專利名稱:光信息記錄介質(zhì)和信息記錄方法以及色素化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及的酞菁衍生物(相當(dāng)于后述的本發(fā)明的色素衍生物),雖然既可以有中心金屬或中心金屬化合物,也可以是中心金屬未取代(氫取代物)的,但是優(yōu)選具有中心金屬或中心金屬化合物的。作為中心金屬或中心金屬化合物,優(yōu)選從銅、鎳、鐵、鈷、鈀、鎂、鋁、鋅、硅和釩中選出的金屬,或者至少含有一種以上上述任何金屬的氧化物,或者具有配位基(例如鹵原子、6~30個(gè)碳原子的芳基、五元或六元雜環(huán)基團(tuán)、氰基、羥基等)的上述金屬或上述氧化物中任何物質(zhì)。
其中更優(yōu)選硅、銅、鎳或鈀,特別優(yōu)選銅。
酞菁衍生物也可以有通式(I)以外的取代基,作為其實(shí)例可以舉出作為R1、R2、R3的實(shí)例所列舉的那些。
而且酞菁衍生物既可以在任意位置結(jié)合形成聚合物,這種情況下的各單元可以互相相同或不同,而且也可以結(jié)合在聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈上。
此外,酞菁衍生物既可以以特定衍生物形式單獨(dú)使用,也可以是結(jié)構(gòu)各異的數(shù)種混合使用。特別是在防止記錄層結(jié)晶化的目的下,優(yōu)選使用取代基的取代位置各異的異構(gòu)體的混合物。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì),在基板上具有含有上述酞菁衍生物的記錄層。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)可以包含各種結(jié)構(gòu)的。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì),優(yōu)選在形成了一定軌跡間距的預(yù)置槽的圓盤狀基板上依次有記錄層、光反射層和保護(hù)層結(jié)構(gòu)的,或者在該基板上依次有光反射層、記錄層和保護(hù)層結(jié)構(gòu)的。而且還優(yōu)選在形成了一定軌跡間距的預(yù)置槽的圓盤狀基板上設(shè)置記錄層和光反射層而形成的兩片層疊體按照各記錄層為內(nèi)側(cè)的方式粘合而成的。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì),為達(dá)到更高記錄密度,與CD-R和DVD-R相比,可以使用形成了更狹窄軌跡間距的預(yù)置槽的基板。
在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的情況下,該軌跡間距優(yōu)選處于0.2~0.8微米范圍內(nèi),更優(yōu)選處于0.2~0.5微米范圍內(nèi),特別優(yōu)選處于0.27~0.40微米范圍內(nèi)。
預(yù)置槽的深度,優(yōu)選處于0.03~0.18微米范圍內(nèi),更優(yōu)選處于0.05~0.15微米范圍內(nèi),特別優(yōu)選處于0.06~0.1微米范圍內(nèi)。
以下對(duì)以在透明的圓盤狀基板上依次有記錄層、光反射層和保護(hù)層結(jié)構(gòu)的作為本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)加以說明。
(基板)基板可以從過去作為光信息記錄介質(zhì)基板用的各種材料中任意選擇使用。作為基板材料,可以舉出玻璃,聚碳酸酯,聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯系樹脂,聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂,環(huán)氧樹脂,無(wú)定形聚烯烴和聚酯等,也可以根據(jù)需要將其并用。另外這些材料可以以膜狀或具有剛性的基板形式使用。上記材料中從耐濕性、尺寸穩(wěn)定性和價(jià)格方面考慮優(yōu)選聚碳酸酯。而且基板厚度優(yōu)選0.5~1.2毫米。
為改善平面性、提高粘著力和防止記錄層變質(zhì),也可以在設(shè)有記錄層一側(cè)的基板(預(yù)置槽形成面?zhèn)?上設(shè)置底涂層。
作為該底涂層的材料,例如可以舉出聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸—甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯—馬來酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羥甲基丙烯酰胺、苯乙烯—乙烯基甲苯共聚物、氯磺?;垡蚁?、硝基纖維素、聚氯乙烯、氯代聚烯烴、聚酯、聚酰亞胺、醋酸乙烯酯—氯乙烯共聚物、乙烯—醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等高分子物質(zhì),以及硅烷偶合劑等表面改性劑。底涂層,可以采用將上記物質(zhì)溶解或者分散在適當(dāng)溶劑中制成涂布液后,利用旋涂法、浸涂法、擠壓涂布法等涂布方法在基板表面上涂布此涂布液的方式形成。底涂層的厚度,一般處于0.005~20微米范圍內(nèi),優(yōu)選處于0.01~10微米范圍內(nèi)。
