所述記錄介質上實時地記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，通過跳過所述有缺陷區(qū)將所述有缺陷區(qū)的數據替換記錄在下一個連續(xù)的區(qū)上，或是通過忽略所述對應的有缺陷區(qū)來記錄數據；當通過跳過所述有缺陷區(qū)將數據替換記錄在下一個連續(xù)的區(qū)上時，將指示所跳過的區(qū)是所述有缺陷區(qū)的信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中；以及當通過忽略所述對應的有缺陷區(qū)來記錄數據時，將指示所忽略的區(qū)是所述有缺陷區(qū)的信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述缺陷管理信息被記錄為配置所述臨時管理區(qū)內的臨時缺陷列表(TDFL)的缺陷條目。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，管理所述有缺陷區(qū)的所述缺陷條目將每個簇記錄為不可重分配缺陷(NRD)類型。
11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，管理所述有缺陷區(qū)的所述缺陷條目將多個連續(xù)的簇記錄為連續(xù)不可重分配缺陷(CND)類型。
12.在將數據記錄在一次可寫記錄介質上的方法中的一種所述一次可寫記錄介質的數據記錄方法，所述方法包括當在所述記錄介質上記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，并當所述數據是被非實時地記錄時，通過使用備用區(qū)中的線性替換方法和跳過所述有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄；當數據是被實時地記錄時，通過使用流記錄方法和跳過所述有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄；以及將根據每種記錄方法的缺陷管理信息記錄在所述記錄介質內的臨時管理區(qū)中。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，當在所述備用區(qū)中執(zhí)行替換記錄時，被記錄在所述臨時管理區(qū)中的所述缺陷管理信息包括為出現(xiàn)在一個簇中的所述有缺陷區(qū)執(zhí)行替換記錄的可重分配缺陷(RAD)類型、以及為出現(xiàn)在多個連續(xù)的簇中的所述有缺陷區(qū)執(zhí)行替換記錄的連續(xù)可重分配缺陷(CRD)類型。
14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述實時記錄方法中的所述流記錄方法忽略所述有缺陷區(qū)，并連續(xù)記錄所述數據而不進行替換記錄。
15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述跳過替換方法跳過其中出現(xiàn)所述有缺陷區(qū)的簇，并將數據連續(xù)地記錄在下一個連續(xù)的簇上。
16.如權利要求12所述的方法，其特征在于，在所述非實時記錄方法中的所述跳過替換方法中，從主機決定下一個記錄開始位置，并從所決定的位置起執(zhí)行記錄。
17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，在作為臨時缺陷列表(TDFL)信息的所述記錄介質的所述臨時管理區(qū)中，與所述有缺陷區(qū)對應的所述缺陷管理信息當所述有缺陷區(qū)是單個簇時被記錄為不可重分配缺陷(NRD)類型，而當所述有缺陷區(qū)是多個連續(xù)的簇時被記錄為連續(xù)不可重分配缺陷(CND)類型。
18.如權利要求16所述的方法，其特征在于，在所述實時記錄方法中的所述跳過替換方法中，驅動器無需主機指定而自己來決定下一個記錄開始位置，并從所決定的位置開始執(zhí)行記錄。
19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，在作為臨時缺陷列表(TDFL)信息的所述記錄介質的所述臨時管理區(qū)中，與所述有缺陷區(qū)對應的所述缺陷管理信息當所述有缺陷區(qū)是單個簇時被記錄為不可重分配缺陷(NRD)類型，而當所述有缺陷區(qū)是多個連續(xù)的簇時被記錄為連續(xù)不可重分配缺陷(CND)類型。
20.在將數據記錄在一次可寫記錄介質上的方法中的一種所述一次可寫記錄介質的數據記錄方法，所述方法包括將數據記錄在第一開放式順序記錄范圍(SRR)上，并且當在記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，跳過所述有缺陷區(qū)以通過在下一個連續(xù)的區(qū)中使用跳過替換方法來執(zhí)行記錄；以及當所述下一個連續(xù)的區(qū)是第二開放式順序記錄范圍(SRR)時，將所述第一開放式SRR改為封閉式SRR。
21.一種用于在一次可寫記錄介質上記錄數據的設備，所述設備包括存儲器，用于在所述一次可寫記錄介質上讀取和存儲管理信息；以及微機，用于控制操作，從而通過存儲在所述存儲器中的管理信息，使得所述數據被記錄在非記錄已完成區(qū)和非缺陷區(qū)中，并且使得當在所述記錄介質上記錄數據的時候檢測到有缺陷區(qū)時，以及當數據是被非實時地記錄時，通過使用備用區(qū)中的線性替換方法和跳過所述有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄，而當數據是被實時地記錄時，通過使用流記錄方法和跳過所述有缺陷區(qū)的跳過替換方法中的一種來執(zhí)行記錄。
全文摘要
公開了一種在一次可寫記錄介質上記錄數據的方法和裝置。在一次可寫記錄介質中，該方法包括當在記錄介質中檢測到有缺陷區(qū)時，決定用于替換該有缺陷區(qū)的替換記錄方法；當所檢測到的有缺陷區(qū)被替換記錄在備用區(qū)中時，將有缺陷區(qū)的位置信息和備用區(qū)的位置信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中；以及當所檢測到的有缺陷區(qū)被跳過，并且數據被替換記錄在下一個連續(xù)的區(qū)中時，將指示所跳過的曲是有缺陷區(qū)的信息作為缺陷管理信息記錄在臨時管理區(qū)中。由此，可更高效地管理一次可寫記錄介質，并且數據可被更高效地記錄在記錄介質上。
文檔編號G11B7/0045GK1934649SQ200580008724
公開日2007年3月21日 申請日期2005年3月17日 優(yōu)先權日2004年3月19日
發(fā)明者樸成浣 申請人:Lg電子株式會社