(記錄層)記錄層的形成,雖然可以采用蒸鍍法、濺射法、CVD法或溶劑涂布法等方法,但是優(yōu)選采用溶劑涂布法。這種情況下,將上述酞菁衍生物(本發(fā)明的色素化合物),必要時(shí)與猝滅劑(quencher)、結(jié)合劑等一起溶解在溶劑中,制成涂布液,然后在基板表面上涂布此涂布液,形成涂膜后通過干燥的方式進(jìn)行。作為涂布液的溶劑,可以舉出乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙酸溶纖劑等酯類,甲基乙基酮、環(huán)己酮、甲基異丁基酮等酮類,二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、氯仿等氯代烴類,二甲基甲酰胺等酰胺類,甲基環(huán)己烷等烴類,二丁基醚、二乙基醚、四氫呋喃、二噁烷等醚類,乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、二丙酮醇等醇類,2,2,3,3-四氟丙醇等含氟溶劑,乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、丙二醇單甲醚等二醇醚類等。上述溶劑考慮到使用色素的溶解性,可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用。而且還可以根據(jù)需要在涂布液中近一步添加抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑、潤(rùn)滑劑等各種添加劑。
使用粘合劑的場(chǎng)合下,作為所說的粘合劑實(shí)例,例如可以舉出明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、橡膠等天然有機(jī)高分子物質(zhì),以及聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異戊二烯等烴類樹脂,聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯乙烯—聚醋酸乙烯酯共聚物等乙烯基系樹脂,聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂,聚乙烯醇、氯代聚乙烯、環(huán)氧樹脂、丁醛樹脂、橡膠衍生物、酚醛樹脂等熱固性樹脂的初期縮合物等合成有機(jī)高分子。作為記錄層材料并用粘合劑的場(chǎng)合下,粘合劑的用量相對(duì)于色素而言一般處于0.01倍~50倍量(重量比)范圍內(nèi),優(yōu)選處于0.1倍~5倍量(重量比)范圍內(nèi)。經(jīng)這樣調(diào)整的涂布液中色素的濃度,一般處于0.01~10重量%范圍內(nèi),優(yōu)選處于0.1~5重量%范圍內(nèi)。
作為涂布方法,可以舉出噴涂法、旋涂法、浸涂法、輥涂法、刮涂法、刀涂法、絲網(wǎng)印刷法等。記錄層可以是單層或多層。而且記錄層的厚度一般處于20~500nm范圍內(nèi),優(yōu)選處于30~300nm范圍內(nèi),更優(yōu)選處于50~100nm范圍內(nèi)。
為了控制激光光線照射時(shí)記錄層的熱分解行為而提高記錄特性,可以向記錄層中添加各種熱分解控制劑。例如添加第0600427號(hào)歐洲專利中記載的金屬絡(luò)合物的方法是有效的,金屬絡(luò)合物中優(yōu)選芳環(huán)烯金屬衍生物,二茂鐵特別適用。其中這種熱分解控制劑也可以以取代基的形式連接在酞菁上。
為提高該記錄層的耐光性,可以使記錄層含有各種褪色防止劑。作為褪色防止劑,一般可以采用單態(tài)氧猝滅劑。而作為單態(tài)氧猝滅劑可以利用已經(jīng)公知的專利說明書等出版物上記載的那些。其具體實(shí)例,例如可以舉出特開昭58-175693、同59-81194、同60-18387、同60-19586、同60-19587、同60-35054、同60-36190、同60-36191、同60-44554、同60-44555、同60-44389、同60-44390、同60-54892、同60-47069、同63-209995、特開平4-25492、特公平1-38680和同6-26028等號(hào)各公報(bào),以及德國(guó)專利350399號(hào)說明書、和日本化學(xué)會(huì)志1992年10月號(hào)第1141頁(yè)等上記載的物質(zhì)。
上記單態(tài)氧猝滅劑等褪色防止劑的用量,相對(duì)于色素而言一般處于0.1~50重量%范圍內(nèi),優(yōu)選處于0.5~45重量%范圍內(nèi),更優(yōu)選處于3~40重量%范圍內(nèi),特別優(yōu)選處于5~25重量%范圍內(nèi)。
(光反射層)為了提高信息再生時(shí)的反射率,優(yōu)選在記錄層上或相鄰地設(shè)置光反射層。作光反射層材料的光反射性物質(zhì),是對(duì)激光光線的反射率高的物質(zhì)。作為其實(shí)例可以舉出Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬和準(zhǔn)金屬或不銹鋼。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或者兩種以上組合使用,或者以合金形式使用。這些物質(zhì)中優(yōu)選Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不銹鋼。特別優(yōu)選金屬Au、金屬Ag、金屬Al或其合金,最優(yōu)選金屬Ag、金屬Al或其合金。光反射層例如可以采用蒸鍍法、濺射法或離子鍍法在基板或記錄層上形成。光反射層的厚度一般處于10~300nm范圍內(nèi),優(yōu)選處于50~200nm范圍內(nèi)。
(保護(hù)層)為了保護(hù)記錄層等以免產(chǎn)生物理和化學(xué)變化優(yōu)選在光反射層或記錄層上設(shè)置保護(hù)層。其中在與DVD-R型光記錄介質(zhì)制造同樣情況下,即采用以記錄層為內(nèi)側(cè)粘合兩塊基板的結(jié)構(gòu)的場(chǎng)合下,不一定設(shè)置保護(hù)層。可以作保護(hù)層用的材料實(shí)例,可以舉出SiO、SiO2、MgF2、SnO2、Si3N4等無(wú)機(jī)物質(zhì),以及熱塑性樹脂、熱固性樹脂、UV固化性樹脂等有機(jī)物質(zhì)。保護(hù)層例如可以采用通過粘著劑將塑料擠出加工得到的薄膜層疊在反射層上的方法形成。或者也可以采用真空蒸鍍、濺射、涂布等方法設(shè)置。而且熱塑性樹脂、熱固性樹脂的情況下,可以采用將其溶解在適當(dāng)溶劑中制成涂布液后,涂布此涂布液,再經(jīng)干燥的方法形成。在UV固化性樹脂的情況下,直接或者將其溶解在適當(dāng)溶劑中制成涂布液后,涂布此涂布液,再經(jīng)照射UV使之固化的方法也能形成保護(hù)層。這些涂布液中還可以根據(jù)需要添加抗靜電劑、抗氧化劑、UV吸收劑等各種添加劑。保護(hù)層的層厚一般處于0.1微米~1毫米范圍內(nèi)。
其中,對(duì)于在基板上依次有光反射層、記錄層和保護(hù)層的光信息記錄介質(zhì)而言,還可以使用由聚碳酸酯、三乙酸纖維素等制成的透明片材作為保擴(kuò)層。
例如在反射層上涂布粘接劑(例如UV固化性樹脂等),層疊透明片材,從層疊的透明片材上方照射光線等能夠?qū)⑼该髌呐c反射層粘接。透明片材的厚度優(yōu)選處于0.01~0.2毫米范圍內(nèi),更優(yōu)選處于0.03~0.1毫米范圍內(nèi)。
而且還可以使用在貼合面上賦予了粘著劑的聚碳酸酯等作為透明片材。這種情況下無(wú)需上述粘接劑。
綜上所述,可以得到一種在基板上設(shè)置了記錄層、光反射層和保護(hù)層的層疊體(光信息記錄介質(zhì))。
其中也可以適當(dāng)改變各層,制成在基板上設(shè)置了光反射層、記錄層和保護(hù)層的層疊體(光信息記錄介質(zhì))。
而且本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì),除上述的結(jié)構(gòu)外也可以進(jìn)行改進(jìn)。例如,也可以在上述的記錄層與保護(hù)層之間形成阻擋層。作為阻擋層構(gòu)成材料,雖然只要是透過激光光線的材料就無(wú)特別限制,但是優(yōu)選電介質(zhì),可以具體舉出ZnS、TiO2、SiO2、ZnS-SiO2、GeO2、Si3N4、Ge3N4、MgF2等無(wú)機(jī)氧化物、氮化物、硫化物,而且優(yōu)選ZnS-SiO2或SiO2。阻擋層可以采用濺射法、蒸鍍、離子鍍法等方法形成,其厚度優(yōu)選為1~100nm。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì),除已述的效果外,能夠發(fā)揮高反射率、高調(diào)制度這一良好的記錄再生特性。也就是說,能夠以比已有的CD-R和DVD-R更高的密度記錄信息,使更大容量的信息記錄成為可能。
(信息記錄方法)本發(fā)明的信息記錄方法,用上述光信息記錄介質(zhì)例如進(jìn)行如下。首先一邊使光信息記錄介質(zhì)以一定線速度或角速度旋轉(zhuǎn),一邊從基板側(cè)或保護(hù)層側(cè)照射半導(dǎo)體激光器光線等的記錄用光線。據(jù)認(rèn)為在這種光線照射下,記錄層因吸收該光線而使局部溫度上升,產(chǎn)生物理或化學(xué)變化(例如形成凹坑),使其光學(xué)特性發(fā)生改變,以此方式記錄信息。本發(fā)明中使用具有390~450nm范圍振蕩波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器光線作為記錄光線。作為優(yōu)選的光源,可以舉出具有390~415nm范圍振蕩波長(zhǎng)的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器光線、使用光波導(dǎo)元件使具有850nm中心振蕩波長(zhǎng)的紅外半導(dǎo)體激光器光線半波長(zhǎng)化的、中心振蕩波長(zhǎng)為425nm的藍(lán)紫色SHG激光光線。從記錄密度觀點(diǎn)來看,特別優(yōu)選使用藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器光線。
以上述方式記錄的信息的再生,可以采用一邊以與上述相同的一定線速度使光信息記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn),一邊從基板側(cè)或保護(hù)層側(cè)照射半導(dǎo)體激光器光線,檢出其反射光線的方式進(jìn)行。
本發(fā)明的色素化合物可以使用由以下通式(II)表示且被包含在本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)的記錄層中的酞菁衍生物。
通式(II) 上述通式(II)中,M表示從銅、鎳、鐵、鈷、鈀、鎂、鋁、鋅、硅和釩中選出的金屬,或者至少含有一種以上上述任何金屬的氧化物,或者具有配位基的上述金屬或上述氧化物中的任何物質(zhì),R4、R5和R6各自獨(dú)立地表示氫原子以外的取代基,n表示1~8的整數(shù)。
而且,R4、R5和R6也可以互相連接形成環(huán)。R4、R5和R6的實(shí)例和優(yōu)選實(shí)例,與通式(I)中R1、R2和R3的實(shí)例和優(yōu)選實(shí)例相同。R4、R5和R6也可以進(jìn)一步被取代基取代。n為1~8的整數(shù)。其中通式(II)的化合物也可以具有由-SO2-CR4R5R6表示的以外的取代基。
此外,正如在上述酞菁衍生物的說明中記載的那樣,由-SO2-CR4R5R6表示的取代基(由通式(I)表示的取代基),優(yōu)選在酞菁衍生物的α位取代。
其中通式(II)表示的化合物中,-SO2-CR4R5R6不必在所有的α位上取代,若其中至少一個(gè)α位被取代,也可以有其他取代基。
以下雖然將本發(fā)明色素化合物中優(yōu)選的具體實(shí)例列舉在下記表1中,但是本發(fā)明并不限于這些化合物。
其中在下表1中,例如Rα1/Rα2這一標(biāo)記表示Rα1或Rα2二者之一,因此具有這種標(biāo)記的化合物,是取代位置異構(gòu)體的混合物。而且在未取代的情況下,即氫原子取代的情況下將省略這種標(biāo)記。
表1可以在本發(fā)明中使用的酞菁衍生物的具體實(shí)例色素化合物取代基位置以及取代基 M(1-1) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)3(1-2) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα7Cu-SO2C(CH3)2CH2C(CH3)3(1-3) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)2CO2C2H5(1-4) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)2OCH3(1-5) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)2CN(1-6) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2CF2CF2CF3(1-7) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)2CH2CH2CO2Ph(1-8) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)2COCH3(1-9) Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Pd-SO2C(CH3)3(1-10)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8SiCl2-SO2C(CH3)3(1-11)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Ni-SO2C(CH3)2CO2C2H5(1-12)Rβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8Cu-SO2C(CH3)3(1-13)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(CH3)3Rβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8-Br(1-14)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8CuRβ1/Rβ2、Rβ3/Rβ4、Rβ5/Rβ6、Rβ7/Rβ8-SO2C(CH3)3(1-15)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Cu-SO2C(1-Methylcyclohexyl)(1-16)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Fe-SO2C(CH3)3(1-17)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Co-SO2C(CH3)3(1-18)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Mg-SO2C(CH3)3(1-19)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Al-SO2C(CH3)3(1-20)Rα1/Rα2、Rα3/Rα4、Rα5/Rα6、Rα7/Rα8Zn-SO2C(CH3)3本發(fā)明的色素化合物,例如被記載在白井-小林合著的《酞菁-化學(xué)與功能-》,アイピ-シ-株式會(huì)社發(fā)行(1~62頁(yè));C.C.Lenznoff-A.B.P.Lever合著《酞菁-性質(zhì)和應(yīng)用》,VCH發(fā)行(1~54頁(yè))上,可以引用或按照與其類似的方法合成。
實(shí)施例用以下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作更詳細(xì)說明,但是本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的絲毫限制。
向3.0克3-叔丁基磺?;婧?.41克無(wú)水氯化銅中加入30毫升丁醇,在80℃下加熱攪拌。向其中加入4.5毫升DBU(1,8-二氮雜雙環(huán)〔5.4.0〕-7-十一碳烯),在80℃下加熱攪拌8小時(shí)。將攪拌后的反應(yīng)液冷卻至室溫,過濾產(chǎn)生的結(jié)晶,用甲醇洗滌后得到了2.0克化合物(I-1)。
λmax=663nm(CH2Cl2)[表1記載的化合物(I-2)的合成)]向3.3克3-叔辛基磺?;婧?.41克無(wú)水氯化銅中加入30毫升丁醇,在80℃下加熱攪拌。向其中加入4.5毫升DBU,在80℃下加熱攪拌8小時(shí)。將攪拌后的反應(yīng)液冷卻至室溫,過濾產(chǎn)生的結(jié)晶,用甲醇洗滌后得到了2.2克化合物(I-2)。
λmax=664nm(CHCl3)[實(shí)施例1]利用注射成形法用帝人化成株式會(huì)社制造的聚碳酸酯樹脂(パンライトAD5503)成形為厚度1.1毫米的基板?;宓牟圮壽E間距為320nm,作為預(yù)置槽的上溝槽部的溝槽寬度(相當(dāng)于半寬值)110nm,溝槽深度35nm。
利用真空成膜法,用由Ag98.1質(zhì)量份、Pd0.9質(zhì)量份和銅1.0質(zhì)量份組成的靶,使反射層在此基板上成膜100nm厚。
稱量色素化合物(I-1),以2.5克與100毫升的比例將其溶解在四氟丙醇中。對(duì)該溶液超聲波照射2小時(shí),使色素化合物溶解后,在23℃50%環(huán)境下靜置0.5小時(shí)以上,用0.2微米的超濾器過濾。利用旋涂法,用此液體在反射層上形成厚度110nm的記錄層。
然后在80℃干凈烘箱中熱處理1小時(shí)。熱處理后,用真空成膜法使用由ZnS8重量份和SiO22重量份組成的靶,在記錄層上形成厚度5nm的阻擋層。
在阻擋層上貼合厚度80微米的聚碳酸酯薄膜(帶粘著劑,貼合時(shí)粘著層的厚度為20微米),制成了光信息記錄介質(zhì)。
將制成的光信息記錄介質(zhì)安裝在搭載了波長(zhǎng)403nm、NA=0.85的激光器光學(xué)系統(tǒng)的DDU-1000(パルステツク工業(yè)株式會(huì)社制造)上,記錄被調(diào)制成1-7的隨機(jī)信號(hào)(2T~8T),再生后評(píng)價(jià)跳動(dòng)。此時(shí)線速度為5.28米/秒,對(duì)記錄時(shí)激光器的輸出和發(fā)光模式進(jìn)行了最佳化,使用傳統(tǒng)的均衡器(equalizer)測(cè)定了跳動(dòng)。表2示出了記錄時(shí)的最佳功率和跳動(dòng)。
除了在實(shí)施例1中將色素化合物(I-1)改變成表2所示的化合物(用量不變)以外,同樣制造了本發(fā)明涉及的光信息記錄介質(zhì),并與實(shí)施例1同樣進(jìn)行了評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表2之中。
除了在實(shí)施例1中,將化合物(I-1)改變成下示的對(duì)比用色素化合物A~E(用量不變)以外,同樣制造了對(duì)照用的光信息記錄介質(zhì),并與實(shí)施例1同樣進(jìn)行了評(píng)價(jià)。結(jié)果示于表2之中。
對(duì)照化合物(A)特開平7-304256號(hào)公報(bào)的實(shí)施例中記載的化合物
對(duì)照化合物(B)特開平8-127174號(hào)公報(bào)的實(shí)施例1記載的化合物 對(duì)照化合物(C)特開平11-334207號(hào)公報(bào)的實(shí)施例1記載的化合物 對(duì)照化合物(D)特開2000-228028號(hào)公報(bào)的實(shí)施例中記載的化合物
對(duì)照化合物(E)特開2003-94828號(hào)公報(bào)的實(shí)施例13記載的化合物。
表2
從表2的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),包含具有作為本發(fā)明特征的由通式(I)表示的取代基的酞菁衍生物(本發(fā)明的色素化合物)的記錄層的光信息記錄介質(zhì)(實(shí)施例1~15),與具有包含對(duì)照化合物A~E的記錄層的光信息記錄介質(zhì)(比較例1~5)相比,對(duì)于上述藍(lán)紫色激光器光線顯示更高的記錄靈敏度和良好的跳動(dòng)。
而且本發(fā)明可以提供一種適于光信息記錄介質(zhì)用的新穎的酞菁衍生物(本發(fā)明的色素化合物)。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì),是在基板上具有記錄層的光信息記錄介質(zhì),其特征在于所述的記錄層含有具有下記通式(I)取代基的酞菁衍生物。通式(I) 通式(I)中,R1、R2、R3分別獨(dú)立表示氫原子以外的取代基。
2.按照權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì),其特征在于由所述通式(I)表示的取代基取代在上述酞菁衍生物的α位上。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的光信息記錄介質(zhì),其特征在于所述的酞菁衍生物的中心金屬或中心金屬化合物,是從銅、鎳、鐵、鈷、鈀、鎂、鋁、鋅、硅和釩中選出的金屬,至少含有一種以上上述任何金屬的氧化物,或者具有配位基的上述金屬或上述氧化物中的任何物質(zhì)。
4.按照權(quán)利要求1~3中任何一項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì),其特征在于在所述的基板上設(shè)有由金屬組成的光反射層。
5.按照權(quán)利要求1~4中任何一項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì),其特征在于在所述的基板上設(shè)有保護(hù)層。
6.按照權(quán)利要求1~5中任何一項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì),其特征在于所述的基板,是在其表面上有軌跡間距為0.2~0.5微米預(yù)置槽的透明圓盤狀基板,所述的記錄層設(shè)置在具有所述的預(yù)置槽的面?zhèn)壬稀?br>
7.一種信息記錄方法,其中通過對(duì)權(quán)利要求1~6中任何一項(xiàng)所述的光信息記錄介質(zhì)照射波長(zhǎng)450nm以下的激光光線而記錄信息。
8.一種由通式(II)表示的色素化合物,通式(II) 通式(II)中,M表示從銅、鎳、鐵、鈷、鈀、鎂、鋁、鋅、硅和釩中選出的金屬,至少含有一種以上上述任何金屬的氧化物,或者具有配位基的上述金屬或上述氧化物中的任何物質(zhì),R4、R5、R6分別獨(dú)立表示氫原子以外的取代基,n為1~8的整數(shù)。
全文摘要
一種光信息記錄介質(zhì)和信息記錄方法以及色素化合物,所述光信息記錄介質(zhì),其特征在于記錄層包含具有下記通式(I)取代基的酞菁衍生物,通式(I)中,R
文檔編號(hào)G11B7/24GK1609973SQ20041008507
公開日2005年4月27日 申請(qǐng)日期2004年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月17日
發(fā)明者渡邊哲也, 齋藤直樹 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